JPS6348901A - マイクロ波デバイス - Google Patents
マイクロ波デバイスInfo
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- JPS6348901A JPS6348901A JP61193189A JP19318986A JPS6348901A JP S6348901 A JPS6348901 A JP S6348901A JP 61193189 A JP61193189 A JP 61193189A JP 19318986 A JP19318986 A JP 19318986A JP S6348901 A JPS6348901 A JP S6348901A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
-
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/325—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by abutting or pinching, i.e. without alloying process; mechanical auxiliary parts therefor
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は高周波高出力トランジスタ増幅器等のマイク
ロ波デバイスに関し、特にトランジスタのリードと入出
力回路の接続に関するものである。
ロ波デバイスに関し、特にトランジスタのリードと入出
力回路の接続に関するものである。
従来、マイクロ波ストリップ線路とマイクロ波素子の接
続に関しては、例えば実公昭５９−２１５２５号公報に
示される如く、ワイヤ又はリボン等の接続用線路、又は
Ｌ彫金具と考えられる接続用金属板線路を使うものが報
告されている。従来、高周波高出力トランジスタ増幅器
等においては、高周波トランジスタと入出力整合回路と
は上記例と同様、第２図に示す如く、金ワイヤ又は金リ
ボンで接続したり、半田付したりしたものが一般的であ
った。
続に関しては、例えば実公昭５９−２１５２５号公報に
示される如く、ワイヤ又はリボン等の接続用線路、又は
Ｌ彫金具と考えられる接続用金属板線路を使うものが報
告されている。従来、高周波高出力トランジスタ増幅器
等においては、高周波トランジスタと入出力整合回路と
は上記例と同様、第２図に示す如く、金ワイヤ又は金リ
ボンで接続したり、半田付したりしたものが一般的であ
った。
第２図は従来の高周波高出力トランジスタ増幅器を示し
、（ａ）は平面図、（ｂ）はＴａ）のＡ−Ａ ’断面図
である０図において、ｌはトランジスタ、２，３はトラ
ンジスタｌのリード線、４．５はそれぞれトランジスタ
１への信号の入力、出力整合をとるためのマイクロ波ス
トリップ線路で構成された回路を有する基板で、これは
セラミックあるいはサファイヤからなるものである。６
．７は基板４゜５と熱膨張率が近い金属材料で作られた
キャリヤで、基板４．５とは通常半田付けにより接合さ
れている。８は全体を組立てるための台、９．１０は信
号の入力、出力端子、１１はトランジスタ１を台８に固
定するネジ、１２．１３はキャリヤ６゜７を台８に止め
るネジである。ここでトランジスタ１の入力、出力側リ
ード線２，３は（Ｇ 、 （０）の位置において、それ
ぞれ基Ｆｉ４．５のマイクロ波ストリップ線路に半田付
又は金リボンにより接続されている。
、（ａ）は平面図、（ｂ）はＴａ）のＡ−Ａ ’断面図
である０図において、ｌはトランジスタ、２，３はトラ
ンジスタｌのリード線、４．５はそれぞれトランジスタ
１への信号の入力、出力整合をとるためのマイクロ波ス
トリップ線路で構成された回路を有する基板で、これは
セラミックあるいはサファイヤからなるものである。６
．７は基板４゜５と熱膨張率が近い金属材料で作られた
キャリヤで、基板４．５とは通常半田付けにより接合さ
れている。８は全体を組立てるための台、９．１０は信
号の入力、出力端子、１１はトランジスタ１を台８に固
定するネジ、１２．１３はキャリヤ６゜７を台８に止め
るネジである。ここでトランジスタ１の入力、出力側リ
ード線２，３は（Ｇ 、 （０）の位置において、それ
ぞれ基Ｆｉ４．５のマイクロ波ストリップ線路に半田付
又は金リボンにより接続されている。
次に動作について説明する。信号は入力端子９より入力
され、基板４の入力整合回路でインピーダンス変換され
、入力側リード線２よりトランジスタ１へ印加される。
され、基板４の入力整合回路でインピーダンス変換され
、入力側リード線２よりトランジスタ１へ印加される。
この時該トランジスタ１には所定の電流が流れ、増幅器
としての動作状態が保たれる。上記トランジスタ１に印
加された信号は増幅され、上記トランジスタ１の出力側
リード線３より、基板５の出力整合回路に導かれてイン
ピーダンス変換され、出力端子１０より外部回路へと導
かれる。
としての動作状態が保たれる。上記トランジスタ１に印
加された信号は増幅され、上記トランジスタ１の出力側
リード線３より、基板５の出力整合回路に導かれてイン
ピーダンス変換され、出力端子１０より外部回路へと導
かれる。
高出力増幅器においては、トランジスタ１は大電流が流
れるために発熱し、このため台８によりこれを放熱する
ようになっている。従って、増幅器全体はその動作状態
においては非動作状態に比べ、温度が高くなる。上記台
８は、全体を組立てている役目も果たしているが、トラ
ンジスタｌの発生する熱を放熱する機能をも果たす必要
があるので、このためだけを考えれば、上記台８には熱
伝導率のよい銅が望ましい。しかし、銅は比重が大きく
、重（なるので、比重が小さく熱伝導率も比較的良好な
アルミニュームが多用されている。
れるために発熱し、このため台８によりこれを放熱する
ようになっている。従って、増幅器全体はその動作状態
においては非動作状態に比べ、温度が高くなる。上記台
８は、全体を組立てている役目も果たしているが、トラ
ンジスタｌの発生する熱を放熱する機能をも果たす必要
があるので、このためだけを考えれば、上記台８には熱
伝導率のよい銅が望ましい。しかし、銅は比重が大きく
、重（なるので、比重が小さく熱伝導率も比較的良好な
アルミニュームが多用されている。
このように台８に使われる材料は重量、放熱等の観点か
ら選ばれる。
ら選ばれる。
一方、一般に基板４，５はセラミック等の誘電体であり
、熱膨張率がアルミニューム、銅等の通常の金属に比べ
て非常に小さい、従って、セラミックでできた基板４．
５を面接合８に半田付等によって接着すると、トランジ
スタ１からの発熱により温度が上った場合、接着がはが
れたり、セラミック基板が割れたりする。このような現
象を防ぐため、セラミック等でできている基板４．５を
、熱膨張率がセラミックとほぼ同じか非常に近い値をも
った特殊な金属、例えばコバール等で作られたキャリヤ
６．７に一旦接着し、該キャリヤ６゜７を台８にネジ１
２．１３によって止めるようにしている。
、熱膨張率がアルミニューム、銅等の通常の金属に比べ
て非常に小さい、従って、セラミックでできた基板４．
５を面接合８に半田付等によって接着すると、トランジ
スタ１からの発熱により温度が上った場合、接着がはが
れたり、セラミック基板が割れたりする。このような現
象を防ぐため、セラミック等でできている基板４．５を
、熱膨張率がセラミックとほぼ同じか非常に近い値をも
った特殊な金属、例えばコバール等で作られたキャリヤ
６．７に一旦接着し、該キャリヤ６゜７を台８にネジ１
２．１３によって止めるようにしている。
また、トランジスタｌのパッケージも通常セラミックで
できており、リード線２，３間の寸法の温度変化による
変動は小さい。トランジスタｌがアルミニューム等でで
きている台８に取付けられ、両側のリード線２．３が基
板４．５のマイクロ波ストリップ線路に半田付された場
合には、温度変化による熱膨張率の差、いわゆる熱スト
レスによって上記トランジスタ１のリード線２．３に非
常に大きな力が加わって、半田付がはずれたり、リード
線２，３が切断したりする。また、リード線２．３と基
板４．５のマイクロ波ストリップ線路との接続を金リボ
ンにより行って熱の影響を回避する方法もあるが、この
場合は該リボンにある一定の長さが必要であり、回路に
不要なインダクタンスが入ることとなり、特性の劣化を
もたらす。
できており、リード線２，３間の寸法の温度変化による
変動は小さい。トランジスタｌがアルミニューム等でで
きている台８に取付けられ、両側のリード線２．３が基
板４．５のマイクロ波ストリップ線路に半田付された場
合には、温度変化による熱膨張率の差、いわゆる熱スト
レスによって上記トランジスタ１のリード線２．３に非
常に大きな力が加わって、半田付がはずれたり、リード
線２，３が切断したりする。また、リード線２．３と基
板４．５のマイクロ波ストリップ線路との接続を金リボ
ンにより行って熱の影響を回避する方法もあるが、この
場合は該リボンにある一定の長さが必要であり、回路に
不要なインダクタンスが入ることとなり、特性の劣化を
もたらす。
従来のマイクロ波デバイスは、トランジスタ１のリード
線２，３と基板４．５との接続が、半田付あるいは金リ
ボンによる熱圧着によって行なわれているので、半田付
の場合は熱膨張によりリード線が切断したり、半田付が
はずれる等の故障が生じ、また金リボンによる場合は、
不要インダクタンスが回路に入り特性の劣化をまね（な
どの問題点があった。
線２，３と基板４．５との接続が、半田付あるいは金リ
ボンによる熱圧着によって行なわれているので、半田付
の場合は熱膨張によりリード線が切断したり、半田付が
はずれる等の故障が生じ、また金リボンによる場合は、
不要インダクタンスが回路に入り特性の劣化をまね（な
どの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、熱膨張によるトランジスタのリード線の切断
、半田付のはずれなどの事故をなくすことができ、さら
に金リボンによる不要インダクタンスが回路に入るのを
防ぐことができるマイクロ波デバイスを得ることを目的
とする。
たもので、熱膨張によるトランジスタのリード線の切断
、半田付のはずれなどの事故をなくすことができ、さら
に金リボンによる不要インダクタンスが回路に入るのを
防ぐことができるマイクロ波デバイスを得ることを目的
とする。
この発明に係るマイクロ波デバイスは、その先端に絶縁
体を取付けた板ばねにより、該絶縁体を介してマイクロ
波素子の入力、出力用リード線をマイクロ波ストリップ
線路に圧接するようにしたものである。
体を取付けた板ばねにより、該絶縁体を介してマイクロ
波素子の入力、出力用リード線をマイクロ波ストリップ
線路に圧接するようにしたものである。
〔作用〕、
この発明においては、仮ばねにより入力、出力用リード
線をマイクロ波ストリップ線路に圧接するので、該リー
ド線とストリップ線路とを電気的に接続することができ
、しかも半田や金リボンを用いないで接続するので、熱
ストレスによる半田付のはずれやリード線の切断、不要
インダクタンスによる特性劣化などを防止でき、さらに
は不具合発生時のマイクロ波素子の交換をも容易に行な
うことができる。
線をマイクロ波ストリップ線路に圧接するので、該リー
ド線とストリップ線路とを電気的に接続することができ
、しかも半田や金リボンを用いないで接続するので、熱
ストレスによる半田付のはずれやリード線の切断、不要
インダクタンスによる特性劣化などを防止でき、さらに
は不具合発生時のマイクロ波素子の交換をも容易に行な
うことができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明の一実施例によるマイクロ波デバイスを示
し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図
、（Ｃ）は（δ）のＢ−Ｂ’断面図である６図において
、第２図と同一符号は同−又は相当部分を示す。１４は
金属性の板ばねであり、その先端には絶縁体１５が取付
けられている。
図はこの発明の一実施例によるマイクロ波デバイスを示
し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図
、（Ｃ）は（δ）のＢ−Ｂ’断面図である６図において
、第２図と同一符号は同−又は相当部分を示す。１４は
金属性の板ばねであり、その先端には絶縁体１５が取付
けられている。
本実施例では、トランジスタ１と基板４．５のマイクロ
波ストリップ線路との接続を、板ばね１４の先端に取付
けた絶縁体１５を介してトランジスタ１の入力、出力側
リード線２，３を上記マイクロ波ストリップ線路に押し
つけることによって行っているので、半田付けや金リボ
ン等を用いた接続の場合に問題となる熱ストレスによる
半田はずれやリード線の切断、不要なインダクタンスに
よる特性劣化などを防ぐことができ、しかも不具合発生
時のトランジスタ交換をも容易に行なうことができる。
波ストリップ線路との接続を、板ばね１４の先端に取付
けた絶縁体１５を介してトランジスタ１の入力、出力側
リード線２，３を上記マイクロ波ストリップ線路に押し
つけることによって行っているので、半田付けや金リボ
ン等を用いた接続の場合に問題となる熱ストレスによる
半田はずれやリード線の切断、不要なインダクタンスに
よる特性劣化などを防ぐことができ、しかも不具合発生
時のトランジスタ交換をも容易に行なうことができる。
なお、上記実施例では板ばねを用いているが、これは例
えばコイルばねなとであってもよく、同様の効果を奏す
る。
えばコイルばねなとであってもよく、同様の効果を奏す
る。
以上のようにこの発明のマイクロ波デバイスによれば、
仮ばねにより入力、出力用リード線をマイクロ波ストリ
ップ線路に圧接するようにしたので、マイクロ波素子と
ストリップ線路とを電気的に接続することができ、しか
も、熱ストレスによる半田はずれやリード線の切断、不
要インダクタンスによる特性の劣化を防止でき、さらに
は故障時のマイクロ波素子の交換を容易に行なうことが
できる効果がある。
仮ばねにより入力、出力用リード線をマイクロ波ストリ
ップ線路に圧接するようにしたので、マイクロ波素子と
ストリップ線路とを電気的に接続することができ、しか
も、熱ストレスによる半田はずれやリード線の切断、不
要インダクタンスによる特性の劣化を防止でき、さらに
は故障時のマイクロ波素子の交換を容易に行なうことが
できる効果がある。
第１図（ａｌはこの発明の一実施例によるマイクロ波デ
バイスを示す平面図、第１図（ｂ）、 （Ｃ）は上記実
施例の断面図、第２図（ａｌ及び申）は従来のマイクロ
波デバイスを示す平面図及び断面図である。 図において、１はトランジスタ、２，３はリード線、４
．５は基板、１４は仮ばね、１５は絶縁体である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
バイスを示す平面図、第１図（ｂ）、 （Ｃ）は上記実
施例の断面図、第２図（ａｌ及び申）は従来のマイクロ
波デバイスを示す平面図及び断面図である。 図において、１はトランジスタ、２，３はリード線、４
．５は基板、１４は仮ばね、１５は絶縁体である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）入力、出力用リード線を有するマイクロ波素子と
、 マイクロ波ストリップ線路で構成された入力、出力回路
と、 その先端に取付けた絶縁体を介して上記入力、出力用リ
ード線をそれぞれ上記マイクロ波ストリップ線路の入力
、出力回路に圧接するための板ばねとを備えたことを特
徴とするマイクロ波デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61193189A JPS6348901A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | マイクロ波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61193189A JPS6348901A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | マイクロ波デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6348901A true JPS6348901A (ja) | 1988-03-01 |
Family
ID=16303782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61193189A Pending JPS6348901A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | マイクロ波デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6348901A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5356719A (en) * | 1993-01-27 | 1994-10-18 | Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. | Fluorosilicone release agent composition |
| US5492969A (en) * | 1993-11-25 | 1996-02-20 | Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. | Curable organopolysiloxane composition |
| US5578381A (en) * | 1994-08-31 | 1996-11-26 | Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. | Release coating compositions |
| US7045586B2 (en) | 2003-08-14 | 2006-05-16 | Dow Corning Corporation | Adhesives having improved chemical resistance and curable silicone compositions for preparing the adhesives |
| US7521124B2 (en) | 2003-08-14 | 2009-04-21 | Dow Corning Corporation | Silicones having improved chemical resistance and curable silicone compositions having improved migration resistance |
| WO2012038192A1 (en) | 2010-09-22 | 2012-03-29 | Wacker Chemie Ag | A silicone composition containing fluorine |
| KR20170029585A (ko) | 2014-07-10 | 2017-03-15 | 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 | 박리 컨트롤제, 이를 포함하는 실리콘 박리제 조성물, 박리 시트, 및 적층체 |
| CN109712937A (zh) * | 2019-01-02 | 2019-05-03 | 北京振兴计量测试研究所 | 一种共晶载体及微波装置 |
-
1986
- 1986-08-19 JP JP61193189A patent/JPS6348901A/ja active Pending
Cited By (12)
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