JPH02165657A - マイクロ波デバイス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、高周波高出力トランジスタ増幅器等のマイ
クロ波デバイスに関し、特にトランジスタのリードと入
出力回路との接続部分の改良に関するものである。

〔従来の技術〕

従来、マイクロストリップ線路とマイクロ波素子との接
続に関しては、例えば実公昭５９−２１５２５号公報に
示されている如く、ワイヤ又はリボン等の接続用線路、
又はＬ形金具と考えられる接続用金属板線路を使うもの
が報告されている。

また、従来、高周波高出力トランジスタ増幅器等におい
て、上記公報と同様の方法によりその高周波トランジス
タと入出力整合回路とを接続するものとして、第２図に
示す如く、金ワイヤ又は金リボンで接続したり、半田付
したりするものがあり、これが一般的な接続方法であっ
た。

第２図はこの従来の高周波高出力トランジスタ増幅器を
示し、第２図（ａ）はその平面図、第２図山）は同図（
１１）のＡ−Ａ　’線断面図である０図において、１は
マイクロ波素子としてのトランジスタ、２゜３はトラン
ジスタ１のリード線、４．５はセラミックあるいはサフ
ァイアからなる基板で、それぞれトランジスタ１への信
号の入力、あるいは出力整合をとるためのマイクロスト
リップ線路で構成された回路を有するものである。６，
７は基板４゜５と熱膨張率が近い金属材料で作られたキ
ャリヤで、基板４．５とは通常半田付けにより接合され
ている。８は全体を組立てるための台、９．１０は信号
の入力、出力端子、１１はトランジスタ１を台８に固定
するネジ、１２．１３はキャリヤ６゜７を台８に止める
ネジである。ここでトランジスタ１の入力、出力側リー
ドＮａ２．３は図中のイ。

口の位置においてそれぞれ基′Ｆｉ４．５のマイクロス
トリップ線路に半田付又は金リボンにより接続されてい
る。

次に動作について説明する。信号は入力端子９より入力
され、基板４０入力整合回路でインピーダンス変換され
、入力側リード線２よりトランジスタｌに印加される。

この時、該トランジスタ１には所定の電流が流れ、増幅
器としての動作状態が保たれる。上記トランジスタ１に
印加された信号は増幅され、上記トランジスタ１の出力
側リード線３より、基板５の出力整合回路に導かれてイ
ンピーダンス変換され、出力端子１０より外部回路へと
導かれる。

ところで、この種の高出力増幅器においては、トランジ
スタ１は大電流が流れるために発熱するが、この発熱を
台８により放熱するようになっている。従って、動作状
態においては増幅器全体は非動作状態に比べ、温度が高
くなる。上記台８は、その全体を組立てる役目も果たし
ているが、トランジスタ１の発生する熱を放熱する機能
をも果たす必要があるので、このためだけを考えれば、
上記台８には熱伝導率のよい銅を採用することが望まし
い、しかし、銅は比重が大きく、重くなるので、比重が
小さく熱伝導率も比較的良好なアルミニウムが多用され
ている。

このように台８に使われる材料は重量、放熱等の観点か
ら選ばれる。

一方、一般に基板４．５はセラミック等の誘電体であり
、熱膨張率がアルミニウム、銅等の通常の金属に比べて
非常に小さい、従って、セラミックでできた基板４．５
を直接台８に半田付等によって接着すると、トランジス
タ１からの発熱により温度が上がった場合、接着がはが
れたり、セラミンク基板が割れたりする。このような現
象を防ぐため、セラミック等でできている基板４．５を
熱膨張率がセラミックとほぼ同じか非常に近い値を持っ
た特殊な金属、例えばコパール等で作られたキャリヤ６
．７に一旦接着し、該キャリヤ６゜７を台８にネジ１２
．１３によって止めるようにしている。

また、トランジスタ１のパフケージも通常セラミックで
できており、リード線２．３間の寸法の温度変化による
変動は小さい、トランジスタ１がアルミニウム等ででき
ている台８に取付けられ、両側のリード１ｉ１２．３が
基板４．５のマイクロストリップ線路に半田付された場
合には、温度変化による熱膨張率の差、いわゆる熱スト
レスによって上記トランジスタ１のリード線２．３に非
常に大きな力が加わって、半田付がはずれたり、リード
線２．３が切断したりする。また、リード線２゜３と基
板４．５のマイクロストリップ線路との接続を金リボン
により行って熱の影響を回避する方法もあるが、この場
合は該リボンにある一定の長さが必要であり、回路に不
要なインダクタンスが入ることとなり、特性の劣化をも
たらしてしまう。

〔発明が解決しようとする課！！］ 従来のマイクロ波デバイスは、以上のように構成されて
おり、トランジスタ１のリード！２．　３と基板４．５
との接続が半田付あるいは金リボンによる熱圧着によっ
て行われているので、半田付の場合は熱膨脹によりリー
ド線が切断したり、半田付がはずれる等の故障が生じ、
また金リボンによる場合は、不要なインダクタンスが回
路に入り、特性の劣化を招いてしまうなどの問題点があ
った。

この発明は、上記のような従来のものの問題点を解消す
るためになされたもので、熱膨脹によるトランジスタの
リード線の切断、半田付のはずれなどの事故をなくすこ
とができ、さらに金リボンによる不要インダクタンスが
回路に入るのを防ぐことができるマイクロ波デバイスを
得ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係るマイクロ波デバイスは、絶縁体よりなる
キャップの突起部によってマイクロ波素子の入力、出力
用リード線をマイクロストリップ線路に圧接するように
したものである。

〔作用〕

この発明においては、絶縁体からなるキャップの突起部
によりマイクロ波素子の入力、出力用リード線をマイク
ロストリップ線路に圧接するようにしたので、該リード
線とマイクロストリップ線路との電気的な接続を、半田
や金リボンを用いないで行なうことができ、熱ストレス
による半田付のはずれやリード線の切断、不要インダク
タンスによる特性劣化などを防止でき、さらには不具合
発生時のマイクロ波素子の交換をも容易に行うことがで
きる。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。

第１図はこの発明の一実施例によるマイクロ波デバイス
を示し、第１図（ａ）はその組立分解図、第１図（ｂｌ
は組立後の平面図、第１図（Ｃ）は同図山）のＡ−Ａ’
線断面図である０図において、第２図と同一符号は同−
又は相当部分を示す、１４はテフロン等の絶縁体で作ら
れたキャップであり、入出力リード線２．３を基板４．
５のマイクロストリップ線路へ圧接するための突起部１
４ａ、１４ｂを有している。

次に作用効果について説明する０本実施例では、トラン
ジスタ１と基板４，５のマイクロストリップ線路との接
続をキャップ１４の突起部でトランジスタ１の入力、出
力リード＊２．３を圧接することによって行っているの
で、半田付や金リボン等を用いた接続の場合に問題とな
る熱ストレスによる半田はずれやリード線の切断、不要
インダクタンスによる特性劣化などを防ぐことができ、
しかも不具合発生時のトランジスタ交換をも容易に行う
ことができる。

なお、上記実施例ではキャップの突起部でトランジスタ
の入力、出力リードを圧接することによってリードとマ
イクロストリップ線路とを電気的に接続する場合を示し
たが、板状の絶縁体をトランジスタの入力、出力リード
を挟むようにキャリヤの止めネジで取り付けるようにし
てもよい。

また、上記実施例ではマイクロ波デバイスの場合につい
て説明したが、入力、出力リードを有する部品やデバイ
スと基板上のパターンとの接続のあるハイブリッド回路
であってもよいことは言うまでもない。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明に係るマイクロ波デバイスによ
れば、突起部をもった絶縁体で作られたキャップを用い
ることによりマイクロ波素子の取り付けと同時にマイク
ロ波素子とマイクロストリップ線路とを電気的に接続す
ることができ、しかも熱ストレスによる半田はずれやリ
ード線の切断。

不要インダクタンスによる特性の劣化を防止でき、さら
には故障時のマイクロ波素子の交換を容易に行うことが
できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例によるマイクロ波デバイス
を示す図で、第１図（Ｉｓ）はその組立分解図、第１図
（ｂ）、　（Ｃ）はその組立後の平面図及び断面図、第
２図は従来のマイクロ波デバイスを示す図であり、第２
図（ａ）及び山）はその平面図及び断面図である。 図において、１はトランジスタ（マイクロ波素子）、２
．３はリード線、４．５は基板、１４はキャップ、１４
ａ、１４ｂは突起部である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）入力，出力用リード線を有するマイクロ波素子と
   、 マイクロストリップ線路で構成された入力，出力回路と
   、 上記マイクロ波素子の入力，出力用リード線をそれぞれ
   上記マイクロストリップ線路の入力，出力回路に圧接す
   るための突起部を有する、絶縁体からなるキャップとを
   備えたことを特徴とするマイクロ波デバイス。