JPH0582671A - 樹脂封止型半導体素子 - Google Patents

樹脂封止型半導体素子

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JPH0582671A
JPH0582671A JP3238516A JP23851691A JPH0582671A JP H0582671 A JPH0582671 A JP H0582671A JP 3238516 A JP3238516 A JP 3238516A JP 23851691 A JP23851691 A JP 23851691A JP H0582671 A JPH0582671 A JP H0582671A
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JP
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island
lead
resin
semiconductor element
semiconductor chip
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JP3238516A
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Tadayoshi Saito
忠義 斎藤
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体チップの発熱をリードを介して放散さ
せ、信頼性を向上させる。 【構成】樹脂封止型半導体素子において、半導体チップ
２を接着するアイランド１１ａとこのアイランド１１ａ
と対向するリード１ｂとの間に高熱伝導材のセラミック
ス５をろう材６により接着し固着する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体素子に
関し、特に半導体チップの発熱を放散させる構造の樹脂
封止型半導体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の樹脂封止型半導体素子は、図５に
示すように、半導体チップ２を搭載するアイランド１１
ａとアイランド１１ａと対向するリード１ｂとは、樹脂
４により分離されている。この樹脂封止型半導体素子で
は、動作状態での半導体チップ２の発熱は、リード１ａ
を介してプリント基板８に逃がす構造となっている。こ
の時、アイランド１１ａとリード１ｂ間が樹脂により分
離されていることから、半導体チップ２の発熱は、リー
ド１ａの側に集中することになり、熱放散性が劣ってい
た。
【０００３】図６に示すように、従来技術の中で熱放散
性を改良しようとした樹脂封止型半導体素子は、半導体
チップ２の両面をリード１ａと対向するリード１ｂとで
接着して挾持する構造を採用している。本構造では、半
導体チップ２の発熱は、各リード１ａ，１ｂを介して放
散させるものである。しかしながら、本構造では、半導
体チップ２の両面を半田７にて半田付けするため、例え
ば、コンベア炉を使用するなど、特殊な組立工程を構成
する必要があり、原価低減に限界がある。さらに、半導
体チップ表面を半田により被覆するため信頼性上の問題
があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来技術では、半
導体チップを接着してあるアイランドと対向するリード
とが樹脂により分離されているため、熱放散性に劣ると
いう問題点があった。
【０００５】また、他方、半導体チップの両面をリード
に接着させる構造では、組立工程が特殊となっており、
かつ、半導体チップの両面を半田付けする構造のため、
Ｐ−Ｎ接合表面が不安定となり、信頼性に欠けるという
問題点があった。
【０００６】本発明の目的は、熱放散性に優れ、信頼性
の高い樹脂封止型半導体素子を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、アイランド
と、該アイランドと対向する位置に配置されたリード
と、前記アイランドに搭載された半導体チップと、該半
導体チップの表面電極と前記リードとを接続する内部結
線とを有する樹脂封止型半導体素子において、前記アイ
ランドと前記リード間に挾持されて固定された電気絶縁
性の高熱伝導材を有する。
【０００８】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
【０００９】図１は本発明の第１の実施例の断面図であ
る。
【００１０】本実施例に用いた樹脂封止型半導体素子
は、電力損失が１Ｗの２端子樹脂封止定電圧ダイオード
である。
【００１１】第１の実施例は、図１に示すように、半導
体チップ２は、半田７によりアイランド１１ａに接着さ
れ、半導体チップ２の表面電極２ａには、内部連結線３
（ここでは、線型が４０μｍの金線を採用）の一端を超
音波ボンディング方式により接着させ、他端を対向する
リード１ｂに熱圧着させてある。樹脂４で成形後、リー
ド１ａ，１ｂの端部は、Ｌ字型に曲げ加工される。
【００１２】図２は図１の樹脂封止型半導体素子に採用
したリードフレームの平面図である。
【００１３】図２に示すように、第１の実施例に採用し
たリードフレームには、あらかじめ、アイランド１１ａ
とアイランド１１ａと対向するリード１ｂとの間に電気
絶縁性の高熱伝導材であるセラミックス５がろう材６に
より接着し固定されている。
【００１４】図３は本発明の第２の実施例の断面図であ
る。
【００１５】第２の実施例は、図３に示すように、半導
体チップ２を接着するアイランド１１ａの反対側にセラ
ミックス５を介して対向するリード１ｂをろう材６によ
り接着する構造を採用している。
【００１６】図４は図３の樹脂封止型半導体素子に採用
したリードフレームの平面図である。
【００１７】図４に示すように、第２の実施例に採用し
たリードフレームは、あらかじめ、アイランド１１ａの
片面にセラミックスを介して対向するリード１ａ，１ｂ
をろう材で接着し固定されている。
【００１８】第２の実施例はセラミックス５と、アイラ
ンド１１ａとリード１ｂとの接触面積を大きくとれるの
で熱放散をより大きくできる効果がある。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体チ
ップを接着するアイランドとこのアイランドと対向する
リードとの間にセラミックスなどの高熱伝導物質を介在
させることにより、半導体チップの発熱を全リードにわ
たって放散でき、信頼性の高い樹脂封止型半導体素子が
得られるという効果を有する。
【００２０】尚、従来技術との対比で熱抵抗は、約１０
〜２０％改善される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例の断面図である。
【図２】図１の樹脂封止型半導体素子に採用したリード
フレームの平面図である。
【図３】本発明の第２の実施例の断面図である。
【図４】図３の樹脂封止型半導体素子に採用したリード
フレームの平面図である。
【図５】従来の樹脂封止型半導体素子の一例の断面図で
ある。
【図６】従来の樹脂封止型半導体素子の他の例の断面図
である。
【符号の説明】
１ａ，１ｂ リード ２ 半導体チップ ２ａ 表面電極 ３ 内部連結線 ４ 樹脂 ５ セラミックス ６ ろう材 ７ 半田 ８ プリント基板 ９ 基板付用半田

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 アイランドと、該アイランドと対向する
    位置に配置されたリードと、前記アイランドに搭載され
    た半導体チップと、該半導体チップの表面電極と前記リ
    ードとを接続する内部結線とを有する樹脂封止型半導体
    素子において、前記アイランドと前記リード間に挾持さ
    れて固定された電気絶縁性の高熱伝導材を有することを
    特徴とする樹脂封止型半導体素子。
  2. 【請求項２】 前記高熱伝導材がアイランドとリードの
    それぞれの端面で挾持されていることを特徴とする請求
    項１記載の樹脂封止型半導体素子。
  3. 【請求項３】 前記高熱伝導材がアイランドとリードの
    それぞれの板面で挾持されていることを特徴とする請求
    項１記載の樹脂封止型半導体素子。
JP3238516A 1991-09-19 1991-09-19 樹脂封止型半導体素子 Pending JPH0582671A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100844630B1 (ko) * 2006-03-29 2008-07-07 산요덴키가부시키가이샤 반도체 장치

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