JPS62190857A - マイクロ波デバイス - Google Patents
マイクロ波デバイスInfo
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- JPS62190857A JPS62190857A JP3406286A JP3406286A JPS62190857A JP S62190857 A JPS62190857 A JP S62190857A JP 3406286 A JP3406286 A JP 3406286A JP 3406286 A JP3406286 A JP 3406286A JP S62190857 A JPS62190857 A JP S62190857A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は高周波高出力トランジスタ増幅器等のマイク
ロ波デバイスに関し、特にトランジスタのリードと入出
力回路の接続に関するものである。
ロ波デバイスに関し、特にトランジスタのリードと入出
力回路の接続に関するものである。
従来、マイクロ波ストリップ線路とマイクロ波素子の接
続に関しては、例えば実公昭５９−２１５２５号公報に
示される如く、ワイヤ又はリボン等の接続用線路、又は
Ｌ形金具と考えられる接続用金属板線路を使うものが報
告されている。従来、高周波高出力トランジスタ増幅器
等においては、高周波トランジスタと入出力整合回路と
は上記例と同様、第２図（ａ） （ｂ）に示す如く金ワ
イヤ又は金リボンで接続したり、半田付したりしたもの
が一般的であった。
続に関しては、例えば実公昭５９−２１５２５号公報に
示される如く、ワイヤ又はリボン等の接続用線路、又は
Ｌ形金具と考えられる接続用金属板線路を使うものが報
告されている。従来、高周波高出力トランジスタ増幅器
等においては、高周波トランジスタと入出力整合回路と
は上記例と同様、第２図（ａ） （ｂ）に示す如く金ワ
イヤ又は金リボンで接続したり、半田付したりしたもの
が一般的であった。
第２図は従来の高周波高出力トランジスタ増幅器を示し
、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’ 断面図
である。図において、１はトランジスタ、２，３はトラ
ンジスタ１のリード線、４．５はそれぞれトランジスタ
１への信号の入力、出力整合をとるためにマイクロ波ス
トリップ線路で構成された回路を有する基板で、これは
セラミックあるいはサラアイアからなるものである。６
．７は基板４゜５と熱膨張率が近い金属材料で作られ、
それぞれ基板４．５と半田付されているキャリア、８は
全体を組立てるための台、９．１０は信号の入力、出力
端子、１１はトランジスタｌを台８に固定するネジ、１
２．１３はキャリア６．７を台８に止めるネジである。
、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’ 断面図
である。図において、１はトランジスタ、２，３はトラ
ンジスタ１のリード線、４．５はそれぞれトランジスタ
１への信号の入力、出力整合をとるためにマイクロ波ス
トリップ線路で構成された回路を有する基板で、これは
セラミックあるいはサラアイアからなるものである。６
．７は基板４゜５と熱膨張率が近い金属材料で作られ、
それぞれ基板４．５と半田付されているキャリア、８は
全体を組立てるための台、９．１０は信号の入力、出力
端子、１１はトランジスタｌを台８に固定するネジ、１
２．１３はキャリア６．７を台８に止めるネジである。
ここでトランジスタＩの人力。
出力側リード線２，３は（イ）、（ロ）の位置において
、それぞれ基板４．５のマイクロ波ストリップ線路に半
田付又は金リボンにより接続されている。
、それぞれ基板４．５のマイクロ波ストリップ線路に半
田付又は金リボンにより接続されている。
次に動作について説明する。信号は入力端子９より入力
され、基板４の入力整合回路でインピーダンス変換され
、入力側リード綿２よりトランジスタ１へ印加される。
され、基板４の入力整合回路でインピーダンス変換され
、入力側リード綿２よりトランジスタ１へ印加される。
この時該トランジスタ１には所定の電流が流れ、増幅器
としての動作状態が保たれる。上記トランジスタ１に印
加された信号は増幅され、上記トランジスタｌの出力側
リード線３より基板５の出力整合回路に導かれてインピ
ーダンス変換され、出力端子ＩＯより外部回路へと導か
れる。
としての動作状態が保たれる。上記トランジスタ１に印
加された信号は増幅され、上記トランジスタｌの出力側
リード線３より基板５の出力整合回路に導かれてインピ
ーダンス変換され、出力端子ＩＯより外部回路へと導か
れる。
高出力増幅器においては、トランジスタｌに大電流が流
れることから該トランジスタ１が発熱し、このため台８
によりこれを放熱するようになっている。従って増幅器
全体はその動作状態においては非動作状態に比べ温度が
高くなる。上記台８は全体を組立てている役目も果たし
ているが、トランジスタ１の発生する熱を放熱する機能
をも果たす必要があるので、このためだけを考えれば上
記台８には熱伝導率のよい銅が望ましい。しかし、銅は
比重が太き（、重くなるので、比重が小さく熱伝導率も
比較的良好なアルミニュームが多用されている。このよ
うに台８に使われる材料は、重量、放熱等の観点から選
ばれる。
れることから該トランジスタ１が発熱し、このため台８
によりこれを放熱するようになっている。従って増幅器
全体はその動作状態においては非動作状態に比べ温度が
高くなる。上記台８は全体を組立てている役目も果たし
ているが、トランジスタ１の発生する熱を放熱する機能
をも果たす必要があるので、このためだけを考えれば上
記台８には熱伝導率のよい銅が望ましい。しかし、銅は
比重が太き（、重くなるので、比重が小さく熱伝導率も
比較的良好なアルミニュームが多用されている。このよ
うに台８に使われる材料は、重量、放熱等の観点から選
ばれる。
一方、一般に基板４．５はセラミック等の誘電体であり
、熱膨張率がアルミニウム、銅等の通常の金属に比べて
非常に小さい、従って、セラミックでできた基板４，５
を直接音８に半田付等によって接着すると、トランジス
タ１からの発熱により温度が上った場合、接着がはがれ
たり、セラミック基板が割れたりする。このような現象
を防ぐため、セラミ・ツク等でできている基板４．５を
、熱膨張率がセラミックとほぼ同じか非常に近い値をも
った特殊な金属、例えばコバール等で作られたキャリア
６．７に一担接着し、該キャリア６゜７を台８にネジ１
２．１３によって止めるようにしている。
、熱膨張率がアルミニウム、銅等の通常の金属に比べて
非常に小さい、従って、セラミックでできた基板４，５
を直接音８に半田付等によって接着すると、トランジス
タ１からの発熱により温度が上った場合、接着がはがれ
たり、セラミック基板が割れたりする。このような現象
を防ぐため、セラミ・ツク等でできている基板４．５を
、熱膨張率がセラミックとほぼ同じか非常に近い値をも
った特殊な金属、例えばコバール等で作られたキャリア
６．７に一担接着し、該キャリア６゜７を台８にネジ１
２．１３によって止めるようにしている。
また、トランジスタ１のパッケージも通常セラミックで
できており、リード線２，３間の寸法の温度変化による
変動は小さい。トランジスタ１がアルミニウム等ででき
ている台８に取り付けられ、両側のリード線２．３が基
板４，５のマイクロ波ストリップ線路に半田付された場
合には、温度変化による熱膨張率の差によって上記トラ
ンジスタ１の上記両リード線２．３に非常に大きな力が
加わって、半田付がはずれたり該両リード線２．３が切
断したりする。また、リード′ａ２．３と基板４．５の
マイクロ波ストリップ線路との接続を金リボンにより行
って熱の影響を回避する方法もあるが、この場合は該リ
ボンにある一定の長さが必要であり、回路に不要なイン
ダクタンスが入ることとなり、特性の劣化をもたらす。
できており、リード線２，３間の寸法の温度変化による
変動は小さい。トランジスタ１がアルミニウム等ででき
ている台８に取り付けられ、両側のリード線２．３が基
板４，５のマイクロ波ストリップ線路に半田付された場
合には、温度変化による熱膨張率の差によって上記トラ
ンジスタ１の上記両リード線２．３に非常に大きな力が
加わって、半田付がはずれたり該両リード線２．３が切
断したりする。また、リード′ａ２．３と基板４．５の
マイクロ波ストリップ線路との接続を金リボンにより行
って熱の影響を回避する方法もあるが、この場合は該リ
ボンにある一定の長さが必要であり、回路に不要なイン
ダクタンスが入ることとなり、特性の劣化をもたらす。
従来のマイクロ波デバイスは、トランジスタ１のリード
線２，３と基板４，５のマイクロ波ストリップ線路との
接続が鵠半田付あるいは金リボンによる熱圧着によって
行われているので、半田付の場合は熱膨張によりリード
線が切断したり、半田付がはずれる等の故障が生じ、ま
た金リボンによる場合は、不要インダクタンスが回路に
入り、特性の劣化をまねくなどの問題点があった。
線２，３と基板４，５のマイクロ波ストリップ線路との
接続が鵠半田付あるいは金リボンによる熱圧着によって
行われているので、半田付の場合は熱膨張によりリード
線が切断したり、半田付がはずれる等の故障が生じ、ま
た金リボンによる場合は、不要インダクタンスが回路に
入り、特性の劣化をまねくなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、熱膨張によるトランジスタのリード線の切断
、半田付のはずれなどの事故をなくすことができ、さら
に金リボンによる不要インダクタンスが回路に入るのを
防ぐことができるマイクロ波デバイスを得ることを目的
とする。
たもので、熱膨張によるトランジスタのリード線の切断
、半田付のはずれなどの事故をなくすことができ、さら
に金リボンによる不要インダクタンスが回路に入るのを
防ぐことができるマイクロ波デバイスを得ることを目的
とする。
この発明に係るマイクロ波デバイスは、軟かい金属材か
らなるリボンをマイクロ波素子の短かくしたリード線に
溶着し、又は該素子のリード線接続部に取り付け、該リ
ボンをマイクロ波ストリップ線路にたるみを持たせて溶
着したものである。
らなるリボンをマイクロ波素子の短かくしたリード線に
溶着し、又は該素子のリード線接続部に取り付け、該リ
ボンをマイクロ波ストリップ線路にたるみを持たせて溶
着したものである。
この発明においては、軟かい金属材からなるリボンをマ
イクロ波素子の短かくしたリード線に溶着し、又は該素
子のリード線接続部に取り付け、該リボンをマイクロ波
ストリップ線路にたるみを持たせて溶着したので、軟か
い金属である該リボンのたるみにより熱膨張によるスト
レスを吸収することができ、かつ該リボンが従来のリー
ド線の代わりとなって回路に不要のインダクタンスが入
るのを防ぐことができる。
イクロ波素子の短かくしたリード線に溶着し、又は該素
子のリード線接続部に取り付け、該リボンをマイクロ波
ストリップ線路にたるみを持たせて溶着したので、軟か
い金属である該リボンのたるみにより熱膨張によるスト
レスを吸収することができ、かつ該リボンが従来のリー
ド線の代わりとなって回路に不要のインダクタンスが入
るのを防ぐことができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図（ａ）はこの発明の一実施例によるマイクロ波デ
バイスのマイクロ波素子を示し、第１図（′ｂ）は該素
子をマウントした状態を示す。図において、１〜８は第
２図と同じものを示し、１４は短かくした入力、出力側
リード２．３に一端がそれぞれ溶着しである金リボンで
ある。
バイスのマイクロ波素子を示し、第１図（′ｂ）は該素
子をマウントした状態を示す。図において、１〜８は第
２図と同じものを示し、１４は短かくした入力、出力側
リード２．３に一端がそれぞれ溶着しである金リボンで
ある。
本実施例では、トランジスタ１と基ｖｉ４，５のマイク
ロ波ストリップ線路との接続を、金リボン１４を少した
るませて該線路に溶着することにより行っているので、
金リボン１４のたるみにより熱膨張による伸び縮みを吸
収して、トランジスタとマイクロ波ストリップ線路との
接続が切断されるのを防ぐことができ、また、金リボン
がトランジスタのリード線となるので、不要なインダク
タンスが回路に入るのを防ぐことができ、良好な高周波
特性を得ることができる。
ロ波ストリップ線路との接続を、金リボン１４を少した
るませて該線路に溶着することにより行っているので、
金リボン１４のたるみにより熱膨張による伸び縮みを吸
収して、トランジスタとマイクロ波ストリップ線路との
接続が切断されるのを防ぐことができ、また、金リボン
がトランジスタのリード線となるので、不要なインダク
タンスが回路に入るのを防ぐことができ、良好な高周波
特性を得ることができる。
なお、上記実施例では金リボンを使用したが、これは軟
かい金属性の材質ならなんでも良く、例えば銅箔のよう
なものでもよい。また、上記実施例ではトランジスタの
短かくしたリード線に金リボンを溶着したが、リード線
そのものを軟かい金属からなるリボンで構成してもよい
。
かい金属性の材質ならなんでも良く、例えば銅箔のよう
なものでもよい。また、上記実施例ではトランジスタの
短かくしたリード線に金リボンを溶着したが、リード線
そのものを軟かい金属からなるリボンで構成してもよい
。
以上のようにこの発明によれば、軟かい金属材からなる
リボンをマイクロ波素子の短か（したリード線に溶着し
、又は該素子のリード線接続部シこ取り付け、該リボン
をマイクロ波ストリップ線路にたるみを持たせて溶着す
るようにしたので、マイクロ波素子とマイクロ波ストリ
ップ線路との接続が切断されるのを防止でき、かつ不要
なインダクタンスが回路に入るのを防止できる高品質で
高周波特性の良好なマイクロ波デバイスを得ることがで
きる。
リボンをマイクロ波素子の短か（したリード線に溶着し
、又は該素子のリード線接続部シこ取り付け、該リボン
をマイクロ波ストリップ線路にたるみを持たせて溶着す
るようにしたので、マイクロ波素子とマイクロ波ストリ
ップ線路との接続が切断されるのを防止でき、かつ不要
なインダクタンスが回路に入るのを防止できる高品質で
高周波特性の良好なマイクロ波デバイスを得ることがで
きる。
第１図（ａｌはこの発明の一実施例によるマイクロ波デ
バイスのマイクロ波素子を示す側面図、第１図（′ｂ）
は該素子をマウントした状態を示す側面図、第２図（ａ
ｌ及び山）は従来のマイクロ波デバイスを示す平面図及
び側面断面図である。 図において、１はトランジスタ、２，３はリード線、４
．５は基板、６．７はキャリア、８は台、９．１０は入
力、出力端子、１１，１２．１３はネジ、１４は金リボ
ンである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
バイスのマイクロ波素子を示す側面図、第１図（′ｂ）
は該素子をマウントした状態を示す側面図、第２図（ａ
ｌ及び山）は従来のマイクロ波デバイスを示す平面図及
び側面断面図である。 図において、１はトランジスタ、２，３はリード線、４
．５は基板、６．７はキャリア、８は台、９．１０は入
力、出力端子、１１，１２．１３はネジ、１４は金リボ
ンである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）軟かい金属材からなるリボンをマイクロ波素子の
短かくしたリード線に溶着し、又は該素子のリード線接
続部に取り付け、 該リボンをマイクロ波ストリップ線路にたるみを持たせ
て溶着してなることを特徴とするマイクロ波デバイス。 - （２）上記軟かい金属材は金又は銅であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のマイクロ波デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3406286A JPS62190857A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | マイクロ波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3406286A JPS62190857A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | マイクロ波デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62190857A true JPS62190857A (ja) | 1987-08-21 |
Family
ID=12403777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3406286A Pending JPS62190857A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | マイクロ波デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62190857A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59121859A (ja) * | 1982-11-30 | 1984-07-14 | Fujitsu Ltd | Ｍｉｃモジユ−ルの製造方法 |
-
1986
- 1986-02-18 JP JP3406286A patent/JPS62190857A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59121859A (ja) * | 1982-11-30 | 1984-07-14 | Fujitsu Ltd | Ｍｉｃモジユ−ルの製造方法 |
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