JPH0321092B2 - - Google Patents
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- JPH0321092B2 JPH0321092B2 JP5734785A JP5734785A JPH0321092B2 JP H0321092 B2 JPH0321092 B2 JP H0321092B2 JP 5734785 A JP5734785 A JP 5734785A JP 5734785 A JP5734785 A JP 5734785A JP H0321092 B2 JPH0321092 B2 JP H0321092B2
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、高出力の混成集積回路装置に関す
るものである。
るものである。
第2図は従来の高出力の混成集積回路装置を示
す断面図であり、1は半導体素子、2は前記半導
体素子1上の電極(図示せず)と、Al2O3等から
なるセラミツク基板3上の電極(図示せず)とを
導通させる金属細線である。4はPb−Sn系から
なる半田で、セラミツク基板3とCu等からなる
金属放熱板5を接合させるものである。
す断面図であり、1は半導体素子、2は前記半導
体素子1上の電極(図示せず)と、Al2O3等から
なるセラミツク基板3上の電極(図示せず)とを
導通させる金属細線である。4はPb−Sn系から
なる半田で、セラミツク基板3とCu等からなる
金属放熱板5を接合させるものである。
次に動作について説明する。半導体素子1に対
しては、金属細線2によつて、外部より電気信号
が入力され、動作時には、その表面温度は150〜
175℃程度に上昇する。
しては、金属細線2によつて、外部より電気信号
が入力され、動作時には、その表面温度は150〜
175℃程度に上昇する。
この熱は、熱伝導の良いセラミツク基板3およ
び半田4を介し、Cu等からなる金属放熱板5を
経て、外部冷却体へと伝わり放熱される。
び半田4を介し、Cu等からなる金属放熱板5を
経て、外部冷却体へと伝わり放熱される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の高出力の混成集積回路装置は以上のよう
に、熱伝導の良いセラミツク基板3とCu等から
なる金属放熱板5を使用している。しかし、両部
材の熱膨張係数差は大きく、低温になればなるほ
ど、バイメタル効果に相当する歪が発生し、セラ
ミツク基板3の表面に引張応力が加わり、セラミ
ツク基板3が割れる等の問題点があつた。
に、熱伝導の良いセラミツク基板3とCu等から
なる金属放熱板5を使用している。しかし、両部
材の熱膨張係数差は大きく、低温になればなるほ
ど、バイメタル効果に相当する歪が発生し、セラ
ミツク基板3の表面に引張応力が加わり、セラミ
ツク基板3が割れる等の問題点があつた。
この発明は、上記のような問題点を解消するた
めになされたもので、良好な熱放散ができるとと
もに、セラミツク基板の割れを防止できる混成集
積回路装置を得ることを目的とする。
めになされたもので、良好な熱放散ができるとと
もに、セラミツク基板の割れを防止できる混成集
積回路装置を得ることを目的とする。
この発明に係る混成集積回路装置は、前記金属
放熱板のセラミツク基板上の半導体素子の直下部
分をCu等からなる高熱伝導度部材で形成し、他
の部分をセラミツク基板の熱膨張係数に近いFe,
FeNi,コバール,モリブデン等の金属からなる
低熱膨張部材としたものである。
放熱板のセラミツク基板上の半導体素子の直下部
分をCu等からなる高熱伝導度部材で形成し、他
の部分をセラミツク基板の熱膨張係数に近いFe,
FeNi,コバール,モリブデン等の金属からなる
低熱膨張部材としたものである。
この発明においては、金属放熱板の一部を形成
するCuは半導体素子から発生する熱をできるだ
け良好に外部冷却体へ放熱し、金属放熱板の他の
部分は、セラミツク基板との熱膨張係数が近いた
め、低温になつたときでも熱歪が発生することな
く、セラミツク基板の表面に引張応力が加わるこ
とがない。
するCuは半導体素子から発生する熱をできるだ
け良好に外部冷却体へ放熱し、金属放熱板の他の
部分は、セラミツク基板との熱膨張係数が近いた
め、低温になつたときでも熱歪が発生することな
く、セラミツク基板の表面に引張応力が加わるこ
とがない。
〔実施例〕
第1図はこの発明の一実施例を示す混成集積回
路装置の断面図である。この図において、1〜4
は第2図と同じものを示し、5は金属放熱板で、
セラミツク基板3上の半導体素子1の直下部分に
は、熱伝導度の良いCu等からなる高熱伝導度部
材5bを用い、他の部分はセラミツク基板3に近
い熱膨張係数をもつた金属、例えばFe,FeNi,
Mo,コバール等からなる低熱膨張部材5aによ
つて構成されている。高熱伝導度部材5bと低熱
膨張部材5aは、半田、銀、銅ろう材等によつて
接合されている。
路装置の断面図である。この図において、1〜4
は第2図と同じものを示し、5は金属放熱板で、
セラミツク基板3上の半導体素子1の直下部分に
は、熱伝導度の良いCu等からなる高熱伝導度部
材5bを用い、他の部分はセラミツク基板3に近
い熱膨張係数をもつた金属、例えばFe,FeNi,
Mo,コバール等からなる低熱膨張部材5aによ
つて構成されている。高熱伝導度部材5bと低熱
膨張部材5aは、半田、銀、銅ろう材等によつて
接合されている。
次に動作について説明する。半導体素子1に対
しては、金属細線2によつて、外部より電気信号
が入力され、動作時には、その表面温度は150〜
175℃程度に達する。
しては、金属細線2によつて、外部より電気信号
が入力され、動作時には、その表面温度は150〜
175℃程度に達する。
この熱は、熱伝導の良いセラミツク基板3およ
び半田4を介し、金属放熱板5の高熱伝導度部材
5bを経て外部冷却体へと伝わり、十分な放熱が
行われる。
び半田4を介し、金属放熱板5の高熱伝導度部材
5bを経て外部冷却体へと伝わり、十分な放熱が
行われる。
またこの混成集積回路装置が−40℃程度の低温
に放置された場合でも、金属放熱板5の低熱膨張
部材5aとセラミツク基板3との熱膨張係数は近
いため、バイメタル効果はあまり作用せず、した
がつて、セラミツク基板3に反りが発生したり割
れることは非常に少なくなる。
に放置された場合でも、金属放熱板5の低熱膨張
部材5aとセラミツク基板3との熱膨張係数は近
いため、バイメタル効果はあまり作用せず、した
がつて、セラミツク基板3に反りが発生したり割
れることは非常に少なくなる。
この発明は以上説明したとおり、金属放熱板
を、セラミツク基板上の半導体素子の直下部分を
高熱伝導度部材とし、他の部分をセラミツク基板
と熱膨張係数の近い低熱膨張部材としたので、十
分な放熱ができるとともに、セラミツク基板が割
れるということのない、安価で、かつ高品質の混
成集積回路装置が得られる利点がある。
を、セラミツク基板上の半導体素子の直下部分を
高熱伝導度部材とし、他の部分をセラミツク基板
と熱膨張係数の近い低熱膨張部材としたので、十
分な放熱ができるとともに、セラミツク基板が割
れるということのない、安価で、かつ高品質の混
成集積回路装置が得られる利点がある。
第1図はこの発明の一実施例による混成集積回
路装置を示す断面図、第2図は従来の混成集積回
路装置を示す断面図である。 図において、1は半導体素子、2は金属細線、
3はセラミツク基板、4は半田、5は金属放熱
板、5aは低熱膨張部材、5bは高熱伝導度部材
である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分
を示す。
路装置を示す断面図、第2図は従来の混成集積回
路装置を示す断面図である。 図において、1は半導体素子、2は金属細線、
3はセラミツク基板、4は半田、5は金属放熱
板、5aは低熱膨張部材、5bは高熱伝導度部材
である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分
を示す。
Claims (1)
- 1 半導体素子を具備したセラミツク基板を金属
放熱板に接着した混成集積回路装置において、前
記金属放熱板を、前記半導体素子の直下部分を高
熱伝導度部材とし、他の部分を前記セラミツク基
板の熱膨張係数に近い低熱膨張部材としたことを
特徴とする混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5734785A JPS61214453A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5734785A JPS61214453A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | 混成集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61214453A JPS61214453A (ja) | 1986-09-24 |
JPH0321092B2 true JPH0321092B2 (ja) | 1991-03-20 |
Family
ID=13053037
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5734785A Granted JPS61214453A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61214453A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01183139A (ja) * | 1988-01-16 | 1989-07-20 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 放熱基板 |
US6292374B1 (en) * | 1998-05-29 | 2001-09-18 | Lucent Technologies, Inc. | Assembly having a back plate with inserts |
JP7116843B2 (ja) * | 2018-08-20 | 2022-08-10 | コメット アーゲー | Rfコンポーネント用マルチスタック冷却構造 |
-
1985
- 1985-03-19 JP JP5734785A patent/JPS61214453A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61214453A (ja) | 1986-09-24 |
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