JPS59121859A - Ｍｉｃモジユ−ルの製造方法 - Google Patents
Ｍｉｃモジユ−ルの製造方法Info
- Publication number
- JPS59121859A JPS59121859A JP21013082A JP21013082A JPS59121859A JP S59121859 A JPS59121859 A JP S59121859A JP 21013082 A JP21013082 A JP 21013082A JP 21013082 A JP21013082 A JP 21013082A JP S59121859 A JPS59121859 A JP S59121859A
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- JP
- Japan
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- mic
- temperature
- ribbons
- boards
- module
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5385—Assembly of a plurality of insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）６発明の技術分野
複数個のＭＩＣ基板或いは複数個のキャリヤ搭載ＭＩＣ
基板を、同一キャリャ或いは同一筐体に実装し構成する
ＭＩＣモジュールに於いてＭＩＣ基板間の接続に関する
ものである。
基板を、同一キャリャ或いは同一筐体に実装し構成する
ＭＩＣモジュールに於いてＭＩＣ基板間の接続に関する
ものである。
（ｂ）、従来技術と問題点
従来ＭＩＣモジュール内の複数個のＭＩＣ基板間の接続
はＭＩＣを構成する誘電体基板上に設けたストリップ伝
送線路相互間に導体リボンをボンデングして接続してい
た。
はＭＩＣを構成する誘電体基板上に設けたストリップ伝
送線路相互間に導体リボンをボンデングして接続してい
た。
第１図、第２図は従来の実施例を示し、キャリヤ搭載Ｍ
Ｉ Ｃ基板を複数個、筐体に実装した場合のＭＩＣ接続
部の主要部の断面図であり、キャリヤ搭載ＭＩＣ基板１
．１′、入出カストリップ伝送線路３．３′が接続され
る状態を示す。
Ｉ Ｃ基板を複数個、筐体に実装した場合のＭＩＣ接続
部の主要部の断面図であり、キャリヤ搭載ＭＩＣ基板１
．１′、入出カストリップ伝送線路３．３′が接続され
る状態を示す。
第１図に於いて、ＭＩＣ基板１．１′は一般的にはアル
ミナセラミック等の誘電体基板２．２窃下面にはアース
導体４．４′をメタライズし、上面にはストリップ・パ
ターンを設けて構成されていて、ＭＩＣ基板１．１′を
補強する為、キャリヤ５．５′にアース導体４．４′の
面で接合して搭載されている。
ミナセラミック等の誘電体基板２．２窃下面にはアース
導体４．４′をメタライズし、上面にはストリップ・パ
ターンを設けて構成されていて、ＭＩＣ基板１．１′を
補強する為、キャリヤ５．５′にアース導体４．４′の
面で接合して搭載されている。
尚キャリヤ５．５′はＭｒＣ基板１．１′との熱応力を
小さくする為には、例えば誘電体基板２．２゛にアルミ
ナセラミックを使用するならば、アルミナセラミックに
近い熱膨張率のコバール等を使用するのが望ましい。
小さくする為には、例えば誘電体基板２．２゛にアルミ
ナセラミックを使用するならば、アルミナセラミックに
近い熱膨張率のコバール等を使用するのが望ましい。
一方筺体６に選択される材料としては、筐体の重量から
の要求、熱設計上、加工上、材料の入手の難易等の条件
により、コバール等を使用することが出来なく、アルミ
ニューム合金、銅合金等の比較的熱膨張率の大きい材料
を使用する場合が多い。
の要求、熱設計上、加工上、材料の入手の難易等の条件
により、コバール等を使用することが出来なく、アルミ
ニューム合金、銅合金等の比較的熱膨張率の大きい材料
を使用する場合が多い。
此の為に第１図の従来例では熱ストレスを緩衝する構造
を持ら７．７′、８の様な形状の接続リード構造が採用
されている。
を持ら７．７′、８の様な形状の接続リード構造が採用
されている。
然しＭＩＣを構成する誘電体基板或いはＭＩＣ基板を保
持するキャリヤ、筐体等の熱膨張率等の熱的特性の違い
により、ＭＩＣモジュールが温度負荷を受けた場合、Ｍ
ＩＣ基板間或いはキャリヤ接続間が変動し１、ＭＩＣ接
続部の導体リボンにストレスを受ける。特にＭＩＣ基板
間或いはキャリヤ接続間が拡がった場合、導体リボンは
引張られ、導体リボン及びボンデング接続部には大きい
引張り応力を受け、導体リボンの破損又はボンデング接
続部の剥脱等が発生する。
持するキャリヤ、筐体等の熱膨張率等の熱的特性の違い
により、ＭＩＣモジュールが温度負荷を受けた場合、Ｍ
ＩＣ基板間或いはキャリヤ接続間が変動し１、ＭＩＣ接
続部の導体リボンにストレスを受ける。特にＭＩＣ基板
間或いはキャリヤ接続間が拡がった場合、導体リボンは
引張られ、導体リボン及びボンデング接続部には大きい
引張り応力を受け、導体リボンの破損又はボンデング接
続部の剥脱等が発生する。
父上記の破損を防止する為第２図の２１の様な最初から
たわみを設けた緩衝構造の導体リボンを使用することが
マイクロ波帯で行なわれているが、準ミリ波、ミリ波等
周波数の高いＭＩＣになるとＭＩＣパターンが小さくな
ると共に接続部等の形状が特性に及ぼず影響が大となり
作業上聞しものを作るのがむづかしくなる。
たわみを設けた緩衝構造の導体リボンを使用することが
マイクロ波帯で行なわれているが、準ミリ波、ミリ波等
周波数の高いＭＩＣになるとＭＩＣパターンが小さくな
ると共に接続部等の形状が特性に及ぼず影響が大となり
作業上聞しものを作るのがむづかしくなる。
又これらの構造が電気的に許される範囲は第１図の構造
では１〜２ＧＩｌｚ帯まで、第２図の構造では６〜８
Ｇ ！ｌｚ帯までである。
では１〜２ＧＩｌｚ帯まで、第２図の構造では６〜８
Ｇ ！ｌｚ帯までである。
従来の製造方法は上記の様な欠点を持ってし）る。
（Ｃ）０発明の目的
本発明の目的は上記の欠点を除去し、温度等により特性
変化の無い、故障の発生しないＭＩＣモジュールの製造
方法を提供することである。
変化の無い、故障の発生しないＭＩＣモジュールの製造
方法を提供することである。
（ｄ）１発明の構成
上記の目的は本発明によれば、誘電体基板の両面又は片
面に平面回路パターン又はアース面を設けた複数個のＭ
ＩＣ基板をキャリヤＧこ搭載し、該ＭＩＣ基板の間をリ
ード・リボンで接続する場合、及び該キャリヤに搭載し
た複数個の該ＭＩＣ基板を同一筐体に実装し、該ＭＩＧ
基板の入出力間を該リード・リボンで接続し機能回路を
構成するＭＩＣモジュールの該ＭＩＣ基板間をリード・
リポ１ ７７接続する場合、ユ於０．７、該７
．。ニジ、−２１の許容温度範囲内で、接続すべき該Ｍ
ＩＣ基板間の間隔が最大となる熱的ストレスを加えた状
態の゛ もとで、該ＭＩＣ基板間を該リード・すＨζン
で；Ｉζンデング作業をして接続することを特徴とする
ＭＩＣモジュールの製造方法を提供することにより達成
される。
面に平面回路パターン又はアース面を設けた複数個のＭ
ＩＣ基板をキャリヤＧこ搭載し、該ＭＩＣ基板の間をリ
ード・リボンで接続する場合、及び該キャリヤに搭載し
た複数個の該ＭＩＣ基板を同一筐体に実装し、該ＭＩＧ
基板の入出力間を該リード・リボンで接続し機能回路を
構成するＭＩＣモジュールの該ＭＩＣ基板間をリード・
リポ１ ７７接続する場合、ユ於０．７、該７
．。ニジ、−２１の許容温度範囲内で、接続すべき該Ｍ
ＩＣ基板間の間隔が最大となる熱的ストレスを加えた状
態の゛ もとで、該ＭＩＣ基板間を該リード・すＨζン
で；Ｉζンデング作業をして接続することを特徴とする
ＭＩＣモジュールの製造方法を提供することにより達成
される。
（ｅ）０発明の実施例
第３図は本発明の一実施例を示す図で、図中３１は本発
明により取りつけられたリード−ＩＪ 、Ｎンの形状、
３１はリード・リボン３１の常温に於ける形状を示す。
明により取りつけられたリード−ＩＪ 、Ｎンの形状、
３１はリード・リボン３１の常温に於ける形状を示す。
部具の他の数字は総て第１図、第２図の場合と全く同一
である。
である。
本発明ばＭＩＣ基板相互の入出力、ストリップ・パター
ンの上に第３図のリード・リボン３１の様な平坦に導体
リボンをボンデング接続する最も単純で精度の高い接続
方法を採り、且つＭＩＣを構成する誘電体基板或いはＭ
Ｉ （Ｊｌ；板を保持するキャリヤ、筐体等の材料の
熱膨張率等の熱的特性の相違による生ずる熱ストレスを
予め考慮して、装置の使用を予定される最高温度（約６
０℃）に於いて、導体リボンをボンデング接続作業を実
施することにより、前記の障害を除去しようとするもの
である。
ンの上に第３図のリード・リボン３１の様な平坦に導体
リボンをボンデング接続する最も単純で精度の高い接続
方法を採り、且つＭＩＣを構成する誘電体基板或いはＭ
Ｉ （Ｊｌ；板を保持するキャリヤ、筐体等の材料の
熱膨張率等の熱的特性の相違による生ずる熱ストレスを
予め考慮して、装置の使用を予定される最高温度（約６
０℃）に於いて、導体リボンをボンデング接続作業を実
施することにより、前記の障害を除去しようとするもの
である。
即ち第３図のリード・リボン３１をボンデング接続する
に当たり、予め前記の温度以上に加熱された盤上に必要
な部品類を乗せておき、充分に温度が上昇してからリー
ド・リボン３１のボンデング接続作業を実施することに
より此の目的は達成される。
に当たり、予め前記の温度以上に加熱された盤上に必要
な部品類を乗せておき、充分に温度が上昇してからリー
ド・リボン３１のボンデング接続作業を実施することに
より此の目的は達成される。
此の様に装置の使用を予定される最高温度（約６０°Ｃ
）に於いて、導体リボンをボンデング接続するならば、
常温では必ず此の温度より低い為、す−ド・リボン３１
は３１′の様にたわみ、決して引っ張られることは無い
。従って従来の製造方法により装作した場合のストレス
を生ずることは無く、導体リボンの破損又はボンデング
接続部の剥脱等は発生しない。
）に於いて、導体リボンをボンデング接続するならば、
常温では必ず此の温度より低い為、す−ド・リボン３１
は３１′の様にたわみ、決して引っ張られることは無い
。従って従来の製造方法により装作した場合のストレス
を生ずることは無く、導体リボンの破損又はボンデング
接続部の剥脱等は発生しない。
（ｆ）０発明の効果
以上詳細に説明した様に本発明によれば、極めて簡単な
工程の改善により導体リボンの破損又はボンデング接続
部の剥脱等の発生を完全に除去出来る丈でなく、接続構
造が簡素である為、電気的に令名よりも高い周波数帯ま
で使用することが出来ると云う大きい効果がある。
工程の改善により導体リボンの破損又はボンデング接続
部の剥脱等の発生を完全に除去出来る丈でなく、接続構
造が簡素である為、電気的に令名よりも高い周波数帯ま
で使用することが出来ると云う大きい効果がある。
第１図、第２図は従来の実施例を示し、第３図は本発明
の一実施例を示す図で、図中３１は本発明により取りつ
けられたリード・リボンの形状、３１′はリード・リボ
ン３１の常温に於ける形状を示す。部具の他の数字は総
て第１図、第２図の場合と全く同一である。
の一実施例を示す図で、図中３１は本発明により取りつ
けられたリード・リボンの形状、３１′はリード・リボ
ン３１の常温に於ける形状を示す。部具の他の数字は総
て第１図、第２図の場合と全く同一である。
Claims (1)
- 誘電体基板の両面又は片面に平面回路パターン又はアー
ス面を設けた複数個のＭＩＣ基板をキャリヤに搭載し、
該ＭＩＣ基板の間をリード・リボンで接続する場合、及
び該キャリヤに搭載した複数個の該ＭＩＣ基板を同一筐
体に実装し、該ＭＩＣ基板の入出力間を該リード・リボ
ンで接続し機能回路を構成するＭＩＣモジュールの該Ｍ
ＩＧ基板間をリード・リボンで接続する場合に於いて、
該ＭＩＣモジュールの許容温度範囲内で、接続すべき該
ＭＩＣ基板間の間隔が最大となる熱的ストレスを加えた
状態のもとで、該ＭＩＣ基板間を該リード・リボンでボ
ンデング作業をして接続することを特徴とするＭ ｌ
’Ｃモジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21013082A JPS59121859A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | Ｍｉｃモジユ−ルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21013082A JPS59121859A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | Ｍｉｃモジユ−ルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59121859A true JPS59121859A (ja) | 1984-07-14 |
| JPS6249740B2 JPS6249740B2 (ja) | 1987-10-21 |
Family
ID=16584281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21013082A Granted JPS59121859A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | Ｍｉｃモジユ−ルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59121859A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62190857A (ja) * | 1986-02-18 | 1987-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波デバイス |
-
1982
- 1982-11-30 JP JP21013082A patent/JPS59121859A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62190857A (ja) * | 1986-02-18 | 1987-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波デバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6249740B2 (ja) | 1987-10-21 |
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