JPH07273407A - ワイヤボンド対応ペルチェ素子 - Google Patents
ワイヤボンド対応ペルチェ素子Info
- Publication number
- JPH07273407A JPH07273407A JP10203795A JP10203795A JPH07273407A JP H07273407 A JPH07273407 A JP H07273407A JP 10203795 A JP10203795 A JP 10203795A JP 10203795 A JP10203795 A JP 10203795A JP H07273407 A JPH07273407 A JP H07273407A
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- JP
- Japan
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- peltier element
- ceramic substrate
- peltier device
- wire bond
- semiconductor laser
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体レーザパッケージに搭載されるペルチェ
素子に配線用の平坦で広いボンディングパッドを設け
る。 【構成】ペルチェ素子１を挟み込む２枚のセラミック基
板のうち下側セラミック基板２を上側セラミック基板３
より大きくして、その大きくなった部分に電極パッド４
を延長して引き出す。 【効果】平坦で広い電極パッドを設けることが可能とな
り、作業性、信頼性を向上と、放熱性向上の効果が得ら
れる。
素子に配線用の平坦で広いボンディングパッドを設け
る。 【構成】ペルチェ素子１を挟み込む２枚のセラミック基
板のうち下側セラミック基板２を上側セラミック基板３
より大きくして、その大きくなった部分に電極パッド４
を延長して引き出す。 【効果】平坦で広い電極パッドを設けることが可能とな
り、作業性、信頼性を向上と、放熱性向上の効果が得ら
れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、固体レーザ励起用お
よび光通信用の半導体レーザパッケージに搭載するペル
チェ素子に関するものである。
よび光通信用の半導体レーザパッケージに搭載するペル
チェ素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザパッケージに搭載されるペ
ルチェ素子は固体レーザ励起波長および光通信の波長の
コントロールを目的としている。この半導体レーザは、
搭載されたペルチェ素子により冷却され、必要な波長に
コントロールされるようになっている。
ルチェ素子は固体レーザ励起波長および光通信の波長の
コントロールを目的としている。この半導体レーザは、
搭載されたペルチェ素子により冷却され、必要な波長に
コントロールされるようになっている。
【０００３】従来技術の半導体レーザパッケージ搭載用
のペルチェ素子は図６に示したような構造をしており、
ペルチェ素子１を下側セラミック基板２と上側セラミッ
ク基板３で挟み込み、下側セラミック基板２にペルチェ
素子１の冷却用の電源を供給する電極パッド４を設け、
電極パッド４から配線用のリード５を取り出している。
のペルチェ素子は図６に示したような構造をしており、
ペルチェ素子１を下側セラミック基板２と上側セラミッ
ク基板３で挟み込み、下側セラミック基板２にペルチェ
素子１の冷却用の電源を供給する電極パッド４を設け、
電極パッド４から配線用のリード５を取り出している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術のペルチェ素子１は配線用のリード５により半導体レ
ーザパッケージのターミナルにはんだ付けもしくはねじ
止めといった機械的接合により接続されている。このよ
うな機械的接合を行った場合、はんだ付けではフラック
スによる半導体の汚染の課題が発生し、ねじ止めでは長
期間の信頼性に課題を発生する。
術のペルチェ素子１は配線用のリード５により半導体レ
ーザパッケージのターミナルにはんだ付けもしくはねじ
止めといった機械的接合により接続されている。このよ
うな機械的接合を行った場合、はんだ付けではフラック
スによる半導体の汚染の課題が発生し、ねじ止めでは長
期間の信頼性に課題を発生する。
【０００５】一方、半導体実装法の一つであるワイヤボ
ンドによる配線は作業性、信頼性ともに優れているが、
平坦で広いボンディング用のパッドが必要となり、図６
に示したようなペルチェ素子１を下側セラミック基板２
と上側セラミック基板３で挟み込んだ構造では、平坦で
広いボンディング用のパッドを設けることが不可能であ
った。
ンドによる配線は作業性、信頼性ともに優れているが、
平坦で広いボンディング用のパッドが必要となり、図６
に示したようなペルチェ素子１を下側セラミック基板２
と上側セラミック基板３で挟み込んだ構造では、平坦で
広いボンディング用のパッドを設けることが不可能であ
った。
【０００６】
【課題を解決するための手段】先に述べた課題を解決す
るために、この発明は、半導体レーザパッケージに搭載
するペルチェ素子を挟み込む２枚のセラミック基板のう
ちの下側のセラミック基板上にワイヤボンド対応の電極
パッドを延長して設けた構造のワイヤボンド対応ペルチ
ェ素子を提案する。
るために、この発明は、半導体レーザパッケージに搭載
するペルチェ素子を挟み込む２枚のセラミック基板のう
ちの下側のセラミック基板上にワイヤボンド対応の電極
パッドを延長して設けた構造のワイヤボンド対応ペルチ
ェ素子を提案する。
【０００７】
【作用】この発明では、半導体レーザパッケージに搭載
するペルチェ素子を挟み込む２枚のセラミック基板のう
ちの下側のセラミック基板上にワイヤボンド対応の電極
パッドを延長して設けた構造のワイヤボンド対応ペルチ
ェ素子を採用することにより、平坦で広いボンディング
用のパッドを設けることが可能となる。
するペルチェ素子を挟み込む２枚のセラミック基板のう
ちの下側のセラミック基板上にワイヤボンド対応の電極
パッドを延長して設けた構造のワイヤボンド対応ペルチ
ェ素子を採用することにより、平坦で広いボンディング
用のパッドを設けることが可能となる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照して説
明する。
明する。
【０００９】図１はこの発明の第一の実施例のペルチェ
素子の斜視図、図２は第二の実施例の斜視図、図３は第
三の実施例の斜視図、図４は第四の実施例の斜視図、図
５は第五の実施例の斜視図である。
素子の斜視図、図２は第二の実施例の斜視図、図３は第
三の実施例の斜視図、図４は第四の実施例の斜視図、図
５は第五の実施例の斜視図である。
【００１０】図１に示す第一の実施例ではペルチェ素子
１を挟み込む２枚のセラミック基板のうちの下側セラミ
ック基板２を上側セラミック基板３より長くして、その
長くなった部分に電極パッド４を延長して引き出す。こ
のことにより平坦で広いボンディング用のパッドを設け
ることが可能となる。
１を挟み込む２枚のセラミック基板のうちの下側セラミ
ック基板２を上側セラミック基板３より長くして、その
長くなった部分に電極パッド４を延長して引き出す。こ
のことにより平坦で広いボンディング用のパッドを設け
ることが可能となる。
【００１１】図２に示す第二の実施例では下側セラミッ
ク基板２を上側セラミック基板３より幅を広くして、そ
の幅の広くなった部分に電極パッド４を延長して引き出
す。
ク基板２を上側セラミック基板３より幅を広くして、そ
の幅の広くなった部分に電極パッド４を延長して引き出
す。
【００１２】図３に示す第三の実施例では下側セラミッ
ク基板２を上側セラミック基板３より長くするのは第一
の実施例と同じであるが、電極パッド４の代わりにパッ
ドブロック４を設けたものである。パッドブロック４を
設けることによりターミナルがパッケージの高い位置に
設けられている半導体レーザへの対応が可能となると同
時に、ペルチェ素子１をターミナルに対して低い位置に
搭載刷ることも可能となる。
ク基板２を上側セラミック基板３より長くするのは第一
の実施例と同じであるが、電極パッド４の代わりにパッ
ドブロック４を設けたものである。パッドブロック４を
設けることによりターミナルがパッケージの高い位置に
設けられている半導体レーザへの対応が可能となると同
時に、ペルチェ素子１をターミナルに対して低い位置に
搭載刷ることも可能となる。
【００１３】図４に示す第四の実施例は、スペースがと
れない場合の第三の実施例の変形で、ペルチェ素子１お
よび上側セラミック基板３の一部を切欠き、切り欠いた
部分にパッドブロック４を設ける。
れない場合の第三の実施例の変形で、ペルチェ素子１お
よび上側セラミック基板３の一部を切欠き、切り欠いた
部分にパッドブロック４を設ける。
【００１４】図５に示す第五の実施例では下側セラミッ
ク基板２を上側セラミック基板３より長くするのは第一
の実施例と同じであるが、電極パッド４を内側に設ける
とともにリード５も設けている。このリード５は配線用
に使用するのではなく、測定用などに使用し、測定が終
了したら切断して、配線用には電極パッド４を使用す
る。第五の実施例の場合はリード５ははんだ付けで設け
られるのでリード５取付けの内側にはんだが流れ込まな
いように堰６を設ける。
ク基板２を上側セラミック基板３より長くするのは第一
の実施例と同じであるが、電極パッド４を内側に設ける
とともにリード５も設けている。このリード５は配線用
に使用するのではなく、測定用などに使用し、測定が終
了したら切断して、配線用には電極パッド４を使用す
る。第五の実施例の場合はリード５ははんだ付けで設け
られるのでリード５取付けの内側にはんだが流れ込まな
いように堰６を設ける。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、半導
体レーザパッケージに搭載するペルチェ素子を挟み込む
２枚のセラミック基板のうちの下側のセラミック基板上
にワイヤボンド対応の電極パッドを延長して設けた構造
のワイヤボンド対応ペルチェ素子を採用することによ
り、平坦で広いボンディング用のパッドを設けることが
可能となり、作業性、信頼性を向上できる効果が得られ
ると同時に、下側セラミック基板から電極を取り出すこ
とにより半導体レーザの放熱効果が得られる。
体レーザパッケージに搭載するペルチェ素子を挟み込む
２枚のセラミック基板のうちの下側のセラミック基板上
にワイヤボンド対応の電極パッドを延長して設けた構造
のワイヤボンド対応ペルチェ素子を採用することによ
り、平坦で広いボンディング用のパッドを設けることが
可能となり、作業性、信頼性を向上できる効果が得られ
ると同時に、下側セラミック基板から電極を取り出すこ
とにより半導体レーザの放熱効果が得られる。
【図１】この発明の第一実施例ののペルチェ素子の斜視
図。
図。
【図２】この発明の第二実施例ののペルチェ素子の斜視
図。
図。
【図３】この発明の第三実施例ののペルチェ素子の斜視
図。
図。
【図４】この発明の第四実施例ののペルチェ素子の斜視
図。
図。
【図５】この発明の第五実施例ののペルチェ素子の斜視
図。
図。
【図６】従来技術のペルチェ素子の斜視図である。
１ ペルチェ素子 ２ 下側セラミック基板 ３ 上側セラミック基板 ４ 電極パッド（パッドブロック） ５ リード ６ 堰
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体レーザパッケージに搭載するペル
チェ素子において、 該ペルチェ素子を挟み込む２枚のセラミック基板のうち
の下側のセラミック基板上にワイヤボンド対応の電極パ
ッドを延長して設けたことを特徴とするワイヤボンド対
応ペルチェ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07102037A JP3082170B2 (ja) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | ワイヤボンド対応ペルチェ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07102037A JP3082170B2 (ja) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | ワイヤボンド対応ペルチェ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07273407A true JPH07273407A (ja) | 1995-10-20 |
| JP3082170B2 JP3082170B2 (ja) | 2000-08-28 |
Family
ID=14316578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07102037A Expired - Fee Related JP3082170B2 (ja) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | ワイヤボンド対応ペルチェ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3082170B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08250796A (ja) * | 1995-03-14 | 1996-09-27 | Nec Corp | ペルチエクーラおよび半導体レーザモジュール |
| EP1041651A2 (en) | 1999-04-01 | 2000-10-04 | Yamaha Corporation | Peltier module |
| US6996145B2 (en) | 1999-11-01 | 2006-02-07 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module, and method for driving the semiconductor laser module |
| CN1320710C (zh) * | 2003-11-24 | 2007-06-06 | 中国科学院半导体研究所 | 面发射激光器同轴封装用的热沉 |
| US7308009B2 (en) | 2004-03-02 | 2007-12-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser and apparatus |
| JPWO2017056549A1 (ja) * | 2015-09-28 | 2018-03-15 | 京セラ株式会社 | 熱電モジュール |
| CN109690888A (zh) * | 2016-05-24 | 2019-04-26 | 相干公司 | 可堆叠的电隔离二极管激光器条组件 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59200481A (ja) * | 1983-04-27 | 1984-11-13 | Hitachi Ltd | 電子装置 |
| JPH01169986A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-07-05 | Sony Corp | 半導体レーザ |
| JPH0258855A (ja) * | 1988-08-25 | 1990-02-28 | Fujitsu Ltd | 電子冷却装置 |
-
1995
- 1995-04-26 JP JP07102037A patent/JP3082170B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59200481A (ja) * | 1983-04-27 | 1984-11-13 | Hitachi Ltd | 電子装置 |
| JPH01169986A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-07-05 | Sony Corp | 半導体レーザ |
| JPH0258855A (ja) * | 1988-08-25 | 1990-02-28 | Fujitsu Ltd | 電子冷却装置 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08250796A (ja) * | 1995-03-14 | 1996-09-27 | Nec Corp | ペルチエクーラおよび半導体レーザモジュール |
| EP1041651A2 (en) | 1999-04-01 | 2000-10-04 | Yamaha Corporation | Peltier module |
| EP1041651A3 (en) * | 1999-04-01 | 2000-11-02 | Yamaha Corporation | Peltier module |
| US6996145B2 (en) | 1999-11-01 | 2006-02-07 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module, and method for driving the semiconductor laser module |
| CN1320710C (zh) * | 2003-11-24 | 2007-06-06 | 中国科学院半导体研究所 | 面发射激光器同轴封装用的热沉 |
| US7308009B2 (en) | 2004-03-02 | 2007-12-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser and apparatus |
| CN100395928C (zh) * | 2004-03-02 | 2008-06-18 | 夏普株式会社 | 半导体激光设备 |
| JPWO2017056549A1 (ja) * | 2015-09-28 | 2018-03-15 | 京セラ株式会社 | 熱電モジュール |
| CN109690888A (zh) * | 2016-05-24 | 2019-04-26 | 相干公司 | 可堆叠的电隔离二极管激光器条组件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3082170B2 (ja) | 2000-08-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980414 |
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