JPH0533550U - ワイヤボンド対応ペルチエ素子 - Google Patents

ワイヤボンド対応ペルチエ素子

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JPH0533550U
JPH0533550U JP036012U JP3601291U JPH0533550U JP H0533550 U JPH0533550 U JP H0533550U JP 036012 U JP036012 U JP 036012U JP 3601291 U JP3601291 U JP 3601291U JP H0533550 U JPH0533550 U JP H0533550U
Authority
JP
Japan
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ceramic substrate
electrode pad
peltier element
peltier device
peltier
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Application number
JP036012U
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English (en)
Inventor
弘文 山中
正久 岩田
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体レーザパッケージに搭載されるペルチェ
素子に配線用の平坦で広いボンディングパッドを設け
る。 【構成】ペルチェ素子1を挟み込む2枚のセラミック基
板のうち下側セラミック基板2を上側セラミック基板3
より大きくして、その大きくなった部分に電極パッド4
を延長して引き出す。 【効果】平坦で広い電極パッドを設けることが可能とな
り、作業性、信頼性を向上と、放熱性向上の効果が得ら
れる。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
この考案は、固体レーザ励起用および光通信用の半導体レーザパッケージに搭 載するペルチェ素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体レーザパッケージに搭載されるペルチェ素子は固体レーザ励起波長およ び光通信の波長のコントロールを目的としている。この半導体レーザは、搭載さ れたペルチェ素子により冷却され、必要な波長にコントロールされるようになっ ている。
【0003】 従来技術の半導体レーザパッケージ搭載用のペルチェ素子は図6に示したよう な構造をしており、ペルチェ素子1を下側セラミック基板2と上側セラミック基 板3で挟み込み、下側セラミック基板2にペルチェ素子1の冷却用の電源を供給 する電極パッド4を設け、電極パッド4から配線用のリード5を取り出している 。
【0004】
【考案が解決しようとする課題】
しかしながら、従来技術のペルチェ素子1は配線用のリード5により半導体レ ーザパッケージのターミナルにはんだ付けもしくはねじ止めといった機械的接合 により接続されている。このような機械的接合を行った場合、はんだ付けではフ ラックスによる半導体の汚染の課題が発生し、にじ止めでは長期間の信頼性に課 題を発生する。
【0005】 一方、半導体実装法の一つであるワイヤボンドによる配線は作業性、信頼性と もに優れているが、平坦で広いボンディング用のパッドが必要となり、図6に示 したようなペルチェ素子1を下側セラミック基板2と上側セラミック基板3で挟 み込んだ構造では、平坦で広いボンディング用のパッドを設けることが不可能で あった。
【0006】
【課題を解決するための手段】
先に述べた課題を解決するために、この考案は、半導体レーザパッケージに搭 載するペルチェ素子を挟み込む2枚のセラミック基板のうちの下側のセラミック 基板上にワイヤボンド対応の電極パッドを延長して設けた構造のワイヤボンド対 応ペルチェ素子を提案する。
【0007】
【作用】
この考案では、半導体レーザパッケージに搭載するペルチェ素子を挟み込む2 枚のセラミック基板のうちの下側のセラミック基板上にワイヤボンド対応の電極 パッドを延長して設けた構造のワイヤボンド対応ペルチェ素子を採用することに より、平坦で広いボンディング用のパッドを設けることが可能となる。
【0008】
【実施例】
以下、この考案の実施例を図面を参照して説明する。
【0009】 図1はこの考案の第一の実施例のペルチェ素子の斜視図、図2は第二の実施例 の斜視図、図3は第三の実施例の斜視図、図4は第四の実施例の斜視図、図5は 第五の実施例の斜図である。
【0010】 図1に示す第一の実施例ではペルチェ素子1を挟み込む2枚のセラミック基板 のうちの下側セラミック基板2を上側セラミック基板3より長くして、その長く なった部分に電極パッド4を延長して引き出す。このことにより平坦で広いボン ディング用のパッドを設けることが可能となる。
【0011】 図2に示す第二の実施例では下側セラミック基板2を上側セラミック基板3よ り幅を広くして、その幅の広くなった部分に電極パッド4を延長して引き出す。
【0012】 図3に示す第三の実施例では下側セラミック基板2を上側セラミック基板3よ り長くするのは第一の実施例と同様であるが、電極パッド4の代わりにパッドブ ロック4を設けたものである。パッドブロック4を設けることによりターミナル がパッケージの高い位置に設けられている半導体レーザへの対応が可能となると 同時に、ペルチェ素子1をターミナルに対して低い位置に搭載することも可能と なる。
【0013】 図4に示す第四の実施例は、スペースがとれない場合の第三の実施例の変形で 、ペルチェ素子1および上側セラミック基板3の一部を切欠き、切り欠いた部分 にパッドブロック4を設ける。
【0014】 図5に示す第五の実施例では下側セラミック基板2を上側セラミック基板3よ り長くするのは第一の実施例と同様であるが、電極パッド4を内側に設けるとと もにリード5も設けている。このリード5は配線用に使用するのではなく、測定 用などに使用し、測定が終了したら切断して、配線用には電極パッド4を使用す る。第五の実施例の場合はリード5ははんだ付けで設けられるのでリード5取付 け部の内側にはんだが流れ込まないように堰6を設ける。
【0015】
【考案の効果】
以上のように、この考案によれば、半導体レーザパッケージに搭載するペルチ ェ素子を挟み込む2枚のセラミック基板のうちの下側のセラミック基板上にワイ ヤボンド対応の電極パッドを延長して設けた構造のワイヤボンド対応ペルチェ素 子を採用することにより、平坦で広いボンディング用のパッドが設けることが可 能となり、作業性、信頼性を向上できる効果が得られると同時に、下側セラミッ ク基板から電極を取り出すことにより半導体レーザの放熱効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この考案の第一の実施例のペルチェ素子の斜視
図。
【図2】この考案の第二の実施例のペルチェ素子の斜視
図。
【図3】この考案の第三の実施例のペルチェ素子の斜視
図。
【図4】この考案の第四の実施例のペルチェ素子の斜視
図。
【図5】この考案の第五の実施例のペルチェ素子の斜視
図。
【図6】従来技術のペルチェ素子の斜視図である。
【符号の説明】
1 ペルチェ素子 2 下側セラミック基板 3 上側セラミック基板 4 電極パッド(パッドブロック) 5 リード 6 堰

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体レーザパッケージに搭載するペルチ
    ェ素子において、 該ペルチェ素子を挟み込む2枚のセラミック基板のうち
    の下側のセラミック基板上にワイヤボンド対応の電極パ
    ッドを延長して設けたことを特徴とするワイヤボンド対
    応ペルチェ素子。
JP036012U 1991-05-21 1991-05-21 ワイヤボンド対応ペルチエ素子 Pending JPH0533550U (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002261336A (ja) * 2001-02-27 2002-09-13 Aisin Seiki Co Ltd 熱電モジュールおよび熱電モジュールを放熱部材に組み付ける方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002261336A (ja) * 2001-02-27 2002-09-13 Aisin Seiki Co Ltd 熱電モジュールおよび熱電モジュールを放熱部材に組み付ける方法
JP4620268B2 (ja) * 2001-02-27 2011-01-26 アイシン精機株式会社 熱電モジュールを放熱部材に組み付ける方法

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