JP2513134B2 - チップオンキャリア - Google Patents

チップオンキャリア

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JP2513134B2
JP2513134B2 JP16996393A JP16996393A JP2513134B2 JP 2513134 B2 JP2513134 B2 JP 2513134B2 JP 16996393 A JP16996393 A JP 16996393A JP 16996393 A JP16996393 A JP 16996393A JP 2513134 B2 JP2513134 B2 JP 2513134B2
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JP
Japan
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chip
carrier
solder
optical semiconductor
semiconductor module
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智也 小杉
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NEC Corp
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Nippon Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信や光情報処理等
に用いられる光半導体モジュールの内部に実装されるチ
ップオンキャリア(基板)に関する。
【0002】
【従来の技術】光半導体モジュールは、一般にパッケー
ジ内に温度を一定に保つためのペルチェを介してチップ
オンキャリアと呼ばれる部品を実装した構成になってい
る。ここでチップオンキャリアは、LD素子等の光半導
体素子,温度による電気抵抗の変化を計る抵抗温度計と
してのサーミスタ,光半導体素子からの出射光を集光す
るための光学系レンズ等を基板に搭載したものである。
【0003】図2は従来のチップオンキャリアを含む光
半導体モジュールの基本構成を示したもので、同図
(a)はその上面図であり、同図(b)はその断面図で
ある。
【0004】ここでチップオンキャリア1は、主として
光半導体モジュール用のパッケージ3に光半導体素子
5,光学系部材としてのレンズ6,サーミスタ7等を実
装するための部品である。チップオンキャリア1とパッ
ケージ3の底面との間にはペルチェ2が介挿されてい
る。又、チップオンキャリア1及びペルチェ2の間とペ
ルチェ2及びパッケージ3の間とは、それぞれ半田4に
より固定されている。尚、光ファイバ9は、レンズ6に
より集光された出射光を受け入れるためにパッケージ3
の一面に接続配置されている。
【0005】因みに、このようなチップオンキャリア
(チップキャリア)を含む光半導体モジュールに関連す
る技術は、特開昭63−220593号公報や特開平2
−119194号公報等に開示されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述した光半導体モジ
ュールの場合、しばしばペルチェに流れる電流が増大
し、冷却特性の劣化した不良品になることがある。これ
はチップオンキャリアをパッケージの内部に実装したペ
ルチェの上面に半田でチップオンキャリアを固着実装す
る際、チップオンキャリアの裏面(半田付着面)の中央
部から半田が端部方向へ逃げて中央部に空洞が形成さ
れ、この空洞によって熱伝導性が劣化してしまうためで
ある。この空洞は半田が毛細管現象による流動性を有す
る以上、固着実装時にその形成を回避することが困難に
なっている。
【0007】本発明は、かかる問題点を解決すべくなさ
れたもので、その技術的課題は、光半導体モジュールに
おける不良品の発生及び性能劣化を防止し得るチップオ
ンキャリアを提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板と
該基板に搭載したチップとを含み、温度を一定に保つた
めのペルチェに該基板が半田実装されたチップオンキャ
リアにおいて、基板には、半田実装時に発生する半田逃
げを規制するための逃げ規制部を設けたチップオンキャ
リアが得られる。
【0009】又、本発明によれば、上記チップオンキャ
リアにおいて、逃げ規制部は、基板に貫通して形成され
た貫通穴であり、該貫通穴は毛細管現象により半田を保
持するチップオンキャリアが得られる。
【0010】
【実施例】以下に実施例を挙げ、本発明のチップオンキ
ャリアについて、図面を参照して詳細に説明する。
【0011】図1は、本発明の一実施例に係るチップオ
ンキャリアを含む光半導体モジュールの基本構成を示し
たもので、同図(a)はその上面図であり、同図(b)
はその断面図である。但し、この光半導体モジュール
も、図2で説明した光半導体モジュールと基本的な構成
は同じであるので、同じ構成部分には同一符号を付して
説明を省略し、相違する部分のみを説明する。
【0012】この光半導体モジュールの場合、チップオ
ンキャリア1における光半導体部材の実装面となる一面
側とは反対側の他面側に、半田逃げを規制するための逃
げ規制部が設けられている。この逃げ規制部は、図示す
るものではチップオンキャリア1の他面側から一面側へ
と貫通した,毛細管現象により半田が流れ込む貫通穴8
として形成されている。この貫通穴8に関する位置,大
きさ等の設定条件は、光半導体部材の実装面となる一面
側とは反対側の他面側にて、光半導体部材に対して電気
的接続に支障を来さないように規定されるものである。
【0013】この構成の場合、光半導体モジュール用の
パッケージ3の内部に実装されたペルチェ2の上面にチ
ップオンキャリア1を半田実装する際、チップオンキャ
リア1の裏面(半田付着面)の中央部から端部方向へ半
田4の逃げが生じても、逃げた半田4が貫通穴8に流入
して固着されるため、中央部に空洞が形成されることが
防止される。これにより、光半導体モジュールは、半田
付き,固定強度,冷却特性が向上されたものとなる。
【0014】又、貫通穴8の位置を選定することによ
り、ペルチェ2よりもチップオンキャリア1の方の寸法
が大きい場合でも、貫通穴8を通してペルチェ2の上面
における半田4の固着状態を視認することができる。
【0015】
【発明の効果】以上に述べた通り、本発明によれば、チ
ップオンキャリアの光半導体部材の実装面とは反対面に
半田逃げを規制するための逃げ規制部を設けているの
で、半田実装時に毛細管現象による半田の流動が効果的
に規制されるようになる。この逃げ規制部は、チップオ
ンキャリアの他面側から一面側へと貫通した貫通穴とし
て形成されているので、光半導体モジュール用のパッケ
ージの内部に実装されたペルチェの上面にチップオンキ
ャリアを半田実装する際、チップオンキャリアの裏面
(半田付着面)の中央部から端部方向へ半田逃げが生じ
ても、逃げた半田が貫通穴に流入して固着され、中央部
に空洞が形成されることが防止されるようになる。従っ
て、この光半導体モジュールは、半田付きが改善された
固定強度の優れたものとなり、その冷却特性が向上され
たものとなる。又、貫通穴の位置を選定することによ
り、ペルチェよりもチップオンキャリアの方の寸法が大
きい場合でも、貫通穴を通して従来では不可能であった
ペルチェの上面における半田の固着状態を視認した上で
実装を行い得るようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係るチップオンキャリアを
含む光半導体モジュールの基本構成を示したもので、
(a)はその上面図、(b)はその断面図である。
【図2】従来のチップオンキャリアを含む光半導体モジ
ュールの基本構成を示したもので、(a)はその上面
図、(b)はその断面図である。
【符号の説明】 1 チップオンキャリア 2 ペルチェ 3 パッケージ 4 半田 5 光半導体素子 6 レンズ 7 サーミスタ 8 貫通穴 9 光ファイバ

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板と該基板に搭載したチップとを含
    み、温度を一定に保つためのペルチェに該基板が半田実
    装されたチップオンキャリアにおいて、前記基板には、
    前記半田実装時に発生する半田逃げを規制するための逃
    げ規制部を設けたことを特徴とするチップオンキャリ
    ア。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のチップオンキャリアにお
    いて、前記逃げ規制部は、前記基板に貫通して形成され
    た貫通穴であり、該貫通穴は毛細管現象により半田を保
    持するものであることを特徴とするチップオンキャリ
    ア。
JP16996393A 1993-07-09 1993-07-09 チップオンキャリア Expired - Lifetime JP2513134B2 (ja)

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JPH0730013A JPH0730013A (ja) 1995-01-31
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JP2000019343A (ja) * 1998-07-02 2000-01-21 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光導波路素子
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JPH0730013A (ja) 1995-01-31

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Effective date: 19960305