WO2005067095A1

WO2005067095A1 - 同軸線路−平面基板変換構造と高周波用信号変換器

Info

Publication number: WO2005067095A1
Application number: PCT/JP2004/019170
Authority: WO
Inventors: Kimiyoshi Fukatsu; Tomoaki Kato
Original assignee: Nec Corporation
Priority date: 2004-01-09
Filing date: 2004-12-22
Publication date: 2005-07-21
Also published as: JP2007123950A

Abstract

　高周波同軸線路と平面基板線路との変換において、変換部に起因する反射を低減させる。　金属パッケージ１１０に嵌合して、同軸コネクタ１１１が挿入される高周波同軸線路と、下面を金属パッケージ１１０に接して上面に中心導体１０２および表面グランド１０１が形成された裏面導体１０３付きのコプレーナ回路１００とを備えた高周波用信号変換器において、表面グランド１０１の変換部に近い導体の一部が矩形に取り除かれて導体除去部１０８が形成されており、それにより変換部における電界分布を小さくでき特性インピーダンスの低下を抑え反射を抑制できる。

Description

明細書

同軸線路 -平面基板変換構造と高周波用信号変換器

技術分野

[0001] 本発明は、同軸線路と平面基板線路との間で高周波電気信号の変換を行う同軸線路一平面基板変換構造に関し、特に広帯域にわたり反射の少ない同軸線路一平面基板変換構造と高周波用信号変換器に関する。

背景技術

[0002] インターネット等の広帯域マルチメディア通信サービスの爆発的な需要増加に伴つて、より大容量でかつ高機能な光ファイバ通信システムやマイクロ波通信システムの開発が求められて、る。このために大規模な通信システムに用いられる高周波モジュールの性能の向上は極めて重要な課題である。

[0003] 従来から、こうした高周波モジュールの高周波信号の入出力の形態としては、同軸線路形のコネクタが広く使われてきた。この同軸線路は、同軸線路コネクタ間の相互接続が容易で、かつ高周波特性に優れるなどの利点が多、ので幅広く用いられてヽる。

[0004] し力しながら、高周波モジュール内部では、同軸線路型の高周波線路は扱いにくい。そのため、マイクロストリップ線路またはコプレーナ回路などの、表面に信号線が露出して!/、る実装に適した平面基板線路が使われて、る。このような高周波モジユールの場合には、モジュールの入出力インターフェースとして同軸線路コネクタが用いられ、モジュール内部では平面基板線路が用いられているため、入出力部における同軸線路一平面基板線路間の高周波信号変換が必要であった。また、最近では小型化に優れる同軸コネクタを用、な、構造を採用した高周波パッケージなども多く実用化されて、る。このような高周波モジュールにお、ても評価や選別などの作業時には、同軸線路に変換するほうが都合がよいため、高周波パッケージの平面基板線路力同軸線路へ変換する特別の道具が用いられてきた。

[0005] これらの高周波用信号変の同軸線路一平面基板線路変換構造として、図 1A、図 IBに示す同軸線路裏面導体付きコプレーナ回路変換構造がある。表面グランド 501の構造以外は実施例 1の構成と同じであり、実施例 1で説明が行なわれるので詳細な説明は省略する。

[0006] また、高周波特性の改善を目的とした同軸線路一平面基板線路として、特許文献 1 に記載の同軸ストリップ導体変^^が開示されている。ここでは、金属ケースに形成された嵌合部凹部に嵌合して、絶縁部と芯線とが挿入される高周波同軸コネクタと、下面を金属ケースに接して上面にストリップ導体を配設するセラミック基板とを含んで構成されている。絶縁部とストリップ導体との間に形成された離間部と、離間部において芯線と金属ケースとの間に形成された円筒形状の第二のエアギャップとを備えている。第二のエアギャップが芯線の中心軸に平行な面で円筒形状の上部を切り取つて形成され、芯線の中心軸と、第二のエアギャップの中心軸とがー致しており、芯線の上面とストリップ導体の上面とが同一平面上にある構造になっている。この構造により、高周波同軸線路とストリップ導体との変換において、直流から 50GHzまでの広帯域にわたって特性インピーダンスを整合させることができる。

特許文献 1 :特開 2002-198129号公報 (第 1図）

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0007] 同軸線路一平面基板線路の変換構造としての同軸線路マイクロストリップ線路への変換では、次のような高周波特性上の問題点がある。マイクロストリップ線路では、誘電体を表面のストリップ導体と裏面グランドで挟んだ構造となっている。一方、通常の高周波 ICでは、グランドとデータや電源などの信号を入出力するパッドがすべて表面にあることが多い。このような場合、マイクロストリップ線路の裏面グランドと ICの表面グランドとを直接に金ワイヤボンディングすると、それぞれを接続する金ワイヤが長くなる。そのため、金ワイヤのインダクタンスが大きくなり、特に高周波領域において特性が劣化する。また、この高周波特性の劣化を避けるため、平面導波路の途中でマイクロストリップ線路力コプレーナ回路へ変換する方法もある。しかし、この方法においても新たにマイクロストリップ線路ーコプレーナ回路間の変換が入るため高周波特 '性の劣ィ匕が避けられない。

[0008] また、図 1A、図 IBに示す同軸線路裏面導体付きのコプレーナ回路変換構造では、電気信号変換部における電界分布は、後述の実施例 1で比較のために掲載した図 3Bに示すような空気中を伝搬する電界分布 520が生じる。通常の高周波線路においては、特性インピーダンスを 50 Ωとなるように作るのが一般的である。それに対し、この変換部においては、空気中を同軸線路の芯線 514からコプレーナ回路 500 の表面グランド 501間に伝搬する電界分布 520が大きいため、特性インピーダンスが 50 Ωよりもかなり低下していた。その結果、電気信号変換部において特性インピーダンスの不連続による反射が生じて、た。

[0009] また、これらの変換部における反射を抑え広帯域ィ匕する方法として特許文献 1に開示された同軸ストリップ導体変にも、いくつかの実用上の課題がある。第一に、高周波同軸線路芯線とストリップ基板の導体を同一の高さにする必要があることと、高周波特性の劣化を抑えるためには、同軸線路芯線とストリップ導体間の距離を小さくする必要があり、そのため金属ケースの加工トレランスがあまり大きくとれないことが上げられる。第二にこの変では、高周波同軸線路の芯線とセラミック基板上のストリップ導体間をリボンボンディングで固定して、る。通常このような同軸ストリップ導体変換部は、特許文献 1の図 2、 2で示されるように金属ケースの内壁際になる。そのため、通常のリボンボンディング装置では作業性が悪ぐ特別なボンディング装置を用いる必要があるなどの課題がある。

[0010] 本発明の目的は、高周波特性に優れ、特別な製作工程や装置を必要としない、裏面導体付きのコプレーナ回路を用いた同軸線路変換線路基板変換構造と、その変換構造を有する高周波用信号変換器を提供することにある。

課題を解決するための手段

[0011] 本発明の同軸線路一平面基板線路変換構造は、金属パッケージ上に構成された、同軸線路と平面基板線路との変換を行うための高周波用信号変における同軸線路 -平面基板線路変換構造である。平面基板線路は、中心導体と表面グランド導体と裏面導体とを有するコプレーナ回路であり、コプレーナ回路の表面グランド導体の中心導体に近接した一部が、同軸線路との変換部近傍の所定の部分において、所定の形状に取り除かれていることを特徴とする。

[0012] 同軸線路との変換部近傍の所定の部分において取り除かれている表面グランド導体の一部が、表面グランド導体の中心導体側の表面グランド導体の端部から 30— 2 00 m離れた位置にあってもよぐ同軸線路との変換部近傍の所定の部分において取り除かれている表面グランド導体の一部の形状が、長辺が中心導体と平行な矩形状であり、矩形状の短辺の幅が 20 μ m— 100 μ m、長辺の長さが 200 μ m— 600 μ mであってもよぐ中心導体と平行方向に長い三角形状であり、三角形の一辺の長さが 20 μ m— 100 μ mであり、他の二辺の長さが 200 μ m— 600 μ mであってもよい。

[0013] 本発明の高周波用信号変換器は、上述の同軸線路—平面基板変換構造を備えている。

[0014] 本発明における同軸線路一平面線路基板変換構造の特徴は、変換部において裏面導体付きコプレーナ回路の表面グランド導体の一部を取り除いてあることである。これにより、同軸線路と裏面導体付きコプレーナ回路において、従来の同軸線路一平面線路基板変換構造では困難であった、反射の少ない良好な周波数特性を実現することがでさる。

発明の効果

[0015] 広帯域にわたり反射の少ない高周波特性に優れる超高速光通信向け並びにマイク口波無線通信向けの高周波モジュールを提供できるという効果がある。

[0016] これは、信号変換部において裏面導体付きコプレーナ回路の表面グランド導体の一部を取り除いたことにより、表面グランド上の電界分布を減らすことができ、変換領域における特性インピーダンスの低下を抑え、変換部における反射を低減させることができた力もである。具体的なシミュレーション結果は後述の図 4に示すように、従来例の表面グランド導体を取り除、て、な、変換構造と比べ本発明では、 DC— 50G Hz程度までの広い範囲において反射の低減効果が見込まれている。特に、 30— 40 GHzでは 5dB程度と反射低減効果が大き、。

[0017] また本発明においては、従来例と変わらないコストで作製することができるという効果がある。

[0018] これは、裏面導体付のコプレーナ回路を含む高周波セラミック基板を用いた平面導波路の場合には、セラミック基板の上面導体をフォトリソグラフィーまたは、レーザ等による直接描画法などで表面パターンを描画し、エッチングによって導体を取り除く方法で作製するが、本発明の裏面導体付きコプレーナ基板の場合、リソグラフィのマスクデータに従来品に加えてグランド導体を取り除くパターンを入れるだけで作製可能だからである。

図面の簡単な説明

[0019] [図 1A]図 1Aは従来の高周波用信号変換器における同軸線路一平面基板線路変換構造の高周波同軸コネクタと裏面導体付きコプレーナ回路との変換を説明するための模式的断面図の一部断面上面図である。

[図 1B]図 1Bは従来の高周波用信号変換器における同軸線路一平面基板線路変換構造の高周波同軸コネクタと裏面導体付きコプレーナ回路との変換を説明するための模式的断面図の側面断面図である。

[図 2A]図 2Aは本発明の同軸線路一平面基板線路変換部を示す模式図の一部断面上面図である。（実施例 1)

[図 2B]図 2Bは本発明の同軸線路一平面基板線路変換部を示す模式図の側面断面図である。（実施例 1)

[図 3A]図 3Aは実施例 1の高周波同軸コネクタと中心導体の変換部における電界分布を示す模式的断面図である。

[図 3B]図 3Bは従来例の高周波同軸コネクタと中心導体の変換部における電界分布を示す模式的断面図である。

[図 4]図 4は本発明の実施例 1と従来例における高周波用信号変換器の同軸線路平面基板線路変換構造の反射の周波数特性である。

[図 5A]図 5Aは本発明の同軸線路一平面基板線路変換部を示す模式図の一部断面上面図である。（実施例 2)

[図 5B]図 5Bは本発明の同軸線路一平面基板線路変換部を示す模式図の側面断面図である。（実施例 2)

符号の説明

[0020] 10、 20、 50 高周波用信号変換器

100、 200、 500 コプレーナ回路

101、 201、 501 表面グランド、 102、 202、 502 中心導体

103、 203、 503 裏面導体

104、 204、 504 貫通ビア

105、 205、 505 切欠部

106、 206、 506 間隙

107、 207、 507 中心導体先端部

108、 208 導体除去部

109、 209、 509 導電性材料

110、 210、 510 金属パッケージ

111、 211、 511 高周波同軸コネクタ

112、 212、 512 貫通孔

113、 213、 513 同軸コネクタ嵌合部

114、 214、 514 、線

120、 520 電界分布

発明を実施するための最良の形態

[0021] 以下に、本発明を実施するための最良の形態を、図を用いて詳細に説明する。

実施例 1

[0022] 図 2A、図 2Bは本発明の実施例 1である同軸線路一平面基板線路変換部を示す模式図であり、図 2Aに示すように、本発明の実施例 1である高周波用信号変換器 10の同軸線路一平面基板線路変換構造は、高周波同軸コネクタ 111と芯線 114を有する同軸線路部と、裏面導体付きのコプレーナ回路 100と、金属パッケージ 110とで構成されている。

[0023] まず、裏面導体付きのコプレーナ回路 100について説明する。裏面導体付きのコプレーナ回路 100は、表面グランド 101、中心導体 102、裏面導体 103と表面グランド 101とを導通させる貫通ビア 104、および信号入出力端面に設けられた表面グランド 101と裏面導体 103とを導通させる切欠部 105を有する。この中心導体 102の幅とこの中心導体 102と表面グランド 101との間隙 106は、特性インピーダンスが 50 Ωとなるように作製されている。高周波領域においては、コプレーナ回路の高次モードを発生させないようにするために中心導体 102の幅は狭い必要がある。一方、中心導体 102の幅が狭すぎると実装上の問題が多ぐ伝搬損失が大きくなることなどから 50 μ m— 300 μ m程度が望まし!/ヽ。

[0024] また、同軸線路との間の接続部である変換部領域における中心導体先端部 107では、接続を容易にするため中心導体 102の幅を 200 ー 400 m程度まで広げる。また、このコプレーナ回路 100の表面グランド 101の導体には、その一部を矩形状に取り除いた導体除去部 108が設けられている。この取り除かれた表面グランド 101の大きさは、信号伝搬方向に水平方向に 200— 600 μ m、垂直方向に 20 μ m— 100 mの間にするのが望ましい。その理由は、水平方向には変換領域において中心導体を広げた箇所である中心導体先端部 107とほぼ同等の長さ、またはわずかに短い程度が必要であるためである。また、幅に関しては本発明の効果が得られるのには 2 0 μ m以上が必要であり、 100 μ m以上では周波数特性が劣化するからである。

[0025] この位置は表面グランド 101の端から 30— 100 μ m離れた所が望ましい。この理由は、高周波として十分なグランドをとるのには表面グランド 101の幅として必要な幅が 30 μ m以上であり、また製造の誤差や作りやすさなどを考慮するとある程度の幅が必要であるとの観点からも 30 m以上が望ましい。この矩形状に導体を取り除いた導体除去部 108は、同様な理由により貫通ビア 104や切欠部 105からも 30 m以上離すことが望ましい。

[0026] コプレーナ回路 100は、はんだなどの導電性材料を用いて、金属パッケージ 110との間で固定されている。このとき、コプレーナ回路 100と金属パッケージ 110との間の信号の伝搬方向の隙間はできるたけ小さく実装することが周波数特性上望ましい。

[0027] 次に、金属パッケージ 110に関して説明する。金属パッケージ 110内には、高周波同軸コネクタ 111が固定されている。この高周波同軸コネクタ 111は、金属パッケ一ジ 110上面力も高周波同軸コネクタ 111の挿入用の穴に向けて設けられた貫通穴 1 12にはんだ等の導電性の材料を入れ、金属パッケージ 110を加熱し、溶解後冷却することにより固定されて、る。この高周波同軸コネクタ 111も特性インピーダンスが 5 0 Ωとなるように作製されて！、る。

[0028] 実施例 1と従来例における高周波同軸コネクタ 111と中心導体 102との変換部における電界分布は図 3A、図 3Bに示すようになる。図 3Bに示す従来例では変換部において表面グランド 501上の空気中に電界分布 520がみられるため、変換部の特性ィンピーダンスが 50 Ωよりかなり小さくなり、高周波信号の反射が生じる。一方、図 3A に示す本実施例で示した構造では、表面グランド 101上の空気中における電界分布 120を小さくすることができるため、特性インピーダンスの低下を抑えることができ反射を抑制することができる。

[0029] 図 4は、本発明の実施例 1と従来例における高周波用信号変翻の同軸線路-平面基板線路変換構造の反射の周波数特性である。具体的なシミュレーション結果は図 4に示すように、従来例の表面グランド導体を取り除、て、な、変換構造と比べ本発明では、 DC— 50GHz程度までの広い範囲において反射の低減効果が見込まれる。特に、 30— 40GHzでは 5dB程度と反射低減効果が大きい。

[0030] 次に、実施例 1で示した同軸線路一平面基板変換構造を有する高周波用信号変換器 10の製造方法について説明する。裏面導体付きのコプレーナ回路 100は、例えばアルミナセラミックス (比誘電率が 9から 10)などの高周波信号の損失の小さい誘電体基板を用いて作られる。この誘電体基板に、高出力レーザなどを用いて表面と裏面とを貫通させた貫通ビア 104および、電気信号の入出力部分に切欠部 105を形成する。次に、スパッタなどの蒸着装置を用いて、金を 1 μ m程度の厚さで基板の両面に成膜する。この時、貫通ビア 104や切欠部 105を形成したところでは、基板の表面グランド 101と裏面導体 103とが導通するように、貫通ビア 104や切欠部 105の内壁部に金がつくように成膜する。

[0031] 次に表面にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ一により中心導体 102と表面グランド 101とを形成する。このとき、同時に表面グランド 101の一部を取り除き本発明の特徴である矩形状の表面グランド導体の導体除去部 108を作製する。

[0032] 次に、金属パッケージ 110の製造方法について説明する。金属パッケージ 110には、加工性に優れたステンレスや、アルミナセラミックスと線膨張係数が近いコバールなどが用いられる。金属パッケージ 110については、用途に応じて様々な形状をとるため金属パッケージ 110の全体構成ではなく、本発明の説明に必要な変換部部分である図 2Aに記載の箇所に着目して製造方法について説明する。金属パッケージ 1 10の高周波同軸コネクタ 111を差し込む箇所に、図示しな、専用の工具を用いて同軸コネクタ 111を嵌合させるための同軸コネクタ嵌合部 113の穴を形成する。また同軸コネクタ嵌合部 113の穴の上面にもこの穴に達する貫通孔 112を設ける。また、電気特性の改善や信頼性を得るため金属パッケージ 110の表面には金メッキを施す。次にこの金属パッケージ 110に高周波同軸コネクタ 111を差込み、図示しない固定ジグで固定した状態で、上面に設けた貫通孔 112にはんだを入れ金属パッケージ 1 10をはんだが溶解する 180°C程度まで加熱した後、金属パッケージ 110を冷却して高周波同軸コネクタ 111を固定する。

[0033] 次に、金属パッケージ 110に裏面導体付きのコプレーナ回路 100をはんだ等の低融点の金属を用いて取り付け、最後に同軸線路の芯線 114とコプレーナ回路 100の中心導体 102の先端部 107をはんだなどの導電性材料 109で接続して同軸線路- 平面基板変換構造を完成させる。

実施例 2

[0034] 図 5A、図 5Bは本発明の実施例 2である同軸線路-平面基板線路変換部を示す模式図である。図 5Aに示すように、本発明の実施例 2である同軸線路一平面基板線路変換構造では、高周波用信号変換器 20は、高周波同軸コネクタ 211と芯線 214を有する同軸線路部、裏面導体付きコプレーナ回路 200、および金属パッケージ 210 で構成されている。

[0035] 実施例 2の高周波用信号変換器 20と同軸線路一平面基板線路変換部の構造は、実施例 1では矩形であった表面グランド 101の導体除去部 108が、三角形の形状の導体除去部 208となった以外は実施例 1と同じなので、同じ部分についての説明は省略し、導体除去部 208を中心に説明する。

[0036] 裏面導体付きコプレーナ回路 200においては、コプレーナ回路 200の表面グランド 201の導体には、図 5Aに示されるように、その一部を直角三角形の形状に取り除いた導体除去部 208が設けられて、る。

[0037] この表面グランド 201から取り除かれた導体除去部 208の大きさは、信号伝搬方向に水平な方向に 200— 600 μ m、垂直な方向に 20 μ m— 100 μ mの間となる三角形状となっている。その理由は、水平方向には変換領域において中心導体 202を広げた中心導体先端部 207とほぼ同等の長さ、またはわずかに短い程度が必要であるためである。また、幅に関しては本発明の効果が得られるのは 20 m以上で必要であり、 100 m以上では周波数特性が劣化するからである。

[0038] また、この位置は表面グランドの端から 30— 100 μ m離れた所が望ま、。この理由は、高周波として十分なグランドをとるのには表面グランドの幅として 30 m以上必要であること、製造の誤差や作りやすさなどを考慮するとある程度の幅が必要であるとの観点から 30 m以上が望ましい。このことは、貫通ビア 204や切欠部 205とも同じ理由から 30 m以上離すことが望ましい。

[0039] 金属パッケージ 210は、実施例 1の金属パッケージ 110と同じ構成なので説明を省略する。

[0040] 実施例 2における高周波同軸コネクタ 211と中心導体 202との変換部における電界分布は、図 4を参照して実施例 1で示したのと同様に、従来例における高周波同軸コネクタ 511と中心導体 502の変換部における電界分布と比較して、表面グランド 201 上の空気中における電界を少なくすることができる。従って、変換部における特性ィンピーダンスの低下を抑えることができ、変換部で生じる反射を抑制することができる

[0041] 実施例 2の同軸線路 -平面基板変換構造を有する高周波用信号変換器 20の製造方法も、表面にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ一により中心導体 202と表面グランド 201を形成するとき、同時に表面グランド 201の一部を取り除き三角形状の導体除去部 208を設ける以外は実施例 1の製造方法と同じなので説明を省略する。

[0042] 金属パッケージ 110の本発明の説明に必要な変換部部分の製造方法も、実施例 1 で説明した製造方法と同じなので説明を省略する。

[0043] なお、この発明の同軸線路一平面基板変換構造は、図面を参照して説明した上述の実施例に限定されるものではなぐ同じ目的で同じ効果を得られるように応用して実施することができる。例えば、この発明は表面グランドに設ける導体の除去部の形状を矩形状や三角形の形状に限らず台形などの他の形状として適用することが可能である。また変換部において中心導体を接続しやすくするために広げた中心導体先端部をなくして、中心導体をすベて同じ幅にすることも可能である。さらに、表面ダランド導体を基板表面の一部とすることも可能であり、同一の金属パッケージに二つ以上の同軸線路一平面基板線路変換構造を設けることも可能である。

Claims

請求の範囲

[1] 金属パッケージ上に構成された、同軸線路と平面基板線路との変換を行うための高周波用信号変換器における同軸線路一平面基板線路変換構造において、前記平面基板線路は、中心導体と表面グランド導体と裏面導体とを有するコプレーナ回路であり、

前記コプレーナ回路の前記表面グランド導体の前記中心導体に近接した一部が、前記同軸線路との変換部近傍の所定の部分において、所定の形状に取り除かれていることを特徴とする同軸線路一平面基板線路変換構造。

[2] 前記同軸線路との変換部近傍の所定の部分において取り除かれている前記表面グランド導体の一部が、表面グランド導体の前記中心導体側の前記表面グランド導体の端部から 30— 200 m離れた位置にある、請求項 1に記載の同軸線路—平面基板変換構造。

[3] 前記同軸線路との変換部近傍の所定の部分において取り除かれている前記表面グランド導体の一部の形状が、長辺が前記中心導体と平行な矩形状である、請求項 1または請求項 2の何れか 1項に記載の同軸線路—平面基板変換構造。

[4] 前記矩形状の短辺の長さが 20 μ m— 100 μ m、長辺の長さが 200 μ m— 600 μ m である、請求項 3に記載の同軸線路-平面基板変換構造。

[5] 前記同軸線路との変換部近傍の所定の部分において取り除かれている前記表面グランド導体の一部の形状が、前記中心導体と平行方向に長い三角形状である、請求項 1または請求項 2に記載の同軸線路 -平面基板変換構造。

[6] 前記三角形の一辺の長さが 20 μ m— 100 μ mであり、他の二辺の長さが 200 μ m 一 600 /z mである、請求項 5に記載の同軸線路—平面基板変換構造。

[7] 前記中心導体は、前記同軸線路との前記変換部において、該中心導体の幅が局所的に広げられている、請求項 1から請求項 6の何れか 1項に記載の同軸線路—平面基板変換構造。

[8] 前記コプレーナ回路は、前記表面グランド導体と前記裏面導体とを導通させるための貫通ビアを少なくとも一つ以上有する、請求項 1から請求項 7のいずれか 1項に記載の同軸線路一平面基板変換構造。

[9] 前記コプレーナ回路は、該コプレーナ回路の外周部に、少なくとも一つ以上の前記表面グランド導体と前記裏面導体との導通部が設けられた切欠部を有する、請求項 1から請求項 8のいずれか 1項に記載の同軸線路 -平面基板変換構造。

[10] 前記同軸線路の芯線と前記中心導体とが、前記同軸線路と前記コプレーナ回路との前記変換部にぉ、て、 400°C以下で溶解する低融点金属および 400°C以下の温度で固化する導電性接着剤の、ずれかを用いて接続されてヽる、請求項 1から請求項 9の何れか 1項に記載の同軸線路—平面基板変換構造。

[11] 前記コプレーナ回路の前記中心導体の幅が 50マイクロメートルから 300マイクロメ一トルであり、前記中心導体と前記表面グランド導体との間の間隔が 20マイクロメートルから 150マイクロメートルである、請求項 1から請求項 10の何れ力 1項に記載の同軸線路 -平面基板変換構造。

[12] 前記コプレーナ回路の基板の比誘電率が 15以下である、請求項 1から請求項 11 の何れか 1項に記載の同軸線路—平面基板変換構造。

[13] 前記コプレーナ回路の基板の厚さが 200マイクロメートル以上でかつ 600マイクロメ一トル以下である、請求項 1から請求項 12の何れか 1項に記載の同軸線路-平面基板変換構造。

[14] 請求項 1から請求項 13のいずれか 1項に記載の同軸線路-平面基板変換構造を備えた高周波用信号変換器。