JP2004064459A - 高周波用伝送線路基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】誘電体基材の表面側に形成するグランド用の金属導体パターンのワイヤボンディング領域を広くできると共に、裏面側に形成するグランド用の金属導体パターンと接続するための金属導体膜の誘電体基材との接合信頼性を高くできる高周波用伝送線路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】誘電体基材１１の表面に高周波の信号を通過させるための信号線用の金属導体線路１２と、グランド用の第１の金属導体パターン１３、及び裏面にグランド用の第２の金属導体パターン１４を有し、第１と第２の金属導体パターン１３、１４を接続させるための誘電体基材１１を貫通する貫通孔１９に設ける金属導体膜１５を有する高周波用伝送線路基板１０において、第１の金属導体パターン１３と第２の金属導体パターン１４が貫通孔１９を切断して設ける誘電体基材１１の端面に形成されたキャスタレーション１６で接続されている。
【選択図】　　　　図１

Description

【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、金属導体線路に高周波の信号を通過させるための高周波用伝送線路基板及びその製造方法に係り、より詳細には、誘電体基材の両面にグランド用の金属導体パターンを設ける高周波用伝送線路基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年のモジュールの高周波化に伴い、半導体素子を搭載するためのパッケージや、回路基板等を伝播する信号速度、更にはパッケージや、回路基板等に接合して用いられたりする異なる信号線形態間を接続するための伝送線路基板を伝搬する信号速度が高速になっており、単なる電気的接続では様々なノイズの発生要因となっている。この高周波用伝送線路基板は、セラミックやプラスチックからなる誘電体基材に導体金属からなる信号線とグランドを形成して高速動作に対応できる特性インピーダンス等の電気的設計の考慮がなされている。高周波化に伴い、信号線を伝搬する信号遅延、反射ノイズ、クロストークノイズ等の伝送線路としての電磁気的、電磁波的挙動が顕著になるため、反射ノイズを防止するための整合や、ドライバ回路のスイッチング時に生じる電源雑音、不要電磁放射（ＥＭＩ）の対策が重要となっている。
【０００３】
高周波用伝送線路基板上で高速信号を伝搬させるには、代表的な伝送線路構造として、マイクロストリップ線路、ストリップ線路、コプレナー線路、グランデットコプレナー線路等がある。それぞれの線路構造の特性インピーダンスは、信号線配線幅、絶縁層（誘電体基材）の厚さや信号線とグランドパターンとの隙間の幾何的寸法と、誘電体基材の比誘電率によって決まる。例えば、信号線に同軸コネクターを接続させるための高周波用伝送線路基板としては、誘電体基材の表面に信号線が形成されるマイクロストリップ線路や、コプレナー線路や、グランデットコプレナー線路構造のものが用いられている。また、グランデットコプレナー線路構造の高周波用伝送線路基板の中には、基板表面に光通信用の半導体素子との電気的接続のために局部的なパターンからなるグランド用の金属導体パターンを有するものがある。
【０００４】
図６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、従来の局部的なグランド用パターンを有するグランデットコプレナー線路構造の高周波用伝送線路基板５０は、誘電体基材５１の表面に信号線用の金属導体線路５２と、金属導体線路５２に近接して局部的なパターンからなるグランド用の第１の金属導体パターン５３を有している。誘電体基材５１の裏面には、実質的の全体面を覆うように形成されるグランド用の第２の金属導体パターン５４を有している。そして、第１の金属導体パターン５３と第２の金属導体パターン５４とは、誘電体基材５１を貫通して設けられた貫通孔５５の壁面に導体金属膜５６を形成することで電気的な接続を行っている。金属導体線路５２、第１の金属導体パターン５３、第２の金属導体パターン５４、及び、導体金属膜５６は、誘電体基材５１の表面及び裏面のそれぞれの面にスパッタを行うことで形成している。なお、貫通孔５５は、例えば、セラミックからなる誘電体基材５１の場合には、セラミックグリーンシートにパンチング等で円柱体状に打ち抜いて形成した後、焼成することで作製している。また、プラスチックからなる誘電体基材５１の場合には、パンチングやレーザービア加工機等を用いて円柱体状に形成して作製している。金属導体線路５２の一方の端部は、同軸コネクターのコネクター芯線を接続するのに用いられ、金属導体線路５２の他方の端部、及び第１の金属導体パターン５３は、半導体素子とボンディングワイヤ等を介して接続するためのパッド部として用いられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述したような従来の高周波用伝送線路基板及びその製造方法には、次のような問題がある。
（１）誘電体基材の表面に形成した局部的なパターンからなるグランド用の金属導体パターンと、誘電体基材の裏面に形成したグランド用の金属導体パターンとを接続するために設けた貫通孔の開口面積は、表面に形成した局部的なパターンからなるグランド用の金属導体パターンの中で占有する面積が大きいので、ワイヤボンデイングを行うことができる領域が小さくなり作業性が悪くなる。また、貫通孔の開口部を孔埋めしたとしても、穴埋め部分の表面の平坦性が悪いので、ボンディングワイヤの接続信頼性が低くなる。
【０００６】
（２）スパッタで誘電体基材に形成される金属導体線路、金属導体パターン、及び導体金属膜は、誘電体基材の表面や裏面に形成される金属導体線路や、金属導体パターンの接合強度に対して、貫通孔の壁面に形成される金属導体膜がスパッタの回り込みによって形成されるので、接合強度が小さく、金属導体膜に剥がれが発生して電気的信頼性が低くなる。特に、キャスタレーションを形成する場合には、貫通孔の中心部を横断し切断して形成するので、金属導体膜の剥がれが発生しやすい。
【０００７】
（３）セラミックグリーンシートに貫通孔を穿孔し、焼成して形成するセラミックからなる誘電体基材の場合においては、セラミックの焼成収縮によって誘電体基材に寸法のバラツキが発生する。この状態でキャスタレーションを形成する場合には、貫通孔の中心部を横断して切断する位置にズレが発生するので、導体金属膜の剥がれが大きく発生して表面側の金属導体パターンと裏面側の金属導体パターン間に断線が発生する場合がある。また、ワイヤボンデイングを行うことができる領域を広げるために、貫通孔を小さく形成してキャスタレーションを形成する場合には、切断する位置が貫通孔からズレてしまう場合がある。
【０００８】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、誘電体基材の表面側に形成するグランド用の金属導体パターンのワイヤボンディング領域を広くできると共に、裏面側に形成するグランド用の金属導体パターンと接続するための金属導体膜の誘電体基材との接合信頼性を高くできる高周波用伝送線路基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記目的に沿う本発明に係る高周波用伝送線路基板は、誘電体基材の表面に高周波の信号を通過させるための信号線用の金属導体線路と、グランド用の第１の金属導体パターン、及び誘電体基材の裏面にグランド用の第２の金属導体パターンを有し、第１の金属導体パターンと第２の金属導体パターンを接続させるための誘電体基材を貫通する貫通孔に設ける金属導体膜を有する高周波用伝送線路基板において、第１の金属導体パターンと第２の金属導体パターンが貫通孔を切断して設ける誘電体基材の端面に形成されたキャスタレーションで接続されている。これにより、キャスタレーションが第１の金属導体パターンの端部の誘電体基材の端面で形成できるので、ワイヤボンデイングを行うことができる領域を広く形成させることができる。
【００１０】
ここで、キャスタレーションが正面からみて台形形状に形成されているのがよい。これにより、キャスタレーションを形成するための貫通孔がテーパ状からなり、広口開口部側からスパッタを行うことで、誘電体基材に金属導体膜を強固に接合させることができる。
【００１１】
また、台形形状が第１の金属導体パターン側に小さい側、第２の金属導体パターン側に大きい側からなるように形成されているのがよい。これにより、キャスタレーションが第１の金属導体パターンの中で占有する面積を小さくして形成させることができるので、ワイヤボンデイングを行うことができる領域を広く形成させることができる。
【００１２】
更に、第１の金属導体パターンと第２の金属導体パターンがキャスタレーションに併設されるビアホールで接続されているのがよい。これにより、第１の金属導体パターンと第２の金属導体パターンの接続信頼性を更に向上させることができる。
【００１３】
前記目的に沿う本発明に係る高周波用伝送線路基板の製造方法は、誘電体基材に貫通孔を設け、誘電体基材の表面に高周波の信号を通過させるための信号線用の金属導体線路を形成すると共に、貫通孔の壁面に導体金属膜を形成して誘電体基材の、表面及び裏面に形成するグランド用の金属導体パターンを接続する高周波用伝送基板の製造方法において、誘電体基材にレーザービア加工機でレーザーが照射される側の孔径側が大きくなるようにキャスタレーション用の貫通孔を断面視して台形形状に穿孔する工程と、誘電体基材に金属薄膜からなる金属導体線路、導体金属膜、及び金属導体パターンをそれぞれ所定の場所に形成する工程と、誘電体基材のキャスタレーション用の貫通孔の実質的に中心部分を横断して切断する工程を有する。貫通孔をレーザーで穿孔するので、断面視して台形形状に容易に作製でき、これにより、貫通孔の開口径の広い側からテーパ状の壁面にスパッタや、蒸着等で金属薄膜を形成することができるので、接合強度の高い金属導体膜を作製できる。また、寸法バラツキの少ない誘電体基材を切断するので、キャスタレーションを正確な位置に作製することができる。
【００１４】
ここで、キャスタレーション用の貫通孔に併設して設けるビアホール用の貫通孔を穿孔して、ビアホールを形成するのがよい。これにより、キャスタレーション用の貫通孔を形成すると同時にビアホール用の貫通孔が形成でき、ビアホール用にも接合強度の高い金属導体膜を容易に形成できるので、表面及び裏面に形成するグランド用の金属導体パターンを接続する接続信頼性を高めることができる。
【００１５】
また、誘電体基材がセラミックからなり、貫通孔はセラミックグリーンシートを焼成した後に穿孔して形成するのがよい。これにより、焼成されたセラミックであるので、レーザーを照射する側の孔径側を大きくする貫通孔を断面視して台形形状のテーパ状に容易に穿孔することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態について説明し、本発明の理解に供する。
ここに、図１（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ本発明の一実施の形態に係る高周波用伝送線路基板の斜視図、表面側平面図、裏面側平面図、図２（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同高周波用伝送線路基板の変形例の斜視図、正面図、図３（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同高周波用伝送線路基板の他の変形例の平面図、Ａ−Ａ’線拡大縦断面図、図４（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ同高周波用伝送線路基板の製造方法の説明図、図５（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同高周波用伝送線路基板を用いて作製する光通信用パッケージの平面図、Ｂ−Ｂ’線縦断面図である。
【００１７】
図１（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、本発明の一実施の形態に係る高周波用伝送線路基板１０は、例えば、グランデットコプレナー線路構造からなり、セラミックやプラスチック等の誘電体基材１１の表面側に高周波の信号を通過させるための信号線用の金属導体線路１２を有している。また、同一表面側には、金属導体線路１２と接触しないように近接して誘電体基材１１の表面が露出して絶縁となる間隔を設け、部分的な小面積からなるグランド用の第１の金属導体パターン１３を有している。更に、高周波用伝送線路基板１０は、裏面側に実質的に全面からなるグランド用の第２の金属導体パターン１４を有している。そして、表面側の第１の金属導体パターン１３と裏面側の第２の金属導体パターン１４は、誘電体基材１１の端面に設けられ、端面部の壁面に導体金属膜１５を有するキャスタレーション１６で接続されている。
【００１８】
金属導体線路１２の一方の端部は、例えば、同軸コネクター２９（図５（Ａ）、（Ｂ）参照）のコネクター芯線３３をコネクター芯線３３の軸線方向に合わせて接続するための接続部となり、コネクター芯線３３がＡｕ−Ｓｎろうや、Ａｕ−Ｇｅろう等からなる低温ろう材でろう付け接合されるために用いられる。金属導体線路１２の他方の端部、及び第１の金属導体パターン１３は、半導体素子（図示せず）と、例えば、フリップチップ方式で直接的に、あるいはボンディングワイヤや、リボン等のリード線を用いて間接的に接続するためのパッド部となり、半導体素子と接続状態とするのに用いられる。部分的な小面積からなるグランド用の第１の金属導体パターン１３に、例えば、ボンディングワイヤを接続する場合、第１の金属導体パターン１３の面積内には、ボンディングを阻害するビアホールのような障害物がないので、ボンディング場所を選定することなく効率的にボンディングワイヤを接続することができる。
【００１９】
なお、金属導体線路１２は、複数本設けられたり、曲線であったり、途中で分岐して複数本となったりしてもよく、また、第１の金属導体パターン１３は、金属導体線路１２の片側のみに近接して設けられてもよく、これらの形状、大きさ、数量、位置等は、特に限定されるものではない。更に、キャスタレーション１６は、数量、大きさ、作製位置等に制限があるものではない。
【００２０】
図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本発明の一実施の形態に係る高周波用伝送線路基板の変形例の高周波用伝送線路基板１０ａは、誘電体基材１１の表面側に高周波の信号を通過させるための信号線用の金属導体線路１２と、金属導体線路１２と接触しないように近接して部分的な小面積からなるグランド用の第１の金属導体パターン１３を有している。また、高周波用伝送線路基板１０ａは、裏面側に実質的に全面からなるグランド用の第２の金属導体パターン１４を有している。そして、表面側の第１の金属導体パターン１３と裏面側の第２の金属導体パターン１４は、誘電体基材１１の端面に設けられ、端面部の壁面に導体金属膜１５を有し、正面（端面側）から観察して台形形状からなるキャスタレーション１６ａで接続されている。この高周波用伝送線路基板１０ａは、キャスタレーション１６ａを形成するための貫通孔がテーパ状となっているので、貫通孔の広口側からのスパッタによって誘電体基材１１に金属導体膜１５を強固に接合させたもので形成できる。
【００２１】
また、高周波用伝送線路基板１０ａは、誘電体基材１１の端面側から観察して台形形状からなるキャスタレーション１６ａが、表面側に形成される第１の金属導体パターン１３側に台形形状の小さい側となり、裏面側に形成される第２の金属導体パターン１４側に台形形状の大きい側となるように形成されるのがよい。この場合の高周波用伝送線路基板１０ａは、誘電体基材１１に金属導体膜１５を強固に接合されたもので形成されていると同時に、キャスタレーション１６ａの第１の金属導体パターン１３側の開口が小さくでき、第１の金属導体パターン１３の面積を広くすることができるので、例えば、ボンディングワイヤ等のリードを接合する場合に、効率よく確実に接合することができる。
【００２２】
更に、図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本発明の一実施の形態に係る高周波用伝送線路基板の他の変形例の高周波用伝送線路基板１０ｂは、キャスタレーション１６ａで第１の金属導体パターン１３と第２の金属導体パターン１４が接続されると同時に、第１の金属導体パターン１３の形成された部分の誘電体基材１１を貫通する貫通孔に設ける金属導体膜１５を有するビアホール１７で、第１の金属導体パターン１３と第２の金属導体パターン１４を接続している。この場合の高周波用伝送線路基板１０ｂは、第１の金属導体パターン１３と第２の金属導体パターン１４の接続が、キャスタレーション１６ａでの接続に加えて、ビアホール１７によっても接続されるので、確実に接続させることができ、断線を防止することができる。
【００２３】
なお、キャスタレーション１６ａは、台形形状で示したが、ストレート形状のキャスタレーション１６（図１（Ａ）〜（Ｃ）参照）でもよく、ビアホール１７もストレート形状であってもよい。また、ビアホール１７の第１の金属導体パターン１３との接続部は、ビアホール１７の一部が接続するものであってもよく、形成される位置も特に限定されるものではない。
【００２４】
次いで、図２（Ａ）、（Ｂ）、図４（Ａ）〜（Ｃ）を参照しながら、本発明の一実施の形態に係る高周波用伝送線路基板の内の誘電体基材１１の端面側から観察して台形形状からなるキャスタレーション１６ａで形成される高周波用伝送線路基板１０ａの製造方法を説明する。
高周波用伝送線路基板１０ａを構成する誘電体基材１１は、セラミックやプラスチック等の誘電体からなり、例えば、誘電体の一例である、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等のセラミックは、先ず、アルミナ粉末にマグネシア、シリカ、カルシア等の焼結助剤を適当量加えた粉末に、ジオクチルフタレート等の可塑剤と、アクリル樹脂等のバインダー、及びトルエン、キシレン、アルコール類等の溶剤を加え、十分に混練し、脱泡して粘度２０００〜４００００ｃｐｓのスラリーを作製する。次いで、ドクターブレード法等によって、例えば、厚み０．２５ｍｍのロール状のシートを作製する。そして、このセラミックグリーンシートを、必要に応じて複数枚を重ね合わせ、温度と圧力をかけて積層した後、約１５５０℃で焼成して１又は複数の高周波用伝送線路基板１０ａが得られるようにシート状からなる焼結体を作製する。
【００２５】
次に、図４（Ａ）に示すように、誘電体基材１１には、炭酸ガスレーザー等のレーザー１８が照射され、レーザー１８の照射された側の孔径が大きくなり、反対側の孔径が小さくなるように、壁面がテーパ状で、断面視して台形形状の貫通孔１９が形成される。なお、この貫通孔１９は、キャスタレーション１６ａのためのもの以外に、ビアホール１７（図３（Ａ）、（Ｂ）参照）用として同時に形成してもよい。
【００２６】
次に、図４（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、誘電体基材１１には、この表面側や、裏面側、及び貫通孔１９の壁面に、信号線用の金属導体線路１２と、グランド用の第１の金属導体パターン１３と第２の金属導体パターン１４、及び第１と第２の金属導体パターン１３、１４を接続するための導体金属膜１５が、スパッタや蒸着法等でＴｉ、Ｐｄ、Ａｕ等からなる金属薄膜を付着させることで形成される。なお、表面側の信号線用の金属導体線路１２と、グランド用の第１の金属導体パターン１３をスパッタや蒸着法等で形成する場合には、スパッタや蒸着等を行う前にフォトリソグラフィ法で予め非パターン部分にレジスト膜を形成しておき、スパッタや蒸着等を行った後に、レジスト膜を除去して形成している。また、裏面側のグランド用の第２の金属導体パターン１４をスパッタや蒸着等で形成する時に、導体金属膜１５をテーパ状の貫通孔１９に形成することで、膜の接着強度を高くして形成できる。
【００２７】
次に、シート状の誘電体基材１１に形成されたキャスタレーション１６ａ用の貫通孔１９の実質的に中心部分を横断し、高周波用伝送線路基板１０ａの外形寸法になるようにスライシングマシーン等を用いて切断することで、誘電体基材１１の端面に第１と第２の金属導体パターン１３、１４を接続するための導体金属膜１５を設けたキャスタレーション１６ａを形成している。
【００２８】
なお、金属導体線路１２、第１の金属導体パターン１３、第２の金属導体パターン１４、及び導体金属膜１５は、高周波用伝送線路基板１０ａの外形寸法に切断する寸法より若干大きめに金属薄膜を形成しておくのがよい。また、誘電体基材１１に焼成後のセラミックを用いると、貫通孔１９の形成において、焼成収縮による寸法バラツキのない断面視して台形形状の貫通孔１９が容易に形成することができるので、切断ずれが少ないキャスタレーション１６ａを形成することができる。
【００２９】
続いて、図５（Ａ）、（Ｂ）を参照しながら、本発明の高周波用伝送線路基板１０、１０ａ、１０ｂ（以下１０で代表して示す）が用いられる一例である光通信用パッケージ２０を詳細に説明する。
外部と電気的接続を行ったり、レーザーダイオード等の発光素子からの光波を搬送波として用いるような光通信用の半導体素子を収容するための光通信用パッケージ２０は、ＫＶ（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金、商品名「Ｋｏｖａｒ（コバール）」）や４２アロイ（Ｆｅ−Ｎｉ系合金）等の金属部材からなる枠体２１と、ボード等に取り付けるための固定用孔２２（この実施例では４個）を備え、放熱性に優れたＣｕ−Ｗ（銅タングステン）やＣｕ−Ｍｏ−Ｃｕ（銅モリブデン銅の接合板）等の金属部材からなる底体２３とをＡｇ−Ｃｕろう等の高温ろう材を用いてろう付け接合して、内部に光通信用の半導体素子を搭載するためのキャビティ部２４が形成されている。
【００３０】
枠体２１の一側壁には、キャビティ部２４に連通して切り欠いて形成した取付部２５が設けられている。この取付部２５には、ＫＶや４２アロイ等の金属部材からなるアダプター２６の側壁部２７がＡｇ−Ｃｕろう等の高温ろう材を用いてろう付け接合されている。このアダプター２６は、側壁部２７に一体化され、キャビティ部２４に配置される台座部２８が設けられており、また、側壁部２７に同軸コネクター２９を接続するための挿通孔３０が設けられている。挿通孔３０には、同軸コネクター２９がＡｕ−Ｓｎろうや、Ａｕ−Ｇｅろう等からなる低温ろう材で接合されている。同軸コネクター２９は、ＫＶや、４２アロイ等の金属部材からなる金属製筒体３１の筒内中央部に、金属製筒体３１の軸線を合わせて、高融点ガラス等の誘電体部材３２で長さ方向の中央部でコネクター芯線３３が接合されている。
【００３１】
アダプター２６の台座部２８上には、誘電体基材１１の上面（表面）に金属導体線路１２及び第１の金属導体パターン１３、下面（裏面）に第２の金属導体パターン１４を有する高周波用伝送線路基板１０が、コネクター芯線３３のキャビティ部２４内に突出する一方の端部の下側に配置し、一端面部を側壁部２７に実質的に隙間を無くして当接させ、裏面側の第２の金属導体パターン１４とＡｕ−Ｓｎろうや、Ａｕ−Ｇｅろう等からなる低温ろう材でろう付け接合されている。そして、コネクター芯線３３は、高周波用伝送線路基板１０の金属導体線路１２の一方の端部に、Ａｕ−Ｓｎろうや、Ａｕ−Ｇｅろう等からなる低温ろう材でろう付け接合されている。
【００３２】
また、光通信用パッケージ２０は、アダプター２６が接合される枠体２１の側壁に対向する側壁に、例えば、アルミナ等のセラミックからなるフィードスルー基板３４を有する。フィードスルー基板３４は、パッケージの内外部を導通する導体配線パターン３５を備え、枠体２１に設けられたキャビティ部２４に連通する窓枠状切り欠き部３６に嵌合され、Ａｇ−Ｃｕろう等の高温ろう材で接合されている。枠体２１の外側の導体配線パターン３５には、外部接続端子３７がバタフライ型にろう付け接合され、キャビティ部２４側の導体配線パターン３５は、光通信用の半導体素子とボンディングワイヤで接続されるのに用いられる。
【００３３】
更に、枠体２１のアダプター２６及びフィードスルー基板３４が接合されていない一方の側壁部には、キャビティ部２４に連通する窓孔３８が設けられいる。この窓孔３８には、光ファイバーの光の入出口となり、ＫＶ、４２アロイ又はステンレス系等の金属部材からなる金属製固定部材３９が挿入され、Ａｇ−Ｃｕろう等の高温ろう材でろう付け接合されている。この金属製固定部材３９には、キャビティ部２４に半導体素子が実装された後、半導体素子との間で光信号を送受するための光ファイバー部材（図示せず）がＡｕ−Ｓｎ等の低温ろう材で接合されたり、ＹＡＧ等のレーザ溶接で接合される。また、枠体２１の上方には、Ａｇ−Ｃｕろう等からなる高温ろう材で接合したＫＶや、４２アロイ等の金属部材からなるシールリング４０がＡｇ−Ｃｕろう等の高温ろう材でろう付け接合されて設けられている。このシールリング４０は、半導体素子を実装した後、蓋体（図示せず）を接合してキャビティ部２４内を気密に封止するために用いられる。
なお、上記の高温ろう材のろう付け接合は、それぞれを一度に、又は複数回に分けてろう付けすることができる。また、低温ろう材のろう付け接合は、高温ろう材のろう付け接合後に行われ、それぞれを一度に、又は複数回に分けてろう付けすることができる。
【００３４】
【発明の効果】
請求項１及びこれに従属する請求項２〜４記載の高周波用伝送基板は、第１の金属導体パターンと第２の金属導体パターンが貫通孔を切断して設ける誘電体基材の端面に形成されたキャスタレーションで接続されていたり、あるいはこのキャスタレーションが正面からみて台形形状に形成されているので、ワイヤボンデイングを行うことができる領域を広く形成でき、広口開口部側からスパッタができ、誘電体基材に金属導体膜を強固に接合させ、接合信頼性を向上させることができる。
【００３５】
請求項５及びこれに従属する請求項６又は７記載の高周波用伝送基板の製造方法は、誘電体基材にレーザービア加工機でレーザーが照射される側の孔径側が大きくなるようにキャスタレーション用の貫通孔を断面視して台形形状に穿孔する工程と、誘電体基材に金属薄膜からなる金属導体線路、導体金属膜、及び金属導体パターンをそれぞれ所定の場所に形成する工程と、誘電体基材のキャスタレーション用の貫通孔の実質的に中心部分を横断して切断する工程を有するので、貫通孔の開口径の広い側からテーパ状の壁面にスパッタや、蒸着等で金属薄膜を形成することができ、接合強度の高い金属導体膜を作製できる。また、寸法バラツキの少ない誘電体基材を切断するので、キャスタレーションを正確な位置に作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ本発明の一実施の形態に係る高周波用伝送線路基板の斜視図、表面側平面図、裏面側平面図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同高周波用伝送線路基板の変形例の斜視図、正面図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同高周波用伝送線路基板の他の変形例の平面図、Ａ−Ａ’線拡大縦断面図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ同高周波用伝送線路基板の製造方法の説明図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同高周波用伝送線路基板を用いて作製する光通信用パッケージの平面図、Ｂ−Ｂ’線縦断面図である。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ従来の高周波用伝送線路基板の平面図、Ｃ−Ｃ’線縦断面図である。
【符号の説明】
１０、１０ａ、１０ｂ：高周波用伝送線路基板、１１：誘電体基材、１２：金属導体線路、１３：第１の金属導体パターン、１４：第２の金属導体パターン、１５：導体金属膜、１６、１６ａ：キャスタレーション、１７：ビアホール、１８：レーザー、１９：貫通孔、２０：光通信用パッケージ、２１：枠体、２２：固定用孔、２３：底体、２４：キャビティ部、２５：取付部、２６：アダプター、２７：側壁部、２８：台座部、２９：同軸コネクター、３０：挿通孔、３１：金属製筒体、３２：誘電体部材、３３：コネクター芯線、３４：フィードスルー基板、３５：導体配線パターン、３６：窓枠状切り欠き部、３７：外部接続端子、３８：窓孔、３９：金属製固定部材、４０：シールリング

Claims (7)

1. 誘電体基材の表面に高周波の信号を通過させるための信号線用の金属導体線路と、グランド用の第１の金属導体パターン、及び前記誘電体基材の裏面にグランド用の第２の金属導体パターンを有し、前記第１の金属導体パターンと前記第２の金属導体パターンを接続させるための前記誘電体基材を貫通する貫通孔に設ける金属導体膜を有する高周波用伝送線路基板において、
   前記第１の金属導体パターンと前記第２の金属導体パターンが前記貫通孔を切断して設ける前記誘電体基材の端面に形成されたキャスタレーションで接続されていることを特徴とする高周波用伝送線路基板。
2. 請求項１記載の高周波用伝送線路基板において、前記キャスタレーションが正面からみて台形形状に形成されていることを特徴とする高周波用伝送線路基板。
3. 請求項２記載の高周波用伝送線路基板において、前記台形形状が前記第１の金属導体パターン側に小さい側、前記第２の金属導体パターン側に大きい側からなるように形成されていることを特徴とする高周波用伝送線路基板。
4. 請求項１〜３のいずれか１項記載の高周波用伝送線路基板において、前記第１の金属導体パターンと前記第２の金属導体パターンが前記キャスタレーションに併設されるビアホールで接続されていることを特徴とする高周波用伝送線路基板。
5. 誘電体基材に貫通孔を設け、該誘電体基材の表面に高周波の信号を通過させるための信号線用の金属導体線路を形成すると共に、該貫通孔の壁面に導体金属膜を形成して前記誘電体基材の、表面及び裏面に形成するグランド用の金属導体パターンを接続する高周波用伝送基板の製造方法において、
   前記誘電体基材にレーザービア加工機で該レーザーが照射される側の孔径側が大きくなるようにキャスタレーション用の前記貫通孔を断面視して台形形状に穿孔する工程と、
   前記誘電体基材に金属薄膜からなる前記金属導体線路、前記導体金属膜、及び前記金属導体パターンをそれぞれ所定の場所に形成する工程と、
   前記誘電体基材の前記キャスタレーション用の前記貫通孔の実質的に中心部分を横断して切断する工程を有することを特徴とする高周波用伝送基板の製造方法。
6. 請求項５記載の高周波用伝送基板の製造方法において、前記キャスタレーション用の前記貫通孔に併設して設けるビアホール用の貫通孔を穿孔して、ビアホールを形成することを特徴とする高周波用伝送基板の製造方法。
7. 請求項５又は６記載の高周波用伝送基板の製造方法において、前記誘電体基材がセラミックからなり、前記貫通孔はセラミックグリーンシートを焼成した後に穿孔して形成することを特徴とする高周波用伝送基板の製造方法。

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