JP2003174108A - 光通信用パッケージ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 伝送基板の上面側への低温ろう材の這い上が
りを防止する光通信用パッケージ及びその製造方法を提
供する。 【解決手段】 キャビティ部１４を形成する金属製の枠
体１１と、取付部１５に接合された側壁部１７、及び台
座部１８を有する金属製アダプター１６を有し、側壁部
１７には同軸コネクター１９を接続するための挿通孔２
０を有すると共に、台座部１８にはキャビティ部１４内
に突出するコネクター芯線２３の一方の側部と接続させ
るための低温ろう材２５を介して接合されたセラミック
製の伝送基板２４を有する光通信用パッケージ１０にお
いて、テーパ部２８に伝送基板２４の上面、底面に形成
された金属導体パターン２６ｂ、２６ｃの導通のための
金属導体パターン２６ｄを有する中空ビア２７を有し、
これには低温ろう材２５のろう流れを阻害する金属薄膜
層２９を金属導体パターン２６ｄ上に有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、光通信用の半導体
素子を収容するための光通信用パッケージに係り、より
詳細には、同軸コネクターのコネクター芯線の一方の側
部を接続するための伝送基板を有する光通信用パッケー
ジ及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】レーザーダイオード等の発光素子からの
光波を搬送波として用いるような光通信用の半導体素子
を収容するための光通信用パッケージには、本体がセラ
ミック製や金属製のものがある。図４（Ａ）、（Ｂ）は
それぞれ従来の光通信用パッケージの平面図、Ｃ−Ｃ’
線断面図を示し、例えば、従来の金属製の光通信用パッ
ケージ５０は、底体５１が放熱性に優れたＣｕ−Ｗ（銅
タングステン）やＣｕ−Ｍｏ−Ｃｕ（銅モリブデン銅の
接合板）等の金属部材で、枠体５２がセラミックと熱膨
張係数が近似するＫＶ（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金、商品
名「Ｋｏｖａｒ（コバール）」）や４２アロイ（Ｆｅ−
Ｎｉ系合金）等の金属部材で形成されている。底体５１
と枠体５２とで、内部に半導体素子を搭載するためのキ
ャビティ部５３を形成する。また、光通信用パッケージ
５０は、枠体５２の一側壁に穿孔された貫通孔に、Ｋ
Ｖ、４２アロイ又はステンレス系等の金属部材からな
り、光ファイバーの光の入出口となる金属製固定部材５
４を挿入しろう付け接合している。

【０００３】また、光通信用パッケージ５０は、金属製
固定部材５４が接合された枠体５２の側壁に隣接する側
壁に穿設された窓枠状切り欠き部に、アルミナ（Ａｌ
_２ Ｏ _３ ）等のセラミック材からなるフィードスルー
基板５６を接合している。このフィードスルー基板５６
は、キャビティ部５３側に形成される導体配線パターン
５５ａから枠体５２の外側にかけて導通して形成される
導体配線パターン５５ｂを備えている。そして、Ｎｉめ
っきを施した後、外側部分の導体配線パターン５５ｂに
は、外部からの電気的接続をするためのＫＶや４２アロ
イ等の金属部材からなる外部接続端子５７をろう付け接
合している。

【０００４】また、光通信用パッケージ５０は、フィー
ドスルー基板５６を設けた側壁と対向する枠体５２の側
壁に穿設された取付部５８に、同軸コネクター５９を接
合するための挿通孔６０を備えたＫＶや４２アロイ等か
らなる金属製のアダプター６１を接合している。同軸コ
ネクター５９は、コネクター芯線６２を有し、挿通孔６
０に挿入し接合されている。コネクター芯線６２の一方
の側部は、アダプター６１の台座部６３上に、低温ろう
材で接合された伝送基板６５の信号用の金属導体パター
ン６４ａと接合している。また、この伝送基板６５に
は、アルミナ等のセラミックグリーンシートにスルーホ
ールがパンチングプレス等によって穿孔された後、スル
ーホールの壁面にも金属導体パターン６４ｄが設けら
れ、上面と、底面に設けられた金属導体パターン６４
ｂ、６４ｃが電気的に導通状態になるように形成してい
る（図５（Ａ）、（Ｂ）参照）。また、光通信用パッケ
ージ５０は、枠体５２の上方に接合し、半導体素子を実
装した後、蓋体（図示せず）を接合してキャビティ部５
３内を気密に封止するための金属製のシールリング６６
を有する。

【０００５】この光通信用パッケージ５０には、キャビ
ティ部５３に半導体素子が搭載され、半導体素子と、フ
ィードスルー基板５６のキャビティ部５３側の導体配線
パターン５５ａとボンディングワイヤ等で接続し、外部
接続端子５７と、半導体素子とを導通状態にする。ま
た、半導体素子と、伝送基板６５の金属導体パターン６
４ａとボンディングワイヤ等で接続し、同軸コネクター
５９と、半導体素子とを導通状態にしたり、金属導体パ
ターン６４ｂと接続し、グランドとして用いている。更
に、光ファイバー部材を金属製固定部材５４に接合した
後、シールリング６６の上面に金属等からなる蓋体を接
合することで光半導体装置が形成される。そして、この
光半導体装置は、固定用孔６７を介してねじでボード等
にねじ止め固定される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たような従来の光通信用パッケージ及びその製造方法
は、次のような問題がある。図５（Ａ）は、従来の光通
信用パッケージのアダプターと伝送基板の接合部の拡大
平面図、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）のＤ−Ｄ’線拡大断
面図を示し、セラミック基材からなる伝送基板６５は、
枠体５２の取付部５８にＡｇ−Ｃｕろう等の高温ろう材
で接合した金属製のアダプター６１の台座部６３上に、
Ａｕ−Ｓｎろうや、Ａｕ−Ｇｅろう等の低温ろう材６８
で接合される。この伝送基板６５には、スルーホール壁
面に金属導体パターン６４ｄを設けた中空ビア６９を形
成し、上面と底面のグランド用の金属導体パターン６４
ｂ、６４ｃを導通状態とした高周波特性対応のための構
造が形成されている。この伝送基板６５においては、伝
送基板６５の台座部６３への接合時に、低温ろう材６８
が中空ビア６９に形成された金属導体パターン６４ｄを
介して伝送基板６５の上面側のグランド用の金属導体パ
ターン６４ｂに這い上がり、光通信用の半導体素子とボ
ンディングワイヤで接続するためのワイヤボンド領域７
０を汚すので、ワイヤボンドができなくなる問題が発生
している。本発明は、かかる事情に鑑みてなされたもの
であって、伝送基板の上面側への低温ろう材の這い上が
りを防止する光通信用パッケージ及びその製造方法を提
供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前記目的に沿う本発明に
係る光通信用パッケージは、内部に光通信用の半導体素
子を搭載するためのキャビティ部を形成する金属製の枠
体と、枠体の一側壁に穿設された取付部に接合された側
壁部及び側壁部に一体化され、枠体のキャビティ部に配
置される台座部を有する金属製アダプターを有し、側壁
部には同軸コネクターを接続するための挿通孔を有する
と共に、台座部にはキャビティ部内に突出する同軸コネ
クターのコネクター芯線の一方の側部と接続させるため
の低温ろう材を介して接合されたセラミック製の伝送基
板を有する光通信用パッケージにおいて、伝送基板は断
面視してテーパ部に伝送基板の上面及び底面に形成され
た金属導体パターンの導通のための金属導体パターンを
有する中空ビアを有し、中空ビアには低温ろう材のろう
流れを阻害する金属薄膜層をテーパ部の金属導体パター
ン上に有する。これにより、低温ろう材が中空ビアを介
して伝送基板の上面へ這い上がるのを防止することがで
きるので、ワイヤボンド領域は汚染がなく、正常なワイ
ヤボンドを行うことができる。

【０００８】ここで、中空ビアのテーパ部は、台座部と
接合する側が大きく形成されているのがよい。これによ
り、接合時に巻き込まれる気泡が中空ビアを介して排出
しやすくなるので、伝送基板の浮き上がりを防止するこ
とができる。また、低温ろう材が這い上がる方向に孔径
が細くなり抵抗が大きくなるので、更に、低温ろう材の
上面側への這い上がりを防止することができる。

【０００９】前記目的に沿う本発明に係る光通信用パッ
ケージの製造方法は、光通信用の半導体素子を搭載する
ためのキャビティ部に金属製アダプターの台座部が設け
られ、同軸コネクターのコネクター芯線の一方の側部を
接続するためのセラミック製の伝送基板の底面側を台座
部に低温ろう材を用いて接合する光通信用パッケージの
製造方法において、伝送基板の底面側となるセラミック
焼結体の底面側からレーザ加工して、断面視してセラミ
ック焼結体の底面側が大きい開口部、セラミック焼結体
の底面側と対向する上面側が小さい開口部のテーパ部か
らなるビア孔を穿孔する工程と、セラミック焼結体の上
面側の表面、底面側の表面、及びテーパ部に金属導体パ
ターンを形成する工程と、セラミック焼結体の底面側の
金属導体パターンの表面に、テーパ部の大きい開口部を
開口して露出させるフォトレジスト膜を配設し、テーパ
部の金属導体パターン上に、低温ろう材のろう流れを阻
害する金属薄膜層をスパッタで形成する工程と、フォト
レジスト膜を除去した伝送基板の底面側を台座部に低温
ろう材を用いて接合する工程とを有する。これにより、
セラミック焼結体の大きい開口部からスパッタで容易に
テーパ部に金属薄膜層を形成することができるので、伝
送基板の上面側への低温ろう材の這い上がりを防止した
光通信用パッケージを効率よく作製することができる。

【００１０】

【発明の実施の形態】続いて、添付した図面を参照しつ
つ、本発明を具体化した実施の形態について説明し、本
発明の理解に供する。ここに、図１（Ａ）、（Ｂ）はそ
れぞれ本発明の一実施の形態に係る光通信用パッケージ
の平面図、Ａ−Ａ’線断面図、図２（Ａ）、（Ｂ）はそ
れぞれ同光通信用パッケージのアダプターの台座部と伝
送基板の接合部の拡大平面図、Ｂ−Ｂ’線断面図、図３
（Ａ）〜（Ｅ）はそれぞれ同光通信用パッケージの製造
方法の説明図である。

【００１１】図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本発明
の一実施の形態に係る光通信用パッケージ１０は、金属
製の枠体１１と、ボード等に取り付けるための固定用孔
１２（この実施の形態では４個）を備えた金属製の底体
１３とをろう付け接合して、内部に光通信用の半導体素
子を搭載するためのキャビティ部１４を有している。枠
体１１の一側壁には、キャビティ部１４に連通して切り
欠いて形成した取付部１５が設けられている。この取付
部１５には、ＫＶや４２アロイ等の金属部材からなるア
ダプター１６の側壁部１７がＡｇ−Ｃｕろう等の高温ろ
う材を用いて接合されている。このアダプター１６は、
側壁部１７に一体化され、キャビティ部１４に配置され
る台座部１８を有している。また、側壁部１７には、同
軸コネクター１９を接続するための挿通孔２０を有して
いる。挿通孔２０には、Ａｕ−Ｓｎろうや、Ａｕ−Ｇｅ
ろう等からなる低温ろう材で接合された同軸コネクター
１９を有している。同軸コネクター１９は、ＫＶや、４
２アロイ等の金属部材からなる金属製筒体２１の筒内中
央部に、金属製筒体２１の軸心を合わせて、高融点ガラ
ス等の絶縁部材２２で長さ方向の中央部で接合されたコ
ネクター芯線２３を有する。

【００１２】図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、アダプ
ター１６の台座部１８上には、セラミックからなる伝送
基板２４を、コネクター芯線２３のキャビティ部１４内
に突出する一方の側部の下側に配置し、一端面部をアダ
プター１６の側壁部１７に実質的に隙間を無くして当接
させ、底面側をＡｕ−Ｓｎろうや、Ａｕ−Ｇｅろう等か
らなる低温ろう材２５で接合して有している。この伝送
基板２４は、同軸コネクター１９を介して高周波信号を
流すときの高周波対応のために、例えば、マイクロスト
リップ線路、コプレナ線路、グランデッドコプレナ線路
等の構造（本実施の形態ではグランデッドコプレナ線路
構造で説明）を有した信号用の金属導体パターン２６ａ
と、グランド用の金属導体パターン２６ｂを有してい
る。伝送基板２４の上面側の中央部に、コネクター芯線
２３の軸線方向に合わせて設けられた信号用の金属導体
パターン２６ａには、コネクター芯線２３の一方の側部
がＡｕ−Ｓｎろうや、Ａｕ−Ｇｅろう等からなる低温ろ
う材で接合されている。また、伝送基板２４の上面側に
は、平面視して信号用の金属導体パターン２６ａを挟ん
で両側に絶縁間隔部を設けてグランド用の金属導体パタ
ーン２６ｂが設けられ、更に、底面側にも、全面にわた
ってグランド用の金属導体パターン２６ｃが設けられ、
そして、上面と、底面を貫通する貫通孔の壁面に金属導
体パターン２６ｄを形成した中空ビア２７によって、上
面側と、底面側のグランド用の金属導体パターン２６
ｂ、２６ｃが導通状態に形成されている。

【００１３】中空ビア２７には、断面視してテーパ部２
８を有し、テーパ部２８に設けられた金属導体パターン
２６ｄの表面には、金属薄膜層２９を有している。この
金属薄膜層２９は、Ａｕ−Ｓｎろうや、Ａｕ−Ｇｅろう
等からなる低温ろう材２５が溶融した時のろう流れを阻
害するＣｒや、Ｎｉ等からなる金属で形成されている。
このろう流れを阻害する金属薄膜層２９によって、伝送
基板２４をアダプター１６の台座部１８に低温ろう材２
５で接合しても、中空ビア２７から低温ろう材２５が伝
送基板２４の上面側に這い上がるのを防止することがで
きる。そして、信号用の金属導体パターン２６ａと、グ
ランド用の金属導体パターン２６ｂの上面側は、光通信
用の半導体素子とそれぞれボンディングワイヤで接続す
るのに用いられる。

【００１４】中空ビア２７のテーパ部２８は、アダプタ
ー１６の台座部１８に接合する側の開口径が大きく形成
されているのがよい。大きい開口径部から接合時に巻き
込まれる気泡が排出されやすくなり、伝送基板２４の浮
き上がりを防止することができる。また、低温ろう材の
這い上がりに対しては、ろう材が這い上がる方向に孔径
が小さくなって這い上がり抵抗が大きくなる側に作用す
るので、更に、這い上がりを防止することができる。

【００１５】なお、光通信用パッケージ１０は、アダプ
ター１６が接合される枠体１１の側壁に対向する側壁
に、セラミックからなるフィードスルー基板３０を有す
る。フィードスルー基板３０は、パッケージの内外部を
導通する導体配線パターン３１ａ、３１ｂを備え、枠体
１１に設けられたキャビティ部１４に連通する窓枠状切
り欠き部３２に嵌合され、Ａｇ−Ｃｕろう等の高温ろう
材で接合されている。枠体１１の外側の導体配線パター
ン３１ｂには、外部接続端子３３がバタフライ型にろう
付け接合され、キャビティ部１４側の導体配線パターン
３１ａは、光通信用の半導体素子とボンディングワイヤ
で接続されるのに用いられる。

【００１６】また、枠体１１のアダプター１６及びフィ
ードスルー基板３０が接合されていない一方の側壁部に
は、キャビティ部１４に連通する貫通孔３４が設けられ
ており、この貫通孔３４に、光ファイバーの光の入出口
となり、ＫＶ、４２アロイ又はステンレス系等の金属部
材からなる金属製固定部材３５が挿入され、ろう付け接
合されて有している。また、枠体１１の上方には、Ａｇ
−Ｃｕろう等からなる高温ろう材で接合したＫＶや、４
２アロイ等の金属部材からなるシールリング３６が設け
られている。このシールリング３６は、半導体素子を実
装した後、蓋体（図示せず）を接合してキャビティ部１
４内を気密に封止するために用いられる。

【００１７】光通信用パッケージ１０には、キャビティ
部１４内に光通信用の半導体素子が実装され、ＫＶや、
４２アロイ等の金属部材から形成されるキャップ（蓋
体）がシールリング３６にＡｕ−Ｓｎろうや、Ａｕ−Ｇ
ｅろう等からなる低温ろう材でろう付け接合される。そ
して、金属製固定部材３５に光ファイバー部材が取り付
けられて、光通信用の半導体デバイスとして使用され
る。

【００１８】次いで、本発明の一実施の形態に係る光通
信用パッケージ１０の製造方法を説明する。セラミック
と熱膨張係数が近似するＫＶや、４２アロイ等の金属魂
を切削したり、パイプ状を輪切りにしてから押し曲げて
枠体１１を形成する。更に、この枠体１１の側壁には、
キャビティ部１４に連通する実質的に矩形状の切り欠き
からなる窓枠状切り欠き部３２を枠体１１の上端部から
切り欠いて形成する。また、窓枠状切り欠き部３２に対
向する枠体１１の側壁には、キャビティ部１４に連通す
る実質的に矩形状に枠体１１の上端部から切り欠いた取
付部１５を形成する。更に、窓枠状切り欠き部３２、及
び取付部１５が形成されていない枠体１１の一側壁に
は、キャビティ部１４に連通する実質的に円形からなる
貫通孔３４を穿孔して形成する。一方、半導体素子から
の発熱を放熱するのに優れる銅タングステンや、銅モリ
ブデン銅の接合部材等の金属板から形成され、ボード等
の取り付け部材にねじで取り付けるための固定用孔１２
を備えた底体１３を形成する。枠体１１と底体１３は、
Ｎｉめっきを施した後、接合部に高温ろう材の一例であ
る、Ａｇ−Ｃｕろう等を挟んで加熱し、ろう付け接合す
る。これにより、光通信用のレーザーダイオード、フォ
トダイオード等の半導体素子を内部に搭載するためのキ
ャビティ部１４が形成される。

【００１９】窓枠状切り欠き部３２には、セラミックか
らなるフィードスルー基板３０の窓枠状切り欠き部３２
との接合面に形成された導体パターンにＮｉめっきを施
した後、接合部にＡｇ−Ｃｕろう等の高温ろう材を挟ん
で加熱し、フィードスルー基板３０をろう付け接合す
る。また、枠体１１の外側部分に形成された導体配線パ
ターン３１ｂには、Ｎｉめっきを施した後、外部接続端
子３３が接合部にＡｇ−Ｃｕろう等の高温ろう材を挟ん
で加熱し接合される。なお、このフィードスルー基板３
０を形成するアルミナ等のセラミックは、例えば、先
ず、アルミナ粉末にマグネシア、シリカ、カルシア等の
焼結助剤を適当量加えた粉末に、ジオクチルフタレート
等の可塑剤と、アクリル樹脂等のバインダー、及びトル
エン、キシレン、アルコール類等の溶剤を加え、十分に
混練し、脱泡して粘度２０００〜４００００ｃｐｓのス
ラリーを作製する。次いで、ドクターブレード法等によ
って、例えば、厚み０．２５ｍｍのロール状のシートを
形成し、適当なサイズの矩形状に切断したセラミックグ
リーンシートを作製する。そして、フィードスルー基板
３０は、複数枚のセラミックグリーンシートにタングス
テンや、モリブデン等の高融点金属を用いて導体配線パ
ターン３１ａ、３１ｂ等を形成し、複数枚を積層し、約
１５５０℃の還元雰囲気中で、セラミックと高融点金属
を同時焼成して作製している。

【００２０】取付部１５には、ＫＶや、４２アロイ等の
金属材を切削加工等によって側壁部１７と台座部１８が
直角に交わるように一体的に形成し、側壁部１７に同軸
コネクター１９を接続するための小径孔と大径孔からな
る段差部を設けた挿通孔２０を有する金属製のアダプタ
ー１６を、その表面にＮｉめっきを施した後、Ａｇ−Ｃ
ｕろう等の高温ろう材を接合部に挟んで加熱し、ろう付
け接合する。同軸コネクター１９は、ＫＶや、４２アロ
イ等の金属部材を切削加工やプレス成形加工等によって
形成した金属製筒体２１の筒中に、高融点ガラス等の絶
縁部材２２でコネクター芯線２３の長さ方向の中心部を
接合固定して作製する。この同軸コネクター１９を、ア
ダプター１６の挿通孔２０にＡｕ−Ｓｎろうや、Ａｕ−
Ｇｅろう等からなる低温ろう材でろう付け接合する。

【００２１】貫通孔３４には、ＫＶや、４２アロイ等の
金属塊から、切削加工等によって外径部分及び空洞孔を
形成した金属製固定部材３５との接合面にＮｉめっきを
施した後、接合部にＡｇ−Ｃｕろう等の高温ろう材を挟
んで加熱し、金属製固定部材３５をろう付け接合する。
この金属製固定部材３５には、キャビティ部１４に半導
体素子が実装された後、半導体素子との間で光信号を送
受するための光ファイバー部材（図示せず）がＡｕ−Ｓ
ｎ等の低温ろう材で接合されたり、ＹＡＧ等のレーザ溶
接で接合される。

【００２２】枠体１１の上方には、ＫＶや、４２アロイ
等からなる金属製のシールリング３６にＮｉめっきを施
した後、Ａｇ−Ｃｕろう等の高温ろう材を接合部に挟ん
で加熱し、ろう付け接合する。なお、上記の高温ろう材
のろう付け接合は、それぞれを一度に、又は複数回に分
けてろう付けすることができる。

【００２３】次いで、図３（Ａ）〜（Ｅ）を参照して、
キャビティ部１４に配設されたアダプター１６の台座部
１８上に接合して設けられ、同軸コネクター１９のコネ
クター芯線２３の一方の側部を接続するためのセラミッ
クからなる伝送基板２４の製造方法を詳細に説明する。
伝送基板２４を形成するアルミナ等のセラミックは、上
述のフィードスルー基板３０に用いられるセラミックグ
リーンシートと同様のセラミックグリーンシートを適当
なサイズの矩形状に切断して用いている。このセラミッ
クグリーンシートを、必要に応じて複数枚を重ね合わ
せ、温度と圧力をかけて積層した後、複数個の伝送基板
２４が焼成後に得られるように、焼成収縮を見込んだ焼
成前の外形寸法に合わせて分割用の溝を形成する。この
セラミックグリーンシートは、約１５５０℃で焼成して
セラミック焼結体３７を作製する。次いで、伝送基板２
４の底面側となる側に炭酸ガスレーザ等を用いて照射
し、上面側と底面側のグランド用の金属導体パターン２
６ｂ、２６ｃとを接続するための、断面視してセラミッ
ク焼結体３７の底面側が大きい開口部、セラミック焼結
体の上面側が小さい開口部のテーパ部２８からなるビア
孔を穿孔する（図３（Ａ）参照）。

【００２４】次に、セラミック焼結体３７の上面側の表
面、底面側の表面、及びテーパ部２８には、Ｔｉ、Ｐ
ｄ、Ａｕ等からなる金属導体パターン２６ａ、２６ｂ、
２６ｃ、２６ｄが、セラミック焼結体３７の上面側、及
び底面側にスパッタや、蒸着法等で金属薄膜を付着させ
ることで形成される。この金属導体パターン２６ａ、２
６ｂ、２６ｃ、２６ｄは、上面側に信号用の金属導体パ
ターン２６ａ、及びグランド用の金属導体パターン２６
ｂを設け、底面側にグランド用の金属導体パターン２６
ｃを設け、テーパ部２８を有するビア孔に上面側と底面
側とのグランド用の金属導体パターン２６ｂ、２６ｃを
接続するための金属導体パターン２６ｄを形成している
（図３（Ｂ）参照）。なお、上面側の信号用の金属導体
パターン２６ａと、上面側のグランド用の金属導体パタ
ーン２６ｂの間の絶縁間隔部は、スパッタや、蒸着等を
行う前にフォトリソグラフィ法で予め絶縁間隔部にレジ
スト膜を形成しておき、スパッタや、蒸着等を行った後
に、レジスト膜を除去して形成している。

【００２５】次に、伝送基板２４の底面側となるグラン
ド用の金属導体パターン２６ｃ上に、フォトリソ法でビ
ア孔のテーパ部２８の大きい開口部を開口して露出させ
るフォトレジスト膜３８を形成した後、底面側にスパッ
タ３９を行っている（図３（Ｃ）参照）。このスパッタ
３９によって、低温ろう材２５の接合溶融時のろう流れ
を阻害できる、例えば、Ｃｒや、Ｎｉ等からなる金属薄
膜層２９を、テーパ部２８の金属導体パターン２６ｄ、
及びフォトレジスト膜３８上に形成している（図３
（Ｄ）参照）。次いで、フォトレジスト膜３８をグラン
ド用の金属導体パターン２６ｃから除去することで、テ
ーパ部２８の金属導体パターン２６ｄ上のみに金属薄膜
層２９を形成した中空ビア２７を有する伝送基板２４を
作製する。

【００２６】この伝送基板２４は、底面側のグランド用
の金属導体パターン２６ｃの表面をアダプター１６の台
座部１８上に、一端面部をアダプター１６の側壁部１７
に当接させ、台座部１８との間に、Ａｕ−Ｓｎろうや、
Ａｕ−Ｇｅろう等からなる低温ろう材２５を介して載置
させ、低温ろう材２５を加熱し溶融させてろう付け接合
している。また、伝送基板２４の上面側の信号用の金属
導体パターン２６ａには、同軸コネクター１９のコネク
ター芯線２３のキャビティ部１４内に突出する一方の側
部を当接させ、Ａｕ−Ｓｎろうや、Ａｕ−Ｇｅろう等か
らなる低温ろう材２５でろう付け接合している。なお、
上記の低温ろう材のろう付け接合は、それぞれを一度
に、又は複数回に分けてろう付けすることができる。

【００２７】

【発明の効果】請求項１及びこれに従属する請求項２記
載の光通信用パッケージは、伝送基板には断面視してテ
ーパ部に伝送基板の上面及び底面に形成された金属導体
パターンの導通のための金属導体パターンを有する中空
ビアを有し、中空ビアには低温ろう材のろう流れを阻害
する金属薄膜層をテーパ部の金属導体パターン上に有す
るので、低温ろう材の中空ビアを介しての伝送基板の上
面側への這い上がりをなくし、ワイヤボンド領域の汚染
を防止して、正常なワイヤボンドを行うことができる。

【００２８】特に請求項２記載の光通信用パッケージ
は、中空ビアのテーパ部が台座部と接合する側が大きく
形成されているので、接合時に巻き込まれる気泡が中空
ビアを介して排出しやすくなり、伝送基板を浮き上がる
のを防止することができる。また、低温ろう材が這い上
がる方向に孔径が細くなって抵抗が大きくなる方向とな
り、上面側への這い上がりを防止することができる。

【００２９】請求項３記載の光通信用パッケージの製造
方法は、伝送基板の底面側となるセラミック焼結体の底
面側からレーザ加工して、断面視してセラミック焼結体
の底面側が大きい開口部、セラミック焼結体の底面側と
対向する上面側が小さい開口部のテーパ部からなるビア
孔を穿孔する工程と、セラミック焼結体の上面側の表
面、底面側の表面、及びテーパ部に金属導体パターンを
形成する工程と、セラミック焼結体の底面側の金属導体
パターンの表面に、テーパ部の大きい開口部を開口して
露出させるフォトレジスト膜を配設し、テーパ部の金属
導体パターン上に、低温ろう材のろう流れを阻害する金
属薄膜層をスパッタで形成する工程と、フォトレジスト
膜を除去した伝送基板の底面側を台座部に低温ろう材を
用いて接合する工程とを有するので、セラミック焼結体
の大きい開口部からスパッタで容易にテーパ部に金属薄
膜層を形成することができ、伝送基板の上面側への低温
ろう材の這い上がりを防止した光通信用パッケージを効
率よく作製することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形
態に係る光通信用パッケージの平面図、Ａ−Ａ’線断面
図である。

【図２】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同光通信用パッケー
ジのアダプターの台座部と伝送基板の接合部の拡大平面
図、Ｂ−Ｂ’線断面図である。

【図３】（Ａ）〜（Ｅ）はそれぞれ同光通信用パッケー
ジの製造方法の説明図である。

【図４】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ従来の光通信用パッ
ケージの平面図、Ｃ−Ｃ’線断面図である。

【図５】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ従来の光通信用パッ
ケージのアダプターと伝送基板の接合部の拡大平面図、
Ｄ−Ｄ’線断面図である。

【符号の説明】

１０：光通信用パッケージ、１１：枠体、１２：固定用
孔、１３：底体、１４：キャビティ部、１５：取付部、
１６：アダプター、１７：側壁部、１８：台座部、１
９：同軸コネクター、２０：挿通孔、２１：金属製筒
体、２２：絶縁部材、２３：コネクター芯線、２４：伝
送基板、２５：低温ろう材、２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、
２６ｄ：金属導体パターン、２７：中空ビア、２８：テ
ーパ部、２９：金属薄膜層、３０：フィードスルー基
板、３１ａ、３１ｂ：導体配線パターン、３２：窓枠状
切り欠き部、３３：外部接続端子、３４：貫通孔、３
５：金属製固定部材、３６：シールリング、３７：セラ
ミック焼結体、３８：フォトレジスト膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H037 AA01 DA06 DA35 5F044 AA07 5F073 BA02 FA28 FA30

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 内部に光通信用の半導体素子を搭載する
   ためのキャビティ部を形成する金属製の枠体と、該枠体
   の一側壁に穿設された取付部に接合された側壁部及び該
   側壁部に一体化され、前記枠体のキャビティ部に配置さ
   れる台座部を有する金属製アダプターを有し、前記側壁
   部には同軸コネクターを接続するための挿通孔を有する
   と共に、前記台座部には前記キャビティ部内に突出する
   前記同軸コネクターのコネクター芯線の一方の側部と接
   続させるための低温ろう材を介して接合されたセラミッ
   ク製の伝送基板を有する光通信用パッケージにおいて、 前記伝送基板は断面視してテーパ部に前記伝送基板の上
   面及び底面に形成された金属導体パターンの導通のため
   の金属導体パターンを有する中空ビアを有し、該中空ビ
   アには前記低温ろう材のろう流れを阻害する金属薄膜層
   を前記テーパ部の前記金属導体パターン上に有すること
   を特徴とする光通信用パッケージ。
2. 【請求項２】 請求項１記載の光通信用パッケージにお
   いて、前記中空ビアの前記テーパ部は、前記台座部と接
   合する側が大きく形成されていることを特徴とする光通
   信用パッケージ。
3. 【請求項３】 光通信用の半導体素子を搭載するための
   キャビティ部に金属製アダプターの台座部が設けられ、
   同軸コネクターのコネクター芯線の一方の側部を接続す
   るためのセラミック製の伝送基板の底面側を前記台座部
   に低温ろう材を用いて接合する光通信用パッケージの製
   造方法において、 前記伝送基板の底面側となるセラミック焼結体の底面側
   からレーザ加工して、断面視して前記セラミック焼結体
   の底面側が大きい開口部、前記セラミック焼結体の底面
   側と対向する上面側が小さい開口部のテーパ部からなる
   ビア孔を穿孔する工程と、 前記セラミック焼結体の上面側の表面、底面側の表面、
   及び前記テーパ部に金属導体パターンを形成する工程
   と、 前記セラミック焼結体の底面側の前記金属導体パターン
   の表面に、前記テーパ部の前記大きい開口部を開口して
   露出させるフォトレジスト膜を配設し、前記テーパ部の
   前記金属導体パターン上に、前記低温ろう材のろう流れ
   を阻害する金属薄膜層をスパッタで形成する工程と、 前記フォトレジスト膜を除去した前記伝送基板の底面側
   を前記台座部に前記低温ろう材を用いて接合する工程と
   を有することを特徴とする光通信用パッケージの製造方
   法。