JP2003057497A - 光通信用パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 同軸コネクターのコネクター芯線を通過する
高周波信号の減衰を少なくする光通信用パッケージを提
供する。 【解決手段】 内部に光通信用の半導体素子を搭載する
ためのキャビティ部１４を形成する金属製の枠体１１
と、枠体１１の一側壁に穿設された取付部１５に高温ろ
う材を用いて接合された側壁部１６及び側壁部１６に一
体化され、枠体１１のキャビティ部１４に配置される台
座部１７を有する金属製のアダプター１８とを有し、側
壁部１６には同軸コネクター１９を接続するための挿通
孔２０を有する光通信用パッケージ１０において、アダ
プター１８の側壁部１６と台座部１７とが直角に交わる
角部２１には、側壁部１６に沿って台座部１７に溝２２
が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信用の半導体
素子を収容するための光通信用パッケージに係り、より
詳細には同軸コネクターを接合するアダプターを備える
光通信用パッケージに関する。

【０００２】

【従来の技術】レーザーダイオード等の発光素子からの
光波を搬送波として用いるような光通信用の半導体素子
を収容するための光通信用パッケージには、本体がセラ
ミック製や金属製のものがある。図４（Ａ）、（Ｂ）に
示すように、例えば、金属製の光通信用パッケージ５０
は、底体５１が放熱性に優れたＣｕ−Ｗ（銅タングステ
ン）やＣｕ−Ｍｏ−Ｃｕ（銅モリブデン銅の接合板）等
の金属部材で、枠体５２がセラミックと熱膨張係数が近
似するＫＶ（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金、商品名「Ｋｏｖ
ｅｒ（コバール）」）や４２アロイ（Ｆｅ−Ｎｉ系合
金）等の金属部材で形成されている。底体５１と枠体５
２とで、内部に半導体素子を搭載するためのキャビティ
部５３を形成する。また、光通信用パッケージ５０は、
枠体５２の一側壁に穿孔された貫通孔に、ＫＶ、４２ア
ロイ又はステンレス系等の金属部材からなり光ファイバ
ーの光の入出口となる金属製固定部材５４を挿入しろう
付け接合している。

【０００３】また、光通信用パッケージ５０は、金属製
固定部材５４が接合された枠体５２の側壁に隣接する側
壁に穿設された窓枠状切欠き部に、アルミナ（Ａｌ₂ Ｏ
₃ ）等のセラミック材からなるフィードスルー基板５６
を接合している。このフィードスルー基板５６は、キャ
ビティ部５３側から枠体５２の外側にかけて導通して形
成される導体配線パターン５５ａ、５５を備えている。
そして外側部分の導体配線パターン５５には、Ｎｉめっ
きを施し、外部からの電気的接続をするためのＫＶや４
２アロイ等の金属部材からなる外部接続端子５７をろう
付け接合している。また、光通信用パッケージ５０は、
フィードスルー基板５６を設けた側壁と対向する枠体５
２の側壁に穿設された取付部５８に、同軸コネクター５
９を接合するための挿通孔６０を備えたアダプター６１
を接合している。同軸コネクター５９は、コネクター芯
線６２を有し、挿通孔６０に挿入し接合されている。コ
ネクター芯線６２の先端部分は、アダプター６１の台座
部６３上に接合された伝送基板６５の配線パターン６４
と接合している。また、光通信用パッケージ５０は、枠
体５２の上方に接合し、半導体素子を実装した後、蓋体
（図示せず）を接合してキャビティ部５３内を気密に封
止するための金属製のシールリング６６を有する。

【０００４】この光通信用パッケージ５０には、キャビ
ティ部５３に半導体素子が搭載され、半導体素子とフィ
ードスルー基板５６のキャビティ部５３側の導体配線パ
ターン５５ａとボンディングワイヤ等で接続し、外部接
続端子５７と半導体素子とを導通状態にする。また半導
体素子と伝送基板６５の配線パターン６４とボンディン
グワイヤ等で接続し、同軸コネクター５９と半導体素子
とを導通状態にする。更に、光ファイバー部材を金属製
固定部材５４に接合した後、シールリング６６の上面に
金属等からなる蓋体をろう付け接合することで光半導体
装置が形成され、この光半導体装置は固定用孔６７を介
してねじでボード等にねじ止め固定される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たような従来の光通信用パッケージは、次のような問題
がある。図５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、枠体５２の
取付部５８にアダプター６１をＡｇ−Ｃｕろう等の高温
ろう材で接合する時や、枠体５２の上方にシールリング
６６をＡｇ−Ｃｕろう等の高温ろう材で接合する時にＡ
ｇ−Ｃｕろうが溶融して流れ出し、その一部がアダプタ
ー６１の側壁部６８や台座部６３に伝わって、側壁部６
８と台座部６３とが直角に交わる角部６９にろう溜まり
７０を発生させる。このろう溜まり７０は、台座部６３
に伝送基板６５をＡｕ−Ｓｎろう等の低温ろう材で接合
する時に障害となり、伝送基板６５と側壁部６８との間
に隙間７１を発生させる。この隙間７１によって、伝送
基板６５の配線パターン６４（図４参照）に同軸コネク
ター５９のコネクター芯線６２が接合されて高周波信号
が流された時に高周波信号の減衰を大きくしている。本
発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、同
軸コネクターのコネクター芯線を通過する高周波信号の
減衰を少なくする光通信用パッケージを提供することを
目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】前記目的に沿う第１の発
明に係る光通信用パッケージは、内部に光通信用の半導
体素子を搭載するためのキャビティ部を形成する金属製
の枠体と、枠体の一側壁に穿設された取付部に高温ろう
材を用いて接合された側壁部及び側壁部に一体化され、
枠体のキャビティ部に配置される台座部を有する金属製
のアダプターとを有し、側壁部には同軸コネクターを接
続するための挿通孔を有する光通信用パッケージにおい
て、アダプターの側壁部と台座部とが直角に交わる角部
には、側壁部に沿って台座部に溝が形成されている。こ
れにより、取付部にアダプターを高温ろう材で接合する
時に流れ出たろう材は溝に入り込み、角部にはろう溜ま
りが発生せず、台座部への伝送基板の接合において、伝
送基板を側壁部に隙間を発生させることなく接合できる
ので、同軸コネクターのコネクター芯線を通過する高周
波信号の減衰を軽減することができる。

【０００７】前記目的に沿う第２の発明に係る光通信用
パッケージは、内部に光通信用の半導体素子を搭載する
ためのキャビティ部を形成する金属製の枠体と、枠体の
一側壁に穿設された取付部に高温ろう材を用いて接合さ
れた側壁部及び側壁部に一体化され、枠体のキャビティ
部に配置される台座部を有する金属製のアダプターとを
有し、側壁部には同軸コネクターを接続するための挿通
孔を有する光通信用パッケージにおいて、アダプターの
側壁部と台座部とが直角に交わる角部の両側部のみに、
側壁部に沿って台座部に溝が形成されている。これによ
り、取付部にアダプターを高温ろう材で接合する時に流
れ出たろう材は角部の両側部のみに形成された溝に入り
込み、角部にはろう溜まりが発生せず、台座部への伝送
基板の接合において、伝送基板を側壁部に隙間を発生さ
せることなく接合できるので、同軸コネクターのコネク
ター芯線を通過する高周波信号の減衰を軽減することが
できる。また、コネクター芯線が接合される伝送基板の
下方のアダプターの角部には溝が形成されていないので
コネクター芯線を通過する高周波信号の減衰を更に軽減
することができる。

【０００８】ここで、第１、第２の発明に係る光通信用
パッケージ挿通孔において、金属製筒体の中心部に絶縁
部材で支持されたコネクター芯線を有する同軸コネクタ
ーが低温ろう材を用いて接合され、台座部にはセラミッ
クからなる伝送基板が低温ろう材を用いて接合され、コ
ネクター芯線の一方の側部は、伝送基板上に形成された
配線パターンに低温ろう材を用いて接合されているのが
よい。これにより、伝送基板の一端面部は側壁部に接触
しており、コネクター芯線を接合した伝送基板とアダプ
ターの側壁部との間に隙間を発生させることがないの
で、同軸コネクターのコネクター芯線を通過する高周波
信号の減衰を少なくすることができる。

【０００９】

【発明の実施の形態】続いて、添付した図面を参照しつ
つ、本発明を具体化した実施の形態について説明し、本
発明の理解に供する。ここに、図１（Ａ）、（Ｂ）はそ
れぞれ本発明の一実施の形態に係る光通信用パッケージ
の平面図、ａ−ａ矢視断面図、図２（Ａ）〜（Ｃ）はそ
れぞれ同光通信用パッケージのアダプターの平面図、正
面図、ｂ−ｂ矢視断面図、図３（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞ
れ同光通信用パッケージの変形例に係るアダプターの平
面図、正面図、ｃ−ｃ矢視断面図である。

【００１０】図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本発明
の一実施の形態に係る光通信用パッケージ１０は、金属
製の枠体１１と、ボード等に取付けるための固定用孔１
２（この実施の形態では４個）を備えた金属製の底体１
３とをろう付け接合して、内部に光通信用の半導体素子
を搭載するためのキャビティ部１４を有している。枠体
１１の一側壁には、キャビティ部１４に連通し切欠いて
形成した取付部１５が設けられている。この取付部１５
には、ＫＶや４２アロイ等の金属部材からなるアダプタ
ー１８の側壁部１６がＡｇ−Ｃｕろう等の高温ろう材を
用いて接合されている。このアダプター１８は、側壁部
１６に一体化され、キャビティ部１４に配置される台座
部１７を有している。また、側壁部１６には、同軸コネ
クター１９を接続するための挿通孔２０を有している。

【００１１】図２（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、アダプ
ター１８には、側壁部１６と台座部１７とが直角に交わ
る角部２１に側壁部１６に沿って台座部１７に断面視し
てＵ字形状やＶ字形状等からなる溝２２が形成されてい
る。枠体１１の取付部１５にアダプター１８の側壁部１
６を高温ろう材で接合する時に流れ出たろう材は、溝２
２の中に流れ込むので、角部２１にろう溜まりが形成さ
れない。

【００１２】本実施の形態に係る光通信用パッケージ１
０は、アダプター１８の挿通孔２０に、同軸コネクター
１９がＡｕ−ＳｎろうやＡｕ−Ｇｅろう等からなる低温
ろう材で接合されている。同軸コネクター１９は、ＫＶ
や４２アロイ等の金属部材からなる金属製筒体２４の筒
内中央部に、コネクター芯線２３の軸心と金属製筒体２
４の軸心を合わせて、コネクター芯線２３の長さ方向の
中央部を高融点ガラス等の絶縁部材２５で接合すること
で形成されている。そして、コネクター芯線２３のキャ
ビティ部１４内に突出する一方の側部は、セラミックか
らなる伝送基板２７上の配線パターン２８にＡｕ−Ｓｎ
ろうやＡｕ−Ｇｅろう等からなる低温ろう材で接合され
ている。伝送基板２７は、位置決め部２６を左右に有す
る台座部１７上で、且つコネクター芯線２３のキャビテ
ィ部１４内に突出する側部の下側に配置し、一端面部を
アダプター１８の側壁部１６に実質的に隙間を無くして
当接させ、底面部をＡｕ−ＳｎろうやＡｕ−Ｇｅろう等
からなる低温ろう材で接合している。

【００１３】なお、光通信用パッケージ１０は、アダプ
ター１８が接合される枠体１１の側壁に対向する側壁
に、セラミックからなるフィードスルー基板３１を有す
る。フィードスルー基板３１は、パッケージの内外部を
導通する導体配線パターン３０、３０ａを備え、枠体１
１に設けられたキャビティ部１４に連通する窓枠状切欠
き部２９に嵌入され、Ａｇ−Ｃｕろう等の高温ろう材で
接合されている。枠体１１の外側の導体配線パターン３
０には、外部接続端子３２がバタフライ型にろう付け接
合され、キャビティ部１４側の導体配線パターン３０ａ
は、半導体素子とボンディングワイヤで接続されるのに
用いられる。

【００１４】また、枠体１１のアダプター１８及びフィ
ードスルー基板３１が接合されていない側壁部には、キ
ャビティ部１４に連通する貫通孔３３が設けられてお
り、この貫通孔３３に、ＫＶ、４２アロイ又はステンレ
ス系等の金属部材からなり光ファイバーの光の入出口と
なる金属製固定部材３４を挿入しろう付け接合してい
る。また、枠体１１の上方には、Ａｇ−Ｃｕろう等から
なる高温ろう材で接合したＫＶや４２アロイ等の金属部
材からなるシールリング３５が設けられている。このシ
ールリング３５は、半導体素子を実装した後、蓋体（図
示せず）を接合してキャビティ部１４内を気密に封止す
るために用いられる。

【００１５】光通信用パッケージ１０には、キャビティ
部１４内に光通信用の半導体素子が実装され、金属製固
定部材３４に光ファイバー部材が取付けられる。そし
て、ＫＶや４２アロイ等の金属部材から形成されるキャ
ップ（蓋体）をシールリング３５にＡｕ−ＳｎろうやＡ
ｕ−Ｇｅろう等からなる低温ろう材でろう付け接合し、
封止することで光通信用の半導体デバイスとして使用さ
れる。

【００１６】次いで、本発明の一実施の形態に係る光通
信用パッケージ１０の製造方法を説明する。セラミック
と熱膨張係数が近似するＫＶや４２アロイ等の金属塊を
切削したり、パイプ状を輪切りにしてから押し曲げて枠
体１１を形成する。更に、この枠体１１の側壁にキャビ
ティ部１４に連通する実質的に矩形状に枠体１１の上端
部から切欠いた取付部１５を形成する。また、取付部１
５に対向する枠体１１の一側壁には、キャビティ部１４
に連通する実質的に矩形状の切欠きからなる窓枠状切欠
き部２９を枠体１１の上端部から切欠いて形成する。更
に、取付部１５及び窓枠状切欠き部２９が形成されてい
ない枠体１１の一側壁には、キャビティ部１４に連通す
る実質的に円形からなる貫通孔３３を穿孔して形成す
る。一方、半導体素子からの発熱を放熱するのに優れる
銅タングステン等の金属板から形成され、ボード等の取
付け部材にねじで取付けるための固定用孔１２を備えた
底体１３を形成する。

【００１７】枠体１１と底体１３は、Ｎｉめっきを施し
た後、接合部に高温ろう材の一例である、Ａｇ−Ｃｕろ
う等を挟んで加熱し、ろう付け接合する。これにより、
光通信用のレーザーダイオード、フォトダイオード等の
半導体素子を内部に搭載するためのキャビティ部１４が
形成される。取付部１５には、ＫＶや４２アロイ等から
なる金属製のアダプター１８を、その表面にＮｉめっき
を施した後、Ａｇ−Ｃｕろう等の高温ろう材を接合部に
挟んで加熱し、ろう付け接合する。また、窓枠状切欠き
部２９には、セラミックからなるフィードスルー基板３
１の窓枠状切欠き部２９との接合面に形成された導体パ
ターンにＮｉめっきを施した後、接合部にＡｇ−Ｃｕろ
う等の高温ろう材を挟んで加熱し、フィードスルー基板
３１をろう付け接合する。また、貫通孔３３には、金属
製固定部材３４との接合面にＮｉめっきを施した後、接
合部にＡｇ−Ｃｕろう等の高温ろう材を挟んで加熱し、
金属製固定部材３４をろう付け接合する。更に、枠体１
１の上方には、金属製のシールリング３５にＮｉめっき
を施した後、Ａｇ−Ｃｕろう等の高温ろう材を接合部に
挟んで加熱し、ろう付け接合する。なお、上記のろう付
け接合は、一度又は複数回に分けてろう付けすることが
できる。

【００１８】アダプター１８は、ＫＶや４２アロイ等の
金属材を切削加工等によって側壁部１６と台座部１７が
直角に交わる角部２１を有するように一体的に形成す
る。側壁部１６には、同軸コネクター１９を接続するた
めの小径孔と大径孔からなる段差を備えた挿通孔２０を
形成する。角部２１には、側壁部１６に沿って台座部１
７に、例えば幅０．２ｍｍ、深さ０．４ｍｍ程度の断面
視してＵ字形状やＶ字形状等からなる溝２２を切削加工
等で形成する。台座部１７には、伝送基板２７を載置接
合するための位置決め部２６を両側部上面に形成する。
同軸コネクター１９は、ＫＶや４２アロイ等の金属材を
切削加工やプレス成形等によって形成した金属製筒体２
４の筒中に、高融点ガラス等の絶縁部材２５でコネクタ
ー芯線２３の長さ方向の中心部を接合固定して作製す
る。この同軸コネクター１９を、アダプター１８の挿通
孔２０にＡｕ−ＳｎろうやＡｕ−Ｇｅろう等からなる低
温ろう材でろう付け接合する。

【００１９】伝送基板２７を形成するアルミナ等のセラ
ミックは、例えば、先ず、アルミナ粉末にマグネシア、
シリカ、カルシア等の焼結助剤を適当量加えた粉末に、
ジオキシルフタレート等の可塑剤と、アクリル樹脂等の
バインダー及び、トルエン、キシレン、アルコール類等
の溶剤を加え、十分に混練し、脱泡して粘度２０００〜
４００００ｃｐｓのスラリーを作製する。次いで、ドク
ターブレード法等によって例えば、厚み０．２５ｍｍの
ロール状のシートを形成し、適当なサイズにカットした
矩形状のセラミックグリーンシートを作製する。伝送基
板２７は、このセラミックグリーンシートにタングステ
ンやモリブデン等の高融点金属を用いて表面側に配線パ
ターン２８、裏面側にも導体パターンを形成し、約１５
５０℃の還元雰囲気中で、セラミックと高融点金属を同
時焼成して作製する。この伝送基板２７を、台座部１７
上の位置決め部２６の間に載置し、その一端面を側壁部
１６に接触させて裏面をＡｕ−ＳｎろうやＡｕ−Ｇｅろ
う等からなる低温ろう材で台座部１７にろう付け接合す
る。コネクター芯線２３の一方の側部は、伝送基板２７
の表面に形成された配線パターン２８にＡｕ−Ｓｎろう
やＡｕ−Ｇｅろう等からなる低温ろう材でろう付け接合
する。

【００２０】また、窓枠状切欠き部２９に接合されるセ
ラミックからなるフィードスルー基板３１は、上述の伝
送基板２７に用いられるセラミックグリーンシートと同
様の複数枚のセラミックグリーンシートにタングステン
やモリブデン等の高融点金属を用いて導体配線パターン
３０、３０ａ等を形成し、複数枚を積層し焼成して形成
する。なお、このフィードスルー基板３１には、窓枠状
切欠き部２９にフィードスルー基板３１を嵌め込んでＡ
ｇ−Ｃｕろう等の高温ろう材でろう付け接合するため
に、フィードスルー基板３１の窓枠状切欠き部２９と当
接する外周部も導体パターンを形成する。また、枠体１
１の外側での導体配線パターン３０には、外部接続端子
３２をバタフライ型に当接し、Ａｇ−Ｃｕろう等の高温
ろう材でろう付け接合する。また、キャビティ部１４側
の導体配線パターン３０ａは、半導体素子とボンディン
グワイヤ等で接続するために用いられる。

【００２１】一方、アダプター１８及びフィードスルー
基板３１が接合されていない枠体１１の一側壁に形成さ
れた貫通孔３３に挿入し接合する金属製固定部材３４
は、先ず、ＫＶ、４２アロイ等の金属塊から、切削加工
等によって外形部分及び空洞孔を形成する。次いで、金
属製固定部材３４を、貫通孔３３にＡｇ−Ｃｕろう等の
高温ろう材で接合する。金属製固定部材３４には、キャ
ビティ部１４に半導体素子が実装された後、透光性部材
と対向するための光ファイバー部材（図示せず）がＡｕ
−Ｓｎ等の低温ろう材で接合されたり、ＹＡＧ等のレー
ザー溶接で接合される。

【００２２】図３（Ａ）〜（Ｃ）に変形例として示すア
ダプター１８ａは側壁部１６と台座部１７ａとが直角に
交わる角部２１の両側部のみに、側壁部１６に沿って台
座部１７ａに例えば幅０．２ｍｍ、長さ０．５ｍｍ、深
さ０．４ｍｍ程度の大きさで断面視してＵ字形状やＶ字
形状の溝２２ａ、２２ｂを形成したものである。枠体１
１の取付部１５にアダプター１８ａを高温ろう材で接合
する時に流れ出たろう材は、溝２２ａ、２２ｂの中に流
れ込み、溝２２ａ、２２ｂが形成されていない角部２１
へのろう溜まりの発生を防止することができる。

【００２３】なお、溝２２ａ、２２ｂの幅、長さ、深
さ、形状は、特に限定するものではなく適宜選択でき、
コネクター芯線２３が取付けられる下方となる位置には
溝２２ａ、２２ｂを形成しないのが好ましい。また、前
述したＡｇ−Ｃｕろう等の高温ろう材でのろう付け接合
は、各接合部分を一度に合わせて加熱し、接合する場合
と、複数回に分けて加熱し、接合する場合がある。ま
た、Ａｕ−ＳｎろうやＡｕ−Ｇｅろう等からなる低温ろ
う材でろう付け接合は、高温ろう材でのろう付け接合の
後に、各接合部分を一度に合わせて加熱し、接合する場
合と、複数回に分けて加熱し、接合する場合がある。

【００２４】

【発明の効果】請求項１及びこれに従属する請求項３記
載の光通信用パッケージは、アダプターの側壁部と台座
部とが直角に交わる角部には、側壁部に沿って台座部に
溝が形成されているので、流れ出たろう材は溝に入り込
み、ろう溜まりを発生させず、台座部への伝送基板の接
合において、伝送基板を側壁部に隙間を発生させること
なく接合でき、同軸コネクターのコネクター芯線を通過
する高周波信号の減衰を軽減することができる。

【００２５】請求項２及びこれに従属する請求項３記載
の光通信用パッケージは、アダプターの側壁部と台座部
とが直角に交わる角部の両側部のみに、側壁部に沿って
台座部に溝が形成されているので、伝送基板を側壁部に
隙間を発生させることなく接合でき、コネクター芯線を
通過する高周波信号の減衰を軽減することができる。ま
た、伝送基板の下方のアダプターの角部には溝が形成さ
れていないのでコネクター芯線を通過する高周波信号の
減衰を更に軽減することができる。

【００２６】特に請求項３記載の光通信用パッケージ
は、挿通孔に、金属製筒体の中心部に絶縁部材で支持さ
れたコネクター芯線を有する同軸コネクターが低温ろう
材を用いて接合され、台座部にはセラミックからなる伝
送基板が低温ろう材を用いて接合され、コネクター芯線
の一方の側部は、伝送基板上に形成された配線パターン
に低温ろう材を用いて接合されているので、伝送基板の
一端面は側壁部に接触しており、コネクター芯線を接合
した伝送基板とアダプターの側壁部との間に隙間を発生
させることがなく、同軸コネクターのコネクター芯線を
通過する高周波信号の減衰を少なくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形
態に係る光通信用パッケージの平面図、ａ−ａ矢視断面
図である。

【図２】（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ同光通信用パッケー
ジのアダプターの平面図、正面図、ｂ−ｂ矢視断面図で
ある。

【図３】（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ同光通信用パッケー
ジの変形例に係るアダプターの平面図、正面図、ｃ−ｃ
矢視断面図である。

【図４】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ従来の光通信用パッ
ケージの平面図、ｄ−ｄ矢視断面図である。

【図５】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ従来の光通信用パッ
ケージのアダプターの説明図である。

【符号の説明】

１０：光通信用パッケージ、１１：枠体、１２：固定用
孔、１３：底体、１４：キャビティ部、１５：取付部、
１６：側壁部、１７、１７ａ：台座部、１８、１８ａ：
アダプター、１９：同軸コネクター、２０：挿通孔、２
１：角部、２２、２２ａ、２２ｂ：溝、２３：コネクタ
ー芯線、２４：金属製筒体、２５：絶縁部材、２６：位
置決め部、２７：伝送基板、２８：配線パターン、２
９：窓枠状切欠き部、３０、３０ａ：導体配線パター
ン、３１：フィードスルー基板、３２：外部接続端子、
３３：貫通孔、３４：金属製固定部材、３５：シールリ
ング

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 内部に光通信用の半導体素子を搭載する
   ためのキャビティ部を形成する金属製の枠体と、該枠体
   の一側壁に穿設された取付部に高温ろう材を用いて接合
   された側壁部及び該側壁部に一体化され、前記枠体のキ
   ャビティ部に配置される台座部を有する金属製のアダプ
   ターとを有し、前記側壁部には同軸コネクターを接続す
   るための挿通孔を有する光通信用パッケージにおいて、
   前記アダプターの前記側壁部と前記台座部とが直角に交
   わる角部には、該側壁部に沿って該台座部に溝が形成さ
   れていることを特徴とする光通信用パッケージ。
2. 【請求項２】 内部に光通信用の半導体素子を搭載する
   ためのキャビティ部を形成する金属製の枠体と、該枠体
   の一側壁に穿設された取付部に高温ろう材を用いて接合
   された側壁部及び該側壁部に一体化され、前記枠体のキ
   ャビティ部に配置される台座部を有する金属製のアダプ
   ターとを有し、前記側壁部には同軸コネクターを接続す
   るための挿通孔を有する光通信用パッケージにおいて、
   前記アダプターの前記側壁部と前記台座部とが直角に交
   わる角部の両側部のみに、該側壁部に沿って該台座部に
   溝が形成されていることを特徴とする光通信用パッケー
   ジ。
3. 【請求項３】 請求項１又は２記載の光通信用パッケー
   ジにおいて、前記挿通孔に、金属製筒体の中心部に絶縁
   部材で支持されたコネクター芯線を有する前記同軸コネ
   クターが低温ろう材を用いて接合され、前記台座部には
   セラミックからなる伝送基板が低温ろう材を用いて接合
   され、前記コネクター芯線の一方の側部は、前記伝送基
   板上に形成された配線パターンに低温ろう材を用いて接
   合されていることを特徴とする光通信用パッケージ。