CN102998754B - 光电转换模块 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能够减少制造工序、能够低成本化的光电转换模块。光电转换模块（10）具备：基板（12）、与光纤（30）光耦合的光电转换元件（22）、以及设置于基板（12）的表面且包含安装光电转换元件（22）的电极图案（16）和用于限制光纤（30）的位置的限制图案（18）的导体图案（14）。

Description

光电转换模块

技术领域

本发明涉及光电转换模块。

背景技术

以往，在具有光纤的通信线缆的连接器部中，使用将电信号转换为光信号或将光信号转换为电信号的光电转换模块。

例如，专利文献1公开的光电转换模块在具备配线图案的配线基板上设有具备用于配置光纤的槽的光纤搭载部。在配线基板上搭载光纤、光波导和光半导体元件，光纤通过光波导而与光半导体元件进行了光学连接。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008－129385号公报

发明内容

发明要解决的课题

对于光电转换模块而言，期望低成本化。

然而，对于专利文献1公开的光电转换模块而言，由于需要形成光纤搭载部的槽的制造工序，因此存在该制造工序相应的成本增加这样的问题。

本发明鉴于上述情况而进行，其目的在于提供能够减少制造工序、能够低成本化的光电转换模块。

解决课题的方法

为了实现上述目的，根据本发明的一种方式，可以提供一种光电转换模块，其具备：基板、与光纤光耦合的光电转换元件、以及设置于基板的表面且包含安装光电转换元件的电极图案和用于限制光纤的位置的限制图案的导体图案。

发明效果

本发明提供能够减少制造工序、能够低成本化的光电转换模块。

附图说明

图1是概略地表示第1实施方式的光电转换模块的平面图。

图2是沿着图1的II－II线的概略剖面图。

图3是将图2的光电转换元件的附近放大而概略地表示的剖面图。

图4是用于说明导体图案和镜部的制造方法的图，是概略地表示刚对Cu层进行蚀刻后的状态的立体图。

图5是用于说明导体图案和镜部的制造方法的图，是概略地表示刚将镜部的Cu层成型后的状态的立体图。

图6是将光纤的端部的附近放大而概略地表示的剖面图。

图7是用于说明凸块间距狭小时的导体图案的形状的图。

图8是概略地表示第2实施方式的光电转换模块的平面图。

图9是概略地表示第3实施方式的光电转换模块的剖面图。

图10是概略地表示第4实施方式的光电转换模块的平面图。

图11是概略地表示第5实施方式的光电转换模块的平面图。

图12是概略地表示第6实施方式的光电转换模块的平面图。

图13是概略地表示第7实施方式的光电转换模块的立体图。

图14是概略地表示第8实施方式的光电转换模块的立体图。

图15是将第8实施方式的光电转换模块的连接部及其周边部放大而表示的部分剖面图。

图16是表示第8实施方式的光电转换模块的切割工序的立体图。

图17是概略地表示第9实施方式的光电转换模块的立体图。

图18是概略地表示第10实施方式的光电转换模块的立体图。

图19是概略地表示第10实施方式的变形例的光电转换模块的立体图。

符号说明

7：刀刃，10：光电转换模块，12：基板，14：导体图案，16：电极图案，18：限制图案，20：IC芯片，22：光电转换元件，24：凸块，26：电极端子，28：镜部，28a：反射面，29：连接部，30：光纤，31：外皮，32、32A：突条，32a：第1相对面，32b：第2相对面，32c：端面，33A、33B、33C、33D、33E：突起，34：光纤按压部件，36：粘接层，38：电线，40：芯，42：包层，44、50、51、56：Cu层，46、52、53、58：Ni层，48、54、55、60：Au层，62、63：棒部，70：第1刃面，72：第2刃面，102：配线，100、200：光电转换模块，202：镜部，202a：反射面，202b：抵接面，204：Cu层，206：Ni层，208：Au层，300：光电转换模块，302：配线，304：镜部，321：凹部，400：光电转换模块，402：突条，500、600、700、800、900、910：光电转换模块

具体实施方式

〔第1实施方式〕

以下，参照附图对本发明的第1实施方式进行说明。

图1是概略地表示第1实施方式的光电转换模块10的平面图，图2是沿着图1中的II－II线的概略剖面图。

光电转换模块10具备基板12、与光纤30光耦合的光电转换元件22、设置于基板12的表面的导体图案14。导体图案14包含安装光电转换元件22的电极图案16和用于限制光纤30的位置的限制图案18。导体图案14上形成有用于将光电转换元件22与光纤30光耦合的具有反射面28a的镜部28。电极图案16上，按照与光电转换元件22电连接的方式安装有IC（集成电路）芯片20。

基板12由例如玻璃环氧树脂、聚酰亚胺树脂形成。

导体图案14包含在基板12的表面进行图案化而成的导体层。本实施方式中，导体图案14包含在基板12的表面上层叠并进行图案化而成的Cu（铜）层、在Cu层的表面上进行镀敷而设置的Ni（镍）层、以及在Ni层的表面上进行镀敷而设置的Au（金）层。导体图案14可通过包含如下制造工序的制造方法而形成：在基板12的表面上层叠Cu层的制造工序、对层叠的Cu层进行蚀刻而图案化的制造工序、在进行了图案化的Cu层的表面上镀敷Ni层的制造工序、以及在Ni层的表面上镀敷Au层的制造工序。导体图案14包含电极图案16和限制图案18，电极图案16和限制图案18可在形成导体图案14时，通过相同的制造工序同时形成。

在基板12的表面上，在规定的位置安装有IC芯片20和光电转换元件22。IC芯片20和光电转换元件22均进行倒装芯片安装，并通过由金形成的多个凸块24而与电极图案16进行了电连接。本实施方式中，光电转换元件22的多个凸块24中的一部分凸块24与限制图案18进行了连接。

光电转换元件22为LD（激光二极管）等发光元件或PD（光电二极管）等受光元件。光电转换元件22为发光元件时，IC芯片20为用于发光元件的驱动电路，光电转换元件22为受光元件时，IC芯片20为放大受光元件的输出的放大电路。

光电转换元件22为面发光型或面受光型，按照自身的光的出射面或入射面与基板12的表面相对的方式进行配置。本实施方式中，光电转换元件22为VCSEL（垂直腔面发射激光器，VerticalCavitySurfaceEmittingLASER）。

电极图案16包含位于基板12的端部的电极端子26，通过电极端子26，IC芯片20可与外部的电路进行电连接。此外，IC芯片20通过电极图案16而与光电转换元件22进行了电连接。

本实施方式中，在基板12的表面上与电极图案16一体地设有镜部28。镜部28通过反射面28a上的反射而将从光电转换元件22向基板12的表面延伸的光路以沿着基板12的表面的方式弯曲了90度。

在基板12的表面上，光纤30的端部以沿着表面的方式进行配置。光纤30的端部配置于从镜部28延伸的光路上，光电转换元件22与光纤30通过镜部28而进行了光耦合。在光纤30的端部，通过终端处理而剥去了外皮31。

基板12的表面上的光纤30的端部的位置通过限制图案18进行了限制。限制图案18包含2根突条32、32，突条32、32保持规定的间隔（与光纤30的直径大致相同的间隔）平行地延伸。光纤30的端部配置于突条32、32之间，并通过突条32、32而在与基板12的表面平行且与光纤30的光轴垂直的方向上进行定位。以覆盖光纤30的端部的方式通过粘接层36将光纤按压部件34固定在突条32、32上。通过光纤按压部件34，光纤30的端部被固定。

光纤按压部件34由例如玻璃板、树脂形成，具有透光性。粘接层36由例如紫外线固化树脂形成，紫外线固化树脂通过透过光纤按压部件34照射紫外线而被固化。粘接层36所使用的粘接剂并不限定于紫外线固化树脂，考虑到进入镜部28与光纤30的端部之间的情况，优选具有透光性。

另外，本实施方式中，突条32兼作电极图案16的一部分，兼作电极图案16的突条32通过例如电线38而与电极图案16的其他部分进行了连接。对于电极图案16与限制图案18的电连接，除了电线38以外，也可以涂布烧结导电性油墨或金属纳米胶。

图3是将图2的光电转换元件22附近放大而表示的图。光纤30包含圆柱形状的芯40和覆盖芯40的外周面的包层42。光纤30可以为多模和单模中的任一种，且可以为玻璃制或树脂制。

将光纤30的直径设为D、芯40的直径设为d、限制图案18的突条32的厚度（即，导体图案14的厚度）设为T1时，优选满足下式所表示的关系：

T1＞（D＋d）／2

突条32的厚度T1与镜部28的高相等，通过满足该关系，镜部28距离基板12的表面的高度超过光纤30的芯40的高度。由此，光纤30与光电转换元件22的耦合效率提高。

突条32的厚度T1优选为光纤30的直径D以下（T1≤D）。由此，固定光纤按压部件34时，光纤30被牢固地固定在基板12与光纤按压部件34之间。

此外，将凸块24的高度设为T2时，优选满足下式所表示的关系：

T1＋T2＞D

即，优选从基板12的表面到光电转换元件22的距离大于光纤30的直径D。通过满足该关系，可以将光纤30的端部配置于基板12与光电转换元件22的间隙中，可以将光纤30的端部的前端配置于镜部28的更加附近。作为其结果，光电转换元件22与光纤30之间的耦合效率提高。

在图3的右下方的圆内，显示了限制图案18的突条32的概略的部分剖面。突条32包含设置于基板12的表面上的Cu层44、设置于Cu层44的表面上的Ni层46、以及设置于Ni层46的表面上的Au层48。

光纤30的直径D为80μm时，优选Cu层44的厚度为50μm以上80μm以下，Ni层46的厚度为9μm以上15μm以下，Au层48的厚度为0.05μm以上0.5μm以下。

此外，光纤30的直径D为125μm时，优选Cu层44的厚度为80μm以上125μm以下，Ni层46的厚度为9μm以上15μm以下，Au层48的厚度为0.05μm以上0.5μm以下。

在图3的中央下方的圆内，显示了镜部28的概略的部分剖面。镜部28包含设置于基板12的表面上的Cu层50，Cu层50具有相对于表面以45度倾斜的倾斜面。倾斜面的表面上设有Ni层52和Au层54。

在图3的左下方的圆内，显示了电极图案16的概略的部分剖面。电极图案16包含设置于基板12的表面上的Cu层56、设置于Cu层56的表面上的Ni层58、以及设置于Ni层58的表面上的Au层60。

如上所述，限制图案18、镜部28和电极图案16的Cu层、Ni层、Au层可通过相同的制造工序同时形成。限制图案18的厚度、电极图案16的厚度和镜部28的高度相同。限制图案18、电极图案16和镜部28由Cu层、Ni层和Au层这样的相同材料构成，且Cu层、Ni层和Au层各自的厚度也相同。

〔导体图案和镜部的制造方法〕

以下，对导体图案14和镜部28的制造方法进行说明。

在基板12的表面上层叠Cu层。

接着，对层叠在基板12的表面上的Cu层进行蚀刻而图案化。图4表示进行了蚀刻的Cu层的图案。通过蚀刻而成型的图案包含限制图案18的Cu层44、电极图案16的Cu层56、以及稍后被成型为镜部28的Cu层50的棒部62。棒部62与电极图案16的Cu层56一体设置。

接着，如图5所示，通过V切口切割来切削棒部62，成型镜部28的具有倾斜面的Cu层50。之后，通过电镀或无电解镀，同时形成限制图案18、镜部28和电极图案16的Ni层和Au层。由此，在基板12的表面上形成限制图案18、镜部28和电极图案16。镜部28的Au层54的表面成为反射面28a。

图6是包含光纤30的端部的概略的部分剖面图。例如，光纤30的直径D为80μm，将限制图案18的突条32的厚度T1设定为80μm时，突条32的Cu层44的厚度T3，即层叠于基板12上的Cu层的厚度为约70μm。

并且此时，通过蚀刻而成型的突条32的Cu层44彼此的间隔G1可设定为约100μm，Ni层46的厚度T4可设定为10μm，Au层可设定为0.05μm。突条32的厚度T1与Cu层44的厚度T3和Ni层46的厚度T4的合计大致相等。

上述第1实施方式的光电转换模块10中，在基板12的表面上设有包含安装光电转换元件22的电极图案16和用于限制光纤30的位置的限制图案18的导体图案14。电极图案16和限制图案18可以通过形成导体图案14的相同的制造工序同时形成。由此，光电转换模块10能够减少制造工序，且能够低成本化。

此外，第1实施方式的光电转换模块10中，在导体图案14上形成有用于将光电转换元件22与光纤30光耦合的镜部28。由此，镜部28也可以与电极图案16和限制图案18同时形成。能够减少镜构件的部件，能够低成本化。

此外，第1实施方式的光电转换模块10中，设有具有9μm以上15μm以下的厚度的Ni层。

以往，在Cu层的表面上镀敷而设置的Ni层的厚度为1μm以上3μm以下左右。第1实施方式的光电转换模块10中，为了形成限制光纤30的限制图案18，例如，光纤30的直径D为80μm时，Cu层44的厚度需要以70μm左右较厚地形成。另一方面，为了安装光电转换元件22，需要将电极图案16彼此之间、电极图案16与限制图案18之间设为50μm左右的窄间隔。将Ni层的厚度设为1μm以上3μm以下左右时，需要以50μm左右的间隔形成70μm左右的厚度的Cu层。但是，存在难以通过Cu层的蚀刻来形成这样尺寸的图案的问题。

因此，第1实施方式的光电转换模块10中，以与以往的情况相比宽的70μm～80μm左右的间隔形成70μm左右的厚度的Cu层，在Cu层的表面上形成比以往的Ni层的厚度厚的9μm以上15μm以下的Ni层，将最终的图案的间隔设为50μm左右。由此，容易以70μm左右的厚度形成具有50μm左右的间隔的电极图案16、限制图案18的图案。

例如，如图7所示，Cu层44的厚度T3为70μm，光电转换元件22的凸块24的间距P为50μm时，通过将限制图案18的Cu层44与电极图案16的Cu层56的间隔G2设为约70μm，并设置Ni层46、58和Au层48、60，可以将限制图案18与电极图案16的间隔形成为50μm以下。

进一步，镜部28的Cu层50的倾斜面通过切割而形成，成为表面有点粗糙的状态，但通过在Cu层的倾斜面上设置与以往相比稍厚的Ni层52，可以使镜部28的反射面28a的平滑性良好。该反射面28a的表面粗糙度Ra优选为在光纤30中传输的光的波长的5分之1以下。例如，在光纤30中传输的光的波长为850nm时，反射面28a的表面粗糙度Ra优选为170nm以下。通过这样形成反射面28a，光电转换元件22与光纤30之间的耦合效率更加提高。

此外，通过与导体图案14一体地形成镜部28，可以防止镜部28的剥离。而且，如果镜部28与电极图案16中的接地电极一体地形成，可通过镜部28得到电磁噪声的屏蔽效果。

此外，由于导体图案14比在通常的电子设备的印刷基板上形成的配线图案的厚度（例如35μm）更厚，因此利用通过多个凸块24的热传导而将光电转换元件22、IC芯片20的热扩散至导体图案14，从而可以使光电转换元件22和IC芯片20的热发散。

另外，本实施方式中，通过粘接层36而将光纤按压部件34固定在突条32、32上，从而将光纤30的端部固定在基板12上，但也可以代替光纤按压部件34和粘接层36而通过膜状的阻焊剂（绝缘膜）来固定光纤30。通过使用阻焊剂来固定配置在突条32、32之间的光纤30，能够削减部件件数。

〔第2实施方式〕

以下，对第2实施方式的光电转换模块100进行说明。但是，以下的实施方式的说明中，对于与前述的实施方式相同或类似的构成要素，附上相同的名称或符号并省略或简化说明。

图8是概略地表示光电转换模块100的平面图。光电转换模块100中，通过配线102将IC芯片20与限制图案18进行了连接。配线102是在基板12的表面上，通过与电极图案16和限制图案18相同的制造工序同时形成的，构成了电极图案16的一部分。

具体而言，配线102是从IC芯片20开始，与光纤30的端部平行地在光电转换元件22和突条32的外侧延伸，并在基板12的端部附近弯曲成直角，与突条32的端部进行了连接。此外，由于未像第1实施方式那样用电线38进行连接，因此与第1实施方式相比电极图案16和突条32的宽度变窄。

第2实施方式的光电转换模块100发挥与第1实施方式的光电转换模块10相同的效果。

〔第3实施方式〕

以下，对第3实施方式的光电转换模块200进行说明。图9是概略地表示光电转换模块200的剖面图。光电转换模块200在具有反射面202a的镜部202的形状和光纤30的前端的位置方面与第2实施方式不同。

具体而言，如在图9的圆内放大所示，镜部202的Cu层204具有倾斜面和与倾斜面的下边缘连接、与基板12的表面垂直的垂直面。Cu层204被Ni层206和Au层208覆盖，镜部202具有由被Ni层206和Au层208覆盖的垂直面构成的抵接面202b。

抵接面202b与基板12的表面垂直，光纤30的前端部分地与抵接面202b抵接。抵接面202b在光纤30的光轴方向上限制光纤30的前端的位置。另外，抵接面202b的高度比光纤30的包层42的厚度小。

第3实施方式的光电转换模块200发挥与第1和第2实施方式的光电转换模块10、100相同的效果。

而且，第3实施方式的光电转换模块200中，由于光纤30的前端的位置被镜部202的抵接面202b限制，因此容易进行相对于基板12的光纤30的端部的配置和固定。

此外，第3实施方式的光电转换模块200中，通过使镜部202与光纤30的前端的距离靠近，耦合效率进一步提高。

〔第4实施方式〕

以下，对第4实施方式的光电转换模块300进行说明。图10是概略地表示光电转换模块300的平面图。光电转换模块300在配线302和镜部304的形状方面与第2实施方式不同。

具体而言，配线302与光电转换元件22侧的突条32、32的端部连接。即，连接限制图案18与IC芯片20的配线的形状并没有特别限制。

另一方面，镜部304除了与电极图案16和限制图案18分开（未进行电连接）以外，具有与镜部28相同的构成。

第4实施方式的光电转换模块300发挥与第2实施方式的光电转换模块100大致同样的效果。

〔第5实施方式〕

以下，对第5实施方式的光电转换模块400进行说明。图11是概略地表示光电转换模块400的平面图。光电转换模块400在配线302与限制图案18的突条402分开（未进行电连接）的方面与第4实施方式不同。

具体而言，构成电极图案16的一部分的配线302与光电转换元件22连接，突条402与光电转换元件22和IC芯片20不连接。即，限制图案18可以不兼作电极图案16。

第5实施方式的光电转换模块400发挥与第4实施方式的光电转换模块300相同的效果。

〔第6实施方式〕

以下，对第6实施方式的光电转换模块500进行说明。图12是概略地表示光电转换模块500的平面图。光电转换模块500在以下方面与第2实施方式不同：光纤30的前端并不是位于光电转换元件22与基板12的表面之间，镜部304与电极图案16分开。具体而言，光纤30的前端位于光纤按压部件34与基板12的表面之间。

根据第6实施方式的光电转换模块500，由于在未将光纤30的前端插入光电转换元件22与基板12之间的状态下将光纤30固定于基板12上，因此容易进行相对于基板12的光纤30的端部的配置和固定操作。

〔第7实施方式〕

以下，对第7实施方式的光电转换模块600进行说明。图13是概略地表示光电转换模块600的立体图。另外，图13和其之后的各附图中，为了说明，省略了光电转换元件22、IC芯片20、和光纤按压部件34等的图示。

光电转换模块600在以下方面与第1实施方式不同：在2根突条32、32中的光纤30的前端侧的端部形成切口320，通过该切口320，突条32、32的相对面间的距离扩大。

图13所示的例子中，在突条32、32各自的端部形成有以凹圆弧状弯曲的切口320。突条32、32彼此的相对面中，将未形成切口320的部分的相对面设为第1相对面32a、32a，将形成了切口320的部分的相对面设为第2相对面32b、32b时，第1相对面32a、32a的间隔是固定的，第2相对面32b、32b的间隔随着向2根突条32、32的端面32c（镜部28侧的端面）靠近而慢慢增大。将第1相对面32a彼此的间隔设为W1，端面32c处的第2相对面32b彼此的间隔设为W2时，W2例如为W1的2倍以上。

根据第7实施方式的光电转换模块600，在切割棒部62（如图4所示）而成型镜部28的Cu层50时，即使切割器的刀刃的侧面与突条32的Cu层44（如图4所示）的端面接触，也可抑制由于通过该接触产生的毛边而导致光纤30的光轴被遮挡。即，即使产生了毛边，通过使W2大于W1，也可抑制该毛边到达光纤30的光轴，能够避免利用在光纤30中传输的光信号进行的通信被妨碍。此外，使光纤30的前端从突条32、32之间向镜部28侧突出而配置时，可以抑制由于与切割时产生的毛边的干涉而导致无法将光纤30配置在突条32、32之间。

另外，切口320也可以仅在2根突条32、32中的一根突条32上形成。此时，考虑到刀刃的行进方向和旋转方向，应该在朝向光纤30的光轴的方向上在毛边产生的一侧的突条32上形成切口320。此外，切口320的形状可以不是图13中例示的凹圆弧状，也可以为例如相对于突条32的端面32c倾斜的平坦的锥形、凸圆弧状。此外，切口320也可以以矩形形成切口。

〔第8实施方式〕

以下，对第8实施方式的光电转换模块700进行说明。图14是概略地表示光电转换模块700的立体图。光电转换模块700在以下方面与第1实施方式不同：镜部28按照沿着基板12在与光纤30的光轴垂直的方向上延伸的方式形成，其延伸方向的一个端部与电极图案16连接，另一个端部与突条32（限制图案18）一体地连接。

图14所示的例子中，镜部28形成为从突条32侧向电极图案16侧厚度增加的三角柱状，图14的左侧的端部与电极图案16一体地连接。镜部28的图14中的右侧的端部通过连接部29而与突条32（2根突条32、32中的附图右侧的一根突条32）一体地连接。连接部29为厚度均匀的平板状，其厚度与电极图案16和限制图案18的厚度相比更薄地形成。

图15是将连接部29及其周边部放大而表示的部分剖面图。连接部29，如在图15的圆内放大所示，包含设置于基板12的表面上的Cu层51、设置于Cu层51的表面上的Ni层53、和设置于Ni层53的表面上的Au层55。连接部29的Cu层51与镜部28的Cu层50和突条32的Cu层44连续地成为一体。连接部29的Ni层53与镜部28的Ni层52和突条32的Ni层46连续地成为一体。此外，连接部29的Au层55与镜部28的Au层54和突条32的Au层48连续地成为一体。

连接部29的Cu层51的厚度与镜部28的Cu层50的最薄部分的厚度相同。连接部29的Ni层53的厚度与突条32的Ni层46的厚度同样地为9μm以上15μm以下，连接部29的Au层55的厚度与突条32的Au层48的厚度同样地为0.05μm以上0.5μm以下。

另外，连接部29的厚度（Cu层51、Ni层53、和Au层55的合计的厚度）优选比光纤30的包层42的厚度（（D－d）／2）薄。通过这样设定连接部29的厚度，可以通过镜部28适当地反射从光纤30的芯40出射的光、或从光电转换元件22出射并入射到芯40的光。即，光纤30与光电转换元件22的耦合效率提高。

图16是表示光电转换模块700的制造工序中的切割工序的立体图。图16中，显示了在基板12上进行蚀刻而成的Cu层的图案和刀刃7。通过蚀刻而成型的图案包含限制图案18的Cu层44、电极图案16的Cu层56、被成型为镜部28的Cu层50和连接部29的Cu层51的棒部63。棒部63的一个端部与电极图案16的Cu层56一体地连接，另一个端部与限制图案18的Cu层44一体地连接。棒部63为四角柱状，其延伸方向与限制图案18的Cu层44的延伸方向垂直。

刀刃7在其外周面具有圆筒状的第1刃面70、和相对于第1刃面70以例如45度的角度倾斜而形成的锥形的第2刃面72。第1刃面70和第2刃面72上设有未图示的研磨颗粒层。刀刃7一边旋转一边向图16所示的箭头方向行进时，通过第1刃面70而成型连接部29的Cu层51，同时通过第2刃面72而成型镜部28的Cu层50。然后，在Cu层50、51、44的表面镀敷Ni层52、53、46，进一步在Ni层52、53、46的表面镀敷Au层54、55、48，从而形成镜部28、连接部29、和突条32。

根据第8实施方式的光电转换模块700，由于棒63的一个端部和另一个端部与电极图案16的Cu层56和限制图案18的Cu层44进行了连接，即由于棒63在其延伸方向的两端部得到了支撑，因此使用刀刃7进行研磨加工时，可以抑制棒63的一部分（镜部28的Cu层50）受到来自刀刃7的挤压力而从基板12剥离。由此，与例如第1实施方式的光电转换模块10相比，可以降低不良率、提高成品率。

〔第9实施方式〕

以下，对第9实施方式的光电转换模块800进行说明。图17是概略地表示光电转换模块800的立体图。光电转换模块800在以下方面与第1实施方式不同：具备隔着光纤30而相互平行地延伸的2根突条32A、32A，在除突条32A、32A的两端部以外的部位设有按照与光纤30分开的方式形成的多个凹部321。另外，突条32A、32A可通过与第1实施方式的光电转换模块10的突条32、32同样的制造方法而形成。

图17所示的例子中，2根突条32A、32A各自形成有多个（2个）矩形的凹部321。设置于2根突条32A、32A中的一根突条32A上的2个凹部321和设置于另一根突条32A上的2个凹部321分别隔着光纤30而在相对的位置形成。即，在形成了凹部321的部分，2根突条32A、32A的相对面间的距离与其他部分相比更长，各凹部321的底面（与光纤30相对的面）与光纤30不接触。

根据第9实施方式的光电转换模块800，通过由蚀刻和镀敷形成的2根突条32A、32A的完成尺寸误差，可抑制在2根突条32A、32A之间无法配置光纤30。即，第1实施方式的光电转换模块10中，2根突条32、32的相对面32a、32a可以在突条32、32的延伸方向的整个长度上与光纤30接触，因此在该整个长度的任意一处相对面32a、32a间的宽度变窄时，都无法配置光纤30，但根据第9实施方式的光电转换模块800，由于在凹部321的长度（突条32A的延伸方向上的长度）的范围内突条32A与光纤30不接触，因此根据该凹部321的长度，无法配置光纤30的比例减少。

另外，凹部321的形状不限于矩形，也可以为例如圆弧状、V字状。此外，不限于在突条32A的2处形成凹部321，可以为1处也可以为3处以上。此外进一步，在一根突条32A上形成的凹部321与在另一根突条32A上形成的凹部321的位置也可以沿着突条32A的延伸方向而相互偏离。

〔第10实施方式〕

以下，对第10实施方式的光电转换模块900及其变形例进行说明。图18是概略地表示光电转换模块900的立体图。光电转换模块900的限制图案18包含隔着光纤30的多对（图18所示的例子中为3对）突起33A、33B、33C的构成与第1实施方式不同。

如图18所示，光电转换模块900中的限制图案18包含在镜部28侧配置并成对的2个突起33A、33A，在基板12的端面侧配置并成对的2个突起33C、33C，在2个突起33A、33A与2个突起33C、33C之间配置并成对的2个突起33B、33B。在2个突起33A，33A之间，2个突起33B、33B之间，和2个突起33C、33C之间，光纤30以直线状配置。突起33A、33B、33C为光纤30的延伸方向成为长度方向的长方体状，并沿着光纤30的延伸方向拉开间隔而进行排列。

根据第10实施方式的光电转换模块900，由于突起33A、33B、33C拉开间隔而进行配置，因此与第9实施方式的光电转换模块800同样地，可抑制无法配置光纤30。此外，通过将突起33A、33B、33C拉开间隔而进行配置，通过蚀刻而成型突起33A、33B、33C的Cu层时的蚀刻液（腐蚀液）的流动变好，可以减小限制图案18的尺寸误差。

另外，图18所示的例子中，突起33A、33B、33C的大小均匀，但这些突起的大小也可以不均匀。此外，突起33A、33B、33C的形状不限于长方体状，可以适用各种形状。

图19表示第10实施方式的光电转换模块900的变形例的光电转换模块910。该光电转换模块910代替光电转换模块900的突起33B、33B而具备圆柱状的突起33D、33D，此外代替突起33C、33C而具备圆柱状的突起33E、33E。突起33D、33E设在基板12的表面上，2个突起33D、33D之间和2个突起33E、33E之间以直线状配置有光纤30。突起33D和突起33E的直径比突起33A沿着光纤30的延伸方向的长度更短地形成。

根据该光电转换模块910，与光电转换模块900相比蚀刻液的流动进一步变好，可以减小限制图案18的尺寸误差。由此，能够更确实地配置光纤30。

本发明不限定于上述第1至第10实施方式，也包含对第1至第10实施方式施加变形的方式、将这些方式组合的方式。

例如，也可以使用粘接剂等将由金属制的块体形成的镜固定在基板12的表面上。此外，也可以在基板12上固定2根以上的光纤30。此时，限制图案18仅仅形成对应光纤30的数量。此外，在基板12上，可安装多个光电转换元件22、或可安装包含多个发光要素或受光要素的阵列元件作为光电转换元件。

Claims (14)

1.一种光电转换模块，其具备：

基板、

与光纤光耦合的光电转换元件、以及

设置于所述基板的表面且包含安装所述光电转换元件的电极图案和用于限制所述光纤的位置的限制图案的导体图案，

所述电极图案的厚度与所述限制图案的厚度相同，且所述电极图案与所述限制图案由相同的材料形成，

在所述导体图案上形成有用于将所述光电转换元件与所述光纤光耦合的具有反射面的镜部，所述镜部与所述导体图案一体地形成。

2.根据权利要求1所述的光电转换模块，所述镜部距离所述基板的表面的高度与所述电极图案的厚度和所述限制图案的厚度相同，且所述镜部与所述电极图案和所述限制图案由相同材料形成。

3.根据权利要求2所述的光电转换模块，所述镜部在与所述反射面相比更靠所述基板的一侧具有与所述光纤的前端抵接而限制所述光纤的轴方向的位置的抵接面。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的光电转换模块，所述镜部按照沿着所述基板在与所述光纤的光轴垂直的方向上延伸的方式形成，其延伸方向的两端部与所述电极图案或所述限制图案一体地连接。

5.根据权利要求1所述的光电转换模块，将所述光纤的直径设为D、所述光纤的芯的直径设为d、所述导体图案的厚度设为T1时，

T1＞(D+d)/2。

6.根据权利要求5所述的光电转换模块，所述光电转换元件通过凸块安装于所述电极图案上，

将所述凸块的高度设为T2时，

T1+T2＞D。

7.根据权利要求6所述的光电转换模块，所述光纤按照将其前端配置于所述基板与所述光电转换元件之间的方式固定于所述基板上。

8.根据权利要求1所述的光电转换模块，所述限制图案包含隔着所述光纤而相互分开的2根突条。

9.根据权利要求8所述的光电转换模块，在所述2根突条中的至少一根突条上，在所述光纤的前端侧的端部形成切口，

通过所述切口，扩大了所述2根突条的相对面间的距离。

10.根据权利要求8所述的光电转换模块，所述2根突条上，在除其两端部以外的部位设有按照与所述光纤分开的方式形成的凹部。

11.根据权利要求1所述的光电转换模块，所述限制图案包含隔着所述光纤的多对突起。

12.根据权利要求1所述的光电转换模块，所述光纤利用通过粘接层固定在所述限制图案上的按压部件而固定在所述基板上。

13.根据权利要求1所述的光电转换模块，所述导体图案包含Cu层、设置于所述Cu层的表面的Ni层以及设置于所述Ni层的表面的Au层。

14.根据权利要求13所述的光电转换模块，所述Ni层具有9μm以上15μm以下的厚度。