JP2017187520A - 光モジュール及び光モジュールの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】平面サイズの小型化をすることができる光モジュール及びその光モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】光モジュールは、集積回路素子と、光素子と、光ファイバと、を備える。集積回路素子は、基板の上に実装される。光素子は、集積回路素子の上にバンプによってフリップチップ実装され、光を出射し又は光を受光する。光ファイバは、基板の上に配され、光素子から出射された光を入射し、又は、光素子に向けて光を出射する。【選択図】図１

Description

本発明は、光モジュール及び光モジュールの製造方法に関する。

光モジュールには、信号処理部と、光素子とが基板上に配されたタイプがある。信号処理部は、光素子を駆動させるドライバＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）である。光素子は、外部導波路である光ファイバに対して光を出射し、又は光ファイバからの光を受光するもので、光出射面又は光受光面が基板の側（下側）に向いた状態で実装される。光出射面又は光受光面が下側を向いていることから、光モジュールは、光素子と光ファイバとの間に光路を９０度折り曲げるミラーが配されて構成されている（例えば特許文献１を参照）。

特開２０１２−９８４１１号公報

上述した光モジュールは、信号処理部と光素子とのそれぞれを基板上に配した平面構成である。このため、光モジュールの平面サイズが大型になるという問題がある。

本発明は、平面サイズの小型化をすることができる光モジュール及びその光モジュールの製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様によれば、
基板の上に実装された集積回路素子と、
前記集積回路素子の上にバンプによってフリップチップ実装され、光を出射し又は光を受光する光素子と、
前記基板の上に配され、前記光素子から出射された光を入射し、又は、前記光素子に向けて光を出射する光ファイバと、
を備える光モジュールが提供される。

本発明の他の態様によれば、
基板上にミラー部を有する配線パターンを形成するステップと、
前記基板上に、光ファイバの一端を前記ミラー部に対向させて光ファイバを配するステップと、
前記基板又は前記配線パターン上に集積回路素子を実装するステップと、
前記光ファイバの他端から光を入射させることにより、前記光ファイバの前記一端から光を出射させて、その光を前記ミラー部で反射させ、前記ミラー部で反射した光と光素子の光出射部又は光入射部とが重なるように前記光素子を位置決めした後、前記光素子を前記集積回路素子の上にフリップチップ実装するステップと、
を備える光モジュールの製造方法が提供される。

本発明によれば、平面サイズの小型化をすることができる光モジュール及びその光モジュールの製造方法を提供することができる。

本発明の一実施形態に係る光モジュールを説明するための模式図である。 本発明の一実施形態に係る光モジュールの概略構成について説明するための平面図である。

＜本発明の一実施形態＞
（１）光モジュールの構成
本発明の一実施形態について説明する。
本実施形態で説明する光モジュールは、光通信を行う光ファイバの端縁に配されて用いられるモジュールであって、光素子（具体的には発光素子又は受光素子のいずれか）を備えて構成されたモジュールである。なお、ここでは、光素子が発光素子である場合を例に挙げる。
図１は、本発明の一実施形態に係る光モジュールを説明するための模式図である。図２は、本発明の一実施形態に係る光モジュールの概略構成について説明するための平面図である。

図１に示すように、光モジュール１は、集積回路素子（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔチップ：以下、「ＩＣチップ」という。）１１と、光素子１３と、光ファイバ１５と、を備える。
ＩＣチップ１１は、基板２１又は配線パターン２２の上に配される。

基板２１は、例えば、フレキシブルプリント配線（ＦＰＣ）基板等であり、ポリイミド又はポリエステル等の絶縁材料により形成される。基板２１の上には、例えば、銅等の導電性材料によって配線パターン２２が形成される。配線パターン２２は、基板２１に実装される部品の種類や配置等に応じて、適宜形成される。配線パターン２２は、基板２１に実装される部品間の電気的な接続を確保する等のために用いられる。このため、ＩＣチップ１１に隣接して配される配線パターン２２にはワイヤボンディングが施されて、ボンディングワイヤ２３によって、配線パターン２２とＩＣチップ１１との電気的な接続が確保される。

また、配線パターン２２には、ミラー部２４を有するタイプがある。ミラー部２４を有する配線パターン２２は、光素子１３に対向して配される配線パターンである。ミラー部２４は、基板２１に対して略４５度の角度を有し、光素子１３から出射された光の光路を９０度折り曲げる。具体的には、ミラー部２４は、光素子１３（具体的には、後述する光出射部１４（図２参照））から出射された光を反射して光ファイバ１５に入射させる。

少なくともミラー部２４は、光を反射させる材料により形成された反射層２４ａを備える。また、少なくともミラー部２４は、配線パターン２２と反射層２４ａとの間に、配線パターン２２と反射層２４ａとの接合を強めるための中間層２４ｂを備えてもよい。本実施形態では、ミラー部２４は、導電性材料（本実施形態では、銅）で形成された配線パターン２２の上に、ニッケル薄膜及び金薄膜を積層させることにより形成される。この一例では、反射層２４ａが金薄膜であり、中間層２４ｂがニッケル薄膜である。なお、反射層２４ａ及び中間層２４ｂは、配線パターン２２の表面に積層されることによりミラー部２４にも積層される例に限定されることはなく、少なくともミラー部２４に積層されていればよい。また、反射層２４ａ及び中間層２４ｂの材料は、金及びニッケルに限定されることはなく、他の材料であってもよい。また、反射層２４ａ及び中間層２４ｂの構成は、反射層２４ａのみの１層であってもよく（中間層２４ｂはなくてもよく）、反射層２４ａ又は中間層２４ｂが複数ある３層以上の構成であってもよい。

また、基板２１は、光ファイバ１５を固定するための２つの凸部２５を備える。２つの凸部２５の間は、光ファイバ１５の外径と略同じ距離を隔てて配される。２つの凸部２５は、光ファイバ１５のガイド溝となり、凸部２５の間に光ファイバ１５が配される。凸部２５は、配線パターン２２と同じ材料によって形成され、配線パターン２２と同時に形成される。なお、凸部２５の長さ（光ファイバ１５の長さ方向に沿った方向の距離）は、例えば、少なくとも１ｍｍである（１ｍｍ以上ある）ことが好ましい。凸部２５の長さが１ｍｍ以上ある場合には、光ファイバ１５を固定しやすくなる。

ＩＣチップ１１は、基板２１又は配線パターン２２の上に実装される。ＩＣチップ１１が配線パターン２２の上に配される場合、ＩＣチップ１１は、例えば、接地（ＧＮＤ）に接続した配線パターン２２の上に固定される。
ＩＣチップ１１の上面には、図２に示すように、複数のパッド１２が配される。複数のパッド１２のうちの２つのパッドは、機械的及び電気的に光素子１３と接続される。また、複数のパッド１２のうちの他のパッドは、ボンディングワイヤ２３によって配線パターン２２と電気的に接続される（図１参照）。
ＩＣチップ１１は、例えば、外部から入力された信号について所定の信号処理等を行ったのち、光素子１３に対して電気信号を送信する。

光素子１３は、発光素子であり、その下面側（基板２１の側）に光を出射する光出射部１４を有している。例えば、光素子１３は、半導体レーザ又は発光ダイオード等である。

光素子１３は、図１に示すように、ＩＣチップ１１のパッド１２上に形成されたバンプ２６によって、ＩＣチップ１１の外側に向けて片持ち状にフリップチップ実装される（以下、「片持ち実装」という。）。具体的には、光素子１３は、図２に示すように、ＩＣチップ１１上の複数のパッド１２のうちの隣接する２つに形成されたバンプ２６によって、光素子１３を平面視したときの一端部側において支持される。すなわち、光素子１３は、ＩＣチップ１１からはみ出すように、ＩＣチップ１１の上に片持ち実装される。これにより、光素子１３の光出射部１４は、平面視してＩＣチップ１１と重なることがない。バンプ２６は、例えば、金、銀、銅、ニッケル又ははんだ等により形成される。

光素子１３は、光出射部１４とミラー部２４とが対向するように配される。光素子１３は、ＩＣチップ１１から送信された電気信号に基づいて、光出射部１４から基板２１側（下側）に向けて光を出射する。光素子１３は、光出射部１４から出射された光がミラー部２４によって反射された後、光ファイバ１５に入射されるように、ＩＣチップ１１の上に片持ち実装される。

光素子１３がＩＣチップ１１の上に片持ち実装されるため、光素子１３の基板２１側の面と基板２１との間の距離は、ＩＣチップ１１の高さ分だけ長くなる。光素子１３と基板２１との間の距離が長くなったことにより、光素子１３の下側に一般的な光ファイバ１５を配することが可能になる。ここで、ＩＣチップ１１の高さの一例は、１５０μｍ程度である。バンプ２６の高さの一例は、２０μｍ程度である。一般的な光ファイバのクラッド径の一例は、１２５μｍ程度である。

光ファイバ１５は、一端をミラー部２４に向けて基板２１の上に配される。上述したように、光ファイバ１５は、２つの凸部２５の間に配され、凸部２５によって挟み込まれる。上述したように、光素子１３と基板２１との間の距離が長くなったため、光素子１３の下側に光ファイバ１５の一端側を配することが可能になる。すなわち、光ファイバ１５の一端側は、平面視して光素子１３と重なるように配される。

光ファイバ１５には、ミラー部２４を介して、光素子１３の光出射部１４から出射された光が入射される。すなわち、光出射部１４から出射された光は、ミラー部２４によって反射された後、光ファイバ１５の一端側から光ファイバ１５に入射される。本実施形態では、光出射部１４から下方に出射された光は、ミラー部２４によって光路が９０度折り曲げられて、ミラー部２４の側方（横方向）に配される光ファイバ１５の一端から光ファイバ１５に入射される。

（２）光モジュールの製造方法
次に、光モジュール１の製造方法について説明する。

（工程１）
まず、工程１では、ミラー部２４を有する配線パターン２２等を、基板２１の上に形成する。具体的には、まず、例えばスパッタリング又は蒸着等の公知の方法により、基板２１の上に銅薄膜を形成する。その後、銅薄膜をエッチングすることにより、基板２１の上に配線パターン２２を形成する。また、銅薄膜をエッチングする時には、配線パターン２２の形成と同時に、光ファイバ１５のガイド溝となる凸部２５を形成する。

その後、光出射部１４に対向する位置に配されることになる配線パターン２２に、ミラー部２４を形成する。一例として、水平方向（基板２１の平面方向）に対して４５度の角度を有する刃を回転させながら、その刃を配線パターン２２に当てることにより、配線パターン２２に、基板２１に対して４５度の角度を有する傾斜を形成する。なお、傾斜は、例えばエッチング等により形成してもよい。次に、その傾斜に、一例として、中間層２４ｂとしてのニッケル薄膜と、反射層２４ａとしての金薄膜とをこの順に積層することにより、ミラー部２４を形成する。なお、中間層２４ｂ及び反射層２４ａを形成する材料は、ニッケル及び金に限定されることはない。

（工程２）
工程２では、ＩＣチップ１１を、基板２１又は配線パターン２２の上に実装する。ＩＣチップ１１を基板２１又は配線パターン２２の上に実装した後、ＩＣチップ１１の上面に配されるパッド１２と配線パターン２２とにワイヤボンディングを行い、ＩＣチップ１１（パッド１２）と配線パターン２２とをボンディングワイヤ２３によって電気的に接続する。

（工程３）
工程３では、光ファイバ１５の一端をミラー部２４に対向させて、光ファイバ１５を基板２１の上に配する。光ファイバ１５の一端側を２つの凸部２５の間にはめ込むことにより、光ファイバ１５を基板２１の上に固定する。

（工程４）
工程４では、光素子１３を、ＩＣチップ１１の上にバンプ２６を介してフリップチップ実装する。一例としては、まず、光ファイバ１５の他端から光ファイバ１５に光を入射させることにより、光ファイバ１５の一端から光を出射させる。光ファイバ１５の一端から出射された光は、ミラー部２４によって反射されて、光路が上方に９０度折れ曲がる。次に、例えば、下側と上側とを同時に撮影することができるカメラを有する治具を利用して、ミラー部２４によって反射された光と、ミラー部２４の上方に配される光素子１３とを確認し、その光と光素子１３の光出射部１４とが重なるように光素子１３を位置決めする。光素子１３を位置決めした後、光素子１３を、ＩＣチップ１１の上に片持ち実装する。

（３）本実施形態により得られる効果
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果が得られる。

（ａ）上述のような光モジュール１は、ＩＣチップ１１と、ＩＣチップ１１の上にバンプ２６によってフリップチップ実装され、光を出射する光素子１３と、基板２１の上に配され、光素子１３から出射された光を入射する光ファイバ１５と、を備える。
これにより、光モジュール１は、ＩＣチップ１１と光素子１３とが積層された２段構成になるため、ＩＣチップと光素子とのそれぞれを基板の上に実装する従来の平面構成に比べて、平面サイズを小型化することができる。
また、光モジュール１は、ＩＣチップ１１の上に光素子１３がフリップチップ実装されており、ＩＣチップ１１と光素子１３との電気的接続にあたりボンディングワイヤ及び配線パターンを要することがないため、ボンディングワイヤ及び配線パターンの分だけ、平面サイズを小型化することができる。
また、光モジュール１は、ＩＣチップ１１と光素子１３とが積層された２段構成になるため、従来の平面構成に比べて、ＩＣチップ１１の分だけ光素子１３の下面と基板２１の上面との間の距離を長くすることができる。これにより、光モジュール１は、光ファイバ１５として一般的な光ファイバ（一例として、クラッド径が１２５μｍ程度の光ファイバ）を利用することができる。そして、光モジュール１は、光ファイバ１５として特殊な光ファイバ（例えば、クラッド径が８０μｍ程度の細径の光ファイバ）を利用する必要がないので、製造コストを低くすることができる。
また、配線パターン２２は、エッチングにより形成されるため、７０μｍ以上の厚さとすることが困難である。しかし、光モジュール１は、ＩＣチップ１１の上に光素子１３を片持ち実装することより、配線パターン２２を厚く形成しなくとも、光素子１３の下面と基板２１の上面との間の距離を長くすることができる。
また、光モジュール１は、バンプ２６の高さを高くしなくとも（バンプ２６のサイズを大きくしなくとも）、光素子１３の下面と基板２１の上面との間の距離を長くすることができる。このため、光モジュール１は、バンプ２６の高さを高くすることに伴ってパッドが大きくなることを回避することができる。
また、光モジュール１は、従来の光モジュールのように基板と光素子との間にシリコン基板を配する必要がない。このため、光モジュール１は、従来に比べて製造コストを低くすることができると共に、製造工程を少なくすることができる。

（ｂ）また、光モジュール１では、光素子１３の光出射部１４に対向して配される配線パターン２２は、光出射部１４から出射された光を反射して光ファイバ１５に入射させるミラー部２４を有する。
これにより、光モジュール１は、光素子１３から出射される光の光路を折り曲げることができるため、各部品の配置の自由度を高めることができる。

（ｃ）また、光モジュール１では、光素子１３は、ＩＣチップ１１の上に片持ち実装される。
これにより、光モジュール１は、光素子１３の下側に空間を形成することができるため、光ファイバ１５を光素子１３の下側に配することができる。

（ｄ）また、光モジュール１では、光素子１３と光ファイバ１５とは、平面視して重なって配置される。
これにより、光モジュール１は、光ファイバ１５を固定するときのガイド溝となる凸部２５をＩＣチップ１１側（光素子１３の下側）に寄せて形成することができるため、光モジュール１の平面サイズを小型化することができる。

（ｅ）また、上述のような光モジュール１の製造方法は、（１）基板２１の上にミラー部２４を有する配線パターン２２を形成するステップと、（２）基板２１の上に、光ファイバ１５の一端をミラー部２４に対向させて光ファイバ１５を配するステップと、（３）基板２１又は配線パターン２２の上にＩＣチップ１１を実装するステップと、（４）光ファイバ１５の他端から光を入射させることにより、光ファイバ１５の一端から光を出射させて、その光をミラー部２４で反射させ、ミラー部２４で反射された光と光素子１３の光出射部１４又は光入射部とが重なるように光素子１３を位置決めした後、光素子１３をＩＣチップ１１の上にフリップチップ実装するステップと、を備えている。
これにより、光モジュール１の製造方法では、ＩＣチップ１１の上に光素子１３が片持ち実装されるため、従来の平面構成に比べて、平面サイズを小型化した光モジュール１を製造することができる。
また、光モジュール１の製造方法では、ＩＣチップ１１の上に光素子１３が片持ち実装されるため、ＩＣチップ１１の分だけ光素子１３の下面と基板２１の上面と間の距離を長くし、光素子１３と基板２１との間に一般的な光ファイバ１５を配した光モジュール１を製造することができる。
また、光モジュール１の製造方法では、一般的なファイバ１５を利用できるため、配線パターン２２と同時に形成される凸部２５を製造しやすく（エッチングしやすく）することができる。

＜他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。しかしながら、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更が可能である。

（ａ）上述した実施形態では、光素子１３が発光素子である例について説明した。しかしながら、本発明はこのような態様に限定されない。光素子１３は、受光素子であってもよい。この場合、光素子１３は、例えば、フォトダイオード等である。光素子１３が受光素子である場合、その光素子１３が有する光入射部とミラー部２４とが対向するように配される。光入射部は、光素子１３における光が入射される箇所である。光素子１３は、光ファイバ１５の一端から横方向に出射された光がミラー部２４によって反射されて、光路が上方に折り曲げられた後、光入射部に入射するように配される。光素子１３は、ミラー部２４を介して入射された光を電気信号に変換して、その電気信号をＩＣチップ１１に出力する。

（ｂ）上述した実施形態では、光モジュール１の製造方法は、上述の工程１から４を順に実行する例について説明した。しかしながら、本発明はこのような態様に限定されない。例えば、光モジュール１の製造方法では、工程３と工程４の順番が逆であってもよい。また、光モジュール１の製造方法では、ＩＣチップ１１と配線パターン２２とに行われるワイヤボンディングは、ＩＣチップ１１の上に光素子１３が片持ち実装された後に行われてもよい。

＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。

［付記１］
基板の上に実装された集積回路素子と、
前記集積回路素子の上にバンプによってフリップチップ実装され、光を出射し又は光を受光する光素子と、
前記基板の上に配され、前記光素子から出射された光を入射し、又は、前記光素子に向けて光を出射する光ファイバと、
を備える光モジュールが提供される。

［付記２］
付記１に記載の光モジュールであって、
前記光素子は、前記集積回路素子の上に片持ち実装される。

［付記３］
付記１又は２に記載の光モジュールであって、
前記基板の上に配され、前記集積回路素子と電気的に接続する配線パターンを備え、
前記光素子の有する光出射部又は光入射部に対向して配される配線パターンは、前記光出射部から出射された光を反射して前記光ファイバに入射させ、又は、光ファイバから出射された光を反射して前記光入射部に入射させるミラー部を有する。

［付記４］
付記３に記載の光モジュールであって、
前記光素子は、前記光出射部又は前記光入射部が前記ミラー部に対向するように、前記集積回路素子の上に片持ち実装され、
前記光ファイバは、前記光出射部から出射された光が前記ミラー部を介して入射され、又は、前記光ファイバの一端から出射された光が前記ミラー部を介して前記光入射部に入射されるように、一端が前記ミラー部に対向するように配される。

［付記５］
付記３又は４に記載の光モジュールであって、
前記光素子は、発光素子であり、前記基板側に配される前記ミラー部に向けて前記光出射部から光を出射し、
前記ミラー部は、前記光素子から出射された光の光路を側方（横方向）に９０度折り曲げて、前記ミラー部の側方に配される前記光ファイバの一端から前記光ファイバに光を入射させる。

［付記６］
付記３又は４に記載の光モジュールであって、
前記ミラー部は、前記ミラー部の側方（横方向）に配された前記光ファイバの一端から出射された光の光路を上方に９０度折り曲げ、
前記光素子は、受光素子であり、前記ミラー部によって光路が折り曲げられた光が前記光入射部に入射される。

［付記７］
付記３から６のいずれかに記載の光モジュールであって、
前記ミラー部は、前記配線パターンの上に、光を反射させる反射層と、前記反射層と前記配線パターンとの接合を強めるための中間層と、備える。

［付記８］
付記７に記載の光モジュールであって、
前記反射層は、金によって形成され、前記中間層は、ニッケルによって形成される。

［付記９］
付記１から８のいずれかに記載の光モジュールであって、
前記光素子と前記光ファイバは、平面視して重なって配置される。

［付記１０］
付記１から９のいずれかに記載の光モジュールであって、
前記バンプは、金、銀、銅、ニッケル又ははんだのいずれかによって形成される。

［付記１１］
付記１から１０のいずれかに記載の光モジュールであって、
前記基板の上に 光ファイバを挟み込んで固定する、光ファイバのガイド溝となる凸部を備える。

［付記１２］
付記１１に記載の光モジュールであって、
光ファイバの長さ方向に沿った凸部の長さは、少なくとも１ｍｍである。

［付記１３］
基板上に、ミラー部を有する配線パターンを形成するステップと、
前記基板上に、光ファイバの一端を前記ミラー部に対向させて光ファイバを配するステップと、
前記基板又は前記配線パターン上に集積回路素子を実装するステップと、
前記光ファイバの他端から光を入射させることにより、前記光ファイバの前記一端から光を出射させて、その光を前記ミラー部で反射させ、前記ミラー部で反射した光と光素子の光出射部又は光入射部とが重なるように前記光素子を位置決めした後、前記光素子を前記集積回路素子の上にフリップチップ実装するステップと、
を備える光モジュールの製造方法。

［付記１４］
付記１３に記載の光モジュールの製造方法であって、
前記配線パターンを形成するステップでは、前記配線パターンの形成と同時に、前記光ファイバを前記基板に固定するためのガイド溝となる凸部を形成する。

［付記１５］
付記１３又は１４に記載の光モジュールの製造方法であって、
前記配線パターンを形成するステップでは、前記光素子が有する前記光出射部又は前記光入射部に対向する位置に配される配線パターンに対して、前記ミラー部を形成する。

［付記１６］
付記１３から１５のいずれかに記載の光モジュールの製造方法であって、
前記ミラー部は、
４５度の角度を有する刃を回転させながら前記配線パターンに当てることにより、前記基板に対して４５度の角度を有する傾斜を前記配線パターンに形成するステップと、
前記傾斜の上に、光を反射させる反射層と、前記反射層と前記配線パターンとの接合を強めるための中間層とを積層させるステップと、
を行うことにより形成される。

１ 光モジュール
１１ 集積回路素子（ＩＣチップ）
１２ パッド
１３ 光素子
１４ 光出射部
１５ 光ファイバ
２１ 基板
２２ 配線パターン
２３ ボンディングワイヤ
２４ ミラー部
２５ 凸部
２６ バンプ

Claims (5)

1. 基板の上に実装された集積回路素子と、
   前記集積回路素子の上にバンプによってフリップチップ実装され、光を出射し又は光を受光する光素子と、
   前記基板の上に配され、前記光素子から出射された光を入射し、又は、前記光素子に向けて光を出射する光ファイバと、
   を備える光モジュール。
2. 前記基板の上に配され、前記集積回路素子と電気的に接続する配線パターンを備え、
   前記光素子の有する光出射部又は光入射部に対向して配される配線パターンは、前記光出射部から出射された光を反射して前記光ファイバに入射させ、又は、光ファイバから出射された光を反射して前記光入射部に入射させるミラー部を有する
   請求項１に記載の光モジュール。
3. 前記光素子は、前記集積回路素子の上に片持ち実装される
   請求項１又は２に記載の光モジュール。
4. 前記光素子と前記光ファイバは、平面視して重なって配置される
   請求項１から３のいずれか１項に記載の光モジュール。
5. 基板上に、ミラー部を有する配線パターンを形成するステップと、
   前記基板上に、光ファイバの一端を前記ミラー部に対向させて光ファイバを配するステップと、
   前記基板又は前記配線パターン上に集積回路素子を実装するステップと、
   前記光ファイバの他端から光を入射させることにより、前記光ファイバの前記一端から光を出射させて、その光を前記ミラー部で反射させ、前記ミラー部で反射した光と光素子の光出射部又は光入射部とが重なるように前記光素子を位置決めした後、前記光素子を前記集積回路素子の上にフリップチップ実装するステップと、
   を備える光モジュールの製造方法。

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