JPH07245420A - 半導体装置およびリモコン受光装置 - Google Patents

半導体装置およびリモコン受光装置

Info

Publication number
JPH07245420A
JPH07245420A JP6036756A JP3675694A JPH07245420A JP H07245420 A JPH07245420 A JP H07245420A JP 6036756 A JP6036756 A JP 6036756A JP 3675694 A JP3675694 A JP 3675694A JP H07245420 A JPH07245420 A JP H07245420A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
element chip
semiconductor element
integrated circuit
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP6036756A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3205660B2 (ja
Inventor
Hiroshi Yoshida
宏 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP03675694A priority Critical patent/JP3205660B2/ja
Publication of JPH07245420A publication Critical patent/JPH07245420A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3205660B2 publication Critical patent/JP3205660B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3011Impedance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体装置において、接着剤によるにじみの
広がりを防止するとともに、リモコン受光装置におい
て、構造の簡略化を図る。 【構成】 リードフレーム11の同一表面上に受光半導
体素子チップ12と集積回路素子チップ13とを並置し
てなるリモコン受光装置であって、前記リードフレーム
11は接地電位からなり、前記受光半導体素子チップ1
2は絶縁性接着剤14を介して前記リードフレーム11
に搭載され、前記集積回路素子チップ13は導電性接着
剤15を介して前記リードフレーム11に搭載され、前
記両素子チップ12,13間に該両素子チップ12,1
3の並置方向に対して垂直方向に延設されてなる複数の
貫通穴16が形成され、該複数の貫通穴16間の領域を
ワイヤーボンド固着用領域としてなることを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】リードフレームの同一表面上に複
数の半導体素子チップを並置してなる半導体装置、およ
びリモコン受光装置の構造の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体装置において、リードフレ
ームの同一表面上に接着剤を介して2個以上の半導体素
子チップを並置して固着を行う構成として、リードフレ
ーム表面における各半導体素子チップ間に位置する部分
であって、かつ1st側がワイヤーボンドされた半導体
素子チップと2nd側がワイヤーボンドされるリードフ
レームのワイヤーボンディング領域との間に、前記半導
体素子チップの並置方向に対して垂直方向に延設する1
つの溝を設ける周知技術がある。
【0003】前記溝は、半導体素子チップをリードフレ
ームに固着するための接着剤の成分が分離してリードフ
レーム表面ににじみ出した場合において、前記溝の最下
点でにじみの広がりを防止するものである。
【0004】図7は従来のリモコン受光装置の要部を示
す図であり、(a)は平面図であり、(b)は側面図で
ある。
【0005】図7に示すように、従来のリモコン受光装
置は、内部構成が表面に銅からなるパターン1a,1b
が形成されたガラスエポキシ基板2上にPN構造の受光
半導体素子チップ3および集積回路素子チップ4が搭載
され、前記受光半導体素子チップ3は導電性接着剤5a
を介して前記パターン1a上に、前記集積回路素子チッ
プ4は導電性接着剤5bを介して前記パターン1b上に
搭載されている。
【0006】前記受光半導体素子チップ3と集積回路素
子チップ4それぞれのチップ裏面部分を固着する前記パ
ターン1a,1bの電位は、パターン1aがプラス電位
であり、パターン1bが接地電位(GND電位)である
ため、各素子チップを固定するパターン1a,1bは別
構成となっている。これは、前記光半導体素子チップ3
のチップ裏面側がN層であり該N層に電位を与えるため
であって、また前記集積回路素子チップ4のチップ裏面
側のN層が接地電位であることによるものである。
【0007】前記受光半導体素子チップ3と集積回路素
子チップ4とは、前記受光半導体素子チップ3を搭載し
たパターン1aと集積回路素子チップ4の光信号入力電
極(Vin)とを金線6等にてワイヤーボンディングして
接続され、発光側(送信側)からの光信号が受光半導体
素子チップ3にて受光されて電気信号に変換され、その
電気信号が集積回路素子チップ4に送られる構成であ
る。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上記半導体装置におい
て、上述したように、半導体素子チップ間に溝部を設け
た場合においても、接着剤の種類、リードフレームの表
面状態等のバラツキにより、接着剤のにじみは溝の最下
点を通り過ぎ、隣接するワイヤーボンディング領域、隣
接する半導体素子チップを固着する接着剤の領域まで達
してしまっていた。
【0009】前記ワイヤーボンディング領域までにじみ
が達した場合には、ワイヤーボンディングが不可能な状
態あるいはワイヤーボンディング強度が著しく低い状態
となる。また、隣接する半導体素子チップを固着する接
着剤の領域までにじみが達した場合には、接着剤の干渉
を起こし、動作不良の原因となる。
【0010】上記リモコン受光装置においては、図7に
示すように、受光半導体素子チップ3の裏面電位と集積
回路素子チップ4の裏面電位が異なり、受光半導体素子
チップ3と集積回路素子チップ4を固着するパターン1
a,1bが別構成となっているため、パターンレイアウ
トを別々に分ける必要があり、パターンの引き回しを簡
素にできないといった問題がある。
【0011】また、リモコン受光装置は動作用電源を印
加した時に、受光半導体素子チップ3のチップ裏面側の
N層、該受光半導体素子チップ3を固着しているパター
ン1aおよび集積回路素子チップ4の光信号入力電極と
をつなぐ金線6が、集積回路で光信号を高増幅するため
高インピーダンス状態となる。特に、受光半導体素子チ
ップ3を固着しているパターン1aは、リモコン受光装
置の動作回路を構成するパターンの約1/4を占めるた
め、外部からのノイズ成分を受けやすく、リモコン受光
装置の出力端子との距離を離すことや、受光面を除く部
分を金属ケースで覆う等の対策が必要であった。
【0012】本発明は、上記課題を解決することを目的
とするものである。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
リードフレームの同一表面上に接着剤を介して複数の半
導体素子チップを並置してなる半導体装置において、前
記半導体素子チップ間に該半導体素子チップの並置方向
に対して垂直方向に形成されてなる複数の貫通穴、切欠
または凸部が形成され、該複数の貫通穴間の領域、切欠
間の領域または凸部間の領域をワイヤーボンド固着用領
域としてなることを特徴とするものである。
【0014】また、リードフレームの同一表面上に接着
剤を介して複数の半導体素子チップを並置してなる半導
体装置において、前記半導体素子チップ間に該半導体素
子チップの並置方向に対して垂直方向に形成されてなる
凸部が形成され、該凸部は段差を備え、上端面をワイヤ
ーボンド固着用領域としてなることを特徴とするもので
ある。
【0015】本発明のリモコン受光装置は、リードフレ
ームの同一表面上に受光半導体素子チップと集積回路素
子チップとを並置してなるリモコン受光装置であって、
前記リードフレームは接地電位からなり、前記受光半導
体素子チップは絶縁性接着剤を介して前記リードフレー
ムに搭載され、前記集積回路素子チップは導電性接着剤
を介して前記リードフレームに搭載され、前記両素子チ
ップ間に該両素子チップの並置方向に対して垂直方向に
形成されてなる複数の貫通穴、切欠または凸部が形成さ
れ、該複数の貫通穴間の領域、切欠間の領域または凸部
間の領域をワイヤーボンド固着用領域としてなることを
特徴とするものである。
【0016】また、リードフレームの同一表面上に受光
半導体素子チップと集積回路素子チップとを並置してな
るリモコン受光装置であって、前記リードフレームは接
地電位からなり、前記受光半導体素子チップは絶縁性接
着剤を介して前記リードフレームに搭載され、前記集積
回路素子チップは導電性接着剤を介して前記リードフレ
ームに搭載され、前記両素子チップ間に該両素子チップ
の並置方向に対して垂直方向に形成されてなる凸部が形
成され、該凸部は段差を備え、上端面をワイヤーボンド
固着用領域としてなることを特徴とするものである。
【0017】
【作用】上記構成によれば、本発明の半導体装置は、半
導体素子チップ間に該半導体素子チップの並置方向に対
して垂直方向に形成されてなる複数の貫通穴,切欠また
は凸部、または段差を備えた凸部が形成され、前記複数
の貫通穴間の領域,切欠間の領域または凸部間の領域、
または段差を備えた凸部の上端面をワイヤーボンド固着
用領域としてなる構成なので、各素子チップを固着する
接着剤のにじみの広がりが防止され、ワイヤーボンド固
着用領域の確保、接着剤同士の干渉による動作不良を防
止できる。
【0018】また、本発明のリモコン受光装置は、リー
ドフレームの同一表面上に受光半導体素子チップと集積
回路素子チップとを並置しているので、従来の構造より
も簡略化され、リードフレームの簡素化によるの強度確
保、レイアウトの簡素化につながる。しかも、両素子チ
ップ間に上記同様、両素子チップの並置方向に対して垂
直方向に形成されてなる複数の貫通穴、切欠または凸
部、または段差を備えた凸部が形成され、前記複数の貫
通穴間の領域、切欠間の領域または凸部間の領域、また
は段差を備えた凸部の上端面をワイヤーボンド固着用領
域としてなる構成なので、各素子チップを固着する接着
剤のにじみの広がりが防止され、ワイヤーボンド固着用
領域の確保、接着剤同士の干渉による動作不良を防止で
きる。さらに、受光半導体素子チップと集積回路素子チ
ップとを並置したリードフレームを接地電位としている
ので、該リードフレーム自体がシールド効果をなし、高
インピーダンスの領域が少なくなりノイズに対する影響
が少なくなる。
【0019】
【実施例】本発明の実施例をリモコン受光装置にて説明
する。
【0020】図1は本発明の一実施例の内部構成を示す
図であり、(a)は平面図であり、(b)は(a)のA
−A′断面図である。
【0021】図1に示すように、本実施例のリモコン受
光装置は、リードフレーム11の同一表面上に受光半導
体素子チップ12と集積回路素子チップ13とが並置さ
れてなる構成であり、前記リードフレーム11の材質
は、例えば鉄からなりAg等でメッキされている。
【0022】前記受光半導体素子チップ12は、図2に
示すように、N型基板を拡散形成したPN構造のPIN
フォトダイオードからなる受光素子チップであり、P電
極(アノード)12aおよび電極N(カソード)12b
ともチップ表面に形成され、チップ裏面は絶縁性接着剤
14を介して前記リードフレーム11に搭載される。通
常、前記受光半導体素子チップ12のチップ裏面はN型
であるのでチップ裏面にN電極が形成されるが、本実施
例では絶縁性接着剤14を介してリードフレーム11に
搭載するため、チップ表面にP電極のみが形成されてい
るPINフォトダイオードのようにチップ裏面に金メッ
キ(N電極)は施していない。
【0023】これは、チップ裏面側の電位が異なる前記
受光半導体素子チップ12と集積回路素子チップ13と
を同一リードフレームに搭載するためである。
【0024】前記集積回路素子チップ13は、前記受光
半導体素子チップ12で光−電気変換された微小電流を
増幅する回路と、フィルタと、復調回路と、波形整形回
路とからなり、前記リードフレーム11に導電性接着剤
15を介して搭載されている。
【0025】ここで、前記リードフレーム11は接地電
位(GND電位)をなしている。
【0026】前記受光半導体素子チップ12と集積回路
素子チップ13とを固着しているリードフレーム11の
互いの素子チップ12,13間には2つの貫通穴16が
設けられており、該貫通穴16は前記両素子チップ1
2,13の並置方向に対して垂直方向に形成されてい
る。前記貫通穴16の形状と位置関係は、例えば幅がリ
ードフレームの厚み程度であって、長さがリードフレー
ム11の両端に該リードフレーム11の厚み程度が残る
程度に形成された矩形状からなり、2つの貫通穴16の
位置関係は、間に金線等のワイヤーボンディング領域が
残る程度、すなわち少なくとも0、4mm程度確保され
ている。前記貫通穴16の長さは、リードフレームの加
工が許される限り(一般的には、片側当たりリードフレ
ームの板厚分はフレーム幅を残す必要がある)長くする
ことが可能であり、大きい程良い。
【0027】このように、前記受光半導体素子チップ1
2と集積回路素子チップ13との間のリードフレーム1
1に貫通穴16を設けたことにより、導電性接着剤14
およびまたは絶縁性接着剤15からのにじみは、前記貫
通穴16の側面を通ってリードフレーム裏面側へ広がっ
ていくため、両接着剤14,15が干渉し合うことがな
く、動作不良を防止できる。
【0028】また、前記貫通穴16の間をワイヤーボン
ディング領域としているので、該ワイヤーボンディング
領域までにじみが到達することがなく、従来例のような
にじみによる問題点が解決される。
【0029】なお、前記貫通穴16の長手方向端部に隣
接するリードフレーム部分より、にじみが広がっていく
可能性が考えられるが、両接着剤14,15は各素子チ
ップ12,13の中央付近で接着されているので、前記
リードフレーム部分より両接着剤14,15が干渉し合
うことはないと考える。
【0030】図1中、17乃至24は金(Ag)等から
なるワイヤーであり、それぞれが前記受光半導体素子チ
ップ12と集積回路素子チップ13または前記集積回路
素子チップ13と接地電位のリードフレーム11との間
でワイヤーボンディングされ、電気的接続を行ってい
る。
【0031】金線17は、受光半導体素子チップ12の
P電極(アノード)12aとリードフレーム11との間
をワイヤーボンディングしている。金線18は、受光半
導体素子チップ12のN電極(カソード)12bと集積
回路素子チップ13のVi n電極との間をワイヤーボン
ディングしている。金線19,20は、集積回路素子チ
ップ13の接地電極と接地電位のリードフレーム11と
の間をワイヤーボンディングしている。金線21は、集
積回路素子チップ13の電源供給を行うために設けられ
たVc c 電極と電源供給用リードフレーム25との間を
ワイヤーボンディングしている。金線22は、集積回路
素子チップ13からデジタル波形出力されるVo u t
極と波形出力用リードフレーム26との間をワイヤーボ
ンディングしている。金線23,24は、集積回路素子
チップ13と該集積回路素子チップ13を動作させるた
めの外付部品、すなわちチップ抵抗33,チップコンデ
ンサ34を搭載しているリードフレームとの間をワイヤ
ーボンディングしている。
【0032】上述したような内部構成で、これらは図3
に示すように、可視光をカットし赤外光を透過する黒色
のエポキシ樹脂27で封止成型され、さらに図4に示す
ように、鉄等を材料とした金属製の板28で、受光面2
9および裏面30を除く部分を覆い被されてリモコン受
光装置の完成品となる。
【0033】ここで、本実施例では、リードフレーム1
1に貫通穴16を設けているので、前記樹脂27とリー
ドフレーム11との密着性を向上できるといった効果を
有する。また、本実施例では、リードフレーム11を接
地電位としてシールド効果を持たせているので、ノイズ
に対する影響が少なくなり、本実施例においては図4に
示すように、裏面側の金属ケース部分を不要とすること
が可能である。
【0034】以下に、上記リモコン受光装置の動作を説
明する。
【0035】前記集積回路素子チップ13はVc c (リ
ードフレーム26)から供給される電源により動作す
る。
【0036】まず、リモコン送信機からの光信号(送信
信号)を受光半導体素子チップ12にて受光して電気信
号に変換する。次に、電気信号に変換された微小電気信
号が金線18を伝わり集積回路素子チップ13のVi n
電極に伝わる。この時の金線18は高インピーダンス状
態となり、ノイズに対して敏感であるが、受光半導体素
子チップ12を固着しているリードフレーム11は接地
電位状態であり、該リードフレーム自体がシールド効果
をなすためノイズの影響を受けない。
【0037】次に、Vi n 電極に伝わった微小電気信号
は集積回路素子チップ13内で信号処理され、Vo u t
電極からVo u t 端子を通じデジタル出力として出力さ
れる。この時のデジタル出力の振幅も金線18に対して
はノイズ源となり動作不良の原因となるため、Vo u t
電極とVi n 電極の位置はできる限り離し、その間には
接地電位の金線19,20をワイヤーボンディングして
いる。
【0038】図5は、本発明の他の実施例の内部構成を
示す図であり、(a)は平面図であり、(b)は(a)
のB−B’断面図である。図6は、本発明のさらに他の
実施例の内部構成を示す図であり、(a)は平面図であ
り、(b)は(a)のC−C’断面図である。
【0039】図5および図6は上記実施例の応用例であ
って、図5は上記実施例の貫通穴16に代わって、受光
半導体素子チップ12と集積回路素子チップ13との間
のリードフレーム11部分に、両素子チップ12,13
の並置方向に対して垂直方向に延びる複数の切欠31を
設けて平面的ジグザク形状とし、その中央付近にワイヤ
ーボンディング領域を有する。該構成により、上記実施
例同様、接着剤14,15のにじみは切欠31の側面を
通って裏面側に広がっていくため、両接着剤14,15
が干渉し合うことがなく、動作不良を防止できる。ま
た、ワイヤーボンディングの問題点が解決される。
【0040】図6は同じく、受光半導体素子チップ12
と集積回路素子チップ13との間に凸部32を設け、該
凸部32は両素子チップ12,13の並置方向に対して
垂直方向に段差を備え、上端面にワイヤーボンディング
領域を有する。該構成において、接着剤14,15のに
じみは凸部32の側面を通って上面側に広がっていく
が、にじみは上方に広がりにくく、かつ本実施例ではさ
らに段差を備えているので、両接着剤14,15が干渉
し合うことがなく、動作不良を防止できる。また、ワイ
ヤーボンディングの問題点は上端面にワイヤーボンディ
ング領域を設けることで解決される。また、前記段差を
両素子チップ12,13の並置方向に備えることにより
より効果が上がる。
【0041】この他、両素子チップ間に複数の凸部を設
け、該凸部間の領域をワイヤーボンディング領域として
なる構成としても良い。
【0042】上述したように、上記実施例のリモコン受
光装置によれば、リードフレーム11の同一表面上に受
光半導体素子チップ12と集積回路素子チップ13とを
並置しているので、従来の構造よりも簡略化され、リー
ドフレーム11の簡素化による強度確保、レイアウトの
簡素化につながる。これにより、装置として小型化、コ
スト低減が図れる。
【0043】しかも、両素子チップ12,13間に上記
同様、両素子チップ12,13の並置方向に対して垂直
方向に形成されてなる複数の貫通穴16,切欠31また
は凸部、または段差を備えた凸部32が形成され、前記
複数の貫通穴16間の領域,切欠31間の領域または凸
部間の領域、または段差を備えた凸部32の上端面をワ
イヤーボンド固着用領域としてなる構成なので、各素子
チップ12,13を固着する接着剤14,15のにじみ
の広がりを前記貫通穴16,切欠31または凸部、また
は段差を備えた凸部32により防止でき、ワイヤーボン
ド固着用領域の確保、接着剤同士の干渉による動作不良
が防止される。これにより、安定した特性および信頼性
が得られ、生産安定性が向上される。
【0044】加えて、受光半導体素子チップ12と集積
回路素子チップ13とを並置したリードフレーム11を
接地電位としているので、該リードフレーム11自体が
シールド効果をなし、高インピーダンスの領域が少なく
なりノイズに対する影響が少なくなる。これにより、裏
面側のシールド(金属ケース)を不要とすることが可能
である。
【0045】本発明は上記実施例に限るものではなく、
半導体装置において、同一リードフレーム上に複数個の
半導体素子が接着剤を介して並置されたものであれば、
上記同様、半導体素子チップ間に該半導体素子チップの
並置方向に対して垂直方向に形成された複数の貫通穴,
切欠または凸部、または段差を備えた凸部を形成し、前
記複数の貫通穴間の領域,切欠間の領域または凸部間の
領域、または段差を備えた凸部の上端面をワイヤーボン
ド固着用領域とすることにより、各素子チップを固着す
る接着剤のにじみの広がりを前記複数の貫通穴,切欠ま
たは凸部、または段差を備えた凸部により防止でき、ワ
イヤーボンド固着用領域の確保、接着剤同士の干渉によ
る動作不良を防止することができる。これにより、安定
した特性および信頼性が得られ、生産安定性が向上され
る。例えば、IC、発光装置等に利用可能である。
【0046】
【発明の効果】上記構成によれば、本発明の半導体装置
は、半導体素子チップ間に該半導体素子チップの並置方
向に対して垂直方向に形成されてなる複数の貫通穴,切
欠または凸部、または段差を備えた凸部が形成され、前
記複数の貫通穴間の領域,切欠間の領域または凸部間の
領域、または段差を備えた凸部の上端面をワイヤーボン
ド固着用領域としてなる構成なので、各素子チップを固
着する接着剤のにじみの広がりが防止され、ワイヤーボ
ンド固着用領域の確保、接着剤同士の干渉による動作不
良が防止される。これにより、安定した特性および信頼
性が得られ、生産安定性が向上される。
【0047】また、本発明のリモコン受光装置は、リー
ドフレームの同一表面上に受光半導体素子チップと集積
回路素子チップとを並置しているので、従来の構造より
も簡略化され、リードフレームの簡素化による強度確
保、レイアウトの簡素化につながる。これにより、装置
として小型化、コスト低減が向上される。
【0048】しかも、両素子チップ間に上記同様、両素
子チップの並置方向に対して垂直方向に形成されてなる
複数の貫通穴,切欠または凸部、または段差を備えた凸
部が形成され、前記複数の貫通穴間の領域,切欠間の領
域または凸部間の領域、または段差を備えた凸部の上端
面をワイヤーボンド固着用領域としてなる構成なので、
各素子チップを固着する接着剤のにじみの広がりが防止
され、ワイヤーボンド固着用領域の確保、接着剤同士の
干渉による動作不良が防止される。これにより、安定し
た特性および信頼性が得られ、生産安定性が向上され
る。
【0049】加えて、上記リモコン受光装置は、受光半
導体素子チップと集積回路素子チップとを並置したリー
ドフレームを接地電位としているので、該リードフレー
ム自体がシールド効果をなし、高インピーダンスの領域
が少なくなりノイズに対する影響が少なくなる。これに
より、裏面側のシールド(金属ケース)を不要とするこ
とが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の内部構成を示す図であり、
(a)は平面図であり、(b)は(a)のA−A’断面
図である。
【図2】受光半導体素子の構造を説明するための図であ
り、(a)は平面図であり、(b)は側面断面図であ
る。
【図3】樹脂封止後の外観を示す図である。
【図4】リモコン受光装置の完成品の外観を示す図であ
る。
【図5】本発明の他の実施例の内部構成を示す図であ
り、(a)は平面図であり、(b)は(a)のB−B’
断面図である。
【図6】本発明のさらに他の実施例の内部構成を示す図
であり、(a)は平面図であり、(b)は(a)のC−
C’断面図である。
【図7】従来のリモコン受光装置の内部構成を示す図で
あり、(a)は平面図であり、(b)は側面図である。
【符号の説明】
11 リードフレーム 12 受光半導体素子チップ 13 集積回路素子チップ 14 絶縁性接着剤 15 導電性接着剤 16 貫通穴 31 切欠 32 凸部

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 リードフレームの同一表面上に接着剤を
    介して複数の半導体素子チップを並置してなる半導体装
    置において、前記半導体素子チップ間に該半導体素子チ
    ップの並置方向に対して垂直方向に形成されてなる複数
    の貫通穴、切欠または凸部が形成され、該複数の貫通穴
    間の領域、切欠間の領域または凸部間の領域をワイヤー
    ボンド固着用領域としてなることを特徴とする半導体装
    置。
  2. 【請求項2】 リードフレームの同一表面上に接着剤を
    介して複数の半導体素子チップを並置してなる半導体装
    置において、前記半導体素子チップ間に該半導体素子チ
    ップの並置方向に対して垂直方向に形成されてなる凸部
    が形成され、該凸部は段差を備え、上端面をワイヤーボ
    ンド固着用領域としてなることを特徴とする半導体装
    置。
  3. 【請求項3】 リードフレームの同一表面上に受光半導
    体素子チップと集積回路素子チップとを並置してなるリ
    モコン受光装置であって、前記リードフレームは接地電
    位からなり、前記受光半導体素子チップは絶縁性接着剤
    を介して前記リードフレームに搭載され、前記集積回路
    素子チップは導電性接着剤を介して前記リードフレーム
    に搭載され、前記両素子チップ間に該両素子チップの並
    置方向に対して垂直方向に形成されてなる複数の貫通
    穴、切欠または凸部が形成され、該複数の貫通穴間の領
    域、切欠間の領域または凸部間の領域をワイヤーボンド
    固着用領域としてなることを特徴とするリモコン受光装
    置。
  4. 【請求項4】 リードフレームの同一表面上に受光半導
    体素子チップと集積回路素子チップとを並置してなるリ
    モコン受光装置であって、前記リードフレームは接地電
    位からなり、前記受光半導体素子チップは絶縁性接着剤
    を介して前記リードフレームに搭載され、前記集積回路
    素子チップは導電性接着剤を介して前記リードフレーム
    に搭載され、前記両素子チップ間に該両素子チップの並
    置方向に対して垂直方向に形成されてなる凸部が形成さ
    れ、該凸部は段差を備え、上端面をワイヤーボンド固着
    用領域としてなることを特徴とするリモコン受光装置。
JP03675694A 1994-03-08 1994-03-08 半導体装置およびリモコン受光装置 Expired - Fee Related JP3205660B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP03675694A JP3205660B2 (ja) 1994-03-08 1994-03-08 半導体装置およびリモコン受光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP03675694A JP3205660B2 (ja) 1994-03-08 1994-03-08 半導体装置およびリモコン受光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07245420A true JPH07245420A (ja) 1995-09-19
JP3205660B2 JP3205660B2 (ja) 2001-09-04

Family

ID=12478595

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP03675694A Expired - Fee Related JP3205660B2 (ja) 1994-03-08 1994-03-08 半導体装置およびリモコン受光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3205660B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6577016B2 (en) 2001-04-11 2003-06-10 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device having adhesive inflow preventing means
US7285439B2 (en) 2003-10-31 2007-10-23 Sharp Kabushiki Kaisha Method for manufacturing semiconductor device having shielding case, electronic equipment using the semiconductor device, and shielding case attaching method
US7589399B2 (en) 2005-08-26 2009-09-15 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device, lead frame used in the semiconductor device and electronic equipment using the semiconductor device
FR2997556A1 (fr) * 2012-10-29 2014-05-02 Waitrony Optoelectronics Ltd Appareil formant led a entree et sortie

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6577016B2 (en) 2001-04-11 2003-06-10 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device having adhesive inflow preventing means
US7285439B2 (en) 2003-10-31 2007-10-23 Sharp Kabushiki Kaisha Method for manufacturing semiconductor device having shielding case, electronic equipment using the semiconductor device, and shielding case attaching method
US7589399B2 (en) 2005-08-26 2009-09-15 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device, lead frame used in the semiconductor device and electronic equipment using the semiconductor device
FR2997556A1 (fr) * 2012-10-29 2014-05-02 Waitrony Optoelectronics Ltd Appareil formant led a entree et sortie

Also Published As

Publication number Publication date
JP3205660B2 (ja) 2001-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11221452B2 (en) Communication receiver
JP4159778B2 (ja) Icパッケージ、光送信器及び光受信器
GB2144910A (en) Grounding a chip support pad in an intergrated circuit device
US20010013573A1 (en) Photosensor-amplifier device
JP4828103B2 (ja) 光送受信モジュール
JP3205660B2 (ja) 半導体装置およびリモコン受光装置
JP3483102B2 (ja) 光素子実装体
EP0450496B1 (en) Infrared sensor
JPS622628A (ja) 半導体装置
JP2005051031A (ja) 半導体モジュール
US6949731B2 (en) Light-receiving module having a light-receiving device on a die-capacitor
JP2002359392A (ja) 半導体リレー
US6787890B2 (en) Optical package structure
JP4201432B2 (ja) 光検出用モジュール
JPH06169056A (ja) マルチチップモジュール
JPS61168969A (ja) 半導体圧力センサ
JP4065673B2 (ja) 赤外線通信ユニット
JP2000236102A (ja) 電子部品
JP2638542B2 (ja) 光半導体モジュール
JP2626560B2 (ja) 光受信モジュール
JP3748409B2 (ja) 半導体装置
JP2002261299A (ja) 赤外線データ通信モジュール
JPS58204573A (ja) 光リンク送受信回路
JP2000058880A (ja) 送受信用半導体装置
JP2004119676A (ja) 受発光半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090629

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110629

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120629

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees