JPS61168969A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JPS61168969A JPS61168969A JP955285A JP955285A JPS61168969A JP S61168969 A JPS61168969 A JP S61168969A JP 955285 A JP955285 A JP 955285A JP 955285 A JP955285 A JP 955285A JP S61168969 A JPS61168969 A JP S61168969A
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0061—Electrical connection means
- G01L19/0084—Electrical connection means to the outside of the housing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/147—Details about the mounting of the sensor to support or covering means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
この発明は血管や心臓内の血圧を測足するカテーテルを
圧力センナに関する。
圧力センナに関する。
この種の圧力センナとして従来カテーテル先端に受圧面
をもつものが知られている。従来のカテーテル型圧力セ
ンサを第３図に示す。外径２謹程度のカテーテルｌの中
に圧力に応じて出力が生じる感圧チップ３が組み込まれ
ている。その感圧チップ上のリード慰引出し部９（パッ
ド端子）は、例えばＡｔで形成され２００μｍ Ｘ ２
００μｍ程度の大きさであり、外部リード庫６との間は
金属ワイナ５で接続されている。
をもつものが知られている。従来のカテーテル型圧力セ
ンサを第３図に示す。外径２謹程度のカテーテルｌの中
に圧力に応じて出力が生じる感圧チップ３が組み込まれ
ている。その感圧チップ上のリード慰引出し部９（パッ
ド端子）は、例えばＡｔで形成され２００μｍ Ｘ ２
００μｍ程度の大きさであり、外部リード庫６との間は
金属ワイナ５で接続されている。
第４図は従来の感圧チップ３の平面図である。
この感圧チップ３はシリコン基板に形成される中心の厚
みの薄いダイヤフラム部８と、その周辺にあって配嶽グ
によシ所定の回路に接続される感圧感圧抵抗層４と減少
する感圧抵抗層４をそれぞれ第５図の等価回路に示すよ
うにたすきかけした配縁からなる圧力検出部の構成にす
ると、圧力が加わらない状態でＦｉＲｚ ＝ Ｒｓ ＝
Ｒｓ ＝馬で出力端子’ＶＯＬとｖｏｎ間の電位差は
ほぼＯｖでるる。次にダイヤフラム８に圧力が加わると
抵抗層４の抵抗に化によりＴｏ−とＶＯ２間に電圧差が
生じる。これが圧力により出力電圧が変化することを利
用した一般的な圧力センサの動作原理であり、カテーテ
ル型圧力センナもこれと動作原理は同じでおる丸め同じ
構成をとっている。
みの薄いダイヤフラム部８と、その周辺にあって配嶽グ
によシ所定の回路に接続される感圧感圧抵抗層４と減少
する感圧抵抗層４をそれぞれ第５図の等価回路に示すよ
うにたすきかけした配縁からなる圧力検出部の構成にす
ると、圧力が加わらない状態でＦｉＲｚ ＝ Ｒｓ ＝
Ｒｓ ＝馬で出力端子’ＶＯＬとｖｏｎ間の電位差は
ほぼＯｖでるる。次にダイヤフラム８に圧力が加わると
抵抗層４の抵抗に化によりＴｏ−とＶＯ２間に電圧差が
生じる。これが圧力により出力電圧が変化することを利
用した一般的な圧力センサの動作原理であり、カテーテ
ル型圧力センナもこれと動作原理は同じでおる丸め同じ
構成をとっている。
このようなカテーテル型圧力センナではカテーテルの外
径が２鱈程度に制限され、その中に組み込まれる感圧セ
ンサチップは１．５箇φ程度となる。
径が２鱈程度に制限され、その中に組み込まれる感圧セ
ンサチップは１．５箇φ程度となる。
従って外部リードｈの引出し部９が小さいためセンナを
カテーテル内に組み込む時リード線の断腺が起りやすく
、リード庫接続部の機械的強度が弱いこと、およびリー
ド線引き出し部が小さいため組立が難しい欠点がめった
。
カテーテル内に組み込む時リード線の断腺が起りやすく
、リード庫接続部の機械的強度が弱いこと、およびリー
ド線引き出し部が小さいため組立が難しい欠点がめった
。
この発明はチップ上のパッドから外部リード線までの接
続強度が大きくて接続部の信頼性が高く、しかも容易に
組立実装が可能な装置を提供することを目的とする。
続強度が大きくて接続部の信頼性が高く、しかも容易に
組立実装が可能な装置を提供することを目的とする。
この発明は感圧チップのパッド部にバンプを形成し、表
面と裏面との間を電気的に導通のある貫通孔を設けたセ
ラミック基板（又はプリント基板）感圧チップ側の電極
端子を上記感圧チップの電と接続し、さらに反対側にる
るセラミック基板電極端子から外部リード楡へ接ｖｃを
するようＫたものでわる。要するに感圧チップを外部装
置接続する場合に感圧チップ上には形成できないうな面
積の大きい！他端子またはビン端子を設「たセラミック
基板（又はプリント基板）を介在ｉせることＫより組立
実装を容易にし、また感圧トップとそのセラミック基板
との間にはバンプをヤ在させたフェースダウンポンディ
ングにより接兜して接着強度を強くしたものである。
面と裏面との間を電気的に導通のある貫通孔を設けたセ
ラミック基板（又はプリント基板）感圧チップ側の電極
端子を上記感圧チップの電と接続し、さらに反対側にる
るセラミック基板電極端子から外部リード楡へ接ｖｃを
するようＫたものでわる。要するに感圧チップを外部装
置接続する場合に感圧チップ上には形成できないうな面
積の大きい！他端子またはビン端子を設「たセラミック
基板（又はプリント基板）を介在ｉせることＫより組立
実装を容易にし、また感圧トップとそのセラミック基板
との間にはバンプをヤ在させたフェースダウンポンディ
ングにより接兜して接着強度を強くしたものである。
オｌｄは本発明の実施例を示すもので、感圧チップ比は
感圧チップ上の圧力検出部に設けたバンプ１４を介して
セラミック基板１５の上の電極端子ｌフに電気的に接続
され、また、セラミック基板１５の外部リード側にある
バンク１６を介して外部リード線１８に電気的に接続さ
れる。ここでセラミック基板上の電極端子１フとバンプ
１６の間は図示していないが、公知技術により貫通孔な
どを設けることＫよって電気的罠接続されている。ここ
ではパンダ１４ 、１６および外部リード＠！１８など
が外部接続導体である。
感圧チップ上の圧力検出部に設けたバンプ１４を介して
セラミック基板１５の上の電極端子ｌフに電気的に接続
され、また、セラミック基板１５の外部リード側にある
バンク１６を介して外部リード線１８に電気的に接続さ
れる。ここでセラミック基板上の電極端子１フとバンプ
１６の間は図示していないが、公知技術により貫通孔な
どを設けることＫよって電気的罠接続されている。ここ
ではパンダ１４ 、１６および外部リード＠！１８など
が外部接続導体である。
このような構成において、感圧チップ１２とセラミック
基板１５の電気的接続は感圧チップ上のバンプ１４とセ
ラミック基板上の電極端子１フで形成されているため、
従来のワイヤ接続に比べ接続部の断面積が大きくなるの
で接着強度が強くなる。ζこでバンプ１４には例えば、
Ａ１−Ｔｉ−Ｇｕ−Ｎｌ上ゆｉ半田の積層したもの、ま
たセラミック基板上の電極端子ｌフには−を使うことが
接続を良好にするために望ましい。
基板１５の電気的接続は感圧チップ上のバンプ１４とセ
ラミック基板上の電極端子１フで形成されているため、
従来のワイヤ接続に比べ接続部の断面積が大きくなるの
で接着強度が強くなる。ζこでバンプ１４には例えば、
Ａ１−Ｔｉ−Ｇｕ−Ｎｌ上ゆｉ半田の積層したもの、ま
たセラミック基板上の電極端子ｌフには−を使うことが
接続を良好にするために望ましい。
また、セラミック基板１５上のバンプ１６はパターン上
の制約が小さいので感圧チップ上のバンプ１４よシも約
１０着接着面積をとることができるため、外部リード［
１Ｂとの接着強度も強くなり、かつ接続も容易にできる
。第６図はセラミック基板上５の感圧チップ側の、およ
びオフ図は外部リード側のそれぞれの平面図を示し、バ
ンプ電極部を１６、セラミック基板を１５で示す。オフ
、８図からバンプ電極部の面積が大きいことがわかる。
の制約が小さいので感圧チップ上のバンプ１４よシも約
１０着接着面積をとることができるため、外部リード［
１Ｂとの接着強度も強くなり、かつ接続も容易にできる
。第６図はセラミック基板上５の感圧チップ側の、およ
びオフ図は外部リード側のそれぞれの平面図を示し、バ
ンプ電極部を１６、セラミック基板を１５で示す。オフ
、８図からバンプ電極部の面積が大きいことがわかる。
第２図は別の実施例を示すもので、第１図と相違する点
はセラミック基板１９と外部リードｍｘｓの電気的接続
にビン端子２０を用いた点である。感圧チップｎとセラ
ミック基板１９を接続したもの全組立て、そのビ／端子
受は部に外部リーとΔ１８の先端に取り付けたピン端子
２０を挿し込むことによりセラミック基板１９との電気
的接続を行なわれる構成である。これにより、組立がさ
らにいっそう容易になる利点が得られる。
はセラミック基板１９と外部リードｍｘｓの電気的接続
にビン端子２０を用いた点である。感圧チップｎとセラ
ミック基板１９を接続したもの全組立て、そのビ／端子
受は部に外部リーとΔ１８の先端に取り付けたピン端子
２０を挿し込むことによりセラミック基板１９との電気
的接続を行なわれる構成である。これにより、組立がさ
らにいっそう容易になる利点が得られる。
この発明によれば、半導体圧力士ンサをシリコンダイヤ
フラムの一面が管の外から圧力を受けるよりに管の中に
該一面を開口に向うようＫして固着し、このダイヤフラ
ムの他面には、抵抗層を配線してなる圧力検出部が設け
られ、検出された出力信号を外部に送るための外部接続
導体が圧力検出部の電極から、ダイヤフラムの他面側に
隣接して設けられた絶縁基板の両面を貫通する電極端子
を介して、外部に引き出されるようにしたので、感圧チ
ップ上の端子をバンプ構造にされることくなり、接着強
度が大きくなり、さらに外部リード線との接続も感圧チ
ップの上に設けたセラミック基板上の面積の大きなバン
プでなされるため強度がいっそう大きくなり、かつ組立
実装が容易になるという優れた効果が得られる。
フラムの一面が管の外から圧力を受けるよりに管の中に
該一面を開口に向うようＫして固着し、このダイヤフラ
ムの他面には、抵抗層を配線してなる圧力検出部が設け
られ、検出された出力信号を外部に送るための外部接続
導体が圧力検出部の電極から、ダイヤフラムの他面側に
隣接して設けられた絶縁基板の両面を貫通する電極端子
を介して、外部に引き出されるようにしたので、感圧チ
ップ上の端子をバンプ構造にされることくなり、接着強
度が大きくなり、さらに外部リード線との接続も感圧チ
ップの上に設けたセラミック基板上の面積の大きなバン
プでなされるため強度がいっそう大きくなり、かつ組立
実装が容易になるという優れた効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は本発明の
異なる実施例の断面図、第３図は従来の圧力センナの断
面図、第４図は従来の感圧チップの平面図、第５図は感
圧チップの圧力検出部の等何回路、第６図はセラミック
基板の感圧チップ側の平面図、オ〒図はセラミック基板
の外部リード側の平面図である。 戎・・・感圧チップ、１４．ユ６・・・バンプ、１５・
・・セラミック基板、ｌフ・・・電極端子、１日・・・
外部リード線、２０・・・ピン端子。 第２図 ′＄３図 叢６図 第７ｍ
異なる実施例の断面図、第３図は従来の圧力センナの断
面図、第４図は従来の感圧チップの平面図、第５図は感
圧チップの圧力検出部の等何回路、第６図はセラミック
基板の感圧チップ側の平面図、オ〒図はセラミック基板
の外部リード側の平面図である。 戎・・・感圧チップ、１４．ユ６・・・バンプ、１５・
・・セラミック基板、ｌフ・・・電極端子、１日・・・
外部リード線、２０・・・ピン端子。 第２図 ′＄３図 叢６図 第７ｍ
Claims (1)
- シリコンダイヤフラムの一面が管の外から圧力を受ける
よりに管の中に該一面を開口に向うようにして固着し、
このダイヤフラムの他面には、抵抗層を配線してなる圧
力検出部が設けられ、検出された出力信号を外部に送る
ための外部接続導体が圧力検出部の電極から、ダイヤフ
ラムの他面側に隣接して設けられた絶縁基板の両面を貫
通する電極端子を介して、外部に引き出されていること
を特徴とする半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP955285A JPS61168969A (ja) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP955285A JPS61168969A (ja) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61168969A true JPS61168969A (ja) | 1986-07-30 |
Family
ID=11723439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP955285A Pending JPS61168969A (ja) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61168969A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6827373B2 (en) | 1997-12-08 | 2004-12-07 | Capture Business Cards Llc | Business card stock with peel off labels, and method |
| JP2013217928A (ja) * | 2007-09-28 | 2013-10-24 | Volcano Corp | 深堀り反応性イオンエッチングで製造されたセンサを組み入れた血管内圧力装置 |
| DE112020003422T5 (de) | 2019-07-18 | 2022-03-31 | Semitec Corporation | Drucksensor |
-
1985
- 1985-01-22 JP JP955285A patent/JPS61168969A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6827373B2 (en) | 1997-12-08 | 2004-12-07 | Capture Business Cards Llc | Business card stock with peel off labels, and method |
| JP2013217928A (ja) * | 2007-09-28 | 2013-10-24 | Volcano Corp | 深堀り反応性イオンエッチングで製造されたセンサを組み入れた血管内圧力装置 |
| US9289137B2 (en) | 2007-09-28 | 2016-03-22 | Volcano Corporation | Intravascular pressure devices incorporating sensors manufactured using deep reactive ion etching |
| US10973419B2 (en) | 2007-09-28 | 2021-04-13 | Philips Image Guided Therapy Corporation | Intravascular pressure devices incorporating sensors manufactured using deep reactive ion etching |
| DE112020003422T5 (de) | 2019-07-18 | 2022-03-31 | Semitec Corporation | Drucksensor |
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