JP3450193B2 - ４−置換アゼチジノン誘導体の製造方法 - Google Patents
４−置換アゼチジノン誘導体の製造方法Info
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
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- C07D413/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having nitrogen and oxygen atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings
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- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
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- C07D205/06—Heterocyclic compounds containing four-membered rings with one nitrogen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member
- C07D205/08—Heterocyclic compounds containing four-membered rings with one nitrogen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member with one oxygen atom directly attached in position 2, e.g. beta-lactams
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はカルバペネム系化合
物の合成中間体として重要な４−置換アゼチジノン誘導
体の製造方法に関する。
物の合成中間体として重要な４−置換アゼチジノン誘導
体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】１β−メチルカルバペネム誘導体は、グ
ラム陽性、グラム陰性菌を含む広範囲の病原菌に対して
優れた抗菌力を示し、かつ生体内での安定性等にも優れ
ていることから抗菌剤として注目されている。この１β
−メチルカルバペネム誘導体の合成法として種々の方法
が知られているが、特に一般式（Ｉ）
ラム陽性、グラム陰性菌を含む広範囲の病原菌に対して
優れた抗菌力を示し、かつ生体内での安定性等にも優れ
ていることから抗菌剤として注目されている。この１β
−メチルカルバペネム誘導体の合成法として種々の方法
が知られているが、特に一般式（Ｉ）
【０００３】
【化２２】
【０００４】（式中、Ｒ1 は保護されていてもよい水酸
基で置換されていてもよい低級アルキル基である。）で
表わされる４位側鎖の１' 位にβ−メチル基を有するア
ゼチジノン化合物は、特に重要な合成中間体であり、４
位酢酸残基に存在する１' 位の水素原子を強力な塩基で
引き抜いたのち、メチル基を導入する方法で合成されて
いた［Heterocycles、1984年、21巻、29頁］。しかしな
がら、この方法では、４位側鎖の１' 位がβ配置を有す
る化合物を立体選択的に製造することが困難であり、そ
のため、種々の方法が提案されている。
基で置換されていてもよい低級アルキル基である。）で
表わされる４位側鎖の１' 位にβ−メチル基を有するア
ゼチジノン化合物は、特に重要な合成中間体であり、４
位酢酸残基に存在する１' 位の水素原子を強力な塩基で
引き抜いたのち、メチル基を導入する方法で合成されて
いた［Heterocycles、1984年、21巻、29頁］。しかしな
がら、この方法では、４位側鎖の１' 位がβ配置を有す
る化合物を立体選択的に製造することが困難であり、そ
のため、種々の方法が提案されている。
【０００５】例えば、フェンテスらは、４−アセトキシ
アゼチジノン化合物とある種のプロピオン酸アミド誘導
体とをある種の塩基とルイス酸との複合試薬、例えば、
スズトリフラート−エチルピペリジン−臭化亜鉛、ジエ
チルボラントリフラート−ジイソプロピルエチルアミン
−臭化亜鉛の存在下に反応させる方法を提案している
［L. M. Fuentes ら、J. Am. Chem. Soc., Vol.108, p.
4675 (1986)、特開昭61-275267 号公報］。同様な方法
は、長尾ら［Y. Nagaoら、J. Am. Chem. Soc., Vol. 10
8, p. 4673 (1986) 、特開昭63-170377 号公報］、及び
原ら［WO 93/13064 号明細書、特開平7-70116 号公報］
によっても提案されている。又、岩崎らは一定の塩基の
存在下で反応させる方法を提案している［特開平7-9738
1 号公報］。
アゼチジノン化合物とある種のプロピオン酸アミド誘導
体とをある種の塩基とルイス酸との複合試薬、例えば、
スズトリフラート−エチルピペリジン−臭化亜鉛、ジエ
チルボラントリフラート−ジイソプロピルエチルアミン
−臭化亜鉛の存在下に反応させる方法を提案している
［L. M. Fuentes ら、J. Am. Chem. Soc., Vol.108, p.
4675 (1986)、特開昭61-275267 号公報］。同様な方法
は、長尾ら［Y. Nagaoら、J. Am. Chem. Soc., Vol. 10
8, p. 4673 (1986) 、特開昭63-170377 号公報］、及び
原ら［WO 93/13064 号明細書、特開平7-70116 号公報］
によっても提案されている。又、岩崎らは一定の塩基の
存在下で反応させる方法を提案している［特開平7-9738
1 号公報］。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、塩基と
ルイス酸との複合試薬を用いる方法では、ルイス酸とし
て高価なホウ素試薬あるいは重金属を含むルイス酸を使
用しており、環境調和性を欠き、工業的不利は否めな
い。また、一定の塩基、例えば本反応に代表的に使用さ
れるナトリウム、リチウム等の塩基を用いる場合、室温
付近の反応条件では著しく収率低下をきたし、−６０℃
以下という極低温条件が必須となり、やはり工業的には
不利となる。
ルイス酸との複合試薬を用いる方法では、ルイス酸とし
て高価なホウ素試薬あるいは重金属を含むルイス酸を使
用しており、環境調和性を欠き、工業的不利は否めな
い。また、一定の塩基、例えば本反応に代表的に使用さ
れるナトリウム、リチウム等の塩基を用いる場合、室温
付近の反応条件では著しく収率低下をきたし、−６０℃
以下という極低温条件が必須となり、やはり工業的には
不利となる。
【０００７】本発明者らは、上記従来公知の方法におけ
る難点を解消し、所望の１' −β配置を有するカルバペ
ネム系抗菌剤の合成中間体を選択的に得る方法を見い出
すべく種々研究を重ねた結果、上記公知方法におけるよ
うな塩基とルイス酸との複合試薬、或いは一定の低温反
応条件を必要とする塩基を使用することなく、一定のマ
グネシウム化合物の存在下で反応させるだけで所望の
１' −β配置体を選択的に製造する方法を見い出した。
る難点を解消し、所望の１' −β配置を有するカルバペ
ネム系抗菌剤の合成中間体を選択的に得る方法を見い出
すべく種々研究を重ねた結果、上記公知方法におけるよ
うな塩基とルイス酸との複合試薬、或いは一定の低温反
応条件を必要とする塩基を使用することなく、一定のマ
グネシウム化合物の存在下で反応させるだけで所望の
１' −β配置体を選択的に製造する方法を見い出した。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、アゼチジノン
化合物と特定のアルカン酸アミド化合物とを塩基とルイ
ス酸との複合試薬、或いは一定の低温反応条件を必要と
する塩基を使用することなく、マグネシウム化合物の存
在下で反応させるだけで所望の１' −β配置体を選択的
に製造する方法を提供するものである。
化合物と特定のアルカン酸アミド化合物とを塩基とルイ
ス酸との複合試薬、或いは一定の低温反応条件を必要と
する塩基を使用することなく、マグネシウム化合物の存
在下で反応させるだけで所望の１' −β配置体を選択的
に製造する方法を提供するものである。
【０００９】すなわち、本発明は、下記一般式（１）
【００１０】
【化２３】
【００１１】（式中、Ｒは、水素原子又はＮの保護基で
ある。Ｒ1 は、保護されていてもよい水酸基で置換され
ていてもよい低級アルキル基である。Ｚは脱離基であ
る。）で表わされるアゼチジノン誘導体と、下記一般式
（２）
ある。Ｒ1 は、保護されていてもよい水酸基で置換され
ていてもよい低級アルキル基である。Ｚは脱離基であ
る。）で表わされるアゼチジノン誘導体と、下記一般式
（２）
【００１２】
【化２４】
【００１３】（式中、Ｒ2 は、水素原子又は炭素数１乃
至４の低級アルキル基である。Ｒ3 は、(1) 炭素数１乃
至１２のアルキル基、(2) 炭素数２乃至５のアルケニル
基、(3) 炭素数１乃至６のオルガノシリル基、(4) 炭素
数１乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級ア
ルコキシ基、ニトロ基もしくはハロゲン原子が置換して
いてもよいフェニル基、(5) 炭素数１乃至４の低級アル
キル基が置換していてもよい炭素数６乃至１３のアラル
キル基、(6) 炭素数１乃至４の低級アルキル基が置換し
ていてもよい５乃至８員環の脂環式基、又は(7) ナフチ
ル基である。Ｒ4は、−ＳＯ 2 Ｒ 8 ，−Ｃ（＝Ｘ）−Ｙ
−Ｒ 9 又は−Ｃ（＝Ｘ）−Ｒ 10 の群から選ばれる電子吸
引基である（但し、Ｘは、酸素原子、硫黄原子又はＮＲ
11 基（Ｒ 11 は置換基を有していてもよいアルキル基、又
は置換基を有していてもよいフェニル基である。）であ
る。Ｙは、酸素原子、硫黄原子である。Ｒ 8 、Ｒ 9 、Ｒ
10 は、(1) 炭素数１乃至１２のアルキル基、(2) 炭素数
１乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級アル
コキシ基、ニトロ基もしくはハロゲン原子が置換してい
てもよいフェニル基、(3) 炭素数１乃至４の低級アルキ
ル基が置換していてもよいベンジル基、(4) 炭素数１乃
至４の低級アルキル基が置換していてもよい５乃至７員
環の脂環式基、(5) ナフチル基、又は(6) Ｒ 3 と一緒に
なって４乃至６員環を形成していてもよい。）。或い
は、Ｒ3 及びＲ4 は、隣接する窒素原子と一緒になって
複素環を形成していてもよい。）で表わされるアミド化
合物を、下記一般式（３）
至４の低級アルキル基である。Ｒ3 は、(1) 炭素数１乃
至１２のアルキル基、(2) 炭素数２乃至５のアルケニル
基、(3) 炭素数１乃至６のオルガノシリル基、(4) 炭素
数１乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級ア
ルコキシ基、ニトロ基もしくはハロゲン原子が置換して
いてもよいフェニル基、(5) 炭素数１乃至４の低級アル
キル基が置換していてもよい炭素数６乃至１３のアラル
キル基、(6) 炭素数１乃至４の低級アルキル基が置換し
ていてもよい５乃至８員環の脂環式基、又は(7) ナフチ
ル基である。Ｒ4は、−ＳＯ 2 Ｒ 8 ，−Ｃ（＝Ｘ）−Ｙ
−Ｒ 9 又は−Ｃ（＝Ｘ）−Ｒ 10 の群から選ばれる電子吸
引基である（但し、Ｘは、酸素原子、硫黄原子又はＮＲ
11 基（Ｒ 11 は置換基を有していてもよいアルキル基、又
は置換基を有していてもよいフェニル基である。）であ
る。Ｙは、酸素原子、硫黄原子である。Ｒ 8 、Ｒ 9 、Ｒ
10 は、(1) 炭素数１乃至１２のアルキル基、(2) 炭素数
１乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級アル
コキシ基、ニトロ基もしくはハロゲン原子が置換してい
てもよいフェニル基、(3) 炭素数１乃至４の低級アルキ
ル基が置換していてもよいベンジル基、(4) 炭素数１乃
至４の低級アルキル基が置換していてもよい５乃至７員
環の脂環式基、(5) ナフチル基、又は(6) Ｒ 3 と一緒に
なって４乃至６員環を形成していてもよい。）。或い
は、Ｒ3 及びＲ4 は、隣接する窒素原子と一緒になって
複素環を形成していてもよい。）で表わされるアミド化
合物を、下記一般式（３）
【００１４】
【化２５】
【００１５】（式中、Ｒ5 は、(1) 炭素数１乃至１２の
アルキル基、(2) 炭素数２乃至５のアルケニル基、(3)
炭素数１乃至４の低級アルキル基が置換していてもよい
５乃至８員環の脂環式基、(4) 炭素数１乃至４の低級ア
ルキル基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、ハロゲ
ン原子が置換していてもよいフェニル基、(5) 炭素数１
乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級アルコ
キシ基、ハロゲン原子が置換していてもよいベンジル基
である。Ｒ6 は、(1) ハロゲン原子、(2) メタンスルホ
ニルオキシ基、(3) ベンゼンスルホニルオキシ基、(4)
ｐ−トルエンスルホニルオキシ基、(5) トリフルオロメ
タンスルホニルオキシ基、(6) ハロゲン原子、シアノ基
が置換していてもよいアセトキシ基、又は(7) ＯＲ7 基
（Ｒ7 は炭素数１乃至４の低級アルキル基、置換基を有
していてもよいフェニル基、又は置換基を有していても
よいベンジル基である。）である。）で表わされるマグ
ネシウム化合物の存在下で反応させることを特徴とする
下記一般式（４）
アルキル基、(2) 炭素数２乃至５のアルケニル基、(3)
炭素数１乃至４の低級アルキル基が置換していてもよい
５乃至８員環の脂環式基、(4) 炭素数１乃至４の低級ア
ルキル基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、ハロゲ
ン原子が置換していてもよいフェニル基、(5) 炭素数１
乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級アルコ
キシ基、ハロゲン原子が置換していてもよいベンジル基
である。Ｒ6 は、(1) ハロゲン原子、(2) メタンスルホ
ニルオキシ基、(3) ベンゼンスルホニルオキシ基、(4)
ｐ−トルエンスルホニルオキシ基、(5) トリフルオロメ
タンスルホニルオキシ基、(6) ハロゲン原子、シアノ基
が置換していてもよいアセトキシ基、又は(7) ＯＲ7 基
（Ｒ7 は炭素数１乃至４の低級アルキル基、置換基を有
していてもよいフェニル基、又は置換基を有していても
よいベンジル基である。）である。）で表わされるマグ
ネシウム化合物の存在下で反応させることを特徴とする
下記一般式（４）
【００１６】
【化２６】
【００１７】（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 は前記
と同じ意味である。）で表わされる４−置換アゼチジノ
ン誘導体の製造方法を提供するものである。
と同じ意味である。）で表わされる４−置換アゼチジノ
ン誘導体の製造方法を提供するものである。
【００１８】以下に本発明を詳細に説明する。本発明の
一般式（１）において、Ｒは水素原子又はＮの保護基で
あり、Ｒ1 は保護されていてもよい水酸基で置換されて
いてもよい低級アルキル基であり、Ｚは脱離基である。
ここで、Ｎの保護基の具体例としては、ｔｅｒｔ−ブチ
ルジメチルシリル、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリ
ル、トリエチルシリル、ジメチルクミルシリル、トリイ
ソプロピルシリル、ジメチルヘキシルシリル、ジメチル
テキシルシリル等のオルガノシリル基、ベンジル基、ｐ
−ニトロベンジル基、ｐ−ニトロベンゾイルメチル基、
ベンズヒドリル基、ｐ−メトキシベンジル基、２，４−
ジメトキシベンジル基などが例示される。
一般式（１）において、Ｒは水素原子又はＮの保護基で
あり、Ｒ1 は保護されていてもよい水酸基で置換されて
いてもよい低級アルキル基であり、Ｚは脱離基である。
ここで、Ｎの保護基の具体例としては、ｔｅｒｔ−ブチ
ルジメチルシリル、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリ
ル、トリエチルシリル、ジメチルクミルシリル、トリイ
ソプロピルシリル、ジメチルヘキシルシリル、ジメチル
テキシルシリル等のオルガノシリル基、ベンジル基、ｐ
−ニトロベンジル基、ｐ−ニトロベンゾイルメチル基、
ベンズヒドリル基、ｐ−メトキシベンジル基、２，４−
ジメトキシベンジル基などが例示される。
【００１９】Ｒ1 で表される低級アルキル基の置換基で
ある水酸基の保護基の具体例としては、ｔｅｒｔ−ブチ
ルジメチルシリル、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリ
ル、トリエチルシリル、ジメチルクミルシリル、トリイ
ソプロピルシリル、ジメチルヘキシルシリル、トリメチ
ルシリル、ジメチルテキシルシリル等のオルガノシリル
基、ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル、ｐ−メトキ
シベンジルオキシカルボニル、アリルオキシカルボニル
等のオキシカルボニル基、アセチル基、トリフェニルメ
チル基、ベンゾイル基、テトラヒドロピラニル基などが
例示される。
ある水酸基の保護基の具体例としては、ｔｅｒｔ−ブチ
ルジメチルシリル、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリ
ル、トリエチルシリル、ジメチルクミルシリル、トリイ
ソプロピルシリル、ジメチルヘキシルシリル、トリメチ
ルシリル、ジメチルテキシルシリル等のオルガノシリル
基、ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル、ｐ−メトキ
シベンジルオキシカルボニル、アリルオキシカルボニル
等のオキシカルボニル基、アセチル基、トリフェニルメ
チル基、ベンゾイル基、テトラヒドロピラニル基などが
例示される。
【００２０】また、ここで低級アルキル基とは、炭素数
１乃至４の低級アルキル基であり、具体例としては、メ
チル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソ
ブチル、ｓｅｃ−ブチル、等などが例示され、好ましく
はエチルである。
１乃至４の低級アルキル基であり、具体例としては、メ
チル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソ
ブチル、ｓｅｃ−ブチル、等などが例示され、好ましく
はエチルである。
【００２１】好ましいＲ1 の具体例としては、１−ｔｅ
ｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチル、１−ｔｅｒ
ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシエチル、１−トリエ
チルシリルオキシエチル、１−トリイソプロピルシリル
オキシエチル、１−トリメチルシリルオキシエチル、１
−ジメチルテキシルシリルオキシエチル、１−ヒドロキ
シエチル等が例示され、特に１−ｔｅｒｔ−ブチルジメ
チルシリルオキシエチルが好ましい。
ｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチル、１−ｔｅｒ
ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシエチル、１−トリエ
チルシリルオキシエチル、１−トリイソプロピルシリル
オキシエチル、１−トリメチルシリルオキシエチル、１
−ジメチルテキシルシリルオキシエチル、１−ヒドロキ
シエチル等が例示され、特に１−ｔｅｒｔ−ブチルジメ
チルシリルオキシエチルが好ましい。
【００２２】Ｚの脱離基としては、アシルオキシ基（例
えば、アルカノイルオキシ基、アロイルオキシ基、アリ
ールアルカノイルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ
基、アリールスルホニルオキシ基、アルコキシカルボニ
ルオキシ基、アラルコキシカルボニルオキシ基、アルコ
キシアルカノイルオキシ基、カルバモイルオキシ基など
が挙げられる。）、チオニル基（例えば、アルカノイル
チオ基、アロイルチオ基、アルキルチオ基、アリールチ
オ基などが挙げられる。）、スルフィニル基（アルキル
スルフィニル基、アリールスルフィニル基などが挙げら
れる。）、スルホニル基（アルキルスルホニル基、アリ
ールスルホニル基などが挙げられる。）、ハロゲン原子
等が例示される。
えば、アルカノイルオキシ基、アロイルオキシ基、アリ
ールアルカノイルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ
基、アリールスルホニルオキシ基、アルコキシカルボニ
ルオキシ基、アラルコキシカルボニルオキシ基、アルコ
キシアルカノイルオキシ基、カルバモイルオキシ基など
が挙げられる。）、チオニル基（例えば、アルカノイル
チオ基、アロイルチオ基、アルキルチオ基、アリールチ
オ基などが挙げられる。）、スルフィニル基（アルキル
スルフィニル基、アリールスルフィニル基などが挙げら
れる。）、スルホニル基（アルキルスルホニル基、アリ
ールスルホニル基などが挙げられる。）、ハロゲン原子
等が例示される。
【００２３】Ｚがアルカノイルオキシ基の場合、具体例
としては、アセトキシ、プロピオニルオキシ、ブチリル
オキシ、α−フルオロアセトキシ、α−クロロアセトキ
シ、α−ブロモアセトキシ、α−ヨードアセトキシ、
α, α−ジフルオロアセトキシ、α, α−ジクロロアセ
トキシ、α−シアノアセトキシ等のハロゲン原子、シア
ノ基が置換していてもよい直鎖のアルカノイルオキシ
基、イソブチリルオキシ、シクロヘキシルカルボニルオ
キシなどの分岐または環状のアルカノイルオキシ基を挙
げることができる。
としては、アセトキシ、プロピオニルオキシ、ブチリル
オキシ、α−フルオロアセトキシ、α−クロロアセトキ
シ、α−ブロモアセトキシ、α−ヨードアセトキシ、
α, α−ジフルオロアセトキシ、α, α−ジクロロアセ
トキシ、α−シアノアセトキシ等のハロゲン原子、シア
ノ基が置換していてもよい直鎖のアルカノイルオキシ
基、イソブチリルオキシ、シクロヘキシルカルボニルオ
キシなどの分岐または環状のアルカノイルオキシ基を挙
げることができる。
【００２４】Ｚがアロイルオキシ基の場合、具体的に
は、ベンゾイルオキシ、１−ナフトイルオキシ、２−ナ
フトイルオキシ、ニコチノイルオキシ、イソニコチノイ
ルオキシ、フルフロイルオキシ等の単環または双環のヘ
テロ原子を有してもよいアロイルオキシ基を挙げること
ができる。Ｚがアリールアルカノイルオキシ基の場合、
具体的には、フェニルアセトキシ等のアリールアルカノ
イルオキシ基を挙げることができる。Ｚがアルキルスル
ホニルオキシ基の場合、具体的には、メタンスルホニル
オキシ、エタンスルホニルオキシ、プロパンスルホニル
オキシ、トリフロロメタンスルホニルオキシ等のアルキ
ルスルホニルオキシ基を挙げることができる。
は、ベンゾイルオキシ、１−ナフトイルオキシ、２−ナ
フトイルオキシ、ニコチノイルオキシ、イソニコチノイ
ルオキシ、フルフロイルオキシ等の単環または双環のヘ
テロ原子を有してもよいアロイルオキシ基を挙げること
ができる。Ｚがアリールアルカノイルオキシ基の場合、
具体的には、フェニルアセトキシ等のアリールアルカノ
イルオキシ基を挙げることができる。Ｚがアルキルスル
ホニルオキシ基の場合、具体的には、メタンスルホニル
オキシ、エタンスルホニルオキシ、プロパンスルホニル
オキシ、トリフロロメタンスルホニルオキシ等のアルキ
ルスルホニルオキシ基を挙げることができる。
【００２５】Ｚがアリールスルホニルオキシ基の場合、
具体的には、ベンゼンスルホニルオキシ、トルエンスル
ホニルオキシ等のアリールスルホニルオキシ基を挙げる
ことができる。Ｚがアルコキシカルボニルオキシ基の場
合、具体的には、メトキシカルボニルオキシ、エトキシ
カルボニルオキシ等のアルコキシカルボニルオキシ基を
挙げることができる。
具体的には、ベンゼンスルホニルオキシ、トルエンスル
ホニルオキシ等のアリールスルホニルオキシ基を挙げる
ことができる。Ｚがアルコキシカルボニルオキシ基の場
合、具体的には、メトキシカルボニルオキシ、エトキシ
カルボニルオキシ等のアルコキシカルボニルオキシ基を
挙げることができる。
【００２６】Ｚがアラルコキシカルボニルオキシ基の場
合、具体的には、ベンジルオキシカルボニルオキシ等の
アラルコキシカルボニルオキシ基を挙げることができ
る。Ｚがアルコキシアルカノイルオキシ基の場合、具体
的には、メトキシアセトキシ、エトキシアセトキシ等の
アルコキシアルカノイルオキシ基を挙げることができ
る。Ｚがカルバモイルオキシ基の場合、具体的には、Ｎ
−メチルカルバモイルオキシ、Ｎ−エチルカルバモイル
オキシ、Ｎ−フェニルカルバモイルオキシ等のカルバモ
イルオキシ基を挙げることができる。Ｚがアルカノイル
チオ基の場合、具体的には、アセチルチオ、プロピオニ
ルチオ等のアルカノイルチオ基を挙げることができる。
合、具体的には、ベンジルオキシカルボニルオキシ等の
アラルコキシカルボニルオキシ基を挙げることができ
る。Ｚがアルコキシアルカノイルオキシ基の場合、具体
的には、メトキシアセトキシ、エトキシアセトキシ等の
アルコキシアルカノイルオキシ基を挙げることができ
る。Ｚがカルバモイルオキシ基の場合、具体的には、Ｎ
−メチルカルバモイルオキシ、Ｎ−エチルカルバモイル
オキシ、Ｎ−フェニルカルバモイルオキシ等のカルバモ
イルオキシ基を挙げることができる。Ｚがアルカノイル
チオ基の場合、具体的には、アセチルチオ、プロピオニ
ルチオ等のアルカノイルチオ基を挙げることができる。
【００２７】Ｚがアロイルチオ基の場合、具体的には、
ベンゾイルチオ等のアロイルチオ基を挙げることができ
る。Ｚがアルキルチオ基の場合、具体的には、メチルチ
オ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブ
チルチオ、イソブチルチオ、ｔｅｒｔ−ブチルチオ等の
アルキルチオ基を挙げることができる。Ｚがアリールチ
オ基の場合、具体的には、フェニルチオ等のアリールチ
オ基を挙げることができる。Ｚがアルキルスルフィニル
基の場合、具体的には、メタンスルフィニル、エタンス
ルフィニル、プロパンスルフィニル、ブタンスルフィニ
ル等のアルキルスルフィニル基を挙げることができる。
ベンゾイルチオ等のアロイルチオ基を挙げることができ
る。Ｚがアルキルチオ基の場合、具体的には、メチルチ
オ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブ
チルチオ、イソブチルチオ、ｔｅｒｔ−ブチルチオ等の
アルキルチオ基を挙げることができる。Ｚがアリールチ
オ基の場合、具体的には、フェニルチオ等のアリールチ
オ基を挙げることができる。Ｚがアルキルスルフィニル
基の場合、具体的には、メタンスルフィニル、エタンス
ルフィニル、プロパンスルフィニル、ブタンスルフィニ
ル等のアルキルスルフィニル基を挙げることができる。
【００２８】Ｚがアリールスルフィニル基の場合、具体
的には、ベンゼンスルフィニル、トルエンスルフィニル
等のアリールスルフィニル基を挙げることができる。Ｚ
がアルキルスルホニル基の場合、具体的には、メタンス
ルホニル、エタンスルホニル、プロパンスルホニル、ブ
タンスルホニル等のアルキルスルホニル基を挙げること
ができる。Ｚがアリールスルホニル基の場合、具体的に
は、ベンゼンスルホニル等のアリールスルホニル基を挙
げることができる。Ｚがハロゲン原子の場合、具体的に
は、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子を挙げること
ができる。特に好ましいＺの具体例としては、アセトキ
シ基が例示される。
的には、ベンゼンスルフィニル、トルエンスルフィニル
等のアリールスルフィニル基を挙げることができる。Ｚ
がアルキルスルホニル基の場合、具体的には、メタンス
ルホニル、エタンスルホニル、プロパンスルホニル、ブ
タンスルホニル等のアルキルスルホニル基を挙げること
ができる。Ｚがアリールスルホニル基の場合、具体的に
は、ベンゼンスルホニル等のアリールスルホニル基を挙
げることができる。Ｚがハロゲン原子の場合、具体的に
は、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子を挙げること
ができる。特に好ましいＺの具体例としては、アセトキ
シ基が例示される。
【００２９】一般式（１）のアゼチジノン誘導体の製造
方法としては、特に制限されないが、例えば、Shun−Ic
hi Murahashiら、J. Am. Chem. Soc., Vol. 112, pp.78
20〜7822 (1990) 、Shun−Ichi Murahashiら、Tetrahed
ron Letters, Vol. 32, pp.2145 〜2148 (1991) 、又は
Shun−Ichi Murahashiら、Tetrahedron Letters, Vol.3
2, pp.5991 〜5994 (1991) に記載の方法あるいはこれ
に準ずる方法によって合成することができる。
方法としては、特に制限されないが、例えば、Shun−Ic
hi Murahashiら、J. Am. Chem. Soc., Vol. 112, pp.78
20〜7822 (1990) 、Shun−Ichi Murahashiら、Tetrahed
ron Letters, Vol. 32, pp.2145 〜2148 (1991) 、又は
Shun−Ichi Murahashiら、Tetrahedron Letters, Vol.3
2, pp.5991 〜5994 (1991) に記載の方法あるいはこれ
に準ずる方法によって合成することができる。
【００３０】一般式（１）のアゼチジノン誘導体の具体
例としては、例えば以下のものを挙げることができる。 ４−アセトキシ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチル
シリルオキシエチル］−アゼチジン−２−オン ４−アセトキシ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチルジフェニ
ルシリルオキシエチル］−アゼチジン−２−オン ４−アセトキシ−３−［１−トリエチルシリルオキシエ
チル］−アゼチジン−２−オン ４−アセトキシ−３−［１−トリメチルシリルオキシエ
チル］−アゼチジン−２−オン ４−アセトキシ−３−［１−ジメチルテキシルシリルオ
キシエチル］−アゼチジン−２−オン ４−アセトキシ−３−［１−ヒドロキシエチルエチル］
−アゼチジン−２−オン ４−イソブチリルオキシ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチル
ジメチルシリルオキシエチル］−アゼチジン−２−オン ４−プロピオニルオキシ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチル
ジメチルシリルオキシエチル］−アゼチジン−２−オン ４−ベンゾイルオキシ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチルジ
メチルシリルオキシエチル］−アゼチジン−２−オン 好ましくは、４−アセトキシ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブ
チルジメチルシリルオキシエチル］−アゼチジン−２−
オンを挙げることができる。
例としては、例えば以下のものを挙げることができる。 ４−アセトキシ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチル
シリルオキシエチル］−アゼチジン−２−オン ４−アセトキシ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチルジフェニ
ルシリルオキシエチル］−アゼチジン−２−オン ４−アセトキシ−３−［１−トリエチルシリルオキシエ
チル］−アゼチジン−２−オン ４−アセトキシ−３−［１−トリメチルシリルオキシエ
チル］−アゼチジン−２−オン ４−アセトキシ−３−［１−ジメチルテキシルシリルオ
キシエチル］−アゼチジン−２−オン ４−アセトキシ−３−［１−ヒドロキシエチルエチル］
−アゼチジン−２−オン ４−イソブチリルオキシ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチル
ジメチルシリルオキシエチル］−アゼチジン−２−オン ４−プロピオニルオキシ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチル
ジメチルシリルオキシエチル］−アゼチジン−２−オン ４−ベンゾイルオキシ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブチルジ
メチルシリルオキシエチル］−アゼチジン−２−オン 好ましくは、４−アセトキシ−３−［１−ｔｅｒｔ−ブ
チルジメチルシリルオキシエチル］−アゼチジン−２−
オンを挙げることができる。
【００３１】本発明の一般式（３）のマグネシウム化合
物において、Ｒ5 は、(1) 炭素数１乃至１２のアルキル
基、(2) 炭素数２乃至４のアルケニル基、(3) 炭素数１
乃至４の低級アルキル基が置換していてもよい５乃至８
員環の脂環式基、(4) 炭素数１乃至４の低級アルキル
基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、ハロゲン原子
が置換していてもよいフェニル基、(5) 炭素数１乃至４
の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ
基、ハロゲン原子が置換していてもよいベンジル基であ
る。Ｒ6 は、(1) ハロゲン原子、(2) メタンスルホニル
オキシ基、(3) ベンゼンスルホニルオキシ基、(4) ｐ−
トルエンスルホニルオキシ基、(5) トリフルオロメタン
スルホニルオキシ基、(6) ハロゲン原子、シアノ基が置
換していてもよいアセトキシ基、又は(7) ＯＲ7 基（Ｒ
7 は炭素数１乃至４の低級アルキル基、置換基を有して
いてもよいフェニル基、又は置換基を有していてもよい
ベンジル基である。）である。
物において、Ｒ5 は、(1) 炭素数１乃至１２のアルキル
基、(2) 炭素数２乃至４のアルケニル基、(3) 炭素数１
乃至４の低級アルキル基が置換していてもよい５乃至８
員環の脂環式基、(4) 炭素数１乃至４の低級アルキル
基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、ハロゲン原子
が置換していてもよいフェニル基、(5) 炭素数１乃至４
の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ
基、ハロゲン原子が置換していてもよいベンジル基であ
る。Ｒ6 は、(1) ハロゲン原子、(2) メタンスルホニル
オキシ基、(3) ベンゼンスルホニルオキシ基、(4) ｐ−
トルエンスルホニルオキシ基、(5) トリフルオロメタン
スルホニルオキシ基、(6) ハロゲン原子、シアノ基が置
換していてもよいアセトキシ基、又は(7) ＯＲ7 基（Ｒ
7 は炭素数１乃至４の低級アルキル基、置換基を有して
いてもよいフェニル基、又は置換基を有していてもよい
ベンジル基である。）である。
【００３２】ここで、マグネシウム化合物（３）のＲ5
の具体例としては、(1) メチル、エチル、プロピル、イ
ソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ
ｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オク
チル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシルなどの炭
素数１乃至１２のアルキル基、(2) ビニル、アリル、1-
プロペニル、イソプロペニル、1-ブテニル、2-ブテニ
ル、2-メチルアリルなどの炭素数２乃至４のアルケニル
基、(3) シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプ
チル、シクロオクチルなどの置換基を有していてもよい
５乃至８員環の脂環式基（ここで置換基とは、メチル、
エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチ
ル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチルなどの炭素数１
乃至４の低級アルキル基である。）、(4),(5) 置換基を
有していてもよいフェニル基または置換基を有していて
もよいベンジル基（ここで置換基とは、メチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓ
ｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチルなどの炭素数１乃至４
の低級アルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、
イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブ
トキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシなどの炭素数１乃至４の低
級アルコキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨ
ウ素原子などのハロゲン原子である。）を例示すること
ができる。
の具体例としては、(1) メチル、エチル、プロピル、イ
ソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ
ｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オク
チル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシルなどの炭
素数１乃至１２のアルキル基、(2) ビニル、アリル、1-
プロペニル、イソプロペニル、1-ブテニル、2-ブテニ
ル、2-メチルアリルなどの炭素数２乃至４のアルケニル
基、(3) シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプ
チル、シクロオクチルなどの置換基を有していてもよい
５乃至８員環の脂環式基（ここで置換基とは、メチル、
エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチ
ル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチルなどの炭素数１
乃至４の低級アルキル基である。）、(4),(5) 置換基を
有していてもよいフェニル基または置換基を有していて
もよいベンジル基（ここで置換基とは、メチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓ
ｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチルなどの炭素数１乃至４
の低級アルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、
イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブ
トキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシなどの炭素数１乃至４の低
級アルコキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨ
ウ素原子などのハロゲン原子である。）を例示すること
ができる。
【００３３】Ｒ6 の具体例としては、(1) フッ素原子、
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子、
(2) メタンスルホニルオキシ基、(3) ベンゼンスルホニ
ルオキシ基、(4) ｐ−トルエンスルホニルオキシ基、
(5) トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、(6) ハロ
ゲン原子、シアノ基が置換していてもよいアセトキシ基
（ここで、具体例としてはα−フルオロアセトキシ、α
−クロロアセトキシ、α−ブロモアセトキシ、α−ヨー
ドアセトキシ、α, α−ジフルオロアセトキシ、α, α
−ジクロロアセトキシ、α−シアノアセトキシなどのハ
ロゲン原子、シアノ基が置換していてもよいアセトキシ
基である。）、(7) ＯＲ7 基（ここで、Ｒ7 の具体例と
してはメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチルな
どの炭素数１乃至４の低級アルキル基、置換基を有して
いてもよいフェニル基または置換基を有していてもよい
ベンジル基（ここで置換基とは、メチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブ
チル、ｔｅｒｔ−ブチルなどの炭素数１乃至４の低級ア
ルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロ
ポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、
ｔｅｒｔ−ブトキシなどの炭素数１乃至４の低級アルコ
キシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子
などのハロゲン原子である。）が例示される。）などを
例示することができる。
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子、
(2) メタンスルホニルオキシ基、(3) ベンゼンスルホニ
ルオキシ基、(4) ｐ−トルエンスルホニルオキシ基、
(5) トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、(6) ハロ
ゲン原子、シアノ基が置換していてもよいアセトキシ基
（ここで、具体例としてはα−フルオロアセトキシ、α
−クロロアセトキシ、α−ブロモアセトキシ、α−ヨー
ドアセトキシ、α, α−ジフルオロアセトキシ、α, α
−ジクロロアセトキシ、α−シアノアセトキシなどのハ
ロゲン原子、シアノ基が置換していてもよいアセトキシ
基である。）、(7) ＯＲ7 基（ここで、Ｒ7 の具体例と
してはメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチルな
どの炭素数１乃至４の低級アルキル基、置換基を有して
いてもよいフェニル基または置換基を有していてもよい
ベンジル基（ここで置換基とは、メチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブ
チル、ｔｅｒｔ−ブチルなどの炭素数１乃至４の低級ア
ルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロ
ポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、
ｔｅｒｔ−ブトキシなどの炭素数１乃至４の低級アルコ
キシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子
などのハロゲン原子である。）が例示される。）などを
例示することができる。
【００３４】具体的な一般式（３）のマグネシウム化合
物としては、メチルマグネシウムクロリド、メチルマグ
ネシウムブロミド、メチルマグネシウムヨージド、メチ
ルマグネシウムメタンスルホナート、メチルマグネシウ
ムｐ−トルエンスルホナート、メチルマグネシウムメト
キシド、メチルマグネシウムエトキシド、メチルマグネ
シウムｔｅｒｔ−ブトキシド、メチルマグネシウムフェ
ノキシド、エチルマグネシウムクロリド、エチルマグネ
シウムブロミド、エチルマグネシウムヨージド、エチル
マグネシウムメタンスルホナート、エチルマグネシウム
ｐ−トルエンスルホナート、エチルマグネシウムメトキ
シド、エチルマグネシウムエトキシド、エチルマグネシ
ウムｔｅｒｔ−ブトキシド、エチルマグネシウムフェノ
キシド、プロピルマグネシウムクロリド、プロピルマグ
ネシウムブロミド、プロピルマグネシウムヨージド、プ
ロピルマグネシウムメタンスルホナート、プロピルマグ
ネシウムｐ−トルエンスルホナート、プロピルマグネシ
ウムメトキシド、プロピルマグネシウムエトキシド、プ
ロピルマグネシウムｔｅｒｔ−ブトキシド、プロピルマ
グネシウムフェノキシド、ｉｓｏ−プロピルマグネシウ
ムクロリド、ｉｓｏ−プロピルマグネシウムブロミド、
ｉｓｏ−プロピルマグネシウムヨージド、ｉｓｏ−プロ
ピルマグネシウムメタンスルホナート、ｉｓｏ−プロピ
ルマグネシウムｐ−トルエンスルホナート、ｉｓｏ−プ
ロピルマグネシウムメトキシド、ｉｓｏ−プロピルマグ
ネシウムエトキシド、ｉｓｏ−プロピルマグネシウムｔ
ｅｒｔ−ブトキシド、ｉｓｏ−プロピルマグネシウムフ
ェノキシド、ｎ−ブチルマグネシウムクロリド、ｎ−ブ
チルマグネシウムブロミド、ｎ−ブチルマグネシウムヨ
ージド、ｎ−ブチルマグネシウムメタンスルホナート、
ｎ−ブチルマグネシウムｐ−トルエンスルホナート、ｎ
−ブチルマグネシウムメトキシド、ｎ−ブチルマグネシ
ウムエトキシド、ｎ−ブチルマグネシウムｔｅｒｔ−ブ
トキシド、ｎ−ブチルマグネシウムフェノキシド、ｉｓ
ｏ−ブチルマグネシウムクロリド、ｉｓｏ−ブチルマグ
ネシウムブロミド、ｉｓｏ−ブチルマグネシウムヨージ
ド、ｉｓｏ−ブチルマグネシウムメタンスルホナート、
ｉｓｏ−ブチルマグネシウムｐ−トルエンスルホナー
ト、ｉｓｏ−ブチルマグネシウムメトキシド、ｉｓｏ−
ブチルマグネシウムエトキシド、ｉｓｏ−ブチルマグネ
シウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ｉｓｏ−ブチルマグネシ
ウムフェノキシド、ｓｅｃ−ブチルマグネシウムクロリ
ド、ｓｅｃ−ブチルマグネシウムブロミド、ｓｅｃ−ブ
チルマグネシウムヨージド、ｓｅｃ−ブチルマグネシウ
ムメタンスルホナート、ｓｅｃ−ブチルマグネシウムｐ
−トルエンスルホナート、ｓｅｃ−ブチルマグネシウム
メトキシド、ｓｅｃ−ブチルマグネシウムエトキシド、
ｓｅｃ−ブチルマグネシウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ｓ
ｅｃ−ブチルマグネシウムフェノキシド、ｉｓｏ−ブチ
ルマグネシウムクロリド、ｉｓｏ−ブチルマグネシウム
ブロミド、ｉｓｏ−ブチルマグネシウムメタンスルホナ
ート、ｉｓｏ−ブチルマグネシウムｐ−トルエンスルホ
ナート、ｉｓｏ−ブチルマグネシウムメトキシド、ｉｓ
ｏ−ブチルマグネシウムエトキシド、ｉｓｏ−ブチルマ
グネシウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ｉｓｏ−ブチルマグ
ネシウムフェノキシド、ｔｅｒｔ−ブチルマグネシウム
クロリド、ｔｅｒｔ−ブチルマグネシウムブロミド、ｔ
ｅｒｔ−ブチルマグネシウムヨージド、ｔｅｒｔ−ブチ
ルマグネシウムメタンスルホナート、ｔｅｒｔ−ブチル
マグネシウムｐ−トルエンスルホナート、ｔｅｒｔ−ブ
チルマグネシウムメトキシド、ｔｅｒｔ−ブチルマグネ
シウムエトキシド、ｔｅｒｔ−ブチルマグネシウムｔｅ
ｒｔ−ブトキシド、ｔｅｒｔ−ブチルマグネシウムフェ
ノキシド、シクロペンチルマグネシウムクロリド、シク
ロペンチルマグネシウムブロミド、シクロペンチルマグ
ネシウムヨージド、シクロペンチルマグネシウムメタン
スルホナート、シクロペンチルマグネシウムｐ−トルエ
ンスルホナート、シクロペンチルマグネシウムメトキシ
ド、シクロペンチルマグネシウムエトキシド、シクロペ
ンチルマグネシウムｔｅｒｔ−ブトキシド、シクロペン
チルマグネシウムフェノキシド、シクロヘキシルマグネ
シウムクロリド、シクロヘキシルマグネシウムブロミ
ド、シクロヘキシルマグネシウムヨージド、シクロヘキ
シルマグネシウムメタンスルホナート、シクロヘキシル
マグネシウムｐ−トルエンスルホナート、シクロヘキシ
ルマグネシウムメトキシド、シクロヘキシルマグネシウ
ムエトキシド、シクロヘキシルマグネシウムｔｅｒｔ−
ブトキシド、シクロヘキシルマグネシウムフェノキシ
ド、フェニルマグネシウムクロリド、フェニルマグネシ
ウムブロミド、フェニルマグネシウムヨージド、フェニ
ルマグネシウムメタンスルホナート、フェニルマグネシ
ウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ｐ−トリルマグネシウムク
ロリド、ｐ−トリルマグネシウムブロミド、ｐ−トリル
マグネシウムヨージド、ｐ−トリルマグネシウムメタン
スルホナート、ｐ−トリルマグネシウムｐ−トルエンス
ルホナート、ｐ−トリルマグネシウムメトキシド、ｐ−
トリルマグネシウムエトキシド、ｐ−トリルマグネシウ
ムｔｅｒｔ−ブトキシド、ｐ−トリルマグネシウムフェ
ノキシドを例示することができる。
物としては、メチルマグネシウムクロリド、メチルマグ
ネシウムブロミド、メチルマグネシウムヨージド、メチ
ルマグネシウムメタンスルホナート、メチルマグネシウ
ムｐ−トルエンスルホナート、メチルマグネシウムメト
キシド、メチルマグネシウムエトキシド、メチルマグネ
シウムｔｅｒｔ−ブトキシド、メチルマグネシウムフェ
ノキシド、エチルマグネシウムクロリド、エチルマグネ
シウムブロミド、エチルマグネシウムヨージド、エチル
マグネシウムメタンスルホナート、エチルマグネシウム
ｐ−トルエンスルホナート、エチルマグネシウムメトキ
シド、エチルマグネシウムエトキシド、エチルマグネシ
ウムｔｅｒｔ−ブトキシド、エチルマグネシウムフェノ
キシド、プロピルマグネシウムクロリド、プロピルマグ
ネシウムブロミド、プロピルマグネシウムヨージド、プ
ロピルマグネシウムメタンスルホナート、プロピルマグ
ネシウムｐ−トルエンスルホナート、プロピルマグネシ
ウムメトキシド、プロピルマグネシウムエトキシド、プ
ロピルマグネシウムｔｅｒｔ−ブトキシド、プロピルマ
グネシウムフェノキシド、ｉｓｏ−プロピルマグネシウ
ムクロリド、ｉｓｏ−プロピルマグネシウムブロミド、
ｉｓｏ−プロピルマグネシウムヨージド、ｉｓｏ−プロ
ピルマグネシウムメタンスルホナート、ｉｓｏ−プロピ
ルマグネシウムｐ−トルエンスルホナート、ｉｓｏ−プ
ロピルマグネシウムメトキシド、ｉｓｏ−プロピルマグ
ネシウムエトキシド、ｉｓｏ−プロピルマグネシウムｔ
ｅｒｔ−ブトキシド、ｉｓｏ−プロピルマグネシウムフ
ェノキシド、ｎ−ブチルマグネシウムクロリド、ｎ−ブ
チルマグネシウムブロミド、ｎ−ブチルマグネシウムヨ
ージド、ｎ−ブチルマグネシウムメタンスルホナート、
ｎ−ブチルマグネシウムｐ−トルエンスルホナート、ｎ
−ブチルマグネシウムメトキシド、ｎ−ブチルマグネシ
ウムエトキシド、ｎ−ブチルマグネシウムｔｅｒｔ−ブ
トキシド、ｎ−ブチルマグネシウムフェノキシド、ｉｓ
ｏ−ブチルマグネシウムクロリド、ｉｓｏ−ブチルマグ
ネシウムブロミド、ｉｓｏ−ブチルマグネシウムヨージ
ド、ｉｓｏ−ブチルマグネシウムメタンスルホナート、
ｉｓｏ−ブチルマグネシウムｐ−トルエンスルホナー
ト、ｉｓｏ−ブチルマグネシウムメトキシド、ｉｓｏ−
ブチルマグネシウムエトキシド、ｉｓｏ−ブチルマグネ
シウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ｉｓｏ−ブチルマグネシ
ウムフェノキシド、ｓｅｃ−ブチルマグネシウムクロリ
ド、ｓｅｃ−ブチルマグネシウムブロミド、ｓｅｃ−ブ
チルマグネシウムヨージド、ｓｅｃ−ブチルマグネシウ
ムメタンスルホナート、ｓｅｃ−ブチルマグネシウムｐ
−トルエンスルホナート、ｓｅｃ−ブチルマグネシウム
メトキシド、ｓｅｃ−ブチルマグネシウムエトキシド、
ｓｅｃ−ブチルマグネシウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ｓ
ｅｃ−ブチルマグネシウムフェノキシド、ｉｓｏ−ブチ
ルマグネシウムクロリド、ｉｓｏ−ブチルマグネシウム
ブロミド、ｉｓｏ−ブチルマグネシウムメタンスルホナ
ート、ｉｓｏ−ブチルマグネシウムｐ−トルエンスルホ
ナート、ｉｓｏ−ブチルマグネシウムメトキシド、ｉｓ
ｏ−ブチルマグネシウムエトキシド、ｉｓｏ−ブチルマ
グネシウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ｉｓｏ−ブチルマグ
ネシウムフェノキシド、ｔｅｒｔ−ブチルマグネシウム
クロリド、ｔｅｒｔ−ブチルマグネシウムブロミド、ｔ
ｅｒｔ−ブチルマグネシウムヨージド、ｔｅｒｔ−ブチ
ルマグネシウムメタンスルホナート、ｔｅｒｔ−ブチル
マグネシウムｐ−トルエンスルホナート、ｔｅｒｔ−ブ
チルマグネシウムメトキシド、ｔｅｒｔ−ブチルマグネ
シウムエトキシド、ｔｅｒｔ−ブチルマグネシウムｔｅ
ｒｔ−ブトキシド、ｔｅｒｔ−ブチルマグネシウムフェ
ノキシド、シクロペンチルマグネシウムクロリド、シク
ロペンチルマグネシウムブロミド、シクロペンチルマグ
ネシウムヨージド、シクロペンチルマグネシウムメタン
スルホナート、シクロペンチルマグネシウムｐ−トルエ
ンスルホナート、シクロペンチルマグネシウムメトキシ
ド、シクロペンチルマグネシウムエトキシド、シクロペ
ンチルマグネシウムｔｅｒｔ−ブトキシド、シクロペン
チルマグネシウムフェノキシド、シクロヘキシルマグネ
シウムクロリド、シクロヘキシルマグネシウムブロミ
ド、シクロヘキシルマグネシウムヨージド、シクロヘキ
シルマグネシウムメタンスルホナート、シクロヘキシル
マグネシウムｐ−トルエンスルホナート、シクロヘキシ
ルマグネシウムメトキシド、シクロヘキシルマグネシウ
ムエトキシド、シクロヘキシルマグネシウムｔｅｒｔ−
ブトキシド、シクロヘキシルマグネシウムフェノキシ
ド、フェニルマグネシウムクロリド、フェニルマグネシ
ウムブロミド、フェニルマグネシウムヨージド、フェニ
ルマグネシウムメタンスルホナート、フェニルマグネシ
ウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ｐ−トリルマグネシウムク
ロリド、ｐ−トリルマグネシウムブロミド、ｐ−トリル
マグネシウムヨージド、ｐ−トリルマグネシウムメタン
スルホナート、ｐ−トリルマグネシウムｐ−トルエンス
ルホナート、ｐ−トリルマグネシウムメトキシド、ｐ−
トリルマグネシウムエトキシド、ｐ−トリルマグネシウ
ムｔｅｒｔ−ブトキシド、ｐ−トリルマグネシウムフェ
ノキシドを例示することができる。
【００３５】好ましい一般式（３）で表されるマグネシ
ウム化合物の具体例としては、メチルマグネシウムクロ
リド、メチルマグネシウムブロミド、メチルマグネシウ
ムヨージド、メチルマグネシウムメタンスルホナート、
メチルマグネシウムｔｅｒｔ−ブトキシド、エチルマグ
ネシウムクロリド、エチルマグネシウムブロミド、エチ
ルマグネシウムヨージド、エチルマグネシウムメタンス
ルホナート、エチルマグネシウムｔｅｒｔ−ブトキシ
ド、プロピルマグネシウムクロリド、プロピルマグネシ
ウムブロミド、プロピルマグネシウムヨージド、プロピ
ルマグネシウムメタンスルホナート、プロピルマグネシ
ウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ｉｓｏ−プロピルマグネシ
ウムクロリド、ｉｓｏ−プロピルマグネシウムブロミ
ド、ｉｓｏ−プロピルマグネシウムヨージド、ｉｓｏ−
プロピルマグネシウムメタンスルホナート、ｉｓｏ−プ
ロピルマグネシウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ｎ−ブチル
マグネシウムクロリド、ｎ−ブチルマグネシウムブロミ
ド、ｎ−ブチルマグネシウムヨージド、ｎ−ブチルマグ
ネシウムメタンスルホナート、ｎ−ブチルマグネシウム
ｔｅｒｔ−ブトキシド、ｓｅｃ−ブチルマグネシウムク
ロリド、ｓｅｃ−ブチルマグネシウムブロミド、ｓｅｃ
−ブチルマグネシウムヨージド、ｓｅｃ−ブチルマグネ
シウムメタンスルホナート、ｓｅｃ−ブチルマグネシウ
ムｔｅｒｔ−ブトキシド、ｉｓｏ−ブチルマグネシウム
クロリド、ｉｓｏ−ブチルマグネシウムブロミド、ｉｓ
ｏ−ブチルマグネシウムヨージド、ｉｓｏ−ブチルマグ
ネシウムメタンスルホナート、ｉｓｏ−ブチルマグネシ
ウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ｔｅｒｔ−ブチルマグネシ
ウムクロリド、ｔｅｒｔ−ブチルマグネシウムブロミ
ド、ｔｅｒｔ−ブチルマグネシウムヨージド、ｔｅｒｔ
−ブチルマグネシウムメタンスルホナート、ｔｅｒｔ−
ブチルマグネシウムｔｅｒｔ−ブトキシド、フェニルマ
グネシウムクロリド、フェニルマグネシウムブロミド、
フェニルマグネシウムヨージド、フェニルマグネシウム
メタンスルホナート、フェニルマグネシウムｔｅｒｔ−
ブトキシド、ｐ−トリルマグネシウムクロリド、ｐ−ト
リルマグネシウムブロミド、ｐ−トリルマグネシウムヨ
ージド、ｐ−トリルマグネシウムメタンスルホナート、
ｐ−トリルマグネシウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ベンジ
ルマグネシウムクロリド、ベンジルマグネシウムブロミ
ド、ベンジルマグネシウムヨージド、ベンジルマグネシ
ウムメタンスルホナート、ベンジルマグネシウムｔｅｒ
ｔ−ブトキシドなどが挙げられる。
ウム化合物の具体例としては、メチルマグネシウムクロ
リド、メチルマグネシウムブロミド、メチルマグネシウ
ムヨージド、メチルマグネシウムメタンスルホナート、
メチルマグネシウムｔｅｒｔ−ブトキシド、エチルマグ
ネシウムクロリド、エチルマグネシウムブロミド、エチ
ルマグネシウムヨージド、エチルマグネシウムメタンス
ルホナート、エチルマグネシウムｔｅｒｔ−ブトキシ
ド、プロピルマグネシウムクロリド、プロピルマグネシ
ウムブロミド、プロピルマグネシウムヨージド、プロピ
ルマグネシウムメタンスルホナート、プロピルマグネシ
ウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ｉｓｏ−プロピルマグネシ
ウムクロリド、ｉｓｏ−プロピルマグネシウムブロミ
ド、ｉｓｏ−プロピルマグネシウムヨージド、ｉｓｏ−
プロピルマグネシウムメタンスルホナート、ｉｓｏ−プ
ロピルマグネシウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ｎ−ブチル
マグネシウムクロリド、ｎ−ブチルマグネシウムブロミ
ド、ｎ−ブチルマグネシウムヨージド、ｎ−ブチルマグ
ネシウムメタンスルホナート、ｎ−ブチルマグネシウム
ｔｅｒｔ−ブトキシド、ｓｅｃ−ブチルマグネシウムク
ロリド、ｓｅｃ−ブチルマグネシウムブロミド、ｓｅｃ
−ブチルマグネシウムヨージド、ｓｅｃ−ブチルマグネ
シウムメタンスルホナート、ｓｅｃ−ブチルマグネシウ
ムｔｅｒｔ−ブトキシド、ｉｓｏ−ブチルマグネシウム
クロリド、ｉｓｏ−ブチルマグネシウムブロミド、ｉｓ
ｏ−ブチルマグネシウムヨージド、ｉｓｏ−ブチルマグ
ネシウムメタンスルホナート、ｉｓｏ−ブチルマグネシ
ウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ｔｅｒｔ−ブチルマグネシ
ウムクロリド、ｔｅｒｔ−ブチルマグネシウムブロミ
ド、ｔｅｒｔ−ブチルマグネシウムヨージド、ｔｅｒｔ
−ブチルマグネシウムメタンスルホナート、ｔｅｒｔ−
ブチルマグネシウムｔｅｒｔ−ブトキシド、フェニルマ
グネシウムクロリド、フェニルマグネシウムブロミド、
フェニルマグネシウムヨージド、フェニルマグネシウム
メタンスルホナート、フェニルマグネシウムｔｅｒｔ−
ブトキシド、ｐ−トリルマグネシウムクロリド、ｐ−ト
リルマグネシウムブロミド、ｐ−トリルマグネシウムヨ
ージド、ｐ−トリルマグネシウムメタンスルホナート、
ｐ−トリルマグネシウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ベンジ
ルマグネシウムクロリド、ベンジルマグネシウムブロミ
ド、ベンジルマグネシウムヨージド、ベンジルマグネシ
ウムメタンスルホナート、ベンジルマグネシウムｔｅｒ
ｔ−ブトキシドなどが挙げられる。
【００３６】マグネシウム化合物（３）の製造方法とし
ては特に制限されないが、例えば、D.A.Shirley ；Org.
React., Vol. 8, pp. 28 〜58 (1954) に記載の方法あ
るいはこれは準ずる方法により合成することができる。
また、市販品を使用してもよい。
ては特に制限されないが、例えば、D.A.Shirley ；Org.
React., Vol. 8, pp. 28 〜58 (1954) に記載の方法あ
るいはこれは準ずる方法により合成することができる。
また、市販品を使用してもよい。
【００３７】本発明におけるアミド化合物は、一般式
（２）
（２）
【００３８】
【化２７】
【００３９】（式中、Ｒ2 は、水素原子又は炭素数１乃
至４の低級アルキル基である。Ｒ3 は、(1) 炭素数１乃
至１２のアルキル基、(2) 炭素数２乃至５のアルケニル
基、(3) 炭素数１乃至６のオルガノシリル基、(4) 炭素
数１乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級ア
ルコキシ基、ニトロ基もしくはハロゲン原子が置換して
いてもよいフェニル基、(5) 炭素数１乃至４の低級アル
キル基が置換していてもよい炭素数６乃至１３のアラル
キル基、(6) 炭素数１乃至４の低級アルキル基が置換し
ていてもよい５乃至８員環の脂環式基、又は(7) ナフチ
ル基である。Ｒ4は、電子吸引基である。或いは、Ｒ3
及びＲ4 は、隣接する窒素原子と一緒になって複素環を
形成していてもよい。）で表わされるアミド化合物であ
る。
至４の低級アルキル基である。Ｒ3 は、(1) 炭素数１乃
至１２のアルキル基、(2) 炭素数２乃至５のアルケニル
基、(3) 炭素数１乃至６のオルガノシリル基、(4) 炭素
数１乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級ア
ルコキシ基、ニトロ基もしくはハロゲン原子が置換して
いてもよいフェニル基、(5) 炭素数１乃至４の低級アル
キル基が置換していてもよい炭素数６乃至１３のアラル
キル基、(6) 炭素数１乃至４の低級アルキル基が置換し
ていてもよい５乃至８員環の脂環式基、又は(7) ナフチ
ル基である。Ｒ4は、電子吸引基である。或いは、Ｒ3
及びＲ4 は、隣接する窒素原子と一緒になって複素環を
形成していてもよい。）で表わされるアミド化合物であ
る。
【００４０】アミド化合物（２）のＲ2 の具体例として
は、水素原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−
ブチルなどの炭素数１乃至４の低級アルキル基を例示す
ることができる。アミド化合物（２）のＲ3 において、
Ｒ3 が、(1) 炭素数１乃至１２のアルキル基の具体例と
しては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブ
チル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニ
ル、デシル、ウンデシル、ドデシルなどを例示すること
ができる。
は、水素原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−
ブチルなどの炭素数１乃至４の低級アルキル基を例示す
ることができる。アミド化合物（２）のＲ3 において、
Ｒ3 が、(1) 炭素数１乃至１２のアルキル基の具体例と
しては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブ
チル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニ
ル、デシル、ウンデシル、ドデシルなどを例示すること
ができる。
【００４１】Ｒ3 が、(2) 炭素数２乃至５のアルケニル
基の具体例としては、ビニル、アリル、1-プロペニル、
イソプロペニル、1-ブテニル、2-ブテニル、2-メチルア
リルなどを例示することができる。Ｒ3 が、(3) 炭素数
１乃至６のオルガノシリル基の具体例としては、ｔｅｒ
ｔ−ブチルジメチルシリル、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニ
ルシリル、トリエチルシリル、ジメチルクミルシリル、
トリイソプロピルシリル、ジメチルヘキシルシリル、ジ
メチルテキシルシリルなどを例示することができる。
基の具体例としては、ビニル、アリル、1-プロペニル、
イソプロペニル、1-ブテニル、2-ブテニル、2-メチルア
リルなどを例示することができる。Ｒ3 が、(3) 炭素数
１乃至６のオルガノシリル基の具体例としては、ｔｅｒ
ｔ−ブチルジメチルシリル、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニ
ルシリル、トリエチルシリル、ジメチルクミルシリル、
トリイソプロピルシリル、ジメチルヘキシルシリル、ジ
メチルテキシルシリルなどを例示することができる。
【００４２】Ｒ3 が、(4) 炭素数１乃至４の低級アルキ
ル基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、ニトロ基も
しくはハロゲン原子が置換していてもよいフェニル基の
場合、ここで置換基の具体例としては、メチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓ
ｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチルなどの炭素数１乃至４
の低級アルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、
イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブ
トキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシなどの炭素数１乃至４の低
級アルコキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨ
ウ素原子などのハロゲン原子、ニトロ基などを例示する
ことができる。
ル基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、ニトロ基も
しくはハロゲン原子が置換していてもよいフェニル基の
場合、ここで置換基の具体例としては、メチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓ
ｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチルなどの炭素数１乃至４
の低級アルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、
イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブ
トキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシなどの炭素数１乃至４の低
級アルコキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨ
ウ素原子などのハロゲン原子、ニトロ基などを例示する
ことができる。
【００４３】Ｒ3 が、(5) 炭素数１乃至４の低級アルキ
ル基が置換していてもよい炭素数６乃至１３のアラルキ
ル基の具体例としては、ベンジル、α- フェニルエチ
ル、β- フェニルエチル、α- フェニルプロピル、β-
フェニルプロピル、γ- フェニルプロピル、ナフチルメ
チルなどの炭素数６乃至１３のアラルキル基が例示する
ことができる。ここで置換基の具体例としては、メチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブ
チル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチルなどの炭素数
１乃至４の低級アルキル基を例示することができる。
ル基が置換していてもよい炭素数６乃至１３のアラルキ
ル基の具体例としては、ベンジル、α- フェニルエチ
ル、β- フェニルエチル、α- フェニルプロピル、β-
フェニルプロピル、γ- フェニルプロピル、ナフチルメ
チルなどの炭素数６乃至１３のアラルキル基が例示する
ことができる。ここで置換基の具体例としては、メチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブ
チル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチルなどの炭素数
１乃至４の低級アルキル基を例示することができる。
【００４４】Ｒ3 が、(6) 炭素数１乃至４の低級アルキ
ル基が置換していてもよい５乃至８員環の脂環式基の具
体例としては、シクロペンチル、シクロヘキシル、シク
ロヘプチル、シクロオクチルなどの５乃至８員環の脂環
式基が例示することができ、ここで置換基の具体例とし
ては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチルな
どの炭素数１乃至４の低級アルキル基を例示することが
できる。Ｒ3 が、(7) ナフチル基の具体例としては、ナ
フチル基を例示することができる。
ル基が置換していてもよい５乃至８員環の脂環式基の具
体例としては、シクロペンチル、シクロヘキシル、シク
ロヘプチル、シクロオクチルなどの５乃至８員環の脂環
式基が例示することができ、ここで置換基の具体例とし
ては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチルな
どの炭素数１乃至４の低級アルキル基を例示することが
できる。Ｒ3 が、(7) ナフチル基の具体例としては、ナ
フチル基を例示することができる。
【００４５】本発明は、更に、前記記載の一般式（２）
が、下記一般式（５）、（６）、（７）
が、下記一般式（５）、（６）、（７）
【００４６】
【化２８】
【００４７】
【化２９】
【００４８】
【化３０】
【００４９】（式中、Ｒ2 及びＲ3 は、前記と同じ意味
である。Ｘは、酸素原子、硫黄原子又はＮＲ11基（Ｒ11
は置換基を有していてもよいアルキル基、又は置換基を
有していてもよいフェニル基である。）である。Ｙは、
酸素原子、硫黄原子である。Ｒ8 、Ｒ9 、Ｒ10は、(1)
炭素数１乃至１２のアルキル基、(2) 炭素数１乃至４の
低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、
ニトロ基もしくはハロゲン原子が置換していてもよいフ
ェニル基、(3) 炭素数１乃至４の低級アルキル基が置換
していてもよいベンジル基、(4) 炭素数１乃至４の低級
アルキル基が置換していてもよい５乃至７員環の脂環式
基、(5) ナフチル基、又は(6) Ｒ3 と一緒になって４乃
至６員環を形成していてもよい。）で表わされるアミド
化合物から選択される一つである。
である。Ｘは、酸素原子、硫黄原子又はＮＲ11基（Ｒ11
は置換基を有していてもよいアルキル基、又は置換基を
有していてもよいフェニル基である。）である。Ｙは、
酸素原子、硫黄原子である。Ｒ8 、Ｒ9 、Ｒ10は、(1)
炭素数１乃至１２のアルキル基、(2) 炭素数１乃至４の
低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、
ニトロ基もしくはハロゲン原子が置換していてもよいフ
ェニル基、(3) 炭素数１乃至４の低級アルキル基が置換
していてもよいベンジル基、(4) 炭素数１乃至４の低級
アルキル基が置換していてもよい５乃至７員環の脂環式
基、(5) ナフチル基、又は(6) Ｒ3 と一緒になって４乃
至６員環を形成していてもよい。）で表わされるアミド
化合物から選択される一つである。
【００５０】アミド化合物（５）、（６）及び（７）の
Ｒ2 及びＲ3 の具体例としては、前記と同様なものを例
示することができる。アミド化合物（５）、（６）及び
（７）のＸの具体例としては、酸素原子、硫黄原子又は
ＮＲ11基（ここで、Ｒ11の具体例としてはメチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、se
c-ブチル、tert- ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチ
ル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル
等の置換基を有していてもよい炭素数１乃至１２のアル
キル基（ここで置換基の具体例としては、メチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、se
c-ブチル、tert- ブチルなどの炭素数１乃至４の低級ア
ルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロ
ポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、sec-ブトキシ、tert
- ブトキシなどの炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、
フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハ
ロゲン原子、ニトロ基などを例示することができ
る。）、又は置換基を有していてもよいフェニル基（こ
こで置換基の具体例としては、メチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、sec-ブチル、
tert- ブチルなどの炭素数１乃至４の低級アルキル基、
メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブ
トキシ、イソブトキシ、sec-ブトキシ、tert- ブトキシ
などの炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原
子、ニトロ基などを例示することができる。）であ
る。）を例示することができる。
Ｒ2 及びＲ3 の具体例としては、前記と同様なものを例
示することができる。アミド化合物（５）、（６）及び
（７）のＸの具体例としては、酸素原子、硫黄原子又は
ＮＲ11基（ここで、Ｒ11の具体例としてはメチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、se
c-ブチル、tert- ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチ
ル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル
等の置換基を有していてもよい炭素数１乃至１２のアル
キル基（ここで置換基の具体例としては、メチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、se
c-ブチル、tert- ブチルなどの炭素数１乃至４の低級ア
ルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロ
ポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、sec-ブトキシ、tert
- ブトキシなどの炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、
フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハ
ロゲン原子、ニトロ基などを例示することができ
る。）、又は置換基を有していてもよいフェニル基（こ
こで置換基の具体例としては、メチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、sec-ブチル、
tert- ブチルなどの炭素数１乃至４の低級アルキル基、
メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブ
トキシ、イソブトキシ、sec-ブトキシ、tert- ブトキシ
などの炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原
子、ニトロ基などを例示することができる。）であ
る。）を例示することができる。
【００５１】アミド化合物（５）、（６）及び（７）の
Ｙは酸素原子、硫黄原子である。アミド化合物（５）、
（６）及び（７）のＲ8 、Ｒ9 、Ｒ10において、Ｒ8 、
Ｒ9 、Ｒ10が、(1) 炭素数１乃至１２のアルキル基の具
体例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル、イソブチル、sec-ブチル、tert- ブチル、
ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デ
シル、ウンデシル、ドデシルなどを例示することができ
る。
Ｙは酸素原子、硫黄原子である。アミド化合物（５）、
（６）及び（７）のＲ8 、Ｒ9 、Ｒ10において、Ｒ8 、
Ｒ9 、Ｒ10が、(1) 炭素数１乃至１２のアルキル基の具
体例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル、イソブチル、sec-ブチル、tert- ブチル、
ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デ
シル、ウンデシル、ドデシルなどを例示することができ
る。
【００５２】Ｒ8 、Ｒ9 、Ｒ10が、(2) 炭素数１乃至４
の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ
基、ニトロ基もしくはハロゲン原子が置換していてもよ
いフェニル基の場合、ここで置換基の具体例としては、
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イ
ソブチル、sec-ブチル、tert- ブチルなどの炭素数１乃
至４の低級アルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、sec-ブ
トキシ、tert- ブトキシなどの炭素数１乃至４の低級ア
ルコキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素
原子などのハロゲン原子、ニトロ基などを例示すること
ができる。
の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ
基、ニトロ基もしくはハロゲン原子が置換していてもよ
いフェニル基の場合、ここで置換基の具体例としては、
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イ
ソブチル、sec-ブチル、tert- ブチルなどの炭素数１乃
至４の低級アルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、sec-ブ
トキシ、tert- ブトキシなどの炭素数１乃至４の低級ア
ルコキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素
原子などのハロゲン原子、ニトロ基などを例示すること
ができる。
【００５３】Ｒ8 、Ｒ9 、Ｒ10が、(3) 炭素数１乃至４
の低級アルキル基が置換していてもよいベンジル基の場
合、ここで置換基の具体例としては、メチル、エチル、
プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、sec-ブ
チル、tert- ブチルなどの炭素数１乃至４の低級アルキ
ル基などを例示することができる。Ｒ8 、Ｒ9 、Ｒ
10が、(4) 炭素数１乃至４の低級アルキル基が置換して
いてもよい５乃至７員環の脂環式基の具体例としては、
シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチルなど
の５乃至７員環の脂環式基が例示することができ、ここ
で、置換基の具体例としては、メチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、sec-ブチル、
tert- ブチルなどの炭素数１乃至４の低級アルキル基を
例示することができる。
の低級アルキル基が置換していてもよいベンジル基の場
合、ここで置換基の具体例としては、メチル、エチル、
プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、sec-ブ
チル、tert- ブチルなどの炭素数１乃至４の低級アルキ
ル基などを例示することができる。Ｒ8 、Ｒ9 、Ｒ
10が、(4) 炭素数１乃至４の低級アルキル基が置換して
いてもよい５乃至７員環の脂環式基の具体例としては、
シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチルなど
の５乃至７員環の脂環式基が例示することができ、ここ
で、置換基の具体例としては、メチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、sec-ブチル、
tert- ブチルなどの炭素数１乃至４の低級アルキル基を
例示することができる。
【００５４】Ｒ8 、Ｒ9 、Ｒ10が、(5) ナフチル基の具
体例としては、ナフチル基を例示することができる。
又、Ｒ8 、Ｒ9 、Ｒ10が、(6) Ｒ3 と一緒になって４乃
至６員環を形成していてもよい。
体例としては、ナフチル基を例示することができる。
又、Ｒ8 、Ｒ9 、Ｒ10が、(6) Ｒ3 と一緒になって４乃
至６員環を形成していてもよい。
【００５５】一般式（５）、（６）及び（７）のアミド
化合物の製造方法としては、特に制限されないが、例え
ば、ＷＯ９３／１３０６４号明細書に記載の方法あるい
はこれに準ずる方法によって合成することができる。
化合物の製造方法としては、特に制限されないが、例え
ば、ＷＯ９３／１３０６４号明細書に記載の方法あるい
はこれに準ずる方法によって合成することができる。
【００５６】一般式（５）のアミド化合物の具体例とし
ては、例えば以下のものを挙げることができる。 Ｎ−シクロヘキシル- Ｎ−ｐ−トルエンスルホニルプロ
ピオンアミド Ｎ−シクロペンチル- Ｎ−ｐ−トルエンスルホニルプロ
ピオンアミド Ｎ−イソプロピル- Ｎ−ｐ−トルエンスルホニルプロピ
オンアミド Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブチル）- Ｎ−ｐ−トルエンスルホニ
ルプロピオンアミド Ｎ−フェニル- Ｎ−ｐ−トルエンスルホニルプロピオン
アミド Ｎ−ベンジル- Ｎ−ｐ−トルエンスルホニルプロピオン
アミド Ｎ−［（Ｓ）−フェネチル］- Ｎ−ｐ−トルエンスルホ
ニルプロピオンアミド Ｎ−［（Ｒ）−フェネチル］- Ｎ−ｐ−トルエンスルホ
ニルプロピオンアミド Ｎ−シクロヘキシル- Ｎ−４−メトキシベンゼンスルホ
ニルプロピオンアミド Ｎ−シクロヘキシル- Ｎ−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼ
ンスルホニルプロピオンアミド Ｎ−シクロヘキシル- Ｎ−２−ナフタレンスルホニルプ
ロピオンアミド Ｎ−シクロヘキシル- Ｎ−４−ブロモベンゼンスルホニ
ルプロピオンアミド Ｎ−（４−クロロフェニル）- Ｎ−ｐ−トルエンスルホ
ニルプロピオンアミド
ては、例えば以下のものを挙げることができる。 Ｎ−シクロヘキシル- Ｎ−ｐ−トルエンスルホニルプロ
ピオンアミド Ｎ−シクロペンチル- Ｎ−ｐ−トルエンスルホニルプロ
ピオンアミド Ｎ−イソプロピル- Ｎ−ｐ−トルエンスルホニルプロピ
オンアミド Ｎ−（ｔｅｒｔ−ブチル）- Ｎ−ｐ−トルエンスルホニ
ルプロピオンアミド Ｎ−フェニル- Ｎ−ｐ−トルエンスルホニルプロピオン
アミド Ｎ−ベンジル- Ｎ−ｐ−トルエンスルホニルプロピオン
アミド Ｎ−［（Ｓ）−フェネチル］- Ｎ−ｐ−トルエンスルホ
ニルプロピオンアミド Ｎ−［（Ｒ）−フェネチル］- Ｎ−ｐ−トルエンスルホ
ニルプロピオンアミド Ｎ−シクロヘキシル- Ｎ−４−メトキシベンゼンスルホ
ニルプロピオンアミド Ｎ−シクロヘキシル- Ｎ−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼ
ンスルホニルプロピオンアミド Ｎ−シクロヘキシル- Ｎ−２−ナフタレンスルホニルプ
ロピオンアミド Ｎ−シクロヘキシル- Ｎ−４−ブロモベンゼンスルホニ
ルプロピオンアミド Ｎ−（４−クロロフェニル）- Ｎ−ｐ−トルエンスルホ
ニルプロピオンアミド
【００５７】一般式（６）のアミド化合物の具体例とし
ては、例えば以下のものを挙げることができる。 Ｎ−メチル−Ｎ−プロピオニルカルバミン酸メチル Ｎ−メチル−Ｎ−プロピオニルチオカルバミン酸メチル Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−プロピオニルカルバミン酸
メチル Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−プロピオニルチオカルバミ
ン酸メチル Ｎ−フェニル−Ｎ−プロピオニルカルバミン酸メチル Ｎ−フェニル−Ｎ−プロピオニルチオカルバミン酸メチ
ル
ては、例えば以下のものを挙げることができる。 Ｎ−メチル−Ｎ−プロピオニルカルバミン酸メチル Ｎ−メチル−Ｎ−プロピオニルチオカルバミン酸メチル Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−プロピオニルカルバミン酸
メチル Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ−プロピオニルチオカルバミ
ン酸メチル Ｎ−フェニル−Ｎ−プロピオニルカルバミン酸メチル Ｎ−フェニル−Ｎ−プロピオニルチオカルバミン酸メチ
ル
【００５８】一般式（７）のアミド化合物の具体例とし
ては、例えば以下のものを挙げることができる。 Ｎ−メチル−Ｎ−プロピオニルベンズアミド Ｎ−エチル−Ｎ−プロピオニルベンズアミド Ｎ−イソプロピル−Ｎ−プロピオニルベンズアミド Ｎ−フェニル−Ｎ−プロピオニルベンズアミド
ては、例えば以下のものを挙げることができる。 Ｎ−メチル−Ｎ−プロピオニルベンズアミド Ｎ−エチル−Ｎ−プロピオニルベンズアミド Ｎ−イソプロピル−Ｎ−プロピオニルベンズアミド Ｎ−フェニル−Ｎ−プロピオニルベンズアミド
【００５９】本発明は、更に、前記記載の一般式（５）
が、下記一般式（８）、（９）、（１０）、（１１）、
（１２）
が、下記一般式（８）、（９）、（１０）、（１１）、
（１２）
【００６０】
【化３１】
【００６１】
【化３２】
【００６２】
【化３３】
【００６３】
【化３４】
【００６４】
【化３５】
【００６５】（式中、Ｒ2 は、前記と同じ意味である。
Ｗは、酸素原子、硫黄原子である。Ｒ12〜Ｒ23は、それ
ぞれ同一であっても異なっていてもよく、(1) 水素原
子、(2)炭素数１乃至１２のアルキル基、(3) 炭素数１
乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級アルコ
キシ基、ニトロ基もしくはハロゲン原子が置換していて
もよいフェニル基、(4) 炭素数１乃至４の低級アルキル
基が置換していてもよいベンジル基、(5) 炭素数１乃至
４の低級アルキル基が置換していてもよい５乃至７員環
の脂環式基、(6) ナフチル基である。(7) Ｒ12〜Ｒ23の
中の同一の炭素原子上の二つが、一緒になって、炭素数
４乃至６のアルキレン基を形成していてもよい。(8) Ｒ
12〜Ｒ23の中の隣接する炭素原子上の二つが、炭素原子
と一緒になって、置換基を有していてもよい芳香族環
（置換基としては、炭素数１乃至４の低級アルキル基、
炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、アリール基、水酸
基、ハロゲン原子である。）を形成していてもよい。
(9) Ｒ12〜Ｒ23の中の隣接する炭素原子上の二つが、一
緒になって、炭素数３乃至６のアルキレン基を形成して
いてもよい。(10)Ｒ12〜Ｒ23の中の隣接する炭素原子上
の二つが、炭素原子と一緒になって、多環式基を形成し
ていてもよい。）で表わされるアミド化合物から選択さ
れる一つである。
Ｗは、酸素原子、硫黄原子である。Ｒ12〜Ｒ23は、それ
ぞれ同一であっても異なっていてもよく、(1) 水素原
子、(2)炭素数１乃至１２のアルキル基、(3) 炭素数１
乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級アルコ
キシ基、ニトロ基もしくはハロゲン原子が置換していて
もよいフェニル基、(4) 炭素数１乃至４の低級アルキル
基が置換していてもよいベンジル基、(5) 炭素数１乃至
４の低級アルキル基が置換していてもよい５乃至７員環
の脂環式基、(6) ナフチル基である。(7) Ｒ12〜Ｒ23の
中の同一の炭素原子上の二つが、一緒になって、炭素数
４乃至６のアルキレン基を形成していてもよい。(8) Ｒ
12〜Ｒ23の中の隣接する炭素原子上の二つが、炭素原子
と一緒になって、置換基を有していてもよい芳香族環
（置換基としては、炭素数１乃至４の低級アルキル基、
炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、アリール基、水酸
基、ハロゲン原子である。）を形成していてもよい。
(9) Ｒ12〜Ｒ23の中の隣接する炭素原子上の二つが、一
緒になって、炭素数３乃至６のアルキレン基を形成して
いてもよい。(10)Ｒ12〜Ｒ23の中の隣接する炭素原子上
の二つが、炭素原子と一緒になって、多環式基を形成し
ていてもよい。）で表わされるアミド化合物から選択さ
れる一つである。
【００６６】アミド化合物（８）、（９）、（１１）及
び（１２）のＲ2 の具体例としては、前記と同様なもの
を例示することができる。アミド化合物（８）、
（９）、（１１）及び（１２）のＷの具体例としては、
酸素原子、硫黄原子である。
び（１２）のＲ2 の具体例としては、前記と同様なもの
を例示することができる。アミド化合物（８）、
（９）、（１１）及び（１２）のＷの具体例としては、
酸素原子、硫黄原子である。
【００６７】アミド化合物（５）、（６）及び（７）の
Ｒ12〜Ｒ23において、Ｒ12〜Ｒ23が、一つは(1) 水素原
子である。Ｒ12〜Ｒ23が、(2) 炭素数１乃至１２のアル
キル基の具体例としては、前記Ｒ8 、Ｒ9 、Ｒ10と同様
なものを例示することができる。Ｒ12〜Ｒ23が、(3) 炭
素数１乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級
アルコキシ基、ニトロ基もしくはハロゲン原子が置換し
ていてもよいフェニル基の具体例としては、前記Ｒ8 、
Ｒ9 、Ｒ10と同様なものを例示することができる。
Ｒ12〜Ｒ23において、Ｒ12〜Ｒ23が、一つは(1) 水素原
子である。Ｒ12〜Ｒ23が、(2) 炭素数１乃至１２のアル
キル基の具体例としては、前記Ｒ8 、Ｒ9 、Ｒ10と同様
なものを例示することができる。Ｒ12〜Ｒ23が、(3) 炭
素数１乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級
アルコキシ基、ニトロ基もしくはハロゲン原子が置換し
ていてもよいフェニル基の具体例としては、前記Ｒ8 、
Ｒ9 、Ｒ10と同様なものを例示することができる。
【００６８】Ｒ12〜Ｒ23が、(4) 炭素数１乃至４の低級
アルキル基が置換していてもよいベンジル基の具体例と
しては、前記Ｒ8 、Ｒ9 、Ｒ10と同様なものを例示する
ことができる。Ｒ12〜Ｒ23が、(5) 炭素数１乃至４の低
級アルキル基が置換していてもよい５乃至７員環の脂環
式基の具体例としては、前記Ｒ8 、Ｒ9 、Ｒ10と同様な
ものを例示することができる。Ｒ12〜Ｒ23が、(6) ナフ
チル基の具体例としては、前記Ｒ8 、Ｒ9 、Ｒ10と同様
なものを例示することができる。
アルキル基が置換していてもよいベンジル基の具体例と
しては、前記Ｒ8 、Ｒ9 、Ｒ10と同様なものを例示する
ことができる。Ｒ12〜Ｒ23が、(5) 炭素数１乃至４の低
級アルキル基が置換していてもよい５乃至７員環の脂環
式基の具体例としては、前記Ｒ8 、Ｒ9 、Ｒ10と同様な
ものを例示することができる。Ｒ12〜Ｒ23が、(6) ナフ
チル基の具体例としては、前記Ｒ8 、Ｒ9 、Ｒ10と同様
なものを例示することができる。
【００６９】Ｒ12〜Ｒ23が、(7) Ｒ12〜Ｒ23の中の同一
の炭素原子上の二つが、一緒になって、炭素数４乃至６
のアルキレン基を形成した場合、具体例としては、1,4-
ブチレン、1,5-ペンチレン、1,6-ヘキシレン、1,7-ヘプ
チレンなどの炭素数４乃至７のアルキレン基を例示する
ことができ、ここで置換基の具体例としては、メチル、
エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチ
ル、sec-ブチル、tert-ブチルなどの炭素数１乃至４の
低級アルキル基を例示することができる。
の炭素原子上の二つが、一緒になって、炭素数４乃至６
のアルキレン基を形成した場合、具体例としては、1,4-
ブチレン、1,5-ペンチレン、1,6-ヘキシレン、1,7-ヘプ
チレンなどの炭素数４乃至７のアルキレン基を例示する
ことができ、ここで置換基の具体例としては、メチル、
エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチ
ル、sec-ブチル、tert-ブチルなどの炭素数１乃至４の
低級アルキル基を例示することができる。
【００７０】Ｒ12〜Ｒ23が、(8) Ｒ12〜Ｒ23の中の隣接
する炭素原子上の二つが、炭素原子と一緒になって、置
換基を有していてもよい芳香族環（置換基としては、炭
素数１乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級
アルコキシ基、アリール基、水酸基、ハロゲン原子であ
る。）を形成した場合、具体例としては、ベンゼン環、
ナフタレン環、フェナントレン環、フラン環、チオフェ
ン環、ベンゾフラン環、イソベンゾフラン環、ピロール
環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジ
ン環、インドール環、イソインドール環、キノリン環、
イソキノリン環などの置換基を有していてもよい芳香族
環（ここで、置換基の具体例としては、メチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、se
c-ブチル、tert- ブチルなどの炭素数１乃至４の低級ア
ルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロ
ポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、sec-ブトキシ、tert
- ブトキシなどの炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、
フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハ
ロゲン原子などである）などを例示することができる。
する炭素原子上の二つが、炭素原子と一緒になって、置
換基を有していてもよい芳香族環（置換基としては、炭
素数１乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級
アルコキシ基、アリール基、水酸基、ハロゲン原子であ
る。）を形成した場合、具体例としては、ベンゼン環、
ナフタレン環、フェナントレン環、フラン環、チオフェ
ン環、ベンゾフラン環、イソベンゾフラン環、ピロール
環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジ
ン環、インドール環、イソインドール環、キノリン環、
イソキノリン環などの置換基を有していてもよい芳香族
環（ここで、置換基の具体例としては、メチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、se
c-ブチル、tert- ブチルなどの炭素数１乃至４の低級ア
ルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロ
ポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、sec-ブトキシ、tert
- ブトキシなどの炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、
フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハ
ロゲン原子などである）などを例示することができる。
【００７１】Ｒ12〜Ｒ23が、(9) Ｒ12〜Ｒ23の中の隣接
する炭素原子上の二つが、一緒になって、炭素数３乃至
６のアルキレン基を形成した場合、具体例としては、1,
3-プロピレン、1,4-ブチレン、1,5-ペンチレン、1,6-ヘ
キシレンなどの置換基を有していてもよい炭素数３乃至
６のアルキレン基（ここで、置換基の具体例としては、
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イ
ソブチル、sec-ブチル、tert- ブチルなどの炭素数１乃
至４の低級アルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、sec-ブ
トキシ、tert-ブトキシなどの炭素数１乃至４の低級ア
ルコキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素
原子などのハロゲン原子、アリール基などである）など
を例示することができる。
する炭素原子上の二つが、一緒になって、炭素数３乃至
６のアルキレン基を形成した場合、具体例としては、1,
3-プロピレン、1,4-ブチレン、1,5-ペンチレン、1,6-ヘ
キシレンなどの置換基を有していてもよい炭素数３乃至
６のアルキレン基（ここで、置換基の具体例としては、
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イ
ソブチル、sec-ブチル、tert- ブチルなどの炭素数１乃
至４の低級アルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、sec-ブ
トキシ、tert-ブトキシなどの炭素数１乃至４の低級ア
ルコキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素
原子などのハロゲン原子、アリール基などである）など
を例示することができる。
【００７２】Ｒ12〜Ｒ23が、(10)Ｒ12〜Ｒ23の中の隣接
する炭素原子上の二つが、炭素原子と一緒になって、多
環式基を形成した場合、具体例としては、インダン、ノ
ルボルナン、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン
などの多環式基（ここで、置換基の具体例としては、メ
チル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソ
ブチル、sec-ブチル、tert- ブチルなどの炭素数１乃至
４の低級アルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、sec-ブ
トキシ、tert- ブトキシなどの炭素数１乃至４の低級ア
ルコキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素
原子などのハロゲン原子などである）などを例示するこ
とができる。
する炭素原子上の二つが、炭素原子と一緒になって、多
環式基を形成した場合、具体例としては、インダン、ノ
ルボルナン、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン
などの多環式基（ここで、置換基の具体例としては、メ
チル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソ
ブチル、sec-ブチル、tert- ブチルなどの炭素数１乃至
４の低級アルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、sec-ブ
トキシ、tert- ブトキシなどの炭素数１乃至４の低級ア
ルコキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素
原子などのハロゲン原子などである）などを例示するこ
とができる。
【００７３】一般式（８）のアミド化合物の製造方法と
しては、特に制限されないが、例えば、米国特許３３４
５３７４号公報に記載の方法で得られるアミン化合物を
公知の方法によりアシル化することによりアミド化合物
（８）を合成することができる。一般式（８）のアミド
化合物の具体例としては、例えばＮ−プロピオニル−２
−オキサ−１，３−スルタム、Ｎ−プロピオニル−１，
２−ベンズイソチアゾール−２，３−ジヒドロ−３−メ
チル−１，１−ジオキシドなどを挙げることができる。
しては、特に制限されないが、例えば、米国特許３３４
５３７４号公報に記載の方法で得られるアミン化合物を
公知の方法によりアシル化することによりアミド化合物
（８）を合成することができる。一般式（８）のアミド
化合物の具体例としては、例えばＮ−プロピオニル−２
−オキサ−１，３−スルタム、Ｎ−プロピオニル−１，
２−ベンズイソチアゾール−２，３−ジヒドロ−３−メ
チル−１，１−ジオキシドなどを挙げることができる。
【００７４】一般式（９）のアミド化合物の製造方法と
しては、特に制限されないが、例えば、Wolfgang Oppol
zer ら、Tetrahedron Letters, Vol. 31, p. 4117 (199
0)に記載の方法あるいはこれに準ずる方法によって合成
することができる。一般式（９）のアミド化合物の具体
例としては、例えばＮ−プロピオニル−ボルナン−１
０，２−スルタムなどを挙げることができる。
しては、特に制限されないが、例えば、Wolfgang Oppol
zer ら、Tetrahedron Letters, Vol. 31, p. 4117 (199
0)に記載の方法あるいはこれに準ずる方法によって合成
することができる。一般式（９）のアミド化合物の具体
例としては、例えばＮ−プロピオニル−ボルナン−１
０，２−スルタムなどを挙げることができる。
【００７５】一般式（１０）のアミド化合物の製造方法
としては、特に制限されないが、例えば、Peter F. Dry
galaら、Synthetic Communications, Vol. 24, p. 4117
(1994) に記載の方法で得られるフェノール−２−スル
ホンアミンを常法によりケタール化することにより得ら
れるアミン化合物を公知の方法によりアシル化すること
によりアミド化合物（１０）を合成することができる。
としては、特に制限されないが、例えば、Peter F. Dry
galaら、Synthetic Communications, Vol. 24, p. 4117
(1994) に記載の方法で得られるフェノール−２−スル
ホンアミンを常法によりケタール化することにより得ら
れるアミン化合物を公知の方法によりアシル化すること
によりアミド化合物（１０）を合成することができる。
【００７６】一般式（１０）のアミド化合物の具体例と
しては、例えば、Ｎ−プロピオニル−４，１，２−ベン
ゾキサチアジン−２，３−ジヒドロ−３−メチル−１，
１−ジオキシドなどを挙げることができる。一般式（１
１）のアミド化合物の製造方法としては、特に制限され
ないが、例えば、ＷＯ９２０５１６４号明細書に記載の
方法で得られるアミン化合物を公知の方法によりアシル
化することによりアミド化合物（１１）を合成すること
ができる。
しては、例えば、Ｎ−プロピオニル−４，１，２−ベン
ゾキサチアジン−２，３−ジヒドロ−３−メチル−１，
１−ジオキシドなどを挙げることができる。一般式（１
１）のアミド化合物の製造方法としては、特に制限され
ないが、例えば、ＷＯ９２０５１６４号明細書に記載の
方法で得られるアミン化合物を公知の方法によりアシル
化することによりアミド化合物（１１）を合成すること
ができる。
【００７７】一般式（１１）のアミド化合物の具体例と
しては、例えばＮ−プロピオニル−１Ｈ−４，２，１−
ベンゾオキサチアジン−２，２−ジオキシドなどを挙げ
ることができる。一般式（１２）のアミド化合物の製造
方法としては、特に制限されないが、例えば、米国特許
３３０３１８９号明細書に記載の方法で得られるアミン
化合物を公知の方法によりアシル化することによりアミ
ド化合物（１２）を合成することができる。一般式（１
２）のアミド化合物の具体例としては、例えばＮ−プロ
ピオニル−２，１−ベンゾチアジン−２，２−ジオキシ
ドなどを挙げることができる。
しては、例えばＮ−プロピオニル−１Ｈ−４，２，１−
ベンゾオキサチアジン−２，２−ジオキシドなどを挙げ
ることができる。一般式（１２）のアミド化合物の製造
方法としては、特に制限されないが、例えば、米国特許
３３０３１８９号明細書に記載の方法で得られるアミン
化合物を公知の方法によりアシル化することによりアミ
ド化合物（１２）を合成することができる。一般式（１
２）のアミド化合物の具体例としては、例えばＮ−プロ
ピオニル−２，１−ベンゾチアジン−２，２−ジオキシ
ドなどを挙げることができる。
【００７８】本発明は、更に、前記記載の一般式（６）
が、下記一般式（１３）、（１４）、（１５）
が、下記一般式（１３）、（１４）、（１５）
【００７９】
【化３６】
【００８０】
【化３７】
【００８１】
【化３８】
【００８２】（式中、Ｒ2 、Ｘ及びＹは、前記と同じ意
味である。Ｑは、酸素原子、硫黄原子である。Ｒ24〜Ｒ
31はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、(1)
水素原子、(2) 炭素数１乃至１２のアルキル基、(3) 炭
素数１乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級
アルコキシ基、ニトロ基もしくはハロゲン原子が置換し
ていてもよいフェニル基、(4) 炭素数１乃至４の低級ア
ルキル基が置換していてもよいベンジル基、(5) 炭素数
１乃至４の低級アルキル基が置換していてもよい５乃至
７員環の脂環式基、(6) ナフチル基である。(7) Ｒ24〜
Ｒ31の中の同一の炭素原子上の二つが、一緒になって、
炭素数４乃至６のアルキレン基を形成していてもよい。
(8) Ｒ24〜Ｒ31の中の隣接する炭素原子上の二つが、炭
素原子と一緒になって、置換基を有していてもよい芳香
族環（置換基としては、炭素数１乃至４の低級アルキル
基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、アリール基、
水酸基、ハロゲン原子である。）を形成していてもよ
い。(9) Ｒ24〜Ｒ31の中の隣接する炭素原子上の二つ
が、一緒になって、炭素数３乃至６のアルキレン基形成
していてもよい。(10)Ｒ24〜Ｒ31の中の隣接する炭素原
子上の二つが、炭素原子と一緒になって、多環式基を形
成していてもよい。）で表わされるアミド化合物から選
択される一つである。
味である。Ｑは、酸素原子、硫黄原子である。Ｒ24〜Ｒ
31はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、(1)
水素原子、(2) 炭素数１乃至１２のアルキル基、(3) 炭
素数１乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級
アルコキシ基、ニトロ基もしくはハロゲン原子が置換し
ていてもよいフェニル基、(4) 炭素数１乃至４の低級ア
ルキル基が置換していてもよいベンジル基、(5) 炭素数
１乃至４の低級アルキル基が置換していてもよい５乃至
７員環の脂環式基、(6) ナフチル基である。(7) Ｒ24〜
Ｒ31の中の同一の炭素原子上の二つが、一緒になって、
炭素数４乃至６のアルキレン基を形成していてもよい。
(8) Ｒ24〜Ｒ31の中の隣接する炭素原子上の二つが、炭
素原子と一緒になって、置換基を有していてもよい芳香
族環（置換基としては、炭素数１乃至４の低級アルキル
基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、アリール基、
水酸基、ハロゲン原子である。）を形成していてもよ
い。(9) Ｒ24〜Ｒ31の中の隣接する炭素原子上の二つ
が、一緒になって、炭素数３乃至６のアルキレン基形成
していてもよい。(10)Ｒ24〜Ｒ31の中の隣接する炭素原
子上の二つが、炭素原子と一緒になって、多環式基を形
成していてもよい。）で表わされるアミド化合物から選
択される一つである。
【００８３】アミド化合物（１３）、（１４）及び（１
５）のＲ2 、Ｘ及びＹの具体例としては、前記と同様な
ものを例示することができる。アミド化合物（１４）の
Ｑの具体例としては、Ｗと同様なものを例示することが
できる。アミド化合物（１３）、（１４）及び（１５）
のＲ24〜Ｒ31の具体例としては、Ｒ12〜Ｒ23と同様なも
のを例示することができる。
５）のＲ2 、Ｘ及びＹの具体例としては、前記と同様な
ものを例示することができる。アミド化合物（１４）の
Ｑの具体例としては、Ｗと同様なものを例示することが
できる。アミド化合物（１３）、（１４）及び（１５）
のＲ24〜Ｒ31の具体例としては、Ｒ12〜Ｒ23と同様なも
のを例示することができる。
【００８４】一般式（１３）のアミド化合物の製造方法
としては、特に制限されないが、例えば、特開昭６３−
１０７６５号公報、特開昭６２−２５２７８６号公報、
特開昭６３−２８４１７６号公報、特開平２−２９２２
６９号公報、特開平２−７８８号公報、特開昭６１−２
７５２６７号公報、特開昭６２−１６９７８１号公報、
特開昭６２−７７３８４号公報、特開昭６３−１７０３
７７号公報、特開昭６２−２４６５５０号公報、特開平
６−６５１９５号公報に記載の方法あるいはこれに準ず
る方法によりアミド化合物（１３）を合成することがで
きる。
としては、特に制限されないが、例えば、特開昭６３−
１０７６５号公報、特開昭６２−２５２７８６号公報、
特開昭６３−２８４１７６号公報、特開平２−２９２２
６９号公報、特開平２−７８８号公報、特開昭６１−２
７５２６７号公報、特開昭６２−１６９７８１号公報、
特開昭６２−７７３８４号公報、特開昭６３−１７０３
７７号公報、特開昭６２−２４６５５０号公報、特開平
６−６５１９５号公報に記載の方法あるいはこれに準ず
る方法によりアミド化合物（１３）を合成することがで
きる。
【００８５】一般式（１３）のアミド化合物の具体例と
しては、例えば、４−メチル−３−プロピオニルオキサ
ゾリジン−２−オン、４，４−ジメチル−３−プロピオ
ニルオキサゾリジン−２−オン、４−フェニル−３−プ
ロピオニルオキサゾリジン−２−オン、４−ベンジル−
３−プロピオニルオキサゾリジン−２−オン、４−イソ
プロピル−３−プロピオニルオキサゾリジン−２−オ
ン、３−プロピオニル−（３ａＳ−ｃｉｓ）−３，３
ａ，８，テトラヒドロ−２Ｈ−インデノ［１，２−ｄ］
オキサゾール−２−オン、３−プロピオニル−（３ａＲ
−ｃｉｓ）−３，３ａ，８，テトラヒドロ−２Ｈ−イン
デノ［１，２−ｄ］オキサゾール−２−オンなどを挙げ
ることができる。
しては、例えば、４−メチル−３−プロピオニルオキサ
ゾリジン−２−オン、４，４−ジメチル−３−プロピオ
ニルオキサゾリジン−２−オン、４−フェニル−３−プ
ロピオニルオキサゾリジン−２−オン、４−ベンジル−
３−プロピオニルオキサゾリジン−２−オン、４−イソ
プロピル−３−プロピオニルオキサゾリジン−２−オ
ン、３−プロピオニル−（３ａＳ−ｃｉｓ）−３，３
ａ，８，テトラヒドロ−２Ｈ−インデノ［１，２−ｄ］
オキサゾール−２−オン、３−プロピオニル−（３ａＲ
−ｃｉｓ）−３，３ａ，８，テトラヒドロ−２Ｈ−イン
デノ［１，２−ｄ］オキサゾール−２−オンなどを挙げ
ることができる。
【００８６】一般式（１４）及び（１５）のアミド化合
物の製造方法としては、特に制限されないが、例えば、
Malcom R. Banks ら、Tetrahedron, Vol. 48, p.7979
(1992) に記載の方法あるいはこれに準ずる方法により
アミド化合物（１４）及び（１５）を合成することがで
きる。一般式（１４）のアミド化合物の具体例として
は、例えば、Ｎ−プロピオニル−テトラヒドロ−１，
５，３−ジオキサジン−２−オンなどを挙げることがで
きる。一般式（１５）のアミド化合物の具体例として
は、例えば、Ｎ−プロピオニル−テトラヒドロ−１，３
−オキサジン−２−オン、Ｎ−プロピオニル−テトラヒ
ドロ−１，３−オキサジン−２−オン−４，４−ジメチ
ルなどを挙げることができる。
物の製造方法としては、特に制限されないが、例えば、
Malcom R. Banks ら、Tetrahedron, Vol. 48, p.7979
(1992) に記載の方法あるいはこれに準ずる方法により
アミド化合物（１４）及び（１５）を合成することがで
きる。一般式（１４）のアミド化合物の具体例として
は、例えば、Ｎ−プロピオニル−テトラヒドロ−１，
５，３−ジオキサジン−２−オンなどを挙げることがで
きる。一般式（１５）のアミド化合物の具体例として
は、例えば、Ｎ−プロピオニル−テトラヒドロ−１，３
−オキサジン−２−オン、Ｎ−プロピオニル−テトラヒ
ドロ−１，３−オキサジン−２−オン−４，４−ジメチ
ルなどを挙げることができる。
【００８７】本発明は、更に、前記記載の一般式（７）
で表される基が、下記一般式（１６）、（１７）、（１
８）、（１９）、（２０）、（２１）
で表される基が、下記一般式（１６）、（１７）、（１
８）、（１９）、（２０）、（２１）
【００８８】
【化３９】
【００８９】
【化４０】
【００９０】
【化４１】
【００９１】
【化４２】
【００９２】
【化４３】
【００９３】
【化４４】
【００９４】（式中、Ｒ2 及びＸは、前記と同じ意味で
ある。Ｕは、酸素原子、硫黄原子である。Ｒ32〜Ｒ
47は、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、
(1) 水素原子、(2) 炭素数１乃至１２のアルキル基、
(3) 炭素数１乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃至４
の低級アルコキシ基、ニトロ基もしくはハロゲン原子が
置換していてもよいフェニル基、(4) 炭素数１乃至４の
低級アルキル基が置換していてもよいベンジル基、(5)
炭素数１乃至４の低級アルキル基が置換していてもよい
５乃至７員環の脂環式基、(6) ナフチル基である。(7)
Ｒ32〜Ｒ47の中の同一の炭素原子上の二つが、一緒にな
って、炭素数４乃至６のアルキレン基を形成していても
よい。(8) Ｒ32〜Ｒ47の中の隣接する炭素原子上の二つ
が、炭素原子と一緒になって、置換基を有していてもよ
い芳香族環（置換基としては、炭素数１乃至４の低級ア
ルキル基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、アリー
ル基、水酸基、ハロゲン原子である。）を形成していて
もよい。(9) Ｒ32〜Ｒ47の中の隣接する炭素原子上の二
つが、一緒になって、炭素数３乃至６のアルキレン基を
形成していてもよい。(10)Ｒ32〜Ｒ47の中の隣接する炭
素原子上の二つが、炭素原子と一緒になって、多環式基
を形成していてもよい。）で表わされるアミド化合物か
ら選択される一つである。
ある。Ｕは、酸素原子、硫黄原子である。Ｒ32〜Ｒ
47は、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、
(1) 水素原子、(2) 炭素数１乃至１２のアルキル基、
(3) 炭素数１乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃至４
の低級アルコキシ基、ニトロ基もしくはハロゲン原子が
置換していてもよいフェニル基、(4) 炭素数１乃至４の
低級アルキル基が置換していてもよいベンジル基、(5)
炭素数１乃至４の低級アルキル基が置換していてもよい
５乃至７員環の脂環式基、(6) ナフチル基である。(7)
Ｒ32〜Ｒ47の中の同一の炭素原子上の二つが、一緒にな
って、炭素数４乃至６のアルキレン基を形成していても
よい。(8) Ｒ32〜Ｒ47の中の隣接する炭素原子上の二つ
が、炭素原子と一緒になって、置換基を有していてもよ
い芳香族環（置換基としては、炭素数１乃至４の低級ア
ルキル基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、アリー
ル基、水酸基、ハロゲン原子である。）を形成していて
もよい。(9) Ｒ32〜Ｒ47の中の隣接する炭素原子上の二
つが、一緒になって、炭素数３乃至６のアルキレン基を
形成していてもよい。(10)Ｒ32〜Ｒ47の中の隣接する炭
素原子上の二つが、炭素原子と一緒になって、多環式基
を形成していてもよい。）で表わされるアミド化合物か
ら選択される一つである。
【００９５】アミド化合物（１６）、（１７）、（１
８）、（１９）、（２０）、（２１）のＲ2 及びＸの具
体例としては、前記と同様なものを例示することができ
る。アミド化合物（１６）、（１７）、（１８）、（１
９）、（２０）、（２１）のＵの具体例としては、Ｗと
同様なものを例示することができる。アミド化合物（１
６）、（１７）、（１８）、（１９）、（２０）、（２
１）のＲ32〜Ｒ47の具体例としては、Ｒ12〜Ｒ23と同様
なものを例示することができる。
８）、（１９）、（２０）、（２１）のＲ2 及びＸの具
体例としては、前記と同様なものを例示することができ
る。アミド化合物（１６）、（１７）、（１８）、（１
９）、（２０）、（２１）のＵの具体例としては、Ｗと
同様なものを例示することができる。アミド化合物（１
６）、（１７）、（１８）、（１９）、（２０）、（２
１）のＲ32〜Ｒ47の具体例としては、Ｒ12〜Ｒ23と同様
なものを例示することができる。
【００９６】一般式（１６）のアミド化合物の製造方法
としては、特に制限されないが、市販品のアミン化合物
を公知の方法によりアシル化することによりアミド化合
物（１６）を合成することができる。一般式（１６）の
アミド化合物の具体例としては、例えばＮ−プロピオニ
ル−３，３，４，４−テトラメチルアゼチジン−２−オ
ン、Ｎ−プロピオニル−アゼチジン−２−オンなどを挙
げることができる。
としては、特に制限されないが、市販品のアミン化合物
を公知の方法によりアシル化することによりアミド化合
物（１６）を合成することができる。一般式（１６）の
アミド化合物の具体例としては、例えばＮ−プロピオニ
ル−３，３，４，４−テトラメチルアゼチジン−２−オ
ン、Ｎ−プロピオニル−アゼチジン−２−オンなどを挙
げることができる。
【００９７】一般式（１７）のアミド化合物の製造方法
としては、特に制限されないが、市販品のアミン化合物
を公知の方法によりアシル化することによりアミド化合
物（１７）を合成することができる。一般式（１７）の
アミド化合物の具体例としては、例えば５，５−ジメチ
ル−３−プロピオニル−２，２−ペンタメチレンオキサ
ゾリジン−４−オン、２，２−ジベンジル−５，５−ジ
メチル−３−プロピオニルオキサゾリン−４−オンなど
を挙げることができる。
としては、特に制限されないが、市販品のアミン化合物
を公知の方法によりアシル化することによりアミド化合
物（１７）を合成することができる。一般式（１７）の
アミド化合物の具体例としては、例えば５，５−ジメチ
ル−３−プロピオニル−２，２−ペンタメチレンオキサ
ゾリジン−４−オン、２，２−ジベンジル−５，５−ジ
メチル−３−プロピオニルオキサゾリン−４−オンなど
を挙げることができる。
【００９８】一般式（１８）のアミド化合物の製造方法
としては、特に制限されないが、例えば、特開平６−６
５１９５号公報に記載の方法あるいはこれに準ずる方法
によりアミド化合物（１８）を合成することができる。
一般式（１８）のアミド化合物の具体例としては、例え
ば１−プロピオニル−５，５，−ジメチルピロリジン−
２−オン、１−プロピオニル−５，５，−ジエチルピロ
リジン−２−オン、１−プロピオニル−５，５，−ジイ
ソプロピルピロリジン−２−オンなどを挙げることがで
きる。
としては、特に制限されないが、例えば、特開平６−６
５１９５号公報に記載の方法あるいはこれに準ずる方法
によりアミド化合物（１８）を合成することができる。
一般式（１８）のアミド化合物の具体例としては、例え
ば１−プロピオニル−５，５，−ジメチルピロリジン−
２−オン、１−プロピオニル−５，５，−ジエチルピロ
リジン−２−オン、１−プロピオニル−５，５，−ジイ
ソプロピルピロリジン−２−オンなどを挙げることがで
きる。
【００９９】一般式（１９）のアミド化合物の製造方法
としては、特に制限されないが、例えば、特開平７−７
０１１６号公報、特開平７−９７３８１号公報、特開平
７−１６５７６０号公報に記載の方法あるいはこれに準
ずる方法によりアミド化合物（１９）を合成することが
できる。一般式（１９）のアミド化合物の具体例として
は、例えば５，５−ジメチル−３−プロピオニル−２，
２−ペンタメチレンオキサジン−４−オン、３−プロピ
オニル−スピロ［２，３−ジヒドロ−４Ｈ−１，３−ベ
ンゾキサジン−２，１'−シクロヘキサン］−４−オ
ン、３−プロピオニル−スピロ［２，３−ジヒドロ−４
Ｈ−１，３−ナフトキサジン−２，１' −シクロヘキサ
ン］−４−オンなどを挙げることができる。
としては、特に制限されないが、例えば、特開平７−７
０１１６号公報、特開平７−９７３８１号公報、特開平
７−１６５７６０号公報に記載の方法あるいはこれに準
ずる方法によりアミド化合物（１９）を合成することが
できる。一般式（１９）のアミド化合物の具体例として
は、例えば５，５−ジメチル−３−プロピオニル−２，
２−ペンタメチレンオキサジン−４−オン、３−プロピ
オニル−スピロ［２，３−ジヒドロ−４Ｈ−１，３−ベ
ンゾキサジン−２，１'−シクロヘキサン］−４−オ
ン、３−プロピオニル−スピロ［２，３−ジヒドロ−４
Ｈ−１，３−ナフトキサジン−２，１' −シクロヘキサ
ン］−４−オンなどを挙げることができる。
【０１００】一般式（２０）のアミド化合物の製造方法
としては、例えば、特開昭６３−２９５５６７号公報に
記載の方法あるいはこれに準ずる方法で得られるアミン
化合物を公知の方法によりアシル化することによりアミ
ド化合物（２０）を合成することができる。一般式（２
０）のアミド化合物の具体例としては、例えばＮ−プロ
ピオニル−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−１，４−ベンゾキ
サジン−３−オンなどを挙げることができる。
としては、例えば、特開昭６３−２９５５６７号公報に
記載の方法あるいはこれに準ずる方法で得られるアミン
化合物を公知の方法によりアシル化することによりアミ
ド化合物（２０）を合成することができる。一般式（２
０）のアミド化合物の具体例としては、例えばＮ−プロ
ピオニル−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−１，４−ベンゾキ
サジン−３−オンなどを挙げることができる。
【０１０１】一般式（２１）のアミド化合物の製造方法
としては、特に制限されないが、例えば、特開平７−９
７３８１号公報に記載の方法あるいはこれに準ずる方法
によりアミド化合物（２１）を合成することができる。
一般式（２１）のアミド化合物の具体例としては、例え
ばＮ−プロピオニル−４Ｈ−イソキノリジン−１−オン
などを挙げることができる。
としては、特に制限されないが、例えば、特開平７−９
７３８１号公報に記載の方法あるいはこれに準ずる方法
によりアミド化合物（２１）を合成することができる。
一般式（２１）のアミド化合物の具体例としては、例え
ばＮ−プロピオニル−４Ｈ−イソキノリジン−１−オン
などを挙げることができる。
【０１０２】アミン化合物から一般式（２）で表される
アミド化合物の合成方法としては特に制限されないが、
特開平７−９７３８１号公報に記載の方法あるいはこれ
は準ずる方法により合成することができる。例えば、一
般式（２）で表わされるアミド化合物は、一般式(II)
アミド化合物の合成方法としては特に制限されないが、
特開平７−９７３８１号公報に記載の方法あるいはこれ
は準ずる方法により合成することができる。例えば、一
般式（２）で表わされるアミド化合物は、一般式(II)
【０１０３】
【化４５】
【０１０４】（式中、Ｒ3 及びＲ4 は前記と同じ意味で
ある。）で表わされる化合物と、一般式(III)
ある。）で表わされる化合物と、一般式(III)
【０１０５】
【化４６】
【０１０６】（式中、Ｒ2 は前記と同一の意味であ
る。）で表わされる化合物またはその反応性誘導体とを
反応させることより製造することができる。
る。）で表わされる化合物またはその反応性誘導体とを
反応させることより製造することができる。
【０１０７】化合物（II）と化合物（III)との反応は、
適当な溶媒中、脱水剤の存在下に実施することができ
る。脱水剤としては、例えば、カルボニルジイミダゾー
ル、ジシクロヘキシルカルボジイミド、Ｎ−ヒドロキシ
スクシンイミド、1-ヒドロキシベンゾチアゾール等を、
溶媒としてはジエチルエーテル、塩化メチレン、テトラ
ヒドロフラン、アセトニトリル等を好適に用いることが
できる。本反応は−３０〜７０℃、好ましくは０〜３０
℃で行われる。
適当な溶媒中、脱水剤の存在下に実施することができ
る。脱水剤としては、例えば、カルボニルジイミダゾー
ル、ジシクロヘキシルカルボジイミド、Ｎ−ヒドロキシ
スクシンイミド、1-ヒドロキシベンゾチアゾール等を、
溶媒としてはジエチルエーテル、塩化メチレン、テトラ
ヒドロフラン、アセトニトリル等を好適に用いることが
できる。本反応は−３０〜７０℃、好ましくは０〜３０
℃で行われる。
【０１０８】化合物（II）と化合物（III)の反応性誘導
体との反応は、適当な溶媒中、脱酸剤の存在下または非
存在下に実施することができる。反応性誘導体として
は、酸ハライド、酸無水物を好適に用いることができ、
塩基としては、水素化アルカリ金属、アルカリ金属、低
級アルキル及びアリールリチウム化合物、ピリジン、ジ
低級アルキルアニリン、トリ低級アルキルアミン等の有
機塩基を用いることができる。溶媒としては、テトラヒ
ドロフラン、ジエチルエーテル、ベンゼン、トルエン、
塩化メチレン、クロロホルム等を好適に用いることがで
きる。本反応は通常、−８０〜５０℃、好ましくは−２
０〜３０℃で行われる。
体との反応は、適当な溶媒中、脱酸剤の存在下または非
存在下に実施することができる。反応性誘導体として
は、酸ハライド、酸無水物を好適に用いることができ、
塩基としては、水素化アルカリ金属、アルカリ金属、低
級アルキル及びアリールリチウム化合物、ピリジン、ジ
低級アルキルアニリン、トリ低級アルキルアミン等の有
機塩基を用いることができる。溶媒としては、テトラヒ
ドロフラン、ジエチルエーテル、ベンゼン、トルエン、
塩化メチレン、クロロホルム等を好適に用いることがで
きる。本反応は通常、−８０〜５０℃、好ましくは−２
０〜３０℃で行われる。
【０１０９】以下に、本発明の製造方法について具体的
に説明する。本発明の製造方法を実施するには、アルゴ
ンや窒素のような不活性ガス雰囲気下、有機溶媒中、一
般式（２）のアミド化合物と一般式（３）のマグネシウ
ム化合物とを反応させ、エノレート(II'）を生成させ、
次いでこのエノレート(II'）と一般式（１）のアゼチジ
ノン化合物とを反応させることにより、一般式（４）の
４−置換アゼチジノン化合物を製造することができる。
に説明する。本発明の製造方法を実施するには、アルゴ
ンや窒素のような不活性ガス雰囲気下、有機溶媒中、一
般式（２）のアミド化合物と一般式（３）のマグネシウ
ム化合物とを反応させ、エノレート(II'）を生成させ、
次いでこのエノレート(II'）と一般式（１）のアゼチジ
ノン化合物とを反応させることにより、一般式（４）の
４−置換アゼチジノン化合物を製造することができる。
【０１１０】
【化４７】
【０１１１】溶媒としては、反応に関与しない不活性な
溶媒であればよく、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプ
タン等の炭化水素系溶媒、塩化メチレン、クロロホルム
等の塩素系溶媒、ベンゼン、クロロベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族系溶媒、ジエチルエーテル、ジ
イソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキ
シエタン、1,3-ジオキソラン、ジオキサン等のエーテル
系溶媒の有機溶媒或いはそれら混合溶媒を好適に用いる
ことができる。
溶媒であればよく、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプ
タン等の炭化水素系溶媒、塩化メチレン、クロロホルム
等の塩素系溶媒、ベンゼン、クロロベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族系溶媒、ジエチルエーテル、ジ
イソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキ
シエタン、1,3-ジオキソラン、ジオキサン等のエーテル
系溶媒の有機溶媒或いはそれら混合溶媒を好適に用いる
ことができる。
【０１１２】反応温度は、エノレートの生成及びエノレ
ートとアゼチジノン誘導体との反応ともに−５０〜１０
０℃、好ましくは−２０〜５０℃で行なう。反応時間
は、エノレートの生成及びエノレートとアゼチジノン誘
導体との反応ともに１０分〜１８０分、好ましくは３０
分〜９０分で行なう。反応のモル比は、一般式（１）で
表わされるアゼチジノン誘導体１モルに対し、一般式
（２）で表わされるアミド化合物１〜８モル、一般式
（３）で表わされるマグネシウム化合物１〜８モルであ
る。
ートとアゼチジノン誘導体との反応ともに−５０〜１０
０℃、好ましくは−２０〜５０℃で行なう。反応時間
は、エノレートの生成及びエノレートとアゼチジノン誘
導体との反応ともに１０分〜１８０分、好ましくは３０
分〜９０分で行なう。反応のモル比は、一般式（１）で
表わされるアゼチジノン誘導体１モルに対し、一般式
（２）で表わされるアミド化合物１〜８モル、一般式
（３）で表わされるマグネシウム化合物１〜８モルであ
る。
【０１１３】より好ましい反応のモル比は、一般式
（１）で表わされるアゼチジノン誘導体１モルに対し、
一般式（２）で表わされるアミド化合物１〜３モル、一
般式（３）で表わされるマグネシウム化合物１〜４モル
である。また、Ｒ2 がメチル基等のアルキル基の場合、
一般式（２）で表わされるアミド化合物と一般式（３）
で表わされるマグネシウム化合物の種類あるいはモル比
により生成するα−体とβ−体の割合が異る。反応終了
後は通常の後処理を行なうことにより、目的物を単離す
ることができる。
（１）で表わされるアゼチジノン誘導体１モルに対し、
一般式（２）で表わされるアミド化合物１〜３モル、一
般式（３）で表わされるマグネシウム化合物１〜４モル
である。また、Ｒ2 がメチル基等のアルキル基の場合、
一般式（２）で表わされるアミド化合物と一般式（３）
で表わされるマグネシウム化合物の種類あるいはモル比
により生成するα−体とβ−体の割合が異る。反応終了
後は通常の後処理を行なうことにより、目的物を単離す
ることができる。
【０１１４】また、本発明の製造方法により得られる化
合物（４）は、単離もしくは単離せずにそのまま加水分
解させ、一般式（Ｉ' ）
合物（４）は、単離もしくは単離せずにそのまま加水分
解させ、一般式（Ｉ' ）
【０１１５】
【化４８】
【０１１６】（式中、Ｒ，Ｒ1 及びＲ2 は前記と同じ意
味である。）で表わされるカルボン酸誘導体に導くこと
も可能である。
味である。）で表わされるカルボン酸誘導体に導くこと
も可能である。
【０１１７】
【実施例】以下に実施例を挙げ、本発明を詳細に説明す
るが、本発明はこれらによってなんら限定されるもので
なく、また本発明の範囲を逸脱しない範囲で変化させて
もよい。
るが、本発明はこれらによってなんら限定されるもので
なく、また本発明の範囲を逸脱しない範囲で変化させて
もよい。
【０１１８】なお、各実施例における物性の測定に用い
た装置は次の通りである。 融点測定装置：M Ｐ−500D型（ヤナコ機器開発研究所
製）1 Ｈ核磁気共鳴スペクトル（1H-NMR）：AM-400型（400M
Hz、ブルッカー社製）、Gemini-2000 （200MHz、Varian
社製） 内部標準物質：テトラメチルシラン（ CDCl3中） また、各実施例中の略号は以下の通りである。 ＴＢＤＭＳＯ：ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ
基 ＯＡｃ：アセトキシ基
た装置は次の通りである。 融点測定装置：M Ｐ−500D型（ヤナコ機器開発研究所
製）1 Ｈ核磁気共鳴スペクトル（1H-NMR）：AM-400型（400M
Hz、ブルッカー社製）、Gemini-2000 （200MHz、Varian
社製） 内部標準物質：テトラメチルシラン（ CDCl3中） また、各実施例中の略号は以下の通りである。 ＴＢＤＭＳＯ：ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ
基 ＯＡｃ：アセトキシ基
【０１１９】
【実施例１】3-｛(2R)-2-[(3S,4R)-3-[(1R)-1-ｔｅｒｔ
−ブチルジメチルシリルオキシエチル]-2-オキソアゼチ
ジン-4- イル] プロピオニル｝-5,5- ジメチル-2,2- ペ
ンタメチレンオキサゾリン-4- オンの製造
−ブチルジメチルシリルオキシエチル]-2-オキソアゼチ
ジン-4- イル] プロピオニル｝-5,5- ジメチル-2,2- ペ
ンタメチレンオキサゾリン-4- オンの製造
【０１２０】
【化４９】
【０１２１】窒素気流下において、 5,5- ジメチル-3-
プロピオニル-2,2- ペンタメチレンオキサゾリジン-4-
オン239mg (1.0mmol) のトルエン2ml 溶液に、室温で0.
99Mのｓｅｃ−ブチルマグネシウムクロリドのテトラヒ
ドロフラン溶液2.22ml (2.2mmol)を加え、室温で60分間
撹拌した後、５℃に冷却し、(3R,4R)-4-アセトキシ-3-
[(R)-1-ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチル]
-アゼチジン-2- オン287mg (1.0mmol) のトルエン2ml
溶液をゆっくり滴下し、さらに10分撹拌した。2Ｎ−塩
酸2ml を加えて反応を停止し、酢酸エチル10mlで抽出し
た。有機層を飽和重曹水2ml で洗浄し、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥、溶媒を留去した。残渣をカラムクロマト
グラフィーで精製し、289mg (0.62mmol)の縮合成績体を
得た（収率６２％，β：α＝７９：２１）。
プロピオニル-2,2- ペンタメチレンオキサゾリジン-4-
オン239mg (1.0mmol) のトルエン2ml 溶液に、室温で0.
99Mのｓｅｃ−ブチルマグネシウムクロリドのテトラヒ
ドロフラン溶液2.22ml (2.2mmol)を加え、室温で60分間
撹拌した後、５℃に冷却し、(3R,4R)-4-アセトキシ-3-
[(R)-1-ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチル]
-アゼチジン-2- オン287mg (1.0mmol) のトルエン2ml
溶液をゆっくり滴下し、さらに10分撹拌した。2Ｎ−塩
酸2ml を加えて反応を停止し、酢酸エチル10mlで抽出し
た。有機層を飽和重曹水2ml で洗浄し、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥、溶媒を留去した。残渣をカラムクロマト
グラフィーで精製し、289mg (0.62mmol)の縮合成績体を
得た（収率６２％，β：α＝７９：２１）。
【０１２２】
【実施例２〜１５、比較例１、２】下記表１に示したマ
グネシウム化合物(2.2当量) を用いて5,5-ジメチル-2,2
-ペンタメチレン-3- プロピオニルオキサゾリジン-4-
オンと(3R,4R)-4-アセトキシ-3-[(R)-1-ｔｅｒｔ−ブチ
ルジメチルシリルオキシエチル]-アゼチジン-2- オンと
を実施例１と同様に処理して実施例１の表題化合物を得
た。また、比較例１としてリチウム化合物、比較例２と
してナトリウム化合物を5,5-ジメチル-2,2- ペンタメチ
レン-3- プロピオニルオキサゾリジン-4- オンと(3R,4
R)-4-アセトキシ-3-[(R)-1-ｔｅｒｔ−ブチルジメチル
シリルオキシエチル]-アゼチジン-2- オンとを実施例１
と同様に処理した。（表１中において、Pr: プロピル
基、Bu: ブチル基、Bn: ベンジル基、Ph: フェニル基、
ｐ−Tol:ｐ−トリル基を表す。）
グネシウム化合物(2.2当量) を用いて5,5-ジメチル-2,2
-ペンタメチレン-3- プロピオニルオキサゾリジン-4-
オンと(3R,4R)-4-アセトキシ-3-[(R)-1-ｔｅｒｔ−ブチ
ルジメチルシリルオキシエチル]-アゼチジン-2- オンと
を実施例１と同様に処理して実施例１の表題化合物を得
た。また、比較例１としてリチウム化合物、比較例２と
してナトリウム化合物を5,5-ジメチル-2,2- ペンタメチ
レン-3- プロピオニルオキサゾリジン-4- オンと(3R,4
R)-4-アセトキシ-3-[(R)-1-ｔｅｒｔ−ブチルジメチル
シリルオキシエチル]-アゼチジン-2- オンとを実施例１
と同様に処理した。（表１中において、Pr: プロピル
基、Bu: ブチル基、Bn: ベンジル基、Ph: フェニル基、
ｐ−Tol:ｐ−トリル基を表す。）
【０１２３】
【表１】
【０１２４】実施例１及び表１からも明らかなように、
マグネシウム化合物を用いた実施例１〜１５において
は、好ましい収率で目的物を得ることができたが、リチ
ウム化合物を用いた比較例１、ナトリウム化合物を用い
た比較例２では目的物を得ることができなかった。
マグネシウム化合物を用いた実施例１〜１５において
は、好ましい収率で目的物を得ることができたが、リチ
ウム化合物を用いた比較例１、ナトリウム化合物を用い
た比較例２では目的物を得ることができなかった。
【０１２５】
【実施例１６】3-｛(2R)-2-[(3S,4R)-[(1R)-1-ｔｅｒｔ
−ブチルジメチルシリルオキシエチル]-2-オキソアゼチ
ジン-4- イル] プロピオニル｝-2,2- ジベンジル-5,5-
ジメチルオキサゾリン-4- オンの製造
−ブチルジメチルシリルオキシエチル]-2-オキソアゼチ
ジン-4- イル] プロピオニル｝-2,2- ジベンジル-5,5-
ジメチルオキサゾリン-4- オンの製造
【０１２６】
【化５０】
【０１２７】窒素気流下において、 2,2- ジベンジル-
5,5- ジメチル-3- プロピオニルオキサゾリン-4- オン3
51mg (1.0mmol) のトルエン3ml 溶液に、室温で0.99M
のｓｅｃ−ブチルマグネシウムクロリドのテトラヒドロ
フラン溶液2.22ml (2.2mmol)を加え、室温で60分間撹拌
した後、５℃に冷却し、(3R,4R)-4-アセトキシ-3-[(R)-
1-ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチル]-アゼ
チジン-2- オン287mg (1.0mmol) のトルエン2ml 溶液を
ゆっくり滴下し、さらに10分撹拌した。 2Ｎ−塩酸2ml
を加えて反応を停止し、酢酸エチル10mlで抽出した。有
機層を飽和重曹水2ml で洗浄し、無水硫酸マグネシウム
で乾燥、溶媒を留去した。残渣をカラムクロマトグラフ
ィーで精製し、266mg (0.46mmol)の縮合成績体を得た
（収率４６％，β：α＝６８：３２）。
5,5- ジメチル-3- プロピオニルオキサゾリン-4- オン3
51mg (1.0mmol) のトルエン3ml 溶液に、室温で0.99M
のｓｅｃ−ブチルマグネシウムクロリドのテトラヒドロ
フラン溶液2.22ml (2.2mmol)を加え、室温で60分間撹拌
した後、５℃に冷却し、(3R,4R)-4-アセトキシ-3-[(R)-
1-ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチル]-アゼ
チジン-2- オン287mg (1.0mmol) のトルエン2ml 溶液を
ゆっくり滴下し、さらに10分撹拌した。 2Ｎ−塩酸2ml
を加えて反応を停止し、酢酸エチル10mlで抽出した。有
機層を飽和重曹水2ml で洗浄し、無水硫酸マグネシウム
で乾燥、溶媒を留去した。残渣をカラムクロマトグラフ
ィーで精製し、266mg (0.46mmol)の縮合成績体を得た
（収率４６％，β：α＝６８：３２）。
【０１２８】
【実施例１７】3-｛(2R)-2-[(3S,4R)-3-[(1R)-1-ｔｅｒ
ｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチル]-2-オキソアゼ
チジン-4- イル] プロピオニル｝-4,4- ジメチルオキサ
ゾリン-2- オンの製造
ｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチル]-2-オキソアゼ
チジン-4- イル] プロピオニル｝-4,4- ジメチルオキサ
ゾリン-2- オンの製造
【０１２９】
【化５１】
【０１３０】窒素気流下において，4,4-ジメチル-3- プ
ロピオニルオキサゾリジン-2- オン1.80g (10mmol)のテ
トラヒドロフラン10ml溶液に、室温で0.60M のt-ブチル
マグネシウムクロリドのテトラヒドロフラン溶液18.3ml
(11mmol) を加え、混合溶液を50℃に加熱した。30分間
撹拌した後、０℃に冷却し、(3R,4R)-4-アセトキシ-3-
[ (R)-1- ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチ
ル]-アゼチジン-2- オン2.87g (10mmol)のテトラヒドロ
フラン15ml溶液をゆっくり滴下し、さらに30分撹拌し
た。 2Ｎ−塩酸40mlを加えて反応を停止し、酢酸エチル
40mlで抽出した。有機層を飽和重曹水40mlで洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥、溶媒を留去した。残渣をカ
ラムクロマトグラフィーで精製し、2.38g (6.0mmol) の
縮合成績体を得た（収率６０％，β：α＝６０：４
０）。
ロピオニルオキサゾリジン-2- オン1.80g (10mmol)のテ
トラヒドロフラン10ml溶液に、室温で0.60M のt-ブチル
マグネシウムクロリドのテトラヒドロフラン溶液18.3ml
(11mmol) を加え、混合溶液を50℃に加熱した。30分間
撹拌した後、０℃に冷却し、(3R,4R)-4-アセトキシ-3-
[ (R)-1- ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチ
ル]-アゼチジン-2- オン2.87g (10mmol)のテトラヒドロ
フラン15ml溶液をゆっくり滴下し、さらに30分撹拌し
た。 2Ｎ−塩酸40mlを加えて反応を停止し、酢酸エチル
40mlで抽出した。有機層を飽和重曹水40mlで洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥、溶媒を留去した。残渣をカ
ラムクロマトグラフィーで精製し、2.38g (6.0mmol) の
縮合成績体を得た（収率６０％，β：α＝６０：４
０）。
【０１３１】
【実施例１８】3-｛(2R)-2-[(3S,4R)-3-[(1R)-1-ｔｅｒ
ｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチル]-2-オキソアゼ
チジン-4- イル] プロピオニル｝- （4 Ｓ)-4-フェニル
オキサゾリン-2- オンの製造
ｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチル]-2-オキソアゼ
チジン-4- イル] プロピオニル｝- （4 Ｓ)-4-フェニル
オキサゾリン-2- オンの製造
【０１３２】
【化５２】
【０１３３】窒素気流下において、（4 Ｓ)-4-フェニル
-3- プロピオニルオキサゾリン-2-オン219mg (1.0mmol)
のテトラヒドロフラン2ml 溶液に、室温で0.90M のt-
ブチルマグネシウムクロリドのテトラヒドロフラン溶液
2.44ml (2.2mmol)を加え、混合溶液を50℃に加熱した。
35分間撹拌した後、５℃に冷却し、(3R,4R)-4-アセトキ
シ-3-[(R)-1-ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシエ
チル]-アゼチジン-2-オン287mg (1.0mmol) のテトラヒ
ドロフラン2ml 溶液をゆっくり滴下し、さらに10分撹拌
した。2 Ｎ−塩酸2ml を加えて反応を停止し、酢酸エチ
ル10mlで抽出した。有機層を飽和重曹水2ml で洗浄し、
無水硫酸マグネシウムで乾燥、溶媒を留去した。残渣を
カラムクロマトグラフィーで精製し、262mg (0.59mmol)
の縮合成績体を得た（収率５９％，β：α＝９６：
４）。
-3- プロピオニルオキサゾリン-2-オン219mg (1.0mmol)
のテトラヒドロフラン2ml 溶液に、室温で0.90M のt-
ブチルマグネシウムクロリドのテトラヒドロフラン溶液
2.44ml (2.2mmol)を加え、混合溶液を50℃に加熱した。
35分間撹拌した後、５℃に冷却し、(3R,4R)-4-アセトキ
シ-3-[(R)-1-ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシエ
チル]-アゼチジン-2-オン287mg (1.0mmol) のテトラヒ
ドロフラン2ml 溶液をゆっくり滴下し、さらに10分撹拌
した。2 Ｎ−塩酸2ml を加えて反応を停止し、酢酸エチ
ル10mlで抽出した。有機層を飽和重曹水2ml で洗浄し、
無水硫酸マグネシウムで乾燥、溶媒を留去した。残渣を
カラムクロマトグラフィーで精製し、262mg (0.59mmol)
の縮合成績体を得た（収率５９％，β：α＝９６：
４）。
【０１３４】
【実施例１９】3-｛(2R)-2-[(3S,4R)-3-[(1R)-1-ｔｅｒ
ｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチル]-2-オキソアゼ
チジン-4- イル] プロピオニル｝- （4S)-4-ベンジルオ
キサゾリン-2- オンの製造
ｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチル]-2-オキソアゼ
チジン-4- イル] プロピオニル｝- （4S)-4-ベンジルオ
キサゾリン-2- オンの製造
【０１３５】
【化５３】
【０１３６】窒素気流下において、（4S)-4-ベンジル-3
- プロピオニルオキサゾリン-2- オン233mg (1.0mmol)
のテトラヒドロフラン2ml 溶液に、室温で0.90M のt-ブ
チルマグネシウムクロリドのテトラヒドロフラン溶液2.
44ml (2.2mmol)を加え、混合溶液を50℃に加熱した。35
分間撹拌した後、５℃に冷却し、(3R,4R)-4-アセトキシ
-3-[(R)-1-ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチ
ル]-アゼチジン-2- オン287mg (1.0mmol) のテトラヒド
ロフラン2ml 溶液をゆっくり滴下し、さらに10分撹拌し
た。2 Ｎ−塩酸2ml を加えて反応を停止し、酢酸エチル
10mlで抽出した。有機層を飽和重曹水2ml で洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥、溶媒を留去した。残渣をカ
ラムクロマトグラフィーで精製し、138mg (0.30mmol)の
縮合成績体を得た（収率３０％，β：α＝８６：１
４）。
- プロピオニルオキサゾリン-2- オン233mg (1.0mmol)
のテトラヒドロフラン2ml 溶液に、室温で0.90M のt-ブ
チルマグネシウムクロリドのテトラヒドロフラン溶液2.
44ml (2.2mmol)を加え、混合溶液を50℃に加熱した。35
分間撹拌した後、５℃に冷却し、(3R,4R)-4-アセトキシ
-3-[(R)-1-ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチ
ル]-アゼチジン-2- オン287mg (1.0mmol) のテトラヒド
ロフラン2ml 溶液をゆっくり滴下し、さらに10分撹拌し
た。2 Ｎ−塩酸2ml を加えて反応を停止し、酢酸エチル
10mlで抽出した。有機層を飽和重曹水2ml で洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥、溶媒を留去した。残渣をカ
ラムクロマトグラフィーで精製し、138mg (0.30mmol)の
縮合成績体を得た（収率３０％，β：α＝８６：１
４）。
【０１３７】
【実施例２０】3-｛(2R)-2-[(3S,4R)-3-[(1R)-1-ｔｅｒ
ｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチル]-2-オキソアゼ
チジン-4- イル] プロピオニル｝- （4S)-4-イソプロピ
ルオキサゾリン-2- オンの製造
ｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチル]-2-オキソアゼ
チジン-4- イル] プロピオニル｝- （4S)-4-イソプロピ
ルオキサゾリン-2- オンの製造
【０１３８】
【化５４】
【０１３９】窒素気流下において、（4S)-4-イソプロピ
ル-3- プロピオニルオキサゾリン-2- オン203mg (1.0mm
ol) のテトラヒドロフラン 2ml溶液に、室温で0.80M の
t-ブチルマグネシウムクロリドのテトラヒドロフラン溶
液 1.5ml (1.2mmol)を加え、室温で60分間撹拌した後、
５℃に冷却し、(3R,4R)-4-アセトキシ-3-[(R)-1-ｔｅｒ
ｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチル]-アゼチジン-2
- オン287mg (1.0mmol) のテトラヒドロフラン2ml 溶液
をゆっくり滴下し、さらに10分撹拌した。2 Ｎ−塩酸2m
l を加えて反応を停止し、酢酸エチル10mlで抽出した。
有機層を飽和重曹水2ml で洗浄し、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥、溶媒を留去した。残渣をカラムクロマトグラ
フィーで精製し、87mg (0.21mmol) の縮合成績体を得た
（収率２１％，β：α＝７８：２２）。
ル-3- プロピオニルオキサゾリン-2- オン203mg (1.0mm
ol) のテトラヒドロフラン 2ml溶液に、室温で0.80M の
t-ブチルマグネシウムクロリドのテトラヒドロフラン溶
液 1.5ml (1.2mmol)を加え、室温で60分間撹拌した後、
５℃に冷却し、(3R,4R)-4-アセトキシ-3-[(R)-1-ｔｅｒ
ｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチル]-アゼチジン-2
- オン287mg (1.0mmol) のテトラヒドロフラン2ml 溶液
をゆっくり滴下し、さらに10分撹拌した。2 Ｎ−塩酸2m
l を加えて反応を停止し、酢酸エチル10mlで抽出した。
有機層を飽和重曹水2ml で洗浄し、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥、溶媒を留去した。残渣をカラムクロマトグラ
フィーで精製し、87mg (0.21mmol) の縮合成績体を得た
（収率２１％，β：α＝７８：２２）。
【０１４０】
【実施例２１】3-｛(2R)-2-[(3S,4R)-3-[(1R)-1-t-ブチ
ルジメチルシリルオキシエチル]-2-オキソアゼチジン-4
- イル] プロピオニル｝-(3aS-cis)-3,3a,8,8a- テトラ
ヒドロ-2H-インデノ[1,2-d] オキサゾール-2- オンの製
造
ルジメチルシリルオキシエチル]-2-オキソアゼチジン-4
- イル] プロピオニル｝-(3aS-cis)-3,3a,8,8a- テトラ
ヒドロ-2H-インデノ[1,2-d] オキサゾール-2- オンの製
造
【０１４１】
【化５５】
【０１４２】窒素気流中、30ml 3ツ口フラスコに3-プロ
ピオニル-(3aS-cis)-3,3a,8,8a- テトラヒドロ-2H-イン
デノ[1,2-d] オキサゾール-2- オン231mg (1.0mmol) を
仕込み、テトラヒドロフラン2ml に溶解させた。そこ
へ、t-ブチルマグネシウムクロリドのテトラヒドロフラ
ン溶液(0.8M) 2.75ml (2.2mmol) を室温下ゆっくり滴下
した。そのまま20分間反応させたのち、5 ℃まで冷却
し、(3R,4R)-4-アセトキシ- ３-[(R)-1-ｔｅｒｔ−ブチ
ルジメチルシリルオキシエチル] アゼチジン- ２-オン2
87mg(1.0mmol)のテトラヒドロフラン溶液2ml を同温度
で加えた。10分間撹拌した後、酢酸エチル10mlを加え、
10％クエン酸水溶液2ml を滴下した。分液後、有機層を
飽和重曹水2ml 、飽和食塩水2ml で洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥した。溶媒を留去し、残渣をカラムク
ロマトグラフィーで精製し、308mg (0.67mmol)の縮合成
績体を得た（収率６７％，β：α＝９５：５）。
ピオニル-(3aS-cis)-3,3a,8,8a- テトラヒドロ-2H-イン
デノ[1,2-d] オキサゾール-2- オン231mg (1.0mmol) を
仕込み、テトラヒドロフラン2ml に溶解させた。そこ
へ、t-ブチルマグネシウムクロリドのテトラヒドロフラ
ン溶液(0.8M) 2.75ml (2.2mmol) を室温下ゆっくり滴下
した。そのまま20分間反応させたのち、5 ℃まで冷却
し、(3R,4R)-4-アセトキシ- ３-[(R)-1-ｔｅｒｔ−ブチ
ルジメチルシリルオキシエチル] アゼチジン- ２-オン2
87mg(1.0mmol)のテトラヒドロフラン溶液2ml を同温度
で加えた。10分間撹拌した後、酢酸エチル10mlを加え、
10％クエン酸水溶液2ml を滴下した。分液後、有機層を
飽和重曹水2ml 、飽和食塩水2ml で洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥した。溶媒を留去し、残渣をカラムク
ロマトグラフィーで精製し、308mg (0.67mmol)の縮合成
績体を得た（収率６７％，β：α＝９５：５）。
【０１４３】
【実施例２２】3-｛(2R)-2-[(3S,4R)-3-[(1R)-1-t-ブチ
ルジメチルシリルオキシエチル]-2-オキソアゼチジン-4
- イル] プロピオニル｝-(3aR-cis)-3,3a,8,8a- テトラ
ヒドロ-2H-インデノ[1,2-d] オキサゾール-2- オンの製
造
ルジメチルシリルオキシエチル]-2-オキソアゼチジン-4
- イル] プロピオニル｝-(3aR-cis)-3,3a,8,8a- テトラ
ヒドロ-2H-インデノ[1,2-d] オキサゾール-2- オンの製
造
【０１４４】
【化５６】
【０１４５】窒素気流中、30ml 3ツ口フラスコに3-プロ
ピオニル-(3aR-cis)-3,3a,8,8a- テトラヒドロ-2H-イン
デノ[1,2-d] オキサゾール-2- オン231mg(1.0mmol)を仕
込み、テトラヒドロフラン2ml に溶解させた。そこへ、
t-ブチルマグネシウムクロリドのテトラヒドロフラン溶
液(0.8M) 2.75ml(2.2mmol)を室温下ゆっくり滴下した。
そのまま20分間反応させたのち、5 ℃まで冷却し、(3R,
4R)-4-アセトキシ- ３-[(R)-1-ｔｅｒｔ−ブチルジメチ
ルシリルオキシエチル] アゼチジン- ２- オン287mg(1.
0mmol)のテトラヒドロフラン溶液2ml を同温度で加え
た。10分間撹拌した後、酢酸エチル10mlを加え、10％ク
エン酸水溶液2ml を滴下した。分液後、有機層を飽和重
曹水2ml 、飽和食塩水2ml で洗浄し、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥した。溶媒を留去し、残渣をカラムクロマト
グラフィーで精製し、83mg (0.18mmol) の縮合成績体を
得た（収率１８％，β：α＝６４：４６）。
ピオニル-(3aR-cis)-3,3a,8,8a- テトラヒドロ-2H-イン
デノ[1,2-d] オキサゾール-2- オン231mg(1.0mmol)を仕
込み、テトラヒドロフラン2ml に溶解させた。そこへ、
t-ブチルマグネシウムクロリドのテトラヒドロフラン溶
液(0.8M) 2.75ml(2.2mmol)を室温下ゆっくり滴下した。
そのまま20分間反応させたのち、5 ℃まで冷却し、(3R,
4R)-4-アセトキシ- ３-[(R)-1-ｔｅｒｔ−ブチルジメチ
ルシリルオキシエチル] アゼチジン- ２- オン287mg(1.
0mmol)のテトラヒドロフラン溶液2ml を同温度で加え
た。10分間撹拌した後、酢酸エチル10mlを加え、10％ク
エン酸水溶液2ml を滴下した。分液後、有機層を飽和重
曹水2ml 、飽和食塩水2ml で洗浄し、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥した。溶媒を留去し、残渣をカラムクロマト
グラフィーで精製し、83mg (0.18mmol) の縮合成績体を
得た（収率１８％，β：α＝６４：４６）。
【０１４６】
【実施例２３】3-｛(2R)-2-[(3S,4R)-3-[(1R)-1-ｔｅｒ
ｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチル]-2-オキソアゼ
チジン-4- イル] プロピオニル｝-5,5- ジメチル-2,2-
ペンタメチレンオキサジン-4- オンの製造
ｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチル]-2-オキソアゼ
チジン-4- イル] プロピオニル｝-5,5- ジメチル-2,2-
ペンタメチレンオキサジン-4- オンの製造
【０１４７】
【化５７】
【０１４８】窒素気流下において、5,5-ジメチル-3- プ
ロピオニル-2,2- ペンタメチレンオキサジン-4- オン30
3mg (1.0mmol) のテトラヒドロフラン 3ml溶液に、室温
で0.70M のｓｅｃ−ブチルマグネシウムクロリドのテト
ラヒドロフラン溶液1.85ml (1.3mmol)を加え、室温で90
分間撹拌した後、５℃に冷却し、(3R,4R)-4-アセトキシ
-3-[(R)-1-ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチ
ル]-アゼチジン-2- オン287mg(1.0mmol)のテトラヒドロ
フラン2ml 溶液をゆっくり滴下し、さらに30分撹拌し
た。2 Ｎ−塩酸2ml を加えて反応を停止し、酢酸エチル
10mlで抽出した。有機層を飽和重曹水2ml で洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥、溶媒を留去した。残渣をカ
ラムクロマトグラフィーで精製し、283mg (0.59mmol)の
縮合成績体を得た（収率５９％，β：α＝７５：２
５）。
ロピオニル-2,2- ペンタメチレンオキサジン-4- オン30
3mg (1.0mmol) のテトラヒドロフラン 3ml溶液に、室温
で0.70M のｓｅｃ−ブチルマグネシウムクロリドのテト
ラヒドロフラン溶液1.85ml (1.3mmol)を加え、室温で90
分間撹拌した後、５℃に冷却し、(3R,4R)-4-アセトキシ
-3-[(R)-1-ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチ
ル]-アゼチジン-2- オン287mg(1.0mmol)のテトラヒドロ
フラン2ml 溶液をゆっくり滴下し、さらに30分撹拌し
た。2 Ｎ−塩酸2ml を加えて反応を停止し、酢酸エチル
10mlで抽出した。有機層を飽和重曹水2ml で洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥、溶媒を留去した。残渣をカ
ラムクロマトグラフィーで精製し、283mg (0.59mmol)の
縮合成績体を得た（収率５９％，β：α＝７５：２
５）。
【０１４９】
【実施例２４】3-｛(2R)-2-[(3S,4R)-3-[(1R)-1-t-ブチ
ルジメチルシリルオキシエチル]-2-オキソアゼチジン-4
- イル] プロピオニル｝- スピロ[2,3- ジヒドロ-4H-1,
3-ベンゾキサジン-2,1'-シクロヘキサン]-4-オンの製造
ルジメチルシリルオキシエチル]-2-オキソアゼチジン-4
- イル] プロピオニル｝- スピロ[2,3- ジヒドロ-4H-1,
3-ベンゾキサジン-2,1'-シクロヘキサン]-4-オンの製造
【０１５０】
【化５８】
【０１５１】窒素気流中、30ml 3ツ口フラスコに3-プロ
ピオニル- スピロ[2,3,-ジヒドロ-4H-1,3-ベンゾキサジ
ン-2,1'-シクロヘキサン]-4-オン273mg (1.0mmol) を仕
込み、テトラヒドロフラン2ml に溶解させた。そこへ、
ｎ−ブチルマグネシウムクロリドのテトラヒドロフラン
溶液(0.9M) 2.44ml (2.2mmol) を室温下ゆっくり滴下し
た。そのまま25分間反応させたのち、５℃まで冷却し、
(3R,4R)-4-アセトキシ- ３-[(R)-1-ｔｅｒｔ−ブチルジ
メチルシリルオキシエチル] アゼチジン- ２-オン287mg
(1.0mmol) のテトラヒドロフラン溶液2ml を同温度で
加えた。15分間撹拌した後、酢酸エチル10mlを加え、10
％クエン酸水溶液2ml を滴下した。分液後、有機層を飽
和重曹水2ml 、飽和食塩水2ml で洗浄し、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥した。溶媒を留去し、残渣をカラムクロ
マトグラフィーで精製し、263mg(0.53mmol)の縮合成績
体を得た（収率５３％，β：α＝９２：８）。
ピオニル- スピロ[2,3,-ジヒドロ-4H-1,3-ベンゾキサジ
ン-2,1'-シクロヘキサン]-4-オン273mg (1.0mmol) を仕
込み、テトラヒドロフラン2ml に溶解させた。そこへ、
ｎ−ブチルマグネシウムクロリドのテトラヒドロフラン
溶液(0.9M) 2.44ml (2.2mmol) を室温下ゆっくり滴下し
た。そのまま25分間反応させたのち、５℃まで冷却し、
(3R,4R)-4-アセトキシ- ３-[(R)-1-ｔｅｒｔ−ブチルジ
メチルシリルオキシエチル] アゼチジン- ２-オン287mg
(1.0mmol) のテトラヒドロフラン溶液2ml を同温度で
加えた。15分間撹拌した後、酢酸エチル10mlを加え、10
％クエン酸水溶液2ml を滴下した。分液後、有機層を飽
和重曹水2ml 、飽和食塩水2ml で洗浄し、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥した。溶媒を留去し、残渣をカラムクロ
マトグラフィーで精製し、263mg(0.53mmol)の縮合成績
体を得た（収率５３％，β：α＝９２：８）。
【０１５２】
【実施例２５】3-｛(2R)-2-[(3S,4R)-3-[(1R)-1-t-ブチ
ルジメチルシリルオキシエチル]-2-オキソアゼチジン-4
- イル] プロピオニル｝- スピロ[2,3- ジヒドロ-4H-1,
3-ナフトキサジン-2,1'-シクロヘキサン]-4-オンの製造
ルジメチルシリルオキシエチル]-2-オキソアゼチジン-4
- イル] プロピオニル｝- スピロ[2,3- ジヒドロ-4H-1,
3-ナフトキサジン-2,1'-シクロヘキサン]-4-オンの製造
【０１５３】
【化５９】
【０１５４】窒素気流中、30ml 3ツ口フラスコに3-プロ
ピオニル- スピロ[2,3,-ジヒドロ-4H-1,3-ナフトキサジ
ン-2,1'-シクロヘキサン]-4-オン323mg (1.0mmol) を仕
込み、テトラヒドロフラン2ml に溶解させた。そこへ、
フェニルマグネシウムブロミドテトラヒドロフラン溶液
(1.0M) 2.2ml (2.2mmol)を室温下ゆっくり滴下した。そ
のまま20分間反応させたのち、5 ℃まで冷却し、(3R,4
R)-4-アセトキシ- ３-[(R)-1-ｔｅｒｔ−ブチルジメチ
ルシリルオキシエチル] アゼチジン- ２- オン287mg(1.
0mmol)のテトラヒドロフラン溶液2ml を同温度で加え
た。10分間撹拌した後、酢酸エチル10mlを加え、10％ク
エン酸水溶液2ml を滴下した。分液後、有機層を飽和重
曹水2ml 、飽和食塩水2ml で洗浄し、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥した。溶媒を留去し、残渣をカラムクロマト
グラフィーで精製し、258mg の縮合成績体を得た（収率
４７％，β：α＝９５：５）。
ピオニル- スピロ[2,3,-ジヒドロ-4H-1,3-ナフトキサジ
ン-2,1'-シクロヘキサン]-4-オン323mg (1.0mmol) を仕
込み、テトラヒドロフラン2ml に溶解させた。そこへ、
フェニルマグネシウムブロミドテトラヒドロフラン溶液
(1.0M) 2.2ml (2.2mmol)を室温下ゆっくり滴下した。そ
のまま20分間反応させたのち、5 ℃まで冷却し、(3R,4
R)-4-アセトキシ- ３-[(R)-1-ｔｅｒｔ−ブチルジメチ
ルシリルオキシエチル] アゼチジン- ２- オン287mg(1.
0mmol)のテトラヒドロフラン溶液2ml を同温度で加え
た。10分間撹拌した後、酢酸エチル10mlを加え、10％ク
エン酸水溶液2ml を滴下した。分液後、有機層を飽和重
曹水2ml 、飽和食塩水2ml で洗浄し、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥した。溶媒を留去し、残渣をカラムクロマト
グラフィーで精製し、258mg の縮合成績体を得た（収率
４７％，β：α＝９５：５）。
【０１５５】
【実施例２６】3-｛(2R)-2-[(3S,4R)-3-[(1R)-1-ｔｅｒ
ｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチル]-2-オキソアゼ
チジン-4- イル] プロピオニル｝-3,3,4,4- テトラメチ
ルアゼチジン-2- オンの製造
ｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチル]-2-オキソアゼ
チジン-4- イル] プロピオニル｝-3,3,4,4- テトラメチ
ルアゼチジン-2- オンの製造
【０１５６】
【化６０】
【０１５７】窒素気流下において、Ｎ−プロピオニル-
3,3,4,4- テトラメチルアゼチジン-2- オン183mg (1.0m
mol) のテトラヒドロフラン1ml 溶液に、室温で0.80M
のt-ブチルマグネシウムクロリドのテトラヒドロフラン
溶液2.75ml (2.2mmol)を加え、混合溶液を50℃に加熱し
た。60分間撹拌した後、室温にもどし、(3R,4R)-4-アセ
トキシ-3-[(R)-1-ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキ
シエチル]-アゼチジン-2- オン287mg のテトラヒドロフ
ラン1ml 溶液をゆっくり滴下し、さらに30分撹拌した。
2 Ｎ−塩酸4ml を加えて反応を停止し、酢酸エチル10ml
で抽出した。有機層を飽和重曹水4ml で洗浄し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥、溶媒を留去した。残渣をカラム
クロマトグラフィーで精製し、295mg の縮合成績体を得
た（収率７２％，β：α＝４０：６０）。
3,3,4,4- テトラメチルアゼチジン-2- オン183mg (1.0m
mol) のテトラヒドロフラン1ml 溶液に、室温で0.80M
のt-ブチルマグネシウムクロリドのテトラヒドロフラン
溶液2.75ml (2.2mmol)を加え、混合溶液を50℃に加熱し
た。60分間撹拌した後、室温にもどし、(3R,4R)-4-アセ
トキシ-3-[(R)-1-ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキ
シエチル]-アゼチジン-2- オン287mg のテトラヒドロフ
ラン1ml 溶液をゆっくり滴下し、さらに30分撹拌した。
2 Ｎ−塩酸4ml を加えて反応を停止し、酢酸エチル10ml
で抽出した。有機層を飽和重曹水4ml で洗浄し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥、溶媒を留去した。残渣をカラム
クロマトグラフィーで精製し、295mg の縮合成績体を得
た（収率７２％，β：α＝４０：６０）。
【０１５８】
【実施例２７】3-｛(2R)-2-[(3S,4R)-3-[(1R)-1-ｔｅｒ
ｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチル]-2-オキソアゼ
チジン-4- イル] プロピオニル｝- Ｎ−シクロヘキシル
- ｐ−トルエンスルホンアミドの製造
ｔ−ブチルジメチルシリルオキシエチル]-2-オキソアゼ
チジン-4- イル] プロピオニル｝- Ｎ−シクロヘキシル
- ｐ−トルエンスルホンアミドの製造
【０１５９】
【化６１】
【０１６０】窒素気流中、30ml 3ツ口フラスコにＮ−シ
クロヘキシル- Ｎ−ｐ−トルエンスルホニルプロピオン
アミド309mg (1.0mmol) を仕込み、テトラヒドロフラン
2mlに溶解させた。そこへ、ｓｅｃ−ブチルマグネシウ
ムクロリドのテトラヒドロフラン溶液(0.99M) 2.22ml
(2.2mmol)を室温下ゆっくり滴下した。そのまま25分間
反応させたのち、５℃まで冷却し、(3R,4R)-4-アセトキ
シ- ３-[(R)-1-ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ
エチル] アゼチジン- ２- オン287mg (1.0mmol)のテト
ラヒドロフラン溶液2ml を同温度で加えた。10分間撹拌
した後、酢酸エチル10mlを加え、10％クエン酸水溶液2m
l を滴下した。分液後、有機層を飽和重曹水2ml 、飽和
食塩水2ml で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。溶媒を留去し、残渣をカラムクロマトグラフィーで
精製し、339mg の縮合成績体を得た（収率６３％，β：
α＝９２：８）。
クロヘキシル- Ｎ−ｐ−トルエンスルホニルプロピオン
アミド309mg (1.0mmol) を仕込み、テトラヒドロフラン
2mlに溶解させた。そこへ、ｓｅｃ−ブチルマグネシウ
ムクロリドのテトラヒドロフラン溶液(0.99M) 2.22ml
(2.2mmol)を室温下ゆっくり滴下した。そのまま25分間
反応させたのち、５℃まで冷却し、(3R,4R)-4-アセトキ
シ- ３-[(R)-1-ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ
エチル] アゼチジン- ２- オン287mg (1.0mmol)のテト
ラヒドロフラン溶液2ml を同温度で加えた。10分間撹拌
した後、酢酸エチル10mlを加え、10％クエン酸水溶液2m
l を滴下した。分液後、有機層を飽和重曹水2ml 、飽和
食塩水2ml で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。溶媒を留去し、残渣をカラムクロマトグラフィーで
精製し、339mg の縮合成績体を得た（収率６３％，β：
α＝９２：８）。
【０１６１】
【実施例２８〜３８】実施例２７と同様にして下記表２
の基質を反応させ、β- メチル体を高選択的に得た。
（但し、表２中では、Pr: プロピル基、Bu: ブチル基、
Bn: ベンジル基、Ph: フェニル基を表す。）
の基質を反応させ、β- メチル体を高選択的に得た。
（但し、表２中では、Pr: プロピル基、Bu: ブチル基、
Bn: ベンジル基、Ph: フェニル基を表す。）
【０１６２】
【化６２】
【０１６３】
【表２】
【０１６４】
【参考例１】(R)-2-[(3S,4S)-3-[(R)-1-ｔｅｒｔ−ブチ
ルジメチルシリルオキエチル]-2-オキソアゼチジン-4-
イル] プロピオン酸の製造 3-｛(2R)-2-[(3S,4R)-3-[(1R)-1-ｔｅｒｔ−ブチルジメ
チルシリルオキシエチル]-2-オキソアゼチジン-4- イ
ル] プロピオニル｝- Ｎ−シクロヘキシル- ｐ−トルエ
ンスルホンアミド（218mg, 0.4mmol, β：α＝ 88:12）
のテトラヒドロフラン溶液（２：１，3.5 ml）に 0.5Ｎ
水酸化ナトリウム水（1.8ml ）を室温で滴下し、同温度
で３時間撹拌した。その後、反応混合溶液を水5ml に注
ぎ塩化メチレンで洗浄し、得られた水層に２Ｎ塩酸をｐ
Ｈ＝２になるまでくわえた。析出した結晶を濾取し、水
洗した後、減圧にて乾燥をおこない無色の表題化合物84
mg (β：α＝８９：１１）を得た（収率６９％）。
ルジメチルシリルオキエチル]-2-オキソアゼチジン-4-
イル] プロピオン酸の製造 3-｛(2R)-2-[(3S,4R)-3-[(1R)-1-ｔｅｒｔ−ブチルジメ
チルシリルオキシエチル]-2-オキソアゼチジン-4- イ
ル] プロピオニル｝- Ｎ−シクロヘキシル- ｐ−トルエ
ンスルホンアミド（218mg, 0.4mmol, β：α＝ 88:12）
のテトラヒドロフラン溶液（２：１，3.5 ml）に 0.5Ｎ
水酸化ナトリウム水（1.8ml ）を室温で滴下し、同温度
で３時間撹拌した。その後、反応混合溶液を水5ml に注
ぎ塩化メチレンで洗浄し、得られた水層に２Ｎ塩酸をｐ
Ｈ＝２になるまでくわえた。析出した結晶を濾取し、水
洗した後、減圧にて乾燥をおこない無色の表題化合物84
mg (β：α＝８９：１１）を得た（収率６９％）。
【０１６５】
【参考例２】(R)-2-[(3S,4S)-3-[(R)-1-ｔｅｒｔ−ブチ
ルジメチルシリルオキシエチル]-2-オキソアゼチジン-4
- イル] プロピオン酸の製造 3-｛(2R)-2-[(3S,4R)-3-[(1R)-1-t-ブチルジメチルシリ
ルオキシエチル]-2-オキソアゼチジン-4- イル] プロピ
オニル｝-(3aS-cis)-3,3a,8,8a- テトラヒドロ-2H-イン
デノ[1,2-d] オキサゾール-2- オン（308mg)のメタノー
ル−水混合溶媒（２：１，3ml ）に30％過酸化水素水
（0.15g, 1.35mmol ）を室温で添加した。次に28％水酸
化ナトリウム水溶液（0.12g, 0.81mmol ）を同温度で滴
下し、ＨＰＬＣで原料が消失するまで攪拌を続けた。反
応終了後、反応混合物に冷水（10ml）を添加し、塩化メ
チレン(5ml）で洗浄後、35％塩酸でｐＨを２に調整し
た。析出した結晶を濾取し、水洗後乾燥して、無色の表
題化合物160mg ( β：α＝９６：４）を得た（収率８９
％）。
ルジメチルシリルオキシエチル]-2-オキソアゼチジン-4
- イル] プロピオン酸の製造 3-｛(2R)-2-[(3S,4R)-3-[(1R)-1-t-ブチルジメチルシリ
ルオキシエチル]-2-オキソアゼチジン-4- イル] プロピ
オニル｝-(3aS-cis)-3,3a,8,8a- テトラヒドロ-2H-イン
デノ[1,2-d] オキサゾール-2- オン（308mg)のメタノー
ル−水混合溶媒（２：１，3ml ）に30％過酸化水素水
（0.15g, 1.35mmol ）を室温で添加した。次に28％水酸
化ナトリウム水溶液（0.12g, 0.81mmol ）を同温度で滴
下し、ＨＰＬＣで原料が消失するまで攪拌を続けた。反
応終了後、反応混合物に冷水（10ml）を添加し、塩化メ
チレン(5ml）で洗浄後、35％塩酸でｐＨを２に調整し
た。析出した結晶を濾取し、水洗後乾燥して、無色の表
題化合物160mg ( β：α＝９６：４）を得た（収率８９
％）。
【０１６６】
【発明の効果】本発明の製造方法は、従来のような、塩
基とルイス酸との複合試薬或いは一定の低温反応条件を
必要とすることなく、安価でしかも取扱いやすい一般式
（３）で表わされるマグネシウム化合物を使用するだけ
であり、工業的に極めて優れた製造方法である。また、
一般式（２）で表わされるアミド化合物中のＲ2 がメチ
ル基等のアルキル基の場合、モル比の調整、あるいは補
助基を適宜選択することにより、カルバペネム系化合物
の中間体として重要なβ−体を選択的に得ることができ
る。
基とルイス酸との複合試薬或いは一定の低温反応条件を
必要とすることなく、安価でしかも取扱いやすい一般式
（３）で表わされるマグネシウム化合物を使用するだけ
であり、工業的に極めて優れた製造方法である。また、
一般式（２）で表わされるアミド化合物中のＲ2 がメチ
ル基等のアルキル基の場合、モル比の調整、あるいは補
助基を適宜選択することにより、カルバペネム系化合物
の中間体として重要なβ−体を選択的に得ることができ
る。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 松本 崇司
神奈川県平塚市西八幡１丁目４番11号
高砂香料工業株式会社総合研究所内
(56)参考文献 特開 平７−70116（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−256327（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−82249（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−82248（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−316071（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C07D 205/08
C07D 413/06
ＣＡ（ＳＴＮ)
ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (7)
- 【請求項１】 下記一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒは、水素原子又はＮの保護基である。Ｒ1
は、保護されていてもよい水酸基で置換されていてもよ
い低級アルキル基である。Ｚは脱離基である。） で表わされるアゼチジノン誘導体と、下記一般式（２） 【化２】 （式中、Ｒ2 は、水素原子又は炭素数１乃至４の低級ア
ルキル基である。Ｒ3 は、(1) 炭素数１乃至１２のアル
キル基、(2) 炭素数２乃至５のアルケニル基、(3) 炭素
数１乃至６のオルガノシリル基、(4) 炭素数１乃至４の
低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、
ニトロ基もしくはハロゲン原子が置換していてもよいフ
ェニル基、(5) 炭素数１乃至４の低級アルキル基が置換
していてもよい炭素数６乃至１３のアラルキル基、(6)
炭素数１乃至４の低級アルキル基が置換していてもよい
５乃至８員環の脂環式基、又は(7) ナフチル基である。
Ｒ4は、下記の一般式（５）、（６）又は（７）で示さ
れるアミド化合物中において、−ＳＯ 2 Ｒ 8 ，−Ｃ（＝
Ｘ）−Ｙ−Ｒ 9 又は−Ｃ（＝Ｘ）−Ｒ 10 で示される電子
吸引基である。或いは、Ｒ3 及びＲ4 は、隣接する窒素
原子と一緒になって複素環を形成していてもよい。【化３】 【化４】 【化５】 （式中、Ｒ 2 及びＲ 3 は、前記と同じ意味である。Ｘ
は、酸素原子、硫黄原子又はＮＲ 11 基（Ｒ 11 は置換基を
有していてもよいアルキル基、又は置換基を有していて
もよいフェニル基である。）である。Ｙは、酸素原子、
硫黄原子である。Ｒ 8 、Ｒ 9 、Ｒ 10 は、(1) 炭素数１乃
至１２のアルキル基、(2) 炭素数１乃至４の低級アルキ
ル基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、ニトロ基も
しくはハロゲン原子が置換していてもよいフェニル基、
(3) 炭素数１乃至４の低級アルキル基が置換していても
よいベンジル基、(4) 炭素数１乃至４の低級アルキル基
が置換していてもよい５乃至７員環の脂環式基、(5) ナ
フチル基、又は(6) Ｒ 3 と一緒になって４乃至６員環を
形成していてもよい。）） で表わされるアミド化合物を、下記一般式（３） 【化６】 （式中、Ｒ5 は、(1) 炭素数１乃至１２のアルキル基、
(2) 炭素数２乃至５のアルケニル基、(3) 炭素数１乃至
４の低級アルキル基が置換していてもよい５乃至８員環
の脂環式基、(4) 炭素数１乃至４の低級アルキル基、炭
素数１乃至４の低級アルコキシ基、ハロゲン原子が置換
していてもよいフェニル基、(5) 炭素数１乃至４の低級
アルキル基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、ハロ
ゲン原子が置換していてもよいベンジル基である。Ｒ6
は、(1) ハロゲン原子、(2) メタンスルホニルオキシ
基、(3) ベンゼンスルホニルオキシ基、(4) ｐ−トルエ
ンスルホニルオキシ基、(5) トリフルオロメタンスルホ
ニルオキシ基、(6) ハロゲン原子、シアノ基が置換して
いてもよいアセトキシ基、又は(7) ＯＲ7 基（Ｒ7 は炭
素数１乃至４の低級アルキル基、置換基を有していても
よいフェニル基、又は置換基を有していてもよいベンジ
ル基である。）である。） で表わされるマグネシウム化合物の存在下で反応させる
ことを特徴とする下記一般式（４） 【化７】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 は前記と同じ意味で
ある。） で表わされる4-置換アゼチジノン誘導体の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の一般式（３）が、メチル
マグネシウムクロリド、メチルマグネシウムブロミド、
メチルマグネシウムヨージド、メチルマグネシウムメタ
ンスルホナート、メチルマグネシウムｔｅｒｔ−ブトキ
シド、エチルマグネシウムクロリド、エチルマグネシウ
ムブロミド、エチルマグネシウムヨージド、エチルマグ
ネシウムメタンスルホナート、エチルマグネシウムｔｅ
ｒｔ−ブトキシド、プロピルマグネシウムクロリド、プ
ロピルマグネシウムブロミド、プロピルマグネシウムヨ
ージド、プロピルマグネシウムメタンスルホナート、プ
ロピルマグネシウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ｉｓｏ−プ
ロピルマグネシウムクロリド、ｉｓｏ−プロピルマグネ
シウムブロミド、ｉｓｏ−プロピルマグネシウムヨージ
ド、ｉｓｏ−プロピルマグネシウムメタンスルホナー
ト、ｉｓｏ−プロピルマグネシウムｔｅｒｔ−ブトキシ
ド、ｎ−ブチルマグネシウムクロリド、ｎ−ブチルマグ
ネシウムブロミド、ｎ−ブチルマグネシウムヨージド、
ｎ−ブチルマグネシウムメタンスルホナート、ｎ−ブチ
ルマグネシウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ｓｅｃ−ブチル
マグネシウムクロリド、ｓｅｃ−ブチルマグネシウムブ
ロミド、ｓｅｃ−ブチルマグネシウムヨージド、ｓｅｃ
−ブチルマグネシウムメタンスルホナート、ｓｅｃ−ブ
チルマグネシウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ｉｓｏ−ブチ
ルマグネシウムクロリド、ｉｓｏ−ブチルマグネシウム
ブロミド、ｉｓｏ−ブチルマグネシウムヨージド、ｉｓ
ｏ−ブチルマグネシウムメタンスルホナート、ｉｓｏ−
ブチルマグネシウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ｔｅｒｔ−
ブチルマグネシウムクロリド、ｔｅｒｔ−ブチルマグネ
シウムブロミド、ｔｅｒｔ−ブチルマグネシウムヨージ
ド、ｔｅｒｔ−ブチルマグネシウムメタンスルホナー
ト、ｔｅｒｔ−ブチルマグネシウムｔｅｒｔ−ブトキシ
ド、フェニルマグネシウムクロリド、フェニルマグネシ
ウムブロミド、フェニルマグネシウムヨージド、フェニ
ルマグネシウムメタンスルホナート、フェニルマグネシ
ウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ｐ−トリルマグネシウムク
ロリド、ｐ−トリルマグネシウムブロミド、ｐ−トリル
マグネシウムヨージド、ｐ−トリルマグネシウムメタン
スルホナート、ｐ−トリルマグネシウムｔｅｒｔ−ブト
キシド、ベンジルマグネシウムクロリド、ベンジルマグ
ネシウムブロミド、ベンジルマグネシウムヨージド、ベ
ンジルマグネシウムメタンスルホナート、ベンジルマグ
ネシウムｔｅｒｔ−ブトキシドから選択される一つであ
る請求項１記載の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の一般式（５）が、下記一
般式（８）、（９）、（１０）、（１１）、（１２） 【化８】 【化９】 【化１０】 【化１１】 【化１２】 （式中、Ｒ2 は、前記と同じ意味である。Ｗは、酸素原
子、硫黄原子である。Ｒ12〜Ｒ23は、それぞれ同一であ
っても異なっていてもよく、(1) 水素原子、(2)炭素数
１乃至１２のアルキル基、(3) 炭素数１乃至４の低級ア
ルキル基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、ニトロ
基もしくはハロゲン原子が置換していてもよいフェニル
基、(4) 炭素数１乃至４の低級アルキル基が置換してい
てもよいベンジル基、(5) 炭素数１乃至４の低級アルキ
ル基が置換していてもよい５乃至７員環の脂環式基、
(6) ナフチル基である。(7) Ｒ12〜Ｒ23の中の同一の炭
素原子上の二つが、一緒になって、炭素数４乃至６のア
ルキレン基を形成していてもよい。(8) Ｒ12〜Ｒ23の中
の隣接する炭素原子上の二つが、炭素原子と一緒になっ
て、置換基を有していてもよい芳香族環（置換基として
は、炭素数１乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃至４
の低級アルコキシ基、アリール基、水酸基、ハロゲン原
子である。）を形成していてもよい。(9) Ｒ12〜Ｒ23の
中の隣接する炭素原子上の二つが、一緒になって、炭素
数３乃至６のアルキレン基を形成していてもよい。(10)
Ｒ12〜Ｒ23の中の隣接する炭素原子上の二つが、炭素原
子と一緒になって、多環式基を形成していてもよい。） で表わされるアミド化合物から選択される一つである請
求項１記載の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の一般式（６）が、下記一
般式（１３）、（１４）、（１５） 【化１３】 【化１４】 【化１５】 （式中、Ｒ2 、Ｘ及びＹは、前記と同じ意味である。Ｑ
は、酸素原子、硫黄原子である。Ｒ24〜Ｒ31はそれぞれ
同一であっても異なっていてもよく、(1) 水素原子、
(2) 炭素数１乃至１２のアルキル基、(3) 炭素数１乃至
４の低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ
基、ニトロ基もしくはハロゲン原子が置換していてもよ
いフェニル基、(4) 炭素数１乃至４の低級アルキル基が
置換していてもよいベンジル基、(5) 炭素数１乃至４の
低級アルキル基が置換していてもよい５乃至７員環の脂
環式基、(6) ナフチル基である。(7) Ｒ23〜Ｒ30の中の
同一の炭素原子上の二つが、一緒になって、炭素数４乃
至６のアルキレン基を形成していてもよい。(8) Ｒ24〜
Ｒ31の中の隣接する炭素原子上の二つが、炭素原子と一
緒になって、置換基を有していてもよい芳香族環（置換
基としては、炭素数１乃至４の低級アルキル基、炭素数
１乃至４の低級アルコキシ基、アリール基、水酸基、ハ
ロゲン原子である。）を形成していてもよい。(9) Ｒ24
〜Ｒ31の中の隣接する炭素原子上の二つが、一緒になっ
て、炭素数３乃至６のアルキレン基形成していてもよ
い。(10)Ｒ24〜Ｒ31の中の隣接する炭素原子上の二つ
が、炭素原子と一緒になって、多環式基を形成していて
もよい。） で表わされるアミド化合物から選択される一つである請
求項１記載の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１記載の一般式（７）で表される
基が、下記一般式（１６）、（１７）、（１８）、（１
９）、（２０）、（２１） 【化１６】 【化１７】 【化１８】 【化１９】 【化２０】 【化２１】 （式中、Ｒ2 及びＸは、前記と同じ意味である。Ｕは、
酸素原子、硫黄原子である。Ｒ32〜Ｒ47は、それぞれ同
一であっても異なっていてもよく、(1) 水素原子、(2)
炭素数１乃至１２のアルキル基、(3) 炭素数１乃至４の
低級アルキル基、炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、
ニトロ基もしくはハロゲン原子が置換していてもよいフ
ェニル基、(4) 炭素数１乃至４の低級アルキル基が置換
していてもよいベンジル基、(5) 炭素数１乃至４の低級
アルキル基が置換していてもよい５乃至７員環の脂環式
基、(6) ナフチル基である。(7) Ｒ32〜Ｒ47の中の同一
の炭素原子上の二つが、一緒になって、炭素数４乃至６
のアルキレン基を形成していてもよい。(8) Ｒ32〜Ｒ47
の中の隣接する炭素原子上の二つが、炭素原子と一緒に
なって、置換基を有していてもよい芳香族環（置換基と
しては、炭素数１乃至４の低級アルキル基、炭素数１乃
至４の低級アルコキシ基、アリール基、水酸基、ハロゲ
ン原子である。）を形成していてもよい。(9) Ｒ32〜Ｒ
47の中の隣接する炭素原子上の二つが、一緒になって、
炭素数３乃至６のアルキレン基を形成していてもよい。
(10)Ｒ32〜Ｒ47の中の隣接する炭素原子上の二つが、炭
素原子と一緒になって、多環式基を形成していてもよ
い。） で表わされるアミド化合物から選択される一つである請
求項１記載の製造方法。 - 【請求項６】 請求項４記載のアミド化合物が、一般式
（１３）である請求項１記載の製造方法。 - 【請求項７】 請求項５記載のアミド化合物が、一般式
（１６）、（１７）、（１９）から選ばれる一つである
請求項１記載の製造方法。
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