JPH0782249A - ４−置換アゼチジノン誘導体の製造法 - Google Patents
４−置換アゼチジノン誘導体の製造法Info
- Publication number
- JPH0782249A JPH0782249A JP5186871A JP18687193A JPH0782249A JP H0782249 A JPH0782249 A JP H0782249A JP 5186871 A JP5186871 A JP 5186871A JP 18687193 A JP18687193 A JP 18687193A JP H0782249 A JPH0782249 A JP H0782249A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- formula
- twenty
- alkyl group
- alkyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】 式Ｍ（Ｈａｌ）ｎ（ＯＲ５）ｍ〔式中、Ｍは
金属原子、Ｈａｌはハロゲン原子、Ｒ５は低級アルキル
基、シクロペンタジエニル基等；ｎ，ｍは０〜５の整数
でｎ＋ｍはＭの原子価〕で表わされる有機金属化合物と
塩基の存在下に、アゼチジノン誘導体とイミド化合物と
を反応させて、式〔II〕の４−置換アゼチジノン誘導体
を製造する方法。 〔式中、ＲはＨ，Ｎの保護基；Ｒ１は基−ＣＨ（Ｒ０）
−ＣＨ３等；Ｒ２はＨ、アルキル基；Ｒ３はアルキル
基、（置換）フェニル基、ベンズチアゾリル基等；Ｒ４
は電子吸引基、もしくはＲ３と一緒になって環を形成；
Ｒ０は（保護）水酸基、ハロゲン原子；Ｚは脱離基；を
示す〕 【効果】 式Ｍ（Ｈａｌ）ｎ（ＯＲ５）ｍで表わされる
化合物を使用する工業的に優れた製造法であり、且つ式
〔II〕の４−置換アゼチジノン誘導体は容易に加水分解
されカルバペネム系化合物の重要中間体であるカルボン
酸に誘導される。
金属原子、Ｈａｌはハロゲン原子、Ｒ５は低級アルキル
基、シクロペンタジエニル基等；ｎ，ｍは０〜５の整数
でｎ＋ｍはＭの原子価〕で表わされる有機金属化合物と
塩基の存在下に、アゼチジノン誘導体とイミド化合物と
を反応させて、式〔II〕の４−置換アゼチジノン誘導体
を製造する方法。 〔式中、ＲはＨ，Ｎの保護基；Ｒ１は基−ＣＨ（Ｒ０）
−ＣＨ３等；Ｒ２はＨ、アルキル基；Ｒ３はアルキル
基、（置換）フェニル基、ベンズチアゾリル基等；Ｒ４
は電子吸引基、もしくはＲ３と一緒になって環を形成；
Ｒ０は（保護）水酸基、ハロゲン原子；Ｚは脱離基；を
示す〕 【効果】 式Ｍ（Ｈａｌ）ｎ（ＯＲ５）ｍで表わされる
化合物を使用する工業的に優れた製造法であり、且つ式
〔II〕の４−置換アゼチジノン誘導体は容易に加水分解
されカルバペネム系化合物の重要中間体であるカルボン
酸に誘導される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はカルバペネム系化合物の
合成中間体として重要な４−置換アゼチジノン誘導体の
製造法に関する。
合成中間体として重要な４−置換アゼチジノン誘導体の
製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】カルバペネム系化合物の合成中間体とし
て一般式〔Ｉ′〕
て一般式〔Ｉ′〕
【０００３】
【化１０】
【０００４】（式中、Ｒ1 は保護されていてもよい水酸
基もしくはハロゲン原子で置換されていてもよいアルキ
ル基を、Ｒ2 は水素原子又はアルキル基を示す。）で表
わされるカルボン酸誘導体が重要でその製造法がいくつ
か提案されている。その中で特開昭６２−２５２７８６
号に一般式〔II′〕
基もしくはハロゲン原子で置換されていてもよいアルキ
ル基を、Ｒ2 は水素原子又はアルキル基を示す。）で表
わされるカルボン酸誘導体が重要でその製造法がいくつ
か提案されている。その中で特開昭６２−２５２７８６
号に一般式〔II′〕
【０００５】
【化１１】
【０００６】〔式中、Ｒ1 及びＲ2 は前記と同じ意味
を、Ｒは水素原子又は容易に除去できるＮの保護基を示
し、ｒは置換基を有していてもよい隣接する２個の炭素
原子と一緒になって形成する芳香族基を、Ｘは酸素原
子、硫黄原子、スルフィニル基、スルホニル基又はＮｒ
1 基（ｒ1 は水素原子、アルキル基又はフェニル基を示
す。）を、Ｙは酸素原子、硫黄原子又はＮｒ2 基（ｒ2
は水素原子、アルキル基又はフェニル基を示す。）を示
す。〕で表わされる４−置換アゼチジノンが容易に加水
分解されて一般式〔Ｉ′〕で表わされるカルボン酸誘導
体になることが記載されている。また、Ｔｅｔｒａｈｅ
ｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．Ｖｏｌ．２７ ５６８７〜５６９
０（１８９６）に一般式〔II″〕
を、Ｒは水素原子又は容易に除去できるＮの保護基を示
し、ｒは置換基を有していてもよい隣接する２個の炭素
原子と一緒になって形成する芳香族基を、Ｘは酸素原
子、硫黄原子、スルフィニル基、スルホニル基又はＮｒ
1 基（ｒ1 は水素原子、アルキル基又はフェニル基を示
す。）を、Ｙは酸素原子、硫黄原子又はＮｒ2 基（ｒ2
は水素原子、アルキル基又はフェニル基を示す。）を示
す。〕で表わされる４−置換アゼチジノンが容易に加水
分解されて一般式〔Ｉ′〕で表わされるカルボン酸誘導
体になることが記載されている。また、Ｔｅｔｒａｈｅ
ｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．Ｖｏｌ．２７ ５６８７〜５６９
０（１８９６）に一般式〔II″〕
【０００７】
【化１２】
【０００８】（式中Ｘは前記と同じ意味を示し、ｒ3 及
びｒ4 はそれぞれ水素原子又はメチル基を示す。）で表
わされる化合物が示されている。しかしながら、これら
の一般式〔II′〕及び〔II″〕で表わされる４−置換ア
ゼチジノン誘導体は高価なボロントリフレートあるいは
スズトリフレートを使用して製造しており工業的に適し
ていない。
びｒ4 はそれぞれ水素原子又はメチル基を示す。）で表
わされる化合物が示されている。しかしながら、これら
の一般式〔II′〕及び〔II″〕で表わされる４−置換ア
ゼチジノン誘導体は高価なボロントリフレートあるいは
スズトリフレートを使用して製造しており工業的に適し
ていない。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は一般式
【００１０】
【化１３】
【００１１】（式中、Ｒは水素原子又は容易に除去でき
るＮの保護基、Ｒ1 は保護されていてもよい水酸基もし
くはハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基
を、Ｚは脱離基を示す。）で表わされるアゼチジノン誘
導体と一般式
るＮの保護基、Ｒ1 は保護されていてもよい水酸基もし
くはハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基
を、Ｚは脱離基を示す。）で表わされるアゼチジノン誘
導体と一般式
【００１２】
【化１４】
【００１３】（式中、Ｒ2 は水素原子又はアルキル基
を、Ｒ3 はアルキル基、トリアルキルシリル基、アルキ
ル基、アルコキシ基、ニトロ基もしくはハロゲン原子で
置換されていてもよいフェニル基、シクロアルキル基、
ナフチル基、アントラセニル基、フルオレニル基、ベン
ズチアゾリル基、ナフタリミジル基を、Ｒ4 は電子吸引
基を表わすかあるいはＲ3 とＲ4 が一緒になって環を形
成する。）で表わされるイミド化合物とを一般式
を、Ｒ3 はアルキル基、トリアルキルシリル基、アルキ
ル基、アルコキシ基、ニトロ基もしくはハロゲン原子で
置換されていてもよいフェニル基、シクロアルキル基、
ナフチル基、アントラセニル基、フルオレニル基、ベン
ズチアゾリル基、ナフタリミジル基を、Ｒ4 は電子吸引
基を表わすかあるいはＲ3 とＲ4 が一緒になって環を形
成する。）で表わされるイミド化合物とを一般式
【００１４】 Ｍ（Ｈａｌ）n （Ｒ5 ）m 〔Ｖ〕 （式中、Ｍは金属原子を、Ｈａｌはハロゲン原子を、Ｒ
5 は低級アルキル基、低級アルコキシ基、フェノキシ
基、置換フェノキシ基、又はシクロペンタジエニル基
を、ｎ及びｍはそれぞれ０，１，２，３，４又は５でか
つｎ＋ｍはＭの原子価を示す。）で表わされる化合物及
び塩基の存在下で反応させることを特徴とする一般式
5 は低級アルキル基、低級アルコキシ基、フェノキシ
基、置換フェノキシ基、又はシクロペンタジエニル基
を、ｎ及びｍはそれぞれ０，１，２，３，４又は５でか
つｎ＋ｍはＭの原子価を示す。）で表わされる化合物及
び塩基の存在下で反応させることを特徴とする一般式
【００１５】
【化１５】
【００１６】（式中、Ｒ，Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 及びＲ4 は
前記と同じ意味を示す。）で表わされる４−置換アゼチ
ジノン誘導体の製造法である。Ｒ1 の水酸基の保護基と
はｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル、ｔｅｒｔ−ブチル
ジフェニルシリル、トリエチルシリル、ジメチルクミル
シリル、トリイソプロピルシリル、ジメチルヘキシルシ
リル等のオルガノシリル基、ｐ−ニトロベンジルオキシ
カルボニル、ｐ−メトキシベンジルオキシカルボニル、
アリルオキシカルボニル等のオキシカルボニル基、アセ
チル基、トリフェニルメチル基、ベンゾイル基、テトラ
ヒドロピラニル基などが例示される。Ｎの保護基として
は上記で記載したシリル基、ベンジル基、ｐ−ニトロベ
ンジル基、ｐ−ニトロベンゾイルメチル基、ベンズヒド
リル基、ｐ−メトキシベンジル基、２，４−ジメトキシ
ベンジル基などが例示される。Ｚの脱離基としては、プ
ロピオニルオキシ、ブチリルオキシ、イソブチリルオキ
シ、シクロヘキシルカルボニルオキシ等の直鎖、分岐ま
たは環状のアルカノイルオキシ基、ベンゾイルオキシ、
１−ナフトイルオキシ、２−ナフトイルオキシ、ニコチ
ノイルオキシ、イソニコチノイルオキシ、フロイルオキ
シ、テノイルオキシ等の単環または双環のヘテロ原子を
有してもよいアロイルオキシ基、フェニルアセトキシ等
のアリールアルカノイルオキシ基、メトキシカルボニル
オキシ、エトキシカルボニルオキシ等のアルコキシカル
ボニルオキシ基、ベンジルオキシカルボニルオキシ等の
アラルコキシカルボニルオキシ基、メトキシアセトキ
シ、エトキシアセトキシ等のアルコキシアルカノイルオ
キシ基、Ｎ−メチルカルバモイルオキシ、Ｎ−エチルカ
ルバモイルオキシ、Ｎ−フェニルカルボモイルオキシ等
のカルバモイルオキシ基等のアシルオキシ基が例示でき
る。この中でカルボニルの炭素を含む炭素数が３以上の
アシルオキシ基が好ましい。
前記と同じ意味を示す。）で表わされる４−置換アゼチ
ジノン誘導体の製造法である。Ｒ1 の水酸基の保護基と
はｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル、ｔｅｒｔ−ブチル
ジフェニルシリル、トリエチルシリル、ジメチルクミル
シリル、トリイソプロピルシリル、ジメチルヘキシルシ
リル等のオルガノシリル基、ｐ−ニトロベンジルオキシ
カルボニル、ｐ−メトキシベンジルオキシカルボニル、
アリルオキシカルボニル等のオキシカルボニル基、アセ
チル基、トリフェニルメチル基、ベンゾイル基、テトラ
ヒドロピラニル基などが例示される。Ｎの保護基として
は上記で記載したシリル基、ベンジル基、ｐ−ニトロベ
ンジル基、ｐ−ニトロベンゾイルメチル基、ベンズヒド
リル基、ｐ−メトキシベンジル基、２，４−ジメトキシ
ベンジル基などが例示される。Ｚの脱離基としては、プ
ロピオニルオキシ、ブチリルオキシ、イソブチリルオキ
シ、シクロヘキシルカルボニルオキシ等の直鎖、分岐ま
たは環状のアルカノイルオキシ基、ベンゾイルオキシ、
１−ナフトイルオキシ、２−ナフトイルオキシ、ニコチ
ノイルオキシ、イソニコチノイルオキシ、フロイルオキ
シ、テノイルオキシ等の単環または双環のヘテロ原子を
有してもよいアロイルオキシ基、フェニルアセトキシ等
のアリールアルカノイルオキシ基、メトキシカルボニル
オキシ、エトキシカルボニルオキシ等のアルコキシカル
ボニルオキシ基、ベンジルオキシカルボニルオキシ等の
アラルコキシカルボニルオキシ基、メトキシアセトキ
シ、エトキシアセトキシ等のアルコキシアルカノイルオ
キシ基、Ｎ−メチルカルバモイルオキシ、Ｎ−エチルカ
ルバモイルオキシ、Ｎ−フェニルカルボモイルオキシ等
のカルバモイルオキシ基等のアシルオキシ基が例示でき
る。この中でカルボニルの炭素を含む炭素数が３以上の
アシルオキシ基が好ましい。
【００１７】塩基としては第２、３級アミン類及びピリ
ジン類が挙げられ、たとえばジメチルアミン、ジエチル
アミン、ジイソプロピルアミン、ジシクロヘキシルアミ
ン等のアルキルアミン、Ｎ−メチルアニリン等のアルキ
ルアニリン、ピペリジン、ピロリジン、２，２，６，６
−テトラメチルピペリジン、モルホリン、ピペラジン等
の複素環状アミン等の第２級アミン、ジイソプロピルエ
チルアミン、ジイソプロピルメチルアミン、トリエチル
アミン等のアルキルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン
等のジアルキルアニリン、１−エチルピペリジン、１−
メチルモルホリン、１−エチルピロリジン、１，４−ジ
アザビシクロ〔２，２，２〕オクタン、１，８−ジアザ
ビシクロ〔５，４，０〕ウンデス−７−エン等の複素環
状のアミンもしくはＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチル
エチレンジアミン等のジアミン類等の第３級アミン、
α，βまたはγ−ピリコン、２，３−、２，４−、２，
５−、２，６−、３，４−または３，５−ルチジン、
２，４，６−コリジン等のアルキルピリジン、ジメチル
アミノピリジンのようなジアルキルアミノピリジン、キ
ノリンのような縮合複素環化されたピリジン等のピリジ
ン類が例示できる。
ジン類が挙げられ、たとえばジメチルアミン、ジエチル
アミン、ジイソプロピルアミン、ジシクロヘキシルアミ
ン等のアルキルアミン、Ｎ−メチルアニリン等のアルキ
ルアニリン、ピペリジン、ピロリジン、２，２，６，６
−テトラメチルピペリジン、モルホリン、ピペラジン等
の複素環状アミン等の第２級アミン、ジイソプロピルエ
チルアミン、ジイソプロピルメチルアミン、トリエチル
アミン等のアルキルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン
等のジアルキルアニリン、１−エチルピペリジン、１−
メチルモルホリン、１−エチルピロリジン、１，４−ジ
アザビシクロ〔２，２，２〕オクタン、１，８−ジアザ
ビシクロ〔５，４，０〕ウンデス−７−エン等の複素環
状のアミンもしくはＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチル
エチレンジアミン等のジアミン類等の第３級アミン、
α，βまたはγ−ピリコン、２，３−、２，４−、２，
５−、２，６−、３，４−または３，５−ルチジン、
２，４，６−コリジン等のアルキルピリジン、ジメチル
アミノピリジンのようなジアルキルアミノピリジン、キ
ノリンのような縮合複素環化されたピリジン等のピリジ
ン類が例示できる。
【００１８】Ｍ（Ｈａｌ）n （Ｒ5 ）m で表わされる化
合物としてはＴｉＣｌ4 ，ＺｒＣｌ3 （ＯＣＨ3 ），Ｚ
ｒＣｌ3 （ＯＣ2 Ｈ5 ），ＺｒＣｌ3 （ＯＣ
3 Ｈ7 n ），ＺｒＣｌ3 （ＯＣ3 Ｈ7 i ），ＺｒＣｌ3
（ＯＣ4 Ｈ9 i ），ＺｒＣｌ3 （ＯＣ4Ｈ9 s ），Ｚｒ
Ｃｌ3 （ＯＣ4 Ｈ9 t ），ＳｎＣｌ4 ，ＡｌＣｌ3 ，Ａ
ｌ（ＯＣＨ3 ）3 ，Ａｌ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 ，Ａｌ（ＯＣ
3 Ｈ7 i ）3 ，ＡｌＣｌ2 Ｃ2 Ｈ5 ，ＡｌＣｌ（Ｃ2 Ｈ
5 ）2 ，Ａｌ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ，ＡｌＣｌ2 ＣＨ3 ，Ａｌ
Ｃｌ（ＣＨ3 ）2 ，Ａｌ（ＣＨ3 ）3 等が例示できる。
合物としてはＴｉＣｌ4 ，ＺｒＣｌ3 （ＯＣＨ3 ），Ｚ
ｒＣｌ3 （ＯＣ2 Ｈ5 ），ＺｒＣｌ3 （ＯＣ
3 Ｈ7 n ），ＺｒＣｌ3 （ＯＣ3 Ｈ7 i ），ＺｒＣｌ3
（ＯＣ4 Ｈ9 i ），ＺｒＣｌ3 （ＯＣ4Ｈ9 s ），Ｚｒ
Ｃｌ3 （ＯＣ4 Ｈ9 t ），ＳｎＣｌ4 ，ＡｌＣｌ3 ，Ａ
ｌ（ＯＣＨ3 ）3 ，Ａｌ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 ，Ａｌ（ＯＣ
3 Ｈ7 i ）3 ，ＡｌＣｌ2 Ｃ2 Ｈ5 ，ＡｌＣｌ（Ｃ2 Ｈ
5 ）2 ，Ａｌ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ，ＡｌＣｌ2 ＣＨ3 ，Ａｌ
Ｃｌ（ＣＨ3 ）2 ，Ａｌ（ＣＨ3 ）3 等が例示できる。
【００１９】一般式
【００２０】
【化１６】
【００２１】で表わされる置換基（以下、補助基とい
う。）としては以下のものが例示できる。
う。）としては以下のものが例示できる。
【００２２】
【化１７】
【００２３】
【化１８】
【００２４】
【化１９】
【００２５】
【化２０】
【００２６】
【化２１】
【００２７】
【化２２】
【００２８】
【化２３】
【００２９】
【化２４】
【００３０】反応は塩化メチレン、クロロホルム等の塩
素系溶媒、クロロベンゼン、トルエン等の芳香族系溶
媒、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）アセトニトリル等の
極性溶媒等の有機溶媒中、一般式〔IV〕で表わされるイ
ミド化合物と一般式〔Ｖ〕で表わされる化合物及びアミ
ン、アニリン又はピリジン類とでエノレートを生成させ
このエノレートと一般式〔III 〕で表わされるアゼチジ
ノン誘導体とを反応させる。反応温度はエノレートの生
成及びエノレートとアゼチジノン誘導体との反応とも−
５０°〜１００℃、好ましくは−２０°〜５０℃で行な
う。
素系溶媒、クロロベンゼン、トルエン等の芳香族系溶
媒、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）アセトニトリル等の
極性溶媒等の有機溶媒中、一般式〔IV〕で表わされるイ
ミド化合物と一般式〔Ｖ〕で表わされる化合物及びアミ
ン、アニリン又はピリジン類とでエノレートを生成させ
このエノレートと一般式〔III 〕で表わされるアゼチジ
ノン誘導体とを反応させる。反応温度はエノレートの生
成及びエノレートとアゼチジノン誘導体との反応とも−
５０°〜１００℃、好ましくは−２０°〜５０℃で行な
う。
【００３１】反応のモル比は一般式〔III 〕で表わされ
るアゼチジノン誘導体１モルに対し、一般式〔IV〕で表
わされるイミド化合物１〜８モル、一般式〔Ｖ〕で表わ
される化合物１〜８モル、塩基１〜８モルである。ま
た、Ｒ2 がメチル基等のアルキル基の場合、一般式〔I
V〕で表わされるイミド化合物と一般式〔Ｖ〕で表わさ
れる化合物あるいはアミンのモル比あるいは補助基の種
類により生成するα−体とβ−体の割合が異る。ＤＭ
Ｆ、ＴＨＦ、アセトニトリル等の極性溶媒を添加するこ
とにより目的のβ−体の生成比をよくすることができ
る。反応終了後は通常の後処理を行なうことにより、目
的物を単離することができる。また、単離せずにそのま
ま加水分解させ一般式〔Ｉ〕
るアゼチジノン誘導体１モルに対し、一般式〔IV〕で表
わされるイミド化合物１〜８モル、一般式〔Ｖ〕で表わ
される化合物１〜８モル、塩基１〜８モルである。ま
た、Ｒ2 がメチル基等のアルキル基の場合、一般式〔I
V〕で表わされるイミド化合物と一般式〔Ｖ〕で表わさ
れる化合物あるいはアミンのモル比あるいは補助基の種
類により生成するα−体とβ−体の割合が異る。ＤＭ
Ｆ、ＴＨＦ、アセトニトリル等の極性溶媒を添加するこ
とにより目的のβ−体の生成比をよくすることができ
る。反応終了後は通常の後処理を行なうことにより、目
的物を単離することができる。また、単離せずにそのま
ま加水分解させ一般式〔Ｉ〕
【００３２】
【化２５】
【００３３】（式中、Ｒ，Ｒ1 及びＲ2 は前記と同じ意
味を示す。）で表わされるカルボン酸誘導体に導くこと
も可能である。
味を示す。）で表わされるカルボン酸誘導体に導くこと
も可能である。
【００３４】
【実施例】次に実施例を挙げ本発明を更に詳細に説明す
る。 実施例１ β−メチル誘導体（３−〔（Ｒ）−２−〔（３Ｓ，４
Ｒ）−３−〔（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシ
リロキシエチル〕−２−オキソアゼチジン−４−イル〕
プロピオニル〕−４，４−ジメチルオキサゾリジン−２
−チオン）の製造
る。 実施例１ β−メチル誘導体（３−〔（Ｒ）−２−〔（３Ｓ，４
Ｒ）−３−〔（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシ
リロキシエチル〕−２−オキソアゼチジン−４−イル〕
プロピオニル〕−４，４−ジメチルオキサゾリジン−２
−チオン）の製造
【化２６】 ４，４−ジメチル−３−プロピオニルオキサゾリジン−
２−チオン（３．８ｇ，２０ミリモル）の塩化メチレン
（２５ｍｌ）溶液を５℃に冷却し、四塩化チタン（３．
８ｇ，２０ミリモル）の塩化メチレン（５ｍｌ）溶液を
加えた。５℃で３０分間熟成した後、Ｎ，Ｎ−ジイソプ
ロピルエチルアミン（２．６ｇ，２０ミリモル）の塩化
メチレン（５ｍｌ）溶液および（３Ｒ，４Ｒ）−３−
〔（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエ
チル〕−４−（２−メチルベンゾイルオキシ）アゼチジ
ン−２−オン（３．４ｇ，９．２ミリモル）の塩化メチ
レン（１５ｍｌ）溶液を同温度で加えた。得られた混合
液を５℃で１時間熟成した後２０℃に昇温し、さらに２
時間熟成した。得られた混合液を５℃に冷却し、５％炭
酸水素ナトリウム水溶液（１００ｍｌ）を撹拌しながら
添加した。不溶物を濾過によって取り除き、濾液から分
離した有機層をＨＰＬＣ分析した結果、β−メチル誘導
体３．２ｇ（β−メチル誘導体：α−メチル誘導体＝９
５．８：４．２）含有していた。
２−チオン（３．８ｇ，２０ミリモル）の塩化メチレン
（２５ｍｌ）溶液を５℃に冷却し、四塩化チタン（３．
８ｇ，２０ミリモル）の塩化メチレン（５ｍｌ）溶液を
加えた。５℃で３０分間熟成した後、Ｎ，Ｎ−ジイソプ
ロピルエチルアミン（２．６ｇ，２０ミリモル）の塩化
メチレン（５ｍｌ）溶液および（３Ｒ，４Ｒ）−３−
〔（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエ
チル〕−４−（２−メチルベンゾイルオキシ）アゼチジ
ン−２−オン（３．４ｇ，９．２ミリモル）の塩化メチ
レン（１５ｍｌ）溶液を同温度で加えた。得られた混合
液を５℃で１時間熟成した後２０℃に昇温し、さらに２
時間熟成した。得られた混合液を５℃に冷却し、５％炭
酸水素ナトリウム水溶液（１００ｍｌ）を撹拌しながら
添加した。不溶物を濾過によって取り除き、濾液から分
離した有機層をＨＰＬＣ分析した結果、β−メチル誘導
体３．２ｇ（β−メチル誘導体：α−メチル誘導体＝９
５．８：４．２）含有していた。
【００３５】実施例２ β−メチル誘導体（３−〔（Ｒ）−２−〔（３Ｓ，４
Ｒ）−３−〔（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシ
リロキシエチル〕−２−オキソアゼチジン−４−イル〕
プロピオニル〕−４，４−ジメチルオキサゾリジン−２
−チオン）の製造
Ｒ）−３−〔（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシ
リロキシエチル〕−２−オキソアゼチジン−４−イル〕
プロピオニル〕−４，４−ジメチルオキサゾリジン−２
−チオン）の製造
【００３６】
【化２７】 ４，４−ジメチル−３−プロピオニルオキサゾリジン−
２−チオン（３．８ｇ，２０ミリモル）の塩化メチレン
（２５ｍｌ）溶液を５℃に冷却し、四塩化ジルコニウム
（４．７ｇ，２０ミリモル）の塩化メチレン（１５ｍ
ｌ）溶液を加えた。５℃で３０分間熟成した後、トリエ
チルアミン（２．０ｇ，２０ミリモル）の塩化メチレン
（５ｍｌ）溶液および（３Ｒ，４Ｒ）−３−〔（Ｒ）−
１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕−４
−（４−クロルベンゾイルオキシ）アゼチジン−２−オ
ン（３．８ｇ，１０ミリモル）の塩化メチレン（２５ｍ
ｌ）溶液を同温度で加えた。得られた混合液を５℃で１
時間熟成した後２０℃に昇温し、さらに２時間熟成し
た。得られた混合液を５℃に冷却し、５％炭酸水素ナト
リウム水溶液（１５０ｍｌ）を撹拌しながら添加した。
不溶物を濾過によって取り除き、濾液から分離した有機
層をＨＰＬＣ分析した結果、β−メチル誘導体３．４ｇ
（β−メチル誘導体：α−メチル誘導体＝１００：０）
含有していた。 実施例３ β−メチル誘導体（３−〔（Ｒ）−２−〔（３Ｓ，４
Ｒ）−３−〔（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシ
リロキシエチル〕−２−オキソアゼチジン−４−イル〕
プロピオニル〕−４，４−ジメチルオキサゾリジン−２
−チオン）の製造
２−チオン（３．８ｇ，２０ミリモル）の塩化メチレン
（２５ｍｌ）溶液を５℃に冷却し、四塩化ジルコニウム
（４．７ｇ，２０ミリモル）の塩化メチレン（１５ｍ
ｌ）溶液を加えた。５℃で３０分間熟成した後、トリエ
チルアミン（２．０ｇ，２０ミリモル）の塩化メチレン
（５ｍｌ）溶液および（３Ｒ，４Ｒ）−３−〔（Ｒ）−
１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕−４
−（４−クロルベンゾイルオキシ）アゼチジン−２−オ
ン（３．８ｇ，１０ミリモル）の塩化メチレン（２５ｍ
ｌ）溶液を同温度で加えた。得られた混合液を５℃で１
時間熟成した後２０℃に昇温し、さらに２時間熟成し
た。得られた混合液を５℃に冷却し、５％炭酸水素ナト
リウム水溶液（１５０ｍｌ）を撹拌しながら添加した。
不溶物を濾過によって取り除き、濾液から分離した有機
層をＨＰＬＣ分析した結果、β−メチル誘導体３．４ｇ
（β−メチル誘導体：α−メチル誘導体＝１００：０）
含有していた。 実施例３ β−メチル誘導体（３−〔（Ｒ）−２−〔（３Ｓ，４
Ｒ）−３−〔（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシ
リロキシエチル〕−２−オキソアゼチジン−４−イル〕
プロピオニル〕−４，４−ジメチルオキサゾリジン−２
−チオン）の製造
【００３７】
【化２８】 ４，４−ジメチル−３−プロピオニルオキサゾリジン−
２−チオン（３．８ｇ，２０ミリモル）の塩化メチレン
（２５ｍｌ）溶液を５℃に冷却し、塩化アルミニウム
（２．７ｇ，２０ミリモル）の塩化メチレン（１０ｍ
ｌ）溶液を加えた。５℃で３０分間熟成した後、Ｎ，Ｎ
−ジイソプロピルエチルアミン（２．６ｇ，２０ミリモ
ル）の塩化メチレン（５ｍｌ）溶液および（３Ｒ，４
Ｒ）−４−ベンゾイルオキシ−３−〔（Ｒ）−１−ｔｅ
ｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジン−
２−オン（３．５ｇ，１０ミリモル）の塩化メチレン
（１０ｍｌ）溶液を同温度で加えた。得られた混合液を
５℃で１時間熟成した後２０℃に昇温し、さらに２時間
熟成した。得られた混合液を５℃に冷却し、５％炭酸水
素ナトリウム水溶液（１００ｍｌ）を撹拌しながら添加
した。不溶物を濾過によって取り除き、濾液から分離し
た有機層をＨＰＬＣ分析した結果、β−メチル誘導体
１．８ｇ（β−メチル誘導体：α−メチル誘導体＝８
２．７：１７．３）含有していた。 実施例４ β−メチル誘導体（３−〔（Ｒ）−２−〔（３Ｓ，４
Ｒ）−３−〔（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシ
リロキシエチル〕−２−オキソアゼチジン−４−イル〕
プロピオニル〕−４，４−ジメチルオキサゾリジン−２
−チオン）の製造
２−チオン（３．８ｇ，２０ミリモル）の塩化メチレン
（２５ｍｌ）溶液を５℃に冷却し、塩化アルミニウム
（２．７ｇ，２０ミリモル）の塩化メチレン（１０ｍ
ｌ）溶液を加えた。５℃で３０分間熟成した後、Ｎ，Ｎ
−ジイソプロピルエチルアミン（２．６ｇ，２０ミリモ
ル）の塩化メチレン（５ｍｌ）溶液および（３Ｒ，４
Ｒ）−４−ベンゾイルオキシ−３−〔（Ｒ）−１−ｔｅ
ｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジン−
２−オン（３．５ｇ，１０ミリモル）の塩化メチレン
（１０ｍｌ）溶液を同温度で加えた。得られた混合液を
５℃で１時間熟成した後２０℃に昇温し、さらに２時間
熟成した。得られた混合液を５℃に冷却し、５％炭酸水
素ナトリウム水溶液（１００ｍｌ）を撹拌しながら添加
した。不溶物を濾過によって取り除き、濾液から分離し
た有機層をＨＰＬＣ分析した結果、β−メチル誘導体
１．８ｇ（β−メチル誘導体：α−メチル誘導体＝８
２．７：１７．３）含有していた。 実施例４ β−メチル誘導体（３−〔（Ｒ）−２−〔（３Ｓ，４
Ｒ）−３−〔（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシ
リロキシエチル〕−２−オキソアゼチジン−４−イル〕
プロピオニル〕−４，４−ジメチルオキサゾリジン−２
−チオン）の製造
【００３８】
【化２９】 ４，４−ジメチル−３−プロピオニルオキサゾリジン−
２−チオン（３．８ｇ，２０ミリモル）の塩化メチレン
（２５ｍｌ）溶液を５℃に冷却し、四塩化チタン（３．
８ｇ，２０ミリモル）の塩化メチレン（５ｍｌ）溶液を
加えた。５℃で３０分間熟成した後、トリエチルアミン
（２．０ｇ，２０ミリモル）の塩化メチレン（５ｍｌ）
溶液および（３Ｒ，４Ｒ）−３−〔（Ｒ）−１−ｔｅｒ
ｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕−４−プロピオ
ニルオキシアゼチジン−２−オン（３．０ｇ，１０ミリ
モル）の塩化メチレン（１０ｍｌ）溶液を同温度で加え
た。得られた混合液を５℃で１時間熟成した後２０℃に
昇温し、さらに２時間熟成した。得られた混合液を５℃
に冷却し、５％炭酸水素ナトリウム水溶液（１００ｍ
ｌ）を撹拌しながら添加した。不溶物を濾過によって取
り除き、濾液から分離した有機層をＨＰＬＣ分析した結
果、β−メチル誘導体３．４ｇ（β−メチル誘導体：α
−メチル誘導体＝９６．５：３．５）含有していた。 実施例５ β−メチル誘導体（３−〔（Ｒ）−２−〔（３Ｓ，４
Ｒ）−３−〔（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシ
リロキシエチル〕−２−オキソアゼチジン−４−イル〕
プロピオニル〕−４，４−ジメチルオキサゾリジン−２
−チオン）の製造
２−チオン（３．８ｇ，２０ミリモル）の塩化メチレン
（２５ｍｌ）溶液を５℃に冷却し、四塩化チタン（３．
８ｇ，２０ミリモル）の塩化メチレン（５ｍｌ）溶液を
加えた。５℃で３０分間熟成した後、トリエチルアミン
（２．０ｇ，２０ミリモル）の塩化メチレン（５ｍｌ）
溶液および（３Ｒ，４Ｒ）−３−〔（Ｒ）−１−ｔｅｒ
ｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕−４−プロピオ
ニルオキシアゼチジン−２−オン（３．０ｇ，１０ミリ
モル）の塩化メチレン（１０ｍｌ）溶液を同温度で加え
た。得られた混合液を５℃で１時間熟成した後２０℃に
昇温し、さらに２時間熟成した。得られた混合液を５℃
に冷却し、５％炭酸水素ナトリウム水溶液（１００ｍ
ｌ）を撹拌しながら添加した。不溶物を濾過によって取
り除き、濾液から分離した有機層をＨＰＬＣ分析した結
果、β−メチル誘導体３．４ｇ（β−メチル誘導体：α
−メチル誘導体＝９６．５：３．５）含有していた。 実施例５ β−メチル誘導体（３−〔（Ｒ）−２−〔（３Ｓ，４
Ｒ）−３−〔（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシ
リロキシエチル〕−２−オキソアゼチジン−４−イル〕
プロピオニル〕−４，４−ジメチルオキサゾリジン−２
−チオン）の製造
【００３９】
【化３０】 ４，４−ジメチル−３−プロピオニルオキサゾリジン−
２−チオン（３．８ｇ，２０ミリモル）の塩化メチレン
（２５ｍｌ）溶液を５℃に冷却し、四塩化チタン（３．
８ｇ，２０ミリモル）の塩化メチレン（５ｍｌ）溶液を
加えた。５℃で３０分間熟成した後、Ｎ，Ｎ−ジイソプ
ロピルエチルアミン（２．６ｇ，２０ミリモル）の塩化
メチレン（５ｍｌ）溶液および（３Ｒ，４Ｒ）−３−
〔（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエ
チル〕−４−イソブチリルオキシアゼチジン−２−オン
（３．２ｇ，１ミリモル）の塩化メチレン（１０ｍｌ）
溶液を同温度で加えた。得られた混合液を５℃で１時間
熟成した後２０℃に昇温し、さらに２時間熟成した。得
られた混合液を５℃に冷却し、５％炭酸水素ナトリウム
水溶液（１００ｍｌ）を撹拌しながら添加した。不溶物
を濾過によって取り除き、濾液から分離した有機層をＨ
ＰＬＣ分析した結果、β−メチル誘導体３．３ｇ（β−
メチル誘導体：α−メチル誘導体＝９６．０：４．０）
含有していた。 実施例６ β−メチル誘導体（３−〔（Ｒ）−２−〔（３Ｓ，４
Ｒ）−３−〔（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシ
リロキシエチル〕−２−オキソアゼチジン−４−イル〕
プロピオニル〕ベンゾキサゾリン−２−オン
２−チオン（３．８ｇ，２０ミリモル）の塩化メチレン
（２５ｍｌ）溶液を５℃に冷却し、四塩化チタン（３．
８ｇ，２０ミリモル）の塩化メチレン（５ｍｌ）溶液を
加えた。５℃で３０分間熟成した後、Ｎ，Ｎ−ジイソプ
ロピルエチルアミン（２．６ｇ，２０ミリモル）の塩化
メチレン（５ｍｌ）溶液および（３Ｒ，４Ｒ）−３−
〔（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエ
チル〕−４−イソブチリルオキシアゼチジン−２−オン
（３．２ｇ，１ミリモル）の塩化メチレン（１０ｍｌ）
溶液を同温度で加えた。得られた混合液を５℃で１時間
熟成した後２０℃に昇温し、さらに２時間熟成した。得
られた混合液を５℃に冷却し、５％炭酸水素ナトリウム
水溶液（１００ｍｌ）を撹拌しながら添加した。不溶物
を濾過によって取り除き、濾液から分離した有機層をＨ
ＰＬＣ分析した結果、β−メチル誘導体３．３ｇ（β−
メチル誘導体：α−メチル誘導体＝９６．０：４．０）
含有していた。 実施例６ β−メチル誘導体（３−〔（Ｒ）−２−〔（３Ｓ，４
Ｒ）−３−〔（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシ
リロキシエチル〕−２−オキソアゼチジン−４−イル〕
プロピオニル〕ベンゾキサゾリン−２−オン
【００４０】
【化３１】 ３−プロピオニルベンゾキサゾリン−２−オン（４．８
ｇ，２５ミリモル）の塩化メチレン（５０ｍｌ）溶液に
四塩化チタン（４．７４ｇ，２５ミリモル）を−１０℃
で加えた。３０分間熟成後Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチ
ルアミン（６．４６ｇ，５０ミリモル）を同温度で加え
次いで（３Ｒ，４Ｒ）−３−〔（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−
ブチルジメチルシリロキシエチル〕−４−メトキシアセ
トキシアゼチジン−２−オン（７．９ｇ，２５ミリモ
ル）の塩化メチレン（２５ｍｌ）溶液を加えた。反応混
合液を２０℃に昇温し、同温度で１時間反応した。反応
終了後反応混合物を冷却下水に注ぎ、塩化メチレン層を
分離し、水洗後ＨＰＬＣで分析した結果β−メチル誘導
体３．５ｇ（β−メチル誘導体：α−メチル誘導体＝８
８：１２）を含有していた。 実施例７ β−メチル誘導体（３−〔（Ｒ）−２−〔（３Ｓ，４
Ｒ）−３−〔（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシ
リロキシエチル〕−２−オキソアゼチジン−４−イル〕
プロピオニル〕ベンゾキサゾリン−２−オン）の製造
ｇ，２５ミリモル）の塩化メチレン（５０ｍｌ）溶液に
四塩化チタン（４．７４ｇ，２５ミリモル）を−１０℃
で加えた。３０分間熟成後Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチ
ルアミン（６．４６ｇ，５０ミリモル）を同温度で加え
次いで（３Ｒ，４Ｒ）−３−〔（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−
ブチルジメチルシリロキシエチル〕−４−メトキシアセ
トキシアゼチジン−２−オン（７．９ｇ，２５ミリモ
ル）の塩化メチレン（２５ｍｌ）溶液を加えた。反応混
合液を２０℃に昇温し、同温度で１時間反応した。反応
終了後反応混合物を冷却下水に注ぎ、塩化メチレン層を
分離し、水洗後ＨＰＬＣで分析した結果β−メチル誘導
体３．５ｇ（β−メチル誘導体：α−メチル誘導体＝８
８：１２）を含有していた。 実施例７ β−メチル誘導体（３−〔（Ｒ）−２−〔（３Ｓ，４
Ｒ）−３−〔（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシ
リロキシエチル〕−２−オキソアゼチジン−４−イル〕
プロピオニル〕ベンゾキサゾリン−２−オン）の製造
【００４１】
【化３２】 ３−プロピオニルベンゾキサゾリン−２−オン（４．８
ｇ，２５ミリモル）の塩化メチレン（５０ｍｌ）溶液に
四塩化チタン（４．７４ｇ，２５ミリモル）を−１０℃
で加えた。３０分間熟成後、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエ
チルアミン（６．４６ｇ，５０ミリモル）を同温度で加
え、次に（３Ｒ，４Ｒ）−４−ｔｅｒｔ−ブチリルオキ
シ−３−〔（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリ
ロキシエチル〕アゼチジン−２−オン（８．６ｇ，２５
ミリモル）の塩化メチレン（２５ｍｌ）溶液を加えた。
反応混合物を２０℃に昇温し、１．５時間反応した。反
応混合物を冷却下水に注ぎ、塩化メチレン層を分離し、
水洗した。ＨＰＬＣで分析した結果β−メチル誘導体
３．０ｇ（β−メチル誘導体：α−メチル誘導体＝９
５：５）を含有していた。
ｇ，２５ミリモル）の塩化メチレン（５０ｍｌ）溶液に
四塩化チタン（４．７４ｇ，２５ミリモル）を−１０℃
で加えた。３０分間熟成後、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエ
チルアミン（６．４６ｇ，５０ミリモル）を同温度で加
え、次に（３Ｒ，４Ｒ）−４−ｔｅｒｔ−ブチリルオキ
シ−３−〔（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリ
ロキシエチル〕アゼチジン−２−オン（８．６ｇ，２５
ミリモル）の塩化メチレン（２５ｍｌ）溶液を加えた。
反応混合物を２０℃に昇温し、１．５時間反応した。反
応混合物を冷却下水に注ぎ、塩化メチレン層を分離し、
水洗した。ＨＰＬＣで分析した結果β−メチル誘導体
３．０ｇ（β−メチル誘導体：α−メチル誘導体＝９
５：５）を含有していた。
【００４２】
【発明の効果】本発明の製造法は安価でしかも取扱いや
すい一般式〔Ｖ〕で表わされる化合物を使用した工業的
に優れた製造方法である。また、Ｒ2 がメチル基等のア
ルキル基の場合、モル比の調整、あるいは補助基を適宜
選択することによりカルバペネム系化合物の中間体とし
て重要なβ−体を選択的に得ることができる。
すい一般式〔Ｖ〕で表わされる化合物を使用した工業的
に優れた製造方法である。また、Ｒ2 がメチル基等のア
ルキル基の場合、モル比の調整、あるいは補助基を適宜
選択することによりカルバペネム系化合物の中間体とし
て重要なβ−体を選択的に得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｄ 417/06 ２０５
Claims (13)
- 【請求項１】 一般式 【化１】 （式中、Ｒは水素原子又は容易に除去できるＮの保護
基、Ｒ1 は保護されていてもよい水酸基もしくはハロゲ
ン原子で置換されていてもよいアルキル基を、Ｚは脱離
基を示す。）で表わされるアゼチジノン誘導体と一般式 【化２】 （式中、Ｒ2 は水素原子又はアルキル基を；Ｒ3 はアル
キル基、トリアルキルシリル基、アルキル基、アルコキ
シ基、ニトロ基もしくはハロゲン原子で置換されていて
もよいフェニル基、シクロアルキル基、ナフチル基、ア
ントラセニル基、フルオレニル基、ベンズチアゾリル
基、ナフタリミジル基を、 Ｒ4 は電子吸引基を表わすかあるいはＲ3 とＲ4 が一緒
になって環を形成する。）で表わされるイミド化合物と
を一般式 Ｍ（Ｈａｌ）n （Ｒ5 ）m 〔Ｖ〕 （式中、Ｍは金属原子を、Ｈａｌはハロゲン原子を、Ｒ
5 は低級アルキル基、低級アルコキシ基、フェノキシ
基、置換フェノキシ基、又はシクロペンタジエニル基
を、ｎ及びｍはそれぞれ０，１，２，３，４又は５でか
つ、ｎ＋ｍはＭの原子価を示す。）で表わされる化合物
及び塩基の存在下で反応させることを特徴とする一般式 【化３】 （式中、Ｒ，Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 及びＲ4 は前記と同じ意
味を示す。）で表わされる４−置換アゼチジノン誘導体
の製造法。 - 【請求項２】 Ｚがカルボニル基の炭素を含めた炭素数
が３以上のアシルオキシ基である請求項１記載の製造
法。 - 【請求項３】 ＭがＺｒ、又はＳｎであり、ｍ＋ｎが４
である請求項１又は２記載の製造法。 - 【請求項４】 ＭがＡｌであり、ｍ＋ｎが３である請求
項１又は２記載の製造法。 - 【請求項５】 Ｒ4 が一般式 【化４】 〔式中、Ｘは酸素原子、硫黄原子またはＮＲ7 基（Ｒ7
は水素原子、アルキル基又はフェニル基を示す。）を、
Ｙは酸素原子、硫黄原子又はＮＲ8 基（Ｒ8 は水素原
子、アルキル基又はフェニル基を示す。）をＲ6 はアル
キル基、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基もくしは
ハロゲン原子で置換されていてもよいフェニル基、シク
ロアルキル基、ナフチル基、又はＲ3 が一緒になって５
〜６員環を形成する。〕で表わされる置換基である請求
項１，２，３又は４記載の製造法。 - 【請求項６】 【化５】 （式中、Ｒ9 ，Ｒ10，Ｒ11及びＲ12はそれぞれ水素原
子、アルキル基、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基
又はハロゲン原子で置換されていてもよいフェニル基、
シクロアルキル基、ナフチル基、Ｒ9 ，Ｒ10もしくはＲ
11，Ｒ12が一緒になってオキソ基又はシクロアルキル基
を、又はＲ9 ，Ｒ10，Ｒ11，Ｒ12及びこれらの置換基の
付根の隣接する２個の炭素原子と一緒になって形成する
芳香族基を、Ｘ及びＹは前記と同じ意味を示す。）で表
わされる５員環である請求項１，２，３，４又は５記載
の製造法。 - 【請求項７】 Ｒ4 が一般式−ＳＯ2 Ｒ13（式中、Ｒ13
はアルキル基、ハロアルキル基、アルキル基、アルコキ
シ基、ニトロ基もしくはハロゲン原子で置換されていて
もよいフェニル基、シクロアルキル基、ナフチル基又は
Ｒ3 と一緒になって環を形成する。）で表わされる置換
基である請求項１，２，３又は４記載の製造法。 - 【請求項８】 一般式 【化６】 〔式中、Ｒ14，Ｒ15，Ｒ16，Ｒ17，Ｒ18，Ｒ19，Ｒ20，
Ｒ21，Ｒ22，Ｒ23，Ｒ24及びＲ25はそれぞれ水素原子、
アルキル基、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基もし
くはハロゲン原子で置換されていてもよいフェニル基、
シクロアルキル基又はＲ14とＲ15、Ｒ16とＲ17、Ｒ18と
Ｒ19、Ｒ20とＲ21、Ｒ22とＲ23もしくはＲ24とＲ25が一
緒になってオキソ基又はシクロアルキル基を、更にＲ16
とＲ18、Ｒ 14とＲ20、Ｒ16とＲ22、Ｒ22とＲ24、又はＲ
14とＲ24が一緒になって環を形成してもよく、更にその
際Ｒ17とＲ19、Ｒ15とＲ21、Ｒ17とＲ23、Ｒ23とＲ25あ
るいはＲ15とＲ25が一緒になって２重結合を形成しても
よい。ＱはＯ，Ｓ又はＮＲ26（式中、Ｒ26は水素原子、
アルキル基又はフェニル基を示す。）で表わされる環で
ある請求項１，２，３，４又は７記載の製造法。 - 【請求項９】 Ｒ4 が一般式 【化７】 （式中、Ｘは前記と同じ意味を表わし、Ｒ27はアルキル
基、ハロアルキル基、アルキル基、アルコキシ基、ニト
ロ基もしくはハロゲン原子で置換されていてもよいフェ
ニル基、シクロアルキル基、ナフチル基又はＲ3 と一緒
になって環を形成する。）で表わされる置換基である請
求項１，２，３又は４記載の製造法。 - 【請求項１０】 一般式 【化８】 〔式中、Ｘは前記と同じ意味を表わし、Ｒ28，Ｒ29，Ｒ
30，Ｒ31，Ｒ32，Ｒ33，Ｒ34，Ｒ35はそれぞれ水素原
子、アルキル基、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基
もしくはハロゲン原子で置換されていてもよいフェニル
基、シクロアルキル基、ナフチル基又はＲ28とＲ29、Ｒ
30とＲ31、Ｒ32とＲ33もしくはＲ34とＲ35が一緒になっ
てオキソ基又はシクロアルキル基を、但し、Ｒ30と
Ｒ32、Ｒ28とＲ34又はＲ32とＲ34が一緒になって環を形
成してもよく、更にその際Ｒ31とＲ33、Ｒ 28とＲ35ある
いはＲ33とＲ35は２重結合を形成してもよい。ＵはＯ，
Ｓ又はＮＲ36（式中、Ｒ30は水素原子、アルキル基又は
フェニル基を示す。）を表わす。〕で表わされる環であ
る請求項１，２，３，４又は９記載の製造法。 - 【請求項１１】 Ｒ4 が一般式ＳＯ2 −Ｔ−Ｒ37で〔式
中、ＴはＯ，Ｓ又はＮＲ38（式中、Ｒ38は水素原子又は
アルキル基を示す。）を、Ｒ37はアルキル基、アルキル
基、アルコキシ基、ニトロ基、もしくはハロゲン原子で
置換されていてもよいフェニル基、シクロアルキル基、
ナフチル基又はＲ3 と一緒になって５〜６員環を形成す
る。〕で表わされる置換基である請求項１，２，３又は
４記載の製造法。 - 【請求項１２】 一般式 【化９】 〔式中、Ｒ39，Ｒ40，Ｒ41，Ｒ42，Ｒ43及びＲ44はそれ
ぞれ水素原子、アルキル基、アルキル基、アルコキシ
基、ニトロ基もしくはハロゲン原子で置換されていても
よいフェニル基、シクロアルキル基、ナフチル基又はＲ
39とＲ40、Ｒ41とＲ42又はＲ43とＲ44が一緒になってオ
キソ基又はシクロアルキル基を、但し、Ｒ39とＲ41又は
Ｒ41とＲ43が一緒になって環を形成してもよく、更にそ
の際Ｒ40とＲ42あるいはＲ42とＲ44は２重結合を形成し
てもよい。Ｔは前記と同じ意味を示し、ＷはＯ，Ｓ又は
ＮＲ45（式中、Ｒ45は水素原子、アルキル基又はフェニ
ル基を示す。）を表わす。〕で表わされる環である請求
項１，２，３，４又は１１記載の製造法。 - 【請求項１３】 Ｒ4 がニトロ基である請求項１，２又
は３記載の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5186871A JPH0782249A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | ４−置換アゼチジノン誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5186871A JPH0782249A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | ４−置換アゼチジノン誘導体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0782249A true JPH0782249A (ja) | 1995-03-28 |
Family
ID=16196136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5186871A Pending JPH0782249A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | ４−置換アゼチジノン誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0782249A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0974582A1 (en) * | 1998-07-24 | 2000-01-26 | Takasago International Corporation | Process for the preparation of 4-substituted azetidinone derivatives |
| WO2008020597A1 (fr) * | 2006-08-15 | 2008-02-21 | Meiji Seika Kaisha, Ltd. | Procédé de production d'un intermédiaire pour la production de 1-méthylcarbapenem |
| US11046658B2 (en) | 2018-07-02 | 2021-06-29 | Incyte Corporation | Aminopyrazine derivatives as PI3K-γ inhibitors |
| US11926616B2 (en) | 2018-03-08 | 2024-03-12 | Incyte Corporation | Aminopyrazine diol compounds as PI3K-γ inhibitors |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP5186871A patent/JPH0782249A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0974582A1 (en) * | 1998-07-24 | 2000-01-26 | Takasago International Corporation | Process for the preparation of 4-substituted azetidinone derivatives |
| WO2008020597A1 (fr) * | 2006-08-15 | 2008-02-21 | Meiji Seika Kaisha, Ltd. | Procédé de production d'un intermédiaire pour la production de 1-méthylcarbapenem |
| US11926616B2 (en) | 2018-03-08 | 2024-03-12 | Incyte Corporation | Aminopyrazine diol compounds as PI3K-γ inhibitors |
| US11046658B2 (en) | 2018-07-02 | 2021-06-29 | Incyte Corporation | Aminopyrazine derivatives as PI3K-γ inhibitors |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0007973B1 (en) | Process for the preparation of thienamycin and intermediates | |
| JP3220985B2 (ja) | ４−置換アゼチジノン誘導体の製造方法 | |
| JPH06199780A (ja) | 抗生物質中間体の製造方法 | |
| JP3787819B2 (ja) | アゼチジノン化合物及びその製造方法 | |
| EP0037082A1 (en) | Process for the preparation of 1-carbapenems and intermediates via silyl-substituted dithioacetals | |
| EP0026816B1 (en) | Intermediates for the preparation of thienamycin and process for preparing intermediates | |
| US5731431A (en) | Process for preparing 4-substituted azetidinone derivatives | |
| JPH0782249A (ja) | ４−置換アゼチジノン誘導体の製造法 | |
| EP0632037B1 (en) | Process for the production of 4-substituted azetidinone derivatives | |
| HU198067B (en) | Process for producing tautomer thiones | |
| JP2789190B2 (ja) | 新規なβ−ラクタム誘導体およびその製造法 | |
| JPH06256327A (ja) | ４−置換アゼチジノン誘導体の製造方法 | |
| KR100886347B1 (ko) | 키랄 보조제를 이용한 4-비엠에이의 입체선택적 제조방법 | |
| JPH0725848A (ja) | ４−置換アゼチジノン誘導体の製造方法 | |
| JPH0782248A (ja) | ４−置換アゼチジノン誘導体の製造方法 | |
| JPH03383B2 (ja) | ||
| JP3224412B2 (ja) | ４−置換アゼチジノン誘導体の製造方法 | |
| WO2003080571A1 (fr) | Procede de production de composes azetidinone | |
| JPH06340642A (ja) | イミド化合物の製造方法 | |
| JPH0770116A (ja) | ４−置換アゼチジノン誘導体の製造方法 | |
| JPH09143156A (ja) | アセトキシアゼチジノン誘導体の製法及びその合成中間体 | |
| US4610820A (en) | Process for the preparation of thienamycin and intermediates | |
| EP0026817B1 (en) | Preparation of azetidin-2-ones suitable for the synthesis of thienamycin and azetidin-2-ones useful in a synthesis of that kind | |
| CA2019619A1 (en) | Synthesis of beta-lactams using a metal compound | |
| JP4213229B2 (ja) | アゼチジノン誘導体の製造方法 |