JP3402038B2 - 単結晶引上げ装置 - Google Patents
単結晶引上げ装置Info
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- seed crystal
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/36—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method characterised by the seed, e.g. its crystallographic orientation
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/32—Seed holders, e.g. chucks
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
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- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
- Y10T117/1072—Seed pulling including details of means providing product movement [e.g., shaft guides, servo means]
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多結晶材料を融解
し種子結晶を多結晶材料の融液から引き上げることによ
り単結晶を得る単結晶引上げ装置に関するものである。
し種子結晶を多結晶材料の融液から引き上げることによ
り単結晶を得る単結晶引上げ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコン等の半導体の多結晶材料
から単結晶を得る方法として、引上げ法（Czochralski
（チョクラルスキー）法：以下、「ＣＺ法」という。）
と、浮遊帯法（Floating Zone 法）が知られている。Ｃ
Ｚ法は、多結晶材料をいったん融解し、種子結晶を原料
融液から引き上げることにより単結晶を得る方法であ
り、種子結晶を引き上げる手段としてシャフトを用いる
方法とケーブルを用いる方法とがある。
から単結晶を得る方法として、引上げ法（Czochralski
（チョクラルスキー）法：以下、「ＣＺ法」という。）
と、浮遊帯法（Floating Zone 法）が知られている。Ｃ
Ｚ法は、多結晶材料をいったん融解し、種子結晶を原料
融液から引き上げることにより単結晶を得る方法であ
り、種子結晶を引き上げる手段としてシャフトを用いる
方法とケーブルを用いる方法とがある。
【０００３】ケーブルを用いた従来の単結晶引上げ装置
の構成の例を図７に示す。図に示すように、この単結晶
引上げ装置１００は、チャンバ１０１と、チャンバ１０
１中に設けられたルツボ１０２と、ルツボ１０２の周囲
に配置されたヒータ１０５と、ルツボ１０２を回転させ
るルツボ保持軸１０７及び回転機構１０８と、シリコン
の種子結晶Ｓを保持するシードチャック２２と、シード
チャック２２を引き上げるケーブル１と、ケーブル１を
回転又は巻き取る巻取機構１０９を備えて構成されてい
る。ルツボ１０２の内側の融液Ｌを収容する側には石英
部１０３が設けられ、石英部１０３の外側には黒鉛部１
０４が設けられている。また、ヒータ１０５の外側周囲
には断熱材１０６が配置されている。
の構成の例を図７に示す。図に示すように、この単結晶
引上げ装置１００は、チャンバ１０１と、チャンバ１０
１中に設けられたルツボ１０２と、ルツボ１０２の周囲
に配置されたヒータ１０５と、ルツボ１０２を回転させ
るルツボ保持軸１０７及び回転機構１０８と、シリコン
の種子結晶Ｓを保持するシードチャック２２と、シード
チャック２２を引き上げるケーブル１と、ケーブル１を
回転又は巻き取る巻取機構１０９を備えて構成されてい
る。ルツボ１０２の内側の融液Ｌを収容する側には石英
部１０３が設けられ、石英部１０３の外側には黒鉛部１
０４が設けられている。また、ヒータ１０５の外側周囲
には断熱材１０６が配置されている。
【０００４】次に、上記の単結晶引上げ装置１００によ
る単結晶育成方法について説明する。まず、ルツボ１０
２内でシリコンの高純度多結晶材料を融点（約１４００
°Ｃ）以上に加熱して融解する。次に、ケーブル１を巻
き出すことにより融液Ｌの表面略中心部に種子結晶Ｓの
先端を接触又は浸漬させる。その後、ルツボ保持軸１０
７を適宜の方向に回転させるとともに、ケーブル１を回
転させながら巻き取り種子結晶Ｓを引き上げることによ
り、単結晶育成が開始される。以後、引上げ速度と温度
を適切に調節することにより略円柱形状の単結晶インゴ
ットＣを得ることができる。
る単結晶育成方法について説明する。まず、ルツボ１０
２内でシリコンの高純度多結晶材料を融点（約１４００
°Ｃ）以上に加熱して融解する。次に、ケーブル１を巻
き出すことにより融液Ｌの表面略中心部に種子結晶Ｓの
先端を接触又は浸漬させる。その後、ルツボ保持軸１０
７を適宜の方向に回転させるとともに、ケーブル１を回
転させながら巻き取り種子結晶Ｓを引き上げることによ
り、単結晶育成が開始される。以後、引上げ速度と温度
を適切に調節することにより略円柱形状の単結晶インゴ
ットＣを得ることができる。
【０００５】図８は、従来の単結晶引上げ装置１００に
おいて、種子結晶Ｓを保持しケーブル１に吊すために用
いられていたシードチャック２２とケーブル１の端部付
近の詳細構成を示した断面図である。図に示すように、
このシードチャック２２は、チャック本体２３と、シー
ドピン２４と、ケーブルピン２９と、ナット３０を有し
て構成されている。チャック本体２３は、炭素材からな
り、ほぼ円柱状に形成されている。また、チャック本体
２３の底部には上方に向け盲孔状に形成された凹部２３
Ｈ1 が設けられており、この凹部２３Ｈ1 に種子結晶Ｓ
を挿入した後、シードピン２４を挿入することにより、
種子結晶Ｓがチャック本体２３に係止される。シードピ
ン２４は、例えば炭素繊維強化炭素複合材料等により形
成されている。
おいて、種子結晶Ｓを保持しケーブル１に吊すために用
いられていたシードチャック２２とケーブル１の端部付
近の詳細構成を示した断面図である。図に示すように、
このシードチャック２２は、チャック本体２３と、シー
ドピン２４と、ケーブルピン２９と、ナット３０を有し
て構成されている。チャック本体２３は、炭素材からな
り、ほぼ円柱状に形成されている。また、チャック本体
２３の底部には上方に向け盲孔状に形成された凹部２３
Ｈ1 が設けられており、この凹部２３Ｈ1 に種子結晶Ｓ
を挿入した後、シードピン２４を挿入することにより、
種子結晶Ｓがチャック本体２３に係止される。シードピ
ン２４は、例えば炭素繊維強化炭素複合材料等により形
成されている。
【０００６】ケーブル１の先端には、取付金具２６が固
定されており、取付金具２６には、ピン孔２６Ｈが設け
られている。また、チャック本体２３の上部には下方に
向け盲孔状に形成され取付金具２６を収納可能な凹部２
３Ｈ2 が設けられている。また、チャック本体２３の上
部には、さらに、水平方向に貫通するピン孔２３Ｈ3が
設けられている。また、ケーブルピン２９の先端には雄
ネジが形成されており、ナット３０には雌ネジが形成さ
れている。したがって、凹部２３Ｈ2 に取付金具２６を
挿入した後、ケーブルピン２９を挿入し、ナット３０に
より締め付けることにより、ケーブル１にシードチャッ
ク２２を取り付けることができる。
定されており、取付金具２６には、ピン孔２６Ｈが設け
られている。また、チャック本体２３の上部には下方に
向け盲孔状に形成され取付金具２６を収納可能な凹部２
３Ｈ2 が設けられている。また、チャック本体２３の上
部には、さらに、水平方向に貫通するピン孔２３Ｈ3が
設けられている。また、ケーブルピン２９の先端には雄
ネジが形成されており、ナット３０には雌ネジが形成さ
れている。したがって、凹部２３Ｈ2 に取付金具２６を
挿入した後、ケーブルピン２９を挿入し、ナット３０に
より締め付けることにより、ケーブル１にシードチャッ
ク２２を取り付けることができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の単結晶引上げ装置では、ケーブルとシードチャ
ックの接続部はケーブル中心線に対して非対称となって
おり、単結晶の引上げ時にケーブルを回転させると偏心
により「振れ」が発生する、という問題があった。ま
た、チャック本体上部の強度等から、ケーブルピンをあ
まり太くすることはできず、融液付近の高温雰囲気中で
長時間使用するとケーブルピンとナットとの間で「焼き
付き」を起こし、ケーブルを交換する場合等においてケ
ーブルをシードチャックから取り外すのに長時間を必要
とする、という問題もあった。
た従来の単結晶引上げ装置では、ケーブルとシードチャ
ックの接続部はケーブル中心線に対して非対称となって
おり、単結晶の引上げ時にケーブルを回転させると偏心
により「振れ」が発生する、という問題があった。ま
た、チャック本体上部の強度等から、ケーブルピンをあ
まり太くすることはできず、融液付近の高温雰囲気中で
長時間使用するとケーブルピンとナットとの間で「焼き
付き」を起こし、ケーブルを交換する場合等においてケ
ーブルをシードチャックから取り外すのに長時間を必要
とする、という問題もあった。
【０００８】本発明は上記の問題を解決するためになさ
れたものであり、本発明の解決しようとする課題は、単
結晶引上げ時にケーブルを支障なく回転可能で、かつシ
ードチャックとケーブルとの着脱が容易な単結晶引上げ
装置を提供することにある。
れたものであり、本発明の解決しようとする課題は、単
結晶引上げ時にケーブルを支障なく回転可能で、かつシ
ードチャックとケーブルとの着脱が容易な単結晶引上げ
装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の請求項１の発明は、加熱融解された結晶材
料の融液上において上下移動可能に構成されたケーブル
と、前記結晶材料からなる種子結晶と、前記種子結晶を
保持するとともに前記ケーブルに取り付けられる種子結
晶保持具を有し、前記ケーブルを引下げ前記種子結晶を
前記融液に接触させた後にケーブルを引上げ前記結晶材
料の単結晶を育成する単結晶引上げ装置において、前記
ケーブルの先端付近には、前記ケーブルの中心線を回転
対称軸とする回転曲面を有する装着具が取り付けられ、
かつ、複数の部材からなり前記種子結晶保持具に着脱自
在に構成され、内部に前記ケーブルと前記装着具とを収
納する収納空間を有するとともに、前記収納空間の肩部
が前記装着具を接触支持するように構成された支持具を
備えたことを特徴とする。
め、本発明の請求項１の発明は、加熱融解された結晶材
料の融液上において上下移動可能に構成されたケーブル
と、前記結晶材料からなる種子結晶と、前記種子結晶を
保持するとともに前記ケーブルに取り付けられる種子結
晶保持具を有し、前記ケーブルを引下げ前記種子結晶を
前記融液に接触させた後にケーブルを引上げ前記結晶材
料の単結晶を育成する単結晶引上げ装置において、前記
ケーブルの先端付近には、前記ケーブルの中心線を回転
対称軸とする回転曲面を有する装着具が取り付けられ、
かつ、複数の部材からなり前記種子結晶保持具に着脱自
在に構成され、内部に前記ケーブルと前記装着具とを収
納する収納空間を有するとともに、前記収納空間の肩部
が前記装着具を接触支持するように構成された支持具を
備えたことを特徴とする。
【００１０】また、本発明の請求項２の発明は、請求項
１記載の単結晶引上げ装置において、前記装着具は、カ
シメにより前記ケーブルの先端付近に固定されるカシメ
部と、前記カシメ部により前記ケーブルに取り付けられ
る球状部を有し、前記支持具は、２つの部材により構成
され、螺合により前記種子結晶保持具の上部に着脱さ
れ、かつ、前記収納空間の肩部は、円錐台形状の空間で
あることを特徴とする。
１記載の単結晶引上げ装置において、前記装着具は、カ
シメにより前記ケーブルの先端付近に固定されるカシメ
部と、前記カシメ部により前記ケーブルに取り付けられ
る球状部を有し、前記支持具は、２つの部材により構成
され、螺合により前記種子結晶保持具の上部に着脱さ
れ、かつ、前記収納空間の肩部は、円錐台形状の空間で
あることを特徴とする。
【００１１】また、本発明の請求項３の発明は、請求項
２記載の単結晶引上げ装置において、前記種子結晶保持
具は、第１の部材と第２の部材を有し、前記第１の部材
は前記種子結晶を保持し、前記第２の部材は螺合により
前記第１の部材の上部に着脱され、前記支持具は螺合に
より前記第２の部材の上部に着脱されることを特徴とす
る。
２記載の単結晶引上げ装置において、前記種子結晶保持
具は、第１の部材と第２の部材を有し、前記第１の部材
は前記種子結晶を保持し、前記第２の部材は螺合により
前記第１の部材の上部に着脱され、前記支持具は螺合に
より前記第２の部材の上部に着脱されることを特徴とす
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、本発
明に係る単結晶引上げ装置の第１実施形態におけるシー
ドチャック及びケーブル先端付近の断面構成を示したも
のである。また、図２は、ケーブル先端のさらに詳細な
側面構成を示したものであり、図３は、シードチャック
のさらに詳細な構成を斜視図で示したものである。シー
ドチャックとケーブル先端以外の構成は、図７に示した
ものと同様である。
て、図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、本発
明に係る単結晶引上げ装置の第１実施形態におけるシー
ドチャック及びケーブル先端付近の断面構成を示したも
のである。また、図２は、ケーブル先端のさらに詳細な
側面構成を示したものであり、図３は、シードチャック
のさらに詳細な構成を斜視図で示したものである。シー
ドチャックとケーブル先端以外の構成は、図７に示した
ものと同様である。
【００１３】図に示すように、この第１実施形態の単結
晶引上げ装置は、シードチャック２Ａと、ケーブル１の
先端に取り付ける取付金具６Ａを備えている。シードチ
ャック２Ａは、チャック本体３Ａと、シードピン４Ａ
と、カップリング５Ａ1 ，５Ａ2 と、キャップ７Ａを有
して構成されている。チャック本体３Ａは、炭素材から
なり、ほぼ円柱状に形成されている。また、チャック本
体３Ａの底部には上方に向け盲孔状に形成された凹部３
ＨA1が設けられており、この凹部３ＨA1に種子結晶Ｓを
挿入した後、シードピン４Ａを挿入することにより、種
子結晶Ｓがチャック本体３Ａに係止される。シードピン
４Ａは、例えば炭素繊維強化炭素複合材料等により形成
されている。
晶引上げ装置は、シードチャック２Ａと、ケーブル１の
先端に取り付ける取付金具６Ａを備えている。シードチ
ャック２Ａは、チャック本体３Ａと、シードピン４Ａ
と、カップリング５Ａ1 ，５Ａ2 と、キャップ７Ａを有
して構成されている。チャック本体３Ａは、炭素材から
なり、ほぼ円柱状に形成されている。また、チャック本
体３Ａの底部には上方に向け盲孔状に形成された凹部３
ＨA1が設けられており、この凹部３ＨA1に種子結晶Ｓを
挿入した後、シードピン４Ａを挿入することにより、種
子結晶Ｓがチャック本体３Ａに係止される。シードピン
４Ａは、例えば炭素繊維強化炭素複合材料等により形成
されている。
【００１４】ケーブル１の先端には、取付金具６Ａが固
定されるが、取付金具６Ａは、金属例えばモリブデン等
からなり、球状部９Ａと、球状部９Ａの下方に一体形成
された円筒状のカシメ部１０Ａを有している。球状部９
Ａには、上下に貫通する貫通孔９ＨA が設けられてい
る。また、カシメ部１０Ａには、球状部９Ａの貫通孔９
ＨA と連通するとともに上下に貫通する貫通孔１０ＨA
が設けられている。したがって、これらの貫通孔９ＨA
，１０ＨA にケーブル１の先端を通し、カシメ部１０
Ａを工具等（図示せず）によって押し潰し、ケーブル１
の先端に固着させる（図２参照）。
定されるが、取付金具６Ａは、金属例えばモリブデン等
からなり、球状部９Ａと、球状部９Ａの下方に一体形成
された円筒状のカシメ部１０Ａを有している。球状部９
Ａには、上下に貫通する貫通孔９ＨA が設けられてい
る。また、カシメ部１０Ａには、球状部９Ａの貫通孔９
ＨA と連通するとともに上下に貫通する貫通孔１０ＨA
が設けられている。したがって、これらの貫通孔９ＨA
，１０ＨA にケーブル１の先端を通し、カシメ部１０
Ａを工具等（図示せず）によって押し潰し、ケーブル１
の先端に固着させる（図２参照）。
【００１５】カップリング５Ａ1 ，５Ａ2 は、略ボルト
状の部材を２つの等しい部分に分割した形状となってい
る。両者はまったく同一の構成を有しているので、以
下、カップリング５Ａ1 について説明する。カップリン
グ５Ａ1 は、金属例えばモリブデン等からなり、半円柱
状の頭部１１Ａ1 と、頭部１１Ａ1 よりも小径の半円柱
状に形成された尾部１２Ａ1 を有している。尾部１２Ａ
1 の半円柱状の側面のうちの曲面側には、雄ネジ１２Ｓ
A1が形成されている（図３参照）。
状の部材を２つの等しい部分に分割した形状となってい
る。両者はまったく同一の構成を有しているので、以
下、カップリング５Ａ1 について説明する。カップリン
グ５Ａ1 は、金属例えばモリブデン等からなり、半円柱
状の頭部１１Ａ1 と、頭部１１Ａ1 よりも小径の半円柱
状に形成された尾部１２Ａ1 を有している。尾部１２Ａ
1 の半円柱状の側面のうちの曲面側には、雄ネジ１２Ｓ
A1が形成されている（図３参照）。
【００１６】カップリング５Ａ1 の略半円柱状の側面の
うちの平坦な側には、ケーブル孔１１ＨA1と、ケーブル
孔１１ＨA1と連通する円錐孔部１１ＣA1と、円錐孔部１
１ＣA1と連通する収納孔部１２ＨA1が設けられている。
ケーブル孔１１ＨA1は、断面形状が半円状の溝になって
いる。この半円の中心は、頭部１１Ａ1 の半円の中心と
同軸で、半円の径はケーブル１の外径よりもやや大きく
設定されている。円錐孔部１１ＣA1は、ケーブル孔１１
ＨA1から直線状に拡径する溝になっており、円錐台形状
の溝を２等分割した形状となっている。また、収納孔部
１２ＨA1は、断面形状が半円状の溝になっている。この
半円の中心は、尾部１２Ａ1 の半円の中心と同軸で、半
円の径は円錐孔部１１ＣA1の底面の径と等しく設定され
ている（図３参照）。
うちの平坦な側には、ケーブル孔１１ＨA1と、ケーブル
孔１１ＨA1と連通する円錐孔部１１ＣA1と、円錐孔部１
１ＣA1と連通する収納孔部１２ＨA1が設けられている。
ケーブル孔１１ＨA1は、断面形状が半円状の溝になって
いる。この半円の中心は、頭部１１Ａ1 の半円の中心と
同軸で、半円の径はケーブル１の外径よりもやや大きく
設定されている。円錐孔部１１ＣA1は、ケーブル孔１１
ＨA1から直線状に拡径する溝になっており、円錐台形状
の溝を２等分割した形状となっている。また、収納孔部
１２ＨA1は、断面形状が半円状の溝になっている。この
半円の中心は、尾部１２Ａ1 の半円の中心と同軸で、半
円の径は円錐孔部１１ＣA1の底面の径と等しく設定され
ている（図３参照）。
【００１７】他方のカップリング５Ａ2 は、上記したカ
ップリング５Ａ1 と全く同一の構成を有している。すな
わち、カップリング５Ａ2 は、半円柱状の頭部１１Ａ2
（図示せず）及び尾部１２Ａ2 （図示せず）を有し、尾
部１２Ａ2 （図示せず）の曲面側面には雄ネジ１２ＳA2
（図示せず）が形成され、カップリング５Ａ2 の平坦側
面にはケーブル孔１１ＨA2（図示せず）と円錐孔部１１
ＣA2（図示せず）と収納孔部１２ＨA2（図示せず）が設
けられている。
ップリング５Ａ1 と全く同一の構成を有している。すな
わち、カップリング５Ａ2 は、半円柱状の頭部１１Ａ2
（図示せず）及び尾部１２Ａ2 （図示せず）を有し、尾
部１２Ａ2 （図示せず）の曲面側面には雄ネジ１２ＳA2
（図示せず）が形成され、カップリング５Ａ2 の平坦側
面にはケーブル孔１１ＨA2（図示せず）と円錐孔部１１
ＣA2（図示せず）と収納孔部１２ＨA2（図示せず）が設
けられている。
【００１８】上記において、頭部１１Ａ2 （図示せず）
は図３における頭部１１Ａ1 に対応し、尾部１２Ａ2
（図示せず）は図３における尾部１２Ａ1 に対応し、雄
ネジ１２ＳA2は図３における雄ネジ１２ＳA1に対応し、
ケーブル孔１１ＨA2（図示せず）は図３におけるケーブ
ル孔１１ＨA1に対応し、円錐孔部１１ＣA2（図示せず）
は図３における円錐孔部１１ＣA1に対応し、収納孔部１
２ＨA2（図示せず）は図３における収納孔部１２ＨA1に
対応している。
は図３における頭部１１Ａ1 に対応し、尾部１２Ａ2
（図示せず）は図３における尾部１２Ａ1 に対応し、雄
ネジ１２ＳA2は図３における雄ネジ１２ＳA1に対応し、
ケーブル孔１１ＨA2（図示せず）は図３におけるケーブ
ル孔１１ＨA1に対応し、円錐孔部１１ＣA2（図示せず）
は図３における円錐孔部１１ＣA1に対応し、収納孔部１
２ＨA2（図示せず）は図３における収納孔部１２ＨA1に
対応している。
【００１９】また、チャック本体３Ａの上部には、下方
に向け皿状又はリング状に形成された凹部３ＨA2と、こ
の凹部３ＨA2からさらに下方に向け盲孔状に形成された
凹部３ＨA3が設けられている。凹部３ＨA3の内側面に
は、雌ネジ３ＳA1が形成されている（図１参照）。
に向け皿状又はリング状に形成された凹部３ＨA2と、こ
の凹部３ＨA2からさらに下方に向け盲孔状に形成された
凹部３ＨA3が設けられている。凹部３ＨA3の内側面に
は、雌ネジ３ＳA1が形成されている（図１参照）。
【００２０】したがって、上記のようにカシメによりケ
ーブル１の先端に取り付けた取付金具６Ａの球状部９Ａ
とカシメ部１０Ａを、カップリング５Ａ1 ，５Ａ2 の円
錐孔部１１ＣA1，１１ＣA2（図示せず）と収納孔部１２
ＨA1，１２ＨA2（図示せず）が形成する略円柱状空間内
に挟み込むようにして収納した後、カップリング５Ａ1
，５Ａ2 を密接させ、雄ネジ１２ＳA1，１２ＳA2（図
示せず）を雌ネジ３ＳA1に螺合させてねじ込むことによ
り、ケーブル１の先端をチャック本体３Ａに取り付ける
ことができる。
ーブル１の先端に取り付けた取付金具６Ａの球状部９Ａ
とカシメ部１０Ａを、カップリング５Ａ1 ，５Ａ2 の円
錐孔部１１ＣA1，１１ＣA2（図示せず）と収納孔部１２
ＨA1，１２ＨA2（図示せず）が形成する略円柱状空間内
に挟み込むようにして収納した後、カップリング５Ａ1
，５Ａ2 を密接させ、雄ネジ１２ＳA1，１２ＳA2（図
示せず）を雌ネジ３ＳA1に螺合させてねじ込むことによ
り、ケーブル１の先端をチャック本体３Ａに取り付ける
ことができる。
【００２１】このような構成により、図１に示すよう
に、ケーブル１とシードチャック２Ａの接続部は、ケー
ブル１の中心線に対して対称となっており、また、球状
部９Ａは円錐孔部１１ＣA1，１１ＣA2（図示せず）の内
面に線で接触し、接触線は円弧状をなす。このため、仮
にケーブル１に「曲がり」があったり、シードチャック
２Ａが垂直方向に対し若干傾斜していたとしても、シー
ドチャック２Ａを下方に引く垂直方向力が作用すれば、
球状部９Ａと円錐孔部１１ＣA1，１１ＣA2（図示せず）
の内面との接触点における力の釣合から、シードチャッ
ク２Ａは、つねに垂直方向を向くようにその位置や方向
が修正される。したがって、単結晶の引上げの際のケー
ブル回転時において、「振れ」の発生を防止することが
できる。また、従来のシードチャックに比べ、ケーブル
１からシードチャック２Ａを取り外すことがより容易に
なる。さらに、仮に単結晶引上げ時に融液Ｌが固化して
単結晶インゴットＣも固着したような場合であっても、
球状部９Ａと円錐孔部１１ＣA1，１１ＣA2（図示せず）
の内面との接触点においては、ケーブル中心線を回転中
心とする回転方向には「滑り」が可能な構成となってい
るため、単結晶引上げ装置の各部に有害な損傷等を与え
ることを防止することができる。
に、ケーブル１とシードチャック２Ａの接続部は、ケー
ブル１の中心線に対して対称となっており、また、球状
部９Ａは円錐孔部１１ＣA1，１１ＣA2（図示せず）の内
面に線で接触し、接触線は円弧状をなす。このため、仮
にケーブル１に「曲がり」があったり、シードチャック
２Ａが垂直方向に対し若干傾斜していたとしても、シー
ドチャック２Ａを下方に引く垂直方向力が作用すれば、
球状部９Ａと円錐孔部１１ＣA1，１１ＣA2（図示せず）
の内面との接触点における力の釣合から、シードチャッ
ク２Ａは、つねに垂直方向を向くようにその位置や方向
が修正される。したがって、単結晶の引上げの際のケー
ブル回転時において、「振れ」の発生を防止することが
できる。また、従来のシードチャックに比べ、ケーブル
１からシードチャック２Ａを取り外すことがより容易に
なる。さらに、仮に単結晶引上げ時に融液Ｌが固化して
単結晶インゴットＣも固着したような場合であっても、
球状部９Ａと円錐孔部１１ＣA1，１１ＣA2（図示せず）
の内面との接触点においては、ケーブル中心線を回転中
心とする回転方向には「滑り」が可能な構成となってい
るため、単結晶引上げ装置の各部に有害な損傷等を与え
ることを防止することができる。
【００２２】上記したカップリング５Ａ1 ，５Ａ2 に
は、引き上げられる単結晶の重量により、垂直方向分力
だけでなく、球状部９Ａをケーブル孔１１ＨA1，１１Ｈ
A2（図示せず）内へクサビのように割り込ませカップリ
ング５Ａ1 ，５Ａ2 を水平方向に引き離そうとする水平
方向分力も作用し、破断の可能性もある。このため、図
１に示すように、貫通したケーブル孔７ＨA1と、皿状又
はリング状の下方を向いた凹部７ＨA2を有するキャップ
７Ａを、カップリング５Ａ1 ，５Ａ2 の上部に嵌めてカ
ップリング５Ａ1 ，５Ａ2 の上部を固定し、上記のクサ
ビ状に作用する水平分力を受けるようにすれば、安全性
がさらに向上する。キャップ７Ａを装着する場合には、
まず最初にキャップ７Ａのケーブル孔７ＨA1にケーブル
１の先端の取付金具６Ａを通した後に、上記したカップ
リング５Ａ1 ，５Ａ2 による挟み込みを行う必要があ
る。
は、引き上げられる単結晶の重量により、垂直方向分力
だけでなく、球状部９Ａをケーブル孔１１ＨA1，１１Ｈ
A2（図示せず）内へクサビのように割り込ませカップリ
ング５Ａ1 ，５Ａ2 を水平方向に引き離そうとする水平
方向分力も作用し、破断の可能性もある。このため、図
１に示すように、貫通したケーブル孔７ＨA1と、皿状又
はリング状の下方を向いた凹部７ＨA2を有するキャップ
７Ａを、カップリング５Ａ1 ，５Ａ2 の上部に嵌めてカ
ップリング５Ａ1 ，５Ａ2 の上部を固定し、上記のクサ
ビ状に作用する水平分力を受けるようにすれば、安全性
がさらに向上する。キャップ７Ａを装着する場合には、
まず最初にキャップ７Ａのケーブル孔７ＨA1にケーブル
１の先端の取付金具６Ａを通した後に、上記したカップ
リング５Ａ1 ，５Ａ2 による挟み込みを行う必要があ
る。
【００２３】次に、上記したカップリング５Ａ1 ，５Ａ
2 の製作方法について説明する。図４は、丸棒状素材Ｍ
1 （図４（Ａ））から削り出して略ボルト状の中間体Ｍ
2 （図４（Ｂ））を製作し、この中間体Ｍ2 をカッタ
（図示せず）等を用いて中心から２等分割し、分割され
た部分の各平坦面側にケーブル孔、円錐孔部、収納孔部
を形成する（図４（Ｃ））ことにより２つのカップリン
グを製作する方法を示している。
2 の製作方法について説明する。図４は、丸棒状素材Ｍ
1 （図４（Ａ））から削り出して略ボルト状の中間体Ｍ
2 （図４（Ｂ））を製作し、この中間体Ｍ2 をカッタ
（図示せず）等を用いて中心から２等分割し、分割され
た部分の各平坦面側にケーブル孔、円錐孔部、収納孔部
を形成する（図４（Ｃ））ことにより２つのカップリン
グを製作する方法を示している。
【００２４】しかしながら、この方法で製作すると、カ
ッタ（図示せず）の厚みｔの部分は切削粉等となって失
われるため、２つのカップリングを密接させた場合に、
切削の影響を受けない部分では直径がＤとなるのに対
し、切削により削られた部分では直径が（Ｄ−ｔ）とな
り、完全な円にはならない（図４（Ｄ））。このよう
に、合体させたカップリングが真円にならないと、カッ
プリングとチャック本体の間でガタつきが生じたり、カ
ップリングの雄ネジ部をチャック本体にねじ込めなくな
るほか、ねじ山やねじ谷の損傷、さらにはシードチャッ
クの脱落等の原因となる。
ッタ（図示せず）の厚みｔの部分は切削粉等となって失
われるため、２つのカップリングを密接させた場合に、
切削の影響を受けない部分では直径がＤとなるのに対
し、切削により削られた部分では直径が（Ｄ−ｔ）とな
り、完全な円にはならない（図４（Ｄ））。このよう
に、合体させたカップリングが真円にならないと、カッ
プリングとチャック本体の間でガタつきが生じたり、カ
ップリングの雄ネジ部をチャック本体にねじ込めなくな
るほか、ねじ山やねじ谷の損傷、さらにはシードチャッ
クの脱落等の原因となる。
【００２５】上記の問題を解消するため、図５に示す方
法で製作するのが望ましい。すなわち、まず、２つの角
柱状素材Ｍ3 ，Ｍ4 を用意し、それぞれのうちの１面Ｓ
3 とＳ4 とを鏡面仕上げする（図５（Ａ））。次に、面
Ｓ3 とＳ4 とを密接させ、この状態を保持しつつ一端を
把持するなどして、接触させた面Ｓ3 とＳ4の中心と円
の中心が一致するようにして丸棒状に削り（図５
（Ｂ））、次に略ボルト状の中間体を削り出し、密着さ
せていた２つの部分を離し、各平坦面側にケーブル孔、
円錐孔部、収納孔部を形成する（図５（Ｃ））。このよ
うな方法で製作すると、２つのカップリングを密接させ
た場合に、いずれの部分においても直径がＤとなり、完
全な円形断面とすることができる（図５（Ｄ））。
法で製作するのが望ましい。すなわち、まず、２つの角
柱状素材Ｍ3 ，Ｍ4 を用意し、それぞれのうちの１面Ｓ
3 とＳ4 とを鏡面仕上げする（図５（Ａ））。次に、面
Ｓ3 とＳ4 とを密接させ、この状態を保持しつつ一端を
把持するなどして、接触させた面Ｓ3 とＳ4の中心と円
の中心が一致するようにして丸棒状に削り（図５
（Ｂ））、次に略ボルト状の中間体を削り出し、密着さ
せていた２つの部分を離し、各平坦面側にケーブル孔、
円錐孔部、収納孔部を形成する（図５（Ｃ））。このよ
うな方法で製作すると、２つのカップリングを密接させ
た場合に、いずれの部分においても直径がＤとなり、完
全な円形断面とすることができる（図５（Ｄ））。
【００２６】次に、本発明の第２実施形態について説明
する。図６は、本発明に係る単結晶引上げ装置の第２実
施形態におけるシードチャック及びケーブル先端付近の
断面構成を示したものである。シードチャックとケーブ
ル先端以外の構成は、図７に示したものと同様である。
する。図６は、本発明に係る単結晶引上げ装置の第２実
施形態におけるシードチャック及びケーブル先端付近の
断面構成を示したものである。シードチャックとケーブ
ル先端以外の構成は、図７に示したものと同様である。
【００２７】図に示すように、この第２実施形態の単結
晶引上げ装置は、シードチャック２Ｂと、ケーブル１の
先端に取り付ける取付金具６Ｂを備えている。シードチ
ャック２Ｂは、チャック本体３Ｂと、シードピン４Ｂ
と、カップリング５Ｂ1 ，５Ｂ2 と、キャップ７Ｂを有
して構成されている。
晶引上げ装置は、シードチャック２Ｂと、ケーブル１の
先端に取り付ける取付金具６Ｂを備えている。シードチ
ャック２Ｂは、チャック本体３Ｂと、シードピン４Ｂ
と、カップリング５Ｂ1 ，５Ｂ2 と、キャップ７Ｂを有
して構成されている。
【００２８】この第２実施形態が、上記した第１実施形
態と異なる点は、チャック本体３Ａのかわりに、炭素材
等からなり略円柱状に形成されたチャック本体３Ｂと、
モリブデン等の金属からなるホルダ８を備え、両者を螺
合により取り付けるようにした点である。
態と異なる点は、チャック本体３Ａのかわりに、炭素材
等からなり略円柱状に形成されたチャック本体３Ｂと、
モリブデン等の金属からなるホルダ８を備え、両者を螺
合により取り付けるようにした点である。
【００２９】このチャック本体３Ｂとホルダ８以外の構
成要素であるシードピン４Ｂ，カップリング５Ｂ1 ，５
Ｂ2 ，キャップ７Ｂ，取付金具６Ｂは、上記した第１実
施形態におけるシードピン４Ａ，カップリング５Ａ1 ，
５Ａ2 ，キャップ７Ａ，取付金具６Ａと同様の構成を有
している。第２実施形態におけるシードピン４Ｂ，カッ
プリング５Ｂ1 ，５Ｂ2 ，キャップ７Ｂ，取付金具６Ｂ
の各構成要素は、図示していないものもあるが、第１実
施形態におけるシードピン４Ａ，カップリング５Ａ1 ，
５Ａ2 ，キャップ７Ａ，取付金具６Ａの各構成要素にお
ける符号又は添字のＡをＢに変換したものと対応してい
る。
成要素であるシードピン４Ｂ，カップリング５Ｂ1 ，５
Ｂ2 ，キャップ７Ｂ，取付金具６Ｂは、上記した第１実
施形態におけるシードピン４Ａ，カップリング５Ａ1 ，
５Ａ2 ，キャップ７Ａ，取付金具６Ａと同様の構成を有
している。第２実施形態におけるシードピン４Ｂ，カッ
プリング５Ｂ1 ，５Ｂ2 ，キャップ７Ｂ，取付金具６Ｂ
の各構成要素は、図示していないものもあるが、第１実
施形態におけるシードピン４Ａ，カップリング５Ａ1 ，
５Ａ2 ，キャップ７Ａ，取付金具６Ａの各構成要素にお
ける符号又は添字のＡをＢに変換したものと対応してい
る。
【００３０】略円柱状に形成されたチャック本体３Ｂの
底部には上方に向けて形成された挿入孔３ＨB1が設けら
れており、この挿入孔３ＨB1に下方から上向きに種子結
晶Ｓを挿入した後、シードピン４Ｂを挿入することによ
り、種子結晶Ｓがチャック本体３Ｂに係止されるように
構成されている。また、チャック本体３Ｂの上部には、
下方に向けて形成された挿入孔３ＨB2が設けられてい
る。この挿入孔３ＨB2の内側面には、雌ネジ３ＳB1が形
成されている。上記の挿入孔３ＨB1と３ＨB2は、連通し
ていてもよいし、互いに独立な盲孔であってもよい。
底部には上方に向けて形成された挿入孔３ＨB1が設けら
れており、この挿入孔３ＨB1に下方から上向きに種子結
晶Ｓを挿入した後、シードピン４Ｂを挿入することによ
り、種子結晶Ｓがチャック本体３Ｂに係止されるように
構成されている。また、チャック本体３Ｂの上部には、
下方に向けて形成された挿入孔３ＨB2が設けられてい
る。この挿入孔３ＨB2の内側面には、雌ネジ３ＳB1が形
成されている。上記の挿入孔３ＨB1と３ＨB2は、連通し
ていてもよいし、互いに独立な盲孔であってもよい。
【００３１】また、略円柱状に形成されたホルダ８の底
部には、底部の直径よりも小さい直径を有する円柱状に
形成され下方に向けて突出した凸部８Ｍが設けられてお
り、凸部８Ｍの外周には雄ネジ８ＳB2が形成されてい
る。したがって、この凸部８Ｍの雄ネジ８ＳB2を、チャ
ック本体３Ｂの挿入孔３ＨB2の雌ネジ３ＳB1に螺合させ
てねじ込むことにより、ホルダ８をチャック本体３Ｂの
上部に装着することができる。また、ホルダ８の上部に
は、下方に向け皿状又はリング状に形成された凹部８Ｈ
B1と、この凹部８ＨB1からさらに下方に向け盲孔状に形
成された凹部８ＨB2が設けられている。凹部８ＨB2の内
側面には、雌ネジ８ＳB1が形成されている。
部には、底部の直径よりも小さい直径を有する円柱状に
形成され下方に向けて突出した凸部８Ｍが設けられてお
り、凸部８Ｍの外周には雄ネジ８ＳB2が形成されてい
る。したがって、この凸部８Ｍの雄ネジ８ＳB2を、チャ
ック本体３Ｂの挿入孔３ＨB2の雌ネジ３ＳB1に螺合させ
てねじ込むことにより、ホルダ８をチャック本体３Ｂの
上部に装着することができる。また、ホルダ８の上部に
は、下方に向け皿状又はリング状に形成された凹部８Ｈ
B1と、この凹部８ＨB1からさらに下方に向け盲孔状に形
成された凹部８ＨB2が設けられている。凹部８ＨB2の内
側面には、雌ネジ８ＳB1が形成されている。
【００３２】したがって、上記の第１実施形態の場合と
まったく同様にしてカシメによりケーブル１の先端に取
り付けた取付金具６Ｂの球状部９Ｂとカシメ部１０Ｂ
を、カップリング５Ｂ1 ，５Ｂ2 の円錐孔部１１ＣB と
収納孔部１２ＨB が形成する略円柱状空間内に挟み込む
ようにして収納した後、カップリング５Ｂ1 ，５Ｂ2 を
密接させ、カップリングの尾部外周の雄ネジ１２ＳB
を、ホルダ８の凹部８ＨB2の内面の雌ネジ８ＳB1に螺合
させてねじ込むことにより、ケーブル１の先端をチャッ
ク本体３Ｂに取り付けることができる。
まったく同様にしてカシメによりケーブル１の先端に取
り付けた取付金具６Ｂの球状部９Ｂとカシメ部１０Ｂ
を、カップリング５Ｂ1 ，５Ｂ2 の円錐孔部１１ＣB と
収納孔部１２ＨB が形成する略円柱状空間内に挟み込む
ようにして収納した後、カップリング５Ｂ1 ，５Ｂ2 を
密接させ、カップリングの尾部外周の雄ネジ１２ＳB
を、ホルダ８の凹部８ＨB2の内面の雌ネジ８ＳB1に螺合
させてねじ込むことにより、ケーブル１の先端をチャッ
ク本体３Ｂに取り付けることができる。
【００３３】また、上記の第１実施形態の場合と同様の
理由から、貫通したケーブル孔７ＨB1と、皿状又はリン
グ状の下方を向いた凹部７ＨB2を有するキャップ７Ｂ
を、カップリング５Ｂ1 ，５Ｂ2 の上部に嵌めてカップ
リング５Ｂ1 ，５Ｂ2 の上部を固定し、カップリング５
Ｂ1 ，５Ｂ2 に対し球状部９Ｂからクサビ状に作用する
水平分力を受けるようにすれば、安全性がさらに向上す
る。
理由から、貫通したケーブル孔７ＨB1と、皿状又はリン
グ状の下方を向いた凹部７ＨB2を有するキャップ７Ｂ
を、カップリング５Ｂ1 ，５Ｂ2 の上部に嵌めてカップ
リング５Ｂ1 ，５Ｂ2 の上部を固定し、カップリング５
Ｂ1 ，５Ｂ2 に対し球状部９Ｂからクサビ状に作用する
水平分力を受けるようにすれば、安全性がさらに向上す
る。
【００３４】上記した第２実施形態のように構成すれ
ば、上記した第１実施形態と同様の作用・効果を有し、
単結晶引き上げ時における単結晶体の「振れ」の発生を
防止することができる。また、ホルダ８によりシードチ
ャック２Ｂに重量を加えることができるため、単結晶が
あまり成長していない引上げ初期の段階において、仮に
ケーブル１に「曲がり」等があったとしても、シードチ
ャック２Ｂを垂直下方へ引くことができ、シードチャッ
ク２Ｂがつねに垂直方向を向くように維持することがで
きる。また、引上げが完了した単結晶体をケーブル１か
ら外す場合にも、カップリングとの接続部分は外さずに
すむので、取り外し作業は第１実施形態の場合よりもさ
らに容易になる。
ば、上記した第１実施形態と同様の作用・効果を有し、
単結晶引き上げ時における単結晶体の「振れ」の発生を
防止することができる。また、ホルダ８によりシードチ
ャック２Ｂに重量を加えることができるため、単結晶が
あまり成長していない引上げ初期の段階において、仮に
ケーブル１に「曲がり」等があったとしても、シードチ
ャック２Ｂを垂直下方へ引くことができ、シードチャッ
ク２Ｂがつねに垂直方向を向くように維持することがで
きる。また、引上げが完了した単結晶体をケーブル１か
ら外す場合にも、カップリングとの接続部分は外さずに
すむので、取り外し作業は第１実施形態の場合よりもさ
らに容易になる。
【００３５】上記各実施形態において、チャック本体３
Ａ、又はチャック本体３Ｂとホルダ８は、種子結晶を保
持するとともにケーブルに取り付けられる種子結晶保持
具に相当している。また、チャック本体３Ｂは第１の部
材に相当し、ホルダ８は第２の部材に相当している。ま
た、取付金具６Ａ又は６Ｂは、装着具に相当している。
また、カップリング５Ａ1 及び５Ａ2 、又は５Ｂ1 及び
５Ｂ2 は、支持具に相当している。また、カップリング
５Ａ1 ，５Ａ2 の円錐孔部１１ＣA1，１１ＣA2（図示せ
ず）と収納孔部１２ＨA1，１２ＨA2（図示せず）が形成
する略円柱状空間、又はカップリング５Ｂ1 ，５Ｂ2 の
円錐孔部１１ＣB と収納孔部１２ＨB が形成する略円柱
状空間は、収納空間に相当している。また、カップリン
グ５Ａ1 ，５Ａ2 の円錐孔部１１ＣA1，１１ＣA2（図示
せず）、又はカップリング５Ｂ1 ，５Ｂ2 の円錐孔部１
１ＣB は、収納空間の肩部に相当している。
Ａ、又はチャック本体３Ｂとホルダ８は、種子結晶を保
持するとともにケーブルに取り付けられる種子結晶保持
具に相当している。また、チャック本体３Ｂは第１の部
材に相当し、ホルダ８は第２の部材に相当している。ま
た、取付金具６Ａ又は６Ｂは、装着具に相当している。
また、カップリング５Ａ1 及び５Ａ2 、又は５Ｂ1 及び
５Ｂ2 は、支持具に相当している。また、カップリング
５Ａ1 ，５Ａ2 の円錐孔部１１ＣA1，１１ＣA2（図示せ
ず）と収納孔部１２ＨA1，１２ＨA2（図示せず）が形成
する略円柱状空間、又はカップリング５Ｂ1 ，５Ｂ2 の
円錐孔部１１ＣB と収納孔部１２ＨB が形成する略円柱
状空間は、収納空間に相当している。また、カップリン
グ５Ａ1 ，５Ａ2 の円錐孔部１１ＣA1，１１ＣA2（図示
せず）、又はカップリング５Ｂ1 ，５Ｂ2 の円錐孔部１
１ＣB は、収納空間の肩部に相当している。
【００３６】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００３７】例えば、上記実施形態においては、単結晶
を得るための材料としてシリコン等の半導体を例に挙げ
て説明したが、本発明はこれには限定されず、他の結晶
材料であってもよい。
を得るための材料としてシリコン等の半導体を例に挙げ
て説明したが、本発明はこれには限定されず、他の結晶
材料であってもよい。
【００３８】また、上記実施形態においては、シードチ
ャックのチャック本体が炭素材で形成され、シードピン
が炭素繊維強化炭素複合材料で形成され、カップリング
等がモリブデン等の金属で形成された例について説明し
たが、本発明はこれには限定されず、融液の高温に耐え
ることができ、引き上げる単結晶体の重量等を支持し得
る強度を有し、かつ融液や単結晶体に不純物を与えたり
有害な反応を生じたりしない性質を有するものであれば
他の材料で形成してもよい。例えば、金属材料としては
モリブデン、タングステン等であり、その他としては黒
鉛、炭素繊維強化炭素複合材料等の炭素系材料、窒化物
セラミックス、炭化物セラミックス等のセラミックス材
料などである。
ャックのチャック本体が炭素材で形成され、シードピン
が炭素繊維強化炭素複合材料で形成され、カップリング
等がモリブデン等の金属で形成された例について説明し
たが、本発明はこれには限定されず、融液の高温に耐え
ることができ、引き上げる単結晶体の重量等を支持し得
る強度を有し、かつ融液や単結晶体に不純物を与えたり
有害な反応を生じたりしない性質を有するものであれば
他の材料で形成してもよい。例えば、金属材料としては
モリブデン、タングステン等であり、その他としては黒
鉛、炭素繊維強化炭素複合材料等の炭素系材料、窒化物
セラミックス、炭化物セラミックス等のセラミックス材
料などである。
【００３９】また、上記実施形態においては、ケーブル
先端に固定される取付金具のカシメ部として、球状部と
一体形成されたものを例に挙げて説明したが、本発明は
これには限定されず、カシメ部は球状部と別体で製作さ
れてもよい。
先端に固定される取付金具のカシメ部として、球状部と
一体形成されたものを例に挙げて説明したが、本発明は
これには限定されず、カシメ部は球状部と別体で製作さ
れてもよい。
【００４０】また、上記実施形態においては、取付金具
としてカシメ部の上方に球状部が設けられたものを例に
挙げて説明したが、本発明はこれには限定されず、ケー
ブル付近の一部が球面であればよく、例えば上部のみが
球面の半球体であってもよい。あるいは、ケーブル付近
の一部が、ケーブル中心線を回転対称軸とする回転楕円
体や、ケーブル中心線を回転対称軸とする他の凸型回転
曲面体であってもよい。
としてカシメ部の上方に球状部が設けられたものを例に
挙げて説明したが、本発明はこれには限定されず、ケー
ブル付近の一部が球面であればよく、例えば上部のみが
球面の半球体であってもよい。あるいは、ケーブル付近
の一部が、ケーブル中心線を回転対称軸とする回転楕円
体や、ケーブル中心線を回転対称軸とする他の凸型回転
曲面体であってもよい。
【００４１】また、上記実施形態においては、カシメ部
として、円筒状に形成されたものを例に挙げて説明した
が、本発明はこれには限定されず、カシメ部は三角形，
四角形，又は五角形以上の多角形断面を有する筒状体で
あってもよいし、楕円断面や他の断面形状の筒状体であ
ってもよい。また、筒は底部が開放されていてもよい
し、底面が閉塞されていてもよい。
として、円筒状に形成されたものを例に挙げて説明した
が、本発明はこれには限定されず、カシメ部は三角形，
四角形，又は五角形以上の多角形断面を有する筒状体で
あってもよいし、楕円断面や他の断面形状の筒状体であ
ってもよい。また、筒は底部が開放されていてもよい
し、底面が閉塞されていてもよい。
【００４２】さらに、上記実施形態においては、カップ
リングが球状部を支持する部分の形状として、円錐面を
例に挙げて説明したが、本発明はこれには限定されず、
例えば半球面であってもよいし、ケーブル中心線を回転
対称軸とする回転楕円面や、ケーブル中心線を回転対称
軸とする他の回転曲面であってもよい。
リングが球状部を支持する部分の形状として、円錐面を
例に挙げて説明したが、本発明はこれには限定されず、
例えば半球面であってもよいし、ケーブル中心線を回転
対称軸とする回転楕円面や、ケーブル中心線を回転対称
軸とする他の回転曲面であってもよい。
【００４３】また、上記実施形態においては、カップリ
ングとして、略ボルト状部材を２等分割したものを例に
挙げて説明したが、本発明はこれには限定されず、分割
の数は３以上であってもよいし、分割は等分割でなくて
もよい。
ングとして、略ボルト状部材を２等分割したものを例に
挙げて説明したが、本発明はこれには限定されず、分割
の数は３以上であってもよいし、分割は等分割でなくて
もよい。
【００４４】さらに、上記実施形態においては、球状部
がカシメ部によりケーブルに取り付けられる例について
説明したが、本発明はこれには限定されず、球状部、又
は球状部を下方で支持する部分が他の方法でケーブルに
取り付けられてもよく、例えばボルト接合や螺合等の他
の機械的接合、溶着等による接合であってもよい。
がカシメ部によりケーブルに取り付けられる例について
説明したが、本発明はこれには限定されず、球状部、又
は球状部を下方で支持する部分が他の方法でケーブルに
取り付けられてもよく、例えばボルト接合や螺合等の他
の機械的接合、溶着等による接合であってもよい。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る単結
晶引上げ装置によれば、引上げ法によりケーブルを用い
て単結晶を引上げる装置のケーブルの先端付近に、ケー
ブルの中心線を回転対称軸とする回転曲面を有する装着
具を設け、複数の部材からなり種子結晶保持具に着脱自
在で、内部にケーブルと装着具とを収納する収納空間を
有し、収納空間の肩部が装着具を接触支持する支持具を
備えたので、ケーブルと種子結晶保持具との接続部は、
ケーブルの中心線に対して対称となり、単結晶の引上げ
の際の振れを防止することができる。また、ケーブルか
ら種子結晶保持具を容易に取り外すことができる、等の
利点がある。
晶引上げ装置によれば、引上げ法によりケーブルを用い
て単結晶を引上げる装置のケーブルの先端付近に、ケー
ブルの中心線を回転対称軸とする回転曲面を有する装着
具を設け、複数の部材からなり種子結晶保持具に着脱自
在で、内部にケーブルと装着具とを収納する収納空間を
有し、収納空間の肩部が装着具を接触支持する支持具を
備えたので、ケーブルと種子結晶保持具との接続部は、
ケーブルの中心線に対して対称となり、単結晶の引上げ
の際の振れを防止することができる。また、ケーブルか
ら種子結晶保持具を容易に取り外すことができる、等の
利点がある。
【図１】本発明に係る単結晶引上げ装置の第１実施形態
におけるシードチャック及びケーブル先端付近の詳細構
成を示す断面図である。
におけるシードチャック及びケーブル先端付近の詳細構
成を示す断面図である。
【図２】図１に示すケーブル先端のさらに詳細な構成を
示す側面図である。
示す側面図である。
【図３】図１に示すシードチャックのさらに詳細な構成
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｄ）は、図１に示すカップリングの
製作方法を説明する図（１）である。
製作方法を説明する図（１）である。
【図５】（Ａ）〜（Ｄ）は、図１に示すカップリングの
製作方法を説明する図（２）である。
製作方法を説明する図（２）である。
【図６】本発明に係る単結晶引上げ装置の第２実施形態
におけるシードチャック及びケーブル先端付近の詳細構
成を示す断面図である。
におけるシードチャック及びケーブル先端付近の詳細構
成を示す断面図である。
【図７】単結晶引上げ装置の全体構成を示す断面図であ
る。
る。
【図８】従来の単結晶引上げ装置におけるシードチャッ
ク及びケーブル端部付近の詳細構成を示す断面図であ
る。
ク及びケーブル端部付近の詳細構成を示す断面図であ
る。
１ ケーブル ２Ａ，２Ｂ シー
ドチャック ３Ａ，３Ｂ チャック本体 ３ＨA1〜３ＨA3
凹部 ３ＨB1，３ＨB2 挿入孔 ３ＳA1，３ＳB1
雌ネジ ４Ａ，４Ｂ シードピン ５Ａ1 ，５Ａ2 ，５Ｂ1 ，５Ｂ2 カップリング ６Ａ，６Ｂ 取付金具 ７Ａ，７Ｂ キャップ ７ＨA1，７ＨB1
ケーブル孔 ７ＨA2，７ＨB2 凹部 ８ ホルダ ８ＨB1，８ＨB2 凹部 ８Ｍ 凸部 ８ＳB1 雌ネジ ８ＳB2 雄ネジ ９Ａ，９Ｂ 球状部 ９ＨA 貫通孔 １０Ａ，１０Ｂ カシメ部 １０ＨA 貫通孔 １１Ａ1 頭部 １１ＣA1，１１Ｃ
B 円錐孔部 １１ＨA1 ケーブル孔 １２Ａ1 尾部 １２ＨA1，１２ＨB 収納孔部 １２ＳA1，１２Ｓ
B 雄ネジ ２２ シードチャック ２３ チャック本
体 ２３Ｈ1 ，２３Ｈ2 凹部 ２３Ｈ3 ピン孔 ２４ シードピン ２６ 取付金具 ２６Ｈ ピン孔 ２９ ケーブルピ
ン ３０ ナット １００ 単結晶引上げ装置 １０１ チャンバ １０２ ルツボ １０３ 石英部 １０４ 黒鉛部 １０５ ヒータ １０６ 断熱材 １０７ ルツボ保
持軸 １０８ 回転機構 １０９ 巻取機構 Ｃ 単結晶インゴット Ｌ シリコン融液 Ｓ 種子結晶
ドチャック ３Ａ，３Ｂ チャック本体 ３ＨA1〜３ＨA3
凹部 ３ＨB1，３ＨB2 挿入孔 ３ＳA1，３ＳB1
雌ネジ ４Ａ，４Ｂ シードピン ５Ａ1 ，５Ａ2 ，５Ｂ1 ，５Ｂ2 カップリング ６Ａ，６Ｂ 取付金具 ７Ａ，７Ｂ キャップ ７ＨA1，７ＨB1
ケーブル孔 ７ＨA2，７ＨB2 凹部 ８ ホルダ ８ＨB1，８ＨB2 凹部 ８Ｍ 凸部 ８ＳB1 雌ネジ ８ＳB2 雄ネジ ９Ａ，９Ｂ 球状部 ９ＨA 貫通孔 １０Ａ，１０Ｂ カシメ部 １０ＨA 貫通孔 １１Ａ1 頭部 １１ＣA1，１１Ｃ
B 円錐孔部 １１ＨA1 ケーブル孔 １２Ａ1 尾部 １２ＨA1，１２ＨB 収納孔部 １２ＳA1，１２Ｓ
B 雄ネジ ２２ シードチャック ２３ チャック本
体 ２３Ｈ1 ，２３Ｈ2 凹部 ２３Ｈ3 ピン孔 ２４ シードピン ２６ 取付金具 ２６Ｈ ピン孔 ２９ ケーブルピ
ン ３０ ナット １００ 単結晶引上げ装置 １０１ チャンバ １０２ ルツボ １０３ 石英部 １０４ 黒鉛部 １０５ ヒータ １０６ 断熱材 １０７ ルツボ保
持軸 １０８ 回転機構 １０９ 巻取機構 Ｃ 単結晶インゴット Ｌ シリコン融液 Ｓ 種子結晶
─────────────────────────────────────────────────────
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(56)参考文献 特開 平３−103389（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−182381（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−206382（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−64992（ＪＰ，Ａ)
実開 平４−89558（ＪＰ，Ｕ)
実公 昭47−39477（ＪＰ，Ｙ１)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C30B 1/00 - 35/00
ＥＵＲＯＰＡＴ（ＱＵＥＳＴＥＬ)
Claims (5)
- 【請求項１】 加熱融解された結晶材料の融液上におい
て上下移動可能に構成されたケーブルと、前記結晶材料
からなる種子結晶と、前記種子結晶を保持するとともに
前記ケーブルに取り付けられる種子結晶保持具を有し、
前記ケーブルを引下げ前記種子結晶を前記融液に接触さ
せた後にケーブルを引上げ前記結晶材料の単結晶を育成
する単結晶引上げ装置において、 前記ケーブルの先端付近には、前記ケーブルの中心線を
回転対称軸とする回転曲面を有する装着具が取り付けら
れ、かつ、 複数の部材からなり前記種子結晶保持具に着脱自在に構
成され、内部に前記ケーブルと前記装着具とを収納する
収納空間を有するとともに、前記収納空間の肩部が前記
装着具を接触支持するように構成された支持具を備えた
ことを特徴とする単結晶引上げ装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の単結晶引上げ装置におい
て、 前記装着具は、カシメにより前記ケーブルの先端付近に
固定されるカシメ部と、前記カシメ部により前記ケーブ
ルに取り付けられる球状部を有し、 前記支持具は、２つの部材により構成され、螺合により
前記種子結晶保持具の上部に着脱され、かつ、 前記収納空間の肩部は、円錐台形状の空間であることを
特徴とする単結晶引上げ装置。 - 【請求項３】 請求項２記載の単結晶引上げ装置におい
て、 前記種子結晶保持具は、第１の部材と第２の部材を有
し、前記第１の部材は前記種子結晶を保持し、前記第２
の部材は螺合により前記第１の部材の上部に着脱され、
前記支持具は螺合により前記第２の部材の上部に着脱さ
れることを特徴とする単結晶引上げ装置。 - 【請求項４】 請求項１ないし請求項３のいずれかに記
載の単結晶引上げ装置において、 前記支持具は、２分割されたカップリングであることを
特徴とする単結晶引上げ装置。 - 【請求項５】 請求項４に記載の単結晶引上げ装置にお
いて、 前記カップリングの上部にキャップを嵌めてカップリン
グの上部を固定したものであることを特徴とする単結晶
引上げ装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35003895A JP3402038B2 (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | 単結晶引上げ装置 |
| US08/760,984 US5833750A (en) | 1995-12-25 | 1996-12-05 | Crystal pulling apparatus |
| DE69603149T DE69603149T2 (de) | 1995-12-25 | 1996-12-13 | Vorrichtung zur Ziehung Einkristallen |
| EP96309097A EP0783047B1 (en) | 1995-12-25 | 1996-12-13 | Crystal Pulling Apparatus |
| KR1019960067573A KR100523342B1 (ko) | 1995-12-25 | 1996-12-18 | 단결정인상장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35003895A JP3402038B2 (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | 単結晶引上げ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09175894A JPH09175894A (ja) | 1997-07-08 |
| JP3402038B2 true JP3402038B2 (ja) | 2003-04-28 |
Family
ID=18407815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35003895A Expired - Lifetime JP3402038B2 (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | 単結晶引上げ装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5833750A (ja) |
| EP (1) | EP0783047B1 (ja) |
| JP (1) | JP3402038B2 (ja) |
| KR (1) | KR100523342B1 (ja) |
| DE (1) | DE69603149T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103484932A (zh) * | 2013-09-13 | 2014-01-01 | 江苏聚能硅业有限公司 | 一种单晶晶体双重防护重锤装置 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69802864T2 (de) * | 1997-05-21 | 2002-08-29 | Shinetsu Handotai Kk | Silizium-Impfkristall, Verfahren zu seiner Herstellung und Verfahren zur Herstellung eines Silizium-Einkristalls unter Verwendung des Silizium-Impfkristalls |
| DE19758833B4 (de) * | 1997-09-12 | 2007-08-30 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Impfkristallhalter |
| DE19740257B4 (de) * | 1997-09-12 | 2006-01-26 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp. | Impfkristallhalter |
| US6015461A (en) * | 1997-09-12 | 2000-01-18 | Sumitomo Sitix Corporation | Seed crystal holders, for pulling a single crystal |
| US6139632A (en) * | 1997-09-15 | 2000-10-31 | Sumitomo Sitix Corporation | Seed crystals, seed crystal holders, and a method for pulling a single crystal |
| JPH11292686A (ja) * | 1998-04-07 | 1999-10-26 | Mitsubishi Materials Corp | シードチャック |
| US6183556B1 (en) * | 1998-10-06 | 2001-02-06 | Seh-America, Inc. | Insulating and warming shield for a seed crystal and seed chuck |
| US6203614B1 (en) * | 1999-05-28 | 2001-03-20 | Memc Electronic Materials, Inc. | Cable assembly for crystal puller |
| US6238483B1 (en) | 1999-08-31 | 2001-05-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Apparatus for supporting a semiconductor ingot during growth |
| US6835247B2 (en) * | 2000-10-31 | 2004-12-28 | Advanced Silicon Materials Llc | Rod replenishment system for use in single crystal silicon production |
| JP4135405B2 (ja) * | 2002-06-12 | 2008-08-20 | 信越半導体株式会社 | 種結晶保持治具及び単結晶の製造方法 |
| JP4683184B2 (ja) * | 2004-11-04 | 2011-05-11 | 信越半導体株式会社 | 単結晶引上げ装置のシードチャック |
| JP4626291B2 (ja) * | 2004-12-15 | 2011-02-02 | 信越半導体株式会社 | 単結晶引上げ装置 |
| KR101203969B1 (ko) * | 2010-01-29 | 2012-11-22 | 주식회사 코원이노텍 | 실리콘 단결정 잉곳 형성장치 |
| KR101211613B1 (ko) | 2010-12-30 | 2012-12-12 | 웅진에너지 주식회사 | 시드척 유닛 및 이를 이용한 잉곳 성장 장치 |
| JP5682821B2 (ja) * | 2011-03-15 | 2015-03-11 | 株式会社Sumco | シード軸とシードホルダとの連結構造及び単結晶インゴットの製造方法 |
| KR101657018B1 (ko) * | 2012-07-19 | 2016-09-12 | 신닛테츠스미킨 카부시키카이샤 | SiC 단결정의 제조 장치 및 SiC 단결정의 제조 방법 |
| CN107779947A (zh) * | 2017-11-28 | 2018-03-09 | 浙江晶盛机电股份有限公司 | 一种单晶炉籽晶夹头结构 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3206286A (en) * | 1959-07-23 | 1965-09-14 | Westinghouse Electric Corp | Apparatus for growing crystals |
| DE1114171B (de) * | 1959-12-31 | 1961-09-28 | Siemens Ag | Halterung fuer stabfoermiges Halbleitermaterial in Vorrichtungen zum tiegelfreien Zonenschmelzen |
| US3159408A (en) * | 1961-10-05 | 1964-12-01 | Grace W R & Co | Chuck |
| JPS4739477Y1 (ja) * | 1967-07-17 | 1972-11-29 | ||
| US4284605A (en) * | 1980-05-14 | 1981-08-18 | Ferrofluidics Corporation | Linear drive shaft seal |
| DE3414290A1 (de) * | 1984-04-14 | 1985-10-24 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Kristallhalter |
| JPS6364992A (ja) * | 1986-09-08 | 1988-03-23 | Fujitsu Ltd | 単結晶成長装置 |
| JPS63206382A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-25 | Fujitsu Ltd | 結晶引き上げ装置 |
| JPH03103389A (ja) * | 1989-09-14 | 1991-04-30 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体単結晶引上用玉鎖 |
| JPH04182381A (ja) * | 1990-11-15 | 1992-06-29 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 結晶引上げ用シードチャック |
| JPH0489558U (ja) * | 1990-11-20 | 1992-08-05 |
-
1995
- 1995-12-25 JP JP35003895A patent/JP3402038B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-12-05 US US08/760,984 patent/US5833750A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-13 DE DE69603149T patent/DE69603149T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-13 EP EP96309097A patent/EP0783047B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-18 KR KR1019960067573A patent/KR100523342B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103484932A (zh) * | 2013-09-13 | 2014-01-01 | 江苏聚能硅业有限公司 | 一种单晶晶体双重防护重锤装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09175894A (ja) | 1997-07-08 |
| US5833750A (en) | 1998-11-10 |
| EP0783047A1 (en) | 1997-07-09 |
| KR970043341A (ko) | 1997-07-26 |
| EP0783047B1 (en) | 1999-07-07 |
| DE69603149T2 (de) | 1999-12-30 |
| DE69603149D1 (de) | 1999-08-12 |
| KR100523342B1 (ko) | 2006-02-01 |
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