JP3319340B2 - 半導体回路装置 - Google Patents

半導体回路装置

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JP3319340B2 JP15785397A JP15785397A JP3319340B2 JP 3319340 B2 JP3319340 B2 JP 3319340B2 JP 15785397 A JP15785397 A JP 15785397A JP 15785397 A JP15785397 A JP 15785397A JP 3319340 B2 JP3319340 B2 JP 3319340B2
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    • H03K5/133Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals using a chain of active delay devices

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路に
関し、クロック信号の制御回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の、クロック信号を逓倍する遅延回
路列を用いた回路構成として、例えば、文献(T.Shimi
zu,“A Multimedia 32b RISC Microprocessor wi
th 16Mb DRAM”,ISSCC Digest of Technical Pa
pers,1996 IEEE International Solid-State Circ
uit Conference,pp.216〜217,Feb.,1996)には、図
5に示すような回路構成が提案されている。またこの回
路技術に関連して米国特許USP5,422,835、
USP5,530,837等の記載が参照される。
【0003】図5を参照すると、4逓倍の場合、出力端
子を切替器(第1から第4の切替器305〜308)に
よって選択される遅延回路列(第1から第4の遅延回路
列301〜304)を4組直列に接続し、外部から入力
される第1のクロック311と第1から第4の遅延回路
列301〜304を通過した第5のクロック315を位
相比較器309で比較し、UP信号316またはDOW
N信号317を計数器(アップダウンカウンタ)310
に転送し、計数器310は制御信号318を出力して、
第1から第4の切替器305〜308を制御し、第1の
クロック311と第5のクロック315の位相が等しく
なるよう調整する。
【0004】ここで、第1から第4の遅延回路列301
から304の遅延時間は等しく調整され遅延時間も等し
くなるので、第1のクロック311、第2のクロック3
12、第3のクロック313、第4のクロック314の
タイミング差は、等しく丁度クロック周期の1/4にな
る。第1のクロック311、第2のクロック312、第
3のクロック313、第4のクロック314の各クロッ
クからクロックを合成することにより4逓倍が実現でき
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の回路で
は、逓倍クロックを発生するために逓倍数Nと等しい数
の遅延回路列を直列に配置し、直列配置した遅延回路列
を通過した出力(図5の第5のクロック315)と外部
クロック(第1のクロック311)とを比較し、少しず
つ遅延差、位相差を補正する方式を用いているが、補正
するときに、直列に配列した各遅延回路列301〜30
4を同時に補正する方式を用いているため、一度に補正
される遅延量が、各遅延回路列の最小の遅延時間単位t
dの逓倍数N倍になってしまう、という問題点を有して
いる。このため、逓倍されたクロックの周期の誤差は、
最大で(N−1)・tdになる可能性があった。
【0006】すなわち、図5を参照すると、実際、第1
の遅延回路列301から第4の遅延回路列304の直列
接続された全遅延回路列で通過した遅延単位数に対し、
第1から第4の各遅延回路列での遅延単位数の関係は、
表1に示すようなものとなるが、補正するときに、直列
に配列した各遅延回路列を同時に補正する方式を用いて
いるため、第1から第4の各遅延回路列301〜304
での遅延単位数は、第1の遅延回路列301から第4の
遅延回路列304の直列接続での全遅延単位数が4ごと
に固定している。すなわち、表1に示すように、第1か
ら第4の各遅延回路列301〜304における各遅延単
位数は、直列接続数(遅延回路列の遅延単位の直列接続
数)1〜4の場合いずれも1、直列接続数5〜8の場合
いずれも2、直列接続数9〜12の場合いずれも3のよ
うに直列接続数4ごとに固定している。
【0007】また、表2に、第1の遅延回路列301か
ら第4の遅延回路列304の直列接続での全遅延単位数
に対し、第1の遅延回路列301から第4の遅延回路列
304を直列に接続した場合の各遅延回路列出力部まで
の通過遅延単位数を示す。第1の遅延回路列301から
第4の遅延回路列304の直列接続での全遅延単位数が
4ごとに固定している。
【0008】したがって、表2に示すように遅延量の補
正分が、逓倍クロックのN周期の一ヵ所に集中し、タイ
ミングのズレを、最大3td引き起こしていた。
【0009】例えば第1〜第4の遅延回路列301〜3
04での遅延回路の段数が5の時、第1〜第4の切替回
路305〜308が第2段目の遅延回路出力を選択した
時、第1の遅延回路列301入力から第4の遅延回路列
304の出力までの遅延単位数和は8(表2参照)とな
り、したがって、第1のクロック311と第5のクロッ
ク315の位相差は8単位遅延時間分あり、タイミング
のズレは3td分(8の5の剰余は3)となる。
【0010】
【表1】
【0011】
【表2】
【0012】したがって、本発明は、上記問題点に鑑み
てなされたものであって、その目的は、一度に補正され
る遅延量が、各遅延回路列の最小の遅延時間単位tdと
することを可能とし、これにより、逓倍されたクロック
の周期の誤差は、最大でもtdとした半導体回路装置を
提供することにある。また、本発明の他の目的は、遅延
量の補正分がN周期の一ヵ所に集中しないように、予め
配列を調整することで逓倍クロックの約数の逓倍数にお
いても逓倍後の周期でもタイミングのズレを遅延時間単
位td以下にすることを可能とした半導体回路装置を提
供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の半導体回路装置は、ほぼ一定の遅延時間の
長さごとに出力端子を有する第1の遅延回路列と、前記
第1の遅延回路列と信号伝搬方向について逆向きに配置
され、ほぼ一定の遅延時間の長さごとに入力端子を有す
る第2〜第Nの遅延回路列と、複数の保持回路からなる
保持回路列と、を備え、前記複数の保持回路は、その入
力を前記第1の遅延回路列の各出力端子に接続し、その
出力を、前記第2〜第Nの遅延回路列において入力端子
を選択する端子と接続し、前記第2乃至第Nの遅延回路
列がクロック信号の伝搬について直列に接続され、か
つ、接続の順序が規則的である、ことを特徴とする。
【0014】また、本発明は、切替器によって遅延時間
長を調節可能な複数の遅延回路列と、位相比較器と、計
数器と、制御信号切替器と、を有し、前記複数の遅延回
路列が信号の伝搬について直列に配置され、該直列に配
置された複数の遅延回路列の入力と出力が位相比較器に
入力され、該位相比較器の出力が計数器に入力され、該
計数器の出力を制御信号切替器に入力し、前記制御信号
切替器を介して前記複数の遅延回路列のうちの1台の遅
延時間長を切替を制御し、かつ、前記複数の遅延回路列
のうちの1台を切替制御する時、遅延回路全体の遅延時
間が長くなる場合、短くなる場合に応じて、予め決めら
れた順序で、接続する遅延回路列を切り替える、ことを
特徴とする。
【0015】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について以下
に説明する。本発明の半導体装置は、その好ましい実施
の形態において、ほぼ一定の遅延時間の長さごとに出力
端子を有する第1の遅延回路列(図1の101)と、第
1の遅延回路列と信号伝搬方向について逆向きに配置さ
れ、N逓倍の場合、ほぼ一定の遅延時間の長さごとに入
力端子を有する第2〜第Nの遅延回路列(図1の101
〜108)と、複数の保持回路からなる保持回路列(図
1の109)と、を備え、複数の保持回路は、その入力
を第1の遅延回路列(図1の101)の対応する出力端
子に接続し、その出力を、第2の遅延回路列〜第Nの遅
延回路列の各遅延回路列について、単位遅延素子のいず
れか一つと予め決められた順序で接続し、この保持回路
の出力は、各遅延回路列において実際に使用する入力端
子を選択し、第2乃至第Nの遅延回路列はクロック信号
の伝搬について直列に接続され、かつ、接続の順序が規
則的とされる。
【0016】また、本発明は、別の実施の形態におい
て、切替器(図4の209〜216)によって遅延時間
長を調節可能な複数の遅延回路列(図1の201〜20
8)と、位相比較器(図4の217)と、計数器(図1
の218)と、制御信号切替器(図4の219)と、を
有し、複数の遅延回路列が信号の伝搬について直列に配
置され、該直列に配置された複数の遅延回路列の入力と
出力が位相比較器(図14の217)に入力され、該位
相比較器の出力が計数器に入力され、該計数器の出力を
制御信号切替器に入力し、制御信号切替器を介して前記
複数の遅延回路列のうちの1台の遅延時間長を切替を制
御し、かつ、前記複数の遅延回路列のうちの1台を切替
制御する時、遅延回路全体の遅延時間が長くなる場合、
短くなる場合に応じて、予め決められた順序で、接続す
る遅延回路列を切り替える。
【0017】
【実施例】上記した本発明の実施の形態について更に詳
細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照し
て以下に説明する。
【0018】図1は、本発明の一実施例の構成を示す図
である。図1を参照すると、本実施例の半導体回路装置
は、ほぼ一定の遅延時間tdの長さごとに出力端子を有
する第1の遅延回路列101と、第1の遅延回路列10
1と信号伝搬の向きが逆向きに配置されほぼ一定の遅延
時間tdの長さごとに入力端子を有する第2の遅延回路
列102〜第8の遅延回路列108と、保持回路列10
9と、クロックバッファ111〜119を有する。
【0019】保持回路列109の各保持回路はその入力
端子を、第1の遅延回路列101の各出力及び第1の遅
延回路列の入力端子(外部クロック120)に接続し、
各保持回路の出力は、基本回路単位110に示されてい
るように、第2の遅延回路列102〜第8の遅延回路列
108の各遅延回路列について、単位遅延素子のいずれ
か一つと予め決められた順序で接続し、この保持回路の
出力は、各遅延回路列において実際に使用する入力端子
を選択する。すなわち、保持回路の出力がアクティブの
時、該保持回路の出力を入力とする遅延回路列の入力端
子は、前段の単位遅延素子の出力でなく、該入力端子か
らクロック信号を入力する。
【0020】この場合、第2の遅延回路列102、第3
の遅延回路列103、第4の遅延回路列104、第5の
遅延回路列105、第6の遅延回路列106、第7の遅
延回路列107、及び第8の遅延回路列108は、クロ
ック信号について直列に接続されている。すなわち、第
2の遅延回路列102からクロックバッファ113を介
して出力される第2のクロック122は、第3の遅延回
路列103に入力され、第3の遅延回路列103からク
ロックバッファ114を介して出力される第2のクロッ
ク123は、第3の遅延回路列104に入力されるとい
う具合にクロック信号の伝搬について、第2〜第8の遅
延回路列102〜108は直列に接続されている。
【0021】次に、本実施例の動作について説明する。
【0022】周期tCKの連続するHパルスからなる外
部クロック120を第1の遅延回路101に入力する
と、連続するHパルスの一つが、第1の遅延回路列10
1中で、まずクロックバッファ111に入り、図2に示
す回路形式で、パルス幅tPWを決定する。ここで形成
されたHパルスの両エッジは、双方とも外部クロック1
20の立ち上がりエッジから作られる。図2は、クロッ
クバッファ111の回路構成の一例を示した図である。
図2を参照して、ANDゲートの一の入力端に接続され
るインバータの段数でパルス幅tPWが定められる。
【0023】このパルス幅tPWは、基本回路単位11
0中の第1の遅延回路列101の遅延時間長t110よ
りも長く設計する。なお図1に示す第1の遅延回路列1
01の遅延時間t110は8・td(tdは単位遅延時
間)である。
【0024】tPWの幅になったパルスは、遅延回路列
101中を進行し、保持回路列109に接続する出力の
端子もまた、パルスの進行に伴いL−H−Lと変化す
る。
【0025】パルス幅tPWは、基本回路単位110中
の第1の遅延回路列101の遅延時間長t110(t1
10=8・td)よりも長く設定されていることから、
保持回路列109に接続する出力の端子は、8つ(8遅
延時間単位)以上、連続Hレベルが続く。
【0026】このように最初のパルスが第1の遅延回路
列101を進行しているときに、次のパルスが、外部ク
ロック120から保持回路列109に入る。
【0027】次のパルスを受けて、第1の遅延回路列1
01に接続する端子がHレベルである保持回路は、出力
レベルをHレベルに固定し、第2の遅延回路列102、
第3の遅延回路列103、第4の遅延回路列104、第
5の遅延回路列105、第6の遅延回路列106、第7
の遅延回路列107、及び第8の遅延回路列108のそ
れぞれの対応する遅延単位素子の入力端子を動作状態に
する。
【0028】この後、パルスは、クロックバッファ11
2を介して、第2の遅延回路列102に入力され、第2
の遅延回路列102から出力された第2のクロック12
2は第3の遅延回路列103に入力されるという具合
に、第4の遅延回路列104、第5の遅延回路列10
5、第6の遅延回路列106、第7の遅延回路列10
7、および第8の遅延回路列108と直列の配置の順に
通過する。
【0029】本実施例では、第1の遅延回路列101の
遅延単位素子8組に対し、第2の遅延回路列102乃至
第8の遅延回路列108の遅延単位素子は、それぞれ1
個であり、遅延時間も比例して8:1の構成とされてお
り、クロックバッファ113〜119もその遅延時間
を、第1の遅延回路列1101にクロックを入力するク
ロックバッファ111の1/8に予め設定されている。
【0030】従って、クロックパルスが、第1の遅延回
路列101を通過する時間に対して、第2の遅延回路列
102、第3の遅延回路列103、第4の遅延回路列1
04、第5の遅延回路列105、第6の遅延回路列10
6、第7の遅延回路列107、及び第8の遅延回路列1
08それぞれを通過する時間は、粗く見積もると、1/
8になる。
【0031】但し、実際の構成では、上記従来技術で示
したように、遅延時間単位tdがあるため、周期を、正
確に、1/8に分割することができないので、周期の1
/8からズレが生じる。
【0032】しかし、本実施例では、図1に基本回路単
位110として示すように、各遅延単位ごとの接続にな
っており、第2から第8の各遅延回路列102〜108
での遅延時間は、第1の遅延回路列101で検知された
クロック周期の1/8より遅延単位の遅延時間tdまで
の誤差が抑えられる。
【0033】表3に、第1の遅延回路列101での遅延
単位数に対し、第2から第8の各遅延回路列102〜1
08での遅延単位数を示すが、遅延単位数の差は、最大
でも1である。表4には、第1の遅延回路列の遅延単位
数に対する第2〜第8の遅延回路列出力部での遅延単位
数の和を示したものである。
【0034】また、別々の保持回路に、「予め決められ
た順序で接続」されているため、第1の遅延回路列10
1での遅延単位数に対し、第2の遅延回路列102から
第8の遅延回路列108を直列に接続した場合の各遅延
回路列出力部までの通過遅延単位数は、第3の遅延回路
列103の出力では、第1の遅延回路列101での遅延
単位数の1/4にもっとも近い値、第5の遅延回路の出
力では、第1の遅延回路列101での遅延単位数の1/
2にもっとも近い値、第7の遅延回路の出力では、第1
の遅延回路列101での遅延単位数の3/4にもっとも
近い遅延単位数に1以上ずれない構成になる。
【0035】また、第1の遅延回路列101と第2の遅
延回路列102と第3の遅延回路列103と第4の遅延
回路列104と第5の遅延回路列105と第6の遅延回
路列106と第7の遅延回路列107と第8の遅延回路
列108と保持回路列109の構成は、多数考えられ
る。
【0036】図3は、本発明の一実施例の回路構成を説
明するための図である。図3を参照すると、第1の遅延
回路列101の基本遅延単位は、NANDゲートとイン
バータのカスケード接続で構成されており、NANDゲ
ートの2入力のうちの一つには、リセット信号129が
接続している。
【0037】保持回路列109の各保持回路は、D型ラ
ッチ回路(D−LAT)からなり、第1の遅延回路列1
01の対応する遅延単位の信号をデータ入力とし外部ク
ロック120に入力されるパルス信号をクロック入力と
し、その出力を対応する遅延回路列の遅延単位の入力に
供給している。
【0038】第2の遅延回路列102から、第8の遅延
回路列108の遅延回路単位は、カスケード接続したN
ANDゲート132とインバータ133を基本とし、保
持回路(D−LAT)の出力に対するスイッチとしての
NANDゲート130、および、負荷調整用のNAND
ゲート129から構成される。例えば第2の遅延回路列
102において、保持回路(D−LAT)からの出力が
Hレベルの時、NANDゲート130は、第1のクロッ
ク121のHパルスを受けてLレベルを出力し、遅延回
路を構成するNANDゲート132、インバータ133
に伝搬される。なお、この遅延回路単位の前後からの出
力、すなわち、NANDゲート132、及び負荷用NA
NDゲート129に共通に入力される信号レベルはHレ
ベルに設定(固定)されている。
【0039】以上、本実施例では、2、4、8逓倍のク
ロックが遅延単位の遅延時間td以内の誤差で得られ
る。
【0040】図4は、本発明の第2の実施例の構成を示
す図である。
【0041】図4を参照すると、本実施例は、出力端子
を、第1から第8の切替器209〜216によって選択
される第1から第8の遅延回路列201から208を8
組直列に接続し、外部から入力される第1のクロック2
20と直列配列された8つの遅延回路列、すなわち第1
から第8の遅延回路列201から208を通過した第9
のクロック228を位相比較器217で比較し、UP信
号229またはDOWN信号230を計数器(アップダ
ウンカウンタ)218に転送し、計数器218から制御
信号231を制御信号切替器219に出力する。
【0042】制御信号切替器219では、第1から第8
の切替器209〜216を1台ずつ制御するよう切り替
える。切り替え方法は、制御信号切替器219内に予め
決められた順序で記憶保持された番号の順に、UP信号
229が出力されたとき制御信号切替器219内に記憶
保持した番号の登り順に、DOWN信号230が出たと
きは下り順に切り替える。
【0043】また、制御信号切替器219内の番号が8
の時、UP信号229が出力されたら、1番に切り替
え、制御信号切替器219内の番号が1の時DOWN信
号230が出力されたら、8番に切り替える。
【0044】本実施例でも、第1から第8の切替器20
9〜216を制御信号切替器219内に記憶保持した番
号の順に1台ずつ切り替えるので、前記第1の実施例と
同様、第1の遅延回路列201から第8の遅延回路列2
08の各遅延回路列での遅延時間は、第1の遅延回路列
201から第8の遅延回路列208の直列接続された遅
延時間と同期をとったクロック周期の1/8より、遅延
単位の遅延時間tdまでの誤差が抑えられる。
【0045】実際、第1の遅延回路列201から第8の
遅延回路列208の直列接続された全遅延回路列で通過
した遅延単位数に対し、第2から第8の各遅延回路列で
の遅延単位数の関係は、表5で示され、遅延単位数の差
は、最大でも「1」である。
【0046】また、各切替器209から216が、「予
め決められた順序で」、個々に制御されているため、第
1の遅延回路列201から第8の遅延回路列208の直
列接続での全遅延単位数に対し、第1の遅延回路列20
1から第8の遅延回路列208を直列に接続した場合の
各遅延回路列出力部までの通過遅延単位数は、表6に示
すように、第2の遅延回路列202の出力では、1/4
にもっとも近い値、第4の遅延回路204の出力では、
1/2にもっとも近い値、第6の遅延回路206の出力
では、3/4にもっとも近い値に遅延単位1以上ずれな
い構成になる。
【0047】以上本実施例でも、2、4、8逓倍のクロ
ックが遅延単位td以内の誤差で得られる。
【0048】また、本実施例では、従来例と同様、遅延
回路列の出力を切り替える方式を示したが、遅延回路列
の入力を切り替える方式としても、同様の効果が得られ
る。
【0049】
【表3】
【0050】
【表4】
【0051】
【表5】
【0052】
【表6】
【0053】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
N逓倍クロックを発生するために逓倍数Nと等しい数の
遅延回路列を直列に配置し、直列配置した遅延回路列を
通過し信号の遅延時間が外部クロック周期の1/Nの遅
延時間に近くなるように設定する回路構成を用いてお
り、また直列に配列した各遅延回路列を別々に設定する
方式を用いているため、一度に補正される遅延量が、各
遅延回路列の最小の遅延時間単位tdになる。このた
め、本発明によれば、逓倍されたクロックの周期の誤差
は、最大でも単位遅延時間tdになる。
【0054】また、遅延量の補正分がN周期の一ヵ所に
集中しないように、あらかじめ配列を調整することで、
逓倍クロックの約数の逓倍数においても逓倍後の周期で
もタイミングのズレを遅延時間単位td以下にすること
が可能であり、一度に補正される遅延量が、各遅延回路
列の最小の遅延時間単位tdになる。従って、逓倍され
たクロックの周期の誤差は、最大でもtdになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の回路構成を示す図であ
る。
【図2】本発明の第1の実施例におけるクロックバッフ
ァ111の回路構成を示す図である。
【図3】本発明の第1の実施例における遅延単位、保持
回路などの回路構成を示す図である。
【図4】本発明の第2の実施例の回路構成を示す図であ
る。
【図5】従来技術の回路構成を示す図である。
【符号の説明】
101〜108、201〜208、301〜304 遅
延回路列 109 保持回路列 110 基本回路単位 111〜119 クロックバッファ 120〜128、220〜228、311〜314 ク
ロック 129 リセット信号 218、304〜306、310 計数器 201〜216、305〜308 切替器 217、309 位相比較器 219 制御信号切替器 229、315 UP信号 230、316 DOWN信号 231 制御信号
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 T.Shimizu,A Multi media 32b RISC Micr oprocessor with 16 Mb DRAM,ISSCC Dige st of Technical Pa pers,1996年2月,pp.216− 217,1996 IEEE Interna tional Solid−State Circuit Conferenc e (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03K 5/00

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一端から入力されたクロックを伝搬させる
    第1の遅延回路列であって、直列に接続されたN個の単
    位遅延素子を基本回路単位として含み、前記各単位遅延
    素子がそれぞれ出力端子を有する第1の遅延回路列と、 前記第1の遅延回路と信号伝搬方向について逆向きに配
    置され一つの単位遅延素子を基本回路単位として含む第
    2乃至第Nの遅延回路列と、 前記第1の遅延回路列の前記基本回路単位の前記各単位
    遅延素子に対応して設けられたN個の保持回路を有する
    保持回路列と、 を備え、 前記各保持回路は、データ入力端子を前記第1の遅延回
    路列の対応する前記各単位遅延素子の前記各出力端子に
    接続し、クロック入力端子には前記第1の遅延回路列の
    一端に入力されるクロックが入力されて前記データ入力
    端子の信号をラッチ出力し、その出力端子が前記第2の
    遅延回路列乃至第Nの遅延回路列の各遅延回路列の基本
    単位回路をなす単位遅延素子の入力端子にそれぞれ、予
    め決められた順序で接続されており、 前記第1の遅延回路列に入力されたクロックは、クロッ
    クバッファ回路により、そのパルス幅が前記第1の遅延
    回路列の前記基本回路単位の遅延時間よりも長く設定さ
    れて前記基本回路単位に入力され、 前記第2の遅延回路列の基本単位回路をなす単位遅延素
    子は、前記第1の遅延回路列の一端に入力されるクロッ
    クと、前記保持回路の出力を入力端子に入力とするゲー
    ト回路を有し、前記保持回路の出力がHレベルのとき、
    前記クロックのHパルスを受けて該パルスを取り込み前
    記第2の遅延回路列を伝搬させ、第2のクロックとして
    出力し、 前記第3の遅延回路列の基本単位回路をなす単位遅延素
    子は、前記第2のクロックと前記保持回路の出力を入力
    端子に入力とするゲート回路を有し、前記保持回路の出
    力がHレベルのとき、前記第2のクロックのHパルスを
    受けて該パルスを取り込み、前記第3の遅延回路列を伝
    搬させ、第3のクロックとして出力する構成とし、同様
    にして、前記第Nの遅延回路列の基本単位回路をなす単
    位遅延素子は、前記第N−1のクロックと前記保持回路
    の出力を入力端子に入力とするゲート回路を有し、前記
    保持回路の出力がHレベルのとき、前記第N−1のクロ
    ックのHパルスを受けて該パルスを取り込み前記第Nの
    遅延回路列を伝搬させ、第Nのクロックとして出力す
    る、ことを特徴とする半導体回路装置。
  2. 【請求項2】前記第1の遅延回路列の前記基本回路単位
    が第1乃至第8の前記単位遅延素子を有しており、前記
    前記第1の遅延回路と信号伝搬方向について逆向きに配
    置され一つの単位遅延素子を基本回路単位として含む第
    2乃至第8の遅延回路列を備え、 前記保持回路列は、第1乃至第8の前記保持回路を有
    し、 前記第2、第3、第4、第5、第6、第7、第8の遅延
    回路列の前記基本回路単位の単位遅延素子は、それぞ
    れ、前記第8、第4、第2、第6、第7、第3、第5の
    保持回路の出力を入力する、ことを特徴とする請求項1
    記載の半導体回路装置。
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