JP3222783U - 較正ジグ - Google Patents
較正ジグ Download PDFInfo
- Publication number
- JP3222783U JP3222783U JP2019002157U JP2019002157U JP3222783U JP 3222783 U JP3222783 U JP 3222783U JP 2019002157 U JP2019002157 U JP 2019002157U JP 2019002157 U JP2019002157 U JP 2019002157U JP 3222783 U JP3222783 U JP 3222783U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent plate
- calibration jig
- edge ring
- calibration
- sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 43
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 description 31
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 7
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012804 iterative process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32642—Focus rings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3288—Maintenance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32908—Utilities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/3299—Feedback systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【課題】プラズマ処理装置に用いられる高さ調整可能なエッジリングを位置決めするための較正ジグを提供する。【解決手段】基準面に対してエッジリング106を位置決めするための較正ジグ200であって、透明プレート205と、透明プレートの第1の面215に結合された複数の変位センサ210と、透明プレートの対向する第2の面225に結合された複数のコンタクトパッド220とを含む。【選択図】図2A
Description
(分野)
本開示の例は、概して、基板(例えば、半導体基板)を処理するための装置及び方法に関する。より具体的には、較正ジグ及びその使用方法が開示されている。
本開示の例は、概して、基板(例えば、半導体基板)を処理するための装置及び方法に関する。より具体的には、較正ジグ及びその使用方法が開示されている。
(関連技術の説明)
基板(例えば、半導体基板及びディスプレイパネル)の処理において、基板は処理チャンバ内の支持体上に配置される一方で、適切な処理条件を処理チャンバ内に維持して基板の表面上に堆積し、エッチングし、層を形成し、又はその他の方法で処理する。エッチングプロセス中、エッチングプロセスを駆動するプラズマが基板表面全体に均一に分配されないことがある。不均一性は、基板表面のエッジにおいて特に明白である。この不均一性は不十分な加工結果の一因となる。したがって、いくつかの処理チャンバでは、プロセスキットリングとも呼ばれるエッジリングが使用される。プラズマの均一性を向上させ、プロセスの歩留まりを改善するために、これらのエッジリングを利用してプラズマシースを基板表面のエッジ上に広げることができる。
基板(例えば、半導体基板及びディスプレイパネル)の処理において、基板は処理チャンバ内の支持体上に配置される一方で、適切な処理条件を処理チャンバ内に維持して基板の表面上に堆積し、エッチングし、層を形成し、又はその他の方法で処理する。エッチングプロセス中、エッチングプロセスを駆動するプラズマが基板表面全体に均一に分配されないことがある。不均一性は、基板表面のエッジにおいて特に明白である。この不均一性は不十分な加工結果の一因となる。したがって、いくつかの処理チャンバでは、プロセスキットリングとも呼ばれるエッジリングが使用される。プラズマの均一性を向上させ、プロセスの歩留まりを改善するために、これらのエッジリングを利用してプラズマシースを基板表面のエッジ上に広げることができる。
これらのエッジリングは、良好な結果を提供するために、通常、チャンバ内の特定の基準面と同一平面上にあるか、又はそれと平行である。しかしながら、処理中に、エッジリングは時間とともに侵食される。侵食を考慮するために、いくつかのエッジリングは処理チャンバ内の基準面に対して移動可能である。最終的には、エッジリングは交換が必要とされる点まで侵食される。しかしながら、エッジリングの厳しい公差が固着を引き起こし、その結果、設置中にエッジリングは基準面に対して誤って位置決めされる可能性がある。設置中にこの位置ずれを修正するために、エッジリングは基準面に対して再位置決めされるが、通常、これには時間がかかる。
したがって、当技術分野でエッジリング交換中のダウンタイムを短縮する方法及び装置が必要とされている。
高さ調整可能なエッジリングを較正するための装置及び方法が本明細書に記載されている。一例では、基準面に対してエッジリングを位置決めするための較正ジグが提供され、当該較正ジグは、透明プレートと、前記透明プレートの第1の面に結合された複数のセンサと、前記透明プレートの対向する第2の面に結合された複数のコンタクトパッドとを含む。
別の例では、基準面に対してエッジリングを位置決めするための較正ジグが提供され、当該較正ジグは、貫通して形成された複数の開口部を含む透明プレートと、透明プレートの第1の面に結合された複数のセンサと、透明プレートの対向する第2の面に結合された複数のコンタクトパッドとを含む。
別の例では、基準面に対してエッジリングを水平化するための方法が提供され、当該方法は、基準面に対して較正ジグを位置決めすることと、3つの軸においてエッジリングに結合された複数の駆動モータを使用して基準面に対してエッジリングを移動させることと、較正ジグに結合されたセンサを用いてエッジリングの移動を感知することとを含み、ここで各センサはそれぞれの駆動モータの位置に対応しており、更に全ての軸の間のオフセットを計算することと、システムコントローラ内に較正値を記憶することとを含む。
本開示の上述した構成を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約した本開示のより具体的な説明を本開示の態様を参照することによって行い、そのいくつかは添付の図面に示されている。しかしながら、添付図面は本開示の典型的な態様を示しているに過ぎず、したがってその範囲を制限していると解釈されるべきではなく、本開示は他の等しく有効な態様を含み得ることに留意すべきである。
本開示の一例による処理チャンバの概略側断面図である。
高さ調整可能なエッジリングを水平化するための較正ジグの概略側面図である。
内部に較正ジグを有する図1の処理チャンバの一部を示す図2Aの線2B−2Bに沿った上面図である。
本明細書に記載されるような較正ジグを利用する方法の実施形態を概説するフローチャートである。
理解を容易にするために、図面に共通する同一の要素を示す際には、可能な限り同一の参照番号を使用している。更に、一例の要素は、本明細書に記載の他の例での利用に対して有益に適合させることができる。
高さ調整可能なエッジリングを較正するための装置及び方法が本明細書に記載されている。一例では、基準面に対してエッジリングを位置決めするための較正ジグが提供され、当該較正ジグは透明プレートと、透明プレートの第1の面に結合された複数のセンサと、透明プレートの対向する第2の面に結合された複数のコンタクトパッドとを含む。本明細書に開示されているような較正ジグにより、処理チャンバ内にエッジリングを設置するときのダウンタイムが大幅に短縮される。
図1は、本開示の一例による、処理チャンバ100の概略断面図である。処理チャンバ100は、内部容積を一緒に画定するチャンバ本体101とその上に配置された蓋102とを含む。チャンバ本体101は、通常、電気的アース103に結合される。基板支持アセンブリ104は、内部容積内に配置され、処理中、基板105をその上に支持する。高さ調整可能なエッジリング106は、基板支持アセンブリ104上の基板105の周囲に配置される。処理チャンバ100はまた、処理チャンバ100内に反応種のプラズマを発生させるための誘導結合プラズマ装置107と、処理チャンバ100のシステム及びサブシステムを制御するように適合されたシステムコントローラ108とを含む。
基板支持アセンブリ104は、処理中に基板105にバイアスをかけることを容易にするために、整合ネットワーク112を介してバイアス源110に結合された1つ以上の電極109を含む。バイアス源110は、例示的には、例えば、周波数約13.56MHzで最大約1000W(ただし、約1000Wに限定されない)のRFエネルギー源とすることができるが、特定の用途に望ましいように他の周波数及び電力を提供してもよい。バイアス源110は、連続電力もしくはパルス電力のいずれか一方又は両方を生成することができる。いくつかの例では、バイアス源110はDC源又はパルスDC源とすることができる。いくつかの例では、バイアス源110は複数の周波数を供給することができる。処理中に基板105のチャッキングを容易にするために、1つ以上の電極109をチャッキング電源114に結合することができる。
誘導結合プラズマ装置107は、蓋102の上方に配置され、RF電力を処理チャンバ100内に誘導的に結合して処理チャンバ100内にプラズマ116を生成するように構成される。誘導結合プラズマ装置107は、蓋102の上方に配置された第1及び第2のコイル118、120を含む。各コイル118、120の相対位置、直径比、及び/又は各コイル118、120の巻数は、それぞれ、形成されるプラズマ116のプロファイル又は密度を制御するために、所望通り調整することができる。第1及び第2のコイル118、120のそれぞれは、RF給電構造124を介した整合ネットワーク122を通ってRF電源121に結合される。RF電源121は、例示的に、50kHz〜13.56MHzの範囲の調整可能周波数で最大約4000W(ただし、約4000Wに限定されない)まで生成可能とすることができるが、特定の用途に望ましい他の周波数及び電力を利用してもよい。
いくつかの例では、RF給電構造124とRF電源121との間に電力分配器126(例えば、分圧コンデンサ)を設けて、第1及び第2のそれぞれのコイルに供給されるRF電力の相対量を制御してもよい。いくつかの例では、電力分配器126を整合ネットワーク122に組み込んでもよい。
ヒータ要素128を蓋102の上に配置して、処理チャンバ100の内部の加熱を促進することができる。ヒータ要素128は、蓋102と第1及び第2のコイル118、120との間に配置することができる。いくつかの例では、ヒータ要素128は抵抗発熱体を含むことができ、ヒータ要素128の温度を所望の範囲内に制御するために十分なエネルギーを供給するように構成された電源130(例えば、AC電源)に結合することができる。
オペレーション中、基板105(例えば、半導体ウエハ又はプラズマ処理に適した他の基板)は基板支持アセンブリ104上に載置される。基板リフトピン146は、基板支持アセンブリ104内に移動可能に配置されており、基板105の基板支持アセンブリ104上への移送を支援する。基板105の配置後、処理ガスが、ガスパネル132から入口ポート134を通ってチャンバ本体101の内部空間に供給される。処理ガスは、RF電源121から第1及び第2のコイル118、120に電力を印加することによって、処理チャンバ100内で点火されプラズマ116になる。いくつかの例では、バイアス源110(例えば、RF源又はDC源)からの電力も、整合ネットワーク112を介して基板支持アセンブリ104内の電極109に供給することができる。処理チャンバ100の内部の圧力は、バルブ136及び真空ポンプ138を使用して制御することができる。チャンバ本体101の温度は、チャンバ本体101を貫通する流体含有コンジット(図示せず)を使用して制御することができる。
処理チャンバ100は、処理中に処理チャンバ100のオペレーションを制御するためのシステムコントローラ108を含む。システムコントローラ108は、中央処理装置(CPU)140と、メモリ142と、CPU140用サポート回路144とを含み、処理チャンバ100の構成要素の制御を容易にする。システムコントローラ108は、様々なチャンバ及びサブプロセッサを制御するための産業環境で使用することができる汎用コンピュータプロセッサの任意形態のうちの1つとすることができる。メモリ142は、本明細書に記載の方法で処理チャンバ100のオペレーションを制御するために実行される又は呼び出されることが可能なソフトウェア(ソースコード又はオブジェクトコード)を記憶する。
基板支持アセンブリ104は、基板105に対して移動可能な高さ調整可能なエッジリング106を含む。この移動を容易にするために、基板支持アセンブリ104は、それぞれの駆動モータ160に結合された少なくとも3つのリングリフトピン155を備えたリフトアセンブリ150を含む(図1の図には2つのみ示されている)。各駆動モータ160は、各リングリフトピン155を独立して昇降させるために、1つのリングリフトピン155専用である。リングリフトピン155の昇降により、高さ調整可能なエッジリング106は基板支持アセンブリ104のチャッキング面165に対して垂直方向に移動し、同様に、高さ調整可能なエッジリング106は基板105に対して垂直方向に移動する。処理中に高さ調整可能なエッジリング106を動かすことにより、プラズマ116が調整され、処理結果(例えば、エッチングの均一性及び/又は成膜の均一性)を向上させる可能性がある。高さ調整可能なエッジリング106の移動は、リングリフトピン155のそれぞれに隣接して配置されたセンサ172を使用して測定することができる。各センサ172は、エンコーダ、変位センサ、又は他の種類のモーションセンサとすることができる。各駆動モータ160は、ステッピングモータ、サーボモータ、圧電モータ、又はリングリフトピン155を昇降させることができる他の種類のアクチュエータとすることができる。
しかしながら、処理中、高さ調整可能なエッジリング106の主面170の平面は、基板105の主面の平面及び/又は基板支持アセンブリ104のチャッキング面165の平面と平行又は実質的に平行であるべきである。高さ調整可能なエッジリング106の主面170の平面は、エッジリング106の中心軸に対して垂直である。いくつかの処理では、高さ調整可能なエッジリング106は、基板105の主面と実質的に同一平面上にあり得る。高さ調整可能なエッジリング106の主面170が基板支持アセンブリ104のチャッキング面165と実質的に平行でない場合、プラズマ116は均一でない可能性がある。「実質的に平行」という表現は、基準面(基板支持アセンブリ104のチャッキング面165の平面でもよい)から0.03度未満、例えば約0.02度未満を意味する。更に、高さ調整可能なエッジリング106の任意の移動中に、駆動モータ160のうちのいずれか1つが他の駆動モータ160のうちの1つに対して大幅に較正不足である場合、高さ調整可能なエッジリング106は固着する。
高さ調整可能なエッジリング106を設置するとき、高さ調整可能なエッジリング106を水平にする(例えば、高さ調整可能なエッジリング106を基準面に対して平行又は実質的に平行になるように位置決めする)ことが重要である。従来、水平化手順は、数時間から最長約1日までかかる可能性があり、時間がかかりかつ費用がかかる。しかしながら、本明細書に記載されるような較正ジグを使用すると、水平化手順は5分未満で完了することができる。
図2Aは、高さ調整可能なエッジリング106を水平にするための較正ジグ200の概略側面図である。図2Bは、較正ジグ200を有する図1の処理チャンバ100の一部を示す図2Aの線2B―2Bに沿った上面図である。
較正ジグ200は、透明プレート205の第1の面215上に取り付けられた少なくとも3つのセンサ210を有する透明プレート205を含む。各センサ210は、光学式又は非接触型変位センサ(例えば、容量型トランスデューサ又は容量型変位センサ)、レーザ変位型トランスデューサ、誘導型位置センサ、又は線形変位を測定する他の任意のタイプの非接触型センサとすることができる。代替的に、各センサ210は、接触型変位センサ(例えば、線形可変差動変圧器又は他の適切な測定装置)とすることができる。
取付けパッド220は、透明プレート205の対向する第2の面225上に配置される。透明プレート205は、ガラス、透明プラスチック(例えば、アクリルシート)、石英、又は他の光学的に透明な材料で作ることができ、センサ210は、それを通して、高さ調整可能なエッジリング106の主面170を見ることができる。取付けパッド220は、基板支持アセンブリ104のチャッキング面165の特定の位置に接触するように構成され、透明プレート205を基板支持アセンブリ104のチャッキング面165の上方で特定の距離又は高さだけ離間させるために利用される。1つ以上のハンドル230が、透明プレート205の第1の面215に結合されて、較正ジグ200の取扱いを支援する。リフトピン開口部240もまた図2Aの基板支持アセンブリ104内に示されており、各リフトピン開口部240は図1に示されている基板リフトピン146のうちの1つを受け入れる大きさに作られている。
アラインメントインジケータ245は、透明プレート205上に含まれ、チャンバ本体101内での較正ジグ200の適切な位置合わせを支援する。アラインメントインジケータ245は、テキスト、数字、矢印、他のしるし、又はそれらの組合せとすることができる。アラインメントインジケータ245は、較正ジグ200を設置する際に、チャンバ本体101の構成(例えば、チャンバ本体101のスリットバルブ開口部250)に対する較正ジグ200の適切な位置決めを要員に知らせるために利用される。較正ジグ200の適切な位置決めもまた、基板支持アセンブリ104のチャッキング面165の直径260に等しい直径を有するスクライブライン255によって支援される。基板支持アセンブリ104のチャッキング面165の直径260は、透明プレート205の直径265より小さい。更に、較正ジグ200の適切な位置決めはまた、透明プレート205を貫通して形成された開口部270によって支援される。透明プレート205の開口部270は、基板支持アセンブリ104に形成されたリフトピン開口部240と一列に整列するように構成される。
チャンバ本体101に対する較正ジグ200の適切な位置決めは、いくつかの機能を果たす。1つの機能としては、特定の駆動モータ160に対して各センサ210を配置することがある。例えば、センサ210を起動して較正ジグ200が動作しているとき、センサ210のうちの1つからのフィードバックを利用して、当該センサ210に最も近いそれぞれの駆動モータ160の動作に応じてエッジリング106の動きを確認する。このようにして、センサ210は、センサ172が提供する情報の正確さに関するフィードバックを提供するので、一旦、ジグ200が除去されると、モータ160によりエッジリング106を正確に位置決めすることが可能になる。また、較正ジグ200の適切な位置決めにより、基板支持アセンブリ104のチャッキング面165上に形成されるあらゆる構造物が取付けパッド220によって回避されるように、取付けパッド220が基板支持アセンブリ104のチャッキング面165上に確実に位置決めされる。更に、透明プレート205の開口部270は、リフトピン開口部240に対して位置決めされる。このように開口部270を位置決めすることにより、高さ調整可能なエッジリング106の較正中に基板リフトピン146が誤って作動した場合、基板リフトピン146は開口部270を貫通して延伸することが可能になる。
再度、図2Aを参照すると、較正ジグ200は、システムコントローラ108のモーションコントローラ275に直接配線されている。モーションコントローラ275は、DC電源の可能性もある電源280に結合され、各駆動モータ160に電気信号を供給する。フィルタ285(例えば、高周波フィルタ)は、電源280とモーションコントローラ275との間に設けられる。いくつかの実施形態では、複数のセンサ210及び複数の駆動モータ160のいずれか一方又は両方の出力は、システムコントローラ108に結合されたモニタ290の表示画面上に提供される。(図1に示されている)センサ172もまた、モーションコントローラ275と通信する。駆動モータ160を作動させたとき、センサ172を利用して駆動モータ160の動作を監視及び/又は定量化する。例えば、駆動モータ160を作動させたとき、センサ172を利用して駆動モータ160のステップ数に関するフィードバックをモーションコントローラ275に提供する。
較正プロセス中、センサ210は基準面に対する高さ調整可能なエッジリング106の主面170の位置を光学的に決定するが、当該基準面は、この例では、基板支持アセンブリ104のチャッキング面165の平面である。チャッキング面165に対する高さ調整可能なエッジリング106の主面170の平行度は、センサ210によって決定される。センサ210は、チャッキング面165に対する高さ調整可能なエッジリング106の位置(垂直及び平行の両方)を決定するだけでなく、モーションコントローラ275にフィードバックを提供するために利用される較正ソフトウェアルーチンと通信する。次いで、モーションコントローラ275は、駆動モータ160に信号を送り、1つ以上のリングリフトピン155を移動させて位置の差を調整し、エッジリング106はチャッキング面165に対して平行な方向に移動する。例えば、センサ210は、基準面に対して高さ調整可能なエッジリング106の主面170の平面性を決定し、センサ210はその正確な位置と共にモニタ290に出力を提供する。全ての位置の差を一度に計算し得るので、較正プロセスは高速である。高さ調整可能なエッジリング106が基板支持アセンブリ104のチャッキング面165と平行でない、又は実質的に平行でない場合、センサ210は測定基準をモーションコントローラ275に提供し、1つ以上の駆動モータ160を作動させ、それぞれのリングリフトピン155を上下に動かし、チャッキング面165に対するエッジリング106の傾きを調整する。センサ210の出力は、高さ調整可能なエッジリング106と基板支持アセンブリ104のチャッキング面165との間の平行度を得るために、1つ以上の駆動モータ160が必要とする線形変位量を表す電気信号であってもよい。センサ210からの電気信号は、モーションコントローラ275内のソフトウェアによって長さの単位(例えば、ミクロン)に変換され、1つ以上の駆動モータ160への変位値の提供を支援する。電気信号は約4ミリアンペア(mA)〜約20mAであってもよく、これはミクロンに変換され、当該ミクロンは駆動モータ160のステップ数に対応するように計算され得る。
高さ調整可能なエッジリング106を較正する方法を以下に記載する。本方法は、閉ループフィードバックを伴うソフトウェアルーチンを含み、センサ210が駆動モータ160に対して正しい場所に位置決めされていることを検証すること、全てのオフセットを同時に(すなわち、反復プロセスによってではなく)計算することによって高速較正ルーチン(通常5分未満)を可能にすること、自動的に記憶される較正値を決定することを含むこと、高さ調整可能なエッジリングのあらゆる厚さ(例えば、リングが新品であるか侵食されているか)の状態で機能すること、のうちの1つ以上を可能にする。本方法はまた、較正ジグ200を使用して、例えば、駆動モータ160がリングリフトピン155を動かして高さ調整可能なエッジリング106を所望の方向に動かすように、駆動モータ160が正しい位置に設置されているか、及び/又は正しい極性で接続されているかを判断することを含む。
図3は、本明細書に記載されるような較正ジグ200を利用する方法の実施形態を概説するフローチャート300である。方法300は302から開始され、ここでチャンバ本体101が開かれ、較正ジグ200を図2A及び図2Bに記載のように設置することができる。方法300は、新品の高さ調整可能なエッジリング106を較正するだけでなく、使用済みの(すなわち、侵食された)高さ調整可能なエッジリング106を再較正するために利用できることが理解される。
方法300は、340で終了する前に、移動モード305、較正モード320、及び検証モード335を有する簡略化法304に分解できる。移動モード305は、駆動モータ160の動作及び/又は駆動モータ160によるリングリフトピン155の移動を定量化することを含む。較正モード320は、高さ調整可能なエッジリング106を基板支持アセンブリ104のチャッキング面165と同じ高さにすることを含む。検証モード335は、較正モード320で実行された較正が正しいことを検証することを含む。簡略化法304は、方法300の残りの部分と一緒により詳細に説明される。
移動モード305は、オペレーション307で、較正ジグ200がシステムコントローラ108に適切に接続されていることの検証を含む。較正ジグ200がシステムコントローラ108に適切に接続されていない場合、ソフトウェア内にエラーを設定することができる。例えば、1つ以上のセンサ210が4mA未満の出力を示す場合、較正ジグ200はシステムコントローラ108にプラグインされていないと判断することができる。例えば、センサ210のうちの1つが接続時に4mAを超える低電流信号を送信することができ、システムコントローラ108が当該信号を読み取り、センサとシステムコントローラ108との間が適切に接続されていることを示すことができる。
移動モード305はまた、オペレーション309で、高さ調整可能なエッジリング106を既知のオフセットを用いてホーミング又はホーム位置に設定することを含む。駆動モータ160の制御は測定距離なので、システムコントローラ108は、駆動モータ160を制御することによってリングリフトピン155の移動を正確に制御することができる。最初に、駆動モータ160による各リングリフトピン155の移動は、移動モード305内の他のオペレーションにおける駆動モータ160によるリングリフトピン155の移動を使用して、この開始位置から計算される。ホーム位置は、高さ調整可能なエッジリング106の推定処理位置、例えば、基板支持アセンブリ104のチャッキング面165に対する高さ調整可能なエッジリング106の位置であってもよい。
移動モード305はまた、オペレーション311で、高さ調整可能なエッジリング106の移動が、例えば、約60ミクロンより大きい閾値を超えることを、すなわちセンサのノイズレベル以上の検出可能値を超えることを全センサ210が示すまで、全ての駆動モータ160を作動させてリングリフトピン155をゆっくり上方に移動させることを含む。移動モード305はまた、オペレーション313で、全ての軸の間の任意のオフセットを計算すること、及びオフセットを正規化することを含む。用語「オフセット」は、各リングリフトピン155がエッジリング106に接触するより前に駆動モータ160によって動かされる量(又は距離)として定義される。
移動モード305は、全てのオフセットを適用すること、及び全駆動モータ160を作動させて全てのリングリフトピン155を下方に移動させることによって、オペレーション315で終了する。下方への移動は、各リングリフトピン155の下降限界位置(すなわち、リングリフトピン155がもはや下方に移動することができない位置)での急停止で終了する。したがって、オペレーション309で上記した「ホーム」位置から下降限界位置に全てのリングリフトピン155を移動させた後で、「開始」位置を知ることができる。これにより、全てのリングリフトピン155が高さ調整可能なエッジリング106の底面より下方にあることが保証される。
簡略化法304は較正モード320に続く。較正モード320は、オペレーション322で、全てのセンサ210が閾値(すなわち、約60ミクロン)を超える移動を示すまで、全ての駆動モータ160をゆっくり上方に動かすことを含む。
オペレーション324で、較正モード320は、オペレーション313における計算が正しく行われたことを保証するために、位置がオペレーション315での開始値より近いことを確認することを含む。駆動モータ160によるリングリフトピン155の移動はノイズ閾値レベルを超えて検出され、ステッピングモータ(例えば、駆動モータ160)に関する既知のカウントを高さ調整可能なエッジリング106の移動と相互に関連付けることができる。
較正モード320は、オペレーション326で、各リングリフトピン155が移動した距離の差に基づいた新しいオフセット(すなわち、完全に後退及びオフセットあり、又はリングリフトピン155が丁度リングに接触している位置)を用いて、全ての駆動モータ160を新しいゼロ位置にリホーミング又はホーム位置に再設定することを含む。例えば、3つの測定値(オフセット)を有する3つのセンサ、例えば、第1の測定値V1を有する第1のセンサ、第2の測定値V2を有する第2のセンサ、及び第3の測定値V3を有する第3のセンサに関して、第1の測定値は第2の測定値より大きく、第2の測定値は第3の測定値より大きい場合(V1> V2> V3)、新しいオフセットを計算することができる。第1のセンサに対する新しいオフセットVN1は、高い値V1から中間の値V2を減算することによって計算することができる(V1―V2)。第2のセンサに対する新しいオフセットVN2は、前の値V2に等しい。最後に、第3のセンサに対する新しいオフセットVN3は、低い値V3に中間の値V2を加算することによって計算することができる(V3+V2)。このようにして、モータの動きとピンの変位を調整するための全てのオフセットを用いると、高さ調整可能なエッジリング106はチャッキング面165と位置を合わせることができ、すなわち実質的に平行になることができる。したがって、オペレーション326で、高さ調整可能なエッジリング106とチャッキング面165の平面との間の平行度が得られる。
較正モード320は、オペレーション328で、全ての駆動モータ160を作動させ、複数のセンサ210のうちの単一又は第1のセンサ210が、いずれのセンサ210に対するノイズ閾値レベルを超える移動を示すまで、リングリフトピン155をゆっくり上方に移動させることを含む。オペレーション328は、リングリフトピン155が高さ調整可能なエッジリング106と接触することを保証するために実施される。
較正モード320は、オフセット全体が計算されるオペレーション330で終了する。いくつかの実施形態では、オペレーション330で、高さ調整可能なエッジリング106の主面170の平面は、基板支持アセンブリ104のチャッキング面165の平面と平行又は実質的に平行であるべきである。オフセット全体は、基板のプラズマ処理に適したチャッキング面165の上方の高さ調整可能なエッジリング106の主面170の平面の最初の位置であり、駆動モータ160のいずれかを作動させると、それぞれのリングリフトピン155が移動し、高さ調整可能なエッジリング106が動く。平行度はオペレーション326で得られているが、オペレーション330により、高さ調整可能なエッジリング106が丁度上方に動き始めた後に、オフセットがゼロとなる点の発見が容易になる。
簡略化法304は検証モード335に続く。検証モード335は、オペレーション337で、複数の駆動モータ160のうちの各駆動モータ160を一度に1つずつ作動させ、各特定の駆動モータ160がそれぞれのリングリフトピン155を動かす唯一のものであることを検証することを含む。それぞれのリングリフトピン155が動いていない場合には、エラーが割り当てられる。移動は、センサ210が測定値の変化を記録することによって決定される。全ての駆動モータ160に対してオペレーション337が繰り返される。例えば、各駆動モータ160は、それぞれのセンサ210によって検証されるそれぞれのリングリフトピン155を100ミクロン動かすように制御することができる。
検証モード335は、オペレーション339で、ソフトウェア内に較正情報を設定すること、及びシステムコントローラ108内に値を記憶することを含む。較正情報は、高さ調整可能なエッジリング106及び/又は処理チャンバ100への損傷を防ぐために、ステッピングモータに対して厳しい制限を加える。
本開示の例は、高さ調整可能なエッジリング106を較正し水平化することによって処理チャンバのダウンタイムを大幅に短縮する。例えば、高さ調整可能なエッジリング106の水平化は、数時間から丸一日かかる従来の水平化プロセスと比較して、5分以内で実行することができる。
上記は本開示の例を対象としているが、本開示の他の及び更なる例は本開示の基本的な範囲を逸脱することなく創作することができ、その範囲はこの後の実用新案登録請求の範囲によって決定される。
Claims (15)
- 基準面に対してエッジリングを位置決めするための較正ジグであって、
透明プレートと、
前記透明プレートの第1の面に結合された複数のセンサと、
前記透明プレートの対向する第2の面に結合された複数のコンタクトパッドとを備える、較正ジグ。 - 前記透明プレートは貫通して形成された複数の開口部を含み、前記透明プレートに形成された前記複数の開口部のそれぞれは前記基準面に形成されたそれぞれの開口部と一列に整列する、請求項1に記載の較正ジグ。
- 前記透明プレートは、アラインメントインジケータを更に含む、請求項1に記載の較正ジグ。
- 前記アラインメントインジケータは、チャンバ本体内での較正時具の適切な位置合わせを支援する、請求項3に記載の較正ジグ。
- 前記透明プレートはスクライブラインを含む、請求項1に記載の較正ジグ。
- 前記複数のセンサのそれぞれは、前記スクライブラインの半径方向外側に配置される、請求項5に記載の較正ジグ。
- 前記透明プレートは、前記スクライブラインの直径よりも大きい直径を含む、請求項5に記載の較正ジグ。
- 前記透明プレートはハンドルを含む、請求項1に記載の較正ジグ。
- 前記透明プレートは、アラインメントインジケータとスクライブラインとのうちの一方又はそれらの組合せを備えるアラインメントフィーチャを含む、請求項1に記載の較正ジグ。
- 基準面に対してエッジリングを位置決めするための較正ジグであって、
貫通して形成された複数の開口部を含む透明プレートと、
前記透明プレートの第1の面に結合された複数のセンサと、
前記透明プレートの対向する第2の面に結合された複数のコンタクトパッドとを備え、前記透明プレートは貫通して形成された複数の開口部を含み、前記透明プレートに形成された前記複数の開口部のそれぞれは前記基準面に形成されたそれぞれの開口部と一列に整列する、較正ジグ。 - 前記透明プレートはアラインメントインジケータを備えるアラインメントフィーチャを含む、請求項10に記載の較正ジグ。
- 前記透明プレートはスクライブラインを備えるアラインメントフィーチャを含む、請求項10に記載の較正ジグ。
- 前記複数のセンサのそれぞれは前記スクライブラインの半径方向外側に配置される、請求項12に記載の較正ジグ。
- 前記透明プレートは前記スクライブラインの直径よりも大きい直径を含む、請求項12に記載の較正ジグ。
- 前記透明プレートは一対のハンドルを含む、請求項10に記載の較正ジグ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201862685004P | 2018-06-14 | 2018-06-14 | |
US62/685,004 | 2018-06-14 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP3222783U true JP3222783U (ja) | 2019-08-22 |
Family
ID=67668020
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019002157U Active JP3222783U (ja) | 2018-06-14 | 2019-06-14 | 較正ジグ |
JP2019111014A Active JP6820972B2 (ja) | 2018-06-14 | 2019-06-14 | 較正ジグ |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019111014A Active JP6820972B2 (ja) | 2018-06-14 | 2019-06-14 | 較正ジグ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11935773B2 (ja) |
JP (2) | JP3222783U (ja) |
KR (1) | KR102267396B1 (ja) |
CN (1) | CN209747490U (ja) |
TW (2) | TWI738004B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022104624A (ja) * | 2020-12-28 | 2022-07-08 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116110846A (zh) | 2016-01-26 | 2023-05-12 | 应用材料公司 | 晶片边缘环升降解决方案 |
KR102689380B1 (ko) | 2016-01-26 | 2024-07-26 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 웨이퍼 에지 링 리프팅 솔루션 |
US10600623B2 (en) | 2018-05-28 | 2020-03-24 | Applied Materials, Inc. | Process kit with adjustable tuning ring for edge uniformity control |
US11935773B2 (en) * | 2018-06-14 | 2024-03-19 | Applied Materials, Inc. | Calibration jig and calibration method |
US11289310B2 (en) | 2018-11-21 | 2022-03-29 | Applied Materials, Inc. | Circuits for edge ring control in shaped DC pulsed plasma process device |
US11393663B2 (en) * | 2019-02-25 | 2022-07-19 | Tokyo Electron Limited | Methods and systems for focus ring thickness determinations and feedback control |
US12009236B2 (en) | 2019-04-22 | 2024-06-11 | Applied Materials, Inc. | Sensors and system for in-situ edge ring erosion monitor |
US11057972B1 (en) * | 2020-04-01 | 2021-07-06 | Infineon Technologies Ag | Controlling LED intensity based on a detected photocurrent value |
Family Cites Families (139)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5267607A (en) | 1991-05-28 | 1993-12-07 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
JP2638443B2 (ja) | 1993-08-31 | 1997-08-06 | 日本電気株式会社 | ドライエッチング方法およびドライエッチング装置 |
US5730801A (en) | 1994-08-23 | 1998-03-24 | Applied Materials, Inc. | Compartnetalized substrate processing chamber |
US5762714A (en) | 1994-10-18 | 1998-06-09 | Applied Materials, Inc. | Plasma guard for chamber equipped with electrostatic chuck |
JP3020898U (ja) * | 1995-07-24 | 1996-02-06 | 株式会社テレニクス | 光学アライメント装置 |
JP2713276B2 (ja) | 1995-12-07 | 1998-02-16 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造装置およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
US5885428A (en) | 1996-12-04 | 1999-03-23 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for both mechanically and electrostatically clamping a wafer to a pedestal within a semiconductor wafer processing system |
US5851140A (en) | 1997-02-13 | 1998-12-22 | Integrated Process Equipment Corp. | Semiconductor wafer polishing apparatus with a flexible carrier plate |
US5942078A (en) * | 1997-07-17 | 1999-08-24 | Mcms, Inc. | Apparatus for calibrating surface mounting processes in printed circuit board assembly manufacturing |
JP3020898B2 (ja) | 1997-07-22 | 2000-03-15 | 株式会社エイ・ティ・アール人間情報通信研究所 | アフィンカメラ補正による三次元位置の線形推定方法 |
JPH1197656A (ja) * | 1997-09-22 | 1999-04-09 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体光センサデバイス |
ATE290252T1 (de) | 1997-12-23 | 2005-03-15 | Unaxis Balzers Ag | Haltevorrichtung |
US6773562B1 (en) | 1998-02-20 | 2004-08-10 | Applied Materials, Inc. | Shadow frame for substrate processing |
JP2000049144A (ja) | 1998-07-28 | 2000-02-18 | Hitachi Chem Co Ltd | プラズマ処理装置用電極板 |
JP3234576B2 (ja) | 1998-10-30 | 2001-12-04 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体製造装置におけるウェハ支持装置 |
US6022809A (en) | 1998-12-03 | 2000-02-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Composite shadow ring for an etch chamber and method of using |
US6709547B1 (en) | 1999-06-30 | 2004-03-23 | Lam Research Corporation | Moveable barrier for multiple etch processes |
US6206976B1 (en) | 1999-08-27 | 2001-03-27 | Lucent Technologies Inc. | Deposition apparatus and related method with controllable edge exclusion |
US6375748B1 (en) | 1999-09-01 | 2002-04-23 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for preventing edge deposition |
US6589352B1 (en) | 1999-12-10 | 2003-07-08 | Applied Materials, Inc. | Self aligning non contact shadow ring process kit |
JP2001230239A (ja) | 2000-02-15 | 2001-08-24 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
TW506234B (en) | 2000-09-18 | 2002-10-11 | Tokyo Electron Ltd | Tunable focus ring for plasma processing |
US6391787B1 (en) | 2000-10-13 | 2002-05-21 | Lam Research Corporation | Stepped upper electrode for plasma processing uniformity |
JP3388228B2 (ja) | 2000-12-07 | 2003-03-17 | 株式会社半導体先端テクノロジーズ | プラズマエッチング装置、及びプラズマエッチング方法 |
US7138014B2 (en) | 2002-01-28 | 2006-11-21 | Applied Materials, Inc. | Electroless deposition apparatus |
US6744212B2 (en) | 2002-02-14 | 2004-06-01 | Lam Research Corporation | Plasma processing apparatus and method for confining an RF plasma under very high gas flow and RF power density conditions |
US6776849B2 (en) | 2002-03-15 | 2004-08-17 | Asm America, Inc. | Wafer holder with peripheral lift ring |
US6896765B2 (en) | 2002-09-18 | 2005-05-24 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for the compensation of edge ring wear in a plasma processing chamber |
US7252738B2 (en) | 2002-09-20 | 2007-08-07 | Lam Research Corporation | Apparatus for reducing polymer deposition on a substrate and substrate support |
US7311784B2 (en) | 2002-11-26 | 2007-12-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing device |
US6898558B2 (en) | 2002-12-31 | 2005-05-24 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for monitoring a material processing system |
US20040261946A1 (en) | 2003-04-24 | 2004-12-30 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, focus ring, and susceptor |
TWI488236B (zh) | 2003-09-05 | 2015-06-11 | Tokyo Electron Ltd | Focusing ring and plasma processing device |
KR100578129B1 (ko) | 2003-09-19 | 2006-05-10 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 식각 장치 |
US7244336B2 (en) | 2003-12-17 | 2007-07-17 | Lam Research Corporation | Temperature controlled hot edge ring assembly for reducing plasma reactor etch rate drift |
US7338578B2 (en) | 2004-01-20 | 2008-03-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Step edge insert ring for etch chamber |
US20050189068A1 (en) | 2004-02-27 | 2005-09-01 | Kawasaki Microelectronics, Inc. | Plasma processing apparatus and method of plasma processing |
US20050263070A1 (en) | 2004-05-25 | 2005-12-01 | Tokyo Electron Limited | Pressure control and plasma confinement in a plasma processing chamber |
US7075323B2 (en) * | 2004-07-29 | 2006-07-11 | Applied Materials, Inc. | Large substrate test system |
US7138067B2 (en) | 2004-09-27 | 2006-11-21 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for tuning a set of plasma processing steps |
JP4006004B2 (ja) | 2004-12-28 | 2007-11-14 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
KR20060117537A (ko) | 2005-05-11 | 2006-11-17 | 삼성전자주식회사 | 리프트 핀 높이 정렬용 지그 및 이를 이용한 리프트 핀높이 정렬 방법 |
KR101153118B1 (ko) | 2005-10-12 | 2012-06-07 | 파나소닉 주식회사 | 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법 |
US7846257B2 (en) | 2005-12-14 | 2010-12-07 | Tokyo Electron Limited | Method for cleaning substrate processing apparatus, substrate processing apparatus, program and recording medium having program recorded therein |
CN101322237B (zh) | 2006-01-31 | 2010-06-23 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置及其使用的基板载置台和暴露于等离子体的部件 |
US7572737B1 (en) | 2006-06-30 | 2009-08-11 | Lam Research Corporation | Apparatus and methods for adjusting an edge ring potential substrate processing |
US20080066868A1 (en) | 2006-09-19 | 2008-03-20 | Tokyo Electron Limited | Focus ring and plasma processing apparatus |
JP2008078208A (ja) | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Tokyo Electron Ltd | フォーカスリング及びプラズマ処理装置 |
US7589950B2 (en) | 2006-10-13 | 2009-09-15 | Applied Materials, Inc. | Detachable electrostatic chuck having sealing assembly |
KR20090106617A (ko) | 2007-01-19 | 2009-10-09 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라스마 함침 챔버 |
US8398778B2 (en) * | 2007-01-26 | 2013-03-19 | Lam Research Corporation | Control of bevel etch film profile using plasma exclusion zone rings larger than the wafer diameter |
US7968469B2 (en) | 2007-01-30 | 2011-06-28 | Applied Materials, Inc. | Method of processing a workpiece in a plasma reactor with variable height ground return path to control plasma ion density uniformity |
JP5317424B2 (ja) | 2007-03-28 | 2013-10-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US20080289766A1 (en) | 2007-05-22 | 2008-11-27 | Samsung Austin Semiconductor Lp | Hot edge ring apparatus and method for increased etch rate uniformity and reduced polymer buildup |
US8343305B2 (en) | 2007-09-04 | 2013-01-01 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for diagnosing status of parts in real time in plasma processing equipment |
KR100963297B1 (ko) | 2007-09-04 | 2010-06-11 | 주식회사 유진테크 | 샤워헤드 및 이를 포함하는 기판처리장치, 샤워헤드를이용하여 플라스마를 공급하는 방법 |
US7824146B2 (en) | 2007-09-07 | 2010-11-02 | Advanced Technology Development Facility | Automated systems and methods for adapting semiconductor fabrication tools to process wafers of different diameters |
US8999106B2 (en) | 2007-12-19 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for controlling edge performance in an inductively coupled plasma chamber |
KR20200067957A (ko) | 2008-04-16 | 2020-06-12 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 웨이퍼 프로세싱 증착 차폐 컴포넌트들 |
US8398777B2 (en) | 2008-05-02 | 2013-03-19 | Applied Materials, Inc. | System and method for pedestal adjustment |
US20100101729A1 (en) | 2008-10-28 | 2010-04-29 | Applied Materials, Inc. | Process kit having reduced erosion sensitivity |
JP5406067B2 (ja) | 2009-02-16 | 2014-02-05 | キヤノンアネルバ株式会社 | トレイ及び真空処理装置 |
US9435029B2 (en) | 2010-08-29 | 2016-09-06 | Advanced Energy Industries, Inc. | Wafer chucking system for advanced plasma ion energy processing systems |
US20110011534A1 (en) | 2009-07-17 | 2011-01-20 | Rajinder Dhindsa | Apparatus for adjusting an edge ring potential during substrate processing |
US8409995B2 (en) | 2009-08-07 | 2013-04-02 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, positioning method and focus ring installation method |
JP5650935B2 (ja) | 2009-08-07 | 2015-01-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び位置決め方法並びにフォーカスリング配置方法 |
SG178288A1 (en) | 2009-08-31 | 2012-03-29 | Lam Res Corp | A multi-peripheral ring arrangement for performing plasma confinement |
US8270141B2 (en) | 2009-11-20 | 2012-09-18 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with reduced arcing |
JP5584517B2 (ja) | 2010-05-12 | 2014-09-03 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP5654297B2 (ja) | 2010-09-14 | 2015-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US8633423B2 (en) | 2010-10-14 | 2014-01-21 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for controlling substrate temperature in a process chamber |
JP5690596B2 (ja) | 2011-01-07 | 2015-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | フォーカスリング及び該フォーカスリングを備える基板処理装置 |
WO2012133585A1 (ja) | 2011-03-29 | 2012-10-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法 |
US9287093B2 (en) | 2011-05-31 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Dynamic ion radical sieve and ion radical aperture for an inductively coupled plasma (ICP) reactor |
JP5948026B2 (ja) | 2011-08-17 | 2016-07-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置及び処理方法 |
KR101267459B1 (ko) | 2011-09-08 | 2013-05-31 | 한국과학기술연구원 | 플라즈마 이온주입 장치 및 방법 |
US8933628B2 (en) | 2011-10-28 | 2015-01-13 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled plasma source with phase control |
US10825708B2 (en) | 2011-12-15 | 2020-11-03 | Applied Materials, Inc. | Process kit components for use with an extended and independent RF powered cathode substrate for extreme edge tunability |
US9287147B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with advanced edge control provisions |
US9017526B2 (en) | 2013-07-08 | 2015-04-28 | Lam Research Corporation | Ion beam etching system |
US9123661B2 (en) | 2013-08-07 | 2015-09-01 | Lam Research Corporation | Silicon containing confinement ring for plasma processing apparatus and method of forming thereof |
KR20160047540A (ko) | 2013-08-30 | 2016-05-02 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판 지지 시스템 |
JP2015050156A (ja) | 2013-09-04 | 2015-03-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台及びプラズマ処理装置 |
WO2015099892A1 (en) | 2013-12-23 | 2015-07-02 | Applied Materials, Inc. | Extreme edge and skew control in icp plasma reactor |
US9410249B2 (en) | 2014-05-15 | 2016-08-09 | Infineon Technologies Ag | Wafer releasing |
CN105336561B (zh) | 2014-07-18 | 2017-07-21 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体刻蚀装置 |
JP6345030B2 (ja) | 2014-08-11 | 2018-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びフォーカスリング |
KR20160022458A (ko) | 2014-08-19 | 2016-03-02 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 장비 및 이의 동작 방법 |
JP6383647B2 (ja) * | 2014-11-19 | 2018-08-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 測定システムおよび測定方法 |
CN105789010B (zh) | 2014-12-24 | 2017-11-10 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体处理装置及等离子体分布的调节方法 |
US10658222B2 (en) | 2015-01-16 | 2020-05-19 | Lam Research Corporation | Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing |
US20170263478A1 (en) | 2015-01-16 | 2017-09-14 | Lam Research Corporation | Detection System for Tunable/Replaceable Edge Coupling Ring |
US11605546B2 (en) | 2015-01-16 | 2023-03-14 | Lam Research Corporation | Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing |
JP6456177B2 (ja) | 2015-02-12 | 2019-01-23 | 株式会社ディスコ | ウェーハ処理システム |
US10163610B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-12-25 | Lam Research Corporation | Extreme edge sheath and wafer profile tuning through edge-localized ion trajectory control and plasma operation |
US9761459B2 (en) | 2015-08-05 | 2017-09-12 | Lam Research Corporation | Systems and methods for reverse pulsing |
US9620376B2 (en) | 2015-08-19 | 2017-04-11 | Lam Research Corporation | Self limiting lateral atomic layer etch |
US9984858B2 (en) | 2015-09-04 | 2018-05-29 | Lam Research Corporation | ALE smoothness: in and outside semiconductor industry |
US9761414B2 (en) | 2015-10-08 | 2017-09-12 | Lam Research Corporation | Uniformity control circuit for use within an impedance matching circuit |
US10192751B2 (en) | 2015-10-15 | 2019-01-29 | Lam Research Corporation | Systems and methods for ultrahigh selective nitride etch |
US11024528B2 (en) | 2015-10-21 | 2021-06-01 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Electrostatic chuck device having focus ring |
US10062599B2 (en) | 2015-10-22 | 2018-08-28 | Lam Research Corporation | Automated replacement of consumable parts using interfacing chambers |
US9881820B2 (en) | 2015-10-22 | 2018-01-30 | Lam Research Corporation | Front opening ring pod |
US20170115657A1 (en) | 2015-10-22 | 2017-04-27 | Lam Research Corporation | Systems for Removing and Replacing Consumable Parts from a Semiconductor Process Module in Situ |
US10124492B2 (en) | 2015-10-22 | 2018-11-13 | Lam Research Corporation | Automated replacement of consumable parts using end effectors interfacing with plasma processing system |
US10985078B2 (en) | 2015-11-06 | 2021-04-20 | Lam Research Corporation | Sensor and adjuster for a consumable |
US9601319B1 (en) | 2016-01-07 | 2017-03-21 | Lam Research Corporation | Systems and methods for eliminating flourine residue in a substrate processing chamber using a plasma-based process |
KR102689380B1 (ko) | 2016-01-26 | 2024-07-26 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 웨이퍼 에지 링 리프팅 솔루션 |
US10699878B2 (en) | 2016-02-12 | 2020-06-30 | Lam Research Corporation | Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring |
US10651015B2 (en) | 2016-02-12 | 2020-05-12 | Lam Research Corporation | Variable depth edge ring for etch uniformity control |
US10438833B2 (en) | 2016-02-16 | 2019-10-08 | Lam Research Corporation | Wafer lift ring system for wafer transfer |
US9966231B2 (en) | 2016-02-29 | 2018-05-08 | Lam Research Corporation | Direct current pulsing plasma systems |
US20170278679A1 (en) | 2016-03-24 | 2017-09-28 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for controlling process within wafer uniformity |
US11011353B2 (en) | 2016-03-29 | 2021-05-18 | Lam Research Corporation | Systems and methods for performing edge ring characterization |
US10312121B2 (en) | 2016-03-29 | 2019-06-04 | Lam Research Corporation | Systems and methods for aligning measurement device in substrate processing systems |
US10269566B2 (en) | 2016-04-29 | 2019-04-23 | Lam Research Corporation | Etching substrates using ale and selective deposition |
US9852889B1 (en) | 2016-06-22 | 2017-12-26 | Lam Research Corporation | Systems and methods for controlling directionality of ions in an edge region by using an electrode within a coupling ring |
JP6635888B2 (ja) | 2016-07-14 | 2020-01-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理システム |
US10921251B2 (en) | 2016-08-22 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Chamber component part wear indicator and a system for detecting part wear |
US20180061696A1 (en) | 2016-08-23 | 2018-03-01 | Applied Materials, Inc. | Edge ring or process kit for semiconductor process module |
JP2018054500A (ja) | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 位置検出システム及び処理装置 |
US10541168B2 (en) * | 2016-11-14 | 2020-01-21 | Lam Research Corporation | Edge ring centering method using ring dynamic alignment data |
JP6812224B2 (ja) | 2016-12-08 | 2021-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び載置台 |
US9947517B1 (en) | 2016-12-16 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Adjustable extended electrode for edge uniformity control |
JP6869034B2 (ja) | 2017-01-17 | 2021-05-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US10553404B2 (en) | 2017-02-01 | 2020-02-04 | Applied Materials, Inc. | Adjustable extended electrode for edge uniformity control |
JP6812264B2 (ja) | 2017-02-16 | 2021-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置、及びメンテナンス装置 |
US11404249B2 (en) | 2017-03-22 | 2022-08-02 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
JP6656200B2 (ja) | 2017-04-12 | 2020-03-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 位置検出システム及び処理装置 |
TWI843457B (zh) | 2017-04-26 | 2024-05-21 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 電漿處理裝置 |
US11075105B2 (en) | 2017-09-21 | 2021-07-27 | Applied Materials, Inc. | In-situ apparatus for semiconductor process module |
SG11202005150YA (en) | 2017-12-01 | 2020-06-29 | Applied Materials Inc | Highly etch selective amorphous carbon film |
JP7033441B2 (ja) | 2017-12-01 | 2022-03-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US11043400B2 (en) | 2017-12-21 | 2021-06-22 | Applied Materials, Inc. | Movable and removable process kit |
JP7055054B2 (ja) | 2018-04-11 | 2022-04-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ制御方法、及びプラズマ制御プログラム |
JP6995008B2 (ja) | 2018-04-27 | 2022-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
US10600623B2 (en) | 2018-05-28 | 2020-03-24 | Applied Materials, Inc. | Process kit with adjustable tuning ring for edge uniformity control |
US11935773B2 (en) | 2018-06-14 | 2024-03-19 | Applied Materials, Inc. | Calibration jig and calibration method |
US11011351B2 (en) | 2018-07-13 | 2021-05-18 | Lam Research Corporation | Monoenergetic ion generation for controlled etch |
-
2019
- 2019-05-09 US US16/407,520 patent/US11935773B2/en active Active
- 2019-06-12 KR KR1020190069336A patent/KR102267396B1/ko active IP Right Grant
- 2019-06-13 TW TW108120460A patent/TWI738004B/zh active
- 2019-06-13 CN CN201920891320.9U patent/CN209747490U/zh active Active
- 2019-06-13 TW TW108207506U patent/TWM587362U/zh not_active IP Right Cessation
- 2019-06-14 JP JP2019002157U patent/JP3222783U/ja active Active
- 2019-06-14 JP JP2019111014A patent/JP6820972B2/ja active Active
-
2024
- 2024-02-07 US US18/435,175 patent/US20240178035A1/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022104624A (ja) * | 2020-12-28 | 2022-07-08 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置 |
JP7502256B2 (ja) | 2020-12-28 | 2024-06-18 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6820972B2 (ja) | 2021-01-27 |
US20240178035A1 (en) | 2024-05-30 |
US20190385880A1 (en) | 2019-12-19 |
TWI738004B (zh) | 2021-09-01 |
KR20190141603A (ko) | 2019-12-24 |
CN110610890A (zh) | 2019-12-24 |
JP2019220691A (ja) | 2019-12-26 |
TW202002150A (zh) | 2020-01-01 |
KR102267396B1 (ko) | 2021-06-18 |
CN209747490U (zh) | 2019-12-06 |
TWM587362U (zh) | 2019-12-01 |
US11935773B2 (en) | 2024-03-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3222783U (ja) | 較正ジグ | |
US8383000B2 (en) | Substrate processing apparatus, method for measuring distance between electrodes, and storage medium storing program | |
KR20190130971A (ko) | 폐쇄 루프 척킹력 제어를 이용한 실시간 모니터링 | |
KR20080076985A (ko) | 정전 척의 타겟 메사 구성의 결정 방법 | |
US9824909B2 (en) | Chuck, in particular for use in a mask aligner | |
CN103930972A (zh) | 用于监控耦合至处理腔室的流量控制器的方法 | |
KR102624581B1 (ko) | 그린 시트 세라믹 상의 금속화 재료들의 서브-미크론 균일성을 갖는 정밀 스크린 프린팅 | |
KR20220092161A (ko) | 기판 처리장치 | |
KR20230069218A (ko) | 기판 지지 조립체의 레벨 모니터링 및 능동 조정 | |
KR20200089616A (ko) | 플라즈마 처리 장치, 및 링 부재의 위치 어긋남 측정 방법 | |
KR102269342B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
CN110610890B (en) | Calibration jig and calibration method | |
US20210095950A1 (en) | Measuring method and semiconductor structure forming method | |
CN114530400A (zh) | 操作装置与两个工件之间的分布式间距补偿方法 | |
KR20190041644A (ko) | 반도체 제조 장치의 구동 방법 | |
TWI756836B (zh) | 量測方法和半導體結構的形成方法 | |
US12018376B2 (en) | Apparatus and methods for motor shaft and heater leveling | |
US11721569B2 (en) | Method and apparatus for determining a position of a ring within a process kit | |
KR20240107667A (ko) | 지지 유닛의 제어 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
KR20140097795A (ko) | 플라즈마 측정장치 | |
TW202331869A (zh) | 基板搬送位置之偏移量檢測方法及基板處理裝置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3222783 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |