KR20230069218A - 기판 지지 조립체의 레벨 모니터링 및 능동 조정 - Google Patents

기판 지지 조립체의 레벨 모니터링 및 능동 조정 Download PDF

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KR20230069218A
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제임스 브이. 산티아고
파트리샤 엠. 리우
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 기판들을 프로세싱하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 적어도 하나의 실시예에서, 장치는 챔버 바디, 기판 지지 조립체 및 챔버 바디 외측에 배치되고 기판 지지 조립체에 커플링된 브래킷 조립체를 포함한다. 브래킷 조립체는 기판 지지 조립체의 레벨을 조정하기 위한 복수의 레벨링 나사들을 갖는다. 장치는 복수의 레벨링 나사들 중 하나에 커플링된 액추에이터 및 기판 지지 조립체에 커플링된 가속도계를 포함한다. 가속도계는 기판 지지 조립체의 배향을 표시하도록 구성된다. 장치는 액추에이터 및 가속도계와 통신하는 제어 모듈을 포함한다. 제어 모듈은 가속도계에 의해 표시된 배향에 기반하여 기판 지지 조립체의 레벨을 결정하고 액추에이터를 사용하여 기판 지지 조립체의 레벨을 조정하도록 구성된다.

Description

기판 지지 조립체의 레벨 모니터링 및 능동 조정
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 기판 지지 조립체를 갖는 반도체 프로세싱 챔버 내에서 기판을 프로세싱하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 실시예들은 프로세싱 동안 기판 지지 조립체의 레벨 모니터링 및 능동 조정에 관한 것이다.
[0002] 반도체 프로세싱 시스템들은 박막들 및 코팅들을 증착, 에칭, 패터닝, 및 처리함으로써 반도체 디바이스들을 형성하기 위해 사용된다. 종래의 반도체 프로세싱 시스템은 하나 이상의 프로세싱 챔버들, 및 하나 이상의 프로세싱 챔버들 사이에서 기판을 이동시키기 위한 로봇들을 포함한다. 기판은 로봇 암에 의해 이송될 수 있으며, 그 로봇 암은 기판을 픽업(pick up)하기 위해 연장되고, 후퇴(retract)되고, 이어서, 동일하거나 상이한 프로세싱 챔버 내의 상이한 포지션(position)에 기판을 포지셔닝하기 위해 다시 연장될 수 있다. 각각의 프로세싱 챔버는 전형적으로 프로세싱을 위해 기판을 지지하기 위한 지지부를 갖는다.
[0003] 대부분의 반도체 디바이스 형성 프로세스들은, 기판 표면에 대해 수행되는 프로세스들의 균일성이 개선되는 경우, 개선된다. 증착, 에칭, 또는 열 처리 프로세스의 균일성에 영향을 미칠 수 있는 파라미터들 중 하나는, 프로세싱 동안의, 프로세싱 챔버에서 발견되는 챔버 컴포넌트들 중 하나 이상, 이를테면 가스 분배판에 대한 기판의 포지션이다. 그러나 기판 포지션을 조정하는 종래의 접근법들은 시간 소모적이고 처리량을 감소시킨다.
[0004] 따라서, 프로세싱 챔버에서 기판 포지션의 조정을 제공하는 장치 및 방법이 당업계에 필요하다.
[0005] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 기판 지지 조립체를 갖는 반도체 프로세싱 챔버 내에서 기판을 프로세싱하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 실시예들은 프로세싱 동안 기판 지지 조립체의 레벨 모니터링 및 능동 조정에 관한 것이다.
[0006] 적어도 하나의 실시예에서, 기판 프로세싱 장치는 챔버 바디, 및 스템 및 지지 바디를 포함하는 기판 지지 조립체를 포함한다. 지지 바디는 챔버 바디 내에 포지셔닝되고 스템에 커플링된다. 장치는 챔버 바디 외측에 배치되고 스템에 커플링된 브래킷 조립체를 포함한다. 브래킷 조립체는 기판 지지 조립체의 레벨을 조정하기 위한 복수의 레벨링 나사들을 갖는다. 장치는 복수의 레벨링 나사들 중 하나에 커플링된 액추에이터 및 기판 지지 조립체에 커플링된 가속도계를 포함한다. 가속도계는 기판 지지 조립체의 배향을 표시하도록 구성된다. 장치는 액추에이터 및 가속도계와 통신하는 제어 모듈을 포함한다. 제어 모듈은 가속도계에 의해 표시된 배향에 기반하여 기판 지지 조립체의 레벨을 결정하고 액추에이터를 사용하여 기판 지지 조립체의 레벨을 조정하도록 구성된다.
[0007] 적어도 하나의 실시예에서, 명령들을 저장하는 컴퓨터 판독 가능 매체가 제공되며, 이 명령들은 시스템의 프로세서에 의해 실행될 때, 시스템으로 하여금, 기판 지지 조립체에 커플링된 가속도계로부터 신호를 수신하게 하고 ― 기판 지지 조립체는 스템 및 지지 바디를 포함하고, 지지 바디는 챔버 바디 내에 포지셔닝되고 스템에 커플링되며, 스템은 챔버 바디 외측에 배치된 브래킷 조립체에 커플링되고 신호는 기판 지지 조립체의 3차원 배향에 대응함 ― ; 기판 지지 조립체의 실제 레벨을 타깃 레벨로 변경하기 위해 신호에 기반하여 기판 지지 조립체의 조정을 결정하게 하고; 그리고 브래킷 조립체의 복수의 레벨링 나사들 중 하나 이상을 작동시키도록 구성된 액추에이터를 사용하여 기판 지지 조립체의 실제 레벨을 타깃 레벨로 조정하게 하고, 프로세서는 액추에이터 및 가속도계와 통신한다.
[0008] 적어도 하나의 실시예에서, 스템 및 지지 바디를 포함하는 기판 지지 조립체 상에 배치된 기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 방법이 개시되며, 지지 바디는 챔버 바디 내에 포지셔닝되고 스템에 커플링되고, 스템은 챔버 바디 외측에 배치된 브래킷 조립체에 커플링된다. 방법은 기판 지지 조립체에 커플링된 가속도계로부터 신호를 수신하는 단계 ― 신호는 기판 지지 조립체의 3차원 배향에 대응함 ― ; 기판 지지 조립체의 실제 레벨을 타깃 레벨로 변경하기 위해 기판 지지 조립체의 조정을 결정하는 단계; 및 액추에이터를 사용하여 브래킷 조립체의 복수의 레벨링 나사들 중 하나 이상을 돌림(turning)으로써 기판 지지 조립체의 실제 레벨을 타깃 레벨로 조정하는 단계를 포함하고, 신호를 수신하는 단계, 조정을 결정하는 단계 및 실제 레벨을 조정하는 단계는 액추에이터 및 가속도계와 통신하는 제어 모듈을 통해 구현된다.
[0009] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 단지 예시적인 실시예들을 예시하는 것이므로 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주의되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0010] 도 1a는 적어도 하나의 실시예에 따른 기판 프로세싱 장치의 측단면도이다.
[0011] 도 1b는 도 1a의 기판 프로세싱 장치의 확대된 부분 단면도이다.
[0012] 도 1c 내지 도 1f는 적어도 하나의 실시예에 따라, 예시적인 기판 지지 조립체의 기울임(tilting)을 3차원으로 예시하는 도 1a의 기판 프로세싱 장치의 개략적인 부분 등각도들이다.
[0013] 도 2는 적어도 하나의 실시예에 따른 예시적인 자동화된 제어 메커니즘의 다이어그램이다.
[0014] 도 3은 적어도 하나의 실시예에 따라, 본 개시내용의 프로세싱 장치로 기판을 프로세싱하기 위한 방법의 다이어그램이다.
[0015] 도 4는 적어도 하나의 실시예에 따라, 본 개시내용의 프로세싱 장치로 기판을 프로세싱하기 위한 방법의 다이어그램이다.
[0016] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들이 추가적인 설명 없이 다른 실시예들에 유익하게 포함될 수 있는 것으로 고려된다.
[0017] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 기판 지지 조립체를 갖는 반도체 프로세싱 챔버 내에서 기판을 프로세싱하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 실시예들은 프로세싱 동안 기판 지지 조립체의 레벨 모니터링 및 능동 조정에 관한 것이다.
[0018] 본 개시내용의 장치 및 방법들은 기판 간에(substrate-to-substrate) 그리고 기판에 걸쳐 막 두께 및 에칭 균일성의 개선된 제어를 제공한다. 또한, 본원에서 개시된 장치 및/또는 방법들은 인입 기판들 상의 기판 비-균일성을 더 잘 수용할 수 있다. 또한, 본원에서 개시된 장치 및 방법들은 프로세스 다운타임(process downtime)을 감소시키고 수율을 개선할 수 있다.
[0019] 본원에서 개시된 지지부들은 챔버를 오프라인 상태으로 전환하는 것을 대신 요구하는 종래의 접근법들과 대조적으로 프로세싱 동안 조정될 수 있다. 종래에, 챔버 컴포넌트들 중 하나 이상 이를테면, 가스 분배판에 대한 페데스탈의 기울기 및 포지션은 프로세싱 챔버가 생산 중에 있게 되면 조정되지 않는다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 페데스탈의 레벨은 가스 분배판과 관련하여 페데스탈의 기판 수용 표면 사이의 평행 정도(degree of parallelism)로서 측정된 페데스탈의 기울기를 지칭한다. 현재, 페데스탈 기울기 및 포지션은 챔버가 오프라인인 동안 수동으로 조정된다. 정확한 조정들을 하기 위해, 프로세싱 챔버가 오프라인으로 전환되고 개방되어서, 가스 분배판에 대한 페데스탈의 기울기를 측정하기 위해 프로세싱 챔버 내측에 레벨링 지그(leveling jig)가 배치될 수 있다. 페데스탈은 프로세싱 챔버를 오프라인으로 전환하지 않고 조정될 수 있으며, 이는 블라인드 조정 또는 핫 레벨링(hot leveling)으로 지칭된다. 그러나 블라인드 조정은 프로세싱된 기판 상에서 수행된 측정들에만 기반하며 기울기 또는 결과적인 레벨의 변화에 대한 정량적 측정을 제공하지 않는다. 그러나, 반도체 디바이스의 생산 시퀀스에는 기판에 걸쳐 재료의 높은 균일성을 초래하지 않는 특정 프로세싱 동작들이 존재하여, 후속 동작의 균일성을 개선하기 위해 프로세싱 동작들 사이의 조정이 필요하다. 최적의 프로세스 결과들을 보장하기 위해, 각각의 프로세스는 가스 분배판에 대해 독립적으로 튜닝된 페데스탈 기울기 및 포지션을 활용할 수 있으며, 이는 처리량을 감소시킨다.
[0020] 본 개시내용의 양상들은 예시 및 논의의 목적을 위해 "기판" 또는 반도체 기판을 참조하여 논의된다. 본원에서 제공된 개시내용들을 사용하는 당업자들은 본 개시내용의 예시적인 양상들이 임의의 적합한 반도체 기판 또는 다른 적합한 기판과 연관되어 사용될 수 있다는 것이 이해될 것이다. "기판 지지 조립체"는 기판을 지지하는 데 사용될 수 있는 임의의 구조를 지칭한다.
[0021] 이제 도면들을 참조하여, 본 개시내용의 예시적인 실시예들이 지금 기술될 것이다. 도 1a는 본원에서 제공되는 개시내용의 실시예에 따라, 반도체 디바이스 프로세싱 동작의 일부 부분을 수행하기 위해 사용될 수 있는 예시적인 프로세싱 장치(100)를 묘사한다. 도 1a를 참조하면, 프로세싱 장치(100)는 프로세싱 챔버(102) 내에서 기판을 리프팅 및 포지셔닝하기 위한 기판 지지 조립체(120)를 갖는 프로세싱 챔버(102)를 포함할 수 있다. 기판 지지 조립체(120)는 일반적으로 기판을 수용하기 위한 지지 바디(130) 및 프로세싱 챔버(102) 내에 지지 바디(130)를 포지셔닝하기 위한 스템(140)을 포함한다. 개시된 기판 지지 조립체(120)는 프로세싱 동안 기판에 대한 가열 또는 냉각을 제공하도록 구성된다. 기판은 프로세싱 동안 지지 바디(130)에 대한 기계력, 차압력 또는 정전기력에 의해 홀딩될 수 있다. 지지 바디(130) 상에 있을 때, 기판에 대해 하나 이상의 프로세스들이 수행될 수 있으며, 그 하나 이상의 프로세스들은 기판 상에 형성되는 막을 증착, 에칭, 및/또는 열 처리하는 것을 포함할 수 있다. 기판 지지 조립체(120)는 아래에서 더 상세히 설명된다.
[0022] 프로세싱 챔버(102)는 프로세싱 동안 제어된 환경 내에서 기판을 밀폐하도록 구성된다. 프로세싱 챔버(102)는 외측 챔버 벽(104), 하부 챔버 베이스(106), 및 커버(108)를 포함하며, 그 커버(108)는 프로세싱 챔버(102)의 상단에 그리고 베이스(106)와 대향하게 배치된다. 베이스(106), 커버(108), 및 벽(104)은 또한, 본원에서 챔버 바디로 일괄적으로 지칭된다. 프로세싱 챔버(102)는 가스 분배판(180)을 포함하며, 그 가스 분배판(180)은 커버(108)로부터 현수(suspend)되어, 커버(108)로부터 프로세싱 챔버(102) 내로 하방으로 돌출된다. 벽(104) 내의 슬릿 밸브 개구(105)는 오브젝트, 이를테면 기판 또는 웨이퍼(미도시)가 프로세싱 챔버(102) 내에 도입될 수 있게 한다.
[0023] 기판은 프로세싱 챔버(102) 내측에 포지셔닝될 수 있고 프로세싱을 위한 준비로 지지 바디(130) 상에 배치될 수 있다. 가스 공급 소스(190)는 커버(108) 내의 개구(191)를 통해 그리고 가스 분배판(180)의 개구(181)를 통해 프로세스 가스 또는 가스들을 프로세스 구역(103)에 제공한다. 일 예에서, 프로세싱 챔버(102)는 CVD(chemical vapor deposition) 챔버를 표현한다. 그러나, 다른 프로세싱 챔버들 및 프로세스들 이를테면, 에칭 프로세스들, 원자층 증착 프로세스들, 급속 열 프로세스들, 플라즈마 도핑 프로세스들, 물리 기상 증착 프로세스들 및 프로세싱 챔버 내에서 페데스탈의 움직임을 활용하는 다른 프로세스들이 고려된다.
[0024] 기판 지지 조립체(120)는 프로세싱 챔버(102) 내측에 배치되고, 가스 분배판(180)과 같은, 프로세싱 챔버(102)에서 발견되는 챔버 컴포넌트들 중 하나 이상과 관련하여 기판의 배향을 제어하도록 구성된다. 기판 지지 조립체(120)는 프로세싱 동안 및/또는 프로세싱 챔버(102)가 폐쇄될 때 프로세싱 챔버(102) 외측으로부터 액세스 가능한 허브(122)에 커플링된다. 프로세싱 챔버(102) 내측의 프로세스 구역(103)은 벨로우즈 조립체(bellows assembly)와 같은 유연한 밀봉 부재(192)에 의해 프로세싱 챔버(102) 외측의 구역으로부터 밀봉된다. 밀봉 부재(192)는 기판 지지 조립체(120)와 프로세싱 챔버(102) 사이에 밀봉(seal)을 제공하고 프로세스 구역(103)이 진공 압력과 같은 원하는 압력으로 유지되도록 허용한다.
[0025] 기판 지지 조립체(120)의 스템(140)은 허브(122)에 부착된 근위 단부로부터 지지 바디(130)의 하부 표면에 부착된 원위 단부까지 연장된다. 지지 바디(130)의 상부 표면(132)은 하부 표면과 대향하게 향하고 그 위에 기판을 수용하도록 구성된다. 따라서, 지지 바디(130)의 상부 표면(132)은 본원에서 기판-수용 표면으로 지칭될 수 있다. 지지 바디(130)는 일반적으로 베이스(106)의 챔버 개구(107)를 통해 연장되는 중심축(101)에 평행한(예컨대, 스템(140)의 축과 평행한) 방향으로 수직으로 이동하도록 구성된다.
[0026] 지지 바디(130) 상에 수용된 기판의 온도를 제어하기 위해 기판 지지 조립체(120)를 가열하거나 냉각시키는 것이 바람직할 수 있다. 일 예에서, 기판 지지 조립체(120)는 지지 바디(130) 및 기판을 가열하기 위한 하나 이상의 전기 가열 엘리먼트들(미도시)을 포함한다. 다른 예에서, 기판 지지 조립체(120)는 지지 바디(130) 및 기판을 각각 가열 또는 냉각하기 위해 가열 또는 냉각 유체를 전달하기 위한 튜빙(tubing)(미도시)을 포함한다. 기판 지지 조립체(120)와 연관된 하나 이상의 파라미터들을 모니터링하는 것이 또한 바람직할 수 있다. 일 예에서, 기판 지지 조립체(120)는 지지 바디(130)의 온도를 감지하기 위한 열전대(미도시)를 포함한다. 이러한 예들에서, 전기 리드들 및/또는 튜빙은 기판 지지 조립체(120)의 스템(140) 및 허브(122)를 통해 지지 바디(130)로 라우팅될 수 있다. 따라서, 스템(140)은 내부에 형성된 개개의 포트들을 통해 스템(140)의 근위 단부를 빠져나가는 하나 이상의 내부 채널들(미도시)을 포함한다. 거기로부터, 전기 리드들은 허브(122)를 통해 공급되고, 전기 가열 엘리먼트들을 에너자이징(energizing)하기 위한 그리고/또는 열전대로부터 신호들을 수신하기 위한 제어 모듈(160)에 커플링된다. 마찬가지로, 튜빙은 가열 또는 냉각 유체의 소스에 유체적으로 커플링된다.
[0027] 프레임(142)은 기판 지지 조립체(120)를 챔버 바디 외측에 배치된 브래킷 조립체(111)에 커플링하는 데 사용된다. 프레임(142)은 도 1a에 도시된 바와 같이, 브래킷 조립체(111)에 커플링된 하나 이상의 수직 레그들(144) 및 기판 지지 조립체(120)의 스템(140)에 커플링된 하나 이상의 수평 레그들(146)을 포함한다. 하나 이상의 수평 레그들(146)은 허브(122)와 밀봉 부재(192) 사이의 로케이션에서 스템(140)에 부착된다. 그러나, 다른 실시예에서, 프레임(142)은 허브(122)에 또는 스템(140) 상의 상이한 로케이션에 부착될 수 있다. 프레임(142)은 브래킷 조립체(111) 및 스템(140)에 용접, 볼트 결합 또는 다른 방식으로 체결될 수 있는 것으로 고려된다. 함께 고정되는 브래킷 조립체(111), 프레임(142) 및 기판 지지 조립체(120)는 아래에서 더 상세히 설명되는 바와 같이 프로세싱 챔버(102)와 관련하여 이동 가능하다.
[0028] 도 1b는 브래킷 조립체(111)를 보다 상세히 예시하는 도 1a의 기판 프로세싱 장치의 확대된 부분 단면도이다. 따라서, 도 1a 및 도 1b는 명확성을 위해 본원에서 함께 설명된다. 브래킷 조립체(111)는 복수의 레벨링 홀(leveling hole)들(112)이 관통하여 형성되어 있는 브래킷(110)을 포함한다. 도 1a에는 단지 2개의 레벨링 홀들이 도시되지만, 브래킷(110)은 3개 이상의 레벨링 홀들과 같은 부가적인 레벨링 홀들을 포함할 수 있다는 것이 고려된다. 브래킷(110)의 형상은 위에서 보았을 때, 다른 형상들 중에서도, 삼각형, 정사각형, 직사각형, 사다리꼴일 수 있다는 것이 고려된다. 하나의 레벨링 홀(112)이 브래킷(110)의 각각의 정점에 형성될 수 있다는 것이 고려된다. 복수의 레벨링 홀들(112) 각각은 브래킷(110) 아래로부터 액세스 가능한, 브래킷(110)의 최하부 측으로부터 프로세싱 챔버(102)의 베이스(106)를 향하는 브래킷(110)의 최상부 측으로 서로 평행하게 연장된다. 복수의 레벨링 홀들(112) 각각에는 개개의 나사산이 있는 레벨링 나사(114)를 관통하여 수용하기 위해 나사산이 있다.
[0029] 각각의 레벨링 나사(114)의 근위 단부는 레벨링 나사(114)를 돌리기 위해 스테퍼 모터와 같은 개개의 액추에이터(150)의 샤프트(152)에 커플링된다. 액추에이터(150)의 바디(154)는 샤프트(152)의 회전에 대해 바디(154)를 떠받치기(bracing) 위해 베이스(106)의 하부면(109)에 커플링된다. 스테퍼 모터를 사용할 때, 스테퍼 모터의 샤프트(152)는 레벨링 나사(114)가 브래킷(110)의 높이를 정밀하게 상승 및 하강시키기 위한 증분량만큼 돌려지게 허용하도록 복수의 증분 회전 포지션들 사이에서 고정된 각도만큼 회전하도록 구성된다. 브래킷(110)의 높이는 액추에이터(150)가 추가로 조정될 때까지 유지된다. 스테퍼 모터의 회전 포지션은 제어 모듈(160)의 메모리에 저장되며, 이는 레벨링 나사(114)의 포지션의 미세-튜닝을 가능하게 한다.
[0030] 동작에서, 개개의 레벨링 홀(112)에 대한 각각의 레벨링 나사(114)의 회전은 브래킷(110)이 레벨링 나사(114)에 대해 종방향으로 이동하게 한다. 이 종방향 움직임은 브래킷(110)을 베이스(106)로부터 멀어지게 또는 베이스(106)를 향해 밀거나 당기며, 이는 브래킷(110)과 베이스(106) 사이의 상대적 거리의 변화를 야기한다. 브래킷(110)과 베이스(106) 사이의 이러한 거리의 변화는 중심축(101)에 대한 기판 지지 조립체(120)의 배향(예컨대, 기울기)을 조정한다. 기판 지지 조립체(120)의 기울임은 지지 바디(130)의 기판-수용 표면(132)이 가스 분배판(180)과 관련하여 기울어지게 한다. 다수의 레벨링 나사들(114)을 조정하는 것은 기판 지지 조립체(120)의 기울기 및 결과적인 레벨을 3차원으로 변경한다. 기판 지지 조립체(120)의 최대 기울기는 약 0.5인치 이하, 이를테면, 약 0.4인치 이하, 이를테면, 약 0.3인치 이하, 이를테면, 약 0.2인치 이하, 이를테면, 약 0.1인치 이하 이를테면, 약 0.1인치 내지 약 0.4인치, 이를테면, 약 0.1인치 내지 약 0.2인치, 이를테면, 약 0.1인치일 수 있다는 것이 고려된다.
[0031] 복수의 액추에이터들(150)은 제어 모듈(160)로부터 명령들을 수신한다. 도 1a를 참조하면, 제어 모듈(160)은 베이스(106)의 하부면(109) 상에 배치된다. 그러나, 제어 모듈(160)은 프로세싱 장치(100) 상의 다른 곳에 로케이팅될 수 있다는 것이 고려되며, 이는 온-보드 포지셔닝(on-board positioning)으로서 지칭된다. 예컨대, 제어 모듈(160)은 브래킷 조립체(111) 상에 배치되거나 허브(122)에 커플링될 수 있다는 것이 고려된다. 또한, 제어 모듈(160)은 프로세싱 장치(100)와 별개로 로케이팅될 수 있다는 것이 고려되며, 이는 오프-보드 포지셔닝(off-board positioning)으로서 지칭된다. 제어 모듈(160)은 아래에서 더 상세히 설명되는 바와 같이 기판 지지 조립체(120)의 기울임을 제어하기 위해 복수의 액추에이터들(150)에 명령들을 전송하기 위한 전용 제어기이다. 제어 모듈(160)은 시스템 제어기(199)(아래에서 상세히 설명됨)와 동일한 컴포넌트를 포함할 수 있다. 따라서, 제어 모듈(160)은 시스템 제어기(199)와 통합될 수 있다는 것이 또한 고려된다.
[0032] 시스템 제어기(199)는 프로세싱 장치(100)의 하나 이상의 양상들을 제어하도록 구성된다. 시스템 제어기(199)는 CPU(central processing unit)(199A), 메모리(199B), 및 지원 회로들(또는 I/O)(199C)을 포함할 수 있다. CPU(199A)는, 다양한 프로세스들 및 하드웨어(예컨대, 패턴 생성기들, 모터들, 및 다른 하드웨어)를 제어하기 위해 산업 현장들에서 사용되고, 프로세스들(예컨대, 프로세싱 시간, 및 기판 포지션 또는 로케이션)을 모니터링하는 임의의 형태의 컴퓨터 프로세서들 중 하나일 수 있다. 메모리(199B)는 CPU에 연결되고, 그리고 쉽게 입수가능한 메모리, 이를테면 RAM(random access memory), ROM(read only memory), 플로피 디스크, 하드 디스크, 또는 로컬 또는 원격의 임의의 다른 형태의 디지털 저장소 중 하나 이상일 수 있다. 소프트웨어 명령들, 알고리즘들 및 데이터는 CPU에 명령하기 위해 메모리 내에 코딩되어 저장될 수 있다. 또한, 지원 회로들(199C)은 통상적인 방식으로 프로세서를 지원하기 위해 CPU에 연결된다. 지원 회로들은 통상적인 캐시, 전력 공급부들, 클록 회로들, 입력/출력 회로망, 서브시스템들 등을 포함할 수 있다. 제어기에 의해 판독 가능한 프로그램(또는 컴퓨터 명령들)은 어떤 태스크들이 기판에 대해 수행 가능한지를 결정한다. 프로그램은 제어기에 의해 판독 가능한 소프트웨어일 수 있고, 예컨대, 프로세싱 시간, 및 기판 포지션 또는 로케이션을 모니터링 및 제어하기 위한 코드를 포함할 수 있다.
[0033] 도 1a를 참조하면, 가속도계(170)는 기판 지지 조립체(120)의 스템(140) 내측에 배치된다. 스템(140) 내측에 가속도계를 포지셔닝하는 것은 가속도계(170)를 기판 프로세싱 동안 존재할 수 있는 잠재적으로 유해한 화학 물질들로부터 보호한다. 가속도계(170)는 스템(140)의 근위 단부 내 홀(미도시)을 통해 삽입될 수 있다는 것이 고려된다. 이는 프로세스 구역(103)을 대기에 노출시키지 않고 가속도계(170)의 서비싱 및 교체를 가능하게 한다. 그러나, 가속도계(170)는 지지 바디(130)와 같은 기판 지지 조립체(120)의 임의의 부분에 커플링되거나 그 내부에 매립될 수 있다는 것이 고려된다. 가속도계(170)는 잠재적으로 유해한 프로세싱 화학 물질들에 노출될 때 부식 및/또는 전기적 오작동으로부터 가속도계(170)를 보호하는 코팅을 가질 수 있다는 것이 고려된다. 가속도계(170)는 도 1a에 도시된 바와 같이, 제어 모듈(160)에 무선으로 연결된다. 그러나, 다른 실시예에서, 가속도계(170)는 제어 모듈(160)에 하드와이어링(hardwired)될 수 있다. 가속도계(170)는 제어 모듈(160)과 통신하고 가속도계(170)의 3차원 배향 및 기판 지지 조립체(120)의 대응하는 기울기를 표시하는 신호들을 제어 모듈(160)로 전송하도록 구성된다. 예컨대, 가속도계는 3개의 축들 각각을 따른 가속도계의 배향에 대응하는 전압을 출력하는 용량성 3축 가속도계일 수 있다. 프로세싱 장치(100)를 온라인 상태로 만들기 전에, 가속도계(170)는 가속도계(170) 및 기판 지지 조립체(120)의 배향/기울기가 지지 바디(130)의 레벨에 대해 알려지도록 레벨링 지그를 사용하여 교정된다. 따라서, 제어 모듈(160)은 복수의 레벨링 나사들(114)이 아래에서 보다 상세히 설명되는 바와 같이 조정됨에 따라 기판 지지 조립체(120)의 기울기의 변화들을 검출함으로써 실시간으로 지지 바디(130)의 레벨을 모니터링하도록 동작 가능하다.
[0034] 도 1c 내지 도 1f는 기판 지지 조립체(120)의 기울임을 3차원으로 예시하는 도 1a의 기판 프로세싱 장치(100)의 개략적인 부분 등각도들이다. 도 1c 내지 도 1f에서, 브래킷(110)은 위에서 보았을 때 삼각형의 형상이다. 일반적으로, 브래킷 조립체(111)는 조정 가능한 제1 레벨링 나사(114a) 제2 레벨링 나사(114b), 및 고정되는 멈춤 나사(set screw)(124)를 포함한다. 제1 및 제2 레벨링 나사들(114a, 114b)은 액추에이터들(150a, 150b)에 의해 회전 가능한 반면, 멈춤 나사(124)는 너트들(126)을 사용하여 수동으로 조정된다. 브래킷 조립체(111)가 2개의 레벨링 나사들 및 1개의 고정된 나사를 갖지만, 본 개시내용은 다른 수들 및 조합들의 레벨링 및 고정 나사들을 고려한다. 예컨대, 브래킷(110)이 사다리꼴 형상인 경우, 브래킷 조립체(111)는 2개의 레벨링 나사들, 1개의 고정 나사 및 1개의 플로팅 나사를 포함할 수 있다는 것이 고려된다. "플로팅 나사"라는 용어는 브래킷이 플로팅 나사에 대해 플로팅하는 것을 가능하게 하도록 브래킷(110)과 너트들(126) 각각 사이에 간극이 제공된다는 점을 제외하면 고정 나사(124)와 유사한 구조를 지칭한다. 브래킷 조립체(111)가 임의의 수의 레벨링, 고정 및 플로팅 나사들을 가질 수 있지만, 기판 지지 조립체(120)를 3차원으로 기울이기 위해 단지 2개의 레벨링 나사들이 필요할 수 있다는 것이 또한 고려된다.
[0035] 도 1c를 참조하면, 기판 지지 조립체(120)는 도시된 바와 같이 반시계 방향으로 제1 레벨링 나사(114a)를 회전시킴으로써 제1 축(134)을 중심으로 반시계 방향으로 기울어진다. 제1 레벨링 나사(114a)는 제1 액추에이터(150a)에 의해 회전된다. 제1 레벨링 나사(114a)의 회전 동안, 브래킷(110)은 제1 레벨링 나사(114a)에 대해 종방향으로 하향 이동하며, 이는 위에서 상세히 설명된 바와 같이 베이스(106)로부터 멀어지게 브래킷(110)을 밀어낸다. 브래킷(110)이 베이스(106)로부터 멀어지게 그리고 하향으로 밀려날 때, 기판 지지 조립체(120)는 도 1c에 도시된 방향으로 기울어지게 된다. 기울기 포인트는 제1 레벨링 나사(114a)가 개개의 레벨링 홀(112)(도 1b에 도시됨)과 맞물리는, 브래킷(110)의 정점과 정렬된다. 제1 레벨링 나사(114a)를 반대 방향(즉, 시계 방향)으로 회전시키는 것은 브래킷(110)을 베이스(106)를 향해 당기고 기판 지지 조립체(120)가 도 1d에 도시된 바와 같이 제1 축(134)을 중심으로 반대 방향(즉, 시계 방향)으로 기울어지게 한다.
[0036] 도 1e를 참조하면, 기판 지지 조립체(120)는 도시된 바와 같이 반시계 방향으로 제2 레벨링 나사(114b)를 회전시킴으로써 제2 축(136)을 중심으로 시계 방향으로 기울어진다. 제2 축(136)은 브래킷(110)의 형상에 기반하여 제1 축(134)과 관련하여 임의의 적합한 각도로 배향될 수 있다는 것이 고려된다. 예컨대, 브래킷(110)이 정삼각형 형상일 때, 제1 및 제2 축들(134, 136)은 약 60도 떨어져 배향될 수 있다는 것이 고려된다. 제2 레벨링 나사(114b)는 제2 액추에이터(150b)에 의해 회전된다. 제2 레벨링 나사(114b)의 회전 동안, 브래킷(110)은 제2 레벨링 나사(114b)에 대해 종방향으로 하향 이동하며, 이는 위에서 상세히 설명된 바와 같이 베이스(106)로부터 멀어지게 브래킷(110)을 밀어낸다. 브래킷(110)이 베이스(106)로부터 멀어지게 그리고 하향으로 밀려날 때, 기판 지지 조립체(120)는 도 1e에 도시된 방향으로 기울어지게 된다. 기울기 포인트는 제2 레벨링 나사(114b)가 개개의 레벨링 홀(112)(도 1b에 도시됨)과 맞물리는, 브래킷(110)의 정점과 정렬된다. 제2 레벨링 나사(114b)를 반대 방향(즉, 시계 방향)으로 회전시키는 것은 브래킷(110)을 베이스(106)를 향해 당기고 기판 지지 조립체(120)가 도 1f에 도시된 바와 같이 제2 축(136)을 중심으로 반대 방향(즉, 시계 방향)으로 기울어지게 한다. 원하는 경우, 제1 및 제2 레벨링 나사들(114a, 114b) 둘 모두를 조정하는 것은 기판 지지 조립체(120)의 레벨을 3차원으로 변경한다.
[0037] 도 2는 기판 지지 조립체(120)를 제어하는 데 사용될 수 있는 예시적인 자동 제어 메커니즘(200)의 다이어그램이다. 도 2에 예시된 예에서, 제어 모듈(160)은 가속도계(170)로부터 입력을 수신하는 제어 알고리즘(210), 자동 프로세스 제어 소프트웨어(220), 및 복수의 액추에이터들(150)과 연관된 드라이버 전자장치(230)를 포함한다. 가속도계(170)는 위에서 설명된 바와 같이 가속도계(170)의 3차원 방향을 표시하는 신호들을 제어 알고리즘(210)에 제공한다. 예컨대, 신호들은 3개의 축들 각각을 따른 가속도계(170)의 배향에 대응하는 연속적인 아날로그 또는 디지털 전압 판독들을 포함할 수 있다. 자동 프로세스 제어 소프트웨어(220)는 자동 제어 명령들을 제어 알고리즘(210)에 제공한다. 예컨대, 자동 제어 명령들은 사용자로부터의 외부 입력 없이 제어 알고리즘(210)을 실행하기 위한 명령들을 포함할 수 있다. 가속도계(170)로부터 수신된 신호들 및/또는 자동 프로세스 제어 소프트웨어(220)로부터 수신된 자동 제어 명령들에 기반하여, 제어 알고리즘(210)은 기판 지지 조립체(120)를 타깃 레벨로 이동시키는 데 필요한 복수의 액추에이터들(150) 중 하나 이상에 대한 조정을 결정한다. 제어 알고리즘(210)은 기판 지지 조립체(120)를 이동시키기 위해 복수의 액추에이터들(150) 중 하나 이상을 작동시키도록 명령들을 드라이버 전자장치(230)에 출력한다. 작동 동안, 드라이버 전자장치(230)는 각각의 액추에이터(150)의 회전 포지션에 관한 피드백을 제어 알고리즘(210)에 제공한다. 제어 알고리즘(210)은 피드백 및/또는 다른 입력들에 기반하여 복수의 액추에이터들(150) 중 하나 이상에 대한 조정이 완료되는 시기를 결정한다. 제어 알고리즘(210)이 제어 루프를 사용하여 복수의 액추에이터들(150) 중 하나 이상에 추가 명령들을 출력하여, 각각의 레벨링 나사(114)의 포지션 및 기판 지지 조립체(120)의 결과적인 레벨을 미세-튜닝할 수 있는 것이 고려된다.
[0038] 도 3은 본 개시내용의 프로세싱 장치로 기판을 프로세싱하기 위한 방법(300)의 다이어그램이다. 방법(300)에 대한 명령들은 제어 모듈(160) 또는 시스템 제어기(199)의 컴퓨터 판독 가능 매체에 저장될 수 있다. 방법(300)은 프로세싱 장치(100)의 프로세싱 챔버(30) 내로 기판을 도입하는 것(310)을 포함한다. 예컨대, 기판은 벽(104) 내 슬릿 밸브 개구(105)를 통해 도입되고 지지 바디(130)의 제2 측(132) 상에 배치된다(도 1a에 도시됨). 방법(300)은 기판 지지 조립체(120)에 대한 타깃 레벨을 결정하는 것(320)을 더 포함한다. 프로세싱될 기판에 대한 타깃 레벨은 선행 프로세스로부터의 결과들에 기반하여 미리 결정될 수 있다는 것이 고려된다. 예컨대, 기판 지지 조립체(120)에 대한 타깃 레벨은 가스 분배판(180)과 관련하여 지지 바디(130)의 기판 수용 표면(132) 사이의 평행 정도로서 측정된 지지 바디(130)의 원하는 기울기일 수 있다(도 1a에 도시됨). 원하는 평행 정도는 프로세싱 애플리케이션에 의존하지만, 지지 바디(130)의 기울기는 약 천분의 5인치(five thousandths of an inch) 이하, 이를테면, 약 천분의 3인치 이하, 이를테면, 약 천분의 1인치 이하 내에서 정밀하게 제어될 수 있다는 것이 고려된다. 지지 바디(130)의 기울기는 지지 바디(130)의 기판-수용 표면(132)이 가스 분배판(180)에 실질적으로 평행하도록 이루어질 수 있다는 것이 고려된다. 대안적으로 또는 부가적으로, 지지 바디(130)의 미리 결정된 기울기는 지지 바디(130)(및 그에 따라 그 위에 포지셔닝된 기판)의 최상부 표면이 가스 분배판(180)의 하부 표면과 실질적으로 평행하도록 이루어질 수 있다. 본원에서 사용되는 바와 같은 "실질적으로 평행한"이라는 용어는 평행으로부터 약 천분의 10인치 이내로 배향된 표면을 지칭할 수 있다. 일반적으로, 지지 바디(130)의 원하는 기울기는 프로세스가 기판의 표면에 걸쳐 균일하게 적용되도록 하는 것이라고 고려된다.
[0039] 방법(300)은 가속도계(170)로부터 기판 지지 조립체(120)의 3차원 배향에 대응하는 신호를 수신하는 것(330)을 더 포함한다. 예컨대, 가속도계(170)로부터의 신호들은 3개의 축들 각각을 따른 가속도계(170)의 배향에 대응하는 연속적인 아날로그 또는 디지털 전압 판독들을 포함할 수 있다. 가스 분배판(180)에 대한 기판 지지 조립체(120)의 레벨에 관한 가속도계(170) 배향의 교정에 기반하여, 가속도계(170)로부터의 신호들은 기판 지지 조립체(120)의 실제 레벨이 타깃 레벨과 상이하다는 표시를 제공할 수 있다. 방법(300)은 실제 레벨을 타깃 레벨로 변경하기 위해 기판 지지 조립체(120)의 조정을 결정하는 것(340)을 더 포함한다. 기판 지지 조립체(120)의 3차원 배향을 표시하는 가속도계(170)로부터의 신호들에 기반하여, 제어 모듈(160)은 실제 레벨과 타깃 레벨 사이의 차이에 기반하여 조정을 결정하도록 구성된다. 기판 지지 조립체(120)의 조정은 교정 데이터에 기반한 복수의 레벨링 나사들(114)의 회전 포지션과 관련된 기판 지지 조립체(120)의 기울기의 지식과 조합하여 결정된다. 방법(300)은 기판 지지 조립체(120)의 실제 레벨을 타깃 레벨로 조정하는 것(350)을 더 포함한다. 기판 지지 조립체(120)의 레벨은 위에서 설명된 바와 같이 복수의 액추에이터들(150)을 사용하여 조정된다. 타깃 레벨을 결정하는 것(320), 신호를 수신하는 것(330), 조정을 결정하는 것(340) 및 실제 레벨을 조정하는 것(350)이 제어 모듈(160)을 통해 구현될 수 있다는 것이 고려된다. 방법(300)은 미리 설정된 명령들을 사용하여 자율적으로 구현될 수 있다는 것이 고려된다.
[0040] 도 4는 본 개시내용의 프로세싱 장치로 기판을 프로세싱하기 위한 방법(400)의 다이어그램이다. 방법(400)은 피드포워드 및 피드백 제어 둘 모두의 예시적인 구현을 예시한다. 그러나, 피드포워드 또는 피드백 제어만이 사용될 수 있다는 것이 고려된다. 도 4를 참조하면, 방법(400)은 인-라인 계측 동작(410), 프로세스(420) 및 인-라인 계측 동작(430)을 포함한다. 기판을 프로세싱하기 위한 방법(400)은 프로세스(420) 이전 또는 이후에 하나 이상의 부가적인 프로세스들을 포함할 수 있다는 것이 고려된다. 프로세스들은 증착, 에칭, 열 처리, 세정 또는 폴리싱을 제한없이 포함하는 임의의 적합한 반도체 기판 제작 프로세스를 포함할 수 있다는 것이 고려된다. 프로세스(420)는 본원에서 개시된 장치 및/또는 방법들을 사용할 수 있다는 것이 고려된다.
[0041] 프로세스(420) 이전 및 이후의 인-라인 계측 동작들(410, 430)은 기판의 하나 이상의 성질들의 정량적 측정을 제공한다. 예컨대, 두께, 저항률, 유전 상수 및/또는 굴절률과 같은 성질들에 기반한 선행 프로세스로부터 기판에 대한 결과가 결정될 수 있다. 피드포워드 제어 동안, 프로세스(420)의 제어는 인-라인 계측 동작(410)으로부터의 측정들에 적어도 부분적으로 기반한다. 피드포워드 제어는 프로세스(420)에 선행하는 임의의 계측 동작으로부터의 측정들을 활용할 수 있다는 것이 고려된다.
[0042] 종종, 약 5개 내지 약 25개 기판들의 배치(batch)들이 함께 프로세싱된다. 로트 간 변동(lot to lot variation)으로 인해, 인입 배치들은 때때로 인-라인 계측 동작(410) 동안 정량화될 수 있는 상이한 특성들을 갖는다. 마찬가지로, 동일한 배치 내 기판들 사이의 변동(종종 웨이퍼 간(wafer to wafer) 변동 또는 웨이퍼 내(within wafer) 변동으로서 지칭됨)은 인-라인 계측 동작(410) 동안 정량화될 수 있다. 예컨대, 인-라인 계측 동작들(410, 430)은 두께의 차이들(예컨대, 와전류 센서 또는 광학 측정을 사용함), 재료 층들의 기복(undulation)들, 결함들 및 다른 불균일성의 원인들을 측정한다. 피드포워드 제어 동안, 인-라인 계측 동작(410)으로부터의 측정들은 인입 기판 상의 불균일성을 보상하기 위해 기판 지지 조립체(120)의 레벨을 제어하도록 프로세스(420)에 입력된다. 예컨대, 방법(300)에 대해 설명된 바와 같이 기판 지지 조립체(120)에 대한 타깃 레벨을 결정하는 데 있어 인-라인 계측 동작(410)으로부터의 측정들이 사용될 수 있다는 것이 고려된다. 하나의 특정 예에서, 인-라인 계측 동작(410)은 선행 프로세스로부터 발생된 기판의 두께를 측정한다. 두께는 증착된 재료의 두께, 제거된 재료의 두께, 및/또는 기판의 최하부 측의 두께에 의존할 수 있다는 것이 고려된다. 따라서, 위에서 설명된 바와 같이 기판 지지 조립체(120)의 레벨을 제어함으로써 프로세스(420)에서 배치들 사이 또는 기판들 사이의 두께의 차이들이 수용될 수 있다.
[0043] 피드백 제어 동안, 프로세스(420)의 제어는 인-라인 계측 동작(430)으로부터의 측정들에 적어도 부분적으로 기반한다. 피드백 제어가 프로세스(420)에 뒤따르는 임의의 계측 동작으로부터의 측정들을 활용할 수 있다는 것이 고려된다. 예컨대, 인-라인 계측 동작(430)은 프로세스(420)로부터 발생하는 기판의 성질들을 측정한다. 피드백 제어 동안, 인-라인 계측 동작(430)으로부터의 측정들은 기판 지지 조립체(120)의 레벨을 미세-튜닝하기 위한 프로세스(420)에 입력된다. 예컨대, 인-라인 계측 동작(430)으로부터의 측정들은 기판 지지 조립체(120)에 대한 타깃 레벨을 결정하고 그리고/또는 기판 지지 조립체(120)의 조정을 결정하는 데 사용되어 방법(300)에 대해 설명된 바와 같이 실제 레벨을 타깃 레벨로 변경하는 데 사용될 수 있다는 것이 고려된다.
[0044] 피드포워드 및 피드백 제어 둘 모두 동안 기판 지지 조립체(120)의 레벨은 지지 바디(130)(및 그에 따라 그 위에 포지셔닝된 기판)의 최상부 표면이 가스 분배판(180)의 하부 표면과 실질적으로 평행하도록 조정될 수 있다는 것이 고려된다. 대안적으로 또는 부가적으로, 피드포워드 및 피드백 제어 둘 모두 동안, 기판 형상 및/또는 토포그래피(topography)의 불균일성을 정정하기 위해 기판 지지 조립체(120)의 레벨이 조정될 수 있다는 것이 고려된다.
[0045] 본원에서 개시된 장치 및/또는 방법들은 패턴들이 없는 평평한 또는 블랭킷 기판 또는 테스트 구조들을 갖는 테스트 기판을 사용하여 튜닝될 수 있다는 것이 고려된다. 예컨대, 새로운 프로세싱 장치가 온라인 상태가 되거나 유지보수 후 생산으로 리턴되기 전에 튜닝이 수행될 수 있다. 기판 프로세싱에 대해 설명되었지만, 본원에서 개시된 장치 및/또는 방법들은 프로세싱 장치를 특정 베이스라인 조건들로 세팅하는 것을 보조하는 데 사용될 수 있다는 것이 또한 고려된다.
[0046] 본원에서 사용되는 바와 같이, "내부" 및 "외부"; "위" 및 "아래"; "상부" 및 "하부"; "최상부" 및 "최하부", "수직" 및 "수평", "상향" 및 "하향"; "높은" 및 "낮은"이란 용어들 및 본원에서 사용되는 바와 같은 다른 유사한 용어들은 서로에 대한 상대적 포지션들을 지칭하고 전체 소스/장치의 특정 방향 또는 공간적 배향을 나타내는 것으로 의도되지 않는다. 달리 지정되지 않는 한, "커플링" 및 "~와 커플링된"이라는 용어들은 "~와 직접 커플링된" 또는 "하나 이상의 중간 엘리먼트들 또는 부재들을 통해 커플링된"을 지칭한다.
[0047] 전술한 바가 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들이, 본 개시내용의 기본적인 범위를 벗어나지 않으면서 안출될 수 있다.

Claims (20)

  1. 기판 프로세싱 장치로서,
    챔버 바디;
    스템 및 지지 바디를 포함하는 기판 지지 조립체 ― 상기 지지 바디는 상기 챔버 바디 내에 포지셔닝되고 상기 스템에 커플링됨 ― ;
    상기 챔버 바디의 외측에 배치되고 상기 스템에 커플링되는 브래킷 조립체 ― 상기 브래킷 조립체는 상기 기판 지지 조립체의 레벨을 조정하기 위한 복수의 레벨링 나사들을 가짐 ― ;
    상기 복수의 레벨링 나사들 중 하나에 커플링되는 액추에이터;
    상기 기판 지지 조립체에 커플링된 가속도계 ― 상기 가속도계는 상기 기판 지지 조립체의 배향을 표시하도록 구성됨 ― ; 및
    상기 액추에이터 및 상기 가속도계와 통신하는 제어 모듈을 포함하고, 상기 제어 모듈은,
    상기 가속도계에 의해 표시된 배향에 기반하여 상기 기판 지지 조립체의 레벨을 결정하고; 그리고
    상기 액추에이터를 사용하여 상기 기판 지지 조립체의 레벨을 조정하도록 구성되는,
    기판 프로세싱 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 가속도계는 상기 기판 지지 조립체의 스템 내측에 배치되는,
    기판 프로세싱 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제어 모듈은 상기 프로세싱 동안 상기 챔버 바디가 폐쇄될 때 상기 기판 지지 조립체의 레벨을 조정하도록 구성되는,
    기판 프로세싱 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 액추에이터는 스테퍼 모터인,
    기판 프로세싱 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 액추에이터는 복수의 액추에이터들 중 제1 액추에이터이고, 상기 복수의 레벨링 나사들 각각은 상기 복수의 액추에이터들 중 하나에 의해 독립적으로 조정되는,
    기판 프로세싱 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 기판 지지 조립체의 레벨은 상기 챔버 바디 내에 배치된 가스 분배판과 관련하여 결정되는,
    기판 프로세싱 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 기판 지지 조립체의 레벨을 조정하는 것은 상기 지지 바디의 상부 표면을 상기 가스 분배판의 하부 표면에 실질적으로 평행하게 정렬하는 것을 포함하는,
    기판 프로세싱 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 브래킷 조립체는 위에서 보았을 때 삼각형, 정사각형, 직사각형 또는 사다리꼴 중 적어도 하나의 형상의 브래킷을 포함하고, 상기 복수의 레벨링 나사들은 상기 브래킷에 대해 조정 가능한,
    기판 프로세싱 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 가속도계는 용량성 3-축 가속도계인,
    기판 프로세싱 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 가속도계는 3개의 축들 각각을 따른 상기 가속도계의 배향에 대응하는 전압을 출력하는,
    기판 프로세싱 장치.
  11. 명령들을 저장하는 컴퓨터 판독 가능 매체로서,
    상기 명령들은 시스템의 프로세서에 의해 실행될 때, 상기 시스템으로 하여금,
    기판 지지 조립체에 커플링된 가속도계로부터 신호를 수신하게 하고 ― 상기 신호는 상기 기판 지지 조립체의 3차원 배향에 대응하고, 상기 기판 지지 조립체는 스템 및 지지 바디를 포함하고, 상기 지지 바디는 상기 시스템의 챔버 바디 내에 포지셔닝되고 상기 스템에 커플링되고, 상기 스템은 상기 챔버 바디 외측에 배치된 브래킷 조립체에 커플링됨 ― ;
    상기 기판 지지 조립체의 실제 레벨을 타깃 레벨로 변경하기 위해 상기 신호에 기반하여 상기 기판 지지 조립체의 조정을 결정하게 하고; 그리고
    상기 브래킷 조립체의 복수의 레벨링 나사들 중 하나 이상을 작동시키도록 구성된 액추에이터를 사용하여 상기 기판 지지 조립체의 실제 레벨을 상기 타깃 레벨로 조정하게 하고, 상기 프로세서는 상기 액추에이터 및 상기 가속도계와 통신하는,
    컴퓨터 판독 가능 매체.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 기판 지지 조립체의 실제 레벨은 프로세싱 동안 상기 챔버 바디가 폐쇄될 때 조정되는,
    컴퓨터 판독 가능 매체.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 액추에이터는 복수의 액추에이터들 중 제1 액추에이터이고, 상기 제1 액추에이터를 사용하여 상기 복수의 레벨링 나사들 중 제1 레벨링 나사를 작동시키는 것은 제1 축에 대해 상기 기판 지지 조립체의 실제 레벨을 조정하고, 상기 컴퓨터 판독 가능 매체는 상기 시스템으로 하여금, 상기 제1 축과 상이한 각도로 배향된 제2 축에 대해 상기 기판 지지 조립체의 실제 레벨을 조정하도록 상기 복수의 액추에이터들 중 제2 액추에이터를 사용하여 상기 복수의 레벨링 나사들 중 제2 레벨링 나사를 작동시키게 하는 명령들을 더 포함하는,
    컴퓨터 판독 가능 매체.
  14. 제11 항에 있어서,
    상기 기판 지지 조립체의 실제 레벨은 상기 챔버 바디 내에 배치된 가스 분배판과 관련하여 결정되고, 상기 기판 지지 조립체의 실제 레벨을 상기 타깃 레벨로 조정하는 것은 상기 지지 바디의 상부 표면을 상기 가스 분배판의 하부 표면에 실질적으로 평행하게 정렬하는 것을 포함하는,
    컴퓨터 판독 가능 매체.
  15. 제11 항에 있어서,
    상기 시스템으로 하여금, 선행 프로세스로부터의 결과들에 기반하여 상기 기판 지지 조립체에 대한 타깃 레벨을 결정하게 하는 명령들을 더 포함하는,
    컴퓨터 판독 가능 매체.
  16. 스템 및 지지 바디를 포함하는 기판 지지 조립체 상에 배치된 기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 방법으로서,
    상기 지지 바디는 챔버 바디 내에 포지셔닝되고 상기 스템에 커플링되고, 상기 스템은 상기 챔버 바디 외측에 배치된 브래킷 조립체에 커플링되며, 상기 방법은,
    상기 기판 지지 조립체에 커플링된 가속도계로부터 신호를 수신하는 단계 ― 상기 신호는 상기 기판 지지 조립체의 3차원 배향에 대응함 ― ;
    상기 기판 지지 조립체의 실제 레벨을 타깃 레벨로 변경하기 위해 상기 기판 지지 조립체의 조정을 결정하는 단계; 및
    액추에이터를 사용하여 상기 브래킷 조립체의 복수의 레벨링 나사들 중 하나 이상을 돌림(turning)으로써 상기 기판 지지 조립체의 실제 레벨을 상기 타깃 레벨로 조정하는 단계를 포함하고, 상기 신호를 수신하는 단계, 상기 조정을 결정하는 단계 및 상기 실제 레벨을 조정하는 단계는 상기 액추에이터 및 상기 가속도계와 통신하는 제어 모듈을 통해 구현되는,
    기판 프로세싱 방법.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 기판 지지 조립체의 실제 레벨은 프로세싱 동안 상기 챔버 바디가 폐쇄될 때 조정되는,
    기판 프로세싱 방법.
  18. 제16 항에 있어서,
    상기 액추에이터는 복수의 액추에이터들 중 제1 액추에이터이고, 상기 제1 액추에이터를 사용하여 상기 복수의 레벨링 나사들 중 제1 레벨링 나사를 돌리는 것은 제1 축에 대해 상기 기판 지지 조립체의 실제 레벨을 조정하고, 상기 기판 프로세싱 방법은 상기 제1 축과 상이한 각도로 배향된 제2 축에 대해 상기 기판 지지 조립체의 실제 레벨을 조정하도록 상기 복수의 액추에이터들 중 제2 액추에이터를 사용하여 상기 복수의 레벨링 나사들 중 제2 레벨링 나사를 돌리는 단계를 더 포함하는,
    기판 프로세싱 방법.
  19. 제16 항에 있어서,
    상기 기판 지지 조립체의 실제 레벨은 상기 챔버 바디 내에 배치된 가스 분배판과 관련하여 결정되고, 기판 지지 조립체의 실제 레벨을 상기 타깃 레벨로 조정하는 단계는 상기 지지 바디의 상부 표면을 상기 가스 분배판의 하부 표면에 실질적으로 평행하게 정렬하는 단계를 포함하는,
    기판 프로세싱 방법.
  20. 제16 항에 있어서,
    선행 프로세스로부터의 결과들에 기반하여 상기 기판 지지 조립체에 대한 타깃 레벨을 결정하는 단계를 더 포함하는,
    기판 프로세싱 방법.
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