JP3194465B2 - インクジェット記録ヘッド - Google Patents
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Description
【０００１】本発明は、熱エネルギを利用してインク液
滴を記録媒体に向けて飛翔させる形式のインクジェット
記録ヘッドに関するものである。
滴を記録媒体に向けて飛翔させる形式のインクジェット
記録ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】パルス加熱によってインクの一部を急速
に気化させ、その膨張力によってインク液滴をオリフィ
スから吐出させる方式のインクジェット記録装置は特開
昭４８−９６２２号公報、特開昭５４−５１８３７号公
報等によって開示されている。
に気化させ、その膨張力によってインク液滴をオリフィ
スから吐出させる方式のインクジェット記録装置は特開
昭４８−９６２２号公報、特開昭５４−５１８３７号公
報等によって開示されている。
【０００３】このパルス加熱の最も簡便な方法は発熱抵
抗体にパルス通電することであり、その具体的な方法が
日経メカニカル１９９２年１２月２８日号５８ページ、
及びHewlett-Packard-Journal,Aug.1988で発表されてい
る。これら従来の発熱抵抗体の共通する基本的構成は、
薄膜抵抗体と薄膜導体を酸化防止層で被覆し、この上に
該酸化防止層のキャビテーション破壊を防ぐ目的で、耐
キャビテーション層を１〜２層被覆するというものであ
った。
抗体にパルス通電することであり、その具体的な方法が
日経メカニカル１９９２年１２月２８日号５８ページ、
及びHewlett-Packard-Journal,Aug.1988で発表されてい
る。これら従来の発熱抵抗体の共通する基本的構成は、
薄膜抵抗体と薄膜導体を酸化防止層で被覆し、この上に
該酸化防止層のキャビテーション破壊を防ぐ目的で、耐
キャビテーション層を１〜２層被覆するというものであ
った。
【０００４】この複雑な多層構造を抜本的に簡略化する
ものとして、本出願人が先に出願した特開平０６−７１
８８８号公報に記載のように、前記酸化防止層と耐キャ
ビテーション層を不要とする発熱抵抗体を用いて印字す
る方法がある。
ものとして、本出願人が先に出願した特開平０６−７１
８８８号公報に記載のように、前記酸化防止層と耐キャ
ビテーション層を不要とする発熱抵抗体を用いて印字す
る方法がある。
【０００５】しかし、このプリントヘッドに種々の水性
インクを充填してフルカラー印刷を行っていたところ、
設計寿命を下廻るヘッドが出現することが分かった。そ
こで詳細な検討を行ったところ、寿命的に問題のなかっ
たヘッドのインクは比抵抗が大きい中性の水性インクで
あったこと、設計寿命を下廻るヘッドのインクは比抵抗
が１０2〜１０3Ωcmと小さく、ＰＨ＝８〜９と非中性で
あることが分かった。すなわち、薄膜抵抗体が電蝕によ
って破壊されていたのである。
インクを充填してフルカラー印刷を行っていたところ、
設計寿命を下廻るヘッドが出現することが分かった。そ
こで詳細な検討を行ったところ、寿命的に問題のなかっ
たヘッドのインクは比抵抗が大きい中性の水性インクで
あったこと、設計寿命を下廻るヘッドのインクは比抵抗
が１０2〜１０3Ωcmと小さく、ＰＨ＝８〜９と非中性で
あることが分かった。すなわち、薄膜抵抗体が電蝕によ
って破壊されていたのである。
【０００６】そこで、この問題に対処するため、本発明
者はＴａ−Ｓｉ−ＳｉＯ合金薄膜抵抗体を高温熱酸化処
理することによって、薄くて電気絶縁性に優れた自己酸
化被膜をこの薄膜抵抗体表面に形成する方法を開発した
（特願平０７−４３９６８号参照）。これによって非中
性の電解質水性インクに対しても、電蝕による破壊を完
全に防ぐことができるようになった。
者はＴａ−Ｓｉ−ＳｉＯ合金薄膜抵抗体を高温熱酸化処
理することによって、薄くて電気絶縁性に優れた自己酸
化被膜をこの薄膜抵抗体表面に形成する方法を開発した
（特願平０７−４３９６８号参照）。これによって非中
性の電解質水性インクに対しても、電蝕による破壊を完
全に防ぐことができるようになった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、Ｔａ−Ｓｉ−
ＳｉＯ合金薄膜抵抗体とはいえ、全ての組成でこのよう
な優れた特性を示すものでないことも分かってきた。
ＳｉＯ合金薄膜抵抗体とはいえ、全ての組成でこのよう
な優れた特性を示すものでないことも分かってきた。
【０００８】本発明は、サーマルインクジェットプリン
トヘッドの薄膜抵抗体として不可欠な特性を有する組成
比等の条件を明らかにし、これを利用して高熱効率のプ
リントヘッドを提供することを課題とする。
トヘッドの薄膜抵抗体として不可欠な特性を有する組成
比等の条件を明らかにし、これを利用して高熱効率のプ
リントヘッドを提供することを課題とする。
【０００９】なお、上記抵抗体はＴａ−Ｓｉ−Ｏ系の三
元合金薄膜抵抗体として取り扱うのが良いことが分かっ
たので、以下そのように取り扱うことにする。
元合金薄膜抵抗体として取り扱うのが良いことが分かっ
たので、以下そのように取り扱うことにする。
【００１０】上記課題は、インク吐出口近傍に設けられ
た薄膜抵抗体を有する発熱抵抗体にパルス通電すること
によってインク液路中のインクの一部を急速に気化さ
せ、この気泡の膨張力によって前記インク吐出口から液
滴状インクを吐出させて記録するインクジェット記録ヘ
ッドにおいて、前記薄膜抵抗体は、Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ三元
合金薄膜抵抗体であって、Ｔａ、ＳｉおよびＯの組成
が、Ｔａ、ＳｉおよびＯの三元成分図において、Ｔａの
組成が６４原子％以上８５原子％以下、Ｓｉの組成が５
原子％以上２６原子％以下およびＯの組成が６原子％以
上１５原子％以下の範囲で定まる領域内にある組成であ
ることを特徴とするインクジェット記録ヘッドによって
達成される。
た薄膜抵抗体を有する発熱抵抗体にパルス通電すること
によってインク液路中のインクの一部を急速に気化さ
せ、この気泡の膨張力によって前記インク吐出口から液
滴状インクを吐出させて記録するインクジェット記録ヘ
ッドにおいて、前記薄膜抵抗体は、Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ三元
合金薄膜抵抗体であって、Ｔａ、ＳｉおよびＯの組成
が、Ｔａ、ＳｉおよびＯの三元成分図において、Ｔａの
組成が６４原子％以上８５原子％以下、Ｓｉの組成が５
原子％以上２６原子％以下およびＯの組成が６原子％以
上１５原子％以下の範囲で定まる領域内にある組成であ
ることを特徴とするインクジェット記録ヘッドによって
達成される。
【００１１】前記発熱抵抗体は、Ｎｉ金属薄膜導体を有
するのが好ましく、前記Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ三元合金薄膜抵
抗体は、ＴａとＳｉからなるターゲットを用いた反応性
スパッタリング法によって形成されたものであるのが好
ましい。
するのが好ましく、前記Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ三元合金薄膜抵
抗体は、ＴａとＳｉからなるターゲットを用いた反応性
スパッタリング法によって形成されたものであるのが好
ましい。
【００１２】前記Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ三元合金薄膜抵抗体
は、表面に絶縁性酸化被膜が形成されているのが好まし
い。
は、表面に絶縁性酸化被膜が形成されているのが好まし
い。
【００１３】
【発明の実施の態様】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１４】（ａ）薄膜作成方法と検討した合金薄膜の
組成範囲 先ず、本発明の発熱抵抗体の製造方法と、検討したＴａ
−Ｓｉ−Ｏ三元合金薄膜（以下Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ薄膜とい
う）の組成範囲について述べる。
組成範囲 先ず、本発明の発熱抵抗体の製造方法と、検討したＴａ
−Ｓｉ−Ｏ三元合金薄膜（以下Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ薄膜とい
う）の組成範囲について述べる。
【００１５】Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ薄膜はＤＣスパッタ装置に
よって形成した。この薄膜の成分比、比抵抗、熱酸化特
性等は、薄膜のみを基板上に形成したものを用いて計測
評価した。
よって形成した。この薄膜の成分比、比抵抗、熱酸化特
性等は、薄膜のみを基板上に形成したものを用いて計測
評価した。
【００１６】一方、ＳＳＴ特性（ステップアップストレ
ス試験）、パルス印加試験等には薄膜の形成後、直ちに
同じスパッタ装置内でＮｉ金属薄膜を高速スパッタ法で
約１μｍの厚さに積層し、これをフォトエッチングによ
って所定の発熱抵抗体の形状に加工したものを用いた。
ス試験）、パルス印加試験等には薄膜の形成後、直ちに
同じスパッタ装置内でＮｉ金属薄膜を高速スパッタ法で
約１μｍの厚さに積層し、これをフォトエッチングによ
って所定の発熱抵抗体の形状に加工したものを用いた。
【００１７】具体的には、Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ薄膜は以下の
ように形成した。ＴａとＳｉを所定の面積比（例えばＴ
ａの面積：Ｓｉの面積＝７０：３０）に調整したターゲ
ットを熱酸化したＳｉ基板に対向させ、ＤＣスパッタ装
置の真空槽内に設定した。真空槽内を５×１０~7Torr以
下に排気した後、所定の酸素量を含有するアルゴンガス
を導入し、アルゴンガス分圧１〜３０mTorr、酸素ガス
分圧１×１０~4〜１mTorrの雰囲気のもと、上記ターゲ
ットに４００Ｖ〜１０ｋＶの電圧を印加してグロー放電
を起こし、Ｓｉ基板上に所定の成分を有するＴａ−Ｓｉ
−Ｏ薄膜を反応性スパッタリングにより形成した。Ｔａ
−Ｓｉ−Ｏ薄膜の生成時、Ｓｉ基板は回転させたが、該
Ｓｉ基板のベーキング以外は特別な加熱は行っていな
い。なお、形成したＴａ−Ｓｉ−Ｏ薄膜の膜厚は約１０
００Åであった。
ように形成した。ＴａとＳｉを所定の面積比（例えばＴ
ａの面積：Ｓｉの面積＝７０：３０）に調整したターゲ
ットを熱酸化したＳｉ基板に対向させ、ＤＣスパッタ装
置の真空槽内に設定した。真空槽内を５×１０~7Torr以
下に排気した後、所定の酸素量を含有するアルゴンガス
を導入し、アルゴンガス分圧１〜３０mTorr、酸素ガス
分圧１×１０~4〜１mTorrの雰囲気のもと、上記ターゲ
ットに４００Ｖ〜１０ｋＶの電圧を印加してグロー放電
を起こし、Ｓｉ基板上に所定の成分を有するＴａ−Ｓｉ
−Ｏ薄膜を反応性スパッタリングにより形成した。Ｔａ
−Ｓｉ−Ｏ薄膜の生成時、Ｓｉ基板は回転させたが、該
Ｓｉ基板のベーキング以外は特別な加熱は行っていな
い。なお、形成したＴａ−Ｓｉ−Ｏ薄膜の膜厚は約１０
００Åであった。
【００１８】検討したＴａ−Ｓｉ−Ｏ薄膜の組成は広い
範囲に及んでいるが、ここでは表１に示す１０種類の特
徴的な薄膜について述べる。なお、これら１０種類のＴ
ａ−Ｓｉ−Ｏ薄膜はいずれも上記の製造方法によって生
成されたもので、Ｔａ、ＳｉおよびＯの組成比率は、タ
ーゲットのＴａ／Ｓｉの面積比と酸素分圧を変えること
によって得られたものである。
範囲に及んでいるが、ここでは表１に示す１０種類の特
徴的な薄膜について述べる。なお、これら１０種類のＴ
ａ−Ｓｉ−Ｏ薄膜はいずれも上記の製造方法によって生
成されたもので、Ｔａ、ＳｉおよびＯの組成比率は、タ
ーゲットのＴａ／Ｓｉの面積比と酸素分圧を変えること
によって得られたものである。
【００１９】
【表１】
【００２０】また、表１に示した１０種類の薄膜を、金
属学で一般に用いられている三元系合金の成分比を表す
図表に示したのが図１である。これらの成分比は化学分
析と走査形オージェ電子分光分析によって同定したもの
である。ここに示されている試料のうち、〜はほぼ
一直線状に並んでいるので、各種特性をこの直線に沿っ
た傾向として見ることにし、その上下への変化をと
、及びと(10)の試料から判断することにする。な
お、以下に示す図２、図５、図６、図８及び図１０のグ
ラフの横軸は前記直線に相当する。
属学で一般に用いられている三元系合金の成分比を表す
図表に示したのが図１である。これらの成分比は化学分
析と走査形オージェ電子分光分析によって同定したもの
である。ここに示されている試料のうち、〜はほぼ
一直線状に並んでいるので、各種特性をこの直線に沿っ
た傾向として見ることにし、その上下への変化をと
、及びと(10)の試料から判断することにする。な
お、以下に示す図２、図５、図６、図８及び図１０のグ
ラフの横軸は前記直線に相当する。
【００２１】（ｂ）Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ薄膜の基本的特性 前記１０種類のＴａ−Ｓｉ−Ｏ薄膜の比抵抗を図２に示
す。発熱抵抗体として利用できる比抵抗は０．５ｍΩcm
を下限とすると、〜が合格と言えよう。これに対
し、と(10)の比抵抗は０．２ｍΩcmと小さく、１００
Ω程度の発熱抵抗体を形成するにはＴａ−Ｓｉ−Ｏ薄膜
の厚さが約２００Åとなり、実用困難であるので以下の
評価から除外する。
す。発熱抵抗体として利用できる比抵抗は０．５ｍΩcm
を下限とすると、〜が合格と言えよう。これに対
し、と(10)の比抵抗は０．２ｍΩcmと小さく、１００
Ω程度の発熱抵抗体を形成するにはＴａ−Ｓｉ−Ｏ薄膜
の厚さが約２００Åとなり、実用困難であるので以下の
評価から除外する。
【００２２】これらの薄膜を大気中で熱酸化させた時の
抵抗値変化の様子の一例を、図３（試料）と図４（試
料）に示す。これらはＴａ−Ｓｉ−Ｏ薄膜を大気中で
１０℃／ｍｉｎのスピードで加熱し、最高温度５００℃
で１０分放置後、再び１０℃／ｍｉｎのスピードで冷却
させた時の抵抗変化率を％で示したものである。
抵抗値変化の様子の一例を、図３（試料）と図４（試
料）に示す。これらはＴａ−Ｓｉ−Ｏ薄膜を大気中で
１０℃／ｍｉｎのスピードで加熱し、最高温度５００℃
で１０分放置後、再び１０℃／ｍｉｎのスピードで冷却
させた時の抵抗変化率を％で示したものである。
【００２３】
【数１】
【００２４】この熱酸化処理によってＴａ−Ｓｉ−Ｏ薄
膜はその表面から約１００Åの深さまで酸化され、その
部分の体積も増えて緻密化し、約２００Åの厚さの均質
で無欠陥の絶縁性被膜となることを種々の方法で確認し
ている。そして、一旦熱酸化処理された合金薄膜は５０
０℃以下の再加熱に対して非常に安定となる。これは全
ての試料で確認されているほぼ共通の特性である。
膜はその表面から約１００Åの深さまで酸化され、その
部分の体積も増えて緻密化し、約２００Åの厚さの均質
で無欠陥の絶縁性被膜となることを種々の方法で確認し
ている。そして、一旦熱酸化処理された合金薄膜は５０
０℃以下の再加熱に対して非常に安定となる。これは全
ての試料で確認されているほぼ共通の特性である。
【００２５】試料〜について、上記と同条件で熱酸
化処理を行って室温に戻した時の抵抗値変化を図５に示
す。この結果から、試料及びは熱酸化処理によって
抵抗値がバラツキ易く、発熱抵抗体として利用するのが
難しいことが予想される。
化処理を行って室温に戻した時の抵抗値変化を図５に示
す。この結果から、試料及びは熱酸化処理によって
抵抗値がバラツキ易く、発熱抵抗体として利用するのが
難しいことが予想される。
【００２６】さて、図３及び図４にも見られるように、
この薄膜の３５０℃までの抵抗温度係数は負である。こ
の係数が負の場合、定電圧駆動法が一般的に適用される
インクジェットデバイスでは、発熱抵抗体の温度が上昇
するに従って発熱抵抗体の抵抗値が減少し、投入される
電力が自動的に増加する。すなわち、この負の係数の値
が大きいと発熱抵抗体は暴走し易く、信頼性は低下す
る。従って、試料〜をインクジェットデバイスの発
熱抵抗体として用いる場合、図６に示すように、試料
及びは試料〜に比較して不適当と考えられる。こ
れに対し、、は−１４％〜−１８％の範囲にあり、
一応合格と考えて良い。これ以後、とについてはデ
ータは付記するが説明からは除外する。
この薄膜の３５０℃までの抵抗温度係数は負である。こ
の係数が負の場合、定電圧駆動法が一般的に適用される
インクジェットデバイスでは、発熱抵抗体の温度が上昇
するに従って発熱抵抗体の抵抗値が減少し、投入される
電力が自動的に増加する。すなわち、この負の係数の値
が大きいと発熱抵抗体は暴走し易く、信頼性は低下す
る。従って、試料〜をインクジェットデバイスの発
熱抵抗体として用いる場合、図６に示すように、試料
及びは試料〜に比較して不適当と考えられる。こ
れに対し、、は−１４％〜−１８％の範囲にあり、
一応合格と考えて良い。これ以後、とについてはデ
ータは付記するが説明からは除外する。
【００２７】（ｃ）発熱抵抗体の大気中におけるパルス
印加特性 その上面に約２μｍ厚さの熱酸化ＳｉＯ2層を持つＳｉ
基板上に、Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ薄膜とＮｉ金属薄膜を順次積
層形成し、フォトエッチングによって５０μｍ□の発熱
抵抗体を形成した。そして、この発熱抵抗体に、例えば
１．５Ｗ×１００μｓｅｃのパルス電力を５ＫＨｚの周
波数で６０秒間、大気中で印加し、Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ薄膜
のみを５００〜６００℃に加熱して、その表面に絶縁性
酸化被膜を形成した。このパルス熱酸化処理による抵抗
変化は意外に小さく、±３％以内であった。以下、上記
熱処理条件を標準熱処理条件と呼ぶことにする。
印加特性 その上面に約２μｍ厚さの熱酸化ＳｉＯ2層を持つＳｉ
基板上に、Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ薄膜とＮｉ金属薄膜を順次積
層形成し、フォトエッチングによって５０μｍ□の発熱
抵抗体を形成した。そして、この発熱抵抗体に、例えば
１．５Ｗ×１００μｓｅｃのパルス電力を５ＫＨｚの周
波数で６０秒間、大気中で印加し、Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ薄膜
のみを５００〜６００℃に加熱して、その表面に絶縁性
酸化被膜を形成した。このパルス熱酸化処理による抵抗
変化は意外に小さく、±３％以内であった。以下、上記
熱処理条件を標準熱処理条件と呼ぶことにする。
【００２８】一般に熱酸化被膜の絶縁耐圧はバルク値に
近く、本発明においても〜１０Ｖ／１００Åと推定され
る。この発熱抵抗体に印加される実稼動電圧は１５〜２
０Ｖ程度であり、電解質インクを通しての必要耐圧は数
Ｖもあれば充分と推定できる。すなわち、絶縁性酸化被
膜の必要膜厚は数１０Åと考えている。なお、このよう
にパルス通電によって熱酸化させるのは、薄膜導体であ
るＮｉを酸化させないためと、本発明を適用しようとす
る実デバイスでは同一Ｓｉ基板上に形成されているドラ
イバ回路に悪影響を及ぼさない方法となるためである。
近く、本発明においても〜１０Ｖ／１００Åと推定され
る。この発熱抵抗体に印加される実稼動電圧は１５〜２
０Ｖ程度であり、電解質インクを通しての必要耐圧は数
Ｖもあれば充分と推定できる。すなわち、絶縁性酸化被
膜の必要膜厚は数１０Åと考えている。なお、このよう
にパルス通電によって熱酸化させるのは、薄膜導体であ
るＮｉを酸化させないためと、本発明を適用しようとす
る実デバイスでは同一Ｓｉ基板上に形成されているドラ
イバ回路に悪影響を及ぼさない方法となるためである。
【００２９】これ以降の内容は、特に断わらない限りパ
ルス熱酸化処理済みの発熱抵抗体を使用したものであ
る。
ルス熱酸化処理済みの発熱抵抗体を使用したものであ
る。
【００３０】上記のように形成されたＴａ−Ｓｉ−Ｏ薄
膜とＮｉ金属薄膜からなる発熱抵抗体を水性インク中
（イエローインク）に沈めてパルス通電し、ストロボ観
察しながら核沸騰が始まる印加電力を調べたところ、
２．７Ｗ×１μｓｅｃとなることが分かった。そこで、
以下の実験では、約１０％の過電力となる３．０Ｗ×１
μｓｅｃのパルス通電を１０ＫＨｚの繰り返し周波数で
印加する方法を標準パルス印加条件と呼ぶことにする。
膜とＮｉ金属薄膜からなる発熱抵抗体を水性インク中
（イエローインク）に沈めてパルス通電し、ストロボ観
察しながら核沸騰が始まる印加電力を調べたところ、
２．７Ｗ×１μｓｅｃとなることが分かった。そこで、
以下の実験では、約１０％の過電力となる３．０Ｗ×１
μｓｅｃのパルス通電を１０ＫＨｚの繰り返し周波数で
印加する方法を標準パルス印加条件と呼ぶことにする。
【００３１】すなわち、このパルス通電による発熱抵抗
体の到達温度は３００〜３３０℃であり、平均昇温速度
は３×１０8℃／ｓｅｃである。また、このような沸騰
をオープンプール沸騰と呼び、発熱抵抗体の近傍に天井
とか隔壁のある状態で沸騰させることをクローズドプー
ル沸騰と呼ぶことにする。
体の到達温度は３００〜３３０℃であり、平均昇温速度
は３×１０8℃／ｓｅｃである。また、このような沸騰
をオープンプール沸騰と呼び、発熱抵抗体の近傍に天井
とか隔壁のある状態で沸騰させることをクローズドプー
ル沸騰と呼ぶことにする。
【００３２】なお、この発熱抵抗体を空気中で標準パル
ス印加条件で１億パルス連続印加させても、その抵抗変
化は２〜３％以内であり、耐パルス性と耐酸化性に優れ
ていることは確認済みである。
ス印加条件で１億パルス連続印加させても、その抵抗変
化は２〜３％以内であり、耐パルス性と耐酸化性に優れ
ていることは確認済みである。
【００３３】（ｄ）水性インク中での耐電蝕性とＳＳＴ
評価 まず、この発熱抵抗体の耐電蝕性のみを評価するために
次のような実験を行った。すなわち、標準パルス印加条
件のうち、印加電力のみを２．５Ｗに下げて水性インク
中で連続印加試験を行った。この場合、印加電圧は実駆
動電圧の９１％であり、充分な電蝕試験となっているこ
とが分かる。
評価 まず、この発熱抵抗体の耐電蝕性のみを評価するために
次のような実験を行った。すなわち、標準パルス印加条
件のうち、印加電力のみを２．５Ｗに下げて水性インク
中で連続印加試験を行った。この場合、印加電圧は実駆
動電圧の９１％であり、充分な電蝕試験となっているこ
とが分かる。
【００３４】この印加条件では核沸騰は発生せず、キャ
ビテーション破壊も起こっていない。１億パルスまでの
この非発泡試験に〜の全試料が合格し、抵抗値は全
く変化しなかった。すなわち、絶縁性熱酸化被膜はＴａ
−Ｓｉ−Ｏ薄膜を電蝕から完全に防護し、保護膜を持た
ないＮｉ金属薄膜の電極は正極のみが若干電蝕される
が、導体として何らの不都合も認められなかった。
ビテーション破壊も起こっていない。１億パルスまでの
この非発泡試験に〜の全試料が合格し、抵抗値は全
く変化しなかった。すなわち、絶縁性熱酸化被膜はＴａ
−Ｓｉ−Ｏ薄膜を電蝕から完全に防護し、保護膜を持た
ないＮｉ金属薄膜の電極は正極のみが若干電蝕される
が、導体として何らの不都合も認められなかった。
【００３５】なお正極側のＮｉ金属薄膜については、本
発明者の発明になる特願平０７−４３９６８号に記載し
た耐熱性隔壁でこの正極をカバーする方法を採用する
と、その電蝕も完全に防護することが可能である。
発明者の発明になる特願平０７−４３９６８号に記載し
た耐熱性隔壁でこの正極をカバーする方法を採用する
と、その電蝕も完全に防護することが可能である。
【００３６】次に、この発熱抵抗体のインク中での過負
荷耐力をステップアップストレス試験（以下ＳＳＴとい
う）で評価した。ここでのＳＳＴ評価とは、深さ３００
μｍの水性インクのオープンプールで、ヒータに１μｓ
ｅｃの印加パルスを２ＫＨｚの周波数で１ステップ１０
4パルス印加し、各ステップ毎に抵抗値の変化を計測し
て破断するまで印加電力を増大させる評価方法である。
印加電力は０．２Ｗ／ステップで増大させた。
荷耐力をステップアップストレス試験（以下ＳＳＴとい
う）で評価した。ここでのＳＳＴ評価とは、深さ３００
μｍの水性インクのオープンプールで、ヒータに１μｓ
ｅｃの印加パルスを２ＫＨｚの周波数で１ステップ１０
4パルス印加し、各ステップ毎に抵抗値の変化を計測し
て破断するまで印加電力を増大させる評価方法である。
印加電力は０．２Ｗ／ステップで増大させた。
【００３７】その一例として、試料の結果を図７に示
す。約２．７Ｗから核沸騰が始まっているので、この３
〜４倍の印加電力まで試料は耐えられることが分か
る。すなわち、実稼動状態にあるこのヒータに異常電圧
が印加されても、破壊に至るまでには充分大きな余裕が
見込めるのである。他の試料についての結果も含めて図
８に示すが、特に〜の組成範囲が高い信頼性を有し
ていると判断できる。
す。約２．７Ｗから核沸騰が始まっているので、この３
〜４倍の印加電力まで試料は耐えられることが分か
る。すなわち、実稼動状態にあるこのヒータに異常電圧
が印加されても、破壊に至るまでには充分大きな余裕が
見込めるのである。他の試料についての結果も含めて図
８に示すが、特に〜の組成範囲が高い信頼性を有し
ていると判断できる。
【００３８】（ｅ）水性インクのオープンプール沸騰で
の寿命評価 ３００μｍの深さの水性インクのオープンプール沸騰の
条件で発熱抵抗体の耐キャビテーション性を評価した。
パルス印加条件は標準パルス印加条件であり、ヒータの
破壊寸前まで核沸騰が正常に発生していることをストロ
ボ観察によるモニタで確認している。なお、試験に使用
した水性インクはイエローインクのほか、市販のインク
ジェットデバイスに使用されている数種類の電解質イン
クであるが、寿命試験の結果に差異は認められなかっ
た。また、インクのＰＨがアルカリ性か酸性かによる差
異も認められなかった。更に顔料タイプと染料タイプの
インクによる差異も認められなかった。
の寿命評価 ３００μｍの深さの水性インクのオープンプール沸騰の
条件で発熱抵抗体の耐キャビテーション性を評価した。
パルス印加条件は標準パルス印加条件であり、ヒータの
破壊寸前まで核沸騰が正常に発生していることをストロ
ボ観察によるモニタで確認している。なお、試験に使用
した水性インクはイエローインクのほか、市販のインク
ジェットデバイスに使用されている数種類の電解質イン
クであるが、寿命試験の結果に差異は認められなかっ
た。また、インクのＰＨがアルカリ性か酸性かによる差
異も認められなかった。更に顔料タイプと染料タイプの
インクによる差異も認められなかった。
【００３９】試料に関するこの寿命試験の結果を図９
に示す。
に示す。
【００４０】ここで、ａは試料に標準熱処理条件での
熱処理は行わず、その代り大気中での標準パルス印加条
件（３．０Ｗ×１μｓｅｃ、１０ＫＨｚ）で１０分間印
加しただけの試料である。すなわち、発熱抵抗体のピー
ク温度が３３０℃前後と推定されるパルス加熱を６×１
０6回実施しただけである。一方、ｂは標準熱処理条件
よりもピーク温度の低い１．２Ｗ×１００μｓｅｃのパ
ルス電力を５ＫＨｚの周波数で６０秒間、大気中で印加
したものである。ｃは標準熱処理条件で熱酸化処理を行
ったものである。
熱処理は行わず、その代り大気中での標準パルス印加条
件（３．０Ｗ×１μｓｅｃ、１０ＫＨｚ）で１０分間印
加しただけの試料である。すなわち、発熱抵抗体のピー
ク温度が３３０℃前後と推定されるパルス加熱を６×１
０6回実施しただけである。一方、ｂは標準熱処理条件
よりもピーク温度の低い１．２Ｗ×１００μｓｅｃのパ
ルス電力を５ＫＨｚの周波数で６０秒間、大気中で印加
したものである。ｃは標準熱処理条件で熱酸化処理を行
ったものである。
【００４１】以上、同一組成のＴａ−Ｓｉ−Ｏ合金薄膜
抵抗体について、その熱酸化処理温度を変えてその絶縁
性酸化被膜の厚さを変え、この被膜の耐キャビテ−ショ
ン性を評価した。
抵抗体について、その熱酸化処理温度を変えてその絶縁
性酸化被膜の厚さを変え、この被膜の耐キャビテ−ショ
ン性を評価した。
【００４２】驚くべきことに、高々数１０Å程度と推定
される極薄の低温熱酸化被膜でも、２０００万回を越え
るキャビテーション破壊に耐えているのである。勿論、
１５００万パルスを越えるとヒータ面の中央部にはキャ
ビテーションによる破壊痕が認められた。そしてこの耐
キャビテーション性は、絶縁性酸化被膜がより厚いｂ、
ｃの試料程高くなっていることは図９に示されている通
りである。但し、最も厚い酸化被膜の試料ｃの場合でも
高々１００Å程度の厚さとなっている。
される極薄の低温熱酸化被膜でも、２０００万回を越え
るキャビテーション破壊に耐えているのである。勿論、
１５００万パルスを越えるとヒータ面の中央部にはキャ
ビテーションによる破壊痕が認められた。そしてこの耐
キャビテーション性は、絶縁性酸化被膜がより厚いｂ、
ｃの試料程高くなっていることは図９に示されている通
りである。但し、最も厚い酸化被膜の試料ｃの場合でも
高々１００Å程度の厚さとなっている。
【００４３】なお、同一ロットの同じ組成の試料でも、
オープンプール沸騰での寿命は気泡の消滅状況の変動の
ために若干のバラツキが見られることが良く知られてお
り、図９のｃのデータにもバラツキが存在している。こ
のバラツキも含めた平均寿命を図１０に示す。試料、
、の寿命はキャビテーション破壊によることがその
ヒータ面から判断できるが、、、（勿論、
も）の破断は導体薄膜近傍で発生しており、別の原因に
よるものと推定している。
オープンプール沸騰での寿命は気泡の消滅状況の変動の
ために若干のバラツキが見られることが良く知られてお
り、図９のｃのデータにもバラツキが存在している。こ
のバラツキも含めた平均寿命を図１０に示す。試料、
、の寿命はキャビテーション破壊によることがその
ヒータ面から判断できるが、、、（勿論、
も）の破断は導体薄膜近傍で発生しており、別の原因に
よるものと推定している。
【００４４】（ｆ）実用型ヘッドにおける寿命評価 試料の発熱抵抗体を用い、３６０ｄｐｉ（７０μｍピ
ッチ）のトップシュータタイプの実用型ヘッドを製作し
て水性インクを充填し、標準パルス印加条件で１億回の
連続インク吐出実験を行ったが、インクの吐出状況に何
らの変化も認められなかった。ヘッドの製作は本発明者
の発明になる特願平０７−１３５１８５号記載の方法で
行ったが、詳細は省略する。
ッチ）のトップシュータタイプの実用型ヘッドを製作し
て水性インクを充填し、標準パルス印加条件で１億回の
連続インク吐出実験を行ったが、インクの吐出状況に何
らの変化も認められなかった。ヘッドの製作は本発明者
の発明になる特願平０７−１３５１８５号記載の方法で
行ったが、詳細は省略する。
【００４５】この寿命試験を行ったヒータを取り出し、
その表面を詳細に観察したが、何らの異常も認められな
かった。すなわち、水深３００μｍのオープンプール沸
騰では、３０００〜４０００万パルスから光顕観察が可
能となるキャビテーション破壊痕が、実用型ヘッドでは
１億パルス印加しても全く認められないのである。これ
は既にL.S.Changら(Proc.9th Intern.Congr.on Adv.in
Non-Impact PrintingTech./Japan Hardcopy'93,Yokoham
a(1993)241)によって指摘されているように、実用型ヘ
ッドのようなクローズドプール沸騰では、気泡の収縮が
周囲条件によって抑制され、キャビテーション破壊力が
大幅に低下するので長寿命化が可能となるのである。
その表面を詳細に観察したが、何らの異常も認められな
かった。すなわち、水深３００μｍのオープンプール沸
騰では、３０００〜４０００万パルスから光顕観察が可
能となるキャビテーション破壊痕が、実用型ヘッドでは
１億パルス印加しても全く認められないのである。これ
は既にL.S.Changら(Proc.9th Intern.Congr.on Adv.in
Non-Impact PrintingTech./Japan Hardcopy'93,Yokoham
a(1993)241)によって指摘されているように、実用型ヘ
ッドのようなクローズドプール沸騰では、気泡の収縮が
周囲条件によって抑制され、キャビテーション破壊力が
大幅に低下するので長寿命化が可能となるのである。
【００４６】これを更に確かめるため、１９９５年時点
の最新モデルの市販プリンタに使用されているヘッドを
用いて同様の実験を行った。ヘッドはサイドシュータタ
イプ（Ａ社）とトップシュータタイプ（Ｂ社）で、両者
共、１億回のインク吐出でヒータ面にはキャビテーショ
ン破壊痕は光顕観察では認められなかった。この両者の
ヒータを水深３００μｍのオープンプールで寿命評価し
たところ、１５００万〜３０００万パルス（Ａ社）、１
５００万〜７０００万パルス（Ｂ社）で破断し、いづれ
も１０００万〜１５００万パルスからキャビテーション
破壊痕が観察可能となることを確認している。
の最新モデルの市販プリンタに使用されているヘッドを
用いて同様の実験を行った。ヘッドはサイドシュータタ
イプ（Ａ社）とトップシュータタイプ（Ｂ社）で、両者
共、１億回のインク吐出でヒータ面にはキャビテーショ
ン破壊痕は光顕観察では認められなかった。この両者の
ヒータを水深３００μｍのオープンプールで寿命評価し
たところ、１５００万〜３０００万パルス（Ａ社）、１
５００万〜７０００万パルス（Ｂ社）で破断し、いづれ
も１０００万〜１５００万パルスからキャビテーション
破壊痕が観察可能となることを確認している。
【００４７】以上の結果から、図１０のオープンプール
沸騰寿命の合格ラインを１５００万パルスとすると、図
１０内に記した矢印の範囲の組成が合格となる。
沸騰寿命の合格ラインを１５００万パルスとすると、図
１０内に記した矢印の範囲の組成が合格となる。
【００４８】以上の結果から総合的に判断すると、図１
に示す組成範囲が実ヘッドでのインク吐出に１億パルス
以上の寿命を有するものであると結論付けられる。すな
わち、原子％表示で、６４％≦Ｔａ≦８５％、５％≦Ｓ
ｉ≦２６％、６％≦Ｏ≦１５％の範囲である。
に示す組成範囲が実ヘッドでのインク吐出に１億パルス
以上の寿命を有するものであると結論付けられる。すな
わち、原子％表示で、６４％≦Ｔａ≦８５％、５％≦Ｓ
ｉ≦２６％、６％≦Ｏ≦１５％の範囲である。
【００４９】なお、Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ三元合金薄膜抵抗体
の唯一の公知例である特開昭６２−１６７０５６号公報
はサーマルヘッド用発熱抵抗体に用いられる合金薄膜で
ある。それに適する組成として特許請求している範囲は
図１１に示すＢの領域であり、本願の主張するＡの領域
とは全く別組成のものである。この相違は、耐摩耗保護
層等を被覆することを前提としたサーマルヘッドに対
し、この種の保護層を全く用いないことを前提としてい
ること、インクジェットは電解質インクに触れると共に
キャビテーション破壊にもさらされていること、などを
信頼性良く達成させなければならないことに起因してい
る。
の唯一の公知例である特開昭６２−１６７０５６号公報
はサーマルヘッド用発熱抵抗体に用いられる合金薄膜で
ある。それに適する組成として特許請求している範囲は
図１１に示すＢの領域であり、本願の主張するＡの領域
とは全く別組成のものである。この相違は、耐摩耗保護
層等を被覆することを前提としたサーマルヘッドに対
し、この種の保護層を全く用いないことを前提としてい
ること、インクジェットは電解質インクに触れると共に
キャビテーション破壊にもさらされていること、などを
信頼性良く達成させなければならないことに起因してい
る。
【００５０】（ｇ）熱効率と加熱・冷却特性 既に述べたように、本発明のヒータは１μｓｅｃのパル
ス幅で２．７Ｗ／５０μｍ□の印加電力から核沸騰を始
められるので、余裕をとって３．０Ｗ×１μｓｅｃを標
準パルス印加条件としている。これに対し厚い保護層を
必要とするＡ、Ｂ両社の発熱抵抗体は、５０μｍ□ヒー
タに換算して５．０Ｗ×３．５μｓｅｃのパルスを印加
し、５〜６倍のエネルギを投入しなければならない。イ
ンクの吐出に必要なエネルギはこれらの１／１００〜１
／１０００と言われているので、ほとんど全てのエネル
ギは基板加熱に消費され、基板の強制冷却が必要となっ
ている。本発明の波及効果の第１は低消費電力化であ
り、第２はこの強制冷却の不要化である。
ス幅で２．７Ｗ／５０μｍ□の印加電力から核沸騰を始
められるので、余裕をとって３．０Ｗ×１μｓｅｃを標
準パルス印加条件としている。これに対し厚い保護層を
必要とするＡ、Ｂ両社の発熱抵抗体は、５０μｍ□ヒー
タに換算して５．０Ｗ×３．５μｓｅｃのパルスを印加
し、５〜６倍のエネルギを投入しなければならない。イ
ンクの吐出に必要なエネルギはこれらの１／１００〜１
／１０００と言われているので、ほとんど全てのエネル
ギは基板加熱に消費され、基板の強制冷却が必要となっ
ている。本発明の波及効果の第１は低消費電力化であ
り、第２はこの強制冷却の不要化である。
【００５１】発熱抵抗体表面の必要到達温度はいずれの
場合も同じ約３００℃であるので本発明の発熱抵抗体の
昇温速度は約３００℃／１μｓｅｃ＝３×１０8℃／ｓ
ｅｃである。一方、Ａ、Ｂ両社の発熱抵抗体の昇温速度
は、約３００℃／３．５μｓｅｃ＝０．８６×１０8℃
／ｓｅｃより保護層の厚さの分だけ遅く、約０．７×１
０8℃／ｓｅｃ程度と推定される。発熱抵抗体の昇温速
度をこれより速くするにはより大きな印加電力を投入
（パルス巾を短くできる）しなければならないが、印加
する電圧と電流が非常に大きくなり、実用的範囲を越え
てしまうので困難である。他方、本願の発熱抵抗体は更
に高電圧化、短パルス化が可能であり、１×１０9℃／
ｓｅｃも実用範囲である。すなわち、インクの吐出特性
は発熱抵抗体の加熱速度が速い程良いと言われている
が、本願の発熱抵抗体はこれを容易に達成できる。これ
が第３の波及効果である。
場合も同じ約３００℃であるので本発明の発熱抵抗体の
昇温速度は約３００℃／１μｓｅｃ＝３×１０8℃／ｓ
ｅｃである。一方、Ａ、Ｂ両社の発熱抵抗体の昇温速度
は、約３００℃／３．５μｓｅｃ＝０．８６×１０8℃
／ｓｅｃより保護層の厚さの分だけ遅く、約０．７×１
０8℃／ｓｅｃ程度と推定される。発熱抵抗体の昇温速
度をこれより速くするにはより大きな印加電力を投入
（パルス巾を短くできる）しなければならないが、印加
する電圧と電流が非常に大きくなり、実用的範囲を越え
てしまうので困難である。他方、本願の発熱抵抗体は更
に高電圧化、短パルス化が可能であり、１×１０9℃／
ｓｅｃも実用範囲である。すなわち、インクの吐出特性
は発熱抵抗体の加熱速度が速い程良いと言われている
が、本願の発熱抵抗体はこれを容易に達成できる。これ
が第３の波及効果である。
【００５２】第４の波及効果はヒータの冷却速度の速さ
である。発熱抵抗体表面の冷却速度がヒートシンクであ
るＳｉ基板までの距離に逆比例して速くなる（実際には
もっと大きな差である）ことから、厚い保護層が熱障壁
の一つとして付加される従来型発熱抵抗体に比べ、数倍
の冷却速度を本願の発熱抵抗体は達成できている。これ
はリフィルされるインクの再加熱等の不安定要因を削除
する重要な条件である。
である。発熱抵抗体表面の冷却速度がヒートシンクであ
るＳｉ基板までの距離に逆比例して速くなる（実際には
もっと大きな差である）ことから、厚い保護層が熱障壁
の一つとして付加される従来型発熱抵抗体に比べ、数倍
の冷却速度を本願の発熱抵抗体は達成できている。これ
はリフィルされるインクの再加熱等の不安定要因を削除
する重要な条件である。
【００５３】このように本願の発熱抵抗体は、保護層を
不要化できる直接的な製造コストの削減効果だけでな
く、多くの重要な波及効果を達成できるものとなってい
る。
不要化できる直接的な製造コストの削減効果だけでな
く、多くの重要な波及効果を達成できるものとなってい
る。
【００５４】
【発明の効果】上記のように構成された発熱抵抗体は、
電解質で非中性の水性インク中でも電蝕されず、１億パ
ルス以上のインク吐出に問題なく耐え得る。また、この
薄膜抵抗体表面に形成されている数１０Åという非常に
薄い自己酸化被膜は、従来技術の３〜４μｍ厚さの保護
層と比べても同等以上の耐キャビテーション性を示す。
すなわち、本発明における薄膜抵抗体は、それ自身の耐
パルス性と耐酸化性に加え、極薄の自己酸化被膜が耐電
蝕性と耐キャビテーション性を本抵抗体に与えるのであ
る。そして更に、インク吐出に必要な印加エネルギを１
／５〜１／１０に低減し、しかも高速で安定したインク
の吐出に必要な超高速の加熱速度まで容易に実現させる
ことが出来る。
電解質で非中性の水性インク中でも電蝕されず、１億パ
ルス以上のインク吐出に問題なく耐え得る。また、この
薄膜抵抗体表面に形成されている数１０Åという非常に
薄い自己酸化被膜は、従来技術の３〜４μｍ厚さの保護
層と比べても同等以上の耐キャビテーション性を示す。
すなわち、本発明における薄膜抵抗体は、それ自身の耐
パルス性と耐酸化性に加え、極薄の自己酸化被膜が耐電
蝕性と耐キャビテーション性を本抵抗体に与えるのであ
る。そして更に、インク吐出に必要な印加エネルギを１
／５〜１／１０に低減し、しかも高速で安定したインク
の吐出に必要な超高速の加熱速度まで容易に実現させる
ことが出来る。
【００５５】このように本発明によれば、ヒータ上に保
護層を積層させることが不要となり、ヒータの製造コス
トを大幅に削減できる。またこれによって、熱効率は５
〜６倍に向上し、インクジェットデバイスの冷却負荷を
５〜６分の１に解消できる。更に、インクの加熱速度を
５〜１０倍に、ヒータ冷却速度を２〜３倍にすることが
でき、インクの吐出特性を改善できる。
護層を積層させることが不要となり、ヒータの製造コス
トを大幅に削減できる。またこれによって、熱効率は５
〜６倍に向上し、インクジェットデバイスの冷却負荷を
５〜６分の１に解消できる。更に、インクの加熱速度を
５〜１０倍に、ヒータ冷却速度を２〜３倍にすることが
でき、インクの吐出特性を改善できる。
【図１】本願で検討したＴａ−Ｓｉ−Ｏ三元合金薄膜の
組成を示す三元成分図
組成を示す三元成分図
【図２】試料〜(10)の比抵抗を示すグラフ
【図３】試料の熱処理過程の抵抗変化を示すグラフ
【図４】試料の熱処理過程の抵抗変化を示すグラフ
【図５】試料〜の抵抗変化（％）を示すグラフ
【図６】試料〜の熱酸化後の抵抗温度係数を示すグ
ラフ
ラフ
【図７】試料のＳＳＴ特性を示すグラフ
【図８】試料〜の水性インク中のＳＳＴ破断電力を
示すグラフ
示すグラフ
【図９】試料の水性インクオープンプール沸騰での寿
命試験結果を示すグラフ
命試験結果を示すグラフ
【図１０】試料〜の水性インクオープンプール沸騰
での寿命試験結果を示すグラフ
での寿命試験結果を示すグラフ
【図１１】サーマルプリンタ用Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ三元合金
組成範囲（Ｂ）と本願の組成範囲（Ａ）を示す三元成分
図。
組成範囲（Ｂ）と本願の組成範囲（Ａ）を示す三元成分
図。
フロントページの続き (72)発明者 町田 治 茨城県ひたちなか市武田1060番地 日立 工機株式会社内 (72)発明者 清水 一夫 茨城県ひたちなか市武田1060番地 日立 工機株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−71888（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−61582（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B41J 2/05 B41J 2/16
Claims (4)
- 【請求項１】インク吐出口近傍に設けられた薄膜抵抗体
を有する発熱抵抗体にパルス通電することによってイン
ク液路中のインクの一部を急速に気化させ、この気泡の
膨張力によって前記インク吐出口から液滴状インクを吐
出させて記録するインクジェット記録ヘッドにおいて、 前記薄膜抵抗体は、Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ三元合金薄膜抵抗体
であって、Ｔａ、ＳｉおよびＯの組成が、Ｔａ、Ｓｉお
よびＯの三元成分図において、Ｔａの組成が６４原子％
以上８５原子％以下、Ｓｉの組成が５原子％以上２６原
子％以下およびＯの組成が６原子％以上１５原子％以下
の範囲で定まる領域内にある組成であることを特徴とす
るインクジェット記録ヘッド。 - 【請求項２】前記発熱抵抗体は、Ｎｉ金属薄膜導体を有
する請求項１に記載のインクジェット記録ヘッド。 - 【請求項３】前記Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ三元合金薄膜抵抗体
は、ＴａとＳｉからなるターゲットを用いた反応性スパ
ッタリング法によって形成されたものである請求項１ま
たは２に記載のインクジェット記録ヘッド。 - 【請求項４】前記Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ三元合金薄膜抵抗体
は、表面に絶縁性酸化被膜が形成されている請求項１〜
３のいずれかに記載のインクジェット記録ヘッド。
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| US7448729B2 (en) * | 2005-04-04 | 2008-11-11 | Silverbrook Research Pty Ltd | Inkjet printhead heater elements with thin or non-existent coatings |
| SG187483A1 (en) * | 2008-11-10 | 2013-02-28 | Silverbrook Res Pty Ltd | Printhead with increasing drive pulse to counter heater oxide growth |
| US9469107B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-10-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Thermal inkjet printhead stack with amorphous metal resistor |
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| WO2016018284A1 (en) | 2014-07-30 | 2016-02-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Amorphous metal alloy electrodes in non-volatile device applications |
Family Cites Families (46)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH538755A (fr) * | 1970-05-26 | 1973-06-30 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif d'ajustage de la valeur d'une résistance à une valeur déterminée |
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| JPS5345698A (en) * | 1976-10-07 | 1978-04-24 | Asahi Glass Co Ltd | Preventive method for leakage of current in electrolytic cell plant of alkali chloride |
| JPS53110374A (en) * | 1977-03-08 | 1978-09-27 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5439529A (en) * | 1977-09-05 | 1979-03-27 | Hitachi Ltd | Transfer control system for magnetic bubble element and the like |
| JPS5451837A (en) * | 1977-09-30 | 1979-04-24 | Ricoh Co Ltd | Ink jet head device |
| JPS5459936A (en) * | 1977-10-03 | 1979-05-15 | Canon Inc | Recording method and device therefor |
| US4345262A (en) * | 1979-02-19 | 1982-08-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet recording method |
| JPS5931943B2 (ja) * | 1979-04-02 | 1984-08-06 | キヤノン株式会社 | 液体噴射記録法 |
| US4313124A (en) * | 1979-05-18 | 1982-01-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid jet recording process and liquid jet recording head |
| JPS5761582A (en) * | 1980-10-01 | 1982-04-14 | Toshiba Corp | Thermal printing head method of manufacutre thereof |
| US4429321A (en) * | 1980-10-23 | 1984-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid jet recording device |
| GB2104452B (en) * | 1981-06-29 | 1985-07-31 | Canon Kk | Liquid jet recording head |
| JPS5882770A (ja) * | 1981-11-13 | 1983-05-18 | Hitachi Ltd | 感熱記録ヘツド |
| JPS5884401A (ja) * | 1981-11-13 | 1983-05-20 | 株式会社日立製作所 | 抵抗体 |
| JPS59199256A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-12 | Canon Inc | 液体噴射記録方法 |
| US4535343A (en) * | 1983-10-31 | 1985-08-13 | Hewlett-Packard Company | Thermal ink jet printhead with self-passivating elements |
| US4532530A (en) * | 1984-03-09 | 1985-07-30 | Xerox Corporation | Bubble jet printing device |
| US4663640A (en) * | 1984-07-20 | 1987-05-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Recording head |
| JPH0647291B2 (ja) * | 1984-08-17 | 1994-06-22 | 京セラ株式会社 | サ−マルヘツド |
| JPS61107542U (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-08 | ||
| JPS61159701A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-19 | 株式会社東芝 | サ−マルヘツドおよびその製造方法 |
| US4719478A (en) * | 1985-09-27 | 1988-01-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Heat generating resistor, recording head using such resistor and drive method therefor |
| JPS62152860A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-07 | Canon Inc | 液体噴射記録ヘツド |
| JPH0712689B2 (ja) * | 1986-01-20 | 1995-02-15 | 京セラ株式会社 | サ−マルヘツド |
| JPS62240558A (ja) * | 1986-04-14 | 1987-10-21 | Canon Inc | 液体噴射記録ヘツド |
| DE3717294C2 (de) * | 1986-06-10 | 1995-01-26 | Seiko Epson Corp | Tintenstrahlaufzeichnungskopf |
| US4931813A (en) * | 1987-09-21 | 1990-06-05 | Hewlett-Packard Company | Ink jet head incorporating a thick unpassivated TaAl resistor |
| JP2612580B2 (ja) * | 1987-12-01 | 1997-05-21 | キヤノン株式会社 | 液体噴射記録ヘッド及び該ヘッド用基板 |
| JPH01190459A (ja) * | 1988-01-26 | 1989-07-31 | Ricoh Co Ltd | 液体噴射記録ヘッド |
| US5053787A (en) * | 1988-01-27 | 1991-10-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet recording method and head having additional generating means in the liquid chamber |
| WO1990010089A1 (fr) * | 1989-02-28 | 1990-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Nouvelle substance non monocristalline contenant de l'iridium, du tantale et de l'aluminium |
| WO1990013428A1 (en) * | 1989-05-12 | 1990-11-15 | Eastman Kodak Company | Improved drop ejector components for bubble jet print heads and fabrication method |
| US4951063A (en) * | 1989-05-22 | 1990-08-21 | Xerox Corporation | Heating elements for thermal ink jet devices |
| US4994826A (en) * | 1990-01-19 | 1991-02-19 | Xerox Corporation | Thermal ink jet printhead with increased operating temperature and thermal efficiency |
| JPH03246055A (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-01 | Canon Inc | インクジェット記録装置およびインクジェット記録ヘッドの回復方法 |
| JPH0733091B2 (ja) * | 1990-03-15 | 1995-04-12 | 日本電気株式会社 | インクジェット記録方法及びそれを用いたインクジェットヘッド |
| WO1993009953A1 (en) * | 1991-11-12 | 1993-05-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Polycrystalline silicon-based base plate for liquid jet recording head, its manufacturing method, liquid jet recording head using the base plate, and liquid jet recording apparatus |
| JP3320825B2 (ja) * | 1992-05-29 | 2002-09-03 | 富士写真フイルム株式会社 | 記録装置 |
| JP3573515B2 (ja) * | 1995-03-03 | 2004-10-06 | 富士写真フイルム株式会社 | インク噴射記録ヘッド、記録装置、およびインク噴射記録ヘッドの製造方法 |
| JPH06238933A (ja) * | 1992-07-03 | 1994-08-30 | Hitachi Koki Co Ltd | サーマルプリントヘッド及びサーマルプリンタ |
| US6315398B1 (en) * | 1992-10-21 | 2001-11-13 | Xerox Corporation | Thermal ink jet heater design |
| US5666140A (en) * | 1993-04-16 | 1997-09-09 | Hitachi Koki Co., Ltd. | Ink jet print head |
| DE19505465A1 (de) * | 1994-02-18 | 1995-08-24 | Hitachi Koki Kk | Thermischer Tintenstrahldrucker |
| US5790154A (en) * | 1995-12-08 | 1998-08-04 | Hitachi Koki Co., Ltd. | Method of manufacturing an ink ejection recording head and a recording apparatus using the recording head |
-
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-
1996
- 1996-12-23 US US08/771,912 patent/US5966153A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-27 DE DE19654568A patent/DE19654568C2/de not_active Expired - Fee Related
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