JP2004216889A - 発熱抵抗体薄膜、これを用いたインクジェットヘッド用基体、インクジェットヘッド及びインクジェット装置 - Google Patents
発熱抵抗体薄膜、これを用いたインクジェットヘッド用基体、インクジェットヘッド及びインクジェット装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004216889A JP2004216889A JP2003431219A JP2003431219A JP2004216889A JP 2004216889 A JP2004216889 A JP 2004216889A JP 2003431219 A JP2003431219 A JP 2003431219A JP 2003431219 A JP2003431219 A JP 2003431219A JP 2004216889 A JP2004216889 A JP 2004216889A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ink jet
- heating resistor
- atomic
- ink
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 72
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 38
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 125
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 56
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 52
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 description 32
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 31
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 229910019974 CrSi Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 8
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910004200 TaSiN Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- 238000001454 recorded image Methods 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910019819 Cr—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
- 235000013619 trace mineral Nutrition 0.000 description 1
- 239000011573 trace mineral Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/015—Ink jet characterised by the jet generation process
- B41J2/04—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand
- B41J2/045—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand by pressure, e.g. electromechanical transducers
- B41J2/05—Ink jet characterised by the jet generation process generating single droplets or particles on demand by pressure, e.g. electromechanical transducers produced by the application of heat
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1601—Production of bubble jet print heads
- B41J2/1603—Production of bubble jet print heads of the front shooter type
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14016—Structure of bubble jet print heads
- B41J2/14088—Structure of heating means
- B41J2/14112—Resistive element
- B41J2/14129—Layer structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1601—Production of bubble jet print heads
- B41J2/1604—Production of bubble jet print heads of the edge shooter type
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1631—Manufacturing processes photolithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1642—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by CVD [chemical vapor deposition]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1646—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by sputtering
Abstract
【解決手段】 Cr:15〜20原子%、Si:40〜60原子%、N:20〜45原子%の組成を有し、これらで100原子%となるか、またはほぼ100原子%となる薄膜を発熱抵抗体として用いる。
【選択図】 なし
Description
以下の組成:
Cr:15〜20原子%
Si:40〜60原子%
N:20〜45原子%
を有し、これらで100原子%となるか、またはほぼ100原子%となることを特徴とするものである。
前記発熱抵抗体が、Cr、Si及びNからなり、以下の組成:
Cr:15〜20原子%
Si:40〜60原子%
N:20〜45原子%
を有し、これらで100原子%となるか、またはほぼ100原子%となる発熱抵抗体薄膜であることを特徴とするものである。この基体における発熱抵抗体薄膜の厚さは、300Å以上、800Å以下であることが好ましい。また、上記の電気熱変換体は、上記発熱抵抗体に通電するための一対の電極を有する構成とすることができる。更に、この基体は、上記の熱エネルギーをインクに作用させる熱作用面を有し、該熱作用面が少なくとも前記発熱抵抗体を覆う保護層により構成されていることが好ましい。また、前記発熱抵抗体を複数有する構成とすることもできる、更に、この基体は、上記発熱抵抗体薄膜が、窒素ガス及びアルゴンガスを含む混合ガス雰囲気中でCrSi合金をターゲットとした反応性スパッタリング法により形成されたものであることが好ましい。
前記発熱抵抗体が、Cr、Si及びNからなり、以下の組成:
Cr:15〜20原子%
Si:40〜60原子%
N:20〜45原子%
を有し、これらで100原子%となるか、またはほぼ100原子%となる発熱抵抗体薄膜であることを特徴とするものである。
Cr:15〜20原子(at)%
Si:40〜60原子%
N:20〜45原子%
を有し、これらで100原子%となるものである。
Cr:17〜20原子%
Si:42〜55原子%
N:28〜40原子%
を有し、これらで100原子%となるか、またはほぼ100原子%となるのがより好ましい。
(薄膜の生産安定性の評価)
CrSiN膜の生産安定性について評価を行った。ターゲット組成Cr30Si70(at%)、パワー350W、ガス圧0.5Paを主なスパッタ条件で窒素分圧を変化させて成膜して、窒素分圧と比抵抗の関係を求めた。(スパッタ装置については図4参照)その結果を図6に示す。この図からわかるように比抵抗は窒素分圧が15%(比抵抗値:〜1700μΩcm)までほぼ比例関係にあり、窒素分圧20%程度までほぼ単調に比抵抗が増加している。このような関係にあることから、比抵抗に対する窒素分圧の変動マージンが大きくなり量産時の生産安定性を考慮すると非常に優れた材料であることがわかった。
実施例1
(図2に示す構成の基体の作製)
まず、シリコン基板2001上に熱酸化により膜厚1.8μmの蓄熱層2002を形成し、更に蓄熱層を兼ねる層間膜2003として、SiO2膜をプラズマCVD法により膜厚1.2μmに形成した。次に、図4に示す装置を用いて、発熱抵抗層2004としてCrSiN膜を膜厚400Å形成した。
比較例1
発熱抵抗層2004を、次のように変更する以外は、実施例1と同様に作製することにより比較例1の基体を得た。すなわち、図4に示す装置により、Ta、Siターゲットを用いた2元同時スパッタリング法により膜厚1000ÅのTaSiN膜を形成した。この時のガス流量は、Arガス45sccm、N2ガス15sccm、窒素ガス分圧25%とし、Taターゲットへの投入パワー500W、Siターゲットへの投入パワー150W、雰囲気温度200℃、基板温度200℃で行った。発熱抵抗層のシート抵抗値は270Ω/□であった。
上記実施例1及び比較例1として作製された基体を用いて、インクを吐出する発泡電圧Vthを求めた。このVthに対して、1.2Vth(発泡電圧の1.2倍)を駆動電圧として、駆動パルス幅2μsec.で駆動させた時の電流値を測定した。すなわち、実施例1では、Vth=36V、電流値は16mAであったのに対し、比較例1ではVth=24V、電流値は35mAであった。この結果から、本発明の実施例1と比較例1の基体を比較すると、電流値は比較例に比べ約1/2となっている。実際のヘッド形態では、同時に駆動させる発熱抵抗体数は複数あるので、比較例に比べてはるかに消費電力が少なくなり、省エネルギー効果が得られることが理解されよう。
更に、以下の条件で発熱抵抗体を駆動させ、破断パルスによる熱ストレス耐久評価を行った。
主な試験条件
駆動周波数:15KHz、駆動パルス幅:1μsec.駆動電圧:発泡電圧×1.2
その結果、実施例1、比較例1ともに4.0×E9(4.0×109)パルスまで破断しなかった。このように、本発明の実施例の基体では短いパルス駆動に対しても十分耐えられることがわかる。さらに耐久性について、以下のようにして作成した比較例2についても同様に評価した。
Cr:15〜20原子(at)%
Si:40〜60原子%
N:20〜45原子%
を有し、これらで100原子%となるものである。ここで、Cr<15原子(at)%、N>45原子(at)%のときには、耐久性が十分でなくなりCr>20原子(at)%、Si>60原子(at)%、N<20原子(at)%のときには、抵抗値が十分に得られないものと考えられる。このことを確認するために以下の評価を行なった。
<インクジェット用特性評価>
さらに、インクジェット記録ヘッド用基体の発熱抵抗体としての特性を評価するため、上述の実施例と同様にして図4に示した装置を使用し、上述した成膜方法により実施例1及び2ともう1つ異なる成膜条件でCrSiN膜を有する図1及び2に示す構造の基体の各発熱抵抗体に対応した位置にインク流路を形成したインクジェット記録ヘッドを作成し、その特性を評価した。
CST評価
サンプル1:Cr14Si51N35(ターゲット組成比:Cr/Si=22.5/77.5、比抵抗値:4500μΩcm)
サンプル2:Cr17Si47N36(ターゲット組成比:Cr/Si=27.5/72.5、比抵抗値:4500μΩcm)
サンプル3:Cr22Si58N20(ターゲット組成比:Cr/Si=30.0/70.0、比抵抗値:1400μΩcm)
サンプル4:Cr18Si50N32(ターゲット組成比:Cr/Si=27.5/72.5、比抵抗値:3000μΩcm)
図5から明らかなように、本願の実施例にあたるサンプル2,4については、抵抗変化率が1.0×109において10%以内となっていたが、本願の比較例にあたるサンプル1,3においては、1.0×109以前に断線してしまっており、耐久性が十分でないことがわかった。
サンプル5:Cr18Si42N40(ρ:4500μΩcm)
サンプル6:Cr20Si42N38(ρ:4100μΩcm)
サンプル7:Cr17Si55N28(ρ:2200μΩcm)
サンプル8: Cr:22 Si:52 N:26%
(ターゲット組成比:Cr/Si=30.0/70.0,ρ:1200μΩcm)
サンプル9: Cr:23 Si:62 N:15%
(ターゲット組成比:Cr/Si=27.5/72.5,ρ:1500μΩcm)
サンプル10: Cr:15 Si:40 N:45%
(ターゲット組成比:Cr/Si=27.5/72.5,ρ:6000μΩcm)
CST試験の結果、本願の実施例にあたるサンプル5,6,7に関しては十分な抵抗値を有するとともに、抵抗変化率が1.0×109において10%以内となっていた。
1002 電気熱変換素子
1003 インク流路
1004 基板
1005 発熱抵抗体
1006 電極配線
1007 絶縁膜
1008 流路壁
1009 共通液室
2000 基体
2001 シリコン基板
2002 蓄熱層
2003 層間膜
2004 発熱抵抗層
2005 金属配線
2006 保護層
2007 耐キャビテーション膜
2008 熱作用部
4001 ターゲット
4002 平板マグネット
4003 基板ホルダー
4004 基板
4005 内部ヒーター
4006 電源
4007 排気ポンプ
4008 外部ヒーター
4009 成膜室
4010 ガス導入口
4011 シャッター
Claims (7)
- Cr、Si及びNからなる発熱抵抗体薄膜であって、
以下の組成:
Cr:15〜20原子%
Si:40〜60原子%
N:20〜45原子%
を有し、これらで100原子%となるか、またはほぼ100原子%となることを特徴とする発熱抵抗体薄膜。 - 基板と、該基板上に設けられた、Cr、Si及びNからなる発熱抵抗体薄膜であって、
以下の組成:
Cr:15〜20原子%
Si:40〜60原子%
N:20〜45原子%
を有し、これらで100原子%となるか、またはほぼ100原子%となる発熱抵抗体薄膜と、を有することを特徴とするインクジェットヘッド用基体。 - Cr、Si及びNからなる発熱抵抗体薄膜であって、
以下の組成:
Cr:15〜20原子%
Si:40〜60原子%
N:20〜45原子%
を有し、これらで100原子%となるか、またはほぼ100原子%となる発熱抵抗体薄膜が発生する熱エネルギーを利用してインクを吐出することを特徴とするインクジェットヘッド。 - 前記発熱抵抗体薄膜はCr、Si及びNが99.5原子%以上100原子%未満であり、残りが不純物からなることを特徴とする請求項3に記載のインクジェットヘッド。
- 前記発熱抵抗体薄膜の膜厚は、200Å以上、1000Å以下であることを特徴とする請求項3に記載のインクジェットヘッド。
- 前記発熱抵抗体薄膜の膜厚は、300Å以上、800Å以下であることを特徴とする請求項5に記載のインクジェットヘッド。
- Cr、Si及びNからなる発熱抵抗体薄膜であって、
以下の組成:
Cr:15〜20原子%
Si:40〜60原子%
N:20〜45原子%
を有し、これらで100原子%となるか、またはほぼ100原子%となる発熱抵抗体薄膜が発生する熱エネルギーを利用してインクを吐出するインクジェットヘッドと、
該インクジェットヘッドを搭載するための部材と、
を具備することを特徴とするインクジェット装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003431219A JP2004216889A (ja) | 2002-12-27 | 2003-12-25 | 発熱抵抗体薄膜、これを用いたインクジェットヘッド用基体、インクジェットヘッド及びインクジェット装置 |
KR1020030098019A KR20040060814A (ko) | 2002-12-27 | 2003-12-27 | 발열 저항 소자 필름, 이를 이용하는 잉크 제트 헤드용기판, 잉크 제트 헤드, 및 잉크 제트 장치 |
US10/745,607 US7055937B2 (en) | 2002-12-27 | 2003-12-29 | Heat generating resistant element film, substrate for ink jet head utilizing the same, ink jet head and ink jet apparatus |
EP03029887A EP1433608B1 (en) | 2002-12-27 | 2003-12-29 | Heat generating resistant element film, substrate for ink jet head utilizing the same, ink jet head and ink jet apparatus |
CNB2003101242705A CN100357105C (zh) | 2002-12-27 | 2003-12-29 | 喷墨头及喷墨装置 |
DE60310358T DE60310358T8 (de) | 2002-12-27 | 2003-12-29 | Wärmeerzeugendes Schichtwiderstandselement, dieses verwendendes Tintenstrahldruckkopf-Substrat, Tintenstrahldruckkopf und Tintenstrahlgerät |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002380582 | 2002-12-27 | ||
JP2003431219A JP2004216889A (ja) | 2002-12-27 | 2003-12-25 | 発熱抵抗体薄膜、これを用いたインクジェットヘッド用基体、インクジェットヘッド及びインクジェット装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004216889A true JP2004216889A (ja) | 2004-08-05 |
Family
ID=32473757
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003431219A Pending JP2004216889A (ja) | 2002-12-27 | 2003-12-25 | 発熱抵抗体薄膜、これを用いたインクジェットヘッド用基体、インクジェットヘッド及びインクジェット装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7055937B2 (ja) |
EP (1) | EP1433608B1 (ja) |
JP (1) | JP2004216889A (ja) |
KR (1) | KR20040060814A (ja) |
CN (1) | CN100357105C (ja) |
DE (1) | DE60310358T8 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110094102A1 (en) * | 2007-01-08 | 2011-04-28 | Lexmark International, Inc. | Micro-Fluid Ejection Devices, Methods for Making Micro-Fluid Ejection Heads, And Micro-Fluid Ejection Head Having High Resistance Thin Film Heaters |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100560717B1 (ko) * | 2004-03-11 | 2006-03-13 | 삼성전자주식회사 | 잉크젯 헤드 기판, 잉크젯 헤드 및 잉크젯 헤드 기판의제조방법 |
JP4646602B2 (ja) * | 2004-11-09 | 2011-03-09 | キヤノン株式会社 | インクジェット記録ヘッド用基板の製造方法 |
KR100809595B1 (ko) * | 2006-09-13 | 2008-03-04 | 세메스 주식회사 | 박막 히터 및 박막 히터를 제조하는 방법 |
WO2015156820A1 (en) | 2014-04-11 | 2015-10-15 | Hewlett-Packard Development Company, L. P. | Generate non-uniform electric field to maintain pigments in ink vehicle of printing fluid in nozzle region of printhead |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1127227A (en) * | 1977-10-03 | 1982-07-06 | Ichiro Endo | Liquid jet recording process and apparatus therefor |
US4429321A (en) * | 1980-10-23 | 1984-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid jet recording device |
US4591821A (en) * | 1981-06-30 | 1986-05-27 | Motorola, Inc. | Chromium-silicon-nitrogen thin film resistor and apparatus |
US4510178A (en) * | 1981-06-30 | 1985-04-09 | Motorola, Inc. | Thin film resistor material and method |
US4392992A (en) * | 1981-06-30 | 1983-07-12 | Motorola, Inc. | Chromium-silicon-nitrogen resistor material |
JPH0710601B2 (ja) * | 1987-08-26 | 1995-02-08 | 株式会社日立製作所 | 感熱ヘツド |
EP0350961B1 (en) * | 1988-07-15 | 2000-05-31 | Denso Corporation | Method of producing a semiconductor device having thin film resistor |
EP0393976B1 (en) * | 1989-04-18 | 1994-07-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate for ink jet head, ink jet head formed by use of said substrate, and ink jet apparatus equipped with said head |
JP3026656B2 (ja) * | 1991-09-30 | 2000-03-27 | 株式会社デンソー | 薄膜抵抗体の製造方法 |
US6527813B1 (en) * | 1996-08-22 | 2003-03-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet head substrate, an ink jet head, an ink jet apparatus, and a method for manufacturing an ink jet recording head |
JP3554148B2 (ja) | 1996-08-22 | 2004-08-18 | キヤノン株式会社 | インクジェット記録ヘッド用基体、インクジェット記録ヘッド及びインクジェット記録装置 |
US6336713B1 (en) * | 1999-07-29 | 2002-01-08 | Hewlett-Packard Company | High efficiency printhead containing a novel nitride-based resistor system |
JP3576888B2 (ja) * | 1999-10-04 | 2004-10-13 | キヤノン株式会社 | インクジェットヘッド用基体、インクジェットヘッド及びインクジェット装置 |
JP3720689B2 (ja) * | 2000-07-31 | 2005-11-30 | キヤノン株式会社 | インクジェットヘッド用基体、インクジェットヘッド、インクジェットヘッドの製造方法、インクジェットヘッドの使用方法およびインクジェット記録装置 |
-
2003
- 2003-12-25 JP JP2003431219A patent/JP2004216889A/ja active Pending
- 2003-12-27 KR KR1020030098019A patent/KR20040060814A/ko active Search and Examination
- 2003-12-29 US US10/745,607 patent/US7055937B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-29 EP EP03029887A patent/EP1433608B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-29 CN CNB2003101242705A patent/CN100357105C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-29 DE DE60310358T patent/DE60310358T8/de active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110094102A1 (en) * | 2007-01-08 | 2011-04-28 | Lexmark International, Inc. | Micro-Fluid Ejection Devices, Methods for Making Micro-Fluid Ejection Heads, And Micro-Fluid Ejection Head Having High Resistance Thin Film Heaters |
US8968527B2 (en) * | 2007-01-08 | 2015-03-03 | Funai Electric Co., Ltd | Micro-fluid ejection devices, methods for making micro-fluid ejection heads, and micro-fluid ejection head having high resistance thin film heaters |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1513672A (zh) | 2004-07-21 |
CN100357105C (zh) | 2007-12-26 |
DE60310358T2 (de) | 2007-10-31 |
EP1433608A1 (en) | 2004-06-30 |
US20040179084A1 (en) | 2004-09-16 |
EP1433608B1 (en) | 2006-12-13 |
US7055937B2 (en) | 2006-06-06 |
DE60310358T8 (de) | 2008-02-14 |
DE60310358D1 (de) | 2007-01-25 |
KR20040060814A (ko) | 2004-07-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100229123B1 (ko) | 잉크 제트 헤드 기판, 잉크 제트 헤드, 잉크 제트 장치 및 잉크제트 기록 헤드 제조 방법 | |
JP3576888B2 (ja) | インクジェットヘッド用基体、インクジェットヘッド及びインクジェット装置 | |
JP2004216889A (ja) | 発熱抵抗体薄膜、これを用いたインクジェットヘッド用基体、インクジェットヘッド及びインクジェット装置 | |
JP3710364B2 (ja) | インクジェットヘッド | |
JP2003127375A (ja) | 発熱抵抗体膜、記録ヘッド用基体、記録ヘッド及び記録装置 | |
JP3554148B2 (ja) | インクジェット記録ヘッド用基体、インクジェット記録ヘッド及びインクジェット記録装置 | |
JP3155423B2 (ja) | 発熱抵抗体、該発熱抵抗体を備えた液体吐出ヘッド用基体、該基体を備えた液体吐出ヘッド、及び該液体吐出ヘッドを備えた液体吐出装置 | |
US7140721B2 (en) | Heat generating resistive element, substrate for liquid discharge head having the heat generating resistive element, liquid discharge head, and manufacturing method therefor | |
JP2865943B2 (ja) | インクジェットヘッド、その製造方法及びそれを用いたインクジェット記録装置 | |
JP2004209751A (ja) | 発熱抵抗体薄膜、それを用いたインクジェットヘッド及びインクジェット装置、ならびにこれらの製造方法 | |
US7156499B2 (en) | Heat generating resistive element, substrate for liquid discharge head having the heat generating resistive element, liquid discharge head, and manufacturing method therefor | |
JP2865947B2 (ja) | インクジェットヘッド、その製造方法及びそれを用いたインクジェット記録装置 | |
JP2005186622A (ja) | 発熱抵抗体、該発熱抵抗体を有する液体吐出ヘッド用基体、液体吐出ヘッドおよびその製造方法 | |
JPH11188886A (ja) | インクジェットヘッド用基体の製造方法 | |
JP2006168170A (ja) | 発熱抵抗体膜、その製造方法、それを用いたインクジェットヘッドおよびその製造方法 | |
JP2865946B2 (ja) | インクジェットヘッド、その製造方法及びそれを用いたインクジェット記録装置 | |
JP2866254B2 (ja) | インクジェットヘッド、その製造方法及びそれを用いたインクジェット記録装置 | |
JPH0531903A (ja) | インクジエツトヘツド用基体、これを用いたインクジエツトヘツドおよび該インクジエツトヘツドを具備するインクジエツト装置 | |
JPH07314688A (ja) | インクジェットヘッドおよびインクジェット記録装置 | |
JP2866253B2 (ja) | インクジェットヘッド、その製造方法及びそれを用いたインクジェット記録装置 | |
JP2005186621A (ja) | 発熱抵抗体、該発熱抵抗体を有する液体吐出ヘッド用基体、液体吐出ヘッドおよびその製造方法 | |
JP2865944B2 (ja) | インクジェットヘッド、その製造方法及びそれを用いたインクジェット記録装置 | |
JP2006168169A (ja) | 発熱抵抗体膜その製造方法、それを用いたインクジェットヘッドおよびその製造方法 | |
JP2006168168A (ja) | 発熱抵抗体膜その製造方法、それを用いたインクジェットヘッドおよびその製造方法 | |
JPH10114072A (ja) | インクジェット記録ヘッド用基体、該基体の製造方法、前記基体を有するインクジェット記録ヘッド及び該ヘッドの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040614 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050721 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050803 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051003 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060329 |