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Hintergrund der Erfindung
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Gebiet der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Wärme erzeugendes Schichtwiderstandselement
zur Bildung eines elektrothermischen Wandlerelements, das geeignet
ist als Energieerzeugungseinrichtung zur Abgabe thermischer Energie
für eine
Tintenstrahlvorrichtung einen sogenannten Tintenstrahldrucker zum
Austragen oder Ausstoßen
von Tinte nach einem Tintenstrahlverfahren zwecks Aufzeichnung oder
Druckens eines Zeichens, Symbols oder Bildes auf ein als Papier,
Papierbogen, Stoff oder als anderer Gegenstand vorliegendes Druckmedium,
und betrifft ferner ein Tintenstrahlkopfsubstrat und einen ein elektrothermisches
Wandlerelement verwendenden Tintenstrahlvorrichtung, der ein solches
Wärme erzeugendes
Schichtwiderstandselement verwendet, sowie ein Herstellverfahren
hierfür.
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Stand der
Technik
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Ein
Tintenstrahldrucker hat einen Aufbau, geeignet für den Austrag einer funktionellen
der Aufzeichnung dienenden Flüssigkeit
(nachstehend stellvertretend auch einfach "Tinte" genannt) aus einer Austrag- oder Ausstoßöffnung auf
ein Aufzeichnungsmedium, um so die Aufzeichnung oder den Druck eines
Zeichens, Symbols, Bildes usw. durchzuführen oder eine Zufuhr einer
in der Tinte enthaltenen Komponente auf verschiedenen Oberflächen zu bewerkstelligen.
Für eine
solchen Tintenstrahldrucker ist es typisch, ein Hochgeschwindigkeitsaufzeichnen
eines hochdefinierten Bilds durch Ausstoßen der Tinte als kleine Flüssigkeitströpfchen mit
hoher Geschwindigkeit aus der Austragöffnung zu ermöglichen.
Insbesondere hat eine Tintenstrahlvorrichtung des Typs, bei dem
ein elektrothermisches Wandlerelement als Energie liefernde Einrichtung zum
Erzeugen von zum Tintenaustrag zu nutzender Energie verwendet und
der Tintenaustrag durch Blasenerzeugung mit Hilfe eines solchen
elektrothermischen Wandlerglieds ausgeführt wird, jüngst Aufmerksamkeit erregt,
da er zum Erzielen einer höheren
Definition in dem Bild, einer höheren
Geschwindigkeit beim Drucken, eines kompakteren Aufbaus eines Druckkopfs
und eines Druckers auch zum farbigen Drucken (zum Beispiel US-Patent
Nr. 4,723,129 und US-Patent Nr. 4,740,796) geeignet ist.
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Ein
allgemeiner Aufbau eines Hauptteils eines Wärmesubstrats zur Verwendung
für den
Bau eines Tintenstrahldruckers ist in 1 gezeigt. 2 ist
eine schematische Schnittdarstellung eines Substrats 2000 für einen
Tintenstrahldruckkopf entlang einer Linie 2-2 in einem Teil der
einem in 1 gezeigten Tintenflusspfad
entspricht.
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Der
in 1 gezeigte Tintenstrahldruckkopf ist mit mehreren
Ausstoßöffnungen 1001 versehen und
ein elektrothermisches Wandlerelement 1002 zum Erzeugen
thermischer Energie zum Verwenden zum Ausstoßen von Tinte aus jeder Ausstoßöffnung ist
für jeden
Tintenflusspfad 1003 auf einem Substrat 1004 vorgesehen.
Das elektrothermische Wandlerglied 1002 ist wenigstens
zusammengesetzt aus einem Wärme
erzeugenden Schichtwiderstandselement 1005 und einem damit
verbundenen Elektrodenpaar 1006 zur elektrischen Stromversorgung,
wobei in dem in 1 gezeigten Drucker eine Isolierschicht 1007 als
eine Schutzschicht zum Bedecken wenigstens eines, eine Wärmewirkfläche für die Tinte bildenden
Abschnitts in dem oberen Teil des Wärme erzeugenden Schichtwiderstandselements 1005 angeordnet
ist.
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Ebenso
wird jeder Tintenflusspfad 1003 durch Anfügen einer
Deckplatte, die mehrere Fließpfadwände 1008 in
einer relativen Ausrichtung mit den elektrothermischen Wandlerelementen
usw. integriert trägt,
auf das Substrat 1004, z. B. durch Bildbearbeitung, gebildet.
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Jeder
Tintenflusspfad 1003 kommuniziert an dessen der Ausstoßöffnung 1001 gegenüberliegenden
Ende mit einer gemeinsamen Flüssigkeitskammer 1009,
welche von einem Tintentank (nicht gezeigt) zugeführte Tinte
speichert.
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Die
der gemeinsamen Flüssigkeitskammer 1009 zugeführte Tinte
wird von hier aus jedem Tintenflusspfad 1003 zugeführt und
wird durch Formen eines Meniskus in Nähe der Ausstoßöffnung 1001 darin
zurückgehalten.
In diesem Zustand wird das elektrothermische Wandlerelement 1001 selektiv
angesteuert, um durch die darin erzeugte Wärmeenergie ein schnelles Erwärmen und
Verdampfen der Tinte auf der Wärmewirkfläche zu bewirken
und dadurch die Tinte durch eine einwirkende Kraft auszustoßen.
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Wie
in 2 gezeigt ist, ist ein Substratabschnitt im Tintenstrahldruckkopf
auf einem Siliciumsubstrat 2001 angeordnet, mit einem Aufbau
aus einer Wärmespeicherschicht 2002,
gebildet aus einer thermischen Oxidationsschicht auf der Oberfläche des
Siliciumsubstrats, einer aus einer SiO-Schicht oder einer SiN-Schicht
gebildeten Zwischenschicht 2003, die auch eine Wärmespeicherfunktion
hat, einem Wärme
erzeugenden Widerstandsschichtelement 2004, einer aus einer
Elektrodenschicht aus einem Metall oder einer Legierung wie Al,
Al-Si, Al-Cu usw. gebildeten Metallverdrahtung 2005, einer
aus einer SiO-Schicht, einer SiN-Schicht usw. gebildeten Schutzschicht 2006,
und einer Antikavitationsschicht 2007, welche in dieser
Reihenfolge geschichtet sind. Die Antikavitationsschicht 2007 ist
zum Schützen
der Schutzschicht 2006 vor chemischen und physikalischen
Einflüssen,
die sich aus der Wärmeerzeugung des
Wärme erzeugenden Schichtwiderstandselements 2004 ergeben,
vorgesehen und bildet einen Wärmewirkabschnitt 2008 in
einem die Tinte kontaktierenden Teil. Das in 1 gezeigte
Wärme erzeugende
Widerstandselement 1005 wird durch Exponieren eines vorbestimmten
Abschnitts des Wärme erzeugenden
Schichtwiderstandselements 2004 zwischen den Elektrodenschichten 2005 gebildet.
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Das
in dem Druckkopf des Tintenstrahldruckers mit der vorgenannten Struktur
zu verwendende Wärme
erzeugende Widerstandselement ist im Allgemeinen von dem in einem
thermischen Druckkopf verwendeten Wärme erzeugenden Widerstandselement
verschieden.
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Dies
ist so, weil in einem thermischen Druckkopf eine elektrische Leistung
von ca. 1 W innerhalb eines Zeitraum von 1 ms dem Wärme erzeugenden Widerstandselement
zugeführt
wird, während
in einem Tintenstrahldruckkopf eine elektrische Leistung von 3 bis
4 W innerhalb eines Zeitraums von beispielsweise 7 μs dem Wärme erzeugende
Widerstandselement zugeführt
wird, um die Tinte innerhalb einer kurzen Zeit zu verdampfen. Da
eine solche elektrische Leistung mehrfach größer als die einem thermischen
Druckkopf zugeführte
elektrische Leistung ist, ist das Wärme erzeugende Widerstandselement
des Tintenstrahldruckkopfs im Vergleich zu jenem des thermischen
Druckkopfs innerhalb einer kürzeren
Zeit einem thermischen Stress ausgesetzt.
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Deshalb
ist unter Berücksichtigung
des für den
Tintenstrahldruckkopf spezifischen Ausstoß- und Steuerverfahrens, die
verschieden sind vom Betrieb eines thermischen Druckkopfs ein passendes
Design (Filmdicke, Heizergröße, Form
usw.) für
das Wärme erzeugende
Widerstandselement erforderlich, und es ist bekannt, dass das in
einem thermischen Druckkopf verwendete Wärme erzeugende Widerstandselement
auf den Tintenstrahldruckkopf nicht unmittelbar anwendbar ist.
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Beim
Tintenstrahldrucker wird in jüngster Zeit
zunehmend eine höhere
Funktionalität,
wie eine bessere Bildqualität
und eine höhere
Aufzeichnungsgeschwindigkeit nachgefragt, wie im Vorhergehenden
erklärt
ist. Unter diesen Anforderungen kann eine höhere Bildqualität durch
ein Verfahren zum Vermindern der Größe des Heizers (Wärme erzeugendes Widerstandselement)
erreicht werden, wodurch eine Ausstoßmenge pro Punkt vermindert
und somit die Punktgröße vermindert
wird.
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Ebenso
zum Erreichen einer höheren
Aufzeichnungsgeschwindigkeit kann ein Steuerverfahren mit einem
kürzeren
Impuls als bei der früheren Ansteuerung
verwendet werden, wodurch die Steuerfrequenz erhöht wird.
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Um
jedoch den Heizer in einer Konfiguration mit reduzierter Heizergröße zum Erhalt
einer höheren
Bildqualität
mit hoher Frequenz zu steuern, ist es erforderlich, den Flächenwiderstand
zu erhöhen.
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Es
wird nun Bezug auf die 3A und 3B genommen,
um das Verhältnis
zwischen den verschiedenen Steuerbedingungen als eine Funktion der
Heizergröße schematisch
zu erklären. 3A zeigt
eine Änderung
im Flächenwiderstand
und Strom in dem Wärme
erzeugenden Widerstandselement als eine Funktion einer Steuerimpulsbreite, wenn
die Heizergröße bei konstanter
Steuerspannung von groß (A)
zu klein (B) geändert
wird. Ebenso zeigt 3B den Flächenwiderstand und Strom in dem
Wärme erzeugenden
Widerstandselement als Funktion der Steuerspannung, wenn die Heizergröße bei konstanter
Steuerimpulsbreite geändert
wird.
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Wie
sich aus der Beziehung zwischen den Steuerbedingungen und der Größe des Wärme erzeugenden
Widerstandselements in den 3A und 3B ergibt,
ist es erforderlich, den Flächenwiderstand
zu erhöhen,
um die gleichen Steuerbedingungen wie zuvor mit einer kleineren
Heizergröße zu verwenden.
Auch unter Berücksichtigung
der Energie vermindert ein Steuerverfahren mit einem erhöhten Flächenwiderstand
und einer höheren
Steuerspannung den verbrauchten Strom, wodurch der Energieverbrauch
in von dem Heizer verschiedenen Widerständen vermindert wird, wodurch
eine Energieersparnis erzielt wird. Ein solcher Effekt wird in einer Multi-Düsen-Konfiguration
mit einer Mehrzahl Wärme
erzeugender Widerstandselemente besonders deutlich.
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Somit
offenbart die offengelegte, japanische Patentanmeldung Nr. H10-114071
eine Konfiguration zum Bilden eines Wärme erzeugenden Widerstandselements
des Tintenstrahldruckkopfs mit einer dünnen Schicht aus TaxSiyNz mit
x = 20–80
Atom-%, y = 3–25
Atom-% und z = 10–60
Atom-%, wodurch ein für einen
kleinen Punkt und zu Energieeinsparung geeigneter hoher Widerstand
für die
Wärmeerzeugung in
der Anwendung auf einen Tintenstrahldruckkopf ermöglicht wird.
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Unter
den Eigenschaften, die für
das in dem Tintenstrahldruckkopf zu verwendende Wärme erzeugende
Widerstandselement erforderlich sind, ist zusätzlich zu einem hohen Widerstand
auch die Haltbarkeit eine wichtige Eigenschaft, die gleichzeitig
erfüllt
sein muss.
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Das
Widerstandselement in dem Tintenstrahldruckkopf wiederholt die Wärmeerzeugung durch
hochfrequente elektrische Leistung mit kurzen Impulsen, wobei jeweils
eine Blase in der Tinte entsprechend den Wärmeerzeugungszyklen erzeugt und
dadurch Tinte ausgestoßen
wird. In einem solchen Zustand erreicht das Wärme erzeugende Widerstandselement
eine Temperatur von 600 bis 700°C,
und eine mögliche Änderung
im Widerstand des Widerstandselements bei solchen Wiederholungen
zwischen Raumtemperatur und der hohen Temperatur stellt ein ernsthaftes
Problem beim Tintenausstoß dar.
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Spezieller
gesagt: Da der Tintenstrahldruckkopf generell von einer konstanten
Steuerspannung gesteuert wird, entstehen Probleme, wenn der Widerstand
eine große Änderung
während
der Steuerung erfährt.
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Zum
Beispiel vermindert eine Abnahme des Widerstands die Lebenszeit
des Widerstandselements signifikant durch einen übermäßigen Strom, während eine
Zunahme des Widerstands den Strom vermindert und schließlich der
Tintenausstoß versagt.
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Es
ist deshalb für
die Haltbarkeitskennlinie des Widerstandselements notwendig, dass
das Widerstandselement, auch nach der vom Widerstandselement tatsächlich erfahrenen
Temperaturhysterese, eine minimale Änderung im Widerstand zeigt. Eine
solche Haltbarkeit kann in einem bestimmten Umfang durch eine Bewertung
des Temperaturkoeffizienten des Widerstands (TCR) des Materials
vorhergesagt werden.
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Es
ist bekannt, dass die Haltbarkeit im Allgemeinen besser ist, wenn
der TCR des Widerstandselements sehr klein ist (idealer Weise Null).
Bei der Entwicklung eines Materials für das Widerstandselement ist
es wichtig, gleichzeitig einen hohen Widerstand und die Haltbarkeit
zu realisieren. Die vorgenannten Patentreferenzen beschreiben, dass
ein vorzuziehender TCR durch Auswählen eines spezifischen Widerstands
bei 2500 μΩ·cm oder
weniger erreicht werden kann.
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Jedoch
wird im neueren Trend zu besserer Bildqualität die Beseitigung der Granularität betont, und
zu diesem Zweck ist eine 1 pl nicht übersteigende Ausstoßmenge des
Flüssigkeitströpfchens
erwünscht.
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Um
einen Tintenausstoß mit
einer hohen Steuerfrequenz und mit mehreren Düsen bei einer Ausstoßmenge von
1 pl oder weniger, was weiter unten gefordert wird, zu erzielen,
wird ein Flächenwiderstand
von 700 Ω/☐ oder
höher als
notwendig angesehen, zum Beispiel, für eine Steuerspannung von 24V, eine
Impulsbreite von 1 μs
und eine Heizergröße von 17 × 17 μm, um eine
Temperaturerhöhung
im Druckkopf zu hemmen und den Ausstoß ohne eine Verminderung der
Steuerspannung zu stabilisieren.
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Für TaSiN
offenbaren die vorgenannten Patentreferenzen jedoch die Wahl eines
spezifischen Widerstands von 2500 μΩ·cm oder weniger, um einen
besseren TCR zu erzielen. Anders ausgedrückt, falls das vorgenannte
TaSiN verwendet wird, um den jüngst
geforderten Flächenwiderstand
von 700 Ω/☐ oder
mehr zu erreichen (entsprechend einem spezifischen Widerstand von
3000 μΩ·cm oder
höher),
ergeben sich ein schlechterer TCR und eine ungenügende Haltbarkeit.
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Falls
der Widerstand auf diese Weise erhöht wird, ergeben sich auch
Schwierigkeiten in der Produktivität, zum Beispiel eine Fluktuation
des spezifischen Widerstands.
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Aus
diesem Grund ist es notwendig geworden, ein neues Material zu finden,
das einen höheren Widerstand
und Haltbarkeit gewährleisten
kann. Das neue Material soll auch in der Lage sein, ausreichenden
Produktivitätsspielraum
zu bieten.
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Als
ein Material, welches den vorgenannten Flächenwiderstand hat, offenbaren
die japanische Patentveröffentlichung
Nr. H2-18651, US-Patent Nr. 4,392,992, US-Patent Nr. 4,510,178,
US-Patent Nr. 4591,821, US-Patent Nr. 5,503,878, US-Patent Nr. 6,287,993
Zusammensetzungen einer CrSiN-Schicht. Jedoch lehren oder offenbaren
diese Referenzen überhaupt
nichts darüber,
welche atomare Zusammensetzungen die CrSiN-Schicht als Wärme erzeugendes
Widerstandselement für
das elektrothermische Wandlerelement des Tintenstrahldruckkopfs
brauchbar machen; und eine Zusammensetzung, die auch der Haltbarkeit
genügt,
ist daraus überhaupt
nicht vorbekannt.
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ZUSAMMENFASSUNG
DER ERFINDUNG
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Eine
grundsätzliche
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Lösung der vorgenannten Nachteile
herkömmlicher
Materialien für
das Wärme
erzeugende Widerstandselement eines Tintenstrahldruckkopfs und die
Bereitstellung eines Wärme
erzeugenden Schichtwiderstandselements, das zur Verwendung als ein
Wärme erzeugendes
Widerstandselement geeignet ist und es erlaubt, ein gedrucktes Bild
hoher Qualität über einen
längeren
Zeitraum zu erhalten, sowie eines Herstellungsverfahrens hierfür. Eine
weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung
eines Tintenstrahldruckers mit einem Wärme erzeugenden Schichtwiderstandselement
als ein Wärme
erzeugendes Widerstandselement eines elektrothermischen Wandlerelements,
das einen stabilen Tintenausstoß auch
im Falle eines kleineren Punktausstoßes zum Realisieren eines gedruckten
Bilds mit höherer
Definition oder einer Hochgeschwindigkeitssteuerung zum Realisieren
eines Hochgeschwindigkeitsdrucks ermöglicht, eines bei einer solchen
Konfiguration zu verwendenden Tintenstrahldruckkopfsubstrats und eines
Herstellungsverfahrens hierfür.
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Diese
Aufgaben werden durch den Tintenstrahldruckkopf gemäß Anspruch
1 und den Tintenstrahldrucker gemäß Anspruch 4 gelöst. Die
anderen Ansprüche
betreffen Weiterentwicklungen.
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Für ein solches
Wärme erzeugendes Schichtwiderstandselement,
das bei der vorliegenden Erfindung verwendet wird, ist eine durch
reaktives Sputtern erzeugte Schicht bevorzugt, wobei eine CrSi-Legierung
als Target in einer Mischgasatmosphäre mit Stickstoffgas und Argongas
verwendet wird.
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Ein
Tintenstrahldruckkopfsubstrat der vorliegenden Erfindung, gebildet
aus einem Substrat, das ein elektrothermisches Wandlerelement mit
einem Wärme
erzeugenden Widerstandselement zum Erzeugen von zum Tintenausstoß zu verwendender Wärmeenergie
durch Stromzufuhr trägt,
ist dadurch gekennzeichnet, dass das Wärme erzeugende Widerstandselement
ein Wärme
erzeugendes Schichtwiderstandselement ist, gebildet aus Cr, Si und
N mit der folgenden Zusammensetzung:
Cr: 17 bis 20 Atom-%
Si:
42 bis 55 Atom-% und
N: 28 bis 40 Atom-%,
die sich zu
100 Atom-% oder im Wesentlichen zu 100 Atom-% addieren.
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In
einem solchen Substrat hat das Wärme
erzeugende Schichtwiderstandselement vorzugsweise eine Dicke innerhalb
eines Bereichs von 300 bis 800 Å.
Das vorgenannte elektrothermische Wandlerelement kann eine Konfiguration
mit einem Paar Elektroden zur Stromzufuhr zu dem Wärme erzeugenden Widerstandselement
haben. Das Substrat umfasst auch eine Wärmewirkfläche um zu bewerkstelligen, dass
die Wärmeenergie
auf die Tinte einwirkt. Eine solche Wärmewirkfläche ist vorzugsweise aus einer das
Wärme erzeugende
Widerstandselement bedeckenden Schutzschicht gebildet. Es kann auch
eine Konfiguration mit einer Mehrzahl Wärme erzeugender Widerstandselemente
vorgesehen werden. Ferner wird in dem Substrat das Wärme erzeugende Schichtwiderstandselement
vorzugsweise durch reaktives Sputtern gebildet, wobei eine CrSi-Legierung als
Target in einer gemischten Gasatmosphäre mit Stickstoffgas und Argongas
verwendet wird.
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Eine
weitere Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung betrifft einen Tintenstrahldruckkopf
mit einer Tintenausstoßöffnung zum
Ausstoßen
von Tinte, einen Tintenflusspfad, der mit der Tintenausstoßöffnung kommuniziert,
einer Wärmewirkfläche zum Abgeben
von thermischen Energie zur Verwendung zum Tintenausstoß aus der
Tintenausstoßöffnung und
zur Einwirkung auf die Tinte, und ein elektrothermisches Wandlerelement
mit einem Wärme
erzeugenden Widerstandselement zum Erzeugen der Wärmeenergie
durch Stromzufuhr, wobei diese Ausführungsform dadurch gekennzeichnet
ist, dass das Wärme
erzeugende Widerstandselement ein Wärme erzeugendes Schichtwiderstandselement
ist, gebildet aus Cr, Si und N in der folgenden Zusammensetzung:
Cr:
17 bis 20 Atom-%,
Si: 42 bis 55 Atom-% und
N: 28 bis 40
Atom-%,
welche sich zu 100 Atom-% oder im Wesentlichen zu 100
Atom-% addieren.
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Ein
Tintenstrahldrucker der vorliegenden Erfindung, einschließlich eines
Tintenstrahldruckkopfs zum Ausstoßen von Tinte, und Mittel,
die den Tintenstrahldruckkopf mit einem Drucksignal versorgen, ist dadurch
gekennzeichnet, dass der Tintenstrahldruckkopf die vorgenannte Konfiguration
hat.
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Ein
solcher Drucker kann ausgebildet sein in einer Konfiguration, bei
der ein Schlitten zur Halterung des vorgenannten Tintenstrahldruckkopfs
vorgesehen ist, und kann ein Wärme
erzeugendes Schichtwiderstandselement verwenden, das durch reaktives
Sputtern unter Verwendung einer CrSi-Legierung als Target in einer
Mischgasatmosphäre
mit Stickstoffgas und Argongas hergestellt wird.
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Ein
Herstellverfahren für
das Wärme
erzeugende Schichtwiderstandselement der vorgenannten Zusammensetzung
der vorliegenden Erfindung ist gekennzeichnet durch Bilden des Wärme erzeugenden
Schichtwiderstandselements durch reaktives Sputtern unter Verwendung
einer CrSi-Legierung als Target in einer Mischgasatmosphäre mit Stickstoffgas
und Argongas auf einer vorbestimmten Oberfläche des Substrats. Das Verfahren
kann nach dem Schichtbildungsschritt weiterhin einen Schritt zur Wärmebehandlung
der Schicht umfassen.
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Ein
Herstellverfahren für
das Tintenstrahldruckkopfsubstrat der vorliegenden Erfindung ist
ein Verfahren zum Herstellen des Tintenstrahldruckkopfsubstrats
mit dem vorgenannten Aufbau und dadurch gekennzeichnet, dass es
einen Schritt zum Bilden des Wärme
erzeugenden Schichtwiderstandselements durch reaktives Sputtern
unter Verwendung einer CrSi-Legierung als Target in einer Mischgasatmosphäre mit Stickstoffgas
und Argongas enthält. Das
Verfahren kann nach dem Schichtbildungsschritt ferner einen Schritt
zur Wärmebehandlung
der Schicht enthalten.
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Ein
Herstellverfahren für
den Tintenstrahldrucker der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum
Herstellen eines Tintenstrahldruckers mit dem vorgenannten Aufbau,
und ist dadurch gekennzeichnet, dass es einen Schritt zum Bilden
des Wärme
erzeugenden Schichtwiderstandselements durch reaktives Sputtern
unter Verwendung einer CrSi-Legierung als Target in einer Mischgasatmosphäre mit Stickstoffgas
und Argongas enthält.
Das Verfahren kann nach dem Schichtbildungsschritt ferner einen Schritt
zur Wärmebehandlung
der Schicht enthalten.
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Ein
CrSi-basiertes Material ist bereits als ein Material zum Bilden
des Wärme
erzeugenden Widerstandselements für den thermischen Druckkopf
bekannt, aber es ist noch kein Wissen darüber erlangt worden, welche
elementare Konfiguration und Atomzahlzusammensetzung eines solchen
Materials ein für
das elektrothermische Wandlerelement des Tintenstrahldruckkopfs
geeignetes Wärme
erzeugendes Widerstandselement ergibt, das in der Lage ist, die Aufgaben
der vorliegenden Erfindung zu erfüllen. Die Erfinder habe neues
Wissen darüber
erlangt, dass die vorgenannten Aufgaben der vorliegenden Erfindung durch
Zugeben von N als eine elementare Komponente zu Cr und Si und Annehmen
der vorgenannten spezifischen Atomzahlzusammensetzung erreicht werden
kann, wobei sie die vorliegende Erfindung gemacht haben.
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Erfindungsgemäß kann ein
Wärme erzeugendes
Schichtwiderstandselement als Material für das Wärme erzeugende Widerstandselement
bereit gestellt werden, das ein ausgezeichnetes thermisches Ansprechverhalten
bei einer Steuerung mit einem relativ kurzen Impuls hat, einen hohen
Flächenwiderstand
zu liefern vermag und für
eine weitere Miniaturisierung der Heizergröße geeignet ist. Ebenso ist
es durch Verwenden eines solchen Wärme erzeugenden Schichtwiderstandselements
in einem Wärme
erzeugenden Widerstandselement des elektrothermischen Wandlerelements
möglich,
einen Tintenstrahldrucker, einen darin zu verwendenden Tintenstrahldruckkopf
und ein Substrat zum Bilden eines solchen Tintenstrahldruckkopfs,
wobei ein stabiler Tintenausstoß sogar
im Fall eines kleineren Punkts für
eine höhere
Definition des gedruckten Bilds oder eine Hochgeschwindigkeitssteuerung
für Hochgeschwindigkeitsdrucken
ermöglicht
ist, bereit zu stellen und hierdurch den Verbrauch an elektrischer
Energie zu vermindern und Energie zu sparen.
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Wie
im Vorhergehenden erklärt,
ist ein Wärme
erzeugendes Schichtwiderstandselement der vorliegenden Erfindung,
und sind insbesondere eine Mehrzahl Wärme erzeugender Widerstandselemente,
zum Erzeugen von Wärmeenergie
für den
Tintenausstoß,
aus einer Schicht aus einem Material, nämlich CrSiN mit der Zusammensetzung
Cr: 17 bis 20 Atom-%, Si: 42 bis 55 Atom-% und N: 28 bis 40 Atom-%,
gebildet.
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Das
Wärme erzeugende
Widerstandselement des Tintenstrahldruckkopfs der vorliegenden Erfindung
kann die gewünschte
Haltbarkeit auch bei Steuerung mit kurzem Impuls erreichen und hierdurch über einen
längeren
Zeitraum ein Druckbild mit einer hohen Qualität liefern. Positive und sehr
kleine TCR-Kennlinien
werden als wesentlicher Beitrag für eine solche Leistung angesehen.
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Der
Tintenstrahldruckkopf der vorliegenden Erfindung ermöglicht einen
hohen Wärme
erzeugenden Widerstand, der für
einen kleineren Punkt geeignet ist und ermöglicht eine hohe Energieeffizienz,
wodurch die Wärmeerzeugung
gehemmt und Energie sparen ermöglicht
wird.
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KURZE BESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNGEN
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1 ist
eine schematische Ansicht eines Substrats für einen Tintenstrahldruckkopf;
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2 ist
eine vertikale Schnittansicht des Substrats entlang der strichpunktierten
Linie 2-2 in 1;
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3A und 3B sind
Diagramme, die verschiedene Steuerbedingungen in verschiedenen Heizergrößen zeigen;
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4 ist
eine Ansicht einer Schicht bildenden Vorrichtung zum Erzeugen von
Schichten des Substrats für
einen Tintenstrahldruckkopf der vorliegenden Erfindung;
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5 ist
ein Diagramm, das Ergebnisse eines CST-Tests in einem Beispiel der
vorliegenden Erfindung und einem Vergleichsbeispiel zeigt;
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6 ist
ein Diagramm des spezifischen Widerstandes als Funktion des Stickstoffpartialdrucks
in einer ein Wärme
erzeugendes CrSiN-Schichtwiderstandselement
bildenden Widerstandsschicht;
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7A und 7B sind
Ansichten einer weiteren Ausführungsform
des Tintenstrahldruckkopfs; und
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8 ist
eine Ansicht eines Beispiels eines Tintenstrahldruckers.
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BESCHREIBUNG
DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Ein
Wärme erzeugendes
Schichtwiderstandselement der vorliegenden Erfindung ist gebildet
aus Cr, Si und N mit der folgenden Zusammensetzung:
Cr: 17
bis 20 Atom-%,
Si: 42 bis 55 Atom-% und
N: 28 bis 40 Atom-%,
welche
sich zu 100 Atom-% addieren.
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Das
Wärme erzeugende
Schichtwiderstandselement kann im Rahmen einer Menge, die die gewünschten
Eigenschaften nicht beeinträchtigt,
auch ein von den vorgenannten Elementen verschiedenes Spurenelement
enthalten, und kann eine Schicht sein, in der eine Summe aus Cr,
Si und N im Wesentlichen 100 Atom-% beträgt. Zum Beispiel beträgt der Anteil
der summierten Zahl Atome (Cr + Si + N) in der das Material bildenden
Gesamtzahl Atome vorzugsweise 99,5 Atom-% oder höher und stärker bevorzugt 99,9 Atom-%
oder höher.
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Insbesondere
kann eine Oberfläche
oder ein Inneres der Schicht oxidiert sein oder kann ein Gas in ein
Reaktionsgebiet inkorporieren, während
die Schicht der Luft ausgesetzt ist oder während der Herstellung zum Beispiel
durch Sputtern, jedoch verschlechtert eine solche leichte Oxidation
oder ein Einfangen von Gas wie Ar auf der Oberfläche oder im Innern nicht die
Wirkung. Beispiele einer solchen Verunreinigung umfassen Ar und
wenigstens ein Element, gewählt
aus O, C, Si, B, Na und Cl.
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Im
Falle seiner Verwendung als Wärme
erzeugendes Widerstandselement eines elektrothermischen Wandlerelements
eines Tintenstrahldruckkopfs hat das Wärme erzeugende Schichtwiderstandselement
bevorzugt eine Dicke von 200 bis 1000 Å, stärker bevorzugt 300 bis 800 Å.
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Das
Wärme erzeugende
Schichtwiderstandselement mit der durch die vorgenannten Atomprozente
definierten Zusammensetzung zeigt einen signifikant verbesserten
Flächenwiderstand
und kann eine zufrieden stellende Stabilität bei der Steuerung sicherstellen
wenn es als Wärme
erzeugendes Widerstandselement des elektrothermischen Wandlerelements
des Tintenstrahldruckkopfs verwendet wird. Das Wärme erzeugende Schichtwiderstandselement mit
der vorgenannten Zusammensetzung kann aufgrund eines hohen Flächenwiderstands
zu einem zufrieden stellenden Steuerzustand bei gegebenem Stromverbrauch,
insbesondere bei einem kleineren Strom, führen, und hat vorteilhafte
Eigenschaften in Bezug auf Energieeinsparung und Anwendung auf ein
einen kompakten Tintenstrahldrucker, der eine Batterie mit einem
kleinen Strom verwendet. Ebenso ist das Ansprechverhalten auf ein
Eingangssignal (Ausstoßbefehlssignal)
an das elektrothermische Wandlerelement verbessert, wodurch ein
für das Ausstoßen notwendiger
stabiler Blasenerzeugungs-Zustand erhalten wird.
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Das
Wärme erzeugende
Schichtwiderstandselement der vorgenannten Zusammensetzung kann zum
Bauen eines Tintenstrahldruckkopfs und eines darin zu verwendenden
Substrats verwendet werden, und kann weiterhin einen diese verwendenden Tintenstrahldrucker
bereitstellen.
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Ein
Beispiel für
den Aufbau eines solchen Tintenstrahldruckkopfs umfasst den oben
anhand der 1 und 3 erläuterten
Aufbau. Bei dem Tintenstrahldruckkopfsubstrat der vorliegenden Erfindung und
den dieses verwendenden Tintenstrahldruckers wird das Wärme erzeugende
Schichtwiderstandselement der vorgenannten Zusammensetzung in dem
in 2 gezeigten Wärme
erzeugenden Schichtwiderstandselement verwendet.
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Das
Tintenstrahldruckkopfsubstrat hat einen Grundaufbau mit einer Schutzschicht
auf einem Wärme
erzeugenden Widerstandselement. In einem solchen Fall kann, obgleich
die Wärmeleitungseffizienz zur
Tinte etwas verringert ist, durch eine elektrochemische Reaktion
ein bezüglich
Haltbarkeit des elektrothermischen Wandlerelements und Widerstandsänderung
im Wärme
erzeugenden Widerstandselement weiter verbesserter Tintenstrahldruckkopf
erhalten werden. Unter einem solchen Gesichtspunkt hat die Schutzschicht
vorzugsweise eine gesamte Dicke innerhalb eines Bereichs von 1000 Å bis 5 μm. Beispielsweise
setzt sich die Schutzschicht bevorzugt zusammen aus einer Si-enthaltenden Isolierschicht
wie SiO2 oder SiN auf dem Wärme erzeugenden
Widerstandselement, gefolgt von einer Ta-Schicht, um eine Wärmewirkfläche zu erhalten.
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Das
Tintenstrahldruckkopfsubstrat der vorliegenden Erfindung umfasst
wenigstens einen Aufbau, der, auf einem Substrat, versehen ist mit
einem elektrothermischen Wandlerelement, das ein Wärme erzeugendes
Widerstandselement zum Erzeugen von Wärmeenergie durch Stromzufuhr
zur Verwendung zum Tintenausstoß aufweist
und enthält
weiterhin wenigstens eine Elektrode eines Elektrodenpaars, die mit
dem Wärme
erzeugenden Widerstandselement verbunden ist, und eine Schutzschicht,
die wenigstens das Wärme
erzeugende Widerstandselement bedeckt.
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In
dem in 2 gezeigten Aufbau ist die Elektrodenschicht 2005 auf
das Wärme
erzeugende Schichtwiderstandselement 2004 laminiert, und
das elektrothermische Wandlerelement ist gebildet durch einen exponierten
Abschnitt des Schichtwiderstandselements 2004 zwischen
einem Paar gegenüber
liegender Endabschnitte der Elektrodenschicht 2005; das
Wärme erzeugende
Schichtwiderstandselement mit seinem exponierten Abschnitt hat dann
die Funktion als ein Widerstandselement. Die Lage-Beziehung von
Wärme erzeugendem
Schichtwiderstandselement und der Elektrodenschicht kann auch so sein,
dass die Endabschnitte der Elektrodenschicht unter dem Wärme erzeugenden
Schichtwiderstandselement positioniert sind.
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Ein
Tintenstrahldruckkopf kann durch Ausbilden wenigstens eines wie
in 1 gezeigten Tintenflusspfads in einer Position
entsprechend jeder Wärmewirkfläche des
in 2 gezeigten Substrats erhalten werden. Der Tintenflusspfad
kann mit Hilfe eines bereits bekannten Materials und Verfahrens
erzeugt werden.
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Bei
dem in den 1 und 2 gezeigten Aufbau
kann die Lage-Beziehung von Ausstoßöffnung und Tintenflusspfads
so sein, dass die Tintenzuführrichtung
im Tintenflusspfad und die Tintenausstoßrichtung aus der Ausstoßöffnung im
Wesentlichen zusammenfallen, jedoch ist der Tintenstrahldruckkopf
der vorliegenden Erfindung nicht auf einen solchen Aufbau eingeschränkt und
es kann beispielsweise auch ein Aufbau, wie er in den 7A und 7B gezeigt
ist, angenommen werden, wobei eine durch ein Stützglied 412 gestützte und
einen Teil (Decken-Abschnitt) des Tintenflusspfads bildende Öffnungsplatte 410 mit
mehreren Ausstoßöffnungen 108 versehen
ist und der Ausstoß aus
der Ausstoßöffnung gegenüber der
Tintenzuführrichtung
in den Tintenflusspfad abgewinkelt (in senkrechter Richtung im dargestellten
Beispiel) ist.
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Der
Tintenstrahldruckkopf der vorliegenden Erfindung hat vorzugsweise
einen Aufbau mit einer Tintenausstoßstruktureinheit einschließlich der
Ausstoßöffnung, des
Tintenfließpfads
und des Wärme
erzeugenden Widerstandselements, in mehreren Einheiten, wie in 1 gezeigt
ist. Da das in dem Wärme
erzeugenden Widerstandselement verwendete Wärme erzeugende Schichtwiderstandselement
einen hohen Flächenwiderstand
hat und zur Kompaktisierung geeignet ist, ist die vorliegende Erfindung
im Falle einer Anordnung der Tintenausstoßeinheiten in hoher Dichte,
z.B. 8 Einheiten/mm oder mehr oder 12 Einheiten/mm oder mehr, besonders
effektiv. Ein Beispiel für
die Konfiguration mit solchen in Mehrzahl vorhandener Tintenausstoßstruktureinheiten
ist der so genannte Tintenstrahldruckkopf vom Vollzeilentyp, bei
dem die Tintenausstoßstruktureinheiten über die
gesamte Breite des Druckgebietes eines Aufzeichnungsmaterials angeordnet
sind.
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In
einem solchen Tintenstrahldruckkopf vom Vollzeilentyp, bei dem die
Ausstoßöffnungen über die Breite
des Druckgebietes des Druckmaterials angeordnet sind, nämlich ein
Tintenstrahldruckkopf mit 1000 oder mehr, insbesondere 2000 oder
mehr Ausstoßöffnungen,
beeinträchtigt
eine Fluktuation im Widerstand in den Wärme erzeugenden Abschnitten
innerhalb eines einzelnen Tintenstrahldruckkopfs die Einheitlichkeit
im Volumen der von den Ausstoßöffnungen
ausgestoßenen
Tröpfchen
und führt
somit zu einer Ungleichmäßigkeit
in der Bilddichte. Jedoch vermag das Wärme erzeugende Widerstandselement
der vorliegenden Erfindung einen gewünschten spezifischen Widerstand
bei zufrieden stellender Kontrolle und extrem kleiner Fluktuation
des Widerstands innerhalb eines einzigen Tintenstrahldruckkopfs
bereitzustellen, wodurch der vorgenannte Nachteil in einem signifikant
verbesserten Zustand überführt wird.
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Wie
im Vorhergehenden erklärt,
ist das Wärme
erzeugende Widerstandselement bedeutsam für den jüngsten Trend zu höherer Geschwindigkeit (zum
Beispiel eine Druckgeschwindigkeit von 30 cm/s oder höher oder
sogar 60 cm/s oder höher) und höherer Dichte
für das
Drucken, was nach entsprechender Zunahme der Ausstoßöffnungen
des Tintenstrahldruckkopfs verlangt.
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Bei
einem Tintenstrahldruckkopf mit einem Aufbau, bei dem ein funktionelles
Element in einer Oberfläche
eines Tintenstrahldruckkopfsubstrats strukturell inkorporiert ist,
wie im US-Patent Nr. 4,429,321 offenbart ist, ist es ebenfalls einer
der wichtigsten Punkte, die elektrischen Stromkreise des gesamten
Tintenstrahldruckkopfs exakt wie vorgegeben auszubilden, wodurch
es erleichtert ist, die Funktion des funktionellen Elements im Normalzustand aufrecht
zu erhalten, und auch hier ist in diesem Punkt das Wärme erzeugende
Widerstandselement der vorliegenden Erfindung extrem effektiv. Wie
im Vorhergehenden erklärt,
ist dies so, weil es mit dem Wärme
erzeugenden Widerstandselement der vorliegenden Erfindung möglich ist,
einen gewünschten spezifischen
Widerstand bei zufrieden stellender Kontrolle und extrem kleiner
Fluktuation des Widerstands innerhalb eines einzelnen Tintenstrahldruckkopfs
zu erhalten, und die elektrischen Stromkreise des gesamten Tintenstrahldruckkopfs
genau wie vorgegeben gebildet werden können.
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Zusätzlich ist
das Wärme
erzeugende Widerstandselement der vorliegenden Erfindung extrem
effektiv bei einem Tintenstrahldruckkopf vom Einweg-Kartuschentyp, bei
dem ein die zur Wärmewirkfläche zu liefernde
Tinte speichernder Tintentank integriert angeordnet und falls notwendig
abnehmbar ist. Der Tintenstrahldruckkopf eines solchen Typs soll niedrige
Betriebskosten des gesamten Tintenstrahldruckers, in dem der Tintenstrahldruckkopf
montiert werden soll, ermöglichen,
und das Wärme
erzeugende Widerstandselement der vorliegenden Erfindung kann so
aufgebaut sein, dass es in direkten Kontakt mit der Tinte kommt,
wie im Vorhergehenden erklärt ist,
um eine zufrieden stellende Wärmeübertragungseffizienz
zur Tinte zu erreichen, wodurch der elektrische Stromverbrauch im
gesamten Drucker verringert und das vorgenannte Erfordernis leicht
erfüllt wird.
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Es
kann ebenso nicht nur zum Erzeugen von für den Tintenausstoß erforderlicher
Wärmeenergie verwendet
werden, sondern auch als Heizer, der, falls notwendig, zum Heizen
eines gewünschten
Abschnitts innerhalb des Tintenstrahldruckkopfs vorgesehen ist,
und wird insbesondere vorzugsweise dann verwendet, wenn ein solcher
Heizer in direkten Kontakt mit der Tinte kommt.
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Ein
Tintenstrahldrucker, der zum Hochgeschwindigkeitsdrucken und Bilddrucken
mit einer hohen Bildqualität
geeignet ist, kann durch Montieren des Tintenstrahldruckkopfs des
vorgenannten Aufbaus in einem Hauptkörper des Druckers und Speisen
des Tintenstrahldruckkopfs mit einem Signal des Drucker-Hauptkörpers erhalten
werden.
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8 ist
eine schematische Schrägansicht eines
beispielhaften Tintenstrahldruckers IJRA, bei dem die vorliegende
Erfindung anwendbar ist. Ein Schlitten HC ist mit einem Stift versehen
(nicht gezeigt), der in eine Spiralnut 5004 einer Führungsschraube 5005 greift,
die über
Kraftübertragungsgetrieberäder 5011, 5012 durch
eine Vorwärts-
oder Rückwärtsdrehung
eines Antriebsmotors 5013 gedreht werden, und wird in den
Richtungen a, b hin und her bewegt. Eine Papierandrückplatte 5002 drückt ein
Papier über
die Bewegungsrichtung des Schlittens auf eine Platine 5000.
Photokoppler 5007, 5008 bilden Heimpositionsdetektoren
zum Detektieren der Präsenz
eines Hebels 5006 des Schlittens in diesem Bereich, wodurch
die Drehrichtung des Motors 5013 umgeschaltet wird. Ein
Glied 5016 stützt eine
Kappe 5022 zum Bedecken der gesamten Oberfläche eines
Tintenstrahldruckkopfs IJC vom Kartuschentyp, der einen Tintentank
integriert enthält,
und ein Sauger 5015 zum Saugen des Innern einer solchen
Kappe führt
eine Saugwiederherstellung des Tintenstrahldruckkopfs durch eine Öffnung 5023 in der
Kappe durch.
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Eine
Reinigungsklinge 5017 und ein Glied 5019 zum Bewegen
der Klinge in einer Rückwärts-Vorwärts-Richtung
werden durch eine Stützplatte 5018 des
Hauptkörpers
gestützt.
Die Klinge ist nicht auf eine solche Form eingeschränkt, und
jede bekannte Reinigungsklinge kann bei der vorliegenden Ausführungsform
angewendet werden. Ein Hebel 5012 zum Initiieren des Saugens
der Saugwiederherstellung wird durch eine Bewegung einer in den
Schlitten greifenden Nocke 5020 bewegt und wird durch eine
Antriebskraft des Antriebsmotors durch bekannte Übertragungsmittel wie eine
Kupplung bewegt. Eine CPU (nicht gezeigt) zum Speisen des in dem
Tintenstrahldruckkopf IJC angeordneten, elektrothermischen Wandlerelements
mit einem Signal und zum Steuern der vorgenannten Mechanismen ist
im Hauptkörper
des Druckers angeordnet.
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Das
Vorhergehende erläutert
einen Drucker eines Typs, bei dem ein Tintenstrahldruckkopf auf den
Schlitten montiert ist und eine Scanbewegung relativ zum Druckmedium
ausführt,
jedoch können
der Tintenstrahldruckkopf und der Tintenstrahldrucker der vorliegenden
Erfindung auch als ein Drucker vom Füllertyp aufgebaut sein, bei
dem der Tintenstrahldruckkopf und der Tintentank integriert sind.
Ebenso kann der Tintenstrahldruckkopf versehen sein mit einer Tintenkammer,
in der die dem Tintenflusspfad zuzuführende Tinte enthalten ist
und die, falls notwendig, mehreren Tintenflusspfaden gemeinsam ist,
wobei ein Vollfarbenbild bei Befüllen
der Tintenkammern mit Tinten unterschiedlicher Farben, zum Beispiel Cyan,
Magenta, Gelb und, falls notwendig, Schwarz gedruckt werden kann.
Ebenso kann der die Tinte speichernde Tintentank mit dem Tintenstrahldruckkopf
wie zuvor erklärt
wurde, integriert oder lösbar
mit diesem verbunden sein. Andererseits kann er, falls notwendig,
statt mit dem Tintenstrahldruckkopf verbunden zu sein, mit einem
anderen Teil des Tintenstrahldruckers lösbar verbunden sein.
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Bei
den oben beschriebenen Konfigurationen können auch andere Teile als
das Wärme
erzeugende Widerstandselement mit bereits bekannten Materialien
und Verfahren gebildet werden.
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Das
Wärme erzeugende
Schichtwiderstandselement kann durch verschiedene schichtbildende Verfahren
als Schicht mit der vorgenannten Zusammensetzung, die die vorbestimmten
Eigenschaften befriedigt, hergestellt werden. Unter diesen Verfahren
ist reaktives Sputtern, insbesondere Magnetron-Sputtern mit hochfrequenter
Wechselstromversorgung (RF) oder Gleichstromversorgung (DC) als Stromversorgung,
bevorzugt.
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Zum
Beispiel kann ein Wärme
erzeugendes Schichtwiderstandselement auf einem Substrat durch reaktives
Sputtern mit einer CrSi-Legierung als Target in einer Stickstoffgas
und Argongas umfassenden Gasgemischatmosphäre hergestellt werden.
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4 zeigt
schematisch ein Beispiel einer mit Hilfe reaktiven Sputterns betriebenen
Schichtbildungs-Vorrichtung.
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In 4 sind
gezeigt: ein Cr-Si-Target 4001, das im Voraus in einer
vorbestimmten Zusammensetzung hergestellt wurde; ein flacher Plattenmagnet 4002;
einen Verschluss 4011 zum Steuern der Schichtbildung auf
einem Substrat; ein Substrathalter 4003; ein Substrat 4004;
und eine mit dem Target 4001 und dem Substrathalter 4003 verbundene Stromversorgung 4006.
In 4 ist auch ein externer Heizer 4008 gezeigt,
der eine externe periphere Wand einer Schichtbildungskammer 4009 umgibt. Der
externe Heizer 4008 wird zum Regulieren einer Atmosphärentemperatur
der Schichtbildungskammer 4009 verwendet. Auf einer rückseitigen
Fläche des
Substrathalters 4003 ist ein interner Heizer 4005 zum
Steuern der Temperatur des Substrats angeordnet. Die Temperatursteuerung
des Substrats 4004 wird vorzugsweise in Kooperation mit
dem externen Heizer 4008 durchgeführt.
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Eine
Schichtbildung mit der in 4 gezeigten
Vorrichtung wird in der folgenden Weise durchgeführt.
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Zunächst wird
mit einer nicht dargestellten Absaugpumpe und über ein Absaugventil 4007 die Schichtbildungskammer 4009 auf
1 × 10–5 bis
1 × 10–6 Pa
evakuiert. Dann wird ein Gasgemisch aus Argongas und Stickstoffgas
durch einen Massenflusskontroller (nicht gezeigt) in die Schichtbildungskammer 4009 über eine
Gaseinbringöffnung 4010 eingebracht.
In diesem Zustand wird der interne und der externe Heizer 4005 und 4008 so
reguliert, dass das Substrat und die Atmosphäre vorbestimmte Temperaturen
erreichen.
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Dann
wird elektrische Spannung von der Stromversorgung 4006 an
das Target 4001 angelegt, um eine Sputterentladung zu bewirken,
und der Verschluss 4011 wird eingestellt, um eine Schicht
auf dem Substrat 2004 zu bilden. Die schichtbildenden Bedingungen
werden hierbei so eingestellt, dass die vorgenannte Zusammensetzung
erhalten wird.
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Das
auf dem Substrat gebildete, Wärme
erzeugende Schichtwiderstandselement wird vorzugsweise weiterhin
einer Wärmebehandlung
unterzogen. Die Wärmebehandlung
kann in der Sputter-Vorrichtung kontinuierlich oder als nachträglicher
Schritt in einer weiteren Vorrichtung durchgeführt werden.
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Diese
Wärmebehandlung
erzeugt eine aus CrSi2 in CrSiN gebildete
intermetallische Verbindung, die das Wärme erzeugende Schichtwiderstandselement
bildet, und kann eine Verbesserung in der Haltbarkeit erzielen,
wobei eine solche intermetallische Verbindung thermisch stabil ist
und einen kleinen TCR hat. Basierend auf diesen Tatsachen liegt
das Zusammensetzungsverhältnis
von Cr und Si vorzugsweise nahe 1:2. Es wird angenommen, dass der spezifische
Widerstand durch einen Einschluss von N in einem solchen Zustand
erhöht
wird. Das aus einem solchen Schichtwiderstandselement gebildete Wärme erzeugende
Widerstandselement kann eine gewünschte
Haltbarkeit und eine hohe Energieeffizienz auch im Falle einer kontinuierlichen
Steuerung mit kurzen Impulsen und mit einer kleinen Heizergröße liefern,
wodurch eine Energieeinsparung durch Hemmen von Wärmeerzeugung
und die Bereitstellung eines gedruckten Bilds in hoher Qualität ermöglicht ist.
Das so gebildete Wärme
erzeugende Schichtwiderstandselement kann durch verschiedene Musterungsverfahren,
z.B. ein Trockenätzverfahren,
in einem Zustand, in dem der übrig
zu lassende Abschnitt mit einem Resist-Material bedeckt ist, gebildet
werden, wodurch ein unnötiger
Abschnitt vom Substrat entfernt wird.
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Beispiele
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Im
Folgenden werden Ausführungsformen der
vorliegenden Erfindung durch Beispiele erläutert. Jedoch ist die vorliegende
Erfindung nicht auf diese eingeschränkt, sondern ist auch bei einer
für andere Möglichkeiten
verwendbare Widerstandschicht anwendbar, solange die Aufgaben der
vorliegenden Erfindung erreicht werden können.
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Experiment 1
-
(Untersuchung der Schichtproduktionsstabilität)
-
Eine
Untersuchung der Produktionsstabilität einer CrSiN-Schicht wurde
durchgeführt.
Schichtbildungen wurden durchgeführt,
indem ein Stickstoffpartialdruck bei den Hauptsputterbedingungen
mit einer Targetzusammensetzung von Cr30Si70 (Atom-%), einer Leistung von 350 W und einem
Gasdruck von 0,5 Pa variiert wurde, und es wurde eine Beziehung zwischen
dem Stickstoffpartialdruck und dem spezifischen Widerstand bestimmt
(bezüglich
der Sputter-Vorrichtung wird auf 4 Bezug
genommen). Die Ergebnisse sind in 6 gezeigt.
Wie sich aus dem Diagramm ergibt, ist der spezifische Widerstand ungefähr proportional
zum Stickstoffpartialdruck von bis zu 15% (spezifischer Widerstand:
bis zu ca. 1700 μΩcm) und
nimmt bis zu einem Stickstoffpartialdruck bis zu ca. 20% monoton
zu. Eine solche Beziehung zeigt einen erhöhten Bereich in der Änderung
des Stickstoffpartialdrucks für
den spezifischen Widerstand, und zeigt an, dass sich das Material
bezüglich der
Stabilität
für die
Massenproduktion ausgezeichnet eignet.
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Die
CrSiN-Schicht ist zum Beispiel in der Japanischen Patentveröffentlichung
Nr. H2-18651, US-Patente Nr. 4,392,992, 4,510,178, 4,591,821 usw.
offenbart, jedoch lehren diese Referenzen in keiner Weise, welche
atomare Zusammensetzung als Wärme
erzeugendes Widerstandselement für
das elektrothermische Wandlerelement des Tintenstrahldruckkopfs
nützlich
ist, noch schlagen sie diese vor.
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(Untersuchung des Tintenstrahldruckkopfsubstrats)
-
Beispiel 1
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(Herstellung des Substrats
der in 2 gezeigten Konfiguration)
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Zunächst wurde
auf einem Siliciumsubstrat 2001 eine Wärmespeicherschicht 2002 einer
Dicke von 1,8 μm
durch thermische Oxidation gebildet, und eine auch als Wärmespeicherschicht
dienende SiO2-Schicht wurde als Zwischenschicht 2003 einer Dicke
von 1,8 μm
durch Plasma-CVD erzeugt. Dann wurde mit der in 4 gezeigten
Vorrichtung eine CrSiN-Schicht einer Dicke von 400 Å als Wärme erzeugendes
Schichtwiderstandselement 2004 erzeugt.
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Dieser
Vorgang wurde durchgeführt
mit Gasdurchsätzen
für Ar-Gas:
64 sccm und für
N2-Gas: 20 sccm, einer dem Target Cr30Si70 zugeführten Leistung von
350 W, einer Atmosphärentemperatur
von 200°C und
einer Substrattemperatur von 200°C.
Weiterhin wurde als eine Metallzuleitung 2005 zum Wärme erzeugenden
Schichtwiderstandselement 2004 in der Wärmewirkfläche 2008 eine Al-Cu-Schicht
durch Sputtern in einer Dicke von 5500 Å gebildet.
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Es
wurde dann durch einen photolithographischen Prozess gemustert,
um eine Wärmewirkfläche 2008 von
15 × 40 μm (planare
Größe) zu erzeugen, wobei
die Al-Cu-Schicht entfernt wurde. Als Schutzschicht 2006 wurde
eine SiN-Schicht einer Dicke von 1 μm durch Plasma-CVD erzeugt.
Im vorliegenden Beispiel wurde das Substrat auch ca. 1 Stunde lang bei
400°C warmbehandelt.
Schließlich
wurde als Antikavitationsschicht 2007 eine Ta-Schicht einer
Dicke von 2000 Å durch
Sputtern gebildet, um das Substrat der vorliegenden Erfindung zu
komplettieren. Das Wärme
erzeugende Schichtwiderstandselement mit dem vorgenannten Aufbau
hatte einen Flächenwiderstand
von 910 Ω/☐.
Der TCR betrug ca. 40 ppm/°C.
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In
einer RBS-Zusammensetzungsanalyse hatte das CrSiN ein Zusammensetzungsverhältnis von
Cr: 20 Atom-%, Si: 42 Atom-% und N: 38 Atom-% (RBS ist eine allgemeine
quantitative Analyse für eine
Schichtzusammensetzung und meint Rutherford-Rückstreuung.
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Vergleichsbeispiel 1
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Ein
Substrat des Vergleichsbeispiels 1 wurde in gleicher Weise wie in
Beispiel 1 hergestellt, jedoch mit der Ausnahme, dass das Wärme erzeugende Schichtwiderstandselement
wie folgt geändert
wurde. In der in 4 gezeigten Vorrichtung wurde
ein binäres
simultanes Sputtern mit Ta- und Si-Targets durchgeführt, um
eine TaSiN-Schicht einer Dicke von 1000 Å zu erzeugen.
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Dieser
Vorgang wurde durchgeführt
mit Gasdurchsätzen
für Ar-Gas:
45 sccm und für
N2-Gas: 15 sccm, einem Stickstoffpartialdruck
von 25%, einer dem Si-Target
zugeführten
Leistung von 500 W, einer Atmosphärentemperatur von 200°C und einer
Substrattemperatur von 200°C.
Das Wärme
erzeugende Schichtwiderstandselement hatte einen Flächenwiderstand
von 270 Ω/☐.
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Es
erfolgte eine Untersuchung nach folgenden Punkte auf den in Beispiel
1 und Vergleichsbeispiel 1 erhaltenen Substraten.
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Eine
Blasen erzeugende Spannung Vth für den
Tintenausstoß wurde
mit den in Beispiel 1 und Vergleichsbeispiel 1 hergestellten Substraten
bestimmt. Ebenso wurde ein Strom in einer Steuerung unter Verwendung
einer Steuerspannung von 1,2 Vth gemessen (1,2 mal der Blasenerzeugungsspannung Vth)
und eine Steuerimpulsbreite von 2 μs.
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Beispiel
1 lieferte Vth = 36 V und einen Strom von 16 mA, während Vergleichsbeispiel
1 einen Wert für
Vth = 24 V und einen Strom von 35 mA lieferte.
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Im
Vergleich der Substrate von Beispiel 1 der vorliegenden Erfindung
und Vergleichsbeispiel 1 war, basierend auf diesen Ergebnissen,
der Strom etwa halb so groß wie
der im Vergleichsbeispiel. Da es in einem tatsächlichen Druckkopf mehrere
gleichzeitig zu steuernde Wärme
erzeugende Widerstandselemente gibt, wird der Stromverbrauch viel
kleiner als im Vergleichsbeispiel und liefert somit einen Energiespareffekt.
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(Haltbarkeit)
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Ebenso
erfolgte eine Untersuchung der Haltbarkeit bei thermischer Belastung
durch unterbrochene Impulse, indem das das Wärme erzeugende Widerstandselement
unter den folgenden Bedingungen gesteuert wurde.
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Haupttestbedingungen:
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Steuerfrequenz:
15 kHz, Steuerimpulsbreite: 1 μs,
Steuerspannung: Blasen erzeugende Spannung × 1,2. Als Ergebnis zeigten
Beispiel 1 und Vergleichsbeispiel 1 keinen Bruch bis zu 4,0 × E9 (4,0 × 109) Impulsen. Diese Ergebnisse zeigen, dass
das die vorliegende Erfindung verkörpernde Substrat ausreichend
der kurzen Impulssteuerung standhalten kann.
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Ebenso
wurde eine ähnliche
Bewertung an Vergleichsbeispiel 2 durchgeführt, das in der folgenden Weise
hergestellt wurde.
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Ein
Substrat von Vergleichsbeispiel 2 wurde wie nach Beispiel 1 hergestellt,
mit Ausnahme, dass das Wärme
erzeugende Schichtwiderstandselement 2004 in der folgenden
Weise geändert
wurde. In der in 4 gezeigten Vorrichtung wurde
ein binäres gleichzeitiges
Sputtern mit Ta- und Si-Targets durchgeführt, um eine TaSiN-Schicht
einer Dicke von 1000 Å zu
erzeugen. Dieser Vorgang wurde durchgeführt mit Gasdurchsätzen für Ar-Gas:
42 sccm und für N2-Gas: 18 sccm, einem Stickstoffpartialdruck
von 30%, einer dem Ta-Target zugeführten Leistung von 400 W, einer
dem Si-Target zugeführten
Leistung von 50 bis 200 W, einer Atmosphärentemperatur von 200°C und einer
Substrattemperatur von 200°C.
In einer RBS-Zusammensetzungsanalyse hatte das CrSiN ein Zusammensetzungsverhältnis von
Ta: 32 Atom-%, Si: 6 Atom-% und N: 62 Atom-%. Das Wärme erzeugende
Schichtwiderstandselement in Vergleichsbeispiel 2 hatte einen spezifischen
Widerstand von 9800 μΩcm.
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Das
so hergestellte Substrat von Vergleichsbeispiel 2 zeigte einen Bruch
weit vor 4,0 × E9
(4,0 × 109) Impulsen und zeigte somit eine unzureichende Haltbarkeit,
obgleich der Widerstand ausreichend war.
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Bei
der vorliegenden Erfindung ist als die CrSiN-Schicht hohen und stabilen
Widerstandes das Wärme
erzeugende Schichtwiderstandselement aus Cr, Si und N mit der folgenden
Zusammensetzung gebildet:
Cr: 15 bis 20 Atom-%,
Si: 40
bis 60 Atom-% und
N: 20 bis 45 Atom-%,
welche sich zu
100% addieren.
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Es
wird angenommen, dass die Haltbarkeit unzureichend wird, falls Cr < 15 Atom-% und N > 45 Atom-%, und dass
der Widerstand unzureichend wird, falls Cr > 20 Atom-%, Si > 60 Atom-% und N < 20 Atom-%.
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Die
folgende Bewertung wurde durchgeführt, um diese Punkte zu bestätigen.
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(Bewertung der Eigenschaften
für Tintenstrahl)
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Um
die Eigenschaften als Wärme
erzeugendes Widerstandselement für
ein Substrat für
einen Tintenstrahldruckkopf zu bewerten, wurden Tintenstrahldruckköpfe hergestellt
mit einer CrSiN-Schicht, die hergestellt waren im Schichterzeugungsverfahren
nach dem vorhergehenden Beispiel mit Hilfe der Vorrichtung nach 4 unter
den Schichterzeugungsbedingungen der Beispiele 1 und 2 und mit einer
weiteren Schichterzeugungsbedingung, und versehen mit einem Tintenflusspfad,
der entsprechend zu jedem Wärme
erzeugenden Widerstandselement des Substrats der in 1 und 2 gezeigten Struktur
ausgebildet ist. Dabei wurden die Eigenschaften solcher Köpfe untersucht.
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Ein
Substrat eines Beispiels für
die Untersuchung der Tintenstrahleigenschaften im vorliegenden Beispiel
war ein Si-Substrat wie nach Beispiel 1 oder ein Si-Substrat, in dem
ein Steuer-IC bereits ausgebildet war.
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Im
Falle des Si-Substrats wurde eine SiO2-Wärmespeicherschicht 2002 (2)
einer Dicke von 1,8 μm
durch thermische Oxidation, Sputtern oder CVD hergestellt. Im Falle
des Si-Substrats mit inkorporierter IC wurde die SiO2-Wärmespeicherschicht im betreffenden
Herstellungsprozess mit hergestellt.
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Dann
wurde eine Isolationszwischenschicht 2003 aus SiO2 einer Dicke von 1,2 μm durch Sputtern oder CVD hergestellt,
sodann ein Wärme
erzeugendes Schichtwiderstandselement durch Sputtern mit einem CrSi-Target.
Es wurden eine dem Target zugeführte
Leistung von 350 W, Gasdurchsätze
gemäß Beispiel
1 und eine Substrattemperatur von 200°C verwendet.
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Dann
wurde als Elektrodenverdrahtung 2005 eine Al-Si-Schicht
mit 5500 Å durch
Sputtern erzeugt, die dann mit einem photolithographischen Prozess gemustert
wurde, um einen Wärmewirkungsabschnitt 2008 von
20 × 20 μm zu bilden,
wo die Al-Si-Schicht eliminiert wurde. Dann wurde als Schutzschicht 2006 ein
SiN-Isolator einer Dicke von 1 μm
durch Plasma-CVD erzeugt. Auch in diesem Fall wurde zur Wärmebehandlung
die Substrattemperatur für
ca. 1 Stunde bei 400°C
gehalten. Dann wurde als die Antikavitationsschicht 2007 eine Ta-Schicht
einer Dichte von 2300 Å durch
Sputtern erzeugt. Sodann wurde ein Tintenstrahldruckkopfsubstrat
der vorliegenden Erfindung, wie in 1 gezeigt,
durch einen photolithographischen Prozess hergestellt.
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Ein
CST-Test wurde mit einem so hergestellten Substrat durchgeführt.
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5 zeigt
eine Widerstandsänderungsrate in
den Beispielen 1 bis 4, wenn kontinuierliche Impulse mit einer Steuerspannung
Vop = 1,4 Vth in gereinigtem Wasser, eine Steuerfrequenz von 15
kHz, eine Steuerimpulsbreite von 1 μs und eine Impulszahl von 1,0 × 109 Impulsen zugeführt wurden.
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CST-Untersuchung
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- Probe 1: Cr14Si51N35 (Target-Zusammensetzungsverhältnis: Cr/Si
= 22,5/77,5, spezifischer Widerstand: 4500 μΩcm);
- Probe 2: Cr17Si47N36 (Target-Zusammensetzungsverhältnis: Cr/Si
= 27,5/72,5, spezifischer Widerstand: 4500 μΩcm);
- Probe 3: Cr22Si58N20 (Target-Zusammensetzungsverhältnis: Cr/Si
= 30,0/70,0, spezifischer Widerstand: 1400 μΩcm);
- Probe 4: Cr18Si50N32 (Target-Zusammensetzungsverhältnis: Cr/Si
= 27,5/72,5, spezifischer Widerstand: 3000 μΩcm);
-
Wie
sich aus 5 ergibt, zeigten die Proben
2 und 4 entsprechend den Beispielen der vorliegenden Erfindung eine
Widerstandsänderung
von 10% oder weniger bei 1,0 × 109 Impulsen, jedoch zeigten die Vergleichsbeispiele
der vorliegenden Erfindung einen Bruch vor 1,0 × 109 Impulsen,
was somit eine unzureichende Haltbarkeit anzeigte.
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Ein
CST-Test wurde in gleicher Weise an Proben mit den folgenden Zusammensetzungsverhältnissen,
die durch geeignete Änderungen
der Bedingungen gewonnen wurden, durchgeführt.
- Probe 5: Cr18Si42N40 (ρ: 4500 μΩcm);
- Probe 6: Cr20Si42N38 (ρ:
4100 μΩcm);
- Probe 7: Cr17Si55N28 (ρ:
2200 μΩcm);
- Probe 8: Cr: 22, Si: 52, N: 26% (Target-Zusammensetzungsverhältnis: Cr/Si
= 30,0/70,0; ρ =
1200 μΩcm);
- Probe 9: Cr: 23, Si: 62, N: 15% (Target-Zusammensetzungsverhältnis: Cr/Si
= 27,5/72,5; ρ =
1500 μΩcm);
- Probe 10: Cr: 15, Si: 40, N: 45% (Target-Zusammensetzungsverhältnis: Cr/Si
= 27,5/72,5; ρ =
6000 μΩcm).
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Als
ein Ergebnis zeigten die Proben 5, 6 und 7 entsprechend den Beispielen
der vorliegenden Erfindung einen ausreichenden Widerstand und eine Widerstandsänderungsrate
von 10% oder weniger bei 1,0 × 109 Impulsen.
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Andererseits
hatten die Proben 8 und 9 keinen gewünschten Widerstand und zeigten
einen Bruch vor 1,0 × 109 Impulsen. Die Probe 10 hatte zwar einen
gewünschten
Widerstand, zeigte jedoch einen Bruch vor 1,0 × 109 Impulsen
und hatte somit unzureichende Haltbarkeit.