JPH07153603A - インクジェット用発熱抵抗体の製造方法及びインクジェットプリンタ - Google Patents
インクジェット用発熱抵抗体の製造方法及びインクジェットプリンタInfo
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- JPH07153603A JPH07153603A JP5297005A JP29700593A JPH07153603A JP H07153603 A JPH07153603 A JP H07153603A JP 5297005 A JP5297005 A JP 5297005A JP 29700593 A JP29700593 A JP 29700593A JP H07153603 A JPH07153603 A JP H07153603A
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- heating resistor
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- ink
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- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 発熱抵抗体の熱エネルギーを利用してインク
液滴を吐出させるインクジェット記録装置において、従
来よりも耐電食性、耐食性に優れたインクジェット用発
熱抵抗体を得るための製造方法を提供する。 【構成】 絶縁基板１１上にＣｒ−Ｓｉ−ＳｉＯ合金薄
膜抵抗体１２とＴａ薄膜導体１３を形成し、該Ｔａ薄膜
導体１３上の発熱抵抗体に相当する部分をエッチング
し、該発熱抵抗体部のＴａ薄膜の全てがＴａ2Ｏ5層１４
となるまで熱酸化する。
液滴を吐出させるインクジェット記録装置において、従
来よりも耐電食性、耐食性に優れたインクジェット用発
熱抵抗体を得るための製造方法を提供する。 【構成】 絶縁基板１１上にＣｒ−Ｓｉ−ＳｉＯ合金薄
膜抵抗体１２とＴａ薄膜導体１３を形成し、該Ｔａ薄膜
導体１３上の発熱抵抗体に相当する部分をエッチング
し、該発熱抵抗体部のＴａ薄膜の全てがＴａ2Ｏ5層１４
となるまで熱酸化する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はインクジェット記録装
置、更に詳しく言えば、熱エネルギーを利用し、インク
液滴を記録媒体に向けて飛翔させる形式の記録装置に関
するものである。
置、更に詳しく言えば、熱エネルギーを利用し、インク
液滴を記録媒体に向けて飛翔させる形式の記録装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】パルス加熱によってインクの一部を急速
に気化させ、その膨張力によってインク液滴をオリフィ
スから吐出させる方式のインクジェット記録装置は特開
昭４８−９６２２号公報、特開昭５４−５１８３７号公
報等によって開示されている。
に気化させ、その膨張力によってインク液滴をオリフィ
スから吐出させる方式のインクジェット記録装置は特開
昭４８−９６２２号公報、特開昭５４−５１８３７号公
報等によって開示されている。
【０００３】このパルス加熱の最も簡便な方法は発熱抵
抗体にパルス通電することであり、その具体的な方法が
日経メカニカル１９９２年１２月２８日号５８ページ、
及びHewlett-Packard-Journal,Aug.1988で発表されてい
る。これら従来の発熱抵抗体の共通する基本的構成は、
薄膜抵抗体と薄膜導体を酸化防止層で被覆し、この上に
該酸化防止層のキャビテーション破壊を防ぐ目的で、耐
キャビテーション層を１〜２層被覆するというものであ
った。
抗体にパルス通電することであり、その具体的な方法が
日経メカニカル１９９２年１２月２８日号５８ページ、
及びHewlett-Packard-Journal,Aug.1988で発表されてい
る。これら従来の発熱抵抗体の共通する基本的構成は、
薄膜抵抗体と薄膜導体を酸化防止層で被覆し、この上に
該酸化防止層のキャビテーション破壊を防ぐ目的で、耐
キャビテーション層を１〜２層被覆するというものであ
った。
【０００４】これを抜本的に簡略化するものとして、特
願平４−１３８４９８号に記載のように、前記酸化防止
層と耐キャビテーション層を不要とする発熱抵抗体を用
いて印字する方法がある。該発熱抵抗体は薄膜発熱抵抗
体が直接インクと接触しているため、パルス通電による
インクの気化と、それによるインクの吐出性能が大幅に
向上し、熱効率の大幅な向上を得ることができた。更
に、薄膜発熱抵抗体形状を非対称化させることによって
気泡の発生に方向性を持たせることも可能となり、イン
クの吐出周波数も１.２〜１.３倍に高速化することがで
きた。
願平４−１３８４９８号に記載のように、前記酸化防止
層と耐キャビテーション層を不要とする発熱抵抗体を用
いて印字する方法がある。該発熱抵抗体は薄膜発熱抵抗
体が直接インクと接触しているため、パルス通電による
インクの気化と、それによるインクの吐出性能が大幅に
向上し、熱効率の大幅な向上を得ることができた。更
に、薄膜発熱抵抗体形状を非対称化させることによって
気泡の発生に方向性を持たせることも可能となり、イン
クの吐出周波数も１.２〜１.３倍に高速化することがで
きた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この保護層の不要な発
熱抵抗体には、導体としてＮｉまたはＷ薄膜が用いられ
ており、中性の水−アルコール系のインクを吐出させる
場合には優れた耐電食特性を示す。
熱抵抗体には、導体としてＮｉまたはＷ薄膜が用いられ
ており、中性の水−アルコール系のインクを吐出させる
場合には優れた耐電食特性を示す。
【０００６】しかし、水−アルコール系溶媒よりも高い
沸点の溶媒をインクとして用いる場合には、発熱抵抗体
に高い電圧を印加しなければならず、ＮｉまたはＷの薄
膜導体では耐電食特性が不十分となる恐れがあった。
沸点の溶媒をインクとして用いる場合には、発熱抵抗体
に高い電圧を印加しなければならず、ＮｉまたはＷの薄
膜導体では耐電食特性が不十分となる恐れがあった。
【０００７】また、例えば繊維に酸性染料を直接吐出さ
せることによりプリント模様を染色するような場合、す
なわちインクとして強酸性水溶液を用いる場合にも、Ｎ
ｉやＷの薄膜導体では耐食性が不十分であった。
せることによりプリント模様を染色するような場合、す
なわちインクとして強酸性水溶液を用いる場合にも、Ｎ
ｉやＷの薄膜導体では耐食性が不十分であった。
【０００８】これらＮｉ、Ｗよりも耐電食特性、耐食性
に優れた薄膜電極材料として、Ｔａ薄膜があることは一
般的に知られている。該Ｔａ薄膜は、フッ酸以外の強
酸、あるいは強アルカリに対して優れた耐電食特性、耐
食性を示す。しかし、Ｔａ薄膜のエッチング液は、Ｃｒ
−Ｓｉ−ＳｉＯまたはＴａ−Ｓｉ−ＳｉＯ合金薄膜抵抗
体のエッチング液と同じフッ酸水溶液に限られるため、
これら２層膜から選択エッチングによってＴａ薄膜のみ
をエッチングすることは困難であった。
に優れた薄膜電極材料として、Ｔａ薄膜があることは一
般的に知られている。該Ｔａ薄膜は、フッ酸以外の強
酸、あるいは強アルカリに対して優れた耐電食特性、耐
食性を示す。しかし、Ｔａ薄膜のエッチング液は、Ｃｒ
−Ｓｉ−ＳｉＯまたはＴａ−Ｓｉ−ＳｉＯ合金薄膜抵抗
体のエッチング液と同じフッ酸水溶液に限られるため、
これら２層膜から選択エッチングによってＴａ薄膜のみ
をエッチングすることは困難であった。
【０００９】本発明の目的は、Ｃｒ−Ｓｉ−ＳｉＯまた
はＴａ−Ｓｉ−ＳｉＯ合金薄膜抵抗体とＴａ薄膜導体の
組合せによる、従来よりも耐電食性、耐食性に優れたイ
ンクジェット用発熱抵抗体を得るための製造方法を提供
することを目的としている。
はＴａ−Ｓｉ−ＳｉＯ合金薄膜抵抗体とＴａ薄膜導体の
組合せによる、従来よりも耐電食性、耐食性に優れたイ
ンクジェット用発熱抵抗体を得るための製造方法を提供
することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的は、次の工程に
より達成される。
より達成される。
【００１１】１．絶縁基板上にＣｒ−Ｓｉ−ＳｉＯまた
はＴａ−Ｓｉ−ＳｉＯ合金薄膜抵抗体とＴａ薄膜導体を
連続成膜する。 ２．上記２層膜が所定のライン密度になるよう、フォト
エッチングする。 ３．発熱抵抗体となるべき部分のＴａ薄膜をごく薄い層
となるまで、フォトエッチングにより取り除く。 ４．発熱抵抗体部に残留しているＴａ層がすべて絶縁物
であるＴａ2Ｏ5層に変化する条件で基板全体を熱酸化す
る。
はＴａ−Ｓｉ−ＳｉＯ合金薄膜抵抗体とＴａ薄膜導体を
連続成膜する。 ２．上記２層膜が所定のライン密度になるよう、フォト
エッチングする。 ３．発熱抵抗体となるべき部分のＴａ薄膜をごく薄い層
となるまで、フォトエッチングにより取り除く。 ４．発熱抵抗体部に残留しているＴａ層がすべて絶縁物
であるＴａ2Ｏ5層に変化する条件で基板全体を熱酸化す
る。
【００１２】なお、前記発熱抵抗体となるべき部分のＴ
ａ薄膜の膜厚は、Ｔａ薄膜形成時の膜厚の５〜１０％で
あることが好ましい。
ａ薄膜の膜厚は、Ｔａ薄膜形成時の膜厚の５〜１０％で
あることが好ましい。
【００１３】
【作用】上記のような工程で製造された発熱抵抗体は、
従来のＮｉまたはＷ薄膜導体と、Ｃｒ−Ｓｉ−ＳｉＯま
たはＴａ−Ｓｉ−ＳｉＯ合金薄膜抵抗体の組合せで製造
された発熱抵抗体と同様の発熱特性を有する。というの
は、発熱抵抗体上のＴａ2Ｏ5絶縁層の厚さは１０００〜
１５００Å以下であり、熱的影響を無視できるほどの薄
さであるからである。
従来のＮｉまたはＷ薄膜導体と、Ｃｒ−Ｓｉ−ＳｉＯま
たはＴａ−Ｓｉ−ＳｉＯ合金薄膜抵抗体の組合せで製造
された発熱抵抗体と同様の発熱特性を有する。というの
は、発熱抵抗体上のＴａ2Ｏ5絶縁層の厚さは１０００〜
１５００Å以下であり、熱的影響を無視できるほどの薄
さであるからである。
【００１４】またＴａ導体上のＴａ2Ｏ5絶縁層も、Ｔａ
導体の厚さの約１０％が酸化されただけであり、その配
線抵抗を約１０％高めるだけである。むしろ、合金薄膜
抵抗体と導体がインクと直接接触するのを防ぎ、導体間
のインク中へのもれ電流による悪影響を抑えることも可
能となる。
導体の厚さの約１０％が酸化されただけであり、その配
線抵抗を約１０％高めるだけである。むしろ、合金薄膜
抵抗体と導体がインクと直接接触するのを防ぎ、導体間
のインク中へのもれ電流による悪影響を抑えることも可
能となる。
【００１５】
【実施例】図３〜図８に示した作成工程に従い本発明の
実施例を説明する。
実施例を説明する。
【００１６】第３図の工程では、ガラス、セラミック、
或いは熱酸化されたシリコン等の絶縁基板１１上にＣｒ
−Ｓｉ−ＳｉＯ合金薄膜抵抗体１２、Ｔａ薄膜１３を連
続スパッタ法で形成する。なお、これらの薄膜の厚さは
各々約０.１μｍ、０.５μｍである。
或いは熱酸化されたシリコン等の絶縁基板１１上にＣｒ
−Ｓｉ−ＳｉＯ合金薄膜抵抗体１２、Ｔａ薄膜１３を連
続スパッタ法で形成する。なお、これらの薄膜の厚さは
各々約０.１μｍ、０.５μｍである。
【００１７】続いて、図４及び図５に示す様に、電極及
び発熱抵抗体を形成する部分を除いてＣｒ−Ｓｉ−Ｓｉ
Ｏ合金薄膜抵抗体１２とＴａ薄膜１３をフォトエッチン
グにより取り除く。本実施例の場合、Ｃｒ−Ｓｉ−Ｓｉ
Ｏ合金薄膜抵抗体１２とＴａ薄膜１３のエッチング液に
は５％フッ酸を用い、両薄膜を同時にエッチングするよ
うにした。このエッチングの後、Ｔａ薄膜の膜厚を計測
し、次工程でのＴａ薄膜のエッチング時間を決定する。
図５は図４に於けるａ−ａ’線切断面に相当する断面図
である。
び発熱抵抗体を形成する部分を除いてＣｒ−Ｓｉ−Ｓｉ
Ｏ合金薄膜抵抗体１２とＴａ薄膜１３をフォトエッチン
グにより取り除く。本実施例の場合、Ｃｒ−Ｓｉ−Ｓｉ
Ｏ合金薄膜抵抗体１２とＴａ薄膜１３のエッチング液に
は５％フッ酸を用い、両薄膜を同時にエッチングするよ
うにした。このエッチングの後、Ｔａ薄膜の膜厚を計測
し、次工程でのＴａ薄膜のエッチング時間を決定する。
図５は図４に於けるａ−ａ’線切断面に相当する断面図
である。
【００１８】続いて、図６に示す様に、発熱抵抗体部１
５を形成する部分のＴａ薄膜１３をフォトエッチングす
る。この場合、エッチングされるＴａ薄膜１３の残膜厚
は必ずしも均一とはならないため、該Ｔａ薄膜１３を成
膜時の膜厚の５％以下までエッチングするとＣｒ−Ｓｉ
−ＳｉＯ合金薄膜抵抗体１２をもエッチングしてしまう
恐れがある。一方、エッチングの際に、Ｔａ薄膜１３を
成膜時の膜厚の１０％以上残したままにしておくと、こ
れらを全て酸化させるのに長時間を要してしまうばかり
でなく、発熱抵抗体１５の熱効率も悪化してしまう。従
って、Ｔａ薄膜１３のエッチングは、その厚さが成膜時
の厚さの５〜１０％となるようにエッチングされるのが
よい。本実施例の場合、スパッタによるＴａ薄膜の５％
フッ酸におけるエッチング速度は約０.５μｍ／分であ
るから、Ｔａ薄膜１３が０．５μｍの場合にはエッチン
グを５５〜５６秒間行うと、Ｔａ薄膜の残り厚さはバラ
ツキも含めて１００〜５００Åとなる。なお、図７は図
６に於けるｂ−ｂ’線切断面に相当する断面図である。
５を形成する部分のＴａ薄膜１３をフォトエッチングす
る。この場合、エッチングされるＴａ薄膜１３の残膜厚
は必ずしも均一とはならないため、該Ｔａ薄膜１３を成
膜時の膜厚の５％以下までエッチングするとＣｒ−Ｓｉ
−ＳｉＯ合金薄膜抵抗体１２をもエッチングしてしまう
恐れがある。一方、エッチングの際に、Ｔａ薄膜１３を
成膜時の膜厚の１０％以上残したままにしておくと、こ
れらを全て酸化させるのに長時間を要してしまうばかり
でなく、発熱抵抗体１５の熱効率も悪化してしまう。従
って、Ｔａ薄膜１３のエッチングは、その厚さが成膜時
の厚さの５〜１０％となるようにエッチングされるのが
よい。本実施例の場合、スパッタによるＴａ薄膜の５％
フッ酸におけるエッチング速度は約０.５μｍ／分であ
るから、Ｔａ薄膜１３が０．５μｍの場合にはエッチン
グを５５〜５６秒間行うと、Ｔａ薄膜の残り厚さはバラ
ツキも含めて１００〜５００Åとなる。なお、図７は図
６に於けるｂ−ｂ’線切断面に相当する断面図である。
【００１９】続いて、図８に示す様に、基板全体を酸素
雰囲気炉に入れてＴａ薄膜１３の上層約５００Åを酸化
させ、Ｔａ2Ｏ5層１４を形成する。Ｔａ薄膜を熱酸化さ
せる条件は、雰囲気炉温度５５０℃、酸素流量１０リッ
トル／ｍｉｎとした。この条件であれば４０〜５０分
で、表面から５００Åの部分のＴａ薄膜１３が酸化さ
れ、約１５００Å厚さのＴａ2Ｏ5層１４に変化する。前
工程で形成した発熱抵抗体部１５上のＴａ薄膜は厚さが
約５００Å以下であるから、全てＴａ2Ｏ5層１４とな
る。もちろん、Ｃｒ−Ｓｉ−ＳｉＯ合金薄膜抵抗体１２
は非常に安定な酸化物であるため、酸素雰囲気炉による
熱処理に対しても、なんらその組成を変化させることは
ない。むしろ、本工程の熱処理により、実使用時の駆動
電圧に対して抵抗値が安定化する効果があることは、特
開昭５８−８４４０１号公報に述べた通りである。
雰囲気炉に入れてＴａ薄膜１３の上層約５００Åを酸化
させ、Ｔａ2Ｏ5層１４を形成する。Ｔａ薄膜を熱酸化さ
せる条件は、雰囲気炉温度５５０℃、酸素流量１０リッ
トル／ｍｉｎとした。この条件であれば４０〜５０分
で、表面から５００Åの部分のＴａ薄膜１３が酸化さ
れ、約１５００Å厚さのＴａ2Ｏ5層１４に変化する。前
工程で形成した発熱抵抗体部１５上のＴａ薄膜は厚さが
約５００Å以下であるから、全てＴａ2Ｏ5層１４とな
る。もちろん、Ｃｒ−Ｓｉ−ＳｉＯ合金薄膜抵抗体１２
は非常に安定な酸化物であるため、酸素雰囲気炉による
熱処理に対しても、なんらその組成を変化させることは
ない。むしろ、本工程の熱処理により、実使用時の駆動
電圧に対して抵抗値が安定化する効果があることは、特
開昭５８−８４４０１号公報に述べた通りである。
【００２０】このようにして形成した発熱抵抗体部１５
は５０μｍ×５０μｍの正方形で、その抵抗値は約１Ｋ
Ωである。
は５０μｍ×５０μｍの正方形で、その抵抗値は約１Ｋ
Ωである。
【００２１】最後に図１及び図２に示すように、インク
吐出口２１とインク流路２２が一体となったノズル部２
０を前記発熱抵抗体１５が形成された基板上に接着して
プリントヘッドを組立て、インク２３をインク導入パイ
プ２４から満たした。そして、発熱抵抗体部１５に２４
Ｖ、１μｓのパルス電圧を１０ｋＨｚの繰り返し周期で
印加して、インク吐出口２１から１ｍｍ離れた前方に、
連続送りをさせる記録紙（図示せず）を置いて印字させ
たところ、きれいなオンデマンド記録を行うことができ
た。
吐出口２１とインク流路２２が一体となったノズル部２
０を前記発熱抵抗体１５が形成された基板上に接着して
プリントヘッドを組立て、インク２３をインク導入パイ
プ２４から満たした。そして、発熱抵抗体部１５に２４
Ｖ、１μｓのパルス電圧を１０ｋＨｚの繰り返し周期で
印加して、インク吐出口２１から１ｍｍ離れた前方に、
連続送りをさせる記録紙（図示せず）を置いて印字させ
たところ、きれいなオンデマンド記録を行うことができ
た。
【００２２】更に、ＰＨ３〜９の範囲の水溶液で調整し
たインクを用いて吐出させたところ、１０億パルスにわ
たって正常な吐出性能を示し、かつ発熱抵抗体、導体と
も変化は認められなかった。
たインクを用いて吐出させたところ、１０億パルスにわ
たって正常な吐出性能を示し、かつ発熱抵抗体、導体と
も変化は認められなかった。
【００２３】なお、上記実施例に用いたＣｒ−Ｓｉ−Ｓ
ｉＯ合金薄膜抵抗体に代えて、Ｔａ−Ｓｉ−ＳｉＯ合金
薄膜抵抗体を用いても、全く同様の結果を得られること
は容易に理解されよう。
ｉＯ合金薄膜抵抗体に代えて、Ｔａ−Ｓｉ−ＳｉＯ合金
薄膜抵抗体を用いても、全く同様の結果を得られること
は容易に理解されよう。
【００２４】
【発明の効果】本発明の製造方法によりＣｒ−Ｓｉ−Ｓ
ｉＯまたはＴａ−Ｓｉ−ＳｉＯ合金薄膜抵抗体とＴａ薄
膜導体との組合わせで、従来よりも耐電食特性、耐食性
に優れたインクジェット用発熱抵抗体を作ることができ
たので、使用可能なインクの種類も増し、インクジェッ
ト記録装置の利用分野を広げることができる。
ｉＯまたはＴａ−Ｓｉ−ＳｉＯ合金薄膜抵抗体とＴａ薄
膜導体との組合わせで、従来よりも耐電食特性、耐食性
に優れたインクジェット用発熱抵抗体を作ることができ
たので、使用可能なインクの種類も増し、インクジェッ
ト記録装置の利用分野を広げることができる。
【図１】 本発明の実施例となるインクジェットプリン
トヘッドの模式的組立図。
トヘッドの模式的組立図。
【図２】 本発明の実施例となるインクジェットプリン
トヘッドの模式的構成断面図。
トヘッドの模式的構成断面図。
【図３】 本発明の実施例となる発熱抵抗体基板の製造
工程の説明図。
工程の説明図。
【図４】 本発明の実施例となる発熱抵抗体基板の製造
工程の説明図。
工程の説明図。
【図５】 図４のａ−ａ´線切断面に相当する断面図。
【図６】 本発明の実施例となる発熱抵抗体基板の製造
工程の説明図。
工程の説明図。
【図７】 図６のｂ−ｂ´線切断面に相当する断面図。
【図８】 本発明の実施例となる発熱抵抗体基板の製造
工程の説明図。
工程の説明図。
図において、１０は発熱抵抗体基板、１１は絶縁基板、
１２はＣｒ−Ｓｉ−ＳｉＯ合金薄膜抵抗体、１３はＴａ
薄膜、１４はＴａ2Ｏ5膜、１５は発熱抵抗体部、２０は
ノズル部、２１はインク吐出口、２２はインク流路、２
３はインク、２４はインク導入パイプである。
１２はＣｒ−Ｓｉ−ＳｉＯ合金薄膜抵抗体、１３はＴａ
薄膜、１４はＴａ2Ｏ5膜、１５は発熱抵抗体部、２０は
ノズル部、２１はインク吐出口、２２はインク流路、２
３はインク、２４はインク導入パイプである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 町田 治 茨城県勝田市武田1060番地 日立工機株式 会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 絶縁基板上にＣｒ−Ｓｉ−ＳｉＯまたは
Ｔａ−Ｓｉ−ＳｉＯ合金薄膜抵抗体とＴａ薄膜導体の２
層膜を形成し、該２層膜を所定のライン密度となるよう
にエッチングし、該エッチングされた２層膜上の発熱抵
抗体に相当する部分のＴａ薄膜を所定の厚さまでエッチ
ングし、該発熱抵抗体部のＴａ薄膜の全てがＴａ2Ｏ5層
となるまで熱酸化することを特徴とするインクジェット
用発熱抵抗体の製造方法。 - 【請求項２】 前記発熱抵抗体に相当する部分のＴａ薄
膜の膜厚は、Ｔａ薄膜形成時の膜厚の５〜１０％である
ことを特徴とする請求項１記載のインクジェット用発熱
抵抗体の製造方法。 - 【請求項３】 前記発熱抵抗体に相当する部分のＴａ薄
膜の膜厚が１００〜５００Åであることを特徴とする請
求項１記載のインクジェット用発熱抵抗体の製造方法。 - 【請求項４】 前記２層膜及びＴａ薄膜のエッチング
は、フッ酸を用いたエッチングであることを特徴とする
請求項１記載のインクジェット用発熱抵抗体の製造方
法。 - 【請求項５】 請求項１記載の製造方法によって形成さ
れたインクジェット用発熱抵抗体を用いたインクジェッ
トプリンタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5297005A JPH07153603A (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | インクジェット用発熱抵抗体の製造方法及びインクジェットプリンタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5297005A JPH07153603A (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | インクジェット用発熱抵抗体の製造方法及びインクジェットプリンタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07153603A true JPH07153603A (ja) | 1995-06-16 |
Family
ID=17841020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5297005A Withdrawn JPH07153603A (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | インクジェット用発熱抵抗体の製造方法及びインクジェットプリンタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07153603A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2731180A1 (fr) * | 1995-03-03 | 1996-09-06 | Hitachi Koki Kk | Tete d'enregistrement a jet d'encre, imprimante munie de cette tete et procede de fabrication de cette tete |
| US5831648A (en) * | 1992-05-29 | 1998-11-03 | Hitachi Koki Co., Ltd. | Ink jet recording head |
| WO2002082474A1 (en) * | 2001-04-09 | 2002-10-17 | Vishay Dale Electronics, Inc. | Thin film resistor having tantalum pentoxide moisture barrier |
| JP2013201318A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Taiyo Yuden Co Ltd | ポーラスコンデンサ |
| JP2017533129A (ja) * | 2014-10-30 | 2017-11-09 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル．ピー．Ｈｅｗｌｅｔｔ‐Ｐａｃｋａｒｄ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｃｏｍｐａｎｙ， Ｌ．Ｐ． | インクジェットプリントヘッド |
-
1993
- 1993-11-26 JP JP5297005A patent/JPH07153603A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5831648A (en) * | 1992-05-29 | 1998-11-03 | Hitachi Koki Co., Ltd. | Ink jet recording head |
| FR2731180A1 (fr) * | 1995-03-03 | 1996-09-06 | Hitachi Koki Kk | Tete d'enregistrement a jet d'encre, imprimante munie de cette tete et procede de fabrication de cette tete |
| WO2002082474A1 (en) * | 2001-04-09 | 2002-10-17 | Vishay Dale Electronics, Inc. | Thin film resistor having tantalum pentoxide moisture barrier |
| US7170389B2 (en) | 2001-04-09 | 2007-01-30 | Vishay Dale Electronics, Inc. | Apparatus for tantalum pentoxide moisture barrier in film resistors |
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