JP3160782B2 - 半導体流体センサの製造方法 - Google Patents
半導体流体センサの製造方法Info
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- JP3160782B2 JP3160782B2 JP30749092A JP30749092A JP3160782B2 JP 3160782 B2 JP3160782 B2 JP 3160782B2 JP 30749092 A JP30749092 A JP 30749092A JP 30749092 A JP30749092 A JP 30749092A JP 3160782 B2 JP3160782 B2 JP 3160782B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、流体の通路に流速や流
量などの変化状態を検出するためのヒートワイヤブリッ
ジを形成した半導体基板を用いたマイクロマシニング加
工によって形成される半導体流体センサの製造方法に関
する。
量などの変化状態を検出するためのヒートワイヤブリッ
ジを形成した半導体基板を用いたマイクロマシニング加
工によって形成される半導体流体センサの製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体流体センサの１つとして、センサ
本体に角速度が作用したときのセンサ本体のガス通路に
おけるガス流の偏向状態をそのガス通路内にブリッジ状
に設けられたヒートワイヤ対によって検出するガスレー
トセンサがあり、最近、そのようなガスレートセンサに
あっては、ガス通路およびヒートワイヤブリッジからな
るセンサ本体部分が、ＩＣ製造技術を利用した半導体基
板のマイクロマシニング加工によって形成されたものが
開発されている（特開平３−２９８５８号公報参照）。
本体に角速度が作用したときのセンサ本体のガス通路に
おけるガス流の偏向状態をそのガス通路内にブリッジ状
に設けられたヒートワイヤ対によって検出するガスレー
トセンサがあり、最近、そのようなガスレートセンサに
あっては、ガス通路およびヒートワイヤブリッジからな
るセンサ本体部分が、ＩＣ製造技術を利用した半導体基
板のマイクロマシニング加工によって形成されたものが
開発されている（特開平３−２９８５８号公報参照）。
【０００３】このようなガスレートセンサにおけるセン
サ本体にあっては、図３ないし図５に示すように、半導
体基板にガス通路４を形成する半溝４１がエッチングに
よって形成された下側半導体基板１と上側半導体基板２
とを、それぞれの半溝４１をつき合せるように重ねて、
両者を接着させることによってガス通路４を構成するよ
うにしている。
サ本体にあっては、図３ないし図５に示すように、半導
体基板にガス通路４を形成する半溝４１がエッチングに
よって形成された下側半導体基板１と上側半導体基板２
とを、それぞれの半溝４１をつき合せるように重ねて、
両者を接着させることによってガス通路４を構成するよ
うにしている。
【０００４】そして、下側半導体基板１には、その下側
半導体基板１をエッチングしてガス通路４にかかるブリ
ッジ部６が形成され、そのブリッジ部６の上面には一対
のヒートワイヤ５１，５２がパターン成形されている。
半導体基板１をエッチングしてガス通路４にかかるブリ
ッジ部６が形成され、そのブリッジ部６の上面には一対
のヒートワイヤ５１，５２がパターン成形されている。
【０００５】なお、下側半導体基板１と上側半導体基板
２とにはそれぞれエッチングにより半孔３１が形成され
ており、それらの半孔３１をつき合せることによって図
示しないマイクロポンプにより送られてきたガスをガス
通路４内に噴出させるノズル孔３が構成されている。ま
た、下側半導体基板１には、一対のヒートワイヤ５１，
５２の両側に電極部７がパターン成形されている。
２とにはそれぞれエッチングにより半孔３１が形成され
ており、それらの半孔３１をつき合せることによって図
示しないマイクロポンプにより送られてきたガスをガス
通路４内に噴出させるノズル孔３が構成されている。ま
た、下側半導体基板１には、一対のヒートワイヤ５１，
５２の両側に電極部７がパターン成形されている。
【０００６】この種の半導体流体センサにあっては、半
導体基板上に絶縁膜を形成し、その絶縁膜上に感熱抵抗
体としての白金などの金属抵抗層を薄膜形成したうえ
で、その金属抵抗層を所定のパターンにエッチングして
ヒートワイヤを形成するようにしている。
導体基板上に絶縁膜を形成し、その絶縁膜上に感熱抵抗
体としての白金などの金属抵抗層を薄膜形成したうえ
で、その金属抵抗層を所定のパターンにエッチングして
ヒートワイヤを形成するようにしている。
【０００７】しかして、このようなヒートワイヤでは、
半導体流体センサの通常の動作温度下においてその熱に
対する抵抗値が徐々に変化していき、それが経時的なド
リフト誤差の原因となってセンサ出力の精度を低下させ
ている。
半導体流体センサの通常の動作温度下においてその熱に
対する抵抗値が徐々に変化していき、それが経時的なド
リフト誤差の原因となってセンサ出力の精度を低下させ
ている。
【０００８】そのため、従来では、半導体基板上に絶縁
膜を介して金属抵抗層を薄膜形成した段階で、６００〜
１１００℃程度のセンサ動作時よりも高い温度で熱処理
を施して、その後に金属抵抗層をパターンエッチングし
て得られるヒートワイヤの感熱抵抗特性の安定化を図る
ようにしている。
膜を介して金属抵抗層を薄膜形成した段階で、６００〜
１１００℃程度のセンサ動作時よりも高い温度で熱処理
を施して、その後に金属抵抗層をパターンエッチングし
て得られるヒートワイヤの感熱抵抗特性の安定化を図る
ようにしている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする問題
点は、半導体基板上に絶縁膜を介して形成された金属抵
抗層をパターンエッチングすることによって、半導体流
体センサにおける通路に流れる流体の変化状態を検出す
るためのヒートワイヤを形成するものにあって、従来の
ような熱処理を行わせるだけでは、絶縁膜と金属抵抗層
をパターンエッチングして得られるヒートワイヤとの間
における残留応力の経時的な変化の影響があらわれてヒ
ートワイヤの熱に対する抵抗値の特性の安定化を図るの
には不充分となり、さらにセンサ特性の安定化を図る必
要性があることである。
点は、半導体基板上に絶縁膜を介して形成された金属抵
抗層をパターンエッチングすることによって、半導体流
体センサにおける通路に流れる流体の変化状態を検出す
るためのヒートワイヤを形成するものにあって、従来の
ような熱処理を行わせるだけでは、絶縁膜と金属抵抗層
をパターンエッチングして得られるヒートワイヤとの間
における残留応力の経時的な変化の影響があらわれてヒ
ートワイヤの熱に対する抵抗値の特性の安定化を図るの
には不充分となり、さらにセンサ特性の安定化を図る必
要性があることである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基板上
に絶縁膜を形成し、その絶縁膜上に感熱抵抗体としての
白金などの金属抵抗層を形成したうえで、その金属抵抗
層を所定のパターンにエッチングしてヒートワイヤを形
成するようにした半導体流体センサにあって、特に、そ
の形成されたヒートワイヤの下方部分における半導体基
板をエッチングにより除去してヒートワイヤブリッジを
形成したうえで、その後に、センサ動作時よりも高い温
度によって熱処理を施すようにして、絶縁膜とその上に
薄膜形成された金属抵抗層をパターンエッチングして得
られるヒートワイヤとの間の残留応力の影響を有効に軽
減し、ヒートワイヤの熱に対する抵抗値の特性の経時的
な安定化を充分に図るようにしている。
に絶縁膜を形成し、その絶縁膜上に感熱抵抗体としての
白金などの金属抵抗層を形成したうえで、その金属抵抗
層を所定のパターンにエッチングしてヒートワイヤを形
成するようにした半導体流体センサにあって、特に、そ
の形成されたヒートワイヤの下方部分における半導体基
板をエッチングにより除去してヒートワイヤブリッジを
形成したうえで、その後に、センサ動作時よりも高い温
度によって熱処理を施すようにして、絶縁膜とその上に
薄膜形成された金属抵抗層をパターンエッチングして得
られるヒートワイヤとの間の残留応力の影響を有効に軽
減し、ヒートワイヤの熱に対する抵抗値の特性の経時的
な安定化を充分に図るようにしている。
【００１１】
【実施例】以下、本発明をガスレートセンサに適用した
場合の実施例について説明する。
場合の実施例について説明する。
【００１２】ガスレートセンサとしては、そのセンサ本
体が、図３ないし図５に示すように、Ｓｉからなる半導
体基板にノズル孔３およびガス通路４を形成する半孔３
１および半溝４１がエッチングによって形成された下側
半導体基板１と上側半導体基板２とを、それぞれの半孔
３１および半溝４１をつき合せてノズル孔３およびガス
通路４が形成されるように重ねて、両者を接着させるこ
とによって構成されている。また、その下側半導体基板
１には、その下側半導体基板１をエッチングしてガス通
路４にかかるブリッジ部６が形成され、そのブリッジ部
６の上面には一対のヒートワイヤ５１，５２がパターン
成形されており、さらにその一体のヒートワイヤ５１，
５２の両側には電極部７が一体的にパターン成形されて
いる。
体が、図３ないし図５に示すように、Ｓｉからなる半導
体基板にノズル孔３およびガス通路４を形成する半孔３
１および半溝４１がエッチングによって形成された下側
半導体基板１と上側半導体基板２とを、それぞれの半孔
３１および半溝４１をつき合せてノズル孔３およびガス
通路４が形成されるように重ねて、両者を接着させるこ
とによって構成されている。また、その下側半導体基板
１には、その下側半導体基板１をエッチングしてガス通
路４にかかるブリッジ部６が形成され、そのブリッジ部
６の上面には一対のヒートワイヤ５１，５２がパターン
成形されており、さらにその一体のヒートワイヤ５１，
５２の両側には電極部７が一体的にパターン成形されて
いる。
【００１３】本発明は、このようなガスレートセンサに
あって、下側半導体基板１に上面に一対のヒートワイヤ
５１，５２がパターン成形されたヒートワイヤブリッジ
を形成するに際して、以下のような製造方法をとるよう
にしている。
あって、下側半導体基板１に上面に一対のヒートワイヤ
５１，５２がパターン成形されたヒートワイヤブリッジ
を形成するに際して、以下のような製造方法をとるよう
にしている。
【００１４】図１に示すように、まず、第１の工程とし
て、Ｓｉからなる下側半導体基板１上にＳｉＮからなる
絶縁膜８を形成したうえで、第２の工程として、その上
に白金などの感熱抵抗体を蒸着させるなどして金属抵抗
層９を薄膜形成し、第３の工程として、その金属抵抗層
９をエッチングすることによって所定の形状にパターン
ニングしてヒートワイヤ５１，５２を形成するととも
に、その両側に同様に電極部７を形成し、第４の工程と
して、さらにその上からＳｉＮからなる保護膜１０を形
成する。
て、Ｓｉからなる下側半導体基板１上にＳｉＮからなる
絶縁膜８を形成したうえで、第２の工程として、その上
に白金などの感熱抵抗体を蒸着させるなどして金属抵抗
層９を薄膜形成し、第３の工程として、その金属抵抗層
９をエッチングすることによって所定の形状にパターン
ニングしてヒートワイヤ５１，５２を形成するととも
に、その両側に同様に電極部７を形成し、第４の工程と
して、さらにその上からＳｉＮからなる保護膜１０を形
成する。
【００１５】そして、この第４の工程が施行された時点
で、第５の工程として、ヒートワイヤ５１，５２自体に
おける感熱抵抗特性の経時変化を抑制させるために、７
００℃程度で数１０分間加熱する第１段階の熱処理を施
したうえで、第６の工程として、半導体基板１をエッチ
ングして半孔３１および半溝４１を形成するに際して、
ヒートワイヤ５１，５２の下方部分における半導体基板
１をエッチングにより除去してヒートワイヤブリッジを
形成する。
で、第５の工程として、ヒートワイヤ５１，５２自体に
おける感熱抵抗特性の経時変化を抑制させるために、７
００℃程度で数１０分間加熱する第１段階の熱処理を施
したうえで、第６の工程として、半導体基板１をエッチ
ングして半孔３１および半溝４１を形成するに際して、
ヒートワイヤ５１，５２の下方部分における半導体基板
１をエッチングにより除去してヒートワイヤブリッジを
形成する。
【００１６】この第１段階の熱処理によって、ヒートワ
イヤ５１，５２自体の物性としての感熱抵抗特性の安定
化を有効に図ることができる。
イヤ５１，５２自体の物性としての感熱抵抗特性の安定
化を有効に図ることができる。
【００１７】しかし、その他に、絶縁膜８と金属抵抗層
９との間の残留応力がガスレートセンサの使用温度条件
下で徐々に緩和されていくことが、ヒートワイヤ５１，
５２の熱に対する抵抗値の経時変化の原因となり、この
第１段階の熱処理によってはその残留応力の緩和に起因
するセンサ特性の経時変化をなくすことはできない。
９との間の残留応力がガスレートセンサの使用温度条件
下で徐々に緩和されていくことが、ヒートワイヤ５１，
５２の熱に対する抵抗値の経時変化の原因となり、この
第１段階の熱処理によってはその残留応力の緩和に起因
するセンサ特性の経時変化をなくすことはできない。
【００１８】センサ特性の経時的な安定化をより有効に
図るためには、ガスレートセンサを実際に使用する前
に、絶縁膜８と金属抵抗層９をエッチングして得たヒー
トワイヤ５１，５２との間の残留応力を、予めガスレー
トセンサの使用温度条件下で徐々に緩和されていく分だ
け取り去る必要がある。
図るためには、ガスレートセンサを実際に使用する前
に、絶縁膜８と金属抵抗層９をエッチングして得たヒー
トワイヤ５１，５２との間の残留応力を、予めガスレー
トセンサの使用温度条件下で徐々に緩和されていく分だ
け取り去る必要がある。
【００１９】そのため本発明では、第７の工程として、
先の工程でヒートブリッジが形成されてヒートワイヤ５
１，５２の部分が中空に浮いた状態で、ガスレートセン
サの動作温度（３００℃程度）よりも高い５００℃の温
度によって１時間ほど加熱する第２段階の熱処理を施し
て、絶縁膜８と金属抵抗層９をエッチングして得たヒー
トワイヤ５１，５２との間における残留応力を事前に所
定分だけ緩和させるようにしている。
先の工程でヒートブリッジが形成されてヒートワイヤ５
１，５２の部分が中空に浮いた状態で、ガスレートセン
サの動作温度（３００℃程度）よりも高い５００℃の温
度によって１時間ほど加熱する第２段階の熱処理を施し
て、絶縁膜８と金属抵抗層９をエッチングして得たヒー
トワイヤ５１，５２との間における残留応力を事前に所
定分だけ緩和させるようにしている。
【００２０】しかして、本発明によれば、ヒートワイヤ
５１，５２自体の感熱抵抗特性の経時的な安定化を図る
だけではなく、絶縁膜８と金属抵抗層９をエッチングし
て得たヒートワイヤ５１，５２との間における残留応力
を事前に緩和させることができ、それにより熱に対する
抵抗値の経時的な変化が抑制されてセンサ特性の安定化
が有効に図られ、経時的なドリフト誤差のない高精度な
センサ出力を得ることができるようになる。
５１，５２自体の感熱抵抗特性の経時的な安定化を図る
だけではなく、絶縁膜８と金属抵抗層９をエッチングし
て得たヒートワイヤ５１，５２との間における残留応力
を事前に緩和させることができ、それにより熱に対する
抵抗値の経時的な変化が抑制されてセンサ特性の安定化
が有効に図られ、経時的なドリフト誤差のない高精度な
センサ出力を得ることができるようになる。
【００２１】図２はガスレートセンサの動作温度である
３００℃の温度下でヒートワイヤ５１，５２の抵抗変化
率の経時的な変化を測定したときの特性を示しており、
図中Ａの特性が第１段階の熱処理を施しただけの従来の
特性を、図中Ｂの特性が第１段階の熱処理と第２段階の
熱処理とを施こしたときの本発明による特性をそれぞれ
示している。この測定結果によれば、本発明によってヒ
ートワイヤ５１，５２の抵抗値の経時的な変化が従来の
ものに比して約１／１０に低減したことがわかる。
３００℃の温度下でヒートワイヤ５１，５２の抵抗変化
率の経時的な変化を測定したときの特性を示しており、
図中Ａの特性が第１段階の熱処理を施しただけの従来の
特性を、図中Ｂの特性が第１段階の熱処理と第２段階の
熱処理とを施こしたときの本発明による特性をそれぞれ
示している。この測定結果によれば、本発明によってヒ
ートワイヤ５１，５２の抵抗値の経時的な変化が従来の
ものに比して約１／１０に低減したことがわかる。
【００２２】なお、本発明によれば、第１段階の熱処理
を施すことなく、第２段階の熱処理だけを施すようにし
ても、絶縁膜８とヒートワイヤ５１，５２との間におけ
る残留応力を緩和させるとともに、ヒートワイヤ５１，
５２自体の感熱抵抗特性の経時的な安定化を有効に図る
ことができるようになる。
を施すことなく、第２段階の熱処理だけを施すようにし
ても、絶縁膜８とヒートワイヤ５１，５２との間におけ
る残留応力を緩和させるとともに、ヒートワイヤ５１，
５２自体の感熱抵抗特性の経時的な安定化を有効に図る
ことができるようになる。
【００２３】
【発明の効果】本発明による半導体流体センサの製造方
法によれば、半導体基板上に絶縁膜を介して形成された
金属抵抗層をパターンエッチングすることによりヒート
ワイヤを形成し、そのヒートワイヤの下方部分における
半導体基板をエッチングにより除去してヒートワイヤブ
リッジを形成するに際して、簡単な熱処理を施すだけ
で、ヒートワイヤ自体の感熱抵抗特性の経時的な安定化
を図るだけではなく、絶縁膜とヒートワイヤとの間にお
ける残留応力を緩和させることができ、それにより熱に
対する抵抗値の経時的な変化が抑制されてセンサ特性の
安定化を有効に図ることができ、半導体流体センサの使
用に際して経時的なドリフト誤差のない高精度なセンサ
出力を得ることができるようになるという利点を有して
いる。
法によれば、半導体基板上に絶縁膜を介して形成された
金属抵抗層をパターンエッチングすることによりヒート
ワイヤを形成し、そのヒートワイヤの下方部分における
半導体基板をエッチングにより除去してヒートワイヤブ
リッジを形成するに際して、簡単な熱処理を施すだけ
で、ヒートワイヤ自体の感熱抵抗特性の経時的な安定化
を図るだけではなく、絶縁膜とヒートワイヤとの間にお
ける残留応力を緩和させることができ、それにより熱に
対する抵抗値の経時的な変化が抑制されてセンサ特性の
安定化を有効に図ることができ、半導体流体センサの使
用に際して経時的なドリフト誤差のない高精度なセンサ
出力を得ることができるようになるという利点を有して
いる。
【図１】半導体基板にヒートワイヤブリッジを形成する
プロセスを示す図である。
プロセスを示す図である。
【図２】ヒートワイヤの経時的な抵抗変化の特性を示す
図である。
図である。
【図３】ガスレートセンサにおけるセンサ本体の斜視図
である。
である。
【図４】ガスレートセンサのセンサ本体における下側半
導体基板の平面図である。
導体基板の平面図である。
【図５】ガスレートセンサのセンサ本体における正断面
図である。
図である。
１ 下側半導体基板 ２ 上側半導体基板 ３ ノズル孔 ４ ガス通路 ５１ ヒートワイヤ ５２ ヒートワイヤ ７ 電極部 ８ 絶縁膜 ９ 金属抵抗層 １０ 保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 29/84
Claims (1)
- 【請求項１】 流体の通路に流体の変化状態を検出する
ためのヒートワイヤブリッジを形成した半導体基板を用
いたマイクロマシニング加工によって形成される半導体
流体センサにあって、半導体基板上に絶縁膜を形成する
工程と、その絶縁膜上に感熱抵抗体としての金属抵抗層
を形成する工程と、その金属抵抗層を所定のパターンに
エッチングしてヒートワイヤを形成する工程と、その形
成されたヒートワイヤの下方部分における半導体基板を
エッチングにより除去してヒートワイヤブリッジを形成
する工程と、そのヒートワイヤブリッジの形成後に、セ
ンサ動作時よりも高い温度によって熱処理を施す工程と
をとるようにした半導体流体センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30749092A JP3160782B2 (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 半導体流体センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30749092A JP3160782B2 (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 半導体流体センサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06120525A JPH06120525A (ja) | 1994-04-28 |
| JP3160782B2 true JP3160782B2 (ja) | 2001-04-25 |
Family
ID=17969720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30749092A Expired - Fee Related JP3160782B2 (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | 半導体流体センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3160782B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3247533B2 (ja) * | 1994-02-04 | 2002-01-15 | 本田技研工業株式会社 | 半導体ガスレートセンサの製造方法 |
| JP4590727B2 (ja) * | 2000-12-13 | 2010-12-01 | 株式会社デンソー | 薄膜部を有するセンサの製造方法 |
| JP4967203B2 (ja) * | 2001-07-23 | 2012-07-04 | 株式会社デンソー | 薄膜部を有するセンサの製造方法 |
| JP4791017B2 (ja) * | 2004-10-20 | 2011-10-12 | 株式会社山武 | 流量計 |
-
1992
- 1992-10-06 JP JP30749092A patent/JP3160782B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06120525A (ja) | 1994-04-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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