JPH07103996A

JPH07103996A - ガスフローセンサ及びその形成方法

Info

Publication number: JPH07103996A
Application number: JP5250828A
Authority: JP
Inventors: Tsutomu Tajima; 勉多嶋; Hiroaki Kakinuma; 弘明柿沼; Takahito Ono; 崇人小野; Mikio Mori; 幹雄毛利
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1993-10-06
Filing date: 1993-10-06
Publication date: 1995-04-21

Abstract

(57)【要約】【目的】製造工程の作業時間を短縮でき、かつ、小型
化できるガスフローセンサの構造及びその形成方法を提
供する。【構成】検出素子２５の一端を基板１０の表面に固定
してあり、残りの部分を基板と非平行、かつ、非接触状
態としてある。従って、検出素子２５の基板１０と非平
行、かつ、非接触な部分（検出部２５ｂ）は、基板の上
方に突出した状態になる。このため、基板に沿って流れ
るガスに対して検出部は良好に接触する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、ガスフローセンサの
構造及びその形成方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来のガスフローセンサのいくつかの例
は、特公平３−５２０２８（以下、文献Ｉと称する。）
に開示されている。

【０００３】図７の（Ａ）、（Ｂ）及び図８の（Ａ）、
（Ｂ）を参照して文献Ｉに開示されている従来のガスフ
ローセンサの構造のそれぞれの例につき簡単に説明す
る。

【０００４】先ず、図７の（Ａ）は、従来のガスフロー
センサの１つの例の平面図を示しており、図７の（Ｂ）
はＸ−Ｘ線で切断したときの断面図を示す。

【０００５】この構成において、５０はシリコン基板、
５２及び５８は誘電体層、５４はシリコ基板の表面、５
６は発熱抵抗体層（グリッドともいう。）、６０は溝、
６２はリード部である。そして、６４はガス流量を検出
するための検出素子である。

【０００６】この検出素子６４は、溝６０の上方で、か
つ、基板５０とほぼ同じ高さで、しかも基板５０と連続
面を画成するように配置されている。ここで、溝６０
は、検出素子６４に直接熱的影響を与えないようにする
ために設けられ、かつ、ガスの流路としての役割を有し
ているものである。このため、検出素子６４が基板５０
に平行であっても検出対象のガスは検出素子６４の表面
及び裏面に均一に接触する。

【０００７】また、図８の（Ａ）、（Ｂ）は、検出素子
６４の部分を片持ち梁の形状にした場合のガスフローセ
ンサの平面図及び断面図を示している。

【０００８】図７のガスフローセンサとの違いは、検出
素子６４が片持ち梁の形状をしている点にある。この図
８の構造では、シリコン基板５０からの影響を実質的に
受けることなく、ほぼすべての方向に対して検出素子部
６４を膨張及び圧縮させることができるという利点をも
っている。

【０００９】上述したガスフローセンサを用いてガス流
量を検出する方法につき説明する。ガスフローセンサに
主要部分を構成している検出部は、誘電体層の内部にホ
イーストンブリッジを有する抵抗体の回路が組み込まれ
ている。外部からガスが流れると抵抗体に一定の電流が
流れて発熱され、ガスの流量に対応した抵抗温度係数に
基づく抵抗変化を生じ、その変化量からガス流量が検出
できる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のガスフローセンサのいずれにおいても、シリコ
ン基板５０を極端に深くエッチングして溝６０を形成す
るため、溝６０を形成するためのエッチングに要する時
間が長くかかり、かつ、深い溝６０をガスの流路方向に
長く形成するため、シリコン基板５０の厚さも厚くする
必要があった。また、溝を必要とするのでその分面積を
大きくする必要があるため、ガスフローセンサを小型化
できないという問題もあった。

【００１１】この発明は、上述した問題点に鑑み行われ
たものであり、すなわち、この発明の目的は、製造工程
の作業時間を短縮でき、かつ、小型化できるガスフロー
センサ及びその形成方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るた
め、この発明のガスフローセンサの構成によれば、基板
と、検出素子とを具えるガスフローセンサにおいて、前
記検出素子の一端を前記基板に固定してあり、残りの部
分を、前記基板と非平行、かつ、非接触状態としてある
ことを特徴とする。

【００１３】また、この発明の形成方法によれば、基板
と、該基板に一端が固定され、残りの部分が前記基板と
非平行、かつ、非接触とされている検出素子とを具える
ガスフローセンサを形成するに当たり、（ａ）基板上に
犠牲層を形成する工程と、（ｂ）前記犠牲層上に検出素
子形成用薄膜を形成する工程と、（ｃ）前記検出素子形
成用薄膜を検出素子形状にパターニングする工程と、
（ｄ）パターニングした前記検出素子形成用薄膜の下面
の犠牲層の一部を除去する工程とを含むことを特徴とす
る。

【００１４】

【作用】上述したこの発明のガスフローセンサの構成に
よれば、検出素子の一端を基板の表面に固定してあり、
残りの部分を、基板と非平行、かつ、非接触状態として
ある。従って、検出素子の、基板と非平行、かつ、非接
触な部分（以下、検出部ともいう。）は、基板の上方に
突出した状態になる。このため、基板の表面に沿って流
れるガスに対して前記検出部は良好に接触する。従っ
て、溝をもうけなくても検出部を検出対象ガスに接触さ
せることができる。また、溝を設けない分、ガスフロー
センサは小型化できる。

【００１５】また、ガスフローセンサの形成方法によれ
ば、先ず、基板上に犠牲層（例えばＳｉＯ₂層とす
る。）を形成する。その後、この犠牲層上に検出素子形
成用薄膜を形成する。続いて、この検出素子形成用薄膜
を検出素子形状にパターニングする。その後、パターニ
ングした検出素子形成用薄膜の下面の犠牲層の一部を除
去する。このような一連の工程を経ることによって、犠
牲層の一部除去が行われ、除去された犠牲層部分上の検
出素子形成用薄膜に内部応力を与えているため、この薄
膜部分は基板からそり返る。従って、検出素子の部分を
基板と非平行、かつ、非接触にできる。

【００１６】

【実施例】以下、図面を参照してこの発明のガスフロー
センサ及びその形成方法の実施例についてそれぞれ説明
する。なお、説明に用いる各図はこの発明を理解出来る
程度に各構成成分の寸法、形状及び配置関係を概略的に
示してある。

【００１７】１．構造の説明先ず図１及び図２を参照して実施例のガスフローセンサ
の構造について説明する。ここで図１は、実施例のガス
フロ−センサの要部断面図、図２はこのガスフローセン
サの、検出素子２５が設けられている基板１０側のみを
示した平面図である。図２のＩ−Ｉ線に沿った断面が図
１に示した断面図の中の基板１０側の断面に相当する。

【００１８】この発明のガスフローセンサは、基板とし
てのシリコン基板１０と、この基板１０上に設けられガ
スの流れを検出するための検出素子２５であって一部が
基板に固定され残りの部分が基板１０と非平行、かつ、
非接触状態、この例では基板１０上方に反り返った状態
とされている検出素子２５とを具える。以下、説明の都
合上、検出素子２５の基板１０に固定されている部分を
固定部２５ａと称し、基板上方に反り返っている部分を
この検出部２５ｂと称する。

【００１９】ここで、この実施例の場合の検出素子２５
は、発熱抵抗体層１６ａとこれを被覆している保護膜２
１ａとで構成してある。発熱抵抗体層１６ａ及び保護膜
２１ａは任意の材料で構成出来る。ここでは発熱抵抗体
層１６ａを白金で構成し、保護膜２１ａをシリコン窒化
膜で構成している。また、検出素子２５の基部２５ａの
保護膜２１ａの一部に発熱抵抗体層１６ａの一部を露出
するための穴部２１ｘを設けてある。そして、この穴部
２１ｘを介し発熱抵抗体層１６ａに電極２４を接続して
ある。この電極２４は配線層２９を介しボンディング用
パッド２７（図示せず）と接続してある。なお、主に図
１において、１２は犠牲層、２１ｂは検出素子２５の保
護膜２１ａを形成した後に残存しているシリコン窒化膜
部分である。これら構成成分１２、２１ｂは主に製造上
の理由で設けてあるので、後の形成方法の説明の項にお
いて説明する。

【００２０】また、この実施例のガスフローセンサは、
くぼみ４０を有したキャップ部４５を具えている。第２
基板３０中にくぼみ４０内に検出対象のガスを流すため
のガス流入口４２とガス流出口４４とを壁に有したキャ
ップ部４５を具える。このキャップ部４５は、くぼみ４
０部分が検出素子２５上に位置するように基板１０上に
固定される（詳細は後述する。）。キャップ部４５を設
けることで検出素子２５に検出対象のガスを有効に接触
させることが出来、また、検出素子２５を保護すること
が出来る。ただし、キャップ部４５はガスフロセンサの
使用態様によっては必須でない。例えば、検出対象のガ
スが流されるパイプ内でガス検出をする場合等では、検
出素子２５を設けた基板１０そのものをこのパイプ中に
入れることでガスの検出を充分行なえるからである。な
お、キャップ部４５は、任意好適な材料で構成出来る
が、基板１０をシリコン基板で構成する場合は、熱膨張
係数の関係等から、キャップ部４５はシリコ基板３０
（第２基板３０）にくぼみ４０及びガス流入口４２とガ
ス流出口４４とを形成したもので構成するのが良い。な
お、図１において、２７はボンディング用パッド、３
２、３４はシリコン窒化膜、４６は金属薄膜層を夫々示
す。これら構成成分２７、３２、３４、４６は、主に、
検出素子２５を設けた基板１０にキャップ部４５を固定
するためのものである。これらについては、後の形成方
法の説明の項にて説明する。

【００２１】２．形成方法の説明次に、上記実施例のガスフローセンサの形成方法につき
図３の（Ａ）〜（Ｃ）、図４の（Ａ）〜（Ｃ）及び図５
の（Ａ）〜（Ｄ）を参照して説明する。ここで、図３の
（Ａ）〜（Ｃ）及び図４の（Ａ）〜（Ｃ）は、基板１０
に検出素子２５を形成する形成工程図であり、また、図
５の（Ａ）〜（Ｄ）はキャップ部を形成するときの形成
工程図である。

【００２２】検出素子２５をの形成は、次のようにして
行う。基板１０としてシリコン基板を用いる。このシリ
コン基板１０上に例えばＣＶＤ法やスパッタリング法を
用いて犠牲層１２（以下、シリコン酸化（ＳｉＯ₂）膜
と称する。）を形成する。このとき、シリコン酸化膜１
２の膜厚を約５０ｎｍ程度とする。

【００２３】次に、犠牲層１２上に検出素子形成用薄膜
を形成するが、この実施例ではこれを次のようにして行
う。

【００２４】先ず、例えばスパッタリング法を用いてシ
リコン酸化膜１２上にシリコン窒化（ＳｉＮ_X）膜１
４、発熱抵抗体層形成用薄膜１６及びシリコン窒化膜１
８を、順次積層して形成する（図３の（Ａ））。このと
き、シリコン窒化膜１４及び１８には、所定の内部応力
をもつように成膜時の圧力条件を設定する。例えば、形
成条件を以下に示す。

【００２５】ターゲット：シリコン（Ｓｉ）、スパッタ
圧：０．８Ｐａ反応ガス：Ａｒ２０ｓｃｃｍ＋Ｎ₂５ｓｃｃｍパワ（電力）：８００Ｗ、基板温度：２００℃ とする。

【００２６】また、この際の、シリコン窒化膜１４、発
熱抵抗体層１６及びシリコン窒化膜１８のそれぞれの膜
厚を例えば５００ｎｍ〜２０００ｎｍ、５０ｎｍ〜５０
０ｎｍ及び１００ｎｍ程度とする。

【００２７】次に、発熱抵抗体層１６ａを形成するた
め、先ず、シリコン窒化膜１８の表面を任意好適な方法
でマスキング（図示せず）を行った後、例えばフォトグ
ラフィ法やＲＩＥ（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃ
ｈｉｎｇ）法を用いてシリコン窒化膜１８と発熱抵抗体
層１６をパターニングする。このときシリコン窒化膜１
８をエッチングするガスとして９５％四ふっ化炭素（Ｃ
Ｆ₄）ガスと５％酸素（Ｏ₂）ガスとの混合ガスを用い
る。このパターニングによって発熱抵抗体層１６ａが得
られる。また、パターニングされたシリコン窒化膜を１
８ａで示す（図３のＢ）。

【００２８】次に、図３の（Ｂ）の構造体の表面に例え
ばスパッタリング法を用いてシリコン窒化膜２０を成膜
して発熱抵抗体層１６ａをシリコン窒化膜で埋め込む
（図３の（Ｃ））。このとき、形成されるシリコン窒化
膜２０は、図３の（Ａ）の形成のときと同様に内部応力
を持つように形成する。シリコン窒化膜２０の形成条件
は、図３の（Ａ）の形成のときと同一なので省略する。
また、シリコン窒化膜２０の膜厚を例えば９００ｎｍと
する。なお、シリコン窒化膜１４、発熱抵抗体層１６
ａ、シリコン窒化膜１８ａ及びシリコン窒化膜２０を総
称して検出素子用薄膜２１と称する。

【００２９】次に、検出素子形成用薄膜２１を検出素子
２５の形状にパターニングする。ここでは、検出素子形
成用薄膜２１の、検出素子２５（図１、図２参照）とさ
れる部分および所定部分（後にシリコ窒化膜２１ｂ（図
１参照）とされる部分）をマスキングし（図示せず）、
次に、該薄膜２１のマスキングされていない部分を犠牲
層１２の方面が露出されるまで好適なエッチング手段に
より除去する（図４の（Ａ））。図４（Ａ）において薄
膜２１の除去部分を溝２８として示してある。なお、溝
２８を形成する際に、発熱抵抗体層１６ａの一部を露出
するための穴部２１ｘも合わせて形成するのが良い。な
お、ここでは溝２８形成の際に犠牲層１２の表面まで薄
膜２１を除去して溝２８としている。これは、犠牲層１
２がシリコン酸化膜で構成され、薄膜２１のエッチング
される部分がシリコン窒化膜であることに主による。し
かし、材料次第では、溝２８形成時に溝２８下の犠牲層
部分を合わせて除去しても良い。

【００３０】次に、この試料全面に例えば蒸着法を用い
てクロム（Ｃｒ）及び金（Ａｕ）を蒸着し（図示せ
ず）、これをパターニングして電極２４を形成する。こ
の電極２４のＣｒ／Ａｕの膜厚を、例えば５０ｎｍ〜１
００ｎｍ及び０．５μｍ〜２μｍとする。更に、シリコ
ン窒化膜２１ａ及び２１ｂの表面上にボンデイング用パ
ッド２７をＣｒ／Ａｕで上記電極２４と同時に形成する
（図４の（Ｂ））。

【００３１】キャップを形成して検出素子部を接着する
場合、キャップ側には、ボンデイング用パッド（Ｃｒ／
Ａｕ）と対応して錫（Ｓｎ）が薄膜で形成されてあるた
め、両者の接合部はＡｕ／Ｓｎの共晶体となる。

【００３２】次に、図４の（Ｂ）の構造体を３％重量ふ
っ化水素（ＨＦ）液中に検出素子２５の下面にある犠牲
層１２の部分を除去せきる程度の時間浸漬する。この工
程では、検出素子２５の検出部２５ｂ下に当たる部分が
除去される。検出部２５ａは、シリコン窒化膜や発熱抵
抗体層１６ａの内部応力によって反るので、基板１０と
非平行、かつ、非接触状態の検出部を有する検出素子２
５が得られる。

【００３３】ここで、検出部２５ｂがシリコン窒化膜や
発熱抵抗体層の内部応力によって反る理由について説明
する。

【００３４】一般に、円盤形を有するシリコンウエハ上
にシリコン窒化膜を成膜した場合、シリコンウエハの応
力は次式の計算式によって求めることができる。

【００３５】応力σ＝Ｅ／（１−ν）×ｔ²／（６ｒｄ）＝Ｅ／（１−ν）×（８ｔ²Δ）／（６ａ²ｄ）＝２．２９×１０¹²×（８ｔ²Δ）／（６ａ²ｄ）（ｄｙｎ／ｃｍ²）・・・・（１）ただし、Ｅ：ヤング率、ν：ポアソン比、ｔ：基板の厚
さ（ｃｍ）、Δ：反り量（ｃｍ）、ｒ：反りの半径（ｃ
ｍ）、ｄ：シリコン窒化（ＳｉＮ_X）膜の膜厚（ｃ
ｍ）、ａ：反り生じている端部間の距離（ｃｍ）とす
る。

【００３６】上述の（１）式に各値を代入して内部応力
（σ）が求めることができる。

【００３７】図６は、この実施例で検出部２５を構成し
ているシリコン窒化膜の内部応力を変えて、検出部のそ
り量を測定したときの実験データを示してある。図中、
横軸に長さ（μｍ）を取り、縦軸に反り量（μｍ）を取
って表している。また、曲線Ｉは、応力を３×１０⁹ｄ
ｙｎ／ｃｍ²としたときの反り曲線であり、また、曲線
ＩＩ及び曲線ＩＩＩは、応力を５×１０⁹ｄｙｎ／ｃｍ
²及び６×１０⁹ｄｙｎ／ｃｍ²にしたときのそれぞれ
の反り曲線である。

【００３８】図６から理解できるように、曲線Ｉでは、
１５０μｍの反り量を示し、曲線ＩＩ及び曲線ＩＩＩで
は、２５０μｍ及び３００μｍの反り量が実測されてい
る。

【００３９】従って、検出部２５ｂの部分に３×１０⁹
ｄｙｎ／ｃｍ²以上の内部応力をシリコン窒化膜に与え
ることによって、検出部２５ｂの部分を１５０μｍ以上
の反らせることができると考えられる。

【００４０】次に、キャップ部の構造の形成方法を図５
の（Ａ）〜（Ｄ）を参照して説明する。

【００４１】図５の（Ａ）〜（Ｄ）は、キャップ部の形
成工程を説明するための断面図を示している。

【００４２】先ず、第２基板３０として、例えば（１０
０）面を有するシリコン基板を用いる。この第２基板３
０の表面及び裏面にシリコン窒化膜３２、３４を例えば
スパッタリング法を用いて形成する。このときシリコン
窒化膜３２、３４の膜厚を例えば１μｍ程度とする。

【００４３】次に、表面のシリコン窒化膜３２中にガス
流入口形成用の開口部３６ａとガス流出口形成用の開口
部３６ｂとを任意好適な方法を用いて形成する。更に、
裏面のシリコン窒化膜３４中にもくぼみ形成用の開口部
３６ｃを形成する（図５の（Ａ））。

【００４４】次に、図５の（Ａ）の構造体を水酸化カリ
ウム（ＫＯＨ）のエッチング水溶液に浸漬して第２基板
３０中の裏面側に所定の深さのくぼみ４０を形成する。
また、表面のシリコン窒化膜３２の開口部３６ａ、３６
ｂからもエッチングされて流入口４２と流出口４４が形
成される（図５の（Ｃ））。このときくぼみ４０の深さ
は、検出素子１５の頭が接触しない程度の深さにしてあ
るのが良い。次に、第２基板３０のくぼみ４０を含む
裏面上に例えば蒸着法を用いてクロム（Ｃｒ）と錫（Ｓ
ｎ）とを成膜する（図５の（Ｄ））。このとき成膜され
た膜を金属薄膜層４６と称する。また、金属薄膜層４６
のＣｒ及びＳｎの膜厚をそれぞれ５０ｎｍ〜１００ｎｍ
及び約１μｍ程度とする。

【００４５】次に、図３〜図４で形成された検出部２５
と図５で形成されたキャップ部４５とを接合させて好適
な温度で加熱処理を行ってボンディング用パッド２７で
固定させる。このようにして、実施例のガスフローセン
サが形成される。

【００４６】上述した結果からも理解できるように、検
出素子を構成しているシリコン窒化膜と発熱抵抗体層に
所定の内部応力を与え、かつ、底面に形成されている犠
牲膜を所定の長さだけ除去することによって任意の反り
量を得ることができる。

【００４７】従って、この発明の実施例によって形成さ
れたガスフローセンサは、従来のようにシリコン基板中
に溝を設ける必要がなくなるため、製造工程の低減化、
または作業時間の短縮化を図ることができる。更に、溝
を設ける必要がなくなるため、この分、ガスフローセン
サの構造を小型化できるという利点もある。

【００４８】また、この発明では、シリコン窒化膜や発
熱抵抗体層の内部応力によって検出素子をガスの流路に
そりかえらせてあるので、発熱抵抗体層の冷却効果がよ
くなり、従って、検出素子の検出精度や応答性の向上が
期待できる。

【００４９】また、キャップ部を用いる場合のキヤップ
部の材料は、シリコン基板に制限されるものではなく、
例えばプラスッチク材料を用いても良い。プラスチック
材料を用いた場合、くぼみを形成するためのエッチング
が不必要となる。従って、製造工程や作業時間の増加す
ることはなくなる。

【００５０】

【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明のガスフローセンサの構成によれば、検出素子の
一端を基板の表面に固定してあり、残りの部分を基板と
非平行、かつ、非接触状態としてある。従って、検出素
子の基板と非平行、かつ、非接触な部分は、基板の上方
に突出した状態になる。このため、基板表面に沿って流
れるガスに対して検出部は良好に接触する。従って、従
来のように基板中に、溝を形成する必要がなくなり、そ
の分、製造工程の低減化或は作業時間の短縮化を図るこ
とができる。

【００５１】また、溝を設けない分、ガスフローセンサ
の小型化を図ることが可能となる。従って、製品のコス
トダウンが期待できる。

【００５２】また、この発明のガスフローセンサの形成
方法によれば、基板上に犠牲膜を形成する。その後、犠
牲膜上に検出素子形成用薄膜を形成する。続いて、検出
素子形成用薄膜を検出素子形状にパターニングして、検
出素子形成用薄膜の下面の犠牲層の一部を除去する。

【００５３】犠牲層の一部除去が行われると、除去され
た犠牲層上の検出素子形成用薄膜部分に内部応力を生じ
ているため、この薄膜部分は基板からそりかえる。従っ
て、基板に非平行で、かつ、非接触の検出素子を形成す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明のガスフローセンサの構造を説明する
ための断面図である。

【図２】この発明の検出素子部を説明するために供する
平面図である。

【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は、この発明の検出素子部の形
成方法を説明するための工程図である。

【図４】（Ａ）〜（Ｃ）は、図３に続く、この発明の検
出素子部の形成方法を説明するための工程図である。

【図５】（Ａ）〜（Ｄ）は、この発明のキャップ部の形
成方法を説明するための工程図である。

【図６】この発明の検出素子の内部応力に対する反り量
を説明するための特性曲線図である。

【図７】（Ａ）は、従来のガスフローセンサ（その１）
の平面図であり、（Ｂ）はＸ−Ｘ線で切断したときの断
面図である。

【図８】（Ａ）は、従来のガスフローセンサ（その２）
の平面図であり、（Ｂ）はＹ−Ｙ線で切断したときの断
面図である。

【符号の説明】

１０：シリコン基板１２：犠牲層１４、１８、２０：シリコン窒化（ＳｉＮ_X）膜１６：発熱抵抗体層形成用薄膜１６ａ：発熱抵抗体層２１：検出素子形成用薄膜２１ａ、２１ｂ：保護膜２１ｘ：電極形成用の溝２４：電極２５：検出素子２５ａ：固定部２５ｂ：検出部２７：ボンディング用パッド２８：検出素子形成用の溝２９：配線層３０：第２基板３２、３４：シリコン窒化（ＳｉＮ_X）膜３６ａ、３６ｂ、３６ｃ：開口部４０：くぼみ４２：ガスの流入口４４：ガスの流出口４５：キャップ部４６：金属薄膜層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 29/84 Ａ 9278−4Ｍ (72)発明者毛利幹雄東京都港区虎ノ門１丁目７番12号沖電気工業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、検出素子とを具えるガスフロー
センサにおいて、前記検出素子の一端を前記基板に固定してあり、残りの
部分を、前記基板と非平行、かつ、非接触状態としてあ
ることを特徴とするガスフローセンサ。
【請求項２】基板と、該基板に一端が固定され、残り
の部分が前記基板と非平行、かつ、非接触とされている
検出素子とを具えるガスフローセンサを形成するに当た
り、（ａ）基板上に犠牲層を形成する工程と、（ｂ）前
記犠牲層上に検出素子形成用薄膜を形成する工程と、
（ｃ）前記検出素子形成用薄膜を検出素子形状にパター
ニングする工程と、（ｄ）パターニングした前記検出素
子形成用薄膜の下面の犠牲層の一部を除去する工程とを
含むことを特徴とするガスフローセンサの形成方法。