JPH085597A - 防風構造を有するマイクロガスセンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明の目的は、ガス漏れ検出は勿論のこ
と、ガス流の有無にかかわらずガス種またはガス濃度の
正確な検出を行うことができ、しかも安価な製造コスト
で大量生産され得る超小型のマイクロガスセンサを提供
することである。 【構成】 本発明のマイクロガスセンサは、下方に向か
って開口するように半導体製造技術を用いて形成された
凹部１ｄ，１０ｄを有するシリコン基板１，１０と、該
凹部に対応する前記シリコン基板のダイヤフラム構造１
ｃ，１０ｃの表面に半導体製造技術を用いて形成された
ガス検出部と、該ガス検出部をガス流に影響されないよ
うに保護する防風装置とを具備する。この防風装置は、
ガス検出部にガス流が直接当たらないように、ガス検出
部の近傍で、かつシリコン基板１または１０上にそれぞ
れ形成または接合された防風壁７ａ，７ｂまたは防風フ
ード２０である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明はガスの種類および濃度
を検出するセンサに関し、特に半導体製造技術およびマ
イクロマシンニング技術を用いて安価な製造コストで大
量生産することができる、防風構造を有するマイクロガ
スセンサに関する。

【０００２】

【従来の技術】ガス存在雰囲気中に設置した熱線フィラ
メントに一定電流を流すと、該フィラメントからジュー
ル熱が発生し、この熱はフィラメントの周囲のガスとフ
ィラメントに接している固体に伝播する。雰囲気内の温
度、圧力、ガスの種類、ガスの流量等が変化しない、い
わゆる定常状態であれば、伝播する熱の量は一定にな
り、またフィラメントの温度も一定に保たれる。

【０００３】ガスの流れがなければ、熱線フィラメント
からの熱の伝播状態はフィラメント周囲のガス雰囲気の
温度、圧力、そしてガスの熱伝導率によって決定され、
さらにガス雰囲気の温度と圧力が一定であるなら、ガス
の熱伝導率が熱線フィラメントからの熱の伝播状態を決
定する。言い替えれば、その時の熱線フィラメントの温
度を測定することによってガスの熱伝導率を知ることが
でき、ガスの種類を特定することができる。何故なら、
ガスの熱伝導率はガスの種類毎に異なっているからであ
る。

【０００４】熱線フィラメントの温度を測定するには、
該フィラメントの端子電圧を測定すれば良い。フィラメ
ントの抵抗値の変化は該フィラメント自体の温度にほぼ
比例し、電流が一定であれば、該抵抗値と端子電圧とは
比例関係になるので、端子電圧の変化がフィラメント自
体の温度に比例するからである。

【０００５】ガスの流れがある場合でも、そのガス流速
を検出し、別途検出した熱線フィラメントの温度を検出
したガス流速で補正することによってほぼ正確なガスの
熱伝導率を求めることができる。

【０００６】上記の原理を利用した熱伝導度検出器が特
開平４−３０１５５５公報に開示されている。

【０００７】該公報に開示のものはガスクロマトグラフ
の熱伝導度検出器であり、該検出器はフローコントロー
ラからのキャリヤガスが最初に導入されるリファレンス
セルと、気化室およびカラムを介してリファレンスセル
に連通する測定セルと、抵抗性を持つ狭い通路を介して
リファレンスセルに連通し、作動時に密封状態にされる
第３のセルとが内部に形成された金属製のセルブロック
を備え、各セル内には定電流電源から一定電流が供給さ
れるそれぞれ同一定格の熱線フィラメントが設置されて
いる。

【０００８】この従来検出器においては、リファレンス
セル内と測定セル内とに設置されたそれぞれのフィラメ
ントの電位差を測定することによりキャリヤガスによっ
て運び去られる熱量すなわちキャリヤガスの流量を検知
することができ、一方、同じキャリヤガスが流速のない
状態で収容されている第３のセル内に設置した熱線フィ
ラメントと前記リファレンスセル内の熱線フィラメント
との間における電気抵抗の変化の差を検出することによ
ってキャリヤガスの濃度検出を行うことができるように
なっている。

【０００９】一方、特開平３−２９３５５３号公報に開
示されているような、ＬＰガス、都市ガス等のガス漏れ
警報器に主として用いられてきたガス感応型のガスセン
サは、通常、酸化スズ、酸化亜鉛等のｎ型金属酸化物半
導体を載せた感応膜を昇温させた状態で使用している。
このため、昇温した状態で感応膜及びその周辺の高温部
に気流が当たると、強制対流熱伝達によって熱が奪わ
れ、感応膜自体の温度が低下する。この温度低下は感応
膜を含むセンサ部の抵抗値を変化（増大）させてセンサ
の出力値を変動させると共に、センサの検知感度を変化
（劣化）させる要因となる。従って、自動車の排気筒等
のように、気流が変動する場所で使用されるガス感応型
のガスセンサの場合、従来ではセンサチップ全体を防風
ケース内に設置した構成にしてセンサ部が直接気流に当
たらないようにしている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】特開平４−３０１５５
５公報に開示されているように、内部に３個のセルが形
成された金属製のセルブロックを有する従来の熱伝導度
検出器は比較的大型で、しかも構造的にも複雑になって
おり、家庭用のガスメータに組み込むようなことはでき
ない。その上さらに、安価な製造コストでもって大量生
産を行うことも不可能である。

【００１１】また、特開平３−２９３５５３号公報に開
示されているようなガス感応型のガスセンサにおける従
来の防風構造の場合、センサチップ１個づつをそれぞれ
防風ケースに封入する工程がわざわざ必要になると共
に、幅、奥行き、高さの少なくとも１つが数ｍｍ程度以
下のサイズである狭所に設置することが不可能である。

【００１２】本発明は従来技術における上記問題点を解
決するために為されたもので、その目的とするところ
は、ガス漏れ検出は勿論のこと、ガス流の有無にかかわ
らずガス種またはガス濃度の正確な検出を行うことがで
き、しかも安価な製造コストで大量生産され得る超小型
のマイクロガスセンサを提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１態様によれば、下方に向かって開口す
るように半導体製造技術を用いて形成された凹部を有す
るシリコン基板と、該凹部に対応する前記シリコン基板
のダイヤフラム部の表面に半導体製造技術を用いて形成
されたガス検出部と、このガス検出部がガス流の影響を
受けないように前記シリコン基板上に設けられた防風手
段とを具備するマイクロガスセンサが提供される。

【００１４】本発明の第２態様によれば、上記第１態様
に記載の防風手段が、ガス流に直交しかつ前記ガス検出
部の両側に位置するように前記シリコン基板上にマイク
ロマシンニング技術を用いて形成された少なくとも一対
の防風壁であることを特徴とするマイクロガスセンサが
提供される。

【００１５】本発明の第３態様によれば、上記第２態様
に記載の防風壁の上にまたがってさらに薄膜状の屋根が
形成されていることを特徴とするマイクロガスセンサが
提供される。

【００１６】本発明の第４態様によれば、上記第３態様
に記載の薄膜状の屋根が網状またはその類の穴あき構造
であることを特徴とするマイクロガスセンサが提供され
る。

【００１７】本発明の第５態様によれば、上記第１態様
に記載の防風手段が、少なくとも下方に向かって開口す
る空胴部および該空洞部に連通する通気開口部を有し、
前記シリコン基板上に接合された防風フードであること
を特徴とするマイクロガスセンサが提供される。

【００１８】本発明の第６態様によれば、上記第５態様
に記載の通気開口部が防風フードの上面および一側面に
形成されていることを特徴とするマイクロガスセンサが
提供される。

【００１９】本発明の第７態様によれば、上記第６態様
に記載の防風フードの上面に形成された通気開口部に網
状の薄膜がさらに形成されていることを特徴とするマイ
クロガスセンサが提供される。

【００２０】本発明の第８態様によれば、下方に向かっ
て開口するように半導体製造技術を用いて形成された第
１凹部および上方に向かって開口するように半導体製造
技術を用いて形成された第２凹部を有するシリコン基板
と、これらの第１および第２凹部を隔てる前記シリコン
基板のダイヤフラム部の表面に半導体製造技術を用いて
形成されたガス検出部と、前記第２凹部と連通する通気
開口部を形成するように前記シリコン基板上に接合され
た防風フードとを具備するマイクロガスセンサが提供さ
れる。

【００２１】上記第１または第６態様のマイクロガスセ
ンサにおけるガス検出部は電源に接続されたヒータ線で
あっても、あるいはガスの存在によりその性状を変化さ
せる半導体であっても良い。

【００２２】また、上記第５乃至第８態様のいずれかに
記載の防風フードはシリコン基板またはガラスによって
形成されている。

【００２３】さらに、該ガス検出部は好適には薄い保護
膜で被覆されている。

【００２４】

【作用】半導体製造技術を用いて安価な製造コストで大
量生産され得るマイクロガスセンサであると共に、マイ
クロマシンニング技術を用いて形成された防風構造を有
しているので、例えば家庭用のガスメータのような狭い
場所で、かつ流れのあるガス雰囲気中に設置して、ガス
濃度の正確な検出などに用いられる。

【００２５】

【実施例】以下、添付の図面を参照しつつ本発明の幾つ
かの好ましい実施例を説明する。なお、下記の説明は検
出部にヒータ線を設けたガスの熱伝導度検出器を例とし
て展開するものであるが、検出部にヒータ線およびガス
の存在によりその性状を変化させる半導体を設けたガス
感応型のガスセンサにおいても基本的に変わる点はな
い。従って、ガス感応型のガスセンサについての図示お
よびその説明は重複を避けるために省略する。

【００２６】最初に、図１を参照して本発明の第１実施
例を説明する。第１実施例の切断箇所付き概略斜視図で
ある図１の（イ）に示されているように、シリコン基板
１の上には絶縁膜２を挟んでヒータ線３が形成されてお
り、また矢印Ｇで示したガスの流れ方向に直交するよう
にヒータ線３の両側に一対の防風壁７ａ，７ｂが形成さ
れている。さらに、図１の（ロ）の概略側面図から明ら
かなように、ヒータ線３の熱がシリコン基板１へ極力流
れ出さないようにヒータ線３が設けられたシリコン基板
１のセンサ部をダイヤフラム構造１ｃにするために、シ
リコン基板１の裏面１ｂにはエッチングによって下方に
開口する凹部１ｄが形成されている。参照符号８ａ，８
ｂはヒータ線３を外部の定電流供給源（図示せず）に接
続するためのワイヤボンディングである。

【００２７】図２は上記第１実施例の製造工程を示すプ
ロセスチャートであり、各工程がそれぞれ断面図で示さ
れる。

【００２８】まず、図２の（ａ）に示されているよう
に、シリコン基板１の表面１ａ上に半導体製造技術によ
って０．１〜１μｍの厚さで成膜された酸化シリコンま
たは窒化シリコン等からなる絶縁膜２の直上に、Ｐｔ、
Ａｕ、Ｃｕ、ＦｅＮｉ（パーマロイ）、ポリシリコン等
から選ばれた１つの導電性材料がスパッタリング技術ま
たは蒸着技術により絶縁膜２上の略０．１ｍｍ四方の領
域に付着されることによって幅１〜１０μｍのヒータ線
３が形成される。さらにその上に、防風壁電着用の所定
領域のシード層（下地金属膜）４として、Ｐｔ、Ａｕ／
Ｃｒ合金あるいはＦｅＮｉがスパッタリング技術または
蒸着技術によって１μｍ程度の厚さに成膜された後、防
風壁電着のための領域だけを残してスパッタリングによ
るエッチングで除去される。なお、長期間の使用でもヒ
ータ線３が酸化しないように酸化シリコンまたは窒化シ
リコン等の薄い保護膜５でヒータ線３は被覆されている
ほうが良い。

【００２９】続いて、図２の（ｂ）に示されているよう
に、ヒータ線３およびシード層４が形成された絶縁膜２
の全面にわたって、電着用型膜６がレジストまたはポリ
イミドの塗布によって略５０〜８０μｍの厚さに形成さ
れ、該型膜６の硬化後、パターニングによって防風壁電
着用の凹部６ａ，６ｂが形成される。

【００３０】図２の（ｃ）には、防風壁電着用凹部６
ａ，６ｂ内にＰｔ、Ａｕ、ＣｕまたはＦｅＮｉを電着す
ることによって防風壁７ａ，７ｂをそれぞれ形成するプ
ロセスが示される。なお、この電着は、防風壁７ａ，７
ｂの上面がレジストまたはポリイミドの型膜６の表面の
高さに達するまで続けられる。

【００３１】その後、図２の（ｄ）に示されるように、
レジストまたはポリイミド膜６が剥離される。

【００３２】最後に、ヒータ線３が形成されたセンサ部
をダイヤフラム構造１ｃにするために、シリコン基板１
の裏面１ｂに異方性エッチングを施すことによって下方
に開口する凹部１ｄが形成される。斯くして、ガス検出
部のシリコン基板１への熱絶縁が達成される。

【００３３】以上のように、防風手段を設けたことによ
ってヒータ線３に直接ガス流が当たらなくなるので、ガ
ス流によるヒータ線への影響を遮断でき、ガスセンサと
しての機能を十分に発揮させることができると共に、検
出精度も著しく向上する。

【００３４】なお、そのほかの工程として、ヒータ線３
を外部の定電流供給源（図示せず）に接続するためのワ
イヤボンディング８ａ，８ｂが半導体製造技術によって
形成されることは言うまでもない。

【００３５】次に、本発明の第２実施例の製造プロセス
が図３を参照して説明される。

【００３６】第２実施例が前述の第１実施例と異なる点
は、一対の防風壁７ａ，７ｂの上にまたがって薄膜状の
屋根が形成されている点のみである。従って、図３の
（Ａ）から（Ｃ）まで並びに図３の（Ｅ）および（Ｆ）
の各プロセスは、図２の（ａ）から（ｃ）まで並びに図
２の（ｄ）および（ｅ）の各プロセスと同様であるの
で、重複を避けるためにそれらの説明は省略し、図３の
（Ｄ）に示されている薄膜状の屋根９の形成プロセスに
関して以下に説明する。

【００３７】電着による防風壁７ａ，７ｂの形成が完了
した後、レジストまたはポリイミドの型膜６を剥離する
前に、型膜６および防風壁７ａ，７ｂの表面に半導体製
造技術によって窒化シリコンの薄膜状の屋根９が形成さ
れる。

【００３８】窒化シリコンからなる薄膜状の屋根９を設
けることによって、ガス流の変化が激しい場所でもヒー
タ線３がガス流の影響を受けることなくガスセンサとし
ての所望の働きを確実に果たすことができるようにな
る。

【００３９】なお、実施例１および２の変形例として、
図４に示すように防風壁がヒータ線の周囲を囲うように
形成されてもよい。ただし、この場合には、第２実施例
における薄膜状の屋根９は網状またはそれに類する穴あ
き構造にする必要がある。

【００４０】次に、図５乃至図７に関連して本発明の第
３実施例を説明する。

【００４１】図５は本発明の第３実施例を示す概略斜視
図であり、この第５図から明らかなように、第３実施例
の特徴は、ガス検出部としてのヒータ線１３が上面に形
成されたシリコン基板１０の上に、通気開口部２２およ
びガス停滞用の空洞部２３を有する防風手段としての防
風フード２０を載せ、両者を陽極接合技術等を用いて接
合した点にある。

【００４２】この第３実施例においても、ヒータ線１３
が形成されたガス検出部に相当するシリコン基板１０
は、ガス検出部をシリコン基板から可能な限り熱絶縁す
るように、シリコン基板１０の下面１０ｂに異方性エッ
チングを施すことによって下方に開口する凹部１０ｄが
形成されており、それにより該凹部１０ｄの上方にはダ
イヤフラム構造１０ｃが形成されている。このダイヤフ
ラム構造１０ｃはヒータ線３の形成されていない部分に
複数個の熱絶縁用穴１１が穿設されていて、ガス検出部
のシリコン基板１０に対する熱絶縁をさらに促進するよ
うになっている。なお、各部の材質やサイズなどは前述
の第１実施例のそれらと略同じである。

【００４３】図６および図７は第３実施例の製造プロセ
スチャートである。図６の（１）から（４）にはガス検
出部を有するシリコン基板１０の製造工程が、一方、図
７の（１）から（４）には防風手段としての防風フード
２０の製造工程がそれぞれ示されている。

【００４４】図６の（１）においては、まずシリコン基
板１０の表面全体にわたって半導体製造技術を用いて例
えばＳｉ₃ Ｎ₄ のような絶縁膜１２が成膜され、次いで
この絶縁膜１２をガス検出部に相当する所定の大きさに
すると共に、熱絶縁用の複数個の穴１１を穿設するため
に絶縁膜１２にパターニングが施される。

【００４５】図６の（２）においては、所定の大きさに
パターニングされた絶縁膜１２上に半導体製造技術を用
いてＰｔ等の導電材料薄膜が形成され、その後、該導電
材料薄膜をヒータ線１３および接続配線用パッド１４
ａ，１４ｂに形成するためにパターニングが施される。

【００４６】続いて、図６の（３）において、ヒータ線
１３およびパッド１４ａ，１４ｂを含むシリコン基板１
０の上面全体に半導体製造技術を用いて酸化シリコンま
たは窒化シリコンからなる保護膜１５が成膜され、該保
護膜１５の硬化後、ヒータ線１３を外部の定電流供給源
（図示せず）と接続するために、パッド１４ａ，１４ｂ
部分の保護膜１５がパターニングを施すことによって除
去される。

【００４７】そして、図６の（４）において、ヒータ線
１３の熱がシリコン基板１０へ流出しないように両者間
に可能な限りの熱絶縁を達成するために、シリコン基板
１０の裏面１０ｂに異方性エッチングが施され、下方に
開口する凹部１０ｄと共に、ヒータ線１３を含むガス検
出部にダイヤフラム構造１０ｃが形成される。

【００４８】一方、図７の（１）においては、防風フー
ド２０の通気開口部２２となる切り取り部が防風フード
２０にステップ状のエッチングを施すことによって形成
される。

【００４９】図７の（２）では、防風フード２０のステ
ップ状の切り取り部が形成された側の全面に例えばＳｉ
₃ Ｎ₄ のようなマスキング用薄膜２１が成膜され、該マ
スキング用薄膜２１の硬化後、ガス停滞用空洞部２３の
開口領域に相当する部分のマスキング用薄膜２１を取り
除くためのパターニングが施される。

【００５０】続いて、図７の（３）に示されているよう
に、マスキング用薄膜２１が取り除かれた部分の防風フ
ード２０に異方性エッチングが施されて、そこにガス停
滞用空洞部２３が形成される。

【００５１】その後、図７の（４）において、マスキン
グ用薄膜２１を取り除くために、パターニングが施さ
れ、防風手段としての防風フード２０の製造が完了す
る。

【００５２】最終的には、図６の（１）から（４）のプ
ロセスを通して製造されたガス検出部付きシリコン基板
１０の上に、図７の（１）から（４）の各プロセスを通
じて製造された防風フード２０がガス停滞用空洞部２３
を下向きにして載せられ、陽極接合技術などを用いて互
いに接合される。このようにして、上部に防風フード２
０を有する本発明の第３実施例としてのマイクロガスセ
ンサが提供される。

【００５３】図８には上記第３実施例の第１変形例が示
される。この第１変形例によれば、防風フード２０の空
洞部２３の上方がエッチングによって除去され、通気孔
２４として開口されている。

【００５４】さらに、図９には上記第３実施例の第２変
形例が示されており、図から明らかなように、通気孔２
４を有する第１変形例の防風フード２０の上面が複数個
の小孔２５ａを有する酸化シリコン、窒化シリコンまた
はポリシリコン等の網状薄膜２５でさらに覆われてい
る。

【００５５】次に、図１０には本発明の第４実施例の概
略斜視図が示されている。

【００５６】この第４実施例が前述の第３実施例（図５
参照）と異なる点は、ヒータ線１３を含むガス検出部が
シリコン基板１０の平坦な表面１０ａ上に形成されてお
らず、図１０から明らかなように、シリコン基板１０の
表面１０ａに異方性エッチングを施すことによって形成
された凹部１６の底面部１６ａ上に形成されている点で
ある。シリコン基板１０をこのように形成することによ
って、その上部に載置され、かつ陽極接合等で互いに接
合される防風フード２０にガス停滞用の空洞部２３を形
成する必要がなくなる。

【００５７】なお、上記第１および第２変形例並びに第
４実施例の製造プロセスは、第３実施例に関する前述の
製造プロセスと殆ど変わらないので、それらの説明をこ
こでは省略する。

【００５８】また、上記第３実施例およびその変形例な
らびに第４実施例における防風フード２０の材料として
は、シリコン基板または光を照射することによって硬化
する感光性ガラス等が好適に用いられる。

【００５９】さらに、これまでは説明の簡略化のために
単一のマイクロガスセンサの製造について説明してきた
が、一つのシリコン基板の上に複数個のマイクロガスセ
ンサを同時に製造し、最終工程としてこれらが１つづつ
切り離されることも本発明の範囲に当然含まれる。

【００６０】以上の説明は単に本発明の好適な実施例の
例証であり、本発明の範囲はこれに限定されることはな
い。

【００６１】

【発明の効果】本発明によれば、防風構造を有するマイ
クロガスセンサが半導体製造技術およびマイクロマシン
ニング技術を用いて作られ得ることから下記の効果がも
たらされる。 １．流れのないガス雰囲気中はもちろんのこと、流れの
あるガス雰囲気中に設置された場合でもガス種あるいは
ガス濃度を正確に検出することができる。 ２．超小型であることから消費電力が小さく狭い場所に
も設置可能である。 ３．ガス検出部が基板から熱絶縁されているので、消費
電力が小さく応答性の早い検出が可能になる。 ４．大量生産が容易に可能となり、製造コストが著しく
低減される。 ５．同一基板上に増幅回路などを一体的に作製すること
により、センサのＳ／Ｎ比を高くすることができる。 ６．一般家庭用のガスメータに組み込むことができ、そ
れによって異常な性状のガスが検知され、種々の事故を
未然に防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（イ）は本発明の第１実施例を示す破断部付き
概略斜視図であり、（ロ）は該第１実施例の概略側面図
である。

【図２】本発明の第１実施例の製造工程を示すプロセス
チャートである。

【図３】本発明の第２実施例の製造工程を示すプロセス
チャートである。

【図４】本発明の第１実施例乃至第２実施例の変形例を
示す概略上面図である。

【図５】本発明の第３実施例を示す概略斜視図である。

【図６】本発明の第３実施例の製造工程を示すプロセス
チャートである。

【図７】本発明の第３実施例の製造工程を示すプロセス
チャートである。

【図８】本発明の第３実施例の第１変形例を示す概略斜
視図である。

【図９】本発明の第３実施例の第２変形例を示す概略斜
視図である。

【図１０】本発明の第４実施例を示す概略斜視図であ
る。

【符号の説明】

１，１０ シリコン基板 １ａ，１０ａ シリコン基板表面 １ｂ，１０ｂ シリコン基板裏面 １ｃ，１０ｃ ダイヤフラム構造 １ｄ，１０ｄ 凹部 ２，１２ 絶縁膜 ３，１３ ヒータ線 ４ シード層 ５，１５ 保護膜 ６ 電着用型膜 ６ａ，６ｂ 凹部 ７ａ，７ｂ 防風壁 ８ａ，８ｂ ボンディングワイヤ ９ 薄膜状の屋根 １１ 熱絶縁用穴 １４ａ，１４ｂ 接続配線用パッド １６ 凹部 １６ａ 凹部底面部 ２０ 防風フード ２１ マスキング用薄膜 ２２ 通気開口部 ２３ ガス停滞用空洞部 ２４ 通気孔 ２４ａ 小孔 ２５ 網状薄膜 Ｇ ガスの流れ方向

Claims (21)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下方に向かって開口するように半導体製
   造技術を用いて形成された凹部を有するシリコン基板
   と、該凹部に対応する前記シリコン基板のダイヤフラム
   部の表面に半導体製造技術を用いて形成されたガス検出
   部と、このガス検出部がガス流の影響を受けないように
   前記シリコン基板上に設けられた防風手段とを具備する
   マイクロガスセンサ。
2. 【請求項２】 前記ガス検出部の防風手段が、ガス流に
   直交しかつ前記ガス検出部の両側に位置するように前記
   シリコン基板上にマイクロマシンニング技術を用いて形
   成された少なくとも一対の防風壁であることを特徴とす
   る請求項１記載のマイクロガスセンサ。
3. 【請求項３】 前記ガス検出部が電源に接続されたヒー
   タ線を含むことを特徴とする請求項２記載のマイクロガ
   スセンサ。
4. 【請求項４】 前記ガス検出部が電源に接続されたヒー
   タ線とガスの存在によりその性状を変化させる半導体と
   を含むことを特徴とする請求項２記載のマイクロガスセ
   ンサ。
5. 【請求項５】 前記ヒータ線が保護膜で被覆されている
   ことを特徴とする請求項３および４のいずれか１項記載
   のマイクロガスセンサ。
6. 【請求項６】 前記防風壁の上にまたがってさらに薄膜
   状の屋根が形成されていることを特徴とする請求項２乃
   至５のいずれか１項記載のマイクロガスセンサ。
7. 【請求項７】 前記薄膜状の屋根が網状またはその類の
   穴あき構造であることを特徴とする請求項６記載のマイ
   クロガスセンサ。
8. 【請求項８】 前記ガス検出部の防風手段が、少なくと
   も下方に向かって開口する空胴部および該空洞部に連通
   する通気開口部を有し、前記シリコン基板上に接合され
   た防風フードであることを特徴とする請求項１記載のマ
   イクロガスセンサ。
9. 【請求項９】 前記ガス検出部が電源に接続されたヒー
   タ線を含むことを特徴とする請求項８記載のマイクロガ
   スセンサ。
10. 【請求項１０】 前記ガス検出部が電源に接続されたヒ
    ータ線とガスの存在によりその性状を変化させる半導体
    とを含むことを特徴とする請求項８記載のマイクロガス
    センサ。
11. 【請求項１１】 前記ヒータ線が保護膜で被覆されてい
    ることを特徴とする請求項９および１０のいずれか１項
    記載のマイクロガスセンサ。
12. 【請求項１２】 前記通気開口部が前記防風フードの上
    面および一側面に形成されていることを特徴とする請求
    項８乃至１１のいずれか１項記載のマイクロガスセン
    サ。
13. 【請求項１３】 前記防風フードの上面に形成された通
    気開口部に網状の薄膜がさらに形成されていることを特
    徴とする請求項１２記載のマイクロガスセンサ。
14. 【請求項１４】 前記防風フードがシリコン基板によっ
    て形成されていることを特徴とする請求項８乃至１３の
    いずれか１項記載のマイクロガスセンサ。
15. 【請求項１５】 前記防風フードがガラスによって形成
    されていることを特徴とする請求項８乃至１３のいずれ
    か１項記載のマイクロガスセンサ。
16. 【請求項１６】 下方に向かって開口するように半導体
    製造技術を用いて形成された第１凹部および上方に向か
    って開口するように半導体製造技術を用いて形成された
    第２凹部を有するシリコン基板と、これらの第１および
    第２凹部を隔てる前記シリコン基板のダイヤフラム部の
    表面に半導体製造技術を用いて形成されたガス検出部
    と、前記第２凹部と連通する通気開口部を形成するよう
    に前記シリコン基板上に接合された防風フードとを具備
    するマイクロガスセンサ。
17. 【請求項１７】 前記ガス検出部が電源に接続されたヒ
    ータ線を含むことを特徴とする請求項１６記載のマイク
    ロガスセンサ。
18. 【請求項１８】 前記ガス検出部が電源に接続されたヒ
    ータ線とガスの存在によりその性状を変化させる半導体
    を含むことを特徴とする請求項１６記載のマイクロガス
    センサ。
19. 【請求項１９】 前記ヒータ線が保護膜で被覆されてい
    ることを特徴とする請求項１７および１８のいずれか１
    項記載のマイクロガスセンサ。
20. 【請求項２０】 前記防風フードがシリコン基板によっ
    て形成されていることを特徴とする請求項１６乃至１９
    のいずれか１項記載のマイクロガスセンサ。
21. 【請求項２１】 前記防風フードがガラスによって形成
    されていることを特徴とする請求項１６乃至１９のいず
    れか１項記載のマイクロガスセンサ。