JP3333948B2 - ガス式センサの製造方法 - Google Patents
ガス式センサの製造方法Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
- G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
- G01F1/6845—Micromachined devices
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、センサ本体に作用する
角速度や加速度または流量などを、ガスを媒介とする熱
の移動状態としてヒートワイヤによって検出するガス式
センサの製造方法に関する。
角速度や加速度または流量などを、ガスを媒介とする熱
の移動状態としてヒートワイヤによって検出するガス式
センサの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、例えば、センサ本体に角速度が作
用したときのガス室内を流れるガスの偏向状態を感熱抵
抗素子としてのヒートワイヤによって検出するようにし
たガス式センサにあっては、ガス室およびそのガス室に
かかるヒートワイヤブリッジからなるセンサ本体が、半
導体基板を用いたＩＣ製造技術によるマイクロマシニン
グ加工によって形成されたものが開発されている（特開
昭５８−５６４７６号公報参照）。
用したときのガス室内を流れるガスの偏向状態を感熱抵
抗素子としてのヒートワイヤによって検出するようにし
たガス式センサにあっては、ガス室およびそのガス室に
かかるヒートワイヤブリッジからなるセンサ本体が、半
導体基板を用いたＩＣ製造技術によるマイクロマシニン
グ加工によって形成されたものが開発されている（特開
昭５８−５６４７６号公報参照）。
【０００３】このようなガス式センサでは、下側半導体
基板上に窒化シリコン（ＳｉＮ）、白金（Ｐｔ）、窒化
シリコン（ＳｉＮ）を順次重ねて三層に成膜し、その成
膜部分を所定のパターンにエッチングすることによって
ヒートワイヤ部を形成したうえで、その下側半導体基板
をエッチングして前記ヒートワイヤ部がブリッジ状にか
かる溝を形成したうえで、エッチングにより溝が形成さ
れた上側半導体基板を溝同志がつき合わさるように下側
基板に接合して、ガス室およびそのガス室にかかるヒー
トワイヤブリッジを製造するようにしている。
基板上に窒化シリコン（ＳｉＮ）、白金（Ｐｔ）、窒化
シリコン（ＳｉＮ）を順次重ねて三層に成膜し、その成
膜部分を所定のパターンにエッチングすることによって
ヒートワイヤ部を形成したうえで、その下側半導体基板
をエッチングして前記ヒートワイヤ部がブリッジ状にか
かる溝を形成したうえで、エッチングにより溝が形成さ
れた上側半導体基板を溝同志がつき合わさるように下側
基板に接合して、ガス室およびそのガス室にかかるヒー
トワイヤブリッジを製造するようにしている。
【０００４】このようなガス式センサを製造するに際し
て、半導体基板上にＳｉＮ、Ｐｔ、ＳｉＮを順次重ねて
三層に成膜する場合、ＳｉＮをＣＶＤ法によって成膜
し、Ｐｔをスパッタリング法によって成膜するなど、各
層の成膜方法が異なると、別々のチャンバに移し変えな
がら成膜する必要があり、そのためチャンバへの移し変
えに際して空気に触れてＳｉＮが酸化してしまう。ま
た、スパッタリング時の雰囲気中に酸素が含まれている
ことによってもＳｉＮが酸化してしまう。そのため、Ｓ
ｉＮ層とＰｔ層との密着性が悪くなり、性能が劣化して
しまうことになる。
て、半導体基板上にＳｉＮ、Ｐｔ、ＳｉＮを順次重ねて
三層に成膜する場合、ＳｉＮをＣＶＤ法によって成膜
し、Ｐｔをスパッタリング法によって成膜するなど、各
層の成膜方法が異なると、別々のチャンバに移し変えな
がら成膜する必要があり、そのためチャンバへの移し変
えに際して空気に触れてＳｉＮが酸化してしまう。ま
た、スパッタリング時の雰囲気中に酸素が含まれている
ことによってもＳｉＮが酸化してしまう。そのため、Ｓ
ｉＮ層とＰｔ層との密着性が悪くなり、性能が劣化して
しまうことになる。
【０００５】しかして、従来では、ＳｉＮ層とＰｔ層と
の密着性を向上させるために、各層の間に接着増強層を
設けるようにしている（特開平２−２２６０１７号参
照）。
の密着性を向上させるために、各層の間に接着増強層を
設けるようにしている（特開平２−２２６０１７号参
照）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする問題
点は、ガス式センサを製造するに際して、半導体基板上
にヒートワイヤブリッジを形成するべくＳｉＮ、Ｐｔ、
ＳｉＮを順次重ねて三層に成膜する場合、ＳｉＮ層とＰ
ｔ層との密着性を向上させるために各層の間に接着増強
層を設けるのでは、その成膜のためのプロセスが増えて
作業性が悪くなってしまうことである。
点は、ガス式センサを製造するに際して、半導体基板上
にヒートワイヤブリッジを形成するべくＳｉＮ、Ｐｔ、
ＳｉＮを順次重ねて三層に成膜する場合、ＳｉＮ層とＰ
ｔ層との密着性を向上させるために各層の間に接着増強
層を設けるのでは、その成膜のためのプロセスが増えて
作業性が悪くなってしまうことである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、下側半導体基
板上にＳｉＮ、Ｐｔ、ＳｉＮを順次重ねて三層に成膜
し、その成膜部分を所定のパターンにエッチングするこ
とによってヒートワイヤ部を形成したうえで、その下側
半導体基板をエッチングして前記ヒートワイヤ部がブリ
ッジ状にかかる溝を形成したうえで、エッチングにより
溝が形成された上側半導体基板を溝同志がつき合わさる
ように下側基板に接合して、ガス室およびそのガス室に
かかるヒートワイヤブリッジを製造するようにしたガス
式センサにあって、何ら格別な接着手段を別途設けるこ
となくＳｉＮ層とＰｔ層との間の密着性を向上させるべ
く、下側半導体基板上にＳｉＮ、Ｐｔ、ＳｉＮの各膜を
スパッタリングによって連続して形成する工程と、その
成膜後に６００℃以下で加熱処理する工程とをとるよう
にしている。
板上にＳｉＮ、Ｐｔ、ＳｉＮを順次重ねて三層に成膜
し、その成膜部分を所定のパターンにエッチングするこ
とによってヒートワイヤ部を形成したうえで、その下側
半導体基板をエッチングして前記ヒートワイヤ部がブリ
ッジ状にかかる溝を形成したうえで、エッチングにより
溝が形成された上側半導体基板を溝同志がつき合わさる
ように下側基板に接合して、ガス室およびそのガス室に
かかるヒートワイヤブリッジを製造するようにしたガス
式センサにあって、何ら格別な接着手段を別途設けるこ
となくＳｉＮ層とＰｔ層との間の密着性を向上させるべ
く、下側半導体基板上にＳｉＮ、Ｐｔ、ＳｉＮの各膜を
スパッタリングによって連続して形成する工程と、その
成膜後に６００℃以下で加熱処理する工程とをとるよう
にしている。
【０００８】
【実施例】図１は、ガス式センサのセンサ本体の製造プ
ロセスを示している。
ロセスを示している。
【０００９】まず、プロセスとして、洗浄されて酸化
膜が除去された下側のＳｉ半導体基板１（厚さ７００μ
ｍ）の上面に、ＳｉＮ層２（１．２μｍ）、Ｐｔ層３
（０．４μｍ）、ＳｉＮ層４（０．２μｍ）を順次スパ
ッタリングによって成膜する。下面にもＳｉＮ層５
（０．５μｍ）を成膜する。
膜が除去された下側のＳｉ半導体基板１（厚さ７００μ
ｍ）の上面に、ＳｉＮ層２（１．２μｍ）、Ｐｔ層３
（０．４μｍ）、ＳｉＮ層４（０．２μｍ）を順次スパ
ッタリングによって成膜する。下面にもＳｉＮ層５
（０．５μｍ）を成膜する。
【００１０】その際、スパッタリングによるＳｉＮの成
膜を、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ２）とが１対２の割
合で混合されたガスの雰囲気下で行う。また、スパッタ
リングによるＰｔの成膜を、Ａｒガスの雰囲気下で行
う。
膜を、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ２）とが１対２の割
合で混合されたガスの雰囲気下で行う。また、スパッタ
リングによるＰｔの成膜を、Ａｒガスの雰囲気下で行
う。
【００１１】次に、プロセス、として、Ｐｔパター
ンニングを行うべく、その三層の成膜上にレジスト１２
をかけたうえで、ＲＩＥ法によってＳｉＮ層４およびＰ
ｔ層３のエッチングを行う。その際、ＳｉＮ層４のエッ
チングをＣＦ４ガス中で、Ｐｔ層３のエッチングをＡｒ
ガス中で行う。そして、レジスト１２を除去する。
ンニングを行うべく、その三層の成膜上にレジスト１２
をかけたうえで、ＲＩＥ法によってＳｉＮ層４およびＰ
ｔ層３のエッチングを行う。その際、ＳｉＮ層４のエッ
チングをＣＦ４ガス中で、Ｐｔ層３のエッチングをＡｒ
ガス中で行う。そして、レジスト１２を除去する。
【００１２】次に、プロセスとして、ＳｉＮをＡｒと
Ｎ２の混合ガス（１対２）中でスパッタリングによりオ
ーバコート（１．０μｍ）して新たにＳｉＮ層６を形成
する。
Ｎ２の混合ガス（１対２）中でスパッタリングによりオ
ーバコート（１．０μｍ）して新たにＳｉＮ層６を形成
する。
【００１３】そして、密着性を良くするべく、Ｎ２ガス
中で５００〜６００℃で１時間ほど高温アニールを行
う。
中で５００〜６００℃で１時間ほど高温アニールを行
う。
【００１４】次に、プロセスとして、ＳｉＮパターン
ニングを行うべく、レジストパターンをかけたうえで、
ＲＩＥ法によってＣＦ４ガス中でＳｉＮ層６，２のエッ
チングを行う。そして、レジストを除去する。
ニングを行うべく、レジストパターンをかけたうえで、
ＲＩＥ法によってＣＦ４ガス中でＳｉＮ層６，２のエッ
チングを行う。そして、レジストを除去する。
【００１５】次に、プロセスとして、電極形成を行う
べく、下側にＣｒ（１００ｎｍ）、上側にＡｕ（１．５
μｍ）を蒸着し、レジストパターンをかけたうえで、ウ
ェットエッチングによりパターニングを行って電極部７
を形成する。そして、レジストを除去する。
べく、下側にＣｒ（１００ｎｍ）、上側にＡｕ（１．５
μｍ）を蒸着し、レジストパターンをかけたうえで、ウ
ェットエッチングによりパターニングを行って電極部７
を形成する。そして、レジストを除去する。
【００１６】次に、プロセスとして、ヒートワイヤブ
リッジ８を形成するべく、ＫＯＨ水溶液（４２．５％）
を用いて、Ｓｉ半導体基板１を異方性エッチング（８０
℃、エッチレート０．８μｍ／秒）して溝９を形成す
る。
リッジ８を形成するべく、ＫＯＨ水溶液（４２．５％）
を用いて、Ｓｉ半導体基板１を異方性エッチング（８０
℃、エッチレート０．８μｍ／秒）して溝９を形成す
る。
【００１７】次に、界面に残っている応力を緩和させる
べく、Ｎ２ガス中で３５０℃で１時間ほど低温アニール
を行う。
べく、Ｎ２ガス中で３５０℃で１時間ほど低温アニール
を行う。
【００１８】最終的に、プロセスとして、同じくエッ
チングにより溝が形成された上側半導体基板１０を溝同
志がつき合わさるように下側の半導体基板１に接着し
て、ガス室１１を形成する。その接着は、シート状エポ
キシ系接着剤を用いて、荷重下で１５０℃キュアによっ
て行う。
チングにより溝が形成された上側半導体基板１０を溝同
志がつき合わさるように下側の半導体基板１に接着し
て、ガス室１１を形成する。その接着は、シート状エポ
キシ系接着剤を用いて、荷重下で１５０℃キュアによっ
て行う。
【００１９】このようなガス式センサのセンサ本体の製
造プロセスにあって、本発明では、Ｓｉ半導体基板１の
上面に、ＳｉＮ層２、Ｐｔ層３、ＳｉＮ層４をスパッタ
リングによって連続して成膜するようにしたことを特徴
としている。
造プロセスにあって、本発明では、Ｓｉ半導体基板１の
上面に、ＳｉＮ層２、Ｐｔ層３、ＳｉＮ層４をスパッタ
リングによって連続して成膜するようにしたことを特徴
としている。
【００２０】したがって、同一のチャンバ内で三層の成
膜を行わせることができ、その成膜に際して空気に触れ
る機会がなく、ＳｉＮ層２、４が酸化することなく、Ｓ
ｉＮ層２、４とＰｔ層３との各間の密着性が良くなる。
膜を行わせることができ、その成膜に際して空気に触れ
る機会がなく、ＳｉＮ層２、４が酸化することなく、Ｓ
ｉＮ層２、４とＰｔ層３との各間の密着性が良くなる。
【００２１】そして、三層の連続成膜によりＳｉＮ層
２、４とＰｔ層３との各間の密着性が良くなることはア
ニール中の耐性が向上することになり、スパッタリング
により成膜される結晶の粒の界面の安定化を図るために
アニール処理を行わせるに際して、高温でのアニールが
可能になる。その際、密着性が悪いと高温アニールから
ＫＯＨエッチングを行うプロセス中に、ＳｉＮ層２とＰ
ｔ層３との界面およびＰｔ層３とＳｉＮ層４との界面で
はく離が生じてしまう。
２、４とＰｔ層３との各間の密着性が良くなることはア
ニール中の耐性が向上することになり、スパッタリング
により成膜される結晶の粒の界面の安定化を図るために
アニール処理を行わせるに際して、高温でのアニールが
可能になる。その際、密着性が悪いと高温アニールから
ＫＯＨエッチングを行うプロセス中に、ＳｉＮ層２とＰ
ｔ層３との界面およびＰｔ層３とＳｉＮ層４との界面で
はく離が生じてしまう。
【００２２】その場合、６００℃以下でのアニールが有
効であり（５００〜６００℃が最適範囲）、それ以上の
高温はあまり効果がなく必要ではない。６００℃の高温
アニールで、ヒートワイヤ抵抗値は約７％減少し、Ｐｔ
結晶の高品質化が進行している。
効であり（５００〜６００℃が最適範囲）、それ以上の
高温はあまり効果がなく必要ではない。６００℃の高温
アニールで、ヒートワイヤ抵抗値は約７％減少し、Ｐｔ
結晶の高品質化が進行している。
【００２３】図２はサンプルを５８０℃でアニールした
ときの抵抗変化率の特性を示すもので、最大７．６％の
抵抗値の減少が得られた。また、図３は同一のサンプル
を７００℃でアニールしたときの抵抗変化率の特性を示
すもので、アニール時間が２時間以上になると抵抗値の
増加が始まる。
ときの抵抗変化率の特性を示すもので、最大７．６％の
抵抗値の減少が得られた。また、図３は同一のサンプル
を７００℃でアニールしたときの抵抗変化率の特性を示
すもので、アニール時間が２時間以上になると抵抗値の
増加が始まる。
【００２４】また、通常のスパッタリング条件ではガス
中にＯ２成分が混入しやすく、特にＳｉＮについてはＳ
ｉがＯ２との反応性が高いために容易に酸化されてＳｉ
ＮＯになりやすい。このことは、成膜の密着性が悪く、
ＫＯＨエッチレートが大きくなるなど、安定性を低下さ
せることになり、ヒートワイヤ性能に悪影響を与えるこ
とになる。
中にＯ２成分が混入しやすく、特にＳｉＮについてはＳ
ｉがＯ２との反応性が高いために容易に酸化されてＳｉ
ＮＯになりやすい。このことは、成膜の密着性が悪く、
ＫＯＨエッチレートが大きくなるなど、安定性を低下さ
せることになり、ヒートワイヤ性能に悪影響を与えるこ
とになる。
【００２５】そのため、本発明では、ＳｉＮ層２，４の
成膜に際してスパッタリング条件を改善することによっ
てＳｉＮの酸化を有効に防止するようにしている。
成膜に際してスパッタリング条件を改善することによっ
てＳｉＮの酸化を有効に防止するようにしている。
【００２６】すなわち、Ａｒ／Ｎ２の混合ガスの比を、
従来２程度であったものを０．５程度に小さくする。ス
パッタリング圧力を、従来０．７５Ｐａ程度であったも
のを０．１４Ｐａ程度に小さくする。そして、スパッタ
リング温度を、従来２００℃程度であったものを３００
℃程度に高める。
従来２程度であったものを０．５程度に小さくする。ス
パッタリング圧力を、従来０．７５Ｐａ程度であったも
のを０．１４Ｐａ程度に小さくする。そして、スパッタ
リング温度を、従来２００℃程度であったものを３００
℃程度に高める。
【００２７】このようなスパッタリング条件の改善によ
って、成膜されるＳｉＮ中のＯ濃度が１桁以上低下し、
ヒートワイヤ性能が大幅に向上したことが実験によって
確認された。
って、成膜されるＳｉＮ中のＯ濃度が１桁以上低下し、
ヒートワイヤ性能が大幅に向上したことが実験によって
確認された。
【００２８】ＳｉＮ層２、Ｐｔ層３、ＳｉＮ層４の三層
成膜中には、異種材料の接合部の界面に内部応力が存在
し、それがためにその三層成膜にそりが発生する。その
内部応力が大きく存在すると、動作時の熱応力が問題と
なり、３００℃程度で高温動作するヒートワイヤの抵抗
値に変化をきたしてしまう。
成膜中には、異種材料の接合部の界面に内部応力が存在
し、それがためにその三層成膜にそりが発生する。その
内部応力が大きく存在すると、動作時の熱応力が問題と
なり、３００℃程度で高温動作するヒートワイヤの抵抗
値に変化をきたしてしまう。
【００２９】その解決方法として、ＳｉＮ層２とＰｔ層
３との界面およびＰｔ層３とＳｉＮ層４との界面での各
応力の値を等しくするとともに、各々の応力自体を小さ
くする必要がある。
３との界面およびＰｔ層３とＳｉＮ層４との界面での各
応力の値を等しくするとともに、各々の応力自体を小さ
くする必要がある。
【００３０】ＳｉＮ層２とＰｔ層３との界面およびＰｔ
層３とＳｉＮ層４との界面での各応力の値を等しくする
ためには、Ｐｔ層３の下側のＳｉＮ層２とその上側のＳ
ｉＮ層４とを同等の条件下で成膜する必要がある。この
点、本発明によれば、同一のスパッタリング条件下でＳ
ｉＮ層２とＳｉＮ層４とを成膜させることができ、Ｓｉ
Ｎ層２とＰｔ層３との界面およびＰｔ層３とＳｉＮ層４
との界面での各応力の値が等しくなる。
層３とＳｉＮ層４との界面での各応力の値を等しくする
ためには、Ｐｔ層３の下側のＳｉＮ層２とその上側のＳ
ｉＮ層４とを同等の条件下で成膜する必要がある。この
点、本発明によれば、同一のスパッタリング条件下でＳ
ｉＮ層２とＳｉＮ層４とを成膜させることができ、Ｓｉ
Ｎ層２とＰｔ層３との界面およびＰｔ層３とＳｉＮ層４
との界面での各応力の値が等しくなる。
【００３１】また、本発明では、ヒートワイヤブリッジ
８の形成後にＮ２ガス中で３５０℃で１時間ほど低温ア
ニールを行うことにより、各界面に残っている応力を緩
和させている。ヒートワイヤブリッジ８の形成後に、ヒ
ートワイヤの動作温度３００℃よりもやや高い温度３５
０℃でアニールしてヒートワイヤブリッジ８内の残留応
力を緩和してやると、短いエージング時間でヒートワイ
ヤ抵抗値のドリフトが安定する。
８の形成後にＮ２ガス中で３５０℃で１時間ほど低温ア
ニールを行うことにより、各界面に残っている応力を緩
和させている。ヒートワイヤブリッジ８の形成後に、ヒ
ートワイヤの動作温度３００℃よりもやや高い温度３５
０℃でアニールしてヒートワイヤブリッジ８内の残留応
力を緩和してやると、短いエージング時間でヒートワイ
ヤ抵抗値のドリフトが安定する。
【００３２】通常、ヒートワイヤとなるＰｔ層３は０．
１〜０．２μｍ程度の膜厚であるが、この程度の膜厚で
は、界面の影響によるヒートワイヤ抵抗率の上昇、温度
抵抗係数の低下および高温動作時の抵抗値変化の増大が
無視できない。
１〜０．２μｍ程度の膜厚であるが、この程度の膜厚で
は、界面の影響によるヒートワイヤ抵抗率の上昇、温度
抵抗係数の低下および高温動作時の抵抗値変化の増大が
無視できない。
【００３３】そのため本発明では、Ｐｔ層３の膜厚を
０．４μｍまで増やして改善を図るようにしている。そ
して、前述したプロセスにおける段差部を埋めるため
のＳｉＮのオーバコートの処理を行わせるようにしてい
る。
０．４μｍまで増やして改善を図るようにしている。そ
して、前述したプロセスにおける段差部を埋めるため
のＳｉＮのオーバコートの処理を行わせるようにしてい
る。
【００３４】これにより、ヒートワイヤ抵抗値変化のド
リフト性能が、エージング時間１０〜２０時間にて、３
００℃通電使用時に１ｐｐｍ／時間以下となって長時間
室温放置後の特性を含めて大幅に改善するとともに、ヒ
ートワイヤの温度抵抗係数も０．２μｍの膜厚で３２０
０ｐｐｍ／℃であったものが３６００ｐｐｍ／℃に改善
し、それによりセンサ感度が向上した。
リフト性能が、エージング時間１０〜２０時間にて、３
００℃通電使用時に１ｐｐｍ／時間以下となって長時間
室温放置後の特性を含めて大幅に改善するとともに、ヒ
ートワイヤの温度抵抗係数も０．２μｍの膜厚で３２０
０ｐｐｍ／℃であったものが３６００ｐｐｍ／℃に改善
し、それによりセンサ感度が向上した。
【００３５】
【発明の効果】以上、本発明によるガス式センサの製造
方法によれば、ヒートワイヤブリッジを製造するべく、
半導体基板上にＳｉＮ、Ｐｔ、ＳｉＮを順次重ねて三層
に成膜する場合、何ら格別な接着手段を別途設けること
なく、スパッタリングと加熱工程の最適化を図るだけで
ＳｉＮ層とＰｔ層との各間の密着性を向上させることが
できるとともに界面に生ずる応力をも有効に低減するこ
とができ、性能の良いガス式センサを製造することがで
きるという利点がある。
方法によれば、ヒートワイヤブリッジを製造するべく、
半導体基板上にＳｉＮ、Ｐｔ、ＳｉＮを順次重ねて三層
に成膜する場合、何ら格別な接着手段を別途設けること
なく、スパッタリングと加熱工程の最適化を図るだけで
ＳｉＮ層とＰｔ層との各間の密着性を向上させることが
できるとともに界面に生ずる応力をも有効に低減するこ
とができ、性能の良いガス式センサを製造することがで
きるという利点がある。
【図１】本発明によるガス式センサのセンサ本体の製造
プロセスを示す図である。
プロセスを示す図である。
【図２】半導体基板上にＳｉＮ、Ｐｔ、ＳｉＮを重ねて
三層に成膜したサンプルを５８０℃でアニールしたとき
の抵抗変化率の特性を示す図である。
三層に成膜したサンプルを５８０℃でアニールしたとき
の抵抗変化率の特性を示す図である。
【図３】半導体基板上にＳｉＮ、Ｐｔ、ＳｉＮを重ねて
三層に成膜したサンプルを７００℃でアニールしたとき
の抵抗変化率の特性を示す図である。
三層に成膜したサンプルを７００℃でアニールしたとき
の抵抗変化率の特性を示す図である。
１ 下側半導体基板 ２ ＳｉＮ層 ３ Ｐｔ層 ４ ＳｉＮ層 ６ ＳｉＮ層 ７ 電極部 ８ ヒートワイヤブリッジ ９ 溝 １０ 上側半導体基板 １１ ガス室
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−226017（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−29858（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−370767（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−195327（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−79876（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01D 21/00 G01F 1/68 G01P 5/12
Claims (4)
- 【請求項１】 下側半導体基板上に窒化シリコン、白
金、窒化シリコンを順次重ねて三層に成膜し、その成膜
部分を所定のパターンにエッチングすることによってヒ
ートワイヤ部を形成したうえで、その下側半導体基板を
エッチングして前記ヒートワイヤ部がブリッジ状にかか
る溝を形成したうえで、エッチングにより溝が形成され
た上側半導体基板を溝同志がつき合わさるように下側基
板に接合して、ガス室およびそのガス室にかかるヒート
ワイヤブリッジを製造するようにしたガス式センサにあ
って、下側半導体基板上に窒化シリコン、白金、窒化シ
リコンの各膜をスパッタリングによって連続して形成す
る工程と、その成膜後に６００℃以下で加熱処理する工
程とをとるようにしたことを特徴とするガス式センサの
製造方法。 - 【請求項２】 スパッタリングによる成膜を、アルゴン
と窒素とが１対２の割合で混合されたガスの雰囲気下で
行うことを特徴とする前記第１項の記載によるガス式セ
ンサの製造方法。 - 【請求項３】 スパッタリングによる成膜温度を３００
℃程度としたことを特徴とする前記第１項の記載による
ガス式センサの製造方法。 - 【請求項４】 白金の成膜の膜厚を０．４μｍ以上とし
たことを特徴とする前記第１項の記載によるガス式セン
サの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06432194A JP3333948B2 (ja) | 1994-02-23 | 1994-02-23 | ガス式センサの製造方法 |
| DE69518026T DE69518026T2 (de) | 1994-02-23 | 1995-02-20 | Verfahren zur Herstellung eines Gasstromsensors |
| EP95102349A EP0669521B1 (en) | 1994-02-23 | 1995-02-20 | Method of manufacturing a gas flow type sensor |
| US08/390,362 US5620929A (en) | 1994-02-23 | 1995-04-03 | Method of manufacturing a gas flow type sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06432194A JP3333948B2 (ja) | 1994-02-23 | 1994-02-23 | ガス式センサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07234138A JPH07234138A (ja) | 1995-09-05 |
| JP3333948B2 true JP3333948B2 (ja) | 2002-10-15 |
Family
ID=13254863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06432194A Expired - Fee Related JP3333948B2 (ja) | 1994-02-23 | 1994-02-23 | ガス式センサの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5620929A (ja) |
| EP (1) | EP0669521B1 (ja) |
| JP (1) | JP3333948B2 (ja) |
| DE (1) | DE69518026T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102491253A (zh) * | 2011-11-29 | 2012-06-13 | 北京大学 | 一种不等高硅结构的加工方法 |
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| CN1077283C (zh) * | 1996-08-23 | 2002-01-02 | 李韫言 | 一种微细加工的热式流量传感器及其制造方法 |
| TW317651B (en) * | 1996-12-19 | 1997-10-11 | Mos Electronics Taiwan Inc | Method of preventing wafer edge region from generating peeling phenomena |
| DE19806211C2 (de) * | 1998-02-16 | 2000-11-02 | Bosch Gmbh Robert | Sensor in Dünnfilmbauweise |
| US6100107A (en) * | 1998-08-06 | 2000-08-08 | Industrial Technology Research Institute | Microchannel-element assembly and preparation method thereof |
| DE10046510A1 (de) * | 2000-09-14 | 2002-04-18 | Siemens Ag | Sensorbauteil mit einem in einem Kanal isoliert, umströmbar gelagerten, elektrisch leitenden, länglichen Element und Herstellverfahren hierfür |
| DE10046509A1 (de) * | 2000-09-14 | 2002-04-04 | Siemens Ag | Sensorbauteil und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE10325205B3 (de) * | 2003-05-28 | 2004-09-30 | Siemens Ag | Sensorbauteil für ein strömendes Fluid |
| US7755466B2 (en) * | 2006-04-26 | 2010-07-13 | Honeywell International Inc. | Flip-chip flow sensor |
| US20110252882A1 (en) * | 2010-04-19 | 2011-10-20 | Honeywell International Inc. | Robust sensor with top cap |
| US8356514B2 (en) | 2011-01-13 | 2013-01-22 | Honeywell International Inc. | Sensor with improved thermal stability |
| US8640552B2 (en) | 2011-09-06 | 2014-02-04 | Honeywell International Inc. | MEMS airflow sensor die incorporating additional circuitry on the die |
| US9612146B2 (en) | 2014-02-07 | 2017-04-04 | Honeywell International, Inc. | Airflow sensor with dust reduction |
| US10107662B2 (en) | 2015-01-30 | 2018-10-23 | Honeywell International Inc. | Sensor assembly |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5856476A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Toshiba Corp | 半導体圧力変換器 |
| US4966037A (en) * | 1983-09-12 | 1990-10-30 | Honeywell Inc. | Cantilever semiconductor device |
| US4895616A (en) * | 1987-12-07 | 1990-01-23 | Honeywell Inc. | Method for making thin film orthogonal microsensor for air flow |
| US4784721A (en) * | 1988-02-22 | 1988-11-15 | Honeywell Inc. | Integrated thin-film diaphragm; backside etch |
| US4952904A (en) * | 1988-12-23 | 1990-08-28 | Honeywell Inc. | Adhesion layer for platinum based sensors |
| JP2992660B2 (ja) * | 1991-06-19 | 1999-12-20 | 本田技研工業株式会社 | ガスレートセンサ |
-
1994
- 1994-02-23 JP JP06432194A patent/JP3333948B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-02-20 DE DE69518026T patent/DE69518026T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-02-20 EP EP95102349A patent/EP0669521B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-04-03 US US08/390,362 patent/US5620929A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102491253A (zh) * | 2011-11-29 | 2012-06-13 | 北京大学 | 一种不等高硅结构的加工方法 |
| CN102491253B (zh) * | 2011-11-29 | 2014-08-20 | 北京大学 | 一种不等高硅结构的加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69518026D1 (de) | 2000-08-24 |
| DE69518026T2 (de) | 2000-12-21 |
| EP0669521A3 (en) | 1996-07-24 |
| EP0669521B1 (en) | 2000-07-19 |
| US5620929A (en) | 1997-04-15 |
| EP0669521A2 (en) | 1995-08-30 |
| JPH07234138A (ja) | 1995-09-05 |
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