JP3333948B2 - ガス式センサの製造方法 - Google Patents
ガス式センサの製造方法Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
- G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
- G01F1/6845—Micromachined devices
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、センサ本体に作用する
角速度や加速度または流量などを、ガスを媒介とする熱
の移動状態としてヒートワイヤによって検出するガス式
センサの製造方法に関する。
角速度や加速度または流量などを、ガスを媒介とする熱
の移動状態としてヒートワイヤによって検出するガス式
センサの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】最近、例えば、センサ本体に角速度が作
用したときのガス室内を流れるガスの偏向状態を感熱抵
抗素子としてのヒートワイヤによって検出するようにし
たガス式センサにあっては、ガス室およびそのガス室に
かかるヒートワイヤブリッジからなるセンサ本体が、半
導体基板を用いたIC製造技術によるマイクロマシニン
グ加工によって形成されたものが開発されている(特開
昭58−56476号公報参照)。
用したときのガス室内を流れるガスの偏向状態を感熱抵
抗素子としてのヒートワイヤによって検出するようにし
たガス式センサにあっては、ガス室およびそのガス室に
かかるヒートワイヤブリッジからなるセンサ本体が、半
導体基板を用いたIC製造技術によるマイクロマシニン
グ加工によって形成されたものが開発されている(特開
昭58−56476号公報参照)。
【0003】このようなガス式センサでは、下側半導体
基板上に窒化シリコン(SiN)、白金(Pt)、窒化
シリコン(SiN)を順次重ねて三層に成膜し、その成
膜部分を所定のパターンにエッチングすることによって
ヒートワイヤ部を形成したうえで、その下側半導体基板
をエッチングして前記ヒートワイヤ部がブリッジ状にか
かる溝を形成したうえで、エッチングにより溝が形成さ
れた上側半導体基板を溝同志がつき合わさるように下側
基板に接合して、ガス室およびそのガス室にかかるヒー
トワイヤブリッジを製造するようにしている。
基板上に窒化シリコン(SiN)、白金(Pt)、窒化
シリコン(SiN)を順次重ねて三層に成膜し、その成
膜部分を所定のパターンにエッチングすることによって
ヒートワイヤ部を形成したうえで、その下側半導体基板
をエッチングして前記ヒートワイヤ部がブリッジ状にか
かる溝を形成したうえで、エッチングにより溝が形成さ
れた上側半導体基板を溝同志がつき合わさるように下側
基板に接合して、ガス室およびそのガス室にかかるヒー
トワイヤブリッジを製造するようにしている。
【0004】このようなガス式センサを製造するに際し
て、半導体基板上にSiN、Pt、SiNを順次重ねて
三層に成膜する場合、SiNをCVD法によって成膜
し、Ptをスパッタリング法によって成膜するなど、各
層の成膜方法が異なると、別々のチャンバに移し変えな
がら成膜する必要があり、そのためチャンバへの移し変
えに際して空気に触れてSiNが酸化してしまう。ま
た、スパッタリング時の雰囲気中に酸素が含まれている
ことによってもSiNが酸化してしまう。そのため、S
iN層とPt層との密着性が悪くなり、性能が劣化して
しまうことになる。
て、半導体基板上にSiN、Pt、SiNを順次重ねて
三層に成膜する場合、SiNをCVD法によって成膜
し、Ptをスパッタリング法によって成膜するなど、各
層の成膜方法が異なると、別々のチャンバに移し変えな
がら成膜する必要があり、そのためチャンバへの移し変
えに際して空気に触れてSiNが酸化してしまう。ま
た、スパッタリング時の雰囲気中に酸素が含まれている
ことによってもSiNが酸化してしまう。そのため、S
iN層とPt層との密着性が悪くなり、性能が劣化して
しまうことになる。
【0005】しかして、従来では、SiN層とPt層と
の密着性を向上させるために、各層の間に接着増強層を
設けるようにしている(特開平2−226017号参
照)。
の密着性を向上させるために、各層の間に接着増強層を
設けるようにしている(特開平2−226017号参
照)。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする問題
点は、ガス式センサを製造するに際して、半導体基板上
にヒートワイヤブリッジを形成するべくSiN、Pt、
SiNを順次重ねて三層に成膜する場合、SiN層とP
t層との密着性を向上させるために各層の間に接着増強
層を設けるのでは、その成膜のためのプロセスが増えて
作業性が悪くなってしまうことである。
点は、ガス式センサを製造するに際して、半導体基板上
にヒートワイヤブリッジを形成するべくSiN、Pt、
SiNを順次重ねて三層に成膜する場合、SiN層とP
t層との密着性を向上させるために各層の間に接着増強
層を設けるのでは、その成膜のためのプロセスが増えて
作業性が悪くなってしまうことである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、下側半導体基
板上にSiN、Pt、SiNを順次重ねて三層に成膜
し、その成膜部分を所定のパターンにエッチングするこ
とによってヒートワイヤ部を形成したうえで、その下側
半導体基板をエッチングして前記ヒートワイヤ部がブリ
ッジ状にかかる溝を形成したうえで、エッチングにより
溝が形成された上側半導体基板を溝同志がつき合わさる
ように下側基板に接合して、ガス室およびそのガス室に
かかるヒートワイヤブリッジを製造するようにしたガス
式センサにあって、何ら格別な接着手段を別途設けるこ
となくSiN層とPt層との間の密着性を向上させるべ
く、下側半導体基板上にSiN、Pt、SiNの各膜を
スパッタリングによって連続して形成する工程と、その
成膜後に600℃以下で加熱処理する工程とをとるよう
にしている。
板上にSiN、Pt、SiNを順次重ねて三層に成膜
し、その成膜部分を所定のパターンにエッチングするこ
とによってヒートワイヤ部を形成したうえで、その下側
半導体基板をエッチングして前記ヒートワイヤ部がブリ
ッジ状にかかる溝を形成したうえで、エッチングにより
溝が形成された上側半導体基板を溝同志がつき合わさる
ように下側基板に接合して、ガス室およびそのガス室に
かかるヒートワイヤブリッジを製造するようにしたガス
式センサにあって、何ら格別な接着手段を別途設けるこ
となくSiN層とPt層との間の密着性を向上させるべ
く、下側半導体基板上にSiN、Pt、SiNの各膜を
スパッタリングによって連続して形成する工程と、その
成膜後に600℃以下で加熱処理する工程とをとるよう
にしている。
【0008】
【実施例】図1は、ガス式センサのセンサ本体の製造プ
ロセスを示している。
ロセスを示している。
【0009】まず、プロセスとして、洗浄されて酸化
膜が除去された下側のSi半導体基板1(厚さ700μ
m)の上面に、SiN層2(1.2μm)、Pt層3
(0.4μm)、SiN層4(0.2μm)を順次スパ
ッタリングによって成膜する。下面にもSiN層5
(0.5μm)を成膜する。
膜が除去された下側のSi半導体基板1(厚さ700μ
m)の上面に、SiN層2(1.2μm)、Pt層3
(0.4μm)、SiN層4(0.2μm)を順次スパ
ッタリングによって成膜する。下面にもSiN層5
(0.5μm)を成膜する。
【0010】その際、スパッタリングによるSiNの成
膜を、アルゴン(Ar)と窒素(N2)とが1対2の割
合で混合されたガスの雰囲気下で行う。また、スパッタ
リングによるPtの成膜を、Arガスの雰囲気下で行
う。
膜を、アルゴン(Ar)と窒素(N2)とが1対2の割
合で混合されたガスの雰囲気下で行う。また、スパッタ
リングによるPtの成膜を、Arガスの雰囲気下で行
う。
【0011】次に、プロセス、として、Ptパター
ンニングを行うべく、その三層の成膜上にレジスト12
をかけたうえで、RIE法によってSiN層4およびP
t層3のエッチングを行う。その際、SiN層4のエッ
チングをCF4ガス中で、Pt層3のエッチングをAr
ガス中で行う。そして、レジスト12を除去する。
ンニングを行うべく、その三層の成膜上にレジスト12
をかけたうえで、RIE法によってSiN層4およびP
t層3のエッチングを行う。その際、SiN層4のエッ
チングをCF4ガス中で、Pt層3のエッチングをAr
ガス中で行う。そして、レジスト12を除去する。
【0012】次に、プロセスとして、SiNをArと
N2の混合ガス(1対2)中でスパッタリングによりオ
ーバコート(1.0μm)して新たにSiN層6を形成
する。
N2の混合ガス(1対2)中でスパッタリングによりオ
ーバコート(1.0μm)して新たにSiN層6を形成
する。
【0013】そして、密着性を良くするべく、N2ガス
中で500〜600℃で1時間ほど高温アニールを行
う。
中で500〜600℃で1時間ほど高温アニールを行
う。
【0014】次に、プロセスとして、SiNパターン
ニングを行うべく、レジストパターンをかけたうえで、
RIE法によってCF4ガス中でSiN層6,2のエッ
チングを行う。そして、レジストを除去する。
ニングを行うべく、レジストパターンをかけたうえで、
RIE法によってCF4ガス中でSiN層6,2のエッ
チングを行う。そして、レジストを除去する。
【0015】次に、プロセスとして、電極形成を行う
べく、下側にCr(100nm)、上側にAu(1.5
μm)を蒸着し、レジストパターンをかけたうえで、ウ
ェットエッチングによりパターニングを行って電極部7
を形成する。そして、レジストを除去する。
べく、下側にCr(100nm)、上側にAu(1.5
μm)を蒸着し、レジストパターンをかけたうえで、ウ
ェットエッチングによりパターニングを行って電極部7
を形成する。そして、レジストを除去する。
【0016】次に、プロセスとして、ヒートワイヤブ
リッジ8を形成するべく、KOH水溶液(42.5%)
を用いて、Si半導体基板1を異方性エッチング(80
℃、エッチレート0.8μm/秒)して溝9を形成す
る。
リッジ8を形成するべく、KOH水溶液(42.5%)
を用いて、Si半導体基板1を異方性エッチング(80
℃、エッチレート0.8μm/秒)して溝9を形成す
る。
【0017】次に、界面に残っている応力を緩和させる
べく、N2ガス中で350℃で1時間ほど低温アニール
を行う。
べく、N2ガス中で350℃で1時間ほど低温アニール
を行う。
【0018】最終的に、プロセスとして、同じくエッ
チングにより溝が形成された上側半導体基板10を溝同
志がつき合わさるように下側の半導体基板1に接着し
て、ガス室11を形成する。その接着は、シート状エポ
キシ系接着剤を用いて、荷重下で150℃キュアによっ
て行う。
チングにより溝が形成された上側半導体基板10を溝同
志がつき合わさるように下側の半導体基板1に接着し
て、ガス室11を形成する。その接着は、シート状エポ
キシ系接着剤を用いて、荷重下で150℃キュアによっ
て行う。
【0019】このようなガス式センサのセンサ本体の製
造プロセスにあって、本発明では、Si半導体基板1の
上面に、SiN層2、Pt層3、SiN層4をスパッタ
リングによって連続して成膜するようにしたことを特徴
としている。
造プロセスにあって、本発明では、Si半導体基板1の
上面に、SiN層2、Pt層3、SiN層4をスパッタ
リングによって連続して成膜するようにしたことを特徴
としている。
【0020】したがって、同一のチャンバ内で三層の成
膜を行わせることができ、その成膜に際して空気に触れ
る機会がなく、SiN層2、4が酸化することなく、S
iN層2、4とPt層3との各間の密着性が良くなる。
膜を行わせることができ、その成膜に際して空気に触れ
る機会がなく、SiN層2、4が酸化することなく、S
iN層2、4とPt層3との各間の密着性が良くなる。
【0021】そして、三層の連続成膜によりSiN層
2、4とPt層3との各間の密着性が良くなることはア
ニール中の耐性が向上することになり、スパッタリング
により成膜される結晶の粒の界面の安定化を図るために
アニール処理を行わせるに際して、高温でのアニールが
可能になる。その際、密着性が悪いと高温アニールから
KOHエッチングを行うプロセス中に、SiN層2とP
t層3との界面およびPt層3とSiN層4との界面で
はく離が生じてしまう。
2、4とPt層3との各間の密着性が良くなることはア
ニール中の耐性が向上することになり、スパッタリング
により成膜される結晶の粒の界面の安定化を図るために
アニール処理を行わせるに際して、高温でのアニールが
可能になる。その際、密着性が悪いと高温アニールから
KOHエッチングを行うプロセス中に、SiN層2とP
t層3との界面およびPt層3とSiN層4との界面で
はく離が生じてしまう。
【0022】その場合、600℃以下でのアニールが有
効であり(500〜600℃が最適範囲)、それ以上の
高温はあまり効果がなく必要ではない。600℃の高温
アニールで、ヒートワイヤ抵抗値は約7%減少し、Pt
結晶の高品質化が進行している。
効であり(500〜600℃が最適範囲)、それ以上の
高温はあまり効果がなく必要ではない。600℃の高温
アニールで、ヒートワイヤ抵抗値は約7%減少し、Pt
結晶の高品質化が進行している。
【0023】図2はサンプルを580℃でアニールした
ときの抵抗変化率の特性を示すもので、最大7.6%の
抵抗値の減少が得られた。また、図3は同一のサンプル
を700℃でアニールしたときの抵抗変化率の特性を示
すもので、アニール時間が2時間以上になると抵抗値の
増加が始まる。
ときの抵抗変化率の特性を示すもので、最大7.6%の
抵抗値の減少が得られた。また、図3は同一のサンプル
を700℃でアニールしたときの抵抗変化率の特性を示
すもので、アニール時間が2時間以上になると抵抗値の
増加が始まる。
【0024】また、通常のスパッタリング条件ではガス
中にO2成分が混入しやすく、特にSiNについてはS
iがO2との反応性が高いために容易に酸化されてSi
NOになりやすい。このことは、成膜の密着性が悪く、
KOHエッチレートが大きくなるなど、安定性を低下さ
せることになり、ヒートワイヤ性能に悪影響を与えるこ
とになる。
中にO2成分が混入しやすく、特にSiNについてはS
iがO2との反応性が高いために容易に酸化されてSi
NOになりやすい。このことは、成膜の密着性が悪く、
KOHエッチレートが大きくなるなど、安定性を低下さ
せることになり、ヒートワイヤ性能に悪影響を与えるこ
とになる。
【0025】そのため、本発明では、SiN層2,4の
成膜に際してスパッタリング条件を改善することによっ
てSiNの酸化を有効に防止するようにしている。
成膜に際してスパッタリング条件を改善することによっ
てSiNの酸化を有効に防止するようにしている。
【0026】すなわち、Ar/N2の混合ガスの比を、
従来2程度であったものを0.5程度に小さくする。ス
パッタリング圧力を、従来0.75Pa程度であったも
のを0.14Pa程度に小さくする。そして、スパッタ
リング温度を、従来200℃程度であったものを300
℃程度に高める。
従来2程度であったものを0.5程度に小さくする。ス
パッタリング圧力を、従来0.75Pa程度であったも
のを0.14Pa程度に小さくする。そして、スパッタ
リング温度を、従来200℃程度であったものを300
℃程度に高める。
【0027】このようなスパッタリング条件の改善によ
って、成膜されるSiN中のO濃度が1桁以上低下し、
ヒートワイヤ性能が大幅に向上したことが実験によって
確認された。
って、成膜されるSiN中のO濃度が1桁以上低下し、
ヒートワイヤ性能が大幅に向上したことが実験によって
確認された。
【0028】SiN層2、Pt層3、SiN層4の三層
成膜中には、異種材料の接合部の界面に内部応力が存在
し、それがためにその三層成膜にそりが発生する。その
内部応力が大きく存在すると、動作時の熱応力が問題と
なり、300℃程度で高温動作するヒートワイヤの抵抗
値に変化をきたしてしまう。
成膜中には、異種材料の接合部の界面に内部応力が存在
し、それがためにその三層成膜にそりが発生する。その
内部応力が大きく存在すると、動作時の熱応力が問題と
なり、300℃程度で高温動作するヒートワイヤの抵抗
値に変化をきたしてしまう。
【0029】その解決方法として、SiN層2とPt層
3との界面およびPt層3とSiN層4との界面での各
応力の値を等しくするとともに、各々の応力自体を小さ
くする必要がある。
3との界面およびPt層3とSiN層4との界面での各
応力の値を等しくするとともに、各々の応力自体を小さ
くする必要がある。
【0030】SiN層2とPt層3との界面およびPt
層3とSiN層4との界面での各応力の値を等しくする
ためには、Pt層3の下側のSiN層2とその上側のS
iN層4とを同等の条件下で成膜する必要がある。この
点、本発明によれば、同一のスパッタリング条件下でS
iN層2とSiN層4とを成膜させることができ、Si
N層2とPt層3との界面およびPt層3とSiN層4
との界面での各応力の値が等しくなる。
層3とSiN層4との界面での各応力の値を等しくする
ためには、Pt層3の下側のSiN層2とその上側のS
iN層4とを同等の条件下で成膜する必要がある。この
点、本発明によれば、同一のスパッタリング条件下でS
iN層2とSiN層4とを成膜させることができ、Si
N層2とPt層3との界面およびPt層3とSiN層4
との界面での各応力の値が等しくなる。
【0031】また、本発明では、ヒートワイヤブリッジ
8の形成後にN2ガス中で350℃で1時間ほど低温ア
ニールを行うことにより、各界面に残っている応力を緩
和させている。ヒートワイヤブリッジ8の形成後に、ヒ
ートワイヤの動作温度300℃よりもやや高い温度35
0℃でアニールしてヒートワイヤブリッジ8内の残留応
力を緩和してやると、短いエージング時間でヒートワイ
ヤ抵抗値のドリフトが安定する。
8の形成後にN2ガス中で350℃で1時間ほど低温ア
ニールを行うことにより、各界面に残っている応力を緩
和させている。ヒートワイヤブリッジ8の形成後に、ヒ
ートワイヤの動作温度300℃よりもやや高い温度35
0℃でアニールしてヒートワイヤブリッジ8内の残留応
力を緩和してやると、短いエージング時間でヒートワイ
ヤ抵抗値のドリフトが安定する。
【0032】通常、ヒートワイヤとなるPt層3は0.
1〜0.2μm程度の膜厚であるが、この程度の膜厚で
は、界面の影響によるヒートワイヤ抵抗率の上昇、温度
抵抗係数の低下および高温動作時の抵抗値変化の増大が
無視できない。
1〜0.2μm程度の膜厚であるが、この程度の膜厚で
は、界面の影響によるヒートワイヤ抵抗率の上昇、温度
抵抗係数の低下および高温動作時の抵抗値変化の増大が
無視できない。
【0033】そのため本発明では、Pt層3の膜厚を
0.4μmまで増やして改善を図るようにしている。そ
して、前述したプロセスにおける段差部を埋めるため
のSiNのオーバコートの処理を行わせるようにしてい
る。
0.4μmまで増やして改善を図るようにしている。そ
して、前述したプロセスにおける段差部を埋めるため
のSiNのオーバコートの処理を行わせるようにしてい
る。
【0034】これにより、ヒートワイヤ抵抗値変化のド
リフト性能が、エージング時間10〜20時間にて、3
00℃通電使用時に1ppm/時間以下となって長時間
室温放置後の特性を含めて大幅に改善するとともに、ヒ
ートワイヤの温度抵抗係数も0.2μmの膜厚で320
0ppm/℃であったものが3600ppm/℃に改善
し、それによりセンサ感度が向上した。
リフト性能が、エージング時間10〜20時間にて、3
00℃通電使用時に1ppm/時間以下となって長時間
室温放置後の特性を含めて大幅に改善するとともに、ヒ
ートワイヤの温度抵抗係数も0.2μmの膜厚で320
0ppm/℃であったものが3600ppm/℃に改善
し、それによりセンサ感度が向上した。
【0035】
【発明の効果】以上、本発明によるガス式センサの製造
方法によれば、ヒートワイヤブリッジを製造するべく、
半導体基板上にSiN、Pt、SiNを順次重ねて三層
に成膜する場合、何ら格別な接着手段を別途設けること
なく、スパッタリングと加熱工程の最適化を図るだけで
SiN層とPt層との各間の密着性を向上させることが
できるとともに界面に生ずる応力をも有効に低減するこ
とができ、性能の良いガス式センサを製造することがで
きるという利点がある。
方法によれば、ヒートワイヤブリッジを製造するべく、
半導体基板上にSiN、Pt、SiNを順次重ねて三層
に成膜する場合、何ら格別な接着手段を別途設けること
なく、スパッタリングと加熱工程の最適化を図るだけで
SiN層とPt層との各間の密着性を向上させることが
できるとともに界面に生ずる応力をも有効に低減するこ
とができ、性能の良いガス式センサを製造することがで
きるという利点がある。
【図1】本発明によるガス式センサのセンサ本体の製造
プロセスを示す図である。
プロセスを示す図である。
【図2】半導体基板上にSiN、Pt、SiNを重ねて
三層に成膜したサンプルを580℃でアニールしたとき
の抵抗変化率の特性を示す図である。
三層に成膜したサンプルを580℃でアニールしたとき
の抵抗変化率の特性を示す図である。
【図3】半導体基板上にSiN、Pt、SiNを重ねて
三層に成膜したサンプルを700℃でアニールしたとき
の抵抗変化率の特性を示す図である。
三層に成膜したサンプルを700℃でアニールしたとき
の抵抗変化率の特性を示す図である。
1 下側半導体基板 2 SiN層 3 Pt層 4 SiN層 6 SiN層 7 電極部 8 ヒートワイヤブリッジ 9 溝 10 上側半導体基板 11 ガス室
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−226017(JP,A) 特開 平3−29858(JP,A) 特開 平4−370767(JP,A) 特開 平1−195327(JP,A) 特開 平5−79876(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01D 21/00 G01F 1/68 G01P 5/12
Claims (4)
- 【請求項1】 下側半導体基板上に窒化シリコン、白
金、窒化シリコンを順次重ねて三層に成膜し、その成膜
部分を所定のパターンにエッチングすることによってヒ
ートワイヤ部を形成したうえで、その下側半導体基板を
エッチングして前記ヒートワイヤ部がブリッジ状にかか
る溝を形成したうえで、エッチングにより溝が形成され
た上側半導体基板を溝同志がつき合わさるように下側基
板に接合して、ガス室およびそのガス室にかかるヒート
ワイヤブリッジを製造するようにしたガス式センサにあ
って、下側半導体基板上に窒化シリコン、白金、窒化シ
リコンの各膜をスパッタリングによって連続して形成す
る工程と、その成膜後に600℃以下で加熱処理する工
程とをとるようにしたことを特徴とするガス式センサの
製造方法。 - 【請求項2】 スパッタリングによる成膜を、アルゴン
と窒素とが1対2の割合で混合されたガスの雰囲気下で
行うことを特徴とする前記第1項の記載によるガス式セ
ンサの製造方法。 - 【請求項3】 スパッタリングによる成膜温度を300
℃程度としたことを特徴とする前記第1項の記載による
ガス式センサの製造方法。 - 【請求項4】 白金の成膜の膜厚を0.4μm以上とし
たことを特徴とする前記第1項の記載によるガス式セン
サの製造方法。
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---|---|---|---|
JP06432194A JP3333948B2 (ja) | 1994-02-23 | 1994-02-23 | ガス式センサの製造方法 |
DE69518026T DE69518026T2 (de) | 1994-02-23 | 1995-02-20 | Verfahren zur Herstellung eines Gasstromsensors |
EP95102349A EP0669521B1 (en) | 1994-02-23 | 1995-02-20 | Method of manufacturing a gas flow type sensor |
US08/390,362 US5620929A (en) | 1994-02-23 | 1995-04-03 | Method of manufacturing a gas flow type sensor |
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JP06432194A JP3333948B2 (ja) | 1994-02-23 | 1994-02-23 | ガス式センサの製造方法 |
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JPH07234138A JPH07234138A (ja) | 1995-09-05 |
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Family
ID=13254863
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JP (1) | JP3333948B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE10046509A1 (de) * | 2000-09-14 | 2002-04-04 | Siemens Ag | Sensorbauteil und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE10046510A1 (de) * | 2000-09-14 | 2002-04-18 | Siemens Ag | Sensorbauteil mit einem in einem Kanal isoliert, umströmbar gelagerten, elektrisch leitenden, länglichen Element und Herstellverfahren hierfür |
DE10325205B3 (de) * | 2003-05-28 | 2004-09-30 | Siemens Ag | Sensorbauteil für ein strömendes Fluid |
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US20110252882A1 (en) * | 2010-04-19 | 2011-10-20 | Honeywell International Inc. | Robust sensor with top cap |
US8356514B2 (en) | 2011-01-13 | 2013-01-22 | Honeywell International Inc. | Sensor with improved thermal stability |
US8640552B2 (en) | 2011-09-06 | 2014-02-04 | Honeywell International Inc. | MEMS airflow sensor die incorporating additional circuitry on the die |
US9612146B2 (en) | 2014-02-07 | 2017-04-04 | Honeywell International, Inc. | Airflow sensor with dust reduction |
US10107662B2 (en) | 2015-01-30 | 2018-10-23 | Honeywell International Inc. | Sensor assembly |
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---|---|---|---|---|
JPS5856476A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Toshiba Corp | 半導体圧力変換器 |
US4966037A (en) * | 1983-09-12 | 1990-10-30 | Honeywell Inc. | Cantilever semiconductor device |
US4895616A (en) * | 1987-12-07 | 1990-01-23 | Honeywell Inc. | Method for making thin film orthogonal microsensor for air flow |
US4784721A (en) * | 1988-02-22 | 1988-11-15 | Honeywell Inc. | Integrated thin-film diaphragm; backside etch |
US4952904A (en) * | 1988-12-23 | 1990-08-28 | Honeywell Inc. | Adhesion layer for platinum based sensors |
JP2992660B2 (ja) * | 1991-06-19 | 1999-12-20 | 本田技研工業株式会社 | ガスレートセンサ |
-
1994
- 1994-02-23 JP JP06432194A patent/JP3333948B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-02-20 EP EP95102349A patent/EP0669521B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-02-20 DE DE69518026T patent/DE69518026T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-04-03 US US08/390,362 patent/US5620929A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102491253A (zh) * | 2011-11-29 | 2012-06-13 | 北京大学 | 一种不等高硅结构的加工方法 |
CN102491253B (zh) * | 2011-11-29 | 2014-08-20 | 北京大学 | 一种不等高硅结构的加工方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
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DE69518026T2 (de) | 2000-12-21 |
US5620929A (en) | 1997-04-15 |
DE69518026D1 (de) | 2000-08-24 |
EP0669521B1 (en) | 2000-07-19 |
EP0669521A3 (en) | 1996-07-24 |
JPH07234138A (ja) | 1995-09-05 |
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