JPH09264900A

JPH09264900A - 熱式流速センサの製造方法

Info

Publication number: JPH09264900A
Application number: JP8076592A
Authority: JP
Inventors: Yoshiyuki Tonami; 与之戸波
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1996-03-29
Filing date: 1996-03-29
Publication date: 1997-10-07

Abstract

(57)【要約】【課題】出力特性のバラツキが小さく、精度および
信頼性が高い小型の熱式流速センサを低コストで製造す
る方法の提供を目的とする。【解決手段】基板の一方の表面には凹部が形成さ
れ、他方の表面には犠牲層と、発熱抵抗体および測温抵
抗体を設けた熱絶縁膜を含む感知層とが形成される。こ
の結果、積層用ブロックが形成される。次に、一の積層
用ブロックの凹部形成表面と、他の積層用ブロックの感
知層の表面とが重なるように複数の積層用ブロックが一
体に接合される。この後、一体に接合された複数の積層
用ブロックから犠牲層を除去すると基板と感知層が分離
し、熱式流速センサが形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、熱式流速センサの
製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】最近は、極めて精密なエッチング等の手
段をシリコン基板に施して種々の小型部品を作製するシ
リコンマイクロマシンニング技術が急速に進歩し、小型
で、応答性が早く、低消費電力という特徴を有する種々
の熱式流速センサが開発されている。

【０００３】図７（ａ）および（ｂ）を用いて、特公平
５−７６５９号公報に記載された第一の熱式流速センサ
について説明する。

【０００４】熱式流速センサは、シリコン基板１と、第
一の絶縁層２と、第二の絶縁層３と、熱感知センサ４
Ａ、４Ｂと、ヒ−タ５Ａ、５Ｂと、比較抵抗６とから構
成される。なお、第一の絶縁層２と第二の絶縁層３は窒
化シリコンの薄膜を用いて形成される。また、熱感知セ
ンサ４Ａ、４Ｂと、ヒ−タ５Ａ、５Ｂおよび比較抵抗６
は、パ−マロイの薄膜を用いて形成される。

【０００５】シリコン基板１の表面には、開口形が六角
形の凹部７が形成される。

【０００６】第一の絶縁層２は、基板絶縁層２Ａと、凹
部絶縁層２Ｂ、２Ｃとから一体に形成される。基板絶縁
層２Ａは、シリコン基板１の表面に形成される。また、
凹部絶縁層２Ｂ、２Ｃは、凹部７の開口部中央を覆うよ
うに並設して設けられ、両端は基板絶縁層２Ａに架橋接
続される。この結果、凹部絶縁層２Ｂと２Ｃの間には開
口形が四角形の開口部８が形成され、凹部絶縁層２Ｂ、
２Ｃの他端側には開口形が五角形の開口部９Ａ、９Ｂが
形成される。

【０００７】開口部８近傍の凹部絶縁層２Ｂ、２Ｃの表
面には、発熱抵抗体であるヒ−タ５Ａ、５Ｂが形成さ
れ、ヒ−タ５Ａ、５Ｂは直列に接続される。またヒ−タ
５Ａ、５Ｂと隣接する凹部絶縁層２Ｂ、２Ｃの表面に
は、測温抵抗体の熱感知センサ４Ａ、４Ｂが形成され
る。さらに、基板絶縁層２Ａの表面には、比較抵抗６が
形成される。第一の絶縁層２の表面には、第二の絶縁層
３が積層形成される。この結果、ヒ−タ５Ａ、５Ｂおよ
び熱感知センサ４Ａ、４Ｂは、第一の絶縁層２と第二の
絶縁層３によって挟まれた構造となる。

【０００８】なお、上述した凹部絶縁層２Ｂ、２Ｃの両
端が基板絶縁層２Ａに接続されて架橋構造を形成する場
合を例示したが、これに限られず凹部絶縁層２Ｂ、２Ｃ
の一端側のみを基板絶縁層２Ａに接続させたカンチレバ
−構造（片持ち梁形状）としても良い。

【０００９】次に、熱式流速センサの動作原理を説明す
る。

【００１０】窒化シリコンは熱的絶縁性が極めて高いと
いう特徴を有する。このため、シリコン基板１の温度に
比べて一定の温度だけ高くなるようにヒ−タ５を加熱す
ると、発生する熱は第一の絶縁層２および第二の絶縁層
３を介して伝熱するよりも、周囲の空気を介して熱感知
センサ４Ａ、４Ｂに伝熱する。すなわち、空気に流れが
ない場合は、熱が二つの熱感知センサ４Ａ、４Ｂに均一
に伝わり、熱感知センサ４Ａ、４Ｂは同一の温度とな
る。しかしながら、空気に流れがある場合は、例えば上
流に位置する熱感知センサ４Ａは、ヒ−タ５Ａ、５Ｂに
向かう空気の流れによって熱が運び去られるので冷やさ
れる。一方、例えば下流に位置する熱感知センサ４Ｂ
は、ヒ−タ５Ａ、５Ｂからの空気の流れによって加熱さ
れる。このため、熱感知センサ４Ａ、４Ｂの抵抗値の差
が電圧値の差をもたらし、空気の流速が測定される。な
お、周囲の空気の温度は比較抵抗６によってモニタさ
れ、空気の流速が補正される。

【００１１】次に、図８（ａ）乃至（ｃ）を用いて、熱
式流速センサの製造方法の一例を概略説明する。

【００１２】（１００）の結晶面を有するシリコン基板
１の表面に、窒化シリコンの薄膜層１０が形成される。
この後、窒化シリコンの薄膜層１０の表面に形成された
パ−マロイの薄膜層にフォトリソグラフィ手段を施し
て、熱感知センサ４Ａ、４Ｂと、ヒ−タ５Ａ、５Ｂおよ
び比較抵抗６が形成される。さらに、露出した窒化シリ
コンの薄膜層１０と、熱感知センサ４Ａ、４Ｂと、ヒ−
タ５Ａ、５Ｂおよび比較抵抗６の表面を覆うように、窒
化シリコンの薄膜層１１が形成される。なお、窒化シリ
コンの薄膜層１０、１１およびパ−マロイの薄膜層は、
スパッタリング等の手段を用いて形成される。

【００１３】次に、シリコン基板１の表面の所定部分が
露出するように、窒化シリコンの薄膜層１０、１１の一
部がドライエッチング等の手段を用いてエッチング除去
され、開口部８、９Ａ、９Ｂが形成される。この結果、
第一の絶縁層２および第二の絶縁層３が形成される。

【００１４】次に、開口部８、９Ａ、９Ｂを介して、シ
リコン基板１の表面から裏面方向に向けて化学的エッチ
ングを行う。この結果、凹部絶縁層２Ｂ、２Ｃの下部の
シリコン基板１はエッチング除去され、凹部７が形成さ
れる。なお、凹部７の壁面は、化学エッチングされずら
い（１１１）の結晶面あるいは他の結晶面によって形成
される。エッチング液は、水酸化カリウム（ＫＯＨ）と
イソプロパノ−ルアルコ−ルの混合液が用いられる。

【００１５】図９を用いて、特公平５−７９８７６号公
報に記載された第二の熱式流速センサについて説明す
る。なお、動作原理は、第一の熱式流速センサと同じな
ので省略する。

【００１６】熱式流速センサは、シリコン基板１２と、
第一の絶縁層１３と、ヒ−タ１４と、感温測温体１５、
１６と、第二の絶縁層１７と、第三の絶縁層１８とから
構成される。なお、第一の絶縁層１３と、第二の絶縁層
１７および第三の絶縁層１８は、窒化シリコンの薄膜を
用いて形成される。また、ヒ−タ１４と、感温測温体１
５、１６は、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）等の金属
の薄膜を用いて形成される。

【００１７】シリコン基板１２の表面には第一の絶縁層
１３が積層形成され、第一の絶縁層１３の表面には、ヒ
−タ１４と、感温測温体１５、１６が形成される。な
お、絶縁層１３の表面中央部にヒ−タ１４が配置され、
ヒ−タ１４の両脇に感温抵抗体１５、１６が配置され
る。さらに、露出した第一の絶縁層１３と、ヒ−タ１４
および感温測温体１５、１６の表面を覆うように、第二
の絶縁層１７が積層形成される。シリコン基板１２には
表裏面を貫通する貫通孔１９が設けられる。この結果、
第一の絶縁層１３の裏面が一部露出し、ダイヤフラム構
造が形成される。なお、ヒ−タ１４と、感温測温体１
５、１６の一部は、ダイヤフラム部分上に形成されるの
で熱容量が小さくなり、熱応答性が早くなる。シリコン
基板１２の裏面には第三の絶縁層１８が積層形成され、
また、シリコン基板１２の一側面には、貫通孔１９を外
側に連通させる連通溝２０が形成される。

【００１８】次に、図１０（ａ）乃至（ｃ）を用いて、
熱式流速センサの製造方法を概略説明する。

【００１９】シリコン基板１２の表裏面に、第一の絶縁
層１３が形成される。この後、シリコン基板１２の表面
側の第一の絶縁層１３の表面に形成された、ニッケルあ
るいは白金等の薄膜層にフォトリソグラフ手段を施し
て、ヒ−タ１４および感温測温体１５、１６が形成され
る。さらに、シリコン基板１２の表面側の露出した第一
の絶縁層１３と、ヒ−タ１４および感温測温体１５、１
６の表面を覆うように、第二の絶縁層１７が形成され
る。さらに、第二の絶縁層１７にはシリコン基板１２の
裏面の所定部分を露出させるため、シリコン基板１２の
裏面側の第一の絶縁層１３の一部がドライエッチング等
の手段を用いてエッチング除去され、開口部２１が形成
される。この結果、シリコン基板１２の裏面には、第三
の絶縁層１８が形成される。なお、第一の絶縁層１３お
よび第二の絶縁層１７は、スパッタリングあるいはプラ
ズマＣＶＤ等の手段を用いて形成され、ニッケルあるい
は白金等の薄膜層は真空蒸着法、スパッタ法等の手段を
用いて形成される。

【００２０】次に、開口部２１を介して、シリコン基板
１２の裏面から表面方向に向けて、化学的エッチングを
行う。この結果、シリコン基板１２には貫通孔１９が形
成され、第一の絶縁層１３の裏面が露出する。なお、エ
ッチング液は、水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液が用いら
れる。また、連通溝２０も、化学的エッチングによって
形成される。

【００２１】図１１（ａ）および（ｂ）を用いて、特開
昭６３−２７１１６７号公報に記載された第三の熱式流
速センサについて、説明する。

【００２２】熱式流量センサは、シリコン基板２２と、
第一のシリコン酸化層２３と、ＢＰＳＧ層（ボロン−リ
ン−シリコン系ガラス層）２４と、第二のシリコン酸化
層２５と、発熱素子２６と、流体温度検出素子２７とか
ら構成される。

【００２３】シリコン基板２２の表面には、開口形が四
角形の凹部２８が形成される。また、凹部２８の開口縁
には、第一のシリコン酸化層２３およびＢＰＳＧ層２４
が積層形成される。さらに、ＢＰＳＧ層２４の表面に
は、凹部２８を覆うように、第二のシリコン酸化層２５
が設けられる。なお、第二のシリコン酸化層２５の裏面
側の中央部には多孔質のシリコン酸化層２９が形成され
る。多孔質のシリコン酸化層２９と対向する第二のシリ
コン酸化層２５の表面には、発熱素子２６と、流体温度
検出素子２７が形成される。なお、多孔質のシリコン酸
化層２９は、熱絶縁性を高めるために設けられる。

【００２４】次に、熱式流速センサの動作原理を説明す
る。

【００２５】加熱された発熱素子２６の表面温度は、流
体によって冷却されるので下がろうとするが、流体温度
検出素子２７によって測定される流体温度よりも常に一
定温度だけ高くなるように発熱素子２６にはフィ−ドバ
ック電力が加えられる。この供給される電力は流体によ
って冷却された熱量と等しく、また、冷却された熱量は
流体の速度に依存するという原理から、流体の流速が測
定される。

【００２６】次に、図１２（ａ）乃至（ｉ）を用いて、
熱式流速センサの製造方法を概略説明する。

【００２７】（１００）の結晶面を有する単結晶の第一
のシリコン基板２２の表面の所定領域を部分酸化するこ
とにより、シリコン酸化膜２３が形成される。このシリ
コン酸化膜２３をマスクとして水酸化カリウム等を用い
た化学的エッチングを行い、第一のシリコン基板２２の
表面には凹部２８が形成される。なお、第一のシリコン
基板２２の表面の結晶面は（１１０）面でも良く、ま
た、第一のシリコン基板２２の代わりにパイレックスガ
ラス、サファイヤ等を用いても良い。この後、シリコン
酸化膜２３の表面にはＢＰＳＧ膜２４が形成される。

【００２８】一方、例えばその比抵抗が３〜５Ωｃｍの
Ｎ型導電型であって、結晶面が（１００）あるいは（１
１０）の第二のシリコン基板３０の表面の所定領域にレ
ジスト膜３１を形成する。この後、５０％ＨＦ中で陽極
酸化し、第二のシリコン基板３０の表面が露出した部分
に多孔質シリコン層３２を形成する。

【００２９】次に、レジスト膜３１を除去した後、第二
のシリコン基板３０の表面を酸化する。この結果、多孔
質シリコン層は３２は、多孔質のシリコン酸化層２９と
なり、シリコン基板３０の表面にはシリコン酸化層３３
が形成される。この後、シリコン酸化層３３の所定領域
にＢＰＳＧ膜２４が形成される。

【００３０】次に、第二のシリコン基板３０のＢＰＳＧ
膜２４と、第一のシリコン基板２２のＢＰＳＧ膜２４を
重ね合わせた後、ＢＰＳＧ膜２４を加熱溶融する。この
結果、第一のシリコン基板２２と第二のシリコン基板３
０は接着される。

【００３１】次に、第一のシリコン基板２２の露出面を
ワックスで覆う。この後、例えばエチレンジアミン、ビ
ロカテロ−ル、水を主成分とするエッチング液を用いて
第二のシリコン基板３０の化学的エッチングを行い、第
二のシリコン基板３０を除去する。この結果、シリコン
酸化層３３の表面が露出した基台が形成される。この
後、多孔質のシリコン酸化層２９と対向するシリコン酸
化層３３の表面には加熱素子２６および流体温度検出素
子２７およびその素子部を周辺回路部に接続するための
配線部（図示せず）が形成される。

【００３２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来例には次のような問題があった。

【００３３】第一の熱式流速センサの場合、エッチング
処理によって形成される凹部の壁面が斜めに形成され
る。このため、凹部の形状が大きくなり、熱式流速セン
サの小形化が妨げられていた。

【００３４】第二の熱式流速センサの場合、シリコン基
板を裏面から表面方向にエッチング処理して貫通孔を形
成するのでエッチング処理に長い時間を要し、生産効率
すなわちスル−プットが悪かった。また、第一の熱式流
速センサと同様に、凹部の形状が大きくなり、熱式流速
センサの小形化が妨げられていた。さらに、シリコン基
板の厚さのバラツキによって貫通孔を形成するためのエ
ッチング処理時間が変わるため、ダイヤフラム部分の面
積が多少変化する。従って、ダイヤフラム部分の熱容量
がバラツキ、ヒ−タおよび感温測温体の熱的特性が変化
する。この結果、熱式流速センサ相互間の測定精度が一
定しないという品質上の問題があった。

【００３５】第三の熱式流速センサの場合、高価な材料
であるシリコン基板をエッチング処理によって除去する
ため、材料効率が悪く、コスト高の原因となっていた。

【００３６】また、第一、第二、第三の熱式流速センサ
のいずれを製造する場合にも、シリコン基板の異方性エ
ッチングによって凹部あるいは貫通孔が形成される。こ
のため、架橋構造やダイヤフラム構造はシリコン基板の
面方位によって制限されるので、設計の自由度が少なか
った。

【００３７】そこで、本発明は上記問題を解決するため
の熱式流速センサの製造方法の提供を目的とする。

【００３８】

【課題を解決するための手段】本発明の熱式流速センサ
は、上記目的を達成するため次のように構成される。す
なわち、第一に、基板の一方の表面に複数の凹部を形成
する工程と、該基板の他方の表面に犠牲層を設ける工程
と、該犠牲層の表面に抵抗体を複数設けた熱絶縁膜を含
む感知層を形成する工程とから積層用ブロックを形成
し、一の積層用ブロックの凹部部分に他の積層用ブロッ
クの抵抗体が位置するように前記一の積層用ブロックの
凹部形成表面と他の積層用ブロックの感知層の表面とが
重なるように複数の積層用ブロックを一体に接合する工
程と、この後前記犠牲層を除去して基板と感知層とを分
離して複数のセンサ区分が一体に形成されたセンサブロ
ックを形成する工程と、該センサブロックを切断して複
数のセンサ区分を分離する工程とからなるものである。

【００３９】一の積層用ブロックの凹部形成表面と他の
積層用ブロックの感知層の表面とを重ねて、複数の積層
用ブロックを一体に接合する。複数の接合された積層用
ブロックから犠牲層を除去すると基板と感知層とが分離
し、複数のセンサ区分が一体に形成されたセンサブロッ
クが形成される。センサブロックを切断するとセンサ区
分が分離され、複数の熱式流量センサが生産効率良く形
成される。

【００４０】第二に、基板の一方の表面に複数の凹部を
形成する工程と、該基板の他方の表面に犠牲層を設ける
工程と、該犠牲層の表面に抵抗体を複数設けた熱絶縁膜
を含む感知層を形成する工程とから積層用ブロックを形
成し、一の積層用ブロックの凹部部分に他の積層用ブロ
ックの抵抗体が位置するように前記一の積層用ブロック
の凹部形成表面と他の積層用ブロックの感知層の表面と
が重なるように複数の積層用ブロックを一体に接合する
工程と、接合された積層用ブロックを切断してセンサ区
分が複数積層された積層体を形成する工程と、該積層体
から前記犠牲層を除去する工程とからなるものである。

【００４１】複数の接合された積層用ブロックを切断し
て、センサ区分が複数積層された積層体を形成する。こ
の場合、感知層は積層用ブロックによって覆われて保護
されているので、切断時に損傷を受けにくい。また、積
層体の犠牲層は、短時間で除去される。

【００４２】第三に、基板の一方の表面に複数の凹部お
よび該凹部を取り囲む溝を形成する工程と、該基板の他
方の表面に犠牲層を設ける工程と、該犠牲層の表面に抵
抗体を複数設けた熱絶縁膜を含む感知層を形成する工程
とから積層用ブロックを形成し、一の積層用ブロックの
凹部部分に他の積層用ブロックの抵抗体が位置するよう
に前記一の積層用ブロックの凹部形成表面と他の積層用
ブロックの感知層の表面とが重なるように複数の積層用
ブロックを一体に接合する工程と、この後前記犠牲層を
除去して基板と感知層とを分離して複数のセンサ区分が
一体に形成されたセンサブロックを形成する工程と、該
センサブロックを前記溝に沿って切断して分離する工程
とからなるものである。

【００４３】複数の接合された積層用ブロックから犠牲
層を除去すると基板と感知層とが分離し、複数のセンサ
区分が一体に形成されたセンサブロックが形成される。
溝が基板に設けられているので、その部分の基板の厚み
は薄くなる。従って、センサブロックを溝に沿って切断
すると、複数の熱式流量センサが容易に分離される。

【００４４】第四に、基板の一方の表面に複数の凹部お
よび該凹部を取り囲む溝を形成する工程と、該基板の他
方の表面に犠牲層を設ける工程と、該犠牲層の表面に抵
抗体を複数設けた熱絶縁膜を含む感知層を形成する工程
とから積層用ブロックを形成し、一の積層用ブロックの
凹部部分に他の積層用ブロックの抵抗体が位置するよう
に前記一の積層用ブロックの凹部形成表面と他の積層用
ブロックの感知層の表面とが重なるように複数の積層用
ブロックを一体に接合する工程と、接合された積層用ブ
ロックを前記溝に沿って切断してセンサ区分が複数積層
された積層体を形成する工程と、該積層体から前記犠牲
層を除去する工程とからなるものである。

【００４５】複数の接合された積層用ブロックを切断し
て、センサ区分が複数積層された積層体を形成する。こ
の場合、溝に沿って積層用ブロックを切断するので、複
数の積層体を容易に分離することができる。また、感知
層は積層用ブロックによって覆われて保護されているの
で、切断時に損傷を受けにくい。また、積層体の犠牲層
は、短時間で除去される。

【００４６】第五に、基板の一方の表面に複数の凹部を
形成する工程と、該基板の他方の表面に犠牲層を設ける
工程と、該犠牲層の表面に抵抗体を複数設けた熱絶縁膜
を含む感知層を形成する工程と、該感知層に前記抵抗体
を取り囲む溝を設ける工程とから積層用ブロックを形成
し、一の積層用ブロックの凹部部分に他の積層用ブロッ
クの抵抗体が位置するように前記一の積層用ブロックの
凹部形成表面と他の積層用ブロックの感知層の表面とが
重なるように複数の積層用ブロックを一体に接合する工
程と、この後前記犠牲層を除去して基板と感知層とを分
離して複数のセンサ区分が一体に形成されたセンサブロ
ックを形成する工程と、該センサブロックを前記溝に沿
って切断して分離する工程とからなるものである。

【００４７】複数の接合された積層用ブロックから犠牲
層を除去すると基板と感知層とが分離し、複数のセンサ
区分が一体に形成されたセンサブロックが形成される。
第二の溝が感知層に設けられているので、センサブロッ
クを第二の溝に沿って切断すると、複数の熱式流量セン
サが容易に分離される。

【００４８】第六に、基板の一方の表面に複数の凹部を
形成する工程と、該基板の他方の表面に犠牲層を設ける
工程と、該犠牲層の表面に抵抗体を複数設けた熱絶縁膜
を含む感知層を形成する工程と、該感知層に前記抵抗体
を取り囲む溝を設ける工程とから積層用ブロックを形成
し、一の積層用ブロックの凹部部分に他の積層用ブロッ
クの抵抗体が位置するように前記一の積層用ブロックの
凹部形成表面と他の積層用ブロックの感知層の表面とが
重なるように複数の積層用ブロックを一体に接合する工
程と、接合された積層用ブロックを前記溝に沿って切断
してセンサ区分が複数積層された積層体を形成する工程
と、該積層体から前記犠牲層を除去する工程とからなる
ものである。

【００４９】複数の接合された積層用ブロックを切断し
て、センサ区分が複数積層された積層体を形成する。こ
の場合、溝に沿って積層用ブロックを切断するので、複
数の積層体を容易に分離することができる。また、感知
層は積層用ブロックによって覆われて保護されているの
で、切断時に損傷を受けにくい。また、積層体の犠牲層
は、短時間で除去される。

【００５０】第七に、基板の一方の表面に複数の凹部お
よび該凹部を取り囲む第一の溝を形成する工程と、該基
板の他方の表面に犠牲層を設ける工程と、該犠牲層の表
面に抵抗体を複数設けた熱絶縁膜を含む感知層を形成す
る工程と、該感知層に前記第一の溝と対向して前記抵抗
体を取り囲む第二の溝を設ける工程とから積層用ブロッ
クを形成し、一の積層用ブロックの前記第一の溝と他の
積層用ブロックの該第二の溝が重なるように複数の積層
用ブロックを一体に接合する工程と、この後前記犠牲層
を除去して基板と感知層とを分離して複数のセンサ区分
が一体に形成されたセンサブロックを形成する工程と、
該センサブロックを前記第一の溝および前記第二の溝に
沿って切断して分離する工程とからなるものである。

【００５１】第一の溝および第二の溝がセンサブロック
に設けられているので、センサブロックを第一の溝およ
び第二の溝に沿って切断すると、複数の熱式流量センサ
が極めて容易に分離される。

【００５２】第八に、基板の一方の表面に複数の凹部お
よび該凹部を取り囲む第一の溝を形成する工程と、該基
板の他方の表面に犠牲層を設ける工程と、該犠牲層の表
面に対となる発熱抵抗体および測温抵抗体を複数設けた
熱絶縁膜を含む感知層を形成する工程と、該感知層に前
記第一の溝と対向して対となる前記発熱抵抗体および測
温抵抗体を取り囲む第二の溝を設ける工程とから積層用
ブロックを形成し、一の積層用ブロックの前記第一の溝
と他の積層用ブロックの該第二の溝が重なるように複数
の積層用ブロックを一体に接合する工程と、接合された
積層用ブロックを前記第一の溝および前記第二の溝に沿
って切断してセンサ区分が複数積層された積層体を形成
する工程と、該積層体から前記犠牲層を除去する工程と
からなるものである。

【００５３】第一の溝および第二の溝に沿って積層用ブ
ロックを切断するので、複数の積層体を極めて容易に分
離することができる。

【００５４】第九に、第一または第二または第三または
第四または第五または第六または第七または第八の発明
において、感知層の抵抗体はメッキ手段を用いて抵抗部
材を析出する工程を用いて形成されるものである。

【００５５】抵抗体は、メッキ手段を用いて析出形成さ
れた抵抗部材によって形成される。従って、抵抗体は、
容易かつ任意の形状に形成される。

【００５６】

【発明の実施の形態】

（実施例１）図１（ａ）および（ｂ）を用いて、本発明
に係る熱式流速センサの製造方法を用いて形成した熱式
流速センサの一例について説明する。

【００５７】熱式流速センサは、基板５０と、基板５０
の表面に設けられた感知層５１とから構成される。

【００５８】基板５０の表面には、基板５０の表面と垂
直に形成された壁面を有する凹部５２が設けられる。な
お、基板５０は、アルミナ等のセラミックや、ガラス等
で形成される。また、凹部５２の開口部の開口形はいず
れの形状でも良い。

【００５９】感知層５１は、第一の保護膜５３と、熱絶
縁膜５４および第二の保護膜５５とから構成される。

【００６０】第一の保護膜５３は、凹部５２の開口部を
覆うように、基板５０の表面に設けられる。なお、第一
の保護膜５３は、窒化シリコン化合物（ＳｉＮｘ）等の
薄膜で形成される。

【００６１】熱絶縁膜５４は、第一の保護膜５３の表面
に積層して設けられる。なお、熱絶縁膜５４には貫通溝
５６が形成され、貫通溝５６の内部には発熱抵抗体５７
と、測温抵抗体５８Ａ、５８Ｂおよび温度補償抵抗５９
が熱絶縁膜５４と一体に設けられる。発熱抵抗体５７お
よび測温抵抗体５８Ａ、５８Ｂは、凹部５２の中央部に
位置するように形成される。なお、測温抵抗体５８Ａ、
５８Ｂは発熱抵抗体５７の両脇に配置され、温度補償抵
抗５９は凹部５２以外の部分に配置される。この結果、
発熱抵抗体５７と、測温抵抗体５８Ａ、５８Ｂおよび温
度補償抵抗５９は、熱絶縁膜５４により相互に熱絶縁さ
れる。

【００６２】第二の保護膜５５は、熱絶縁膜５４と、発
熱抵抗体５７と、測温抵抗体５８Ａ、５８Ｂおよび温度
補償抵抗５９の表面に積層して設けられる。第二の保護
膜５５あるいは基板５０および第一の保護膜５３の凹部
５２に相当する部分以外の部分には、発熱抵抗体５７
と、測温抵抗体５８Ａ、５８Ｂおよび温度補償抵抗５９
の引出端子Ｔを外部回路（図示せず）と接続するための
開口部（図示せず）が形成される。なお、第二の保護膜
５５は、窒化シリコン化合物等の薄膜で形成される。ま
た、開口部は、スル−ホ−ルとしても良い。

【００６３】この結果、熱式流速センサはダイヤフラム
構造に形成される。

【００６４】なお、上述した熱式流速センサでは、従来
例の第一の熱式流速センサのように一つの発熱抵抗体５
７と、一対の測温抵抗体５８Ａ、５８Ｂを設けた場合を
例示したが、従来例の第三の熱式流速センサのように発
熱抵抗体と測温抵抗体を各一つずつ設けたものでも良
い。

【００６５】また、発熱と測温を兼用する抵抗体を一
つ、ダイヤフラム部分に形成しても良い。この場合、こ
の抵抗体と温度補償抵抗５９は、ブリッジ回路の二辺に
配置して使用される。抵抗体と温度補償抵抗５９の温度
差に起因するブリッジ回路の不平衡電圧は増幅され、出
力電流はブリッジ回路にフィ−ドバックされる。この結
果、抵抗体は加熱され、抵抗体と温度補償抵抗５９の温
度差は常に一定に保たれる。なお、流速は、フィ−ドバ
ックされる出力電流の値から計算により求められる。こ
れは定温度方式といわれ、流速を測定するために用いら
れる良く知られた方法である。

【００６６】さらに、感知層５１は、熱絶縁膜５４の表
裏面の少なくとも一方に第一の保護膜５３あるいは第二
の保護膜５５を設けた構造としても良いし、第一の保護
膜５３および第二の保護膜５５のいずれも設けない構造
としても良い。第一の保護膜５３と第二の保護膜５５の
少なくとも一方を設けた場合は、熱絶縁膜５４の強度は
補強される。また、第二の保護膜５５を設けた場合に
は、熱絶縁膜５４の表面が保護絶縁される。

【００６７】さらにまた、ダイヤフラム構造に限られる
ことなく、発熱抵抗体５７と測温抵抗体５８Ａ、５８Ｂ
の間の感知層５１に貫通孔を設け、凹部５２と外側が連
通するような架橋構造あるいはカンチレバ−構造として
も良い。この場合は、貫通孔の効果により、発熱抵抗体
５７と測温抵抗体５８Ａ、５８Ｂ相互間の熱的絶縁性が
さらに高まる。

【００６８】その上、発熱抵抗体５７と、測温抵抗体５
８Ａ、５８Ｂおよび温度補償抵抗５９は、熱絶縁膜５４
に形成された貫通溝５６の内部に形成される場合を例示
したが、金属の薄膜を用いて熱絶縁膜５４の表面に形成
しても良い。

【００６９】次に、図２（ａ）乃至（ｉ）を用いて、本
発明に係る熱式流速センサの第一の製造方法を説明す
る。

【００７０】基板５０の表面には、基板５０の表面と垂
直な壁面を有する複数の凹部５２が、エッチングやサン
ドブラスト加工等の手段を用いて形成される。

【００７１】次に、基板５０の裏面に、犠牲層６０が形
成される。犠牲層６０は、アルミニウム等の薄膜であ
り、真空蒸着あるいはスパッタリング等の手段を用いて
形成される。この後、犠牲層６０の表面には、第二の保
護膜５５が形成される。なお、第二の保護膜５５の窒化
シリコン化合物等の薄膜は、プラズマＣＶＤあるいはス
パッタリング等の手段を用いて形成される。さらに、第
二の保護膜５５の表面には、熱絶縁膜５４が形成され
る。熱絶縁層５４は、スピンコ−ト等の手段を用いて形
成されたポリイミド等の有機材料の膜や、プラズマＣＶ
Ｄあるいはスパッタリング等の手段等を用いて形成され
た酸化シリコン化合物（ＳｉＯ２）等の無機材料の膜の
いずれでも良い。

【００７２】次に、熱絶縁膜５４の表面には、例えば感
光性のフォトレジストを塗布した後、パタ−ニングして
フォトレジスト膜６１が形成される。この結果、熱絶縁
膜５４の表面の所定部分が露出する。この後、フォトレ
ジスト膜６１の上からドライエッチング等の手段を用い
て熱絶縁膜５４がエッチング除去され、貫通溝５６が形
成される。この結果、第二の保護膜５５の表面が露出す
る。

【００７３】次に、第二の保護膜５５の露出した表面に
抵抗温度係数（ＴＣＲ）が大きい白金あるいはニッケル
等の金属薄膜を形成するため、無電解メッキが施され
る。この結果、第二の保護膜５５の露出した表面と、フ
ォトレジスト膜６１の表面および側壁に、メッキ層６２
が形成される。なお、無電解メッキは、例えばプラスチ
ックの表面に金属薄膜を形成する際に用いられる一般的
な方法である。

【００７４】次に、フォトレジスト膜６１を除去する
と、第二の保護膜５５の露出した表面にのみメッキ層６
２が残り、発熱抵抗体５７と、測温抵抗体５８Ａ、５８
Ｂおよび温度補償抵抗５９が形成される。この後、熱絶
縁膜５４と、発熱抵抗体５７と、測温抵抗体５８Ａ、５
８Ｂおよび温度補償抵抗５９の表面には、第一の保護膜
５３が形成される。第一の保護膜５３は窒化シリコン化
合物等の薄膜であり、プラズマＣＶＤあるいはスパッタ
リング等の手段を用いて形成される。この結果、基板５
０と、犠牲層６０および感知層５１とからなる積層用ブ
ロック６３が形成される。

【００７５】次に、一つの積層用ブロック６３の凹部５
２が形成された表面と、他の積層用ブロック６３の犠牲
層６０の表面とが重なるように、複数の積層用ブロック
６３が積層される。このとき、一つの積層用ブロック６
３の発熱抵抗５７および測温抵抗体５８Ａ、５８Ｂが、
他の積層用ブロック６３の凹部５２と重なるように配置
される。なお、積層する場合、高温でも劣化しにくい有
機性の耐熱性接着剤、例えばポリイミド樹脂等を用いて
接合される。また、第二の保護膜５５が設けられる場合
には、陽極接合等の方法を用いて接合しても良い。

【００７６】次に、積層された積層用ブロック６３をエ
ッチング液に浸すと、犠牲層６０がエッチング除去され
る。なお、エッチング液は、アルミニウムを犠牲層６０
として用いた場合は塩酸（ＨＣｌ）水溶液が用いられ
る。この結果、基板５０が第二の保護膜５５から分離さ
れ、複数のセンサ区分が配置形成されたセンサブロック
６４が形成される。この後、発熱抵抗体５７と、測温抵
抗体５８Ａ、５８Ｂおよび温度補償抵抗５９を外部回路
に接続するための引出端子Ｔを露出させるため、第二の
保護膜５５に開口部（図示せず）が形成される。さらに
この後、センサブロック６４がセンサ区分に切断され、
複数の熱式流速センサが分離形成される。

【００７７】なお、上述した実施例では、基板５０の表
面にエッチングやサンドブラスト加工等の手段を用いて
凹部５２を形成したがこれに限られることなく、図３
（ａ）のように複数の貫通口６５が設けられたグリ−ン
シ−ト６６を、貫通口が設けられていないグリ−ンシ−
ト６７に貼り合わせた後、図３（ｂ）のように両者を一
体に焼結して形成したものを使用しても良い。

【００７８】なお、第一の保護膜５３と第二の保護膜５
５の少なくとも一方が設けられた感知層５１を備えたダ
イヤフラム構造では、第一の保護膜５３あるいは第二の
保護膜５５を形成する工程が省かれるので、工程時間が
短縮される。第一の保護膜５３と第二の保護膜５５のい
ずれも設けられていない感知層５１を備えたダイヤフラ
ム構造では、さらに工程時間が短縮される。

【００７９】上述した実施例では、犠牲層６０をエッチ
ング除去して基板５０と第二の保護膜５５を分離して形
成したセンサブロック６４をセンサ区分に切断したが、
これに限られない。図４（ａ）乃至（ｃ）を用いて、他
の方法について説明する。なお、積層用ブロック６３を
形成する工程は上述した実施例と同じなため、説明は省
略する。

【００８０】一つの積層用ブロック６３の凹部５２が形
成された表面と、他の積層用ブロック６３の犠牲層６０
の表面とが重なるように、複数の積層用ブロック６３が
積層される。このとき、一つの積層用ブロック６３の発
熱抵抗５７および測温抵抗体５８Ａ、５８Ｂが、他の積
層用ブロック６３の凹部５２と重なるように配置され
る。なお、積層する場合、高温でも劣化しにくい有機性
の耐熱性接着剤、例えばポリイミド樹脂等を用いて接合
される。また、第二の保護膜５５が設けられる場合に
は、陽極接合等の方法を用いて接合しても良い。

【００８１】次に、積層された複数の積層用ブロック６
３を切断して、センサ区分が複数積層された積層体６８
を分離形成する。

【００８２】次に、積層体６８をエッチング処理し、犠
牲層６０を除去する。この結果、基板５０が第二の保護
膜５５から分離され、複数の熱式流速センサが分離形成
される。

【００８３】この方法では、積層された複数の積層用ブ
ロック６３を切断する際、感知層５１が積層用ブロック
６３によって覆われて、保護されている。この結果、感
知層５１は切断時に損傷を受けることが少なく、切断工
程での良品率が向上する。また、積層体６８をエッチン
グ処理して犠牲層６０を除去するので、積層された複数
の積層用ブロック６３から犠牲層６０を除去する場合に
比べて、短時間で犠牲層６０が除去される。

【００８４】なお、上述した実施例では、フォトレジス
ト膜６１を形成した後、フォトレジスト膜６１の上から
ドライエッチング等の手段を用いて貫通溝５６を形成
し、さらに貫通溝５６の内部に無電解メッキを用いて、
発熱抵抗５７と、測温抵抗体５８Ａ、５８Ｂおよび温度
補償抵抗５９を形成した。しかしながら、これに限られ
ることなく、貫通溝５６を形成せず、フォトレジスト膜
６１の上から無電解メッキを施しても良い。この場合
は、熱絶縁膜５４の表面に、発熱抵抗５７と、測温抵抗
体５８Ａ、５８Ｂおよび温度補償抵抗５９が形成され
る。この方法では、貫通溝５６を形成する工程が省かれ
るので、熱式流速センサがより簡便に形成される。

【００８５】また、発熱抵抗５７と、測温抵抗体５８
Ａ、５８Ｂおよび温度補償抵抗５９を形成する方法は無
電解メッキに限られることなく、電解メッキを用いて形
成しても良い。図５（ａ）乃至（ｈ）を用いて、電解メ
ッキを用いて発熱抵抗５７と、測温抵抗体５８Ａ、５８
Ｂおよび温度補償抵抗５９を形成する本発明に係る熱式
流速センサの第二の製造方法の概略を説明する。

【００８６】基板５０の表面に凹部５２を形成した後、
基板５０の裏面に犠牲層６０を形成する。なお、犠牲層
６０は、導電性の銅等が用いられる。

【００８７】次に、犠牲層６０の表面に、熱絶縁膜５４
を形成する。この後、パタ−ニングしたフォトレジスト
膜（図示せず）を用いて、熱絶縁膜５４をエッチング除
去して貫通溝５６を形成する。なお、これと同時に熱絶
縁膜５４の周囲に貫通孔（図示せず）を設けて犠牲層６
０の表面を露出させ、メッキ用端子（図示せず）を形成
する。フォトレジスト膜を除去した後、メッキ用端子を
介して犠牲層６０に電圧を印加してニッケル等の電解メ
ッキを行う。この結果、貫通溝５６の内部に、発熱抵抗
５７と、測温抵抗体５８Ａ、５８Ｂおよび温度補償抵抗
５９が形成される。

【００８８】次に、熱絶縁膜５４と、発熱抵抗５７と、
測温抵抗体５８Ａ、５８Ｂおよび温度補償抵抗５９の表
面に第一の保護膜５３が形成され、積層用ブロック６３
が形成される。

【００８９】次に、複数の積層用ブロック６３が積層さ
れる。このとき、一つの積層用ブロック６３の発熱抵抗
５７および測温抵抗体５８Ａ、５８Ｂが、他の積層用ブ
ロック６３の凹部５２と重なるように配置される。

【００９０】次に、積層された積層用ブロック６３をア
ンモニア−硫酸銅混合液等のエッチング液に浸して、犠
牲層６０を除去する。この結果、基板５０は、熱絶縁膜
５４と、発熱抵抗５７と、測温抵抗体５８Ａ、５８Ｂお
よび温度補償抵抗５９の表面から分離する。

【００９１】次に、熱絶縁膜５４と、発熱抵抗５７と、
測温抵抗体５８Ａ、５８Ｂおよび温度補償抵抗５９の表
面に第二の保護膜５５が形成され、複数のセンサ区分が
配置形成されたセンサブロック６４が形成される。

【００９２】次に、センサブロック６４がセンサ区分に
切断され、複数の熱式流速センサが分離形成される。

【００９３】（実施例２）図６（ａ）乃至（ｅ）を用い
て、本発明に係る熱式流速センサの第三の製造方法を説
明する。なお、上述した第一の製造方法と基本的方法は
同じなため、同じ構成部分は同じ番号を用いて、説明は
簡略化する。

【００９４】基板５０の表面層には、熱式流速センサの
外形寸法に合わせたピッチで凹部５２を囲むように第一
の溝６９が設けられ、複数のセンサ区分が形成される。
この後、基板５０の裏面には、犠牲層６０と感知層５１
が積層形成される。

【００９５】次に、第一の溝６９と対向して、発熱抵抗
体５７と、測温抵抗体５８Ａ、５８Ｂおよび温度補償抵
抗５９を囲むように第二の溝７０が形成される。この結
果、基板５０と感知層５１とからなる、積層用ブロック
７１が形成される。

【００９６】次に、一つの積層用ブロック７１の凹部５
２が形成された表面と、他の積層用ブロック７１の犠牲
層６０の表面とが重なるように、複数の積層用ブロック
７１が積層される。このとき、一つの積層用ブロック７
１の第一の溝６９と、他の積層用ブロック７１の第二の
溝７０が重なるように積層される。なお、積層する場
合、高温でも劣化しにくい有機性の耐熱性接着剤、例え
ばポリイミド樹脂等を用いて接合される。また、第二の
保護膜５５が設けられる場合には、陽極接合等の方法を
用いて接合しても良い。

【００９７】次に、積層された積層用ブロック７１をエ
ッチング液に浸すと、犠牲層６０がエッチング除去され
る。この結果、基板５０が第二の保護膜５５から分離さ
れ、複数のセンサ区分が配置形成されたセンサブロック
７２が形成される。

【００９８】次に、センサブロック７２が切断される。
切断は、第一の溝６８および第二の溝６９に沿って基板
５０を切断することにより行われ、複数の熱式流速セン
サが分離形成される。

【００９９】この方法では、積層された複数の積層用ブ
ロック７１から犠牲層６０を除去する際、第一の溝６９
および第二の溝７０をエッチング液の液溜めとして用い
ることができるので、犠牲層６０のエッチング除去を効
率良く行うことができる。また、センサブロック７２を
切断する際、第一の溝６９および第二の溝７０に沿って
行うために切断する基板５０の厚みが薄く、切断を容易
に行なうことができる。

【０１００】なお、上述した実施例では、基板５０の表
面に第一の溝６９と、感知層５１に第二の溝７０を形成
したが、いずれか一方に溝を形成しても良い。

【０１０１】

【発明の効果】本発明は、上記のように構成されるの
で、下記の効果を有する。

【０１０２】基板に設けられた凹部は、従来のようにシ
リコン基板をエッチング処理することによって形成しな
いので、ダイヤフラム部分の面積のバラツキが少なくな
る。このため、ダイヤフラム部分の熱容量が一定し、熱
式流量センサの出力特性のバラツキが低減し、精度及び
信頼性が向上する。

【０１０３】また、熱式流速センサの形状を設計する際
の自由度が高くなる。特に、凹部の壁面が基板の表面と
垂直に形成されるので凹部の形状が小さくなり、熱式流
速センサを小型化することができる。さらに、セラミッ
クあるいはガラス等の安価な基板を用いることができる
ので、熱式流速センサのコストが安くなる。

【０１０４】さらにまた、シリコン基板のエッチングに
要していた時間が不要となるので、作業効率が高くなる
とともに、長時間エッチングする際に熱式流速センサに
与えていたダメ−ジを低減することができる。また、一
度に複数の基台を処理することができるので、エッチン
グ処理に要する時間が短縮でき、熱式流速センサを効率
良く生産することができ、熱式流速センサのコストが安
くなる。発熱抵抗体と、測温抵抗体および温度補償用用
抵抗は、メッキ手段によって形成されるため、従来のス
パッタリングや蒸着の方法に比べて安価に形成すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る熱式流速センサの製造方法を用い
て形成した熱式流速センサの一例であり、図１（ａ）は
熱式流速センサの上面図、図１（ｂ）は図１（ａ）にお
けるＡ−Ａ´における断面図である。

【図２】本発明に係る熱式流速センサの第一の製造方法
の工程概略図である。

【図３】本発明に係る熱式流速センサの第一の製造方法
における、基板の他の形成方法を示す図である。

【図４】本発明に係る熱式流速センサの第一の製造方法
における、熱式流速センサの他の分離形成方法を示す図
である。

【図５】本発明に係る熱式流速センサの第二の製造方法
の工程概略図である。

【図６】本発明に係る熱式流速センサの第三の製造方法
の工程概略図である。

【図７】従来の第一の熱式流速センサに係り、図７
（ａ）は上面図、図７（ｂ）は図７（ａ）おけるＡ−Ａ
´での断面図である。

【図８】従来の第一の熱式流速センサの製造方法の工程
概略図である

【図９】従来の第二の熱式流速センサの外観斜視図であ
る。

【図１０】従来の第二の熱式流速センサの製造方法の工
程概略図である

【図１１】従来の第三の熱式流速センサに係り、図１１
（ａ）は上面図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）おけるＡ
−Ａ´での断面図である。

【図１２】従来の第三の熱式流速センサの製造方法の工
程概略図である

【符号の説明】

５０基板５１感知層５２凹部５３第一の保護膜５４熱絶縁膜５５第二の保護膜５６貫通溝５７発熱抵抗体５８Ａ、５８Ｂ測温抵抗体５９温度補償抵抗６０犠牲層６１フォトレジスト膜６２メッキ層６３積層用ブロック

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の一方の表面に複数の凹部を形成す
る工程と、該基板の他方の表面に犠牲層を設ける工程
と、該犠牲層の表面に抵抗体を複数設けた熱絶縁膜を含
む感知層を形成する工程とから積層用ブロックを形成
し、一の積層用ブロックの凹部部分に他の積層用ブロッ
クの抵抗体が位置するように前記一の積層用ブロックの
凹部形成表面と他の積層用ブロックの感知層の表面とが
重なるように複数の積層用ブロックを一体に接合する工
程と、この後前記犠牲層を除去して基板と感知層とを分
離して複数のセンサ区分が一体に形成されたセンサブロ
ックを形成する工程と、該センサブロックを切断して複
数のセンサ区分を分離する工程とからなる熱式流速セン
サの製造方法。
【請求項２】基板の一方の表面に複数の凹部を形成す
る工程と、該基板の他方の表面に犠牲層を設ける工程
と、該犠牲層の表面に抵抗体を複数設けた熱絶縁膜を含
む感知層を形成する工程とから積層用ブロックを形成
し、一の積層用ブロックの凹部部分に他の積層用ブロッ
クの抵抗体が位置するように前記一の積層用ブロックの
凹部形成表面と他の積層用ブロックの感知層の表面とが
重なるように複数の積層用ブロックを一体に接合する工
程と、接合された積層用ブロックを切断してセンサ区分
が複数積層された積層体を形成する工程と、該積層体か
ら前記犠牲層を除去する工程とからなる熱式流速センサ
の製造方法。
【請求項３】基板の一方の表面に複数の凹部および該
凹部を取り囲む溝を形成する工程と、該基板の他方の表
面に犠牲層を設ける工程と、該犠牲層の表面に抵抗体を
複数設けた熱絶縁膜を含む感知層を形成する工程とから
積層用ブロックを形成し、一の積層用ブロックの凹部部
分に他の積層用ブロックの抵抗体が位置するように前記
一の積層用ブロックの凹部形成表面と他の積層用ブロッ
クの感知層の表面とが重なるように複数の積層用ブロッ
クを一体に接合する工程と、この後前記犠牲層を除去し
て基板と感知層とを分離して複数のセンサ区分が一体に
形成されたセンサブロックを形成する工程と、該センサ
ブロックを前記溝に沿って切断して分離する工程とから
なる熱式流速センサの製造方法。
【請求項４】基板の一方の表面に複数の凹部および該
凹部を取り囲む溝を形成する工程と、該基板の他方の表
面に犠牲層を設ける工程と、該犠牲層の表面に抵抗体を
複数設けた熱絶縁膜を含む感知層を形成する工程とから
積層用ブロックを形成し、一の積層用ブロックの凹部部
分に他の積層用ブロックの抵抗体が位置するように前記
一の積層用ブロックの凹部形成表面と他の積層用ブロッ
クの感知層の表面とが重なるように複数の積層用ブロッ
クを一体に接合する工程と、接合された積層用ブロック
を前記溝に沿って切断してセンサ区分が複数積層された
積層体を形成する工程と、該積層体から前記犠牲層を除
去する工程とからなる熱式流速センサの製造方法。
【請求項５】基板の一方の表面に複数の凹部を形成す
る工程と、該基板の他方の表面に犠牲層を設ける工程
と、該犠牲層の表面に抵抗体を複数設けた熱絶縁膜を含
む感知層を形成する工程と、該感知層に前記抵抗体を取
り囲む溝を設ける工程とから積層用ブロックを形成し、
一の積層用ブロックの凹部部分に他の積層用ブロックの
抵抗体が位置するように前記一の積層用ブロックの凹部
形成表面と他の積層用ブロックの感知層の表面とが重な
るように複数の積層用ブロックを一体に接合する工程
と、この後前記犠牲層を除去して基板と感知層とを分離
して複数のセンサ区分が一体に形成されたセンサブロッ
クを形成する工程と、該センサブロックを前記溝に沿っ
て切断して分離する工程とからなる熱式流速センサの製
造方法。
【請求項６】基板の一方の表面に複数の凹部を形成す
る工程と、該基板の他方の表面に犠牲層を設ける工程
と、該犠牲層の表面に抵抗体を複数設けた熱絶縁膜を含
む感知層を形成する工程と、該感知層に前記抵抗体を取
り囲む溝を設ける工程とから積層用ブロックを形成し、
一の積層用ブロックの凹部部分に他の積層用ブロックの
抵抗体が位置するように前記一の積層用ブロックの凹部
形成表面と他の積層用ブロックの感知層の表面とが重な
るように複数の積層用ブロックを一体に接合する工程
と、接合された積層用ブロックを前記溝に沿って切断し
てセンサ区分が複数積層された積層体を形成する工程
と、該積層体から前記犠牲層を除去する工程とからなる
熱式流速センサの製造方法。
【請求項７】基板の一方の表面に複数の凹部および該
凹部を取り囲む第一の溝を形成する工程と、該基板の他
方の表面に犠牲層を設ける工程と、該犠牲層の表面に抵
抗体を複数設けた熱絶縁膜を含む感知層を形成する工程
と、該感知層に前記第一の溝と対向して前記抵抗体を取
り囲む第二の溝を設ける工程とから積層用ブロックを形
成し、一の積層用ブロックの前記第一の溝と他の積層用
ブロックの該第二の溝が重なるように複数の積層用ブロ
ックを一体に接合する工程と、この後前記犠牲層を除去
して基板と感知層とを分離して複数のセンサ区分が一体
に形成されたセンサブロックを形成する工程と、該セン
サブロックを前記第一の溝および前記第二の溝に沿って
切断して分離する工程とからなる熱式流速センサの製造
方法。
【請求項８】基板の一方の表面に複数の凹部および該
凹部を取り囲む第一の溝を形成する工程と、該基板の他
方の表面に犠牲層を設ける工程と、該犠牲層の表面に抵
抗体を複数設けた熱絶縁膜を含む感知層を形成する工程
と、該感知層に前記第一の溝と対向して前記抵抗体を取
り囲む第二の溝を設ける工程とから積層用ブロックを形
成し、一の積層用ブロックの前記第一の溝と他の積層用
ブロックの該第二の溝が重なるように複数の積層用ブロ
ックを一体に接合する工程と、接合された積層用ブロッ
クを前記第一の溝および前記第二の溝に沿って切断して
センサ区分が複数積層された積層体を形成する工程と、
該積層体から前記犠牲層を除去する工程とからなる熱式
流量センサの製造方法。
【請求項９】感知層の抵抗体はメッキ手段を用いて抵
抗部材を析出する工程を用いて形成される請求項１また
は請求項２または請求項３または請求項４または請求項
５または請求項６または請求項７または請求項８記載の
熱式流量センサの製造方法。