CN111351607B - 一种温压复合传感器的制作方法 - Google Patents

一种温压复合传感器的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111351607B
CN111351607B CN202010131340.3A CN202010131340A CN111351607B CN 111351607 B CN111351607 B CN 111351607B CN 202010131340 A CN202010131340 A CN 202010131340A CN 111351607 B CN111351607 B CN 111351607B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
forming
temperature
layer
piezoresistive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010131340.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111351607A (zh
Inventor
解婧
李超波
林琳
范涛
王迪
远雁
刘瑞琪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Institute of Microelectronics of CAS
Original Assignee
Institute of Microelectronics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institute of Microelectronics of CAS filed Critical Institute of Microelectronics of CAS
Publication of CN111351607A publication Critical patent/CN111351607A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111351607B publication Critical patent/CN111351607B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/02—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning
    • G01L9/06—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of piezo-resistive devices
    • G01L9/065—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of piezo-resistive devices with temperature compensating means
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K7/18—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/0092—Pressure sensor associated with other sensors, e.g. for measuring acceleration or temperature

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

本发明涉及半导体制备技术领域，尤其涉及一种温压复合传感器的制作方法，包括：形成压力敏感结构，包括：在第一衬底正面形成压阻结构，在第二衬底背面形成背腔结构；在压组结构上形成金属电极；形成温度敏感结构，具体包括：在第二衬底上形成金属电阻；在第二衬底上对应金属电阻结构包围的区域开设通孔；将第二衬底带有金属电阻的一面与第一衬底的背面连接，形成温压复合传感器，温度敏感结构与压力敏感结构上下堆叠在一起，既实现了压力敏感结构与复杂外界环境的隔离，又保障了被测介质与敏感结构的接触通道，同时还实现了温度原位测量，有利于压力传感器的温漂补偿，通过形成温压复合敏感微结构，可时间同步、空间共点拾取温度及压力信息。

Description

一种温压复合传感器的制作方法
技术领域
本发明涉及半导体制备技术领域，尤其涉及一种温压复合传感器的制作方法。
背景技术
压力温度复合传感器用于同时测量液体或气体的温度和压力。
现有的压力温度复合传感器包括如下几种：
一种压力温度复合传感器可以将各自独立的压力传感器和温度传感器组装在一起实现同时对温度和压力测量，这种复合传感器是分别将压力传感器和温度传感器独立封装且与被测介质隔离的，因此，测量精度不高。
另一种压力温度复合传感器是将压力传感器和温度传感器制作在同一芯片上，其制作难度大，且工艺兼容性较差。
因此，如何得到性能良好的温压复合传感器是目前亟待解决的技术问题。
发明内容
鉴于上述问题，提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的温压复合传感器的制作方法。
本发明实施例提供了一种温压复合传感器的制作方法，包括：
形成压力敏感结构，具体包括：
在第一衬底正面形成压阻结构；
在第一衬底背面形成背腔结构；
在所述压组结构上形成金属电极；
形成温度敏感结构，具体包括：
在第二衬底上形成金属电阻；
在所述第二衬底上对应所述金属电阻包围的区域开设通孔；
将所述第二衬底带有所述金属电阻的一面与所述第一衬底的背面连接，形成温压复合传感器。
进一步地，所述在第一衬底正面形成压阻结构之前，还包括：
在所述第一衬底正面形成第一SiO2层，在所述第一衬底背面形成第二SiO2层。
进一步地，所述在第一衬底正面形成压阻结构，具体包括：
对所述第一SiO2层的刻蚀区域进行刻蚀，并刻蚀至所述第一衬底正面；
向所述刻蚀区域正对的所述第一衬底正面注入离子，形成所述压阻结构。
进一步地，所述在所述第一衬底背面形成背腔结构，具体包括：
对所述第二SiO2层中部以及所述第二SiO2层中部正对的所述第一衬底进行刻蚀，形成所述背腔结构。
进一步地，所述在所述压阻结构上形成金属电极，具体包括：
去掉所述第一SiO2层；
在所述第一衬底正面形成连接所述压阻结构的金属电极。
进一步地，所述形成压力敏感结构，还包括：
提供封装壳，所述封装壳包括开口面；
将所述封装壳的开口面与所述第一衬底正面连接，形成真空封装。
进一步地，所述在第二衬底上形成金属电阻，具体包括：
在所述第二衬底上围绕中间区域形成金属电阻。
进一步地，所述在第二衬底上形成金属电阻之后，还包括：
在所述第二衬底上和所述金属电阻上形成钝化层。
进一步地，所述将所述第二衬底带有所述金属电阻的一面与所述第一衬底的背面连接，形成温压复合传感器之后，还包括：
对所述温压复合传感器喷涂氟碳树脂涂料，并进行固化。
进一步地，所述压阻结构的位置正对所述第一衬底的相邻厚度交界处。
本发明实施例中的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
本发明提供的一种温压复合传感器的制作方法，包括形成压力敏感结构和形成温度敏感结构，在形成压力敏感结构时，具体包括：在第一衬底正面形成压阻结构，在第一衬底背面形成背腔结构，在压阻结构上形成金属电极；在形成温度敏感结构时，具体包括：在第二衬底上形成金属电阻；在第二衬底上对应金属电阻结构包围的区域开设通孔；将第二衬底带有金属电阻的一面与第一衬底的背面连接，形成温压复合传感器，进而使得被测介质通过该通孔与该压力敏感结构接触，实现温度原位测量，有利于压力传感器的温漂补偿，实现了时间同步、空间供电拾取温度及压力信息，采用该制备方法，有效提高了温压复合传感器的性能。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考图形表示相同的部件。在附图中：
图1示出了本发明实施例中温压复合传感器的制作方法的步骤流程示意图；
图2-图9示出了本发明实施例中形成压力敏感结构的工艺流程示意图；
图10-图15示出了本发明实施例中形成温度敏感结构的工艺流程示意图；
图16示出了本发明实施例中将压力敏感结构和温度敏感结构连接形成的温压复合传感器的结构示意图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
本发明实施例提供了一种温压复合传感器的制作方法，其中，包括压力敏感结构的制作以及温度敏感结构的制作。然后，将压力敏感结构和温度敏感结构堆叠在一起，实现压力敏感结构与复杂外界环境的隔离，从而又保障被测介质与压力敏感结构的良好接触，还可以实现温度的原位探测。
在具体的实施方式中，是基于MEMS微工艺技术进行制作的，如图1所示，具体包括：
S101，形成压力敏感结构，具体包括：
在第一衬底正面形成压阻结构；
在第一衬底背面形成背腔结构；
在压阻结构上形成金属电极。
S102，形成温度敏感结构，具体包括：
在第二衬底上形成金属电阻；
在第二衬底上对应金属电阻结构包围的区域开设通孔。
S103，将第二衬底带有金属电阻的一面与第一衬底的背面连接，形成温压复合传感器。
具体地，在形成压力敏感结构中，如图2所示，在第一衬底201上形成压阻结构之前，还包括：
在该第一衬底201正面形成第一SiO2层202，在第一衬底201背面形成第二SiO2层203。
在一种可选的实施方式中，在高温氧化炉内对N型硅衬底，即第一衬底201，进行热氧化处理，使得在该N型硅衬底的正面和背面形成SiO2的薄膜层，即第一SiO2层202和第二SiO2层203，该SiO2的薄膜层的厚度为10nm～800nm，优选200nm。
接着，在第一衬底201上形成压阻结构，如图3、图4所示，具体包括：
对该第一SiO2层202的刻蚀区域进行刻蚀，并刻蚀至第一衬底201正面；
向该刻蚀区域正对的第一衬底201正面注入离子，形成压阻结构204。
在一种可选的实施方式中，在第一SiO2层202上进行涂胶、光刻和显影，然后，通过选择性刻蚀该第一SiO2层202，并刻蚀至第一衬底201正面，从而形成传感器敏感元件拓扑结构。然后，采用硼离子B+注入工艺，形成P型硅压阻结构。
由于P型硅压阻结构压力变化和压阻系数较大，同时电阻率受温度影响相对较小，因此，采用P型硅压阻结构作为力敏感阻条的材料，该压力敏感结构形成的压力传感器硅弹性模设计为正方形膜，厚度为30～100μm，边长为1000～1500μm。该压阻结构位于弹性硅膜的固支边沿。该弹性硅膜的固支边沿具体为如下在第一衬底201的背面开设的背腔结构的凹槽底端边缘(中间的深凹槽底端边缘和浅凹槽底端边缘)正对处，以获得最大响应灵敏度。
接着，在第一衬底201背面形成背腔结构A。
具体地，对该第二SiO2层203中部以及第二SiO2层203中部正对的第一衬底201进行刻蚀，形成背腔结构A。对应的压阻结构位于以第一衬底201中心为圆心的一层圈上。
为了提高压力敏感探测的灵敏度，如图5、图6所示，在形成背腔结构时，可形成多层厚度不同的硅膜，即该第一衬底201包括较厚的硅膜和较薄的硅膜，对应地，该压阻结构204位于以第一衬底201中心为圆心的两层圈上。
下面对形成的三层不同厚度的硅膜的制作流程详细描述：
具体地，在第二SiO2层203上进行涂胶、光刻和显影，确定出待形成的中间背腔区域A1(对应第一厚度的硅膜)，然后，采用离子体刻蚀工艺刻蚀氧化硅层和部分体硅，从而形成该中间背腔区域A1。
接着，在该中间背腔区域A1进行涂胶、光刻和显影，确定出周边背腔区域A2(对应第二厚度的硅膜)，然后，采用深硅刻蚀工艺刻蚀，形成该背腔区域A2，从而使得该第一衬底201背面形成背腔结构A。
该第一衬底201未刻蚀的区域为对应的第三厚度的硅膜。其中，该第三厚度具体为该第一衬底201的厚度，第二厚度小于第三厚度，第一厚度小于第二厚度。
在形成该背腔结构之后，在压阻结构204上形成金属电极205，如图7所示，具体包括：
去掉该第一SiO2层202；在该第一衬底201正面形成连接该压阻结构204的金属电极205。然后，再将该剩余的第二SiO2层去掉，同样，可以采用在HF腐蚀液中进行去掉。
其中，如图8a、图8b所示的金属电极205的排布示意图。
以4个压阻结构204(该压阻结构位于以第一衬底201中心为圆心的一层圈上)为例，在界面图中，对应的4个金属电极205也沿着弹性硅膜的固支边沿设置，其中，两个金属电极(R1、R2)平行于该硅膜边沿，另外两金属电极(R3、R4)垂直该硅膜边沿。将4个硅压阻结构204构成惠斯通全桥，可将压力信号转换为电信号输出，以确保高灵敏度的同时增加传感器的压力测量范围。
在增加了异厚双套叠硅弹性敏感结构，采用8个压阻结构204(该压阻结构位于以第一衬底201中心为圆心的两层圈上)，具体如图7所示，图中较小的弹性膜位于背腔结构中心，位于四周的厚度较大的弹性膜支撑，当传感器进行大量程压力测量时，该大压力可被传导至四周厚膜支撑处，以保证弹性硅膜工作在线性弹性区间，不致损坏。
其中，在去掉该第一SiO2层202时，可在HF腐蚀液中去掉该第一SiO2层202，并利用剥离工艺来形成欧姆接触极金属电极。
然后，再将该剩余的第二SiO2层去掉，同样，可以采用在HF腐蚀液中进行去掉。
在上述形成压阻结构204和背腔结构A时，该压阻结构的位置正对第一衬底的相邻厚度交界处。具体如图6和图8a所示。
在第一衬底201正面形成与压阻结构204连接的金属电极205之后，还包括：
提供封装壳206，该封装壳206包括开口面；接着，如图9所示，将该封装壳206的开口面与第一衬底201正面连接，形成真空封装。
该封装壳206具体为硼硅玻璃衬底。
在一种可选的实施方式中，采用硼硅玻璃衬底，采用湿法腐蚀，在该硼硅玻璃衬底上形成空腔结构，该空腔的深度为100～200μm，然后，对该硼硅玻璃衬底进行减薄，从而形成该封装壳206。然后，将该封装壳206采用键合工艺与该第一衬底201正面进行键合，从而形成真空封装。
其中，采用灌填导电环氧胶的方式，连接该金属电极205，形成电信号通路，用于传输压力信号。
采用真空封装是为了保护传感器不受周围极端恶劣环境的影响，为了避免芯片在封装时产生大的热应力，通常选用热膨胀系数与第一衬底材料硅相近的材料作为芯片的封装壳，由于硼硅玻璃(Pyrex)的热膨胀系数(2.85×10-6/K)与硅的热膨胀系数(2.62×10-6/K)相近，两者键合后由温度辩护案引起的热应力小，减小了温度对敏感膜形变的影响。因此，该封装壳206将采用硼硅玻璃制作封装壳。
接下来对温度敏感结构的制作过程进行详细描述。
首先，如图10所示，在第二衬底301上形成金属电阻302之前，需要在该第二衬底301正面进行涂光刻胶303、光刻和显影，从而确定出温度敏感结构的拓扑结构。该第二衬底301具体为硼硅玻璃衬底，以便于温度敏感结构与压力敏感结构的连接。
然后，如图11所示，在该涂光刻胶303的区域以及光刻后的区域形成金属层L1，该金属层L1的厚度为100～300nm，具体可采用铂(Pt)金属，或者铬(Cr)金属，将铂金属作为温度敏感结构，能够实现快速响应(具体时间常数为50ms)，还可以采用Cr金属层。
具体地，采用电子束蒸发工艺淀积Cr金属层或者Pt金属层，Cr金属层的厚度为10nm左右，Pt金属层的厚度为200nm左右。
接着，如图12所示，利用剥离工艺剥离掉光刻胶和其它金属层L1，仅留下光刻后的区域形成的金属层，即为该金属电阻302。
随后采用高温退火工艺对该金属电阻302进行热处理，以提高其热稳定性。
该第二衬底301上形成的金属电阻302具体为第二衬底301上围绕中间区域形成的金属电阻302。具体如图13所示。
在形成该金属电阻302之后，还包括：
如图14所示，在第二衬底301上和金属电阻302上形成钝化层304。该钝化层304具体为氧化铝(Al2O3)，采用该氧化铝钝化层，一方面是因为该氧化铝具有良好的导热特性，可以充分保证被测介质温度快速传递给温度敏感金属电阻302，另一方面，该氧化铝的绝缘隔离性好，能够隔离金属电阻不被被测介质所侵蚀。
具体是采用离子溅射淀积工艺淀积该钝化层303。
最后，如图15所示，在第二衬底301对应该金属电阻302结构包围的区域开设通孔P，通过打通孔P方式，形成中央介质通路管路，其通孔P直径为300～500μm，作为被测介质和压力敏感结构的接触通道，其中，在该金属电阻环绕的中间区域也形成通孔，并灌填导电环氧胶连接至芯片电极出，从而形成电信号通信，采用这样的金属电阻的设置方式，使得温度敏感结构与被测介质之间具有较大的接触面积，进而可以提高测温的准确性，同时也减小了响应时间和器件体积。然后将该第二衬底301进行减薄，具体是减薄至20μm～200μm，优选100μm。
在形成该温度敏感结构之后，S103中，将该第二衬底301带有金属电阻302的一面与该第一衬底201的背面连接，形成温压复合传感器，如图16所示。
在一种可选的实施方式中，采用硅玻璃键合工艺将第二衬底301带有金属电阻302的一面与该第一衬底201的背面连接，进而实现温压敏感结构的一体化集成。
在形成该温压复合传感器之后，对该温压复合传感器喷涂氟碳树脂涂料，并进行固化，进而实现传感器的防护。
本发明提供的一种温压复合传感器的制作方法，包括形成压力敏感结构和形成温度敏感结构，在形成压力敏感结构时，具体包括：在第一衬底正面形成压阻结构，在第一衬底背面形成背腔结构，在压阻结构上形成金属电极；在形成温度敏感结构时，具体包括：在第二衬底上形成金属电阻；在第二衬底上对应金属电阻结构包围的区域开设通孔；将第二衬底带有金属电阻的一面与第一衬底的背面连接，形成温压复合传感器，进而使得被测介质通过该通孔与该压力敏感结构接触，实现温度原位测量，有利于压力传感器的温漂补偿，实现了时间同步、空间供电拾取温度及压力信息，采用该制备方法，有效提高了温压复合传感器的性能。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (8)

1.一种温压复合传感器的制作方法，其特征在于，包括：
形成压力敏感结构，具体包括：
在第一衬底正面形成压阻结构；
在第一衬底背面形成背腔结构；
在所述压阻 结构上形成金属电极；
形成温度敏感结构，具体包括：
在第二衬底上围绕中间区域形成金属电阻；在所述第二衬底上和所述金属电阻上形成钝化层，所述钝化层具体为氧化铝层；
在所述第二衬底上对应所述金属电阻包围的区域开设通孔；
将所述第二衬底带有所述金属电阻的一面与所述第一衬底的背面连接，形成温压复合传感器。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一衬底正面形成压阻结构之前，还包括：
在所述第一衬底正面形成第一SiO2层，在所述第一衬底背面形成第二SiO2层。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在第一衬底正面形成压阻结构，具体包括：
对所述第一SiO2层的刻蚀区域进行刻蚀，并刻蚀至所述第一衬底正面；
向所述刻蚀区域正对的所述第一衬底正面注入离子，形成所述压阻结构。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述第一衬底背面形成背腔结构，具体包括：
对所述第二SiO2层中部以及所述第二SiO2层中部正对的所述第一衬底进行刻蚀，形成所述背腔结构。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述压阻结构上形成金属电极，具体包括：
去掉所述第一SiO2层；
在所述第一衬底正面形成连接所述压阻结构的金属电极。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述形成压力敏感结构，还包括：
提供封装壳，所述封装壳包括开口面；
将所述封装壳的开口面与所述第一衬底正面连接，形成真空封装。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述第二衬底带有所述金属电阻的一面与所述第一衬底的背面连接，形成温压复合传感器之后，还包括：
对所述温压复合传感器喷涂氟碳树脂涂料，并进行固化。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述压阻结构的位置正对所述第一衬底的相邻厚度交界处。
CN202010131340.3A 2019-11-13 2020-02-28 一种温压复合传感器的制作方法 Active CN111351607B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911105796 2019-11-13
CN2019111057966 2019-11-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111351607A CN111351607A (zh) 2020-06-30
CN111351607B true CN111351607B (zh) 2022-01-11

Family

ID=71192424

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010131340.3A Active CN111351607B (zh) 2019-11-13 2020-02-28 一种温压复合传感器的制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111351607B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114235267A (zh) * 2021-12-17 2022-03-25 江苏创芯海微科技有限公司 集成温湿度传感器的皮拉尼真空计及制备方法
CN114485797B (zh) * 2022-01-27 2023-06-02 无锡胜脉电子有限公司 温压一体式mems传感器芯片及其制备方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1096241A1 (en) * 1999-11-01 2001-05-02 Delphi Technologies, Inc. Integrated pressure and temperature sensor for high pressure fluid
CN201000367Y (zh) * 2007-02-06 2008-01-02 广州森纳士仪器有限公司 温度、压力一体化传感/变送器
US7456638B2 (en) * 2005-04-19 2008-11-25 University Of South Florida MEMS based conductivity-temperature-depth sensor for harsh oceanic environment
WO2012071693A1 (zh) * 2010-11-29 2012-06-07 Wu Maoting 压力温度测量装置
GB2489687A (en) * 2011-03-31 2012-10-10 Gm Global Tech Operations Inc Pressure and Temperature Sensor for an Internal Combustion Engine
CN103487160A (zh) * 2013-09-27 2014-01-01 北京理工大学 一种Pt电阻温度传感器的制造方法
CN207395944U (zh) * 2017-09-22 2018-05-22 湖南启泰传感科技有限公司 一种新结构压力温度一体型传感器
CN111397776A (zh) * 2019-11-13 2020-07-10 中国科学院微电子研究所 一种温压复合传感器

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1096241A1 (en) * 1999-11-01 2001-05-02 Delphi Technologies, Inc. Integrated pressure and temperature sensor for high pressure fluid
US7456638B2 (en) * 2005-04-19 2008-11-25 University Of South Florida MEMS based conductivity-temperature-depth sensor for harsh oceanic environment
CN201000367Y (zh) * 2007-02-06 2008-01-02 广州森纳士仪器有限公司 温度、压力一体化传感/变送器
WO2012071693A1 (zh) * 2010-11-29 2012-06-07 Wu Maoting 压力温度测量装置
GB2489687A (en) * 2011-03-31 2012-10-10 Gm Global Tech Operations Inc Pressure and Temperature Sensor for an Internal Combustion Engine
CN103487160A (zh) * 2013-09-27 2014-01-01 北京理工大学 一种Pt电阻温度传感器的制造方法
CN207395944U (zh) * 2017-09-22 2018-05-22 湖南启泰传感科技有限公司 一种新结构压力温度一体型传感器
CN111397776A (zh) * 2019-11-13 2020-07-10 中国科学院微电子研究所 一种温压复合传感器

Also Published As

Publication number Publication date
CN111351607A (zh) 2020-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103278270B (zh) 岛膜自封装结构的硅-玻璃微压力传感器芯片及制造方法
US10775248B2 (en) MEMS strain gauge sensor and manufacturing method
CN103335753B (zh) 硅-玻璃基梁膜结构的超微压力传感器芯片及制造方法
CN104089727B (zh) 集成温度的高性能压力传感器芯片及制造方法
US8511171B2 (en) Device for measuring environmental forces and method of fabricating the same
CN111351607B (zh) 一种温压复合传感器的制作方法
CN102583232A (zh) 用于制造传感器的方法
EP3321655B1 (en) All silicon capacitive pressure sensor
CN111397776B (zh) 一种温压复合传感器
US9476779B2 (en) Sensor with an embedded thermistor for precise local temperature measurement
CN109342836B (zh) 基于压电压阻式宽频高场强微型电场传感器的生产工艺
CN104864988A (zh) 硅岛膜结构的mems压力传感器及其制作方法
CN105021328B (zh) Cmos工艺兼容的压阻式压力传感器及其制备方法
CN114275731A (zh) 一种基于mems的双梁式微压感测芯体及其制备工艺
CN213812675U (zh) 实现无引线封装的高温压力传感器芯片
CN103954383A (zh) 一种可用于高温环境下壁面剪应力测量的底层隔板微传感器及其制造方法
CN103964370A (zh) 一种电容式压力传感器的制备方法
CN116399506A (zh) 一种宽量程mems电容真空传感器及其制备方法
CN113340517B (zh) Mems电容压力芯片及其制备方法、电容式压力传感器
CN115541099A (zh) 一种电容式微流体压力传感器、制备方法及其微流体芯片
JP4549085B2 (ja) 静電容量型圧力センサ及びその製造方法
CN113371674B (zh) 一种宽量程压力传感器芯片及其单片集成制备方法
CN212269452U (zh) 一种高温压力传感器芯片
CN117923411A (zh) 一种碳化硅电容式压力传感器及其制备方法
JPH09264900A (ja) 熱式流速センサの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant