JPH10206205A - マイクロブリッジセンサの製造方法 - Google Patents
マイクロブリッジセンサの製造方法Info
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- JPH10206205A JPH10206205A JP9009057A JP905797A JPH10206205A JP H10206205 A JPH10206205 A JP H10206205A JP 9009057 A JP9009057 A JP 9009057A JP 905797 A JP905797 A JP 905797A JP H10206205 A JPH10206205 A JP H10206205A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 橋絡部上の薄膜センサ部の破壊を防止し、製
造工程を少なくすることができるマイクロブリッジセン
サの製造方法を提供する。 【解決手段】 マイクロブリッジセンサの製造に際し、
基板の切断を、凹部に充填物を充填した状態で行うこと
により、橋絡部上の薄膜センサ部の破壊を防止する。こ
の場合、凹部の形成と凹部への充填物の充填とを基板の
表面に薄膜センサ部を形成した後に行うことにより、充
填物を凹部に充填した後にその充填物の表面を研磨する
工程を省略することを可能にする。
造工程を少なくすることができるマイクロブリッジセン
サの製造方法を提供する。 【解決手段】 マイクロブリッジセンサの製造に際し、
基板の切断を、凹部に充填物を充填した状態で行うこと
により、橋絡部上の薄膜センサ部の破壊を防止する。こ
の場合、凹部の形成と凹部への充填物の充填とを基板の
表面に薄膜センサ部を形成した後に行うことにより、充
填物を凹部に充填した後にその充填物の表面を研磨する
工程を省略することを可能にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロブリッジ
センサの製造方法に関する。
センサの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の従来のマイクロブリッジセンサ
は、薄膜技術及び異方性エッチング技術により基板上で
薄膜橋架構造として形成されているもので、これにはフ
ローセンサ、温度センサ、ガスセンサ等がある。このよ
うな熱収支を利用するセンサでは、発熱部や検出部を微
小化・薄膜化することによって、高感度化・高速度化・
低消費電力化が可能となる等の多くの優れた特徴を有し
ている。
は、薄膜技術及び異方性エッチング技術により基板上で
薄膜橋架構造として形成されているもので、これにはフ
ローセンサ、温度センサ、ガスセンサ等がある。このよ
うな熱収支を利用するセンサでは、発熱部や検出部を微
小化・薄膜化することによって、高感度化・高速度化・
低消費電力化が可能となる等の多くの優れた特徴を有し
ている。
【０００３】そして、特開平５−２６４５６４号公報に
記載されているように、このようなセンサ装置の製造方
法として、基板の表面に凹部を形成する工程と、この工
程により形成された凹部に溶解可能又は気化可能な充填
物を充填する工程と、充填物上に薄膜センサ部を形成す
る工程と、基板を複数のチップの単位に切断する工程
と、凹部から充填物を除去する工程とよりなる製造方法
がある。
記載されているように、このようなセンサ装置の製造方
法として、基板の表面に凹部を形成する工程と、この工
程により形成された凹部に溶解可能又は気化可能な充填
物を充填する工程と、充填物上に薄膜センサ部を形成す
る工程と、基板を複数のチップの単位に切断する工程
と、凹部から充填物を除去する工程とよりなる製造方法
がある。
【０００４】熱収支を利用するマイクロブリッジセンサ
においては、薄膜センサ部の熱が凹部内にこもることに
よる感度低下を避けるために凹部を深くする必要があ
る。特開平５−２６４５６４号公報に記載された発明で
は、基板を切断するときに薄膜センサ部が破壊されない
ように、凹部に充填物を充填し、基板を切断してから充
填物を除去している。
においては、薄膜センサ部の熱が凹部内にこもることに
よる感度低下を避けるために凹部を深くする必要があ
る。特開平５−２６４５６４号公報に記載された発明で
は、基板を切断するときに薄膜センサ部が破壊されない
ように、凹部に充填物を充填し、基板を切断してから充
填物を除去している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】特開平５−２６４５６
４号公報に記載された方法は、凹部に充填物を充填する
場合に、充填物が基板の表面から盛り上がるように充填
した後に、充填部の表面を研磨する工程を設けている。
これにより、薄膜センサ部を基板の表面と一致する面内
に形成することができるが、充填物を研磨する余分な工
程を必要とするため、工程が複雑化し製造コストが高く
なる問題がある。
４号公報に記載された方法は、凹部に充填物を充填する
場合に、充填物が基板の表面から盛り上がるように充填
した後に、充填部の表面を研磨する工程を設けている。
これにより、薄膜センサ部を基板の表面と一致する面内
に形成することができるが、充填物を研磨する余分な工
程を必要とするため、工程が複雑化し製造コストが高く
なる問題がある。
【０００６】本発明は、基板の表面と一致する正確な面
内に薄膜センサ部を形成することができ、さらに、工程
数を少なくし得るマイクロブリッジセンサの製造方法を
提供することを目的とする。
内に薄膜センサ部を形成することができ、さらに、工程
数を少なくし得るマイクロブリッジセンサの製造方法を
提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
基板の表面に薄膜センサ部を形成する工程と、前記薄膜
センサ部が位置する橋絡部を残して前記基板の表面に凹
部を形成する工程と、溶解可能又は気化可能な充填物を
前記凹部に充填する工程と、前記基板を複数のチップに
切断する工程と、前記凹部から前記充填物を除去する工
程とよりなる。請求項２記載の発明では、基板はシリコ
ンウエハを用いた。
基板の表面に薄膜センサ部を形成する工程と、前記薄膜
センサ部が位置する橋絡部を残して前記基板の表面に凹
部を形成する工程と、溶解可能又は気化可能な充填物を
前記凹部に充填する工程と、前記基板を複数のチップに
切断する工程と、前記凹部から前記充填物を除去する工
程とよりなる。請求項２記載の発明では、基板はシリコ
ンウエハを用いた。
【０００８】従って、基板の切断は、凹部に充填物を充
填した状態で行うようにしたので、橋絡部上の薄膜セン
サ部の破壊が防止される。この場合、凹部の形成と凹部
への充填物の充填とは基板の表面に薄膜センサ部を形成
した後に行うようにしたので、充填物を凹部に充填した
後にその充填物の表面を研磨する工程を省略することが
可能となり、しかも基板の表面と同一面内に薄膜センサ
部が正確に形成される。
填した状態で行うようにしたので、橋絡部上の薄膜セン
サ部の破壊が防止される。この場合、凹部の形成と凹部
への充填物の充填とは基板の表面に薄膜センサ部を形成
した後に行うようにしたので、充填物を凹部に充填した
後にその充填物の表面を研磨する工程を省略することが
可能となり、しかも基板の表面と同一面内に薄膜センサ
部が正確に形成される。
【０００９】請求項３記載の発明は、橋絡部のたもとに
結晶面｛１１１｝が生ずるような方向に橋絡部を配置し
た。
結晶面｛１１１｝が生ずるような方向に橋絡部を配置し
た。
【００１０】従って、橋絡部のたもとに対応する凹部の
側面のおけるアンダーカットの発生が抑制される。
側面のおけるアンダーカットの発生が抑制される。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態を図面に基
づいて説明する。まず、図１に基本的な製造工程図を示
す。工程１では、基板の表面に薄膜センサ部を形成す
る。工程２では、基板に橋絡部を残して凹部を形成す
る。工程３では、凹部に充填物を充填する。工程４で
は、基板を複数のチップ単位に切断する。工程５では、
凹部内の充填物を除去する。工程６では、切断したチッ
プをダイボンディングにより実装面に固定し、薄膜セン
サ部と外部回路とを接続するワイヤボンディングを行
う。
づいて説明する。まず、図１に基本的な製造工程図を示
す。工程１では、基板の表面に薄膜センサ部を形成す
る。工程２では、基板に橋絡部を残して凹部を形成す
る。工程３では、凹部に充填物を充填する。工程４で
は、基板を複数のチップ単位に切断する。工程５では、
凹部内の充填物を除去する。工程６では、切断したチッ
プをダイボンディングにより実装面に固定し、薄膜セン
サ部と外部回路とを接続するワイヤボンディングを行
う。
【００１２】このように、基板の切断は、凹部に充填物
を充填した状態で行うようにしたので、橋絡部上の薄膜
センサ部の破壊を防止することができる。この場合、凹
部の形成と凹部への充填物の充填とは基板の表面に薄膜
センサ部を形成した後に行うようにしたので、充填物を
凹部に充填した後にその充填物の表面を研磨する工程を
省略することができ、しかも基板の表面と同一面内に薄
膜センサ部を正確に形成することができる。
を充填した状態で行うようにしたので、橋絡部上の薄膜
センサ部の破壊を防止することができる。この場合、凹
部の形成と凹部への充填物の充填とは基板の表面に薄膜
センサ部を形成した後に行うようにしたので、充填物を
凹部に充填した後にその充填物の表面を研磨する工程を
省略することができ、しかも基板の表面と同一面内に薄
膜センサ部を正確に形成することができる。
【００１３】次に、図２ないし図５に基づいて詳細に説
明する。図２は具体的な製造工程図、図３はマイクロブ
リッジセンサの製造過程を示す断面図、図４はマイクロ
ブリッジセンサの平面図、図５は橋絡部の拡大断面図で
ある。
明する。図２は具体的な製造工程図、図３はマイクロブ
リッジセンサの製造過程を示す断面図、図４はマイクロ
ブリッジセンサの平面図、図５は橋絡部の拡大断面図で
ある。
【００１４】図１で示す工程１は、図２に示すように工
程１−１，１−２，１−３，１−４，１−５に細分化さ
れる。すなわち、工程１−１では、図３（ａ）に示すよ
うに、基板としてシリコンウエハ１が用いられる。この
シリコンウエハ１の裏面には、異方性エッチング工程に
おいてシリコンウエハ１が裏面からエッチングされるの
を防ぐためにSiO2膜２が１μｍ程度形成されている。そ
して、このシリコンウエハ１の表面にTa2O5 等の絶縁膜
３を形成する。絶縁膜３は電子ビーム蒸着法又はスパッ
タリング法等により約１．５μｍ成膜する。
程１−１，１−２，１−３，１−４，１−５に細分化さ
れる。すなわち、工程１−１では、図３（ａ）に示すよ
うに、基板としてシリコンウエハ１が用いられる。この
シリコンウエハ１の裏面には、異方性エッチング工程に
おいてシリコンウエハ１が裏面からエッチングされるの
を防ぐためにSiO2膜２が１μｍ程度形成されている。そ
して、このシリコンウエハ１の表面にTa2O5 等の絶縁膜
３を形成する。絶縁膜３は電子ビーム蒸着法又はスパッ
タリング法等により約１．５μｍ成膜する。
【００１５】工程１−２では、図３（ｂ）に示すように
抵抗体膜４を成膜し、その上にエッチングマスクとして
Ta2O5 膜５を形成する。抵抗体膜４はPtを電子ビーム蒸
着法又はスパッタリング法により１２００Å程度の厚さ
に成膜する。Ta2O5 膜５の厚さは約１０００Åである。
抵抗体膜４を成膜し、その上にエッチングマスクとして
Ta2O5 膜５を形成する。抵抗体膜４はPtを電子ビーム蒸
着法又はスパッタリング法により１２００Å程度の厚さ
に成膜する。Ta2O5 膜５の厚さは約１０００Åである。
【００１６】工程１−３では、図３（ｃ）に示すように
抵抗体膜４及びTa2O5 膜５をパターン化する。すなわ
ち、Ta2O5 膜５に対しフォトリソ、エッチングを行い、
そのTa2O5 膜５をもって発熱体膜４のエッチングを行
い、対をなす二本の発熱体(pt）６，７と、これらの発
熱体６，７に連続するボンディングパッド６ａ，６ｂ，
７ａ，７ｂと、シリコンウエハ１の角部に位置するガス
温度測温体（Pt）８（図４参照）と、このガス温度測温
体８に連続するボンディングパッド８ａ，８ｂとのパタ
ーンを形成する。発熱体６，７とボンディングパッド６
ａ，６ｂ，７ａ，７ｂとの接続状態、ガス温度測温体
（Pt）８とボンディングパッド８ａ，８ｂとの接続状態
は図４に示す通りである。
抵抗体膜４及びTa2O5 膜５をパターン化する。すなわ
ち、Ta2O5 膜５に対しフォトリソ、エッチングを行い、
そのTa2O5 膜５をもって発熱体膜４のエッチングを行
い、対をなす二本の発熱体(pt）６，７と、これらの発
熱体６，７に連続するボンディングパッド６ａ，６ｂ，
７ａ，７ｂと、シリコンウエハ１の角部に位置するガス
温度測温体（Pt）８（図４参照）と、このガス温度測温
体８に連続するボンディングパッド８ａ，８ｂとのパタ
ーンを形成する。発熱体６，７とボンディングパッド６
ａ，６ｂ，７ａ，７ｂとの接続状態、ガス温度測温体
（Pt）８とボンディングパッド８ａ，８ｂとの接続状態
は図４に示す通りである。
【００１７】工程１−４では、図３（ｄ）に示すよう
に、発熱体６，７、ボンディングパッド６ａ，６ｂ，７
ａ，７ｂ、ガス温度測温体（Pt）８、ボンディングパッ
ド８ａ，８ｂを含めてシリコンウエハ１の表面にパッシ
ベーション膜（保護膜）９を約２０００Åの厚さをもっ
て成膜する。このパッシベーション膜９は、本実施の形
態ではTa2O5 膜であるが、これに限られるものではな
く、例えば、SiO2，Si3N4AlN 等の膜であってもよい。
特にAlN の場合、その熱伝導率が２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）
と高いので、パッシベーション膜９やその下層の絶縁膜
３として優れたものとなる。
に、発熱体６，７、ボンディングパッド６ａ，６ｂ，７
ａ，７ｂ、ガス温度測温体（Pt）８、ボンディングパッ
ド８ａ，８ｂを含めてシリコンウエハ１の表面にパッシ
ベーション膜（保護膜）９を約２０００Åの厚さをもっ
て成膜する。このパッシベーション膜９は、本実施の形
態ではTa2O5 膜であるが、これに限られるものではな
く、例えば、SiO2，Si3N4AlN 等の膜であってもよい。
特にAlN の場合、その熱伝導率が２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）
と高いので、パッシベーション膜９やその下層の絶縁膜
３として優れたものとなる。
【００１８】工程１−５では、図３（ｅ）に示すよう
に、パッシベーション膜９及び絶縁膜３をパターン加工
する。すなわち、シリコンウエハ１の表面にフォトマス
ク（図示せず）を配置し、パッシベーション膜９及び絶
縁膜３の所望の一部をエッチングすることにより、ボン
ディングパッド６ａ，６ｂ，７ａ，７ｂ，８ａ，８ｂの
中央部を露出するとともに、シリコンウエハ１の表面の
一部を露出する。
に、パッシベーション膜９及び絶縁膜３をパターン加工
する。すなわち、シリコンウエハ１の表面にフォトマス
ク（図示せず）を配置し、パッシベーション膜９及び絶
縁膜３の所望の一部をエッチングすることにより、ボン
ディングパッド６ａ，６ｂ，７ａ，７ｂ，８ａ，８ｂの
中央部を露出するとともに、シリコンウエハ１の表面の
一部を露出する。
【００１９】ここまでの工程により、シリコンウエハ１
の表面には二組の薄膜センサ部Ｓが形成される。この二
組の薄膜センサ部Ｓはシリコンウエハ１を切断すること
により一つのチップ単位に分離される。その切断につい
ては後で述べるが、図４は分離された薄膜センサ部Ｓを
示す。
の表面には二組の薄膜センサ部Ｓが形成される。この二
組の薄膜センサ部Ｓはシリコンウエハ１を切断すること
により一つのチップ単位に分離される。その切断につい
ては後で述べるが、図４は分離された薄膜センサ部Ｓを
示す。
【００２０】工程２では、図３（ｆ）に示すように橋絡
部１１を残して凹部１０を形成する。この場合、前工程
においてシリコンウエハ１上の絶縁膜３をエッチングに
より除去した部分からシリコンウエハ１を異方性エッチ
ングをすることにより凹部１０と橋絡部１１とが形成さ
れる。この橋絡部１１は薄膜センサ部Ｓのうちの対をな
す発熱体６，７とその下層の絶縁膜３とにより形成され
る。なお、異方性エッチングは、ＫＯＨ（水酸化ナトリ
ウム）等のアルカリ溶液によるエッチング速度がシリコ
ンウエハ１の結晶方向により異なる特徴を利用して行
う。エッチング液はＫＯＨ以外に、ヒドラジン、ＴＭＡ
Ｈ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）等を用い
ることが可能である。
部１１を残して凹部１０を形成する。この場合、前工程
においてシリコンウエハ１上の絶縁膜３をエッチングに
より除去した部分からシリコンウエハ１を異方性エッチ
ングをすることにより凹部１０と橋絡部１１とが形成さ
れる。この橋絡部１１は薄膜センサ部Ｓのうちの対をな
す発熱体６，７とその下層の絶縁膜３とにより形成され
る。なお、異方性エッチングは、ＫＯＨ（水酸化ナトリ
ウム）等のアルカリ溶液によるエッチング速度がシリコ
ンウエハ１の結晶方向により異なる特徴を利用して行
う。エッチング液はＫＯＨ以外に、ヒドラジン、ＴＭＡ
Ｈ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）等を用い
ることが可能である。
【００２１】工程３では、図３（ｇ）に示すように凹部
１０に充填物１２を充填する。充填物１２は、フォトレ
ジストやポリイミド等のように、溶解又は気化により除
去可能な材料であれば用いることができる。
１０に充填物１２を充填する。充填物１２は、フォトレ
ジストやポリイミド等のように、溶解又は気化により除
去可能な材料であれば用いることができる。
【００２２】工程４では、図３（ｈ）に示すようにシリ
コンウエハ１を切断することによりチップ１３，１４の
単位に切断する。この切断は例えばダイシングソーを用
いて行う。
コンウエハ１を切断することによりチップ１３，１４の
単位に切断する。この切断は例えばダイシングソーを用
いて行う。
【００２３】工程５では、図３（ｉ）に示すように凹部
１０内の充填物１２を除去する。充填物１２が例えばフ
ォトレジストである場合、アセトン等の有機溶剤又は硫
酸等の無機溶剤を用いて除去することができる。或い
は、酸素を用いたレジスト灰化処理を行うことでレジス
トを気化除去することができる。なお、充填物１２を溶
解により除去する場合は、シリコンウエハ１及びシリコ
ンウエハ１上の各薄膜が溶解しない除去液、或いはシリ
コンウエハ１や薄膜の溶解速度が充填物１２の溶解速度
より著しく遅くすることができる除去液を使用すること
が望ましい。
１０内の充填物１２を除去する。充填物１２が例えばフ
ォトレジストである場合、アセトン等の有機溶剤又は硫
酸等の無機溶剤を用いて除去することができる。或い
は、酸素を用いたレジスト灰化処理を行うことでレジス
トを気化除去することができる。なお、充填物１２を溶
解により除去する場合は、シリコンウエハ１及びシリコ
ンウエハ１上の各薄膜が溶解しない除去液、或いはシリ
コンウエハ１や薄膜の溶解速度が充填物１２の溶解速度
より著しく遅くすることができる除去液を使用すること
が望ましい。
【００２４】工程６では、チップ１３，１４を実装基板
（図示せず）にダイボンディングにより固着するととも
に、ボンディングパッド６ａ，６ｂ，７ａ，７ｂ，８
ａ，８ｂと外部回路（図示せず）とをワイヤにより接続
するワイヤボンディングを行う。なお、図３（ｉ）は、
図４におけるＡ−Ａ線部での断面図である。
（図示せず）にダイボンディングにより固着するととも
に、ボンディングパッド６ａ，６ｂ，７ａ，７ｂ，８
ａ，８ｂと外部回路（図示せず）とをワイヤにより接続
するワイヤボンディングを行う。なお、図３（ｉ）は、
図４におけるＡ−Ａ線部での断面図である。
【００２５】本実施の形態におけるマイクロブリッジセ
ンサはフローセンサの例である。図４に矢印を流量測定
の対象となる流体の流れる方向とすると、このフローセ
ンサは流体の流れに対して発熱体６が上流側に、発熱体
７が下流側に位置するように配置して用いる。これらの
発熱体６，７は通電により発熱するが、上流側の発熱体
６よりも下流側の発熱体７の温度の方が高くなる。この
温度差を抵抗値変化の差、つまり定電流駆動における電
圧変化の差として検出することにより、流体の流速（又
は流量）を測定することができる。
ンサはフローセンサの例である。図４に矢印を流量測定
の対象となる流体の流れる方向とすると、このフローセ
ンサは流体の流れに対して発熱体６が上流側に、発熱体
７が下流側に位置するように配置して用いる。これらの
発熱体６，７は通電により発熱するが、上流側の発熱体
６よりも下流側の発熱体７の温度の方が高くなる。この
温度差を抵抗値変化の差、つまり定電流駆動における電
圧変化の差として検出することにより、流体の流速（又
は流量）を測定することができる。
【００２６】ところで、フローセンサの製造に際して、
シリコンウエハ１の切断は、凹部１０及び薄膜センサ部
Ｓの各薄膜の隙間に充填物１２を充填した状態で行うの
で、橋絡部１１上の薄膜センサ部Ｓの破壊を防止するこ
とができる。この場合、凹部１０の形成と凹部１０への
充填物１２の充填は、シリコンウエハ１の表面に薄膜セ
ンサ部Ｓを形成した後に行うようにしたので、充填物１
２を凹部１０に充填した後にその充填物１２の表面を研
磨する工程を省略することができ、しかもシリコンウエ
ハ１の表面と同一面内に薄膜センサ部Ｓを正確に形成す
ることができる。
シリコンウエハ１の切断は、凹部１０及び薄膜センサ部
Ｓの各薄膜の隙間に充填物１２を充填した状態で行うの
で、橋絡部１１上の薄膜センサ部Ｓの破壊を防止するこ
とができる。この場合、凹部１０の形成と凹部１０への
充填物１２の充填は、シリコンウエハ１の表面に薄膜セ
ンサ部Ｓを形成した後に行うようにしたので、充填物１
２を凹部１０に充填した後にその充填物１２の表面を研
磨する工程を省略することができ、しかもシリコンウエ
ハ１の表面と同一面内に薄膜センサ部Ｓを正確に形成す
ることができる。
【００２７】次に、異方性エッチングによる凹部１０の
形成方法について詳述する。シリコンウエハ１のような
半導体基板は一般に結晶面方向により原子密度が異なる
ため、アルカリ溶液を用いたエッチングでは結晶面方向
でエッチングの速度が異なる。その速度の大小の関係
は、 ｛１００｝＞｛１１０｝≫｛１１１｝ であり、｛１１１｝面は極めてエッチング速度が遅いこ
とが知られている。
形成方法について詳述する。シリコンウエハ１のような
半導体基板は一般に結晶面方向により原子密度が異なる
ため、アルカリ溶液を用いたエッチングでは結晶面方向
でエッチングの速度が異なる。その速度の大小の関係
は、 ｛１００｝＞｛１１０｝≫｛１１１｝ であり、｛１１１｝面は極めてエッチング速度が遅いこ
とが知られている。
【００２８】半導体基板としては（１００）基板、（１
１０）基板、（１１１）基板がある。（１００）基板は
［１００］方向に結晶軸をもつ表面からなる基板、（１
１０）基板は［１１０］方向に結晶軸をもつ表面からな
る基板、（１１１）基板は［１１１］方向に結晶軸をも
つ表面からなる基板である。（１１１）基板は基板表面
が（１１１）面となっているためエッチングは殆ど進ま
ず、本発明のようなマイクロブリッジセンサに使用する
には適さない。
１０）基板、（１１１）基板がある。（１００）基板は
［１００］方向に結晶軸をもつ表面からなる基板、（１
１０）基板は［１１０］方向に結晶軸をもつ表面からな
る基板、（１１１）基板は［１１１］方向に結晶軸をも
つ表面からなる基板である。（１１１）基板は基板表面
が（１１１）面となっているためエッチングは殆ど進ま
ず、本発明のようなマイクロブリッジセンサに使用する
には適さない。
【００２９】そこで、半導体基板として（１００）基板
１、（１１０）基板１を用い凹部１０を形成する場合に
ついて説明する。図６（ａ）（ｂ）は（１１０）基板１
を異方性エッチングした場合の断面図である。（１１
０）基板１を用い、その（１１０）面の深さ方向に凹部
１０を形成する場合、半導体基板表面に対して略９０°
の角度をもって｛１１１｝面を形成することができる
（同図（ａ））。また、半導体基板表面に対して略略３
５．３°の角度をもって｛１１１｝面を形成することが
できる（同図（ｂ））。
１、（１１０）基板１を用い凹部１０を形成する場合に
ついて説明する。図６（ａ）（ｂ）は（１１０）基板１
を異方性エッチングした場合の断面図である。（１１
０）基板１を用い、その（１１０）面の深さ方向に凹部
１０を形成する場合、半導体基板表面に対して略９０°
の角度をもって｛１１１｝面を形成することができる
（同図（ａ））。また、半導体基板表面に対して略略３
５．３°の角度をもって｛１１１｝面を形成することが
できる（同図（ｂ））。
【００３０】図６（ｃ）は（１００）基板１を異方性エ
ッチングした場合の断面図である。（１００）基板１を
用い、その（１００）面の深さ方向に凹部１０を形成す
る場合、半導体基板表面に対して略５４．７°の角度を
もって｛１１１｝面を形成することができる。
ッチングした場合の断面図である。（１００）基板１を
用い、その（１００）面の深さ方向に凹部１０を形成す
る場合、半導体基板表面に対して略５４．７°の角度を
もって｛１１１｝面を形成することができる。
【００３１】このように、（１００）基板１、（１１
０）基板１を用いてそれぞれ上記のような方向に橋絡部
１１を形成することで、橋絡部１１のたもとに｛１１
１｝面を形成することができる。また、（１００）基板
１、（１１０）基板１を数１００μｍの深さのエッチン
グを行った場合でも、｛１１１｝面は極めてエッチング
速度が遅いことから、数μｍ程度のエッチングしかされ
ない。これにより、橋絡部１１のたもとに対応する凹部
１０の側面のおけるアンダーカットの発生を抑制するこ
とができる。この結果、凹部１０への充填物１２の充填
に際し、橋絡部１１の破損を防止し、製造時の歩留まり
を向上させることができる。
０）基板１を用いてそれぞれ上記のような方向に橋絡部
１１を形成することで、橋絡部１１のたもとに｛１１
１｝面を形成することができる。また、（１００）基板
１、（１１０）基板１を数１００μｍの深さのエッチン
グを行った場合でも、｛１１１｝面は極めてエッチング
速度が遅いことから、数μｍ程度のエッチングしかされ
ない。これにより、橋絡部１１のたもとに対応する凹部
１０の側面のおけるアンダーカットの発生を抑制するこ
とができる。この結果、凹部１０への充填物１２の充填
に際し、橋絡部１１の破損を防止し、製造時の歩留まり
を向上させることができる。
【００３２】
【発明の効果】請求項１及び２記載の発明によれば、マ
イクロブリッジセンサの製造に際し、基板の切断は、凹
部に充填物を充填した状態で行うようにしたので、橋絡
部上の薄膜センサ部の破壊を防止することができる。こ
の場合、凹部の形成と凹部への充填物の充填とは基板の
表面に薄膜センサ部を形成した後に行うようにしたの
で、充填物を凹部に充填した後にその充填物の表面を研
磨する工程を省略することができ、しかも基板の表面と
同一面内に薄膜センサ部を正確に形成することができ
る。
イクロブリッジセンサの製造に際し、基板の切断は、凹
部に充填物を充填した状態で行うようにしたので、橋絡
部上の薄膜センサ部の破壊を防止することができる。こ
の場合、凹部の形成と凹部への充填物の充填とは基板の
表面に薄膜センサ部を形成した後に行うようにしたの
で、充填物を凹部に充填した後にその充填物の表面を研
磨する工程を省略することができ、しかも基板の表面と
同一面内に薄膜センサ部を正確に形成することができ
る。
【００３３】請求項３記載の発明によれば、橋絡部のた
もとに結晶面｛１１１｝が生ずるような方向に橋絡部を
配置したので、橋絡部のたもとに対応する凹部の側面の
おけるアンダーカットの発生を抑制することができる。
これにより、凹部への充填物の充填に際し、橋絡部の破
損を防止し、製造時の歩留まりを向上させることができ
る。
もとに結晶面｛１１１｝が生ずるような方向に橋絡部を
配置したので、橋絡部のたもとに対応する凹部の側面の
おけるアンダーカットの発生を抑制することができる。
これにより、凹部への充填物の充填に際し、橋絡部の破
損を防止し、製造時の歩留まりを向上させることができ
る。
【図１】本発明の実施の一形態における基本的な製造工
程図である。
程図である。
【図２】具体的な製造工程図である。
【図３】マイクロブリッジセンサの製造過程を示す断面
図である。
図である。
【図４】マイクロブリッジセンサの平面図である。
【図５】橋絡部の拡大断面図である。
【図６】基板をエッチングした場合の断面図である。
１ 基板、シリコンウエハ １０ 凹部 １１ 橋絡部 １２ 充填物 １３，１４ チップ Ｓ 薄膜センサ部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 隆行 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 上西 盛聖 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 佐藤 幸人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 庄子 浩義 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (3)
- 【請求項１】 基板の表面に薄膜センサ部を形成する工
程と、前記薄膜センサ部が位置する橋絡部を残して前記
基板の表面に凹部を形成する工程と、溶解可能又は気化
可能な充填物を前記凹部に充填する工程と、前記基板を
複数のチップに切断する工程と、前記凹部から前記充填
物を除去する工程とよりなることを特徴とするマイクロ
ブリッジセンサの製造方法。 - 【請求項２】 基板はシリコンウエハを用いたことを特
徴とする請求項１記載のマイクロブリッジセンサの製造
方法。 - 【請求項３】 橋絡部のたもとに結晶面｛１１１｝が生
ずるような方向に橋絡部を配置したことを特徴とする請
求項２記載のマイクロブリッジセンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9009057A JPH10206205A (ja) | 1997-01-22 | 1997-01-22 | マイクロブリッジセンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9009057A JPH10206205A (ja) | 1997-01-22 | 1997-01-22 | マイクロブリッジセンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10206205A true JPH10206205A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=11710005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9009057A Pending JPH10206205A (ja) | 1997-01-22 | 1997-01-22 | マイクロブリッジセンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10206205A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005321294A (ja) * | 2004-05-10 | 2005-11-17 | Mitsubishi Electric Corp | 感熱式流量検出素子の製造方法 |
| WO2009023484A3 (en) * | 2007-08-13 | 2009-07-02 | Honeywell Int Inc | Shell flow sensor |
-
1997
- 1997-01-22 JP JP9009057A patent/JPH10206205A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005321294A (ja) * | 2004-05-10 | 2005-11-17 | Mitsubishi Electric Corp | 感熱式流量検出素子の製造方法 |
| US6995028B2 (en) | 2004-05-10 | 2006-02-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing thermal type flow sensing elements |
| JP4515143B2 (ja) * | 2004-05-10 | 2010-07-28 | 三菱電機株式会社 | 感熱式流量検出素子の製造方法 |
| WO2009023484A3 (en) * | 2007-08-13 | 2009-07-02 | Honeywell Int Inc | Shell flow sensor |
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