JP4515143B2 - 感熱式流量検出素子の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、内燃機関の吸入空気量等を計測する流量センサ装置用の流量検出素子に関し、特に、基板上に薄膜センサ部が形成されたダイヤフラム構造を有する感熱式流量検出素子およびその製造方法に関する。
従来のダイヤフラム構造を有する感熱式の流量検出素子の製造方法においては、基板表面に感熱抵抗膜からなる薄膜センサ部が形成された後、薄膜センサ部下方の基板の一部の領域を除去することによりダイヤフラムを形成する。そして、この基板を切断することにより個々の流量検出素子に分離する。分離されたこれらの流量検出素子は、加工された後に、流量検出センサ装置に組み込まれる。
例えば、特許文献１には、基板表面に形成された薄膜センサ部を有する感熱式流量検出素子の製造方法の例が開示されている。
上記の流量検出素子の薄膜センサ部は、発熱抵抗を有しているが、この発熱抵抗は、通電により高温発熱させると抵抗値変動が生じるので、特性が初期状態から変動してしまう場合がある。従って、流量検出素子を外部と電気的に接続させ予め発熱抵抗が所定の温度以上になるように通電することにより、特性を安定化させることが必要となる。
上記の電気的な接続を行う手法としては、流量検出素子の電極をピンで直接に接触させる手法が考えられるが、この場合、電極が損傷してしまうことにより信頼性が低下してしまう場合があるという問題点があった。
このような信頼性の低下を避けるためには、外部との接続が容易に行うことができる状態にまで流量センサ装置を組み立てた後に通電する手法が考えられる。しかし、この場合には、構造が大きくなるので、通電のための設備が大きくなってしまう。そのため、工作性が低下してしまう場合があるという問題点があった。
また、上記の流量検出素子の分離後の加工においては、感熱抵抗膜からなる薄膜センサ部上に保護膜が形成されるが、この保護膜に亀裂や異物等によるカバレッジ欠陥があると、流量検出素子が水に曝された場合に、このカバレッジ欠陥において電気分解が生じる場合がある。このとき、抵抗値変動が生じることにより特性が初期状態から変動してしまうので、最悪の場合には、抵抗がオープンになってしまう場合があるという問題点があった。よって、亀裂や異物等による欠陥が感熱抵抗膜まで達しているかどうかを検査することが必要となるが、流量検出素子の断面を観察することは困難である。そこで、異物による欠陥については、表面側から直接に目視あるいは顕微鏡等で観察することにより異物のサイズを検知し、このサイズが所定の規格値より大きい場合に欠陥と判断するような製造管理を行っている。しかし、異物の形状によっては、表面からの直接の観察により小さく見える場合でも、実際には大きな欠陥である場合があり得る。従って、表面側からの目視あるいは顕微鏡等による直接の観察によっては、異物による全ての欠陥を正確に検知することは困難である。また、同様に、亀裂による欠陥についても、直接の観察によって全ての欠陥を正確に検知することは困難である。よって、表面からの直接の観察により検査を行った場合には、信頼性が低下してしまう場合があるという問題点があった。
このような信頼性の低下を避けるためには、直接に観察するのではなく、流量検出素子を水に浸漬させた状態で通電しカバレッジ欠陥における電気分解による気泡の発生を目視あるいは顕微鏡等により観察することにより検査を行う手法が考えられる。しかし、この場合には、複数の流量検出素子の各々に対して通電する必要があるので、製造工程が煩雑になり製造コストが高くなってしまうという問題点があった。
本発明は以上の問題点を解決するためになされたものであり、製造コストを高めることなく工作性および信頼性を高めた感熱式流量検出素子の製造方法を提供することを目的とする。
本発明に係る感熱式流量検出素子の製造方法は、基板上に形成された絶縁性の支持膜と基板を部分的に除去することにより形成されたダイヤフラムとを有する感熱式流量検出素子の製造方法であって、感熱抵抗膜からなり発熱用抵抗体および測温用抵抗体を有する流量検出用パターンを支持膜上に複数個形成する流量検出用パターン形成工程と、感熱抵抗膜からなり複数の流量検出用パターンを電気的に接続させるためのダミーパターンを支持膜上に形成するダミーパターン形成工程と、前記流量検出用パターンおよび前記ダミーパターン上に保護膜を形成する工程と、ダミーパターンを用いて複数の流量検出用パターンに対し所定の処理を実行する工程と、複数の流量検出用パターンを個々に分離しダミーパターンによる接続から解放する工程とを備え、前記所定の処理は、前記保護膜で覆われ前記ダミーパターンにより接続された複数の前記流量検出用パターンを水に浸漬させた状態で通電することによる前記保護膜の検査を含むことを特徴とする。
本発明に係る感熱式流量検出素子の製造方法によれば、基板上に複数個形成された流量検出用パターンを、ダミーパターンを介して、互いに接続できる。従って、ダミーパターンを用いて複数の流量検出用パターンに対し所定の処理を実行することにより、電極が損傷することを防止できるので、信頼性を高めることができる。また、複数の発熱用抵抗体を並列に接続することにより、複数の流量検出素子を基板上に配置させた状態で同時に通電させることが可能となる。これにより、簡易な設備で同じ電圧（あるいは同じ電流）を用いて通電を行うことができるので、工作性を向上させ、製造コストを低減できる。また、発熱用抵抗体に加え測温用抵抗体をもダミーパターンに接続させることにより、流量検出用パターン全体について、水中においてカバレッジ検査を行うことが可能となる。これにより、信頼性を高めることができる。
以下、この発明の実施の形態を図を用いて説明する。なお、以下の図においては、図示の都合上、各部材の寸法比は、実際のものとは異なっている場合がある。
＜実施の形態１＞
図１は、実施の形態１に係る感熱式の流量検出素子１２の製造工程における基板上の配置を示す上面図である。また、図２は、図１に示される流量検出素子１２の構造を示す上面図である。また、図３は、図２に示される流量検出素子１２の構造を示す断面図である。図１，２においては、図示の都合上、図３に示される保護膜３は省略している。
図１は、実施の形態１に係る感熱式の流量検出素子１２の製造工程における基板上の配置を示す上面図である。また、図２は、図１に示される流量検出素子１２の構造を示す上面図である。また、図３は、図２に示される流量検出素子１２の構造を示す断面図である。図１，２においては、図示の都合上、図３に示される保護膜３は省略している。
図１，２に示すように、シリコンからなる基板１の表面１ａ側には、窒化シリコンからなる絶縁性の支持膜２が、全面にわたって形成されている。支持膜２上には、感熱抵抗膜からなる発熱抵抗（発熱用抵抗体）４、測温抵抗（測温用抵抗体）５、リードパターン６およびダミーパターン７が形成されている。この感熱抵抗膜は、例えば白金等の、抵抗値が温度依存性を有する材料からなる。また、図３に示すように、支持膜２上には、窒化シリコンからなる絶縁性の保護膜３が、発熱抵抗４、測温抵抗５、リードパターン６およびダミーパターン７を覆うように形成されている。以下では、発熱抵抗４、測温抵抗５およびリードパターン６をまとめて、薄膜センサ部２３とも呼ぶ。この薄膜センサ部２３は、本発明に係る流量検出用パターンとして機能する。
図１〜３に示すように、リードパターン６の端部上においては、保護膜３を除去しリードパターン６を露出させることにより、電極８が形成されている。さらに、ダミーパターン７の端部上においては、保護膜３を除去しダミーパターン７を露出させることにより、ダミーパターン電極（ダミーパターン用電極）９ａ〜９ｄが形成されている。
図３に示すように、基板１においては、裏面１ｂ側から支持膜２に至るまでの一部の領域が断面台形状に除去されることにより、発熱抵抗４下部に空間（キャビティ１０）が形成されている。これにより、発熱抵抗４が支持膜２および保護膜３により挟み込まれた膜層の周囲が基板１に保持されてなる薄肉彫のダイヤフラム１１が、基板１と一体に形成されることとなる。
図２に示すように、流量検出素子１２は、発熱抵抗４の両端にそれぞれ接続された２個のリードパターン６と測温抵抗５の両端にそれぞれ接続された２個のリードパターン６とを備えている。発熱抵抗４の両端に接続されたリードパターン６は、いずれも、電極８付近でダミーパターン７に接続される。また、測温抵抗５の両端に接続されたリードパターン６は、いずれか一方が、電極８付近でダミーパターン７に接続される。
図１に示すように、基板１上には、複数個の流量検出素子１２が形成されている。以下の説明においては、図１において、矢印に平行な方向を横方向と呼び、矢印に垂直な方向を縦方向と呼ぶ。また、流量検出素子１２の横方向の並びを行と呼び、流量検出素子１２の縦方向の並びを列と呼ぶ。図１においては、３行４列の１２個の流量検出素子１２が示されているが、１２個に限らず、複数個形成されていればよい。
図１に示すように、ダミーパターン電極９ａから延びるダミーパターン７は、左端の列に配置された３個の流量検出素子１２において、リードパターン６を介して、発熱抵抗４の一端に、それぞれ接続される。各流量検出素子１２は、リードパターン６およびダミーパターン７を介して、横方向に隣接する流量検出素子１２と、発熱抵抗４の一端において互いに接続される。
また、図１に示すように、ダミーパターン電極９ｂから延びるダミーパターン７は、上端の行に配置された４個の流量検出素子１２において、リードパターン６を介して、発熱抵抗４の他端および測温抵抗５の一端にそれぞれ接続される。ダミーパターン電極９ｃから延びるダミーパターン７は、中央の行に配置された４個の流量検出素子１２において、リードパターン６を介して、発熱抵抗４の他端および測温抵抗５の一端にそれぞれ接続される。ダミーパターン電極９ｄから延びるダミーパターン７は、下端の行に配置された４個の流量検出素子１２において、リードパターン６を介して、発熱抵抗４の他端および測温抵抗５の一端にそれぞれ接続される。
すなわち、ダミーパターン７は、基板１上に複数個形成された流量検出素子１２の発熱抵抗４を、リードパターン６を介して並列に接続するようにパターニングされている。
次に、このように構成された複数個の流量検出素子１２が配置された基板１の製造方法について、図４〜９を用いて説明する。
図４は、基本的な製造工程を示すフローチャートである。ステップＳ１においては、基板１の表面に薄膜センサ部２３を形成する。次に、ステップＳ２においては、薄膜センサ部２３下方の基板１の一部の領域を除去することにより、ダイヤフラム１１を形成する。次に、ステップＳ３においては、発熱抵抗４の特性安定化のための通電加熱処理を行う。次に、ステップＳ４においては、カバレッジ欠陥の検査を行う。次に、ステップＳ５においては、基板１を複数の流量検出素子１２に切断する。
次に、図５〜９を用いて、流量検出素子１２の詳細な製造工程について説明する。
まず、ステップＳ１について説明する。
図５（ａ）〜（ｃ）は、ステップＳ１の詳細な製造工程を示す模式図である。図５は、図１において矢印の向きから基板１を視た様子が示されている。なお、図５においては、説明に直接に関係しない部材については、図示を省略している（後述する図６，９〜１１についても同様である）。
図５（ａ）に示すように、ステップＳ１においては、（１００）結晶方位を有する円板状のシリコンからなる基板１を用意し、基板１の裏面１ｂの全面にわたって熱酸化膜１３を形成する。ここで、基板１の厚さは例えば４００μｍ程度であり、熱酸化膜１３の厚さは例えば０．５μｍ程度である。そして、基板１の表面１ａの全面にわたって、スパッタあるいはＣＶＤ等の手法を用いて、窒化シリコンを１μｍ厚程度に成膜することにより、基板１上に支持膜２を形成する。
次に、図５（ｂ）に示すように、支持膜２の表面全面に、蒸着あるいはスパッタ等の手法を用いて、白金を０．２μｍ厚程度に成膜した後に、写真製版およびウェットエッチング（あるいはドライエッチング）等の手法を用いてこの白金膜をパターニングすることにより、発熱抵抗４、測温抵抗５およびリードパターン６からなる薄膜センサ部２３とダミーパターン７とを形成する。そして、支持膜２の表面全面に、スパッタあるいはＣＶＤ等の手法を用いて、窒化シリコンを１μｍ厚程度に成膜することにより、支持膜２上に保護膜３を形成する。
次に、図５（ｃ）に示すように、写真製版およびウェットエッチング（あるいはドライエッチング）等の手法を用いて、リードパターン６の端部上およびダミーパターン７の端部上において保護膜３を除去することにより、電極８およびダミーパターン電極９ａ〜９ｄをそれぞれ形成する。
次に、ステップＳ２について説明する。
図６は、ステップＳ２の詳細な製造工程を示す断面図である。
図６に示すように、ステップＳ２においては、基板１の裏面１ｂの熱酸化膜１３全面に、レジストを塗布し、写真製版等を用いて、このレジストにエッチングホールを形成する。その後、例えばアルカリエッチングを施して基板１の一部を裏面１ｂ側から支持膜２に至るように除去することにより、ダイヤフラム１１を形成した後に、レジストを除去する。上記のアルカリエッチングで用いられるエッチャントとしては、ＫＯＨ、ＴＭＡＨ（Tetra Methyl Ammonium Hydroxide）、ＮＡＯＨ等がある。
次に、ステップＳ３について説明する。
図７は、ステップＳ３において、発熱抵抗４の特性安定化のための通電加熱処理を行う処理装置を示す模式図である。
図７に示すように、ステップＳ３においては、基板１の表面に形成されたダミーパターン電極９ａ〜９ｄに導電性のピン１５を接触させ、ダミーパターン電極９ａとダミーパターン電極９ｂ〜９ｄそれぞれとの間に所定の電圧（あるいは所定の電流）を与えることにより、発熱抵抗４を発熱させる。この通電は、発熱抵抗４の抵抗値が変動しなくなるまで行う。また、この通電は、高温雰囲気中で行ってもよい。
次にステップＳ４について説明する。
図８は、ステップＳ４において、カバレッジ欠陥の検査を行う検査装置を示す模式図である。
図８に示すように、ステップＳ４においては、基板１の検査すべき箇所を槽１６内の水１７に浸漬させた状態で、電源１４の負極に接続されたピン１５を雰囲気中でダミーパターン電極９ｂ〜９ｄに順に接触させていく（図８においては、ダミーパターン電極９ｃに接触させた場合が示されている）。ここで、導通モニタ１８を介して電極１４の正極に接続された＋電極１９は、水１７に浸漬されている。このようにダミーパターン電極９ｃ等に所定の電圧（あるいは所定の電流）を与えた状態で、カバレッジ欠陥により電気分解が発生し導通が生じているかどうかを、導通モニタ１８でチェックすることにより、保護膜３のカバレッジ検査を行うことが可能となる。あるいは、図８においては図示していないが、導通モニタ１８を用いる代わりに、水１７に浸漬され通電された流量検出素子１２の表面を目視あるいは顕微鏡等で観察し電気分解による気泡の発生をチェックすることにより、保護膜３のカバレッジ検査を行う手法も考えられる。基板１は、検査を行った後に槽１６から取り出され、乾燥させる。
次にステップＳ５について説明する。
図９は、ステップＳ５の詳細な製造工程を示す断面図である。
図９に示すように、ステップＳ５においては、例えばダイシングソー２０を用いて、基板１を切断する。これにより、流量検出素子１２を分離すると同時に、発熱抵抗４を並列に接続していたダミーパターン７を切断し、また、測温抵抗５を接続していたダミーパターン７を切断する。これにより、複数の流量検出素子１２は解放され、互いに、電気的にオープンとなる。
このように、本実施の形態に係る感熱式流量検出素子の製造方法においては、基板１上に複数個形成された、発熱抵抗４、測温抵抗５およびリードパターン６からなる薄膜センサ部２３を、ダミーパターン７を介して互いに接続する。そして、このダミーパターン７を用いて、複数の流量検出素子１２に対して、通電やカバレッジ検査等の処理を実行する。従って、電極８が損傷することを防止できるので、信頼性を高めることができる。
また、複数の発熱抵抗４を並列に接続することにより、複数の流量検出素子１２を基板１上に配置させた状態で同時に通電させることが可能となる。これにより、簡易な設備で同じ電圧（あるいは同じ電流）を用いて通電を行うことができるので、工作性を向上させ、製造コストを低減できる。
また、発熱抵抗４に加え測温抵抗５をもダミーパターン７に接続させることにより、発熱抵抗４、測温抵抗５およびリードパターン６からなる薄膜センサ部２３全体について、水１７中においてカバレッジ検査を行うことが可能となる。これにより、信頼性を高めることができる。
また、ダミーパターン７は、電極８付近でリードパターン６に接続されている。流量検出素子１２は、ステップＳ５において切断された後に、保護膜で覆われて流量センサ装置に組み込まれる。このとき、電極８付近は、この保護膜で覆われるので、流量センサ装置を実際に使用するときに、切断されたダミーパターン７の分離端が、流体検査素子１２内において、水等の流体に曝されることはない。すなわち、ダミーパターン７を、実際に使用するときに流体に曝されない電極８付近等において、リードパターン６と接続することにより、腐食による劣化等を防止できるので、信頼性を高めることができる。
また、ステップＳ１において、発熱抵抗４、測温抵抗５およびリードパターン６からなる薄膜センサ部２３とダミーパターン７とを同時に形成することにより、工程数を低減し製造コストを低減できる。
なお、上述の説明においては、ステップＳ３において通電を行った後に、ステップＳ４において保護膜３のカバレッジ検査を行っているが、カバレッジ検査は、通電の後に限らず、電極９ａ〜９ｄが形成された後であれば、いつ行ってもよい。
＜実施の形態２＞
実施の形態１に係る感熱式流量検出素子の製造方法においては、基板１を水１７に浸漬させた状態で通電し、水１７の電気分解をチェックすることにより、カバレッジ欠陥の検査を行っている。しかし、水１７に浸漬させる代わりに、保護膜３上に導電性膜を形成し、この導電性膜を用いてカバレッジ欠陥の検査を行ってもよい。
実施の形態１に係る感熱式流量検出素子の製造方法においては、基板１を水１７に浸漬させた状態で通電し、水１７の電気分解をチェックすることにより、カバレッジ欠陥の検査を行っている。しかし、水１７に浸漬させる代わりに、保護膜３上に導電性膜を形成し、この導電性膜を用いてカバレッジ欠陥の検査を行ってもよい。
図１０は実施の形態２に係る流量検出素子を示す断面図である。
図１０を用いて、本実施の形態に係る流量検出素子の詳細な製造工程について説明する。
まず、実施の形態１のステップＳ１と同様に、（１００）結晶方位を有する円板状のシリコンからなる基板１を用意し、基板１の裏面１ｂの全面にわたって熱酸化膜１３を形成する。ここで、基板１の厚さは例えば４００μｍ程度であり、熱酸化膜１３の厚さは例えば０．５μｍ程度である。そして、基板１の表面１ａの全面にわたって、スパッタあるいはＣＶＤ等の手法を用いて、窒化シリコンを１μｍ厚程度に成膜することにより、基板１上に支持膜２を形成する。
次に、実施の形態１のステップＳ１と同様に、支持膜２の表面全面に、蒸着あるいはスパッタ等の手法を用いて、白金を０．２μｍ厚程度に成膜した後に、写真製版およびウェットエッチング（あるいはドライエッチング）等の手法を用いてこの白金膜をパターニングすることにより、発熱抵抗４、測温抵抗５およびリードパターン６からなる薄膜センサ部２３とダミーパターン７とを形成する。そして、支持膜２の表面全面に、スパッタあるいはＣＶＤ等の手法を用いて、窒化シリコンを１μｍ厚程度に成膜することにより、支持膜２上に保護膜３を形成する。
次に、支持膜２の表面全面に、蒸着あるいはスパッタ等の手法を用いて、白金を例えば０．２μｍ厚程度に成膜することにより、導電性膜２１を形成する。なお、この導電性膜２１の材料は、白金に限らず、導電性の材料であればよい。
次に、写真製版およびウェットエッチング（あるいはドライエッチング）等の手法を用いて、リードパターン６の端部上において保護膜３および導電性膜２１を除去することにより、電極８を形成する。また、同様の手法を用いて、ダミーパターン７の端部上において保護膜３および導電性膜２１を除去することにより、ダミーパターン電極９ａ〜９ｄをそれぞれ形成する。
次に、実施の形態１のステップＳ２と同様に、基板１の裏面１ｂの熱酸化膜１３全面に、レジストを塗布し、写真製版等を用いて、このレジストにエッチングホールを形成する。その後、例えばアルカリエッチングを施して基板１の一部を裏面１ｂ側から支持膜２に至るように除去することにより、ダイヤフラム１１を形成した後に、レジストを除去する。実施の形態１のステップＳ２と同様に、上記のアルカリエッチングで用いられるエッチャントとしては、ＫＯＨ、ＴＭＡＨ（Tetra Methyl Ammonium Hydroxide）、ＮＡＯＨ等がある。
次に、実施の形態１のステップＳ３と同様に、基板１の表面に形成されたダミーパターン電極９ａ〜９ｄに導電性のピン１５を接触させ、ダミーパターン電極９ａとダミーパターン電極９ｂ〜９ｃそれぞれとの間に所定の電圧（あるいは所定の電流）を与えることにより、発熱抵抗４を発熱させる。この通電は、発熱抵抗４の抵抗値が変動しなくなるまで行う。また、この通電は、高温雰囲気中で行ってもよい。
次に、図１１に示されるような検査装置を用いて、保護膜３のカバレッジ欠陥の検査を行う。
図１１に示すように、電源１４の負極に接続されたピン１５を導電性膜２１に接触させると同時に、導通モニタ１８を介して電源１４の正極に接続されたピン１５をダミーパターン電極９ａに接触させる。このようにダミーパターン電極９ａに所定の電圧（あるいは所定の電流）を与えた状態で、カバレッジ欠陥により導通が生じているかどうかを、導通モニタ１８でチェックすることにより、保護膜３のカバレッジ検査を行うことが可能となる。例えば、図１１に示すように、薄膜センサ部２３と導電性膜２１との間に導電性の異物２２がある場合には、異物２２を介した導通を導通モニタ１８で検出することにより、保護膜３のカバレッジ検査を行うことが可能となる。
次に、実施の形態１のステップＳ５と同様に、例えばダイシングソー２０を用いて、基板１を切断する。これにより、流量検出素子を分離すると同時に、発熱抵抗４を並列に接続していたダミーパターン７を切断し、また、測温抵抗５を接続していたダミーパターン７を切断する。これにより、複数の流量検出素子は解放され、互いに、電気的にオープンとなる。
このように、本実施の形態に係る感熱式流量検出素子の製造方法においては、保護膜３上に形成された導電性膜２１を用いることにより、基板１を水１７に浸漬させることなくカバレッジ欠陥の検査を行っている。従って、雰囲気中で簡易な設備で検査を行うことができるので、実施の形態１の効果に加えて、さらに工作性を向上させることができるという効果を有する。また、基板１を乾燥させる工程が不要となるので、実施の形態１の効果に加えて、さらに製造コストを低減することができるという効果を有する。
なお、上記の導電性膜２１は、熱伝導性が高い場合が多いので、流量検出素子１２が流量センサ装置に組み込まれて実際に使用されるときに、発熱抵抗４の熱伝導損失が大きくなり流量検出感度が低下することが考えられる。従って、この導電性膜２１は、カバレッジ検査を行った後に、除去してもよい。
また、上述の説明においては、通電を行った後に、保護膜３のカバレッジ検査を行っているが、カバレッジ検査は、通電の後に限らず、電極９ａ〜９ｄが形成された後であれば、いつ行ってもよい。あるいは、個々の流量検出素子に分離された後に行ってもよい。
１ 基板、１ａ 表面、１ｂ 裏面、２ 支持膜、３ 保護膜、４ 発熱抵抗、５ 測温抵抗、６ リードパターン、７ ダミーパターン、８ 電極、９ａ〜９ｄ ダミーパターン電極、１０ キャビティ、１１ ダイヤフラム、１２ 流量検出素子、１３ 熱酸化膜、１４ 電源、１５ ピン、１６ 槽、１７ 水、１８ 導通モニタ、１９ 電極、２０ ダイシングソー、２１ 導電性膜、２２ 異物、２３ 薄膜センサ部。
Claims (7)
- 基板上に形成された絶縁性の支持膜と前記基板を部分的に除去することにより形成されたダイヤフラムとを有する感熱式流量検出素子の製造方法であって、
感熱抵抗膜からなり発熱用抵抗体および測温用抵抗体を有する流量検出用パターンを前記支持膜上に複数個形成する流量検出用パターン形成工程と、
前記感熱抵抗膜からなり複数の前記流量検出用パターンを電気的に接続させるためのダミーパターンを前記支持膜上に形成するダミーパターン形成工程と、
前記流量検出用パターンおよび前記ダミーパターン上に保護膜を形成する工程と、
前記ダミーパターンを用いて複数の前記流量検出用パターンに対し所定の処理を実行する工程と、
複数の前記流量検出用パターンを個々に分離し前記ダミーパターンによる接続から解放する工程と
を備え、
前記所定の処理は、前記保護膜で覆われ前記ダミーパターンにより接続された複数の前記流量検出用パターンを水に浸漬させた状態で通電することによる前記保護膜の検査を含む
ことを特徴とする感熱式流量検出素子の製造方法。 - 請求項１に記載の感熱式流量検出素子の製造方法であって、
前記ダミーパターンを電気的に外部と接続させるためのダミーパターン用電極を形成する工程
をさらに備えることを特徴とする感熱式流量検出素子の製造方法。 - 請求項１又は請求項２に記載の感熱式流量検出素子の製造方法であって、
前記ダミーパターン形成工程において、前記ダミーパターンは、隣接する前記流量検出用パターン同士において前記発熱用抵抗体同士を並列に電気的に接続させるように形成される
ことを特徴とする感熱式流量検出素子の製造方法。 - 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の感熱式流量検出素子の製造方法であって、
前記ダミーパターンの分離端を保護膜で覆う工程
をさらに備えることを特徴とする感熱式流量検出素子の製造方法。 - 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の感熱式流量検出素子の製造方法であって、
前記ダミーパターン形成工程において、前記ダミーパターンは、隣接する前記流量検出用パターン同士において前記測温用抵抗体を電気的に接続させるように形成される
ことを特徴とする感熱式流量検出素子の製造方法。 - 請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の感熱式流量検出素子の製造方法であって、
前記流量検出用パターンおよび前記ダミーパターン上に保護膜を形成し、さらにその上に導電性膜を形成する工程
をさらに備えることを特徴とする感熱式流量検出素子の製造方法。 - 請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の感熱式流量検出素子の製造方法であって、
前記流量検出用パターン形成工程と前記ダミーパターン形成工程とは同一の工程において行われる
ことを特徴とする感熱式流量検出素子の製造方法。
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