JP3106585B2 - 配線形成法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、超ＬＳＩ等の製造に
用いられる配線形成法に関し、特に導電層を含む段差を
有する基板表面において段差の下部に対応して段差の高
さと同程度の凸部を形成して段差の上部と凸部の頂部と
で配線レベルを揃えることにより塗布絶縁膜を含む層間
絶縁膜に設けた接続孔で上下配線間の導通不良が発生す
るのを防止したものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、配線形成法としては、図１５〜１
９に示すものが提案されていた。

【０００３】図１５の工程では、半導体基板１０の表面
にゲート絶縁膜１２を介してゲート電極としてのポリＳ
ｉ等の導電層１４Ａを形成した後、シリコンオキサイド
を堆積してエッチバックするなどの方法で導電層１４Ａ
の両側にサイドスペーサ１６ａ，１６ｂを形成する。ま
た、これと同時に同じプロセスを用いて導電層１４Ｂ及
びそれに関連するゲート絶縁膜及びサイドスペーサを形
成する。

【０００４】図１６の工程では、基板上面に導電層１４
Ａ，１４Ｂを覆ってシリコンオキサイド等の絶縁膜１８
をＣＶＤ（ケミカル・ベーパー・デポジション）法等に
より形成する。そして、図１７の工程では、絶縁膜１８
の上に配線用金属を被着した後その被着層をホトリソグ
ラフィ処理等によりパターニングして配線層２０Ａ〜２
０Ｃを形成する。このとき、配線層２０Ａ，２０Ｂは、
それぞれ導電層１４Ａ，１４Ｂに基づく段差の上部に形
成され、配線層２０Ｃは、導電層１４Ａ及び１４Ｂの間
の凹部に形成される。

【０００５】次に、図１８の工程では、絶縁膜１８の上
に配線層２０Ａ〜２０Ｃを覆ってＣＶＤ法等により絶縁
膜２２を形成する。そして、絶縁膜２２の上には、ＳＯ
Ｇ（スピン・オン・ガラス）又はポリイミド等の流動性
絶縁材を回転塗布するなどして塗布絶縁膜２４を形成す
る。塗布絶縁膜２４は、基板上面の平坦性を向上させる
ために形成されるものである。この後、塗布絶縁膜２４
をエッチバックすることにより配線層２０Ａ，２０Ｂに
対応して絶縁膜２２を部分的に露出させてから、基板上
面にＣＶＤ法等により絶縁膜２６を形成する。絶縁膜２
４をエッチバックするのは、図１９の工程で形成する接
続孔の内壁に吸湿性の絶縁膜２４の一部が露出して導通
不良を招くのを防ぐためである。

【０００６】次に、図１９の工程では、配線層２０Ａ，
２０Ｂ，２０Ｃにそれぞれ対応してホトリソグラフィ処
理等により第１，第２，第３の接続孔を形成する。そし
て、基板上面に配線用金属を被着した後その被着層をパ
ターニングすることにより配線層２８Ａ，２８Ｂを形成
する。配線層２８Ａは、第１の接続孔を介して配線層２
０Ａに接続されるものであり、配線層２８Ｂは、一部が
第２の接続孔を介して配線層２０Ｂに接続され且つ他の
一部が第３の接続孔を配線層２０Ｃに接続されるもので
ある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記した従来の配線形
成法にあっては、絶縁膜２４の一部が配線層２０Ｃ上の
第２の接続孔の内壁に露出して導通不良を招く不都合が
あった。すなわち、絶縁膜２４は、導電層１４Ａ及び１
４Ｂの間の凹部にて配線層２０Ａ，２０Ｂの上方におけ
るよりも厚く形成されるため、エッチバック工程にて配
線層２０Ａ，２０Ｂの上方で絶縁膜２２を露出させるよ
うな条件でエッチングを行なうと、凹部では配線層２０
Ｃの上方で絶縁膜２２の上に絶縁膜２４の一部が残存す
る。そして、図１９に示すように配線層２０Ｃの上に第
２の接続孔を形成すると、この接続孔の内壁に絶縁膜２
４の一部が露出し、大気中の水分を吸収して層間接続部
の導通不良を生じさせる。なお、このような事態を防ぐ
ためにエッチバック量を多くすることも考えられるが、
このようにすると、平坦性が悪化するので好ましくな
い。

【０００８】ところで、図１７の工程では、段差の下部
でレジストパターンが劣化するという問題があった。近
年、露光装置の解像度を向上させるために、レンズのＮ
Ａ（開口数）を大きくしたり、露光波長を短くしたり
（例えば水銀燈のＧ線［４３６ｎｍ］からＩ線［３６５
ｎｍ］へ、さらにＫｒＦエキシマレーザ［２４８ｎｍ］
やＡｒＦエキシマレーザ［１９３ｎｍ］へ移行）してい
る。このため、焦点深度が浅くなり、段差の上部に焦点
を合せると、段差の下部でレジストパターンが劣化し、
配線層２０Ｃ等のパターニング精度が低下する。

【０００９】また、絶縁膜１８に接続孔を形成する場
合、段差の上下でレジスト膜の厚さが異なるため、例え
ば配線層２０Ａの下方と配線層２０Ｃの下方とでは接続
孔の大きさが異なるという問題もあった。

【００１０】上記のような諸問題に対処するには、層間
絶縁膜１８を平坦化すればよいが、ＳＯＧ等を用いるこ
れまでの平坦化法では、流動性の制御が容易でないた
め、十分な平坦性を得るのが容易でなかった。

【００１１】この発明の目的は、上記したような層間接
続部での導通不良の発生を防止することができる新規な
配線形成法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】この発明に係る第１の配
線形成法は、 導電層を含む段差を一方の主面に有する基
板を用意する工程と、前記基板の一方の主面に前記段差
を覆って１又は複数層の絶縁膜を該段差の高さより厚く
形成する工程と、前記絶縁膜の上に前記段差の下部に対
応してエッチングマスクを配置する工程と、前記エッチ
ングマスクを用いて前記絶縁膜を選択的にエッチングす
ることにより前記エッチングマスクの下に前記絶縁膜の
第１の部分を残存させると共に前記段差の上部に前記絶
縁膜の第２の部分をその上面が前記第１の部分の上面と
ほぼ等しいレベルになるように残存させる工程と、前記
エッチングの後、前記エッチングマスクを除去すること
により前記第１の部分を露呈させる工程と、 前記エッチ
ングマスクを除去した後、前記絶縁膜の表面を平坦化す
ることなく前記第１及び第２の部分の上にそれぞれ第１
及び第２の配線層をほぼ等しい厚さで形成する工程と、
前記絶縁膜の上に前記第１及び第２の配線層を覆って下
層絶縁膜を形成する工程と、 前記下層絶縁膜の上に流動
性絶縁材を塗布して前記下層絶縁膜の段差の高さより厚
い塗布絶縁膜を形成する工程と、 前記第１及び第２の配
線層の上方で前記下層絶縁膜の対応部が露呈されるまで
前記塗布絶縁膜をエッチバックして前記塗布絶縁膜を前
記下層絶縁膜の露呈部の間に残存させる工程と、 前記下
層絶縁膜の露呈部及び前記塗布絶縁膜の残存部を覆って
上層絶縁膜を形成する工程と、 前記第１及び第２の配線
層の上方で前記下層絶縁膜と前記上層絶縁膜との積層部
にそれぞれ前記第１及び第２の配線層に対応する第１及
び第２の接続孔を形成する工程と、 前記第１及び第２の
配線層にそれぞれ前記第１及び第２の接続孔を介してつ
ながる第３及び第４の配線層を前記上層絶縁膜の上に形
成する工程とを含むものである。

【００１３】また、この発明に係る第２の配線形成法
は、半導体基板を用意する工程と、前記半導体基板の一
方の主面にゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜に重なる
ゲート電極用の導電層と、この導電層の両側部を覆う絶
縁性のサイドスペーサとを含む段差を形成すると共に、
前記半導体基板の一方の主面に前記段差の下部に対応し
て前記段差の高さとほぼ等しい厚さの下敷層を形成する
工程であって、前記段差の形成処理を流用して前記段差
と同様にゲート絶縁膜と、導電層と、絶縁性のサイドス
ペーサとを含むように前記下敷層を形成するものと、前
記半導体基板の一方の主面に前記段差及び前記下敷層を
覆って絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を形成した
後、前記絶縁膜の表面を平坦化することなく前記下敷層
の上方及び前記段差の上部の上方で前記絶縁膜の上にそ
れぞれ第１及び第２の配線層をほぼ等しい厚さで形成す
る工程と、前記絶縁膜の上に前記第１及び第２の配線層
を覆って下層絶縁膜を形成する工程と、前記下層絶縁膜
の上に流動性絶縁材を塗布して前記下層絶縁膜の段差の
高さより厚い塗布絶縁膜を形成する工程と、前記第１及
び第２の配線層の上方で前記下層絶縁膜の対応部が露呈
されるまで前記塗布絶縁膜をエッチバックして前記塗布
絶縁膜を前記下層絶縁膜の露呈部の間に残存させる工程
と、前記下層絶縁膜の露呈部及び前記塗布絶縁膜の残存
部を覆って上層絶縁膜を形成する工程と、前記第１及び
第２の配線層の上方で前記下層絶縁膜と前記上層絶縁膜
との積層部にそれぞれ前記第１及び第２の配線層に対応
する第１及び第２の接続孔を形成する工程と、前記第１
及び第２の配線層にそれぞれ前記第１及び第２の接続孔
を介してつながる第３及び第４の配線層を前記上層絶縁
膜の上に形成する工程とを含むものである。

【００１４】

【作用】上記した第１の配線形成法によれば、絶縁膜を
選択的にエッチングすることによりエッチングマスクの
下に絶縁膜の第１の部分を残存させると共に段差の上部
に絶縁膜の第２の部分をその上面が第１部分の上面とほ
ぼ等しいレベルになるように残存させた後、エッチング
マスクを除去して第１の部分を露呈させ、第１及び第２
の部分の上にそれぞれ第１及び第２の配線層をほぼ等し
い厚さで形成する。この場合、第１及び第２の配線層を
形成する前に絶縁膜の表面を平坦化しないので、工程が
簡単となる。次に、絶縁膜の上に第１及び第２の配線層
を覆って下層絶縁膜及び塗布絶縁膜を順次に形成し、第
１及び第２の配線層の上方で下層絶縁膜の対応部が露呈
されるまで塗布絶縁膜をエッチバックする。このエッチ
バック処理では、先に絶縁膜の第１及び第２の部分をほ
ぼ等しい上面レベルで残存させ且つ第１及び第２の配線
層をほぼ等しい厚さで形成してあるため、下層絶縁膜に
おいて、第１及び第２の配線層にそれぞれ対応する部分
が均等に露呈される。この後、下層絶縁膜の露呈部及び
塗布絶縁膜の残存部を覆って上層絶縁膜を形成すると、
第１及び第２の配線層の上方で下層絶縁膜と上方絶縁膜
とが積層部を形成する。これらの積層部にそれぞれ第１
及び第２の配線層に対応する第１及び第２の接続孔を形
成すると、いずれの接続孔についても内部に塗布絶縁膜
が露出することがない。従って、第１及び第２の配線層
にそれぞれ第１及び第２の接続孔を介してつながる第３
及び第４の配線層を上層絶縁膜の上に形成する際には、
第１及び第２の接続孔のいずれにおいても導通不良の発
生を防止することができる。また、第３及び第４の配線
層は、平坦な上層絶縁膜の上に形成することができる。

【００１５】また、上記した第２の配線形成法によれ
ば、基板の一方の主面に段差の下部に対応して段差の高
さとほぼ等しい厚さの下敷層を形成した後、段差及び下
敷層を覆って絶縁膜を形成し、下敷層の上方及び段差の
上部の上方で絶縁膜の上にそれぞれ第１及び第２の配線
層を等しい厚さで形成する。この場合、第１及び第２の
配線層を形成する前に絶縁膜の表面を平坦化しないの
で、工程が簡単となる。この後、第１の配線形成法に関
して前述したと同様にして下層絶縁膜、塗布絶縁膜、上
層絶縁膜、第１，第２の接続孔及び第３，第４の配線層
を形成するので、前述したと同様にして第１及び第２の
接続孔における導通不良の発生を防止することができる
と共に第３及び第４の配線層を平坦な上層絶縁膜の上に
形成することができる。また、段差及び下敷層は、いず
れも絶縁性のサイドスペーサを有しているため、接近し
た配置にしても、電気的短絡を生ずるおそれがない。そ
の上、下敷層では、サイドスペーサにより導電層の肩部
で角が緩和されるため、下敷層を覆う絶縁膜の被覆性が
改善される。さらに、下敷層は、ゲート絶縁膜、ゲート
電極用導電層及び絶縁性のサイドスペーサを含む段差を
形成する処理を流用して形成するので、追加工程なしに
簡単に形成することができる。

【００１６】

【実施例】図１〜５は、この発明を多層配線形成工程に
適用した第１の実施例を示すもので、図１５〜１９と同
様の部分には同様の符号を付して詳細な説明を省略す
る。

【００１７】図１の工程では、半導体基板１０の表面に
ゲート絶縁膜１２、導電層１４Ａ，１４Ｂ、サイドスペ
ーサ１６ａ，１６ｂ等を形成した後、これらのものを覆
って絶縁膜１８を形成する。そして、絶縁膜１８の上に
は、ＣＶＤ法等により膜１８よりエッチレートの速い絶
縁膜３０を形成する。この後、導電層１４Ａ及び１４Ｂ
の間の凹部にエッチングマスクとしてのホトレジスト層
３２を形成する。

【００１８】ホトレジスト層３２は、基板上の一部の凹
部（その上方で接続孔が形成される凹部）に対応して形
成してもよいし、あるいは全部の凹部に対応して形成し
てもよい。全部の凹部に対応してホトレジスト層３２を
形成する場合、凹部パターン用マスクとネガレジスト、
凹部パターン用マスクとイメージリバーサル法、凹部パ
ターンの反転マスク（ポジ部とネガ部が逆のもの）とポ
ジレジストのいずれかの組合せを用いることができる。

【００１９】次に、図２の工程では、ホトレジスト層３
２をマスクとして絶縁膜３０を選択的にエッチングする
ことにより絶縁膜３０の残存部からなる凸部３０Ａを形
成する。そして、ホトレジスト層３２を除去する。この
ときのエッチングは、ウェットエッチング又はドライエ
ッチングのいずれでもよいが、異方性エッチングよりも
等方性エッチングの方が望ましい。また、絶縁膜１８に
比べて絶縁膜３０のエッチレートが速いほどエッチング
の終点がとり易い。一例として、絶縁膜１８を導電層１
４Ａ等の積層物に基づく段差の高さより厚く形成すると
共に絶縁膜３０を該段差の高さと同程度の厚さに形成し
た後、図２に示すように絶縁膜３０を選択的にエッチン
グすれば、凸部３０Ａの上面と絶縁膜１８の凸部の上面
とをほぼ等しいレベルにすることができる。

【００２０】次に、図３の工程では、絶縁膜１８におい
て導電層１４Ａ，１４Ｂの上方の部分と、凸部３０Ａと
に配線層２０Ａ〜２０Ｃを形成する。そして、図４の工
程では、絶縁膜２２を形成した後、ＳＯＧ又はポリイミ
ド等の塗布絶縁膜２４を形成する。この後、絶縁膜２４
をエッチバックして絶縁膜２２を配線層２０Ａ〜２０Ｃ
の上方で部分的に露出させてから、基板上面に絶縁膜２
６を形成する。

【００２１】この後、図５の工程では、配線層２０Ａ，
２０Ｂ，２０Ｃにそれぞれ対応して第１，第２，第３の
接続孔を形成した後、第１の接続孔を介して配線層２０
Ａにつながる配線層２８Ａと、第２及び第３の接続孔を
介してそれぞれ配線層２０Ｂ及び２０Ｃにつながる配線
層２８Ｂとを形成する。

【００２２】上記した製法によれば、図４の工程で絶縁
膜２４をエッチバックした際、絶縁膜２２において配線
層２０Ｃの上方の部分には絶縁膜２４の一部が残存しな
い。従って、図５に示すように、配線層２０Ｃの上の第
２の接続孔内には、絶縁膜２４と非接触で高信頼の層間
接続部が形成される。

【００２３】図６〜８は、この発明の第２の実施例を示
すもので、図１〜３と同様の部分には同様の符号を付し
てある。

【００２４】図６の工程では、基板１０の上面に導電層
１４Ａ，１４Ｂ等を覆って絶縁膜４０を形成する。絶縁
膜４０は、導電層１４Ａ等の積層物に基づく段差の高さ
より厚い単一層（例えばシリコンオキサイドの単一層）
の被膜として形成する。そして、絶縁膜４０の上には、
導電層１４Ａ及び１４Ｂの間の凹部に対応してホトレジ
スト層３２を形成する。

【００２５】次に、図７の工程では、ホトレジスト層３
２をマスクとして絶縁膜４０を選択的にエッチングする
ことにより凸部４０Ａを形成する。この場合、エッチン
グは、絶縁膜４０が導電層１４Ａ（又は１４Ｂ）の上方
で凸部４０Ａの上面とほぼ等しいレベルに達した時点で
停止する。この後、ホトレジスト層３２を除去する。

【００２６】次に、図８の工程では、絶縁膜４０におい
て導電層１４Ａ，１４Ｂの上方の部分と、凸部４０Ａと
に配線層２０Ａ〜２０Ｃを形成する。この後は、図４〜
５の工程に移ることができる。

【００２７】図９〜１１は、比較例を示すもので、図１
〜３と同様の部分には同様の符号を付してある。

【００２８】図９の工程では、基板１０の表面に導電層
１４Ａ，１４Ｂ等を覆って絶縁膜５０を形成する。絶縁
膜５０は、導電層１４Ａ等の積層物に基づく段差の高さ
とほぼ等しい厚さの１又は複数層の被膜として形成す
る。そして、絶縁膜５０の上には、導電層１４Ａ及び１
４Ｂの間の凹部（その上方で接続孔が形成される凹部）
に対応してホトレジスト層３２を形成する。この後、ホ
トレジスト層３２をマスクとして絶縁膜５０を選択的に
エッチングすることにより絶縁膜５０の残存部からなる
下敷層５０Ａを形成し、しかる後ホトレジスト層３２を
除去する。

【００２９】次に、図１０の工程では、基板上面に導電
層１４Ａ，１４Ｂ、下敷層５０Ａ等を覆って絶縁膜１８
を形成する。段差の高さとほぼ等しい厚さの下敷層５０
Ａを設けたので、絶縁膜１８の凸部１８Ａの上面は、導
電層１４Ａ，１４Ｂの上方の部分とほぼ等しいレベルに
なる。

【００３０】次に、図１１の工程では、絶縁膜１８にお
いて導電層１４Ａ，１４Ｂの上方の部分と、凸部１８Ａ
とに配線層２０Ａ〜２０Ｃを形成する。この後は、図４
〜５の工程に移ることができる。

【００３１】図１２〜１４は、この発明の第３の実施例
を示すもので、図１〜３と同様の部分には同様の符号を
付してある。

【００３２】図１２の工程では、基板１０の表面に導電
層１４Ａ及び１４Ｂの間の凹部（その上方で接続孔が形
成される凹部）に対応して下敷層６０Ａを形成する。下
敷層６０Ａは、ゲート絶縁膜１２、導電層１４Ａ、サイ
ドスペーサ１６ａ，１６ｂの形成処理をそれぞれ流用し
て形成された絶縁膜１２Ａ、導電層１４Ｃ、サイドスペ
ーサ１６Ａ，１６Ｂからなるもので、導電層１４Ａ等の
積層物に基づく段差の高さとほぼ等しい厚さを有する。

【００３３】次に、図１３の工程では、基板上面に導電
層１４Ａ，１４Ｂ、下敷層６０Ａ等を覆って絶縁膜１８
を形成する。段差の高さとほぼ等しい厚さの下敷層６０
Ａを設けたので、絶縁膜１８の凸部１８Ａの上面は、導
電層１４Ａ，１４Ｂの上方の部分とほぼ等しいレベルに
なる。

【００３４】次に、図１４の工程では、絶縁膜１８にお
いて導電層１４Ａ，１４Ｂの上方の部分と、凸部１８Ａ
とに配線層２０Ａ〜２０Ｃを形成する。この後は、図４
〜５の工程に移ることができる。図９〜１１で述べた比
較例と図１２〜１４で述べた第３の実施例とを対比する
と、第３の実施例に係る下敷層６０Ａは、（イ）ゲート
絶縁膜１２、導電層１４Ａ及びサイドスペーサ１６ａ，
１６ｂを形成する処理を流用して形成されるので、比較
例に係る下敷層５０Ａのように絶縁膜５０を追加形成す
る必要がなく、工程が簡単になること、（ロ）導電層１
４Ｃの肩部でサイドスペーサ１６Ａ，１６Ｂにより角が
緩和されるので、絶縁膜１８の被覆性が改善されること
などの利点がある。

【００３５】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、導電
層を含む段差を有する基板表面において段差の下部に対
応して段差の高さと同程度の凸部を形成して段差の上部
と凸部の頂部とで配線レベルを揃えるようにしたので、
塗布絶縁膜を含む層間絶縁膜に設けた接続孔で上下配線
間の導通不良が発生するのを防止することができ、高信
頼の多層配線を実現できる効果が得られる。また、配線
レベルを揃えたことで接続孔や配線の加工精度が向上す
る効果も得られる。その上、凸部の頂部及び段差の上部
にそれぞれ対応して第１及び第２の配線層を形成する前
に絶縁膜の表面を平坦化せず、第１及び第２の配線層を
形成した後で塗布絶縁膜を含む層間絶縁膜を用いて平坦
化を行なうようにしたので、工程の簡略化が可能となる
効果も得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の第１の実施例を示す基板断面図で
ある。

【図２】 この発明の第１の実施例を示す基板断面図で
ある。

【図３】 この発明の第１の実施例を示す基板断面図で
ある。

【図４】 この発明の第１の実施例を示す基板断面図で
ある。

【図５】 この発明の第１の実施例を示す基板断面図で
ある。

【図６】 この 発明の第２の実施例を示す基板断面図で
ある。

【図７】 この発明の第２の実施例を示す基板断面図で
ある。

【図８】 この発明の第２の実施例を示す基板断面図で
ある。

【図９】 比較例 を示す基板断面図である。

【図１０】 比較例を示す基板断面図である。

【図１１】 比較例を示す基板断面図である。

【図１２】 この発明の第３ の実施例を示す基板断面図
である。

【図１３】 この発明の第３の実施例を示す基板断面図
である。

【図１４】 この発明の第３の実施例を示す基板断面図
である。

【図１５】 従来 の配線形成法を示す基板断面図であ
る。

【図１６】 従来の配線形成法を示す基板断面図であ
る。

【図１７】 従来の配線形成法を示す基板断面図であ
る。

【図１８】 従来の配線形成法を示す基板断面図であ
る。

【図１９】 従来の配線形成法を示す基板断面図であ
る。

【符号の説明】

１０：半導体基板、１４Ａ〜１４Ｃ：導電層、１８，２
２，２４，２６，３０，４０，５０：絶縁膜、１８Ａ，
３０Ａ，４０Ａ：凸部、２０Ａ〜２０Ｃ，２８Ａ，２８
Ｂ：配線層、５０Ａ，６０Ａ：下敷層。

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（ａ）導電層を含む段差を一方の主面に有
   する基板を用意する工程と、 （ｂ）前記基板の一方の主面に前記段差を覆って１又は
   複数層の絶縁膜を該段差の高さより厚く形成する工程
   と、 （ｃ）前記絶縁膜の上に前記段差の下部に対応してエッ
   チングマスクを配置する工程と、 （ｄ）前記エッチングマスクを用いて前記絶縁膜を選択
   的にエッチングすることにより前記エッチングマスクの
   下に前記絶縁膜の第１の部分を残存させると共に前記段
   差の上部に前記絶縁膜の第２の部分をその上面が前記第
   １の部分の上面とほぼ等しいレベルになるように残存さ
   せる工程と、 （ｅ）前記エッチングの後、前記エッチングマスクを除
   去することにより前記第１の部分を露呈させる工程と、 （ｆ）前記エッチングマスクを除去した後、前記絶縁膜
   の表面を平坦化することなく前記第１及び第２の部分の
   上にそれぞれ第１及び第２の配線層をほぼ等しい厚さで
   形成する工程と、 （ｇ）前記絶縁膜の上に前記第１及び第２の配線層を覆
   って下層絶縁膜を形成する工程と、 （ｈ）前記下層絶縁膜の上に流動性絶縁材を塗布して前
   記下層絶縁膜の段差の高さより厚い塗布絶縁膜を形成す
   る工程と、 （ｉ）前記第１及び第２の配線層の上方で前記下層絶縁
   膜の対応部が露呈されるまで前記塗布絶縁膜をエッチバ
   ックして前記塗布絶縁膜を前記下層絶縁膜の露呈部の間
   に残存させる工程と、 （ｊ）前記下層絶縁膜の露呈部及び前記塗布絶縁膜の残
   存部を覆って上層絶縁膜を形成する工程と、 （ｋ）前記第１及び第２の配線層の上方で前記下層絶縁
   膜と前記上層絶縁膜との積層部にそれぞれ前記第１及び
   第２の配線層に対応する第１及び第２の接続孔を形成す
   る工程と、 （ｌ）前記第１及び第２の配線層にそれぞれ前記第１及
   び第２の接続孔を介し てつながる第３及び第４の配線層
   を前記上層絶縁膜の上に形成する工程とを含む配線形成
   法。
2. 【請求項２】（ａ）半導体基板を用意する工程と、 （ｂ）前記半導体基板の一方の主面にゲート絶縁膜と、
   このゲート絶縁膜に重なるゲート電極用の導電層と、こ
   の導電層の両側部を覆う絶縁性のサイドスペーサとを含
   む段差を形成すると共に、前記半導体基板の一方の主面
   に前記段差の下部に対応して前記段差の高さとほぼ等し
   い厚さの下敷層を形成する工程であって、前記段差の形
   成処理を流用して前記段差と同様にゲート絶縁膜と、導
   電層と、絶縁性のサイドスペーサとを含むように前記下
   敷層を形成するものと、 （ｃ）前記半導体基板の一方の主面に前記段差及び前記
   下敷層を覆って絶縁膜を形成する工程と、 （ｄ）前記絶縁膜を形成した後、前記絶縁膜の表面を平
   坦化することなく前記下敷層の上方及び前記段差の上部
   の上方で前記絶縁膜の上にそれぞれ第１及び第２の配線
   層をほぼ等しい厚さで形成する工程と、 （ｅ）前記絶縁膜の上に前記第１及び第２の配線層を覆
   って下層絶縁膜を形成する工程と、 （ｆ）前記下層絶縁膜の上に流動性絶縁材を塗布して前
   記下層絶縁膜の段差の高さより厚い塗布絶縁膜を形成す
   る工程と、 （ｇ）前記第１及び第２の配線層の上方で前記下層絶縁
   膜の対応部が露呈されるまで前記塗布絶縁膜をエッチバ
   ックして前記塗布絶縁膜を前記下層絶縁膜の露呈部の間
   に残存させる工程と、 （ｈ）前記下層絶縁膜の露呈部及び前記塗布絶縁膜の残
   存部を覆って上層絶縁膜を形成する工程と、 （ｉ）前記第１及び第２の配線層の上方で前記下層絶縁
   膜と前記上層絶縁膜との積層部にそれぞれ前記第１及び
   第２の配線層に対応する第１及び第２の接続孔を形成す
   る工程と、 （ｊ）前記第１及び第２の配線層にそれぞれ前記第１及
   び第２の接続孔を介してつながる第３及び第４の配線層
   を前記上層絶縁膜の上に形成する工程とを含む配線形成
   法。