JP3093739B2 - 液晶表示装置及びその製造方法並びに不良検査方法 - Google Patents

液晶表示装置及びその製造方法並びに不良検査方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置及びそ
の製造方法並びに不良検査方法に関し、特にショートバ
ーを二つ以上有する液晶表示装置及びその製造方法並び
にこのショートバー構造を利用した画素不良検査方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置において、ショートバーは
液晶表示装置の製造工程過程で発生する静電気を放電さ
せる役割を果し、工程が完了した以降には薄膜トランジ
スタのアレイ検査を行うために利用されることもある。
【0003】以下、従来の技術による液晶表示装置につ
いて添付した図面を参照して詳細に説明する。図1は従
来の技術によるショートバーを有する液晶表示装置用薄
膜トランジスタ基板を示した概略図であり、図2は図1
のA部分の拡大図であり、図3は図2のIII−III′線に
よる断面図である。
【0004】図1乃至図3に示したように、基板1上に
横方向にゲート線G1、G2、G3、…が形成されてい
る。それぞれのゲート線G1、G2、G3、…の端部に
は、ゲートパッド10が形成されている。ゲートパッド
10の外側では、ゲートショートバー20がゲート線G
1、G2、G3、…を一つに結んでいる。また、ゲート
ショートバー20の両端には検査用パッド2が形成され
ている。
【0005】ゲート線G1、G2、G3、…、ゲートパ
ッド10及びゲートショートバー20を含むゲート配線
5(図3)はゲート絶縁膜15で覆われている。その上
には縦方向にデータ線D1、D2、D3、D4、…が形
成されており、それぞれのデータ線D1、D2、D3、
D4、…の端部にはデータパッド30が形成されてい
る。データパッド30の外側では、データショートバー
40がデータ線D1、D2、D3、D4、…を一つに結
んでおり、データショートバー40の両端には検査用パ
ッド3が形成されている。ここでゲートショートバー2
0とデータショートバー40とは、ゲート絶縁膜15に
形成されている開口部を通じて互いに連結されているこ
とも可能である。
【0006】データ線D1、D2、D3、D4、…、デ
ータパッド30及びデータショートバー40を含むデー
タ配線は、絶縁膜25で覆われている。データパッド3
0及びゲートパッド10付近の絶縁膜15、25は除去
されている。
【0007】液晶表示装置の画面表示領域内にはデータ
線D1、D2、D3、D4、…とゲート線G1、G2、
G3、…とで取囲まれた画素領域PXが形成され、それ
ぞれの画素領域PXには薄膜トランジスタTFTが一つ
ずつ形成されていて、ゲート線G1、G2、G3、…か
らの走査信号を受けてデータ線D1、D2、D3、D
4、…からの画像信号をスイッチングする役割を果す。
【0008】このような構造の液晶表示装置において
は、製造工程中に基板内に生じる静電気はゲートショー
トバー20及びデータショートバー40を通じて放電ま
たは分散される。
【0009】一方、このような液晶表示装置の製造工程
が完了した以降に基板内の欠陥を検出するためのアレイ
検査を実施する。その後、ゲートショートバー20及び
データショートバー40を切断線Lを基準として切断し
て除去する。
【0010】以下、図1及び図4を参照して従来の技術
によるアレイ検査の原理について説明する。図4は各画
素に印加されたアレイ検査信号の極性を示した図面であ
る。
【0011】図1に示したように、ショートバー20、
40の検査用パッド2、3にアレイ検査のための電圧を
印加する。この時、ゲート線G1、G2、G3、….及
びデータ線D1、D2、D3、D4、….はそれぞれ一
つのショートバー20、40に連結されているため、画
素領域PX内の薄膜トランジスタTFTが同時にそれぞ
れオンの状態となりつつ、図4に示したように同一の大
きさ及び同一の極性のデータ電圧が各R、G、B画素に
印加される。これにより、現在、主に用いられているノ
ーマリホワイト方式においては、データ線D1、D2、
D3、D4に印加された電圧によって画素領域PXが暗
く現われる。
【0012】一方、ゲート線G1、G2、G3、….ま
たはデータ線D1、D2、D3、D4、….に断線不良
があるか又は画素内の薄膜トランジスタに不良のある画
素領域PXは明るく現れるので、画素領域PXの不良を
検出することができる。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図1で
のように、二つ以上のゲート線または二つ以上のデータ
線D2、D3が互いに短絡S1する場合にはこれを検出
することができない。これは二つのデータ線D2、D3
に同一の極性及び大きさの電圧が印加されるからであ
る。
【0014】このような短所を補完するために、ショー
トバー40を二つ以上に分けると検出力は増加するが、
工程進行中に静電気による基板の損傷をもたらすことが
ある。
【0015】本発明の目的は、ショート不良の検出が容
易で、静電気に対しても脆弱でないショートバーを有す
る薄膜トランジスタ基板を具現することにある。また、
本発明の他の目的は、隣接したデータ線またはゲート線
間の短絡及び画素欠陥などを容易に検出する検査方法を
提供することにある。
【0016】さらに、本発明の他の目的は、高精密化さ
れた基板における不良を容易に検出することができる検
査方法を提供することにある。
【0017】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本願第1発明は、透明な絶縁基板と、前記基板上に
横方向に形成されている複数のゲート線と、前記基板上
に互いに平行するように横方向に形成されている少なく
とも二つの補助ショートバーと、前記ゲート線及び前記
補助ショートバーを覆っていて前記補助ショートバーを
露出する第1開口部を有しているゲート絶縁膜と、前記
ゲート線と交差するように前記ゲート絶縁膜上に縦方向
に形成されている複数のデータ線と、前記データ線を覆
っていて、前記第1開口部を通じて前記補助ショートバ
ーを露出する第2開口部とそれぞれの前記データ線を露
出する第3開口部とを有する保護膜と、前記保護膜上に
形成され、前記第1及び第2開口部と前記第3開口部と
を通じて前記データ線と前記補助ショートバーとを前記
補助ショートバーの数を単位としてそれぞれ連結する第
1連結パターンと、を含む液晶表示基板を提供する。
【0018】本願第2発明は、前記第1発明において、
前記基板上に形成され、複数の前記データ線を共通に連
結するデータショートバーをさらに含む液晶表示基板を
提供する。
【0019】本願第3発明は、前記第2発明において、
前記ゲート絶縁膜上に形成され、複数の前記ゲート線を
共通に連結するゲートショートバーをさらに含む液晶表
示基板を提供する。
【0020】本願第4発明は、前記第3発明において、
前記データショートバーは、前記ゲートショートバーと
電気的に連結されている液晶表示基板を提供する。本願
第5発明は、前記第1発明において、前記ゲート絶縁膜
上部に互いに平行するように縦方向に形成されている少
なくとも二つの補助ゲートショートバーをさらに含み、
前記ゲート絶縁膜及び前記保護膜は、共通に前記ゲート
線をそれぞれ露出する第4開口部を有し、前記保護膜
は、前記補助ゲートショートバーを露出する第5開口部
を有し、前記保護膜上部に形成され、前記ゲート線と前
記補助ゲートショートバーとを、前記補助ゲートショー
トバーの数を単位としてそれぞれ連結する第2連結パタ
ーンをさらに含む液晶表示基板を提供する。
【0021】本願第6発明は、 A;ゲート線と、データ線をテストするための第1、第
2、第3補助ショートバーとを、基板上に形成する段階
と、 B;ゲート絶縁膜を形成する段階と、 C;前記ゲート絶縁膜上に金属層を積層する段階と、 D;前記金属層をパターニングしてデータ線を形成する
段階と、 E;保護膜を積層する段階と、 F;前記保護膜及び前記ゲート絶縁膜をエッチングし、
前記データ線を露出する第1開口部を保護膜に形成し、
前記第1、第2及び第3補助ショートバーを露出する第
2、第3及び第4開口部を、保護膜及びゲート絶縁膜に
形成する段階と、 G;画素電極用導電層を蒸着する段階と、 H;前記画素電極用導電層をパターニングし、前記第1
開口部を通じて前記データ線に連結され、かつ前記第2
乃至第4開口部を通じて前記第1乃至第3ショートバー
にそれぞれ連結される連結パターン及び画素電極を形成
する段階と、を含む液晶表示基板の製造方法を提供す
る。
【0022】このような液晶表示基板の製造方法におい
ては、ゲート補助ショートバーまたはデータ補助ショー
トバーをそれぞれ二つ以上形成し、工程が完了した以降
にゲートショートバー及びデータショートバーから分離
することにより、静電気に対して脆弱でないばかりか、
基板内のショート不良検出も容易である。
【0023】本願第7発明は、前記第6発明において、
前記金属層をパターニングし、前記データ線と連結され
る静電気防止用データショートバーを形成する段階をさ
らに含む液晶表示基板の製造方法を提供する。
【0024】本願第8発明は、前記第7発明において、
前記連結パターンを形成する段階後、前記静電気防止用
データショートバーを前記データ線から分離する段階を
さらに含む液晶表示基板の製造方法を提供する。
【0025】本願第9発明は、前記第6発明において、
前記画素電極用導電層を透明導電物質で形成する液晶表
示基板の製造方法を提供する。本願第10発明は、 A;基板上に複数のゲート線と、データ線と、前記ゲー
ト線及びデータ線と連結されている静電気防止用主ショ
ートバーと、前記ゲート線とそれぞれ交互に連結されて
いるゲートテスト用第1及び第2補助ショートバーと、
前記データ線とそれぞれ交互に連結されているデータテ
スト用第3及び第4補助ショートバーとを含む配線を形
成する段階と、 B;前記主ショートバーを、前記ゲート及びデータ線か
ら分離する段階と、 C;前記第1及び第2補助ショートバーと前記第3及び
第4補助ショートバーとに電圧を印加し、前記データ線
と前記ゲート線との不良を検出する段階と、を含む液晶
表示基板の検査方法を提供する。
【0026】本願第11発明は、前記第10発明におい
て、前記第1補助ショートバーと前記第2補助ショート
バーとにはそれぞれ異なる電圧を印加する液晶表示基板
の検査方法を提供する。
【0027】本願第12発明は、前記第10発明におい
て、前記第3補助ショートバーと前記第4補助ショート
バーとにそれぞれ異なる電圧を印加する液晶表示基板の
検査方法を提供する。
【0028】本願第13発明は、前記第10発明におい
て、前記不良検出段階後、前記第1、第2、第3及び第
4補助ショートバーを除去する段階をさらに含む液晶表
示基板の検査方法を提供する。
【0029】本願第14発明は、マトリックス形態に形
成されている複数の画素と、それぞれ偶数番目及び奇数
番目に分けられて前記画素行に連結されている少なくと
も第1及び第2ゲート線群を含むゲート線と、互いに異
なる前記画素列にそれぞれ分けられて連結されている少
なくとも第1乃至第3データ線群を含む複数のデータ線
とを有する液晶表示基板において、 A;前記第1ゲート線群に第1パルスを印加する段階
と、 B;前記第1パルスと異なる時点で、前記第2ゲート線
群に第2パルスを印加する段階と、 C;前記第1パルスを印加する段階において、連続的に
配列された三つの前記データ線のうちの互いに隣接した
第1及び第2データ線に同一極性の第1及び第2信号を
印加し、前記三つのデータ線のうちの前記第1及び第2
データ線を除いた残りの第3データ線に前記第1及び第
2信号とは極性が異なる第3信号を印加する第1段階
と、 D;前記第2パルスを印加する段階において、前記第2
及び第3データ線に前記第1及び第2信号を印加し、前
記第1データ線には前記第3信号を印加する第2段階
と、を含む液晶表示装置の検査方法を提供する。
【0030】本願第15発明は、前記第14発明におい
て、前記第1パルスと前記第2パルスとは周期的に印加
され、半周期の時間差を有して印加される液晶表示装置
の検査方法を提供する。
【0031】本願第16発明は、前記第14発明におい
て、 E;前記第1ゲート線群に第3パルスを印加する段階
と、 F;前記第3パルスと異なる時点で、前記第2ゲート線
群に第4パルスを印加する段階と、 G;前記第3パルスを印加する段階において、前記第2
及び第3データ線に前記第1及び第2信号を印加し、前
記第1データ線には前記第3信号を印加する第3段階
と、 H;前記第4パルスを印加する段階において、前記第1
及び第3データ線に前記第1及び第2信号を印加し、前
記第2データ線には前記第3信号を印加する第4段階
と、をさらに含む液晶表示装置の検査方法を提供する。
【0032】本願第17発明は、前記第16発明におい
て、前記第3パルスと前記第4パルスとは周期的に印加
され、半周期の時間差を有して印加される液晶表示装置
の検査方法を提供する。
【0033】本願第18発明は、マトリックス形態に形
成されている複数の画素と、それぞれ偶数番目及び奇数
番目に分けられて前記画素行に連結されている少なくと
も第1及び第2ゲート線群を含むゲート線と、互いに異
なる前記画素列にそれぞれ分けられて連結されている少
なくとも第1乃至第2データ線群を含む複数のデータ線
を有する液晶表示基板において、 A;前記第1ゲート線群に第1パルスを印加する段階
と、 B;前記第2ゲート線群に前記第1パルスとは異なる時
点で第2パルスを印加する段階と、 C;前記第1パルスを印加する段階において、連続的に
配列された三つの前記データ線のうち互いに隣接した第
1及び第2データ線に第1極性を有し、第1反転周期で
反転する第1信号を印加し、前記三つのデータ線のうち
前記第1及び第2データ線を除いた残りの第3データ線
に前記第1反転周期で反転して前記第1信号とは極性が
反対である第2信号を印加する第1段階と、 D;前記第2パルスを印加する段階において、前記第1
及び第2データ線に前記第2信号を印加し、前記第3デ
ータ線に前記第1信号を印加する第2段階と、を含む液
晶表示装置の検査方法を提供する。
【0034】本願第19発明は、前記第18発明におい
て、 E;前記第1ゲート線群に第3パルスを印加する段階
と、 F;前記第3パルスとは異なる時点で、前記第2ゲート
線群に第4パルスを印加する段階と、 G;前記第3パルスを印加する段階において、前記第1
及び第3データ線に前記第1信号を印加し、前記第2デ
ータ線に前記第2信号を印加する段階と、 H;前記第4パルスを印加する段階において、前記第2
データ線に前記第1信号を印加して前記第1及び第3デ
ータ線に前記第2信号を印加する段階と、をさらに含む
液晶表示装置の検査方法を提供する。
【0035】本願第20発明は、前記第19発明におい
て、前記第1パルスと前記第2パルスまたは前記第3パ
ルスと前記第4パルスとは互いに半周期の時間差を有し
て印加される液晶表示装置の検査方法を提供する。
【0036】本願第21発明は、前記第19発明におい
て、前記第1乃至第4パルスが印加される時点は前記第
1及び第2信号が反転する時点である液晶表示装置の検
査方法を提供する。
【0037】例えば、二つのテスト用補助線と三つのテ
スト用補助線とを利用して隣接した二つのゲート線にそ
れぞれパルス信号を印加し、隣接した三つのデータ線の
うち、二つのデータ線には同一極性の信号を印加する。
残りの一つのデータ線には二つのデータ線に印加された
信号の極性と反対極性の信号を印加する。次に、前述と
は異なる組合せで選択された二つのデータ線に同一極性
の信号を印加し、残りの一つのデータ線にはこの信号と
は反対極性の信号を印加する。
【0038】検査の信頼性を向上させるために、各デー
タ線に印加された信号が隣接したデータ線に転移される
形態で信号の極性及び極性反転時期を転換させた他の検
査モードを適用することも可能である。
【0039】このような本発明による液晶表示装置の検
査方法においては、隣接した画素または隣接した配線間
の短絡を検出することができ、表示欠陥の検出力及び信
頼性が向上する。
【0040】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について図
面に基づいて詳細に説明する。最初に、図5を参照して
本発明の実施例による液晶表示基板及びその製造方法に
ついて概括的に説明する。
【0041】図5は本発明の実施例によるショートバー
を有する液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板内の配線
を示した概略図であって、静電気防止配線及び基板不良
検査のための配線が除去されていない状態の液晶表示装
置の配線を示している。
【0042】横方向にゲート線G1、G2、G3、G4
…がアルミニウムのような物質で形成されており、ゲー
ト線G1、G2、G3、G4…の端部にはそれぞれゲー
トパッド110、120、130、140…が形成され
ている。また、ゲート線G1、G2、G3、G4…と絶
縁膜(図示しない)とを間においたデータ線D1、D
2、D3、D4…がクロム、モリブデンのような物質で
縦方向に形成されており、データ線D1、D2、D3、
D4…の一側端部にはデータパッド510、520、5
30、540…が形成されている。
【0043】ゲートパッド110、120、130、1
40…とデータパッド510、520、530、540
…との内側の画面表示領域A内には、データ線D1、D
2、D3、D4…とゲート線G1、G2、G3、G4…
とが交差して形成される画素領域PXが形成されてい
る。それぞれの画素領域PXには薄膜トランジスタTF
Tが形成されている。TFTは、ゲート線G1、G2、
G3、G4…から走査信号を受けてデータ線D1、D
2、D3、D4…からの画像信号をスイッチングする役
割を果す。
【0044】このような配線形成過程において発生する
静電気は、画素領域PX内の薄膜トランジスタTFTま
たは配線G1、G2…;D1、D2…)を不良化する
が、これを防止するためのゲート及びデータショートバ
ー200、400パターンが次のとおり形成されてい
る。
【0045】ゲートパッド110、120、130、1
40…の外側にゲート線と同一の金属で形成されている
縦方向のゲートショートバー200は、ゲートパッド1
10、120、130、140…から横方向に延長され
たゲート延長部101、102、103、104…と連
結されている。データパッド510、520、530、
540…の外側にはデータ線と同一の金属でデータショ
ートバー400が横方向に形成されており、データパッ
ド510、520、530、540…から縦方向に延長
されたデータ延長部501、502、503、504…
と連結されている。このゲートショートバー200とデ
ータショートバー400とはこれらの間の絶縁膜に開い
た接触孔を通じて互いに連結されている。
【0046】このような構造のショートバー200、4
00によって基板内に発生する静電気が分散、放電さ
れ、基板のすべての配線工程が完了した以降には切断線
L1に沿って基板を切断することにより、ゲート及びデ
ータショートバー200、400を除去する。
【0047】その後、基板の画素表示領域内のアレイ検
査を実施する。この時、ゲート及びデータショートバー
200、400内側に形成されている補助ショートバー
410、420;210、220、230を利用して検
査を行う。これらの補助ショートバー410、420;
210、220、230の構造は次のとおりである。
【0048】第1及び第2補助ショートバー410、4
20がゲートショートバー200とゲートパッド11
0、120、130、140…との間にデータ線と同一
の金属でゲートショートバー200と平行に形成されて
おり、データショートバー400とデータパッド51
0、520、530、540…との間には第3乃至第5
補助ショートバー210、220、230がゲート線と
同一の金属でデータショートバー400に平行に形成さ
れている。この時、第1及び第2補助ショートバー41
0、420にはそれぞれ奇数番目ゲート線G1、G3…
及び偶数番目ゲート線G2、G4…が連結されており、
第3乃至第5補助ショートバー210、220、230
にはそれぞれ(3n−2)番目データ線D1、D4…、
(3n−1)番目データ線D2…及び3n番目データ線
D3…が連結されている。
【0049】従って、奇数番目ゲート線G1、G3…が
連結されている第1補助ショートバー410と偶数番目
ゲート線G2、G4…が連結されている第2補助ショー
トバー420とにそれぞれ異なる信号を印加し、データ
線D1、D2、D3、D4…に対しては第3、第4、第
5補助ショートバー210、220、230を利用して
三つのグループに分けてそれぞれR、G、B信号を印加
して基板内の不良を検査することができる。
【0050】以下、図6乃至図10を参照してゲートシ
ョートバー200と第1及び第2補助ショートバー41
0、420、データショートバー400と第3、第4、
第5補助ショートバー210、220、230の具体的
な構造についてより詳しく説明する。
【0051】図6及び図7は図5の鎖線で囲まれたB部
分、すなわちゲートショートバー部分の第1及び第2実
施例による拡大図である。図8は図7のVIII−VIII′線
による断面図であって、特にゲートショートバーと補助
ショートバーとの間の連結構造を示した図である。
【0052】基板1上に形成されているゲートパッド1
10、120、130…から基板1上に縦方向に形成さ
れているゲートショートバー200までゲート延長部1
01、102、103…が延長されている。ゲート延長
部の上にはゲート絶縁膜150が形成されている。ゲー
ト絶縁膜150上には、第1及び第2補助ショートバー
410、420が、ゲートショートバー200と平行
に、かつゲートパッド110、120、130…とゲー
トショートバー200との間に形成されている。補助シ
ョートバーの上には保護膜250が形成されている。
【0053】ゲート延長部101、102、103…が
第1補助ショートバー410または第2補助ショートバ
ー420と重なる部分の上部には画素電極(図示しな
い)と同一の物質で形成された連結パターン310、3
20が形成されている(図8)。この連結パターン31
0、320は、第1補助ショートバー410上部の保護
膜250に開いた開口部aとゲート延長部101上部の
ゲート絶縁膜150及び保護膜250に開いた開口部b
とを通じてそれぞれ第1補助ショートバー410とゲー
ト延長部101とに接触している。また、連結パターン
310,320は、第2補助ショートバー420上部の
保護膜250に開いた開口部cとゲート延長部102上
部のゲート絶縁膜150及び保護膜250に開いた開口
部dとを通じてそれぞれ第2補助ショートバー420と
ゲート延長部102とに接触している。すなわち、それ
ぞれのゲート延長部101、102を第1及び第2補助
ショートバー410、420とそれぞれ電気的に連結さ
せている。
【0054】前述したように、アレイ検査を実施する以
前に切断線L1に沿って基板1を切取ることによってゲ
ートショートバー200を補助ショートバー410、4
20から電気的に分離し、検査が終わった後にはゲート
パッド110、120、130外側に位置した切断線L
2に沿って基板1を切取ることにより、補助ショートバ
ー410、420を除去して基板の製造を仕上げる。
【0055】図7に示した第2実施例は、アレイ検査以
前に別途にゲートショートバー200を除去するために
基板を切断する必要がない構造である。第2実施例の場
合、第1及び第2補助ショートバー410、420とゲ
ート延長部101、102、103…との連結形態は第
1実施例と同様である。ただし、ゲートショートバー2
00と第1補助ショートバー410との間の一部ゲート
延長部101、102、103…、ゲート絶縁膜150
及び保護膜250が除去されることにより、それぞれの
ゲート延長部101、102、103…がゲートショー
トバー200と互いに分離されている。この時、ゲート
延長部101、102、103…とゲートショートバー
200とは基板の製造工程のうちの最後に分離される。
これについては後述する。
【0056】このように、第2実施例においてはゲート
ショートバー200と補助ショートバー410、420
とが互いに分離されているので、アレイ検査以前に基板
1を切断する過程を要しない。
【0057】その代わりに、検査が終わると、前述した
実施例と同様に切断線L2に沿って基板1を切断するこ
とによってショートバー200及び補助ショートバー4
10、420を同時に除去する。
【0058】図9は図5の鎖線で囲まれたC部分、すな
わちデータショートバー部分の拡大図である。図10は
図9のX−X′線による断面図であって、データショー
トバーと第3、第4、第5補助ショートバーとの連結形
態を示した図である。
【0059】図9及び図10に示したように、ゲート配
線と同一の金属で第3、第4、第5補助ショートバー2
10、220、230が基板1上の図中横方向に形成さ
れている。補助ショートバーの上にゲート絶縁膜150
が積層されている。ゲート絶縁膜150上にデータ線D
1、D2、D3、D4…、データパッド510、52
0、530、540…、データ延長部501、502、
503、504…及びデータ延長部と連結されているデ
ータショートバー400などのデータ配線55が形成さ
れている。その上には保護膜250が形成されている。
【0060】図10に示すように、開口部f、h、j
は、データ延長部501、502、503…の上部の保
護膜250にそれぞれ形成されている。開口部g、i、
kは、第3、第4、第5補助ショートバー210、22
0、230…の上部のゲート絶縁膜150及び保護膜2
50にそれぞれ形成されている。保護膜250上に形成
されている連結パターン301、302、303は、開
口部f、h、j及びg、i、kを通じ、それぞれデータ
延長部501、502、503…及び第3、第4、第5
補助ショートバー210、220、230と連結されて
いる。
【0061】また、ゲートショートバー200の場合と
同様に、データショートバー400内側にデータ延長部
501、502、503…及び保護膜250の一部が開
いた開口部1が形成されていて、データ延長部501、
502、503、504…がデータショートバー400
と分離され得るが、この場合にはアレイ検査のためのデ
ータショートバー400を分離する基板切断工程を要し
ない。
【0062】このように、三つの補助ショートバー21
0、220、230にデータ線D1、D2、D3…と連
結されるデータ延長部501、502、503…がそれ
ぞれ交互に連結されているので、薄膜トランジスタ基板
の画素欠陥及び短絡不良を検査するために第3、第4、
第5補助ショートバー210、220、230にそれぞ
れ異なる信号を印加し得る。
【0063】二つ以上のデータ線、例えば図5に示すよ
うに二つのデータ線D3、D4が短絡した場合(S
3)、各データ線D3、D4にそれぞれ異なる電圧を印
加すると、二つのデータ線D3、D4に連結された画素
は他の画素と明るさが異なるため、短絡を容易に見出せ
る。
【0064】この実施例においては三つの分離された補
助ショートバー210、220、230を有している
が、二つに形成したり三つ以上の補助ショートバーを形
成することも可能である。
【0065】以下、図5、図11乃至図16、図17乃
至図22を参照して本発明の実施例によるショートバー
構造を有する液晶表示装置の製造方法について説明す
る。図11乃至図16は図7のVIII−VIII′線による断
面図であって工程順に従って示されている。図17乃至
図22は図9のX−X′線による断面図であって工程順
に従って示されている。
【0066】図11及び図17に示したように、透明な
絶縁基板1上にゲート配線のための金属層50を形成
し、ゲート線G1、G2、G3、G4…、ゲートパッド
110、120、130…、ゲートショートバー20
0、ゲート延長部101、102、103…及び補助シ
ョートバー210、220、230を含むゲート配線5
0をパターニングする。その後、ゲート絶縁膜150、
非晶質シリコン膜(図示しない)及びn+非晶質シリコ
ン膜(図示しない)を連続に積層して上部の二つの層を
写真エッチングし、画素PX内にパターンを形成する。
【0067】次に、図12及び図18に示したように、
データ配線のための金属層55を形成してデータ線D
1、D2、D3、D4…及びソース−ドレイン電極(図
示しない)、データパッド510、520、530…、
データショートバー400、データ延長部501、50
2、503、504…及び補助ショートバー410、4
20を含むデータ配線55をパターニングする。次いで
データ配線55をマスクにしてn+非晶質シリコン膜を
エッチングする。
【0068】図13及び図14、図19及び図20で示
したように、その上に保護膜250を積層した後、ゲー
ト絶縁膜150と共にエッチングしてゲートパッド11
0、120…、データパッド510、520、530…
を露出する開口部e;l並びに各補助ショートバー41
0、420;210、220、230、ゲート及びデー
タ延長部101、102…;501、502、503…
を露出する開口部a、b、c、d、e、f、g、h、
i、j、kを形成する。
【0069】その後、図15及び図21に示すように、
ITO物質を積層してエッチングし、画素領域PX内に
画素電極(図示しない)を形成する。この過程で、IT
O連結パターン310、320、301、302、30
3も形成する。ITO連結パターン310、320は、
開口部a、b、c、dを通じ、補助ショートバー41
0、420及びゲート延長部101、102…とそれぞ
れ連結される。他の連結パターン301、302、30
3は、開口部f、g、h、i、j、kを通じ、残りの補
助ショートバー210、220、230及び三つのデー
タ延長部501、504、502…と交互に連結される
ようにする。
【0070】最後に、図16に示すように、ゲートショ
ートバー200とゲート延長部101、102、103
…とを補助ショートバー410とゲートショートバー2
00との間で分離する。また図22に示すように、デー
タショートバー400とデータ延長部501、502、
503…とを補助ショートバー210とデータショート
バー400との間で分離する。
【0071】このような分離過程は次のとおり行われ
る。保護膜250のエッチング段階で補助ショートバー
410とゲートショートバー200との間に位置したゲ
ート延長部101、102、103…と、補助ショート
バー210とデータショートバー400との間に位置し
たデータ延長部501、502、503…とを露出させ
る。次に、連結パターン301、302、303;31
0、320を形成する段階以降に露出しているゲート延
長部101、102、103…とデータ延長部501、
502、503…とをエッチングして除去することによ
ってなされる。もちろん、連結パターン301、30
2、303;310、320を形成した後、基板のアレ
イ検査を実施する前に、切断線L1に沿ってゲートショ
ートバー200及びデータショートバー400を切断し
て分離することも可能である。
【0072】以上説明したように、隣接したゲート線が
それぞれ異なる二つの補助ショートバーに分けられて連
結されており、隣接した連続的な三つのデータ線がそれ
ぞれ異なる三つの補助ショートバーに分けられて連結さ
れている2G3D構造を利用して、液晶表示基板の表示
品質を検査することができる。
【0073】以下、図23を参照して検査を実施するた
めのそれぞれの補助ショートバーとデータ線及びゲート
線の連結構造についてさらに説明する。図23に示すよ
うに、複数のゲート線G1、G2、G3、G4、G5、
G6…と、複数のデータ線D1、D2、D3、D4、D
5、D6…とがそれぞれ交差して、行方向及び列方向に
配列される複数の画素PXが形成されている。
【0074】奇数番目のゲート線G1、G3、G5…
と、偶数番目のゲート線G2、G4、G6…とが、それ
ぞれ別個の第1及び第2補助ショートバー410、42
0に連結されていて、偶数番目及び奇数番目画素行にそ
れぞれ異なる信号を印加することが可能である。
【0075】連続的に隣接した三つのデータ線、すなわ
ち(3n−2)番目データ線D1、D4…と、(3n−
1)番目データ線D2、D5…と、3n番目データ線D
3、D6…とは、それぞれ連続的に配列されている三つ
のR、G、B画素列にそれぞれ連結されている。また、
第3乃至第5補助ショートバー210、220、230
にそれぞれ結ばれているため、これらの補助ショートバ
ー210、220、230を通じて隣接した三つの画素
列にそれぞれ異なる信号を印加し得る。
【0076】それぞれの補助ショートバー410、42
0;210、220、230の端部には検査信号を印加
するための検査パッド4、5;6、7、8が形成されて
いる。
【0077】以下、図23、図24、図25乃至図27
を参照して第1実施例による表示検査方法について説明
する。図24はそれぞれの補助ショートバーを通じてゲ
ート線とデータ線とに印加される信号の波形図である。
図25乃至図27は、異なる信号が印加されたそれぞれ
のモードmode1、mode2、mode3における
R、G、B画素の信号極性を示した図である。
【0078】すなわち、第1乃至第5補助ショートバー
410、420;210、220、230を通じて奇数
番目ゲート線とG1、G3…、偶数番目ゲート線G2、
G4…、(3n−2)番目データ線D1、D4…、(3
n−1)番目データ線D2、D5…及び3n番目データ
線D3、D6…にそれぞれGodd、Geven、DR、DG
B信号電圧を印加する。
【0079】以下、各信号電圧についてより詳しく説明
する。第1及び第2補助ショートバー410、420を
通じて奇数番目ゲート線及び偶数番目ゲート線に図24
に示す信号電圧Godd、Gevenをそれぞれ印加する。そ
れぞれの信号電圧Godd、Gevenは奇数行及び偶数行画
素の薄膜トランジスタをオンするためのパルスを含んで
いる。パルスが一回印加された以降に次のパルスが印加
されるまでを一周期とする時、偶数番目ゲート線に印加
される信号電圧Gevenは奇数番目ゲート線に印加される
信号電圧Goddと半周期程度の時間差を有する。これに
より、奇数番目画素行の画素の薄膜トランジスタは奇数
番目画素行とは半周期の時間差をもって導通する。
【0080】一方、R、G、B画素列に印加される信号
電圧DR、DG、DBは、一周期毎に一回ずつ極性が反転
し、反転時期は奇数番目または偶数番目ゲート線に印加
されるパルスが立ち上がる時点である。さらに説明する
と、R、G、B画素列のうちの二つの画素列に印加され
る信号電圧は反転時期が同一であり、極性は互いに反対
である。例えば、図24には、二つの画素列に印加され
る信号電圧は偶数番目ゲート線にパルスが印加される時
点で信号の極性が反転し、その極性は互いに反対であ
る。また、残りの一つの画素列に印加される検査信号
は、奇数番目ゲート線にパルスが印加される時点で信号
の極性が反転する。
【0081】図24にこのような条件を満足する三つの
モードの信号をそれぞれ示した。まず、第1モードmo
de1においては、R画素列に印加される検査信号DR
及びG画素列に印加される検査信号DGが互いに反対極
性を有しており、偶数番目ゲート線にパルスが印加され
る際に反転する。B画素列に印加される検査信号D
Bは、奇数番目ゲート線にパルスが印加される際に反転
する。第1周期1Fを始める時の検査信号DR、DG及び
Bの極性はそれぞれ(+)、(−)及び(−)であ
る。
【0082】次に、第2モードmode2において、
R、G、B画素列に印加される検査信号DR、DG、DB
は、それぞれ第1モードmode1におけるB、R、G
画素に印加される検査信号DB、DR、DGと同一であ
る。
【0083】また、第3モードmode3において、
R、G、B画素列に印加される検査信号DR、DG、DB
は、それぞれ第1モードmode1におけるG、B、R
画素に印加される検査信号と同一である。
【0084】以下、このような信号が各画素に印加され
る時、各画素の極性について説明する。まず、奇数番目
ゲート線にパルスが印加されると、図中奇数番目行の画
素の薄膜トランジスタがオンになり、各データ線に沿っ
て流れる検査信号が薄膜トランジスタを通じて前記の画
素に印加される。次に、前記の薄膜トランジスタがオフ
になり、図中偶数番目ゲート線にパルスが印加される
と、同様の過程を経て検査信号が図中偶数番目行の画素
に印加される。
【0085】従って、第1乃至第3モードにおける一番
目周期1Fの間の各画素の極性は、図25乃至図27に
示したとおりであり、二番目周期2Fの間は極性がこれ
とは反対になる。
【0086】まず、図25に示したように、第1モード
mode1において、R及びG画素列の画素はそれぞれ
(+)、(−)極性の信号が列に沿って交互に現われる
が、B画素列のすべての画素は(−)極性を現す。ま
た、行に沿ってみる時、奇数番目行のG及びB画素は同
一極性を現し、R画素はこれとは反対極性であるが、偶
数番目行においてはBとR画素が同一極性でありG画素
はこれと反対極性である。
【0087】次に、図26に示したように、第2モード
mode2においては、G及びB画素列の画素はそれぞ
れ(+)、(−)極性の信号が列に沿って交互に現れる
が、R画素列のすべての画素は(−)極性を現す。ま
た、行に沿ってみる時、奇数番目行のB及びR画素は同
一極性を現し、G画素はこれとは反対極性であるが、偶
数番目行においてはRとG画素が同一極性でありB画素
はこれと反対極性である。
【0088】また、図27に示したように、第3モード
mode3においては、R及びB画素列の画素はそれぞ
れ(+)、(−)極性の信号が列に沿って交互に現れる
が、G画素列のすべての画素は(−)極性を現す。ま
た、行に沿ってみる時、奇数番目行のR及びG画素は同
一極性を現し、B画素はこれとは反対極性であるが、偶
数番目行においてはGとB画素が同一極性でありR画素
はこれと反対極性である。
【0089】まず、三つのモードのうちの一つだけを適
用しても隣接した二つのゲート線またはデータ線の短絡
を検出することが可能である。互いに異なる極性の信号
が印加される隣接した画素間に短絡が発生する場合、二
つの画素に印加される電圧の平均値に該当する同一電圧
が二つの画素に印加される。その結果、短絡が発生した
隣接画素で同一階調の表示が行われるため、短絡欠陥を
判別することができる。また、隣接した配線間の短絡が
発生した場合、配線が連結された行または列のすべての
画素に同一信号が印加されるので、配線間の短絡が発生
したことがわかる。
【0090】しかし、同一の検査信号が印加される隣接
画素間における短絡は検出できず、正確な短絡の位置を
検出するのが難しい。このような問題点を解決するため
に、三つのモードのいずれかの二つのモードを適用して
検査すると、行方向または列方向に隣接した画素間に少
なくとも一回は異なる極性の信号が印加されるので、隣
接した画素間の短絡のような画素欠陥を容易に検出する
ことができ、欠陥が発生した位置をより容易に検出する
ことができる。
【0091】また、このような第1実施例による不良検
査のための信号の印加方法においては、それぞれの補助
ショートバー210、220、230に印加される信
号、DR、DG、DBの極性が一周期の間維持されるの
で、比較的に画素の揺らぎが少なくて画面の均一性検査
に効果的である。
【0092】以下、第2実施例による表示検査方法につ
いて図28、図29及び図30を参照して説明する。図
28はゲート及びデータ線に印加される検査信号の波形
図である。図29及び図30は、データ線に適用された
それぞれの信号モードによるR、G、B画素の極性を示
した図である。
【0093】第1及び第2補助ショートバー410、4
20と第3乃至第5補助ショートバー210、220、
230を通じ、奇数番目及び偶数番目ゲート線及び(3
n−2)、(3n−1)及び3n番目データ線に対し、
図28に示す信号電圧Godd、Geven、DR、DG、DB
それぞれ印加する。
【0094】前述した第1実施例と同様に、パルスが一
回印加された以降に次のパルスが印加されるまでを一周
期と定義すると、偶数番目ゲート線に印加される電圧G
evenは、奇数番目ゲート線に印加される信号電圧Godd
と約半周期の位相差を有する。ゆえに、奇数番目行の画
素の薄膜トランジスタは、偶数番目行の画素の薄膜トラ
ンジスタと約半周期の位相差で導通する。
【0095】一方、R、G、B画素列に印加されるそれ
ぞれの検査信号電圧DR、DG、DBは、一周期内でパル
ス幅と同一の周期で極性が多数回反転するが、奇数番目
ゲート線にパルスが印加される時点及び偶数番目ゲート
線にパルスが印加される時点で検査信号もそれぞれ一回
反転し、奇数番目ゲート線にパルスが印加される時点に
おける検査信号の極性は偶数番目ゲート線にパルスが印
加される時点における検査信号の極性と反対である。
R、G、B画素列のうちの二つの画素列には同一信号が
印加され、残りの一つの画素列には二つの画素列に印加
される信号とは反対極性の信号が印加される。
【0096】このような条件を満足する二つのモードの
信号を図28に示した。まず、第4モードmode4に
おいてはR画素列とB画素列には同一極性及び同一反転
周期を有する同一検査信号DR、DBを印加し、残りのG
画素列には同一反転周期を有して極性は反対である検査
信号DGを印加する。
【0097】次に、第5モードmode5においてはR
画素列とG画素列に同一検査信号を印加し、残りのB画
素列には反対極性の検査信号を印加する。このような第
4及び第5モードの信号が画素に印加される際の各画素
の極性を図29及び図30に示した。
【0098】図29に示した第4モードにおいては、列
方向に見る時、隣接した画素は互いに異なる極性を現
す。行方向に見る時には、隣接したB画素とR画素とを
除いたすべての隣接した画素は異なる極性を現す。
【0099】図30に示した第5モードにおいては、列
方向に隣接した画素は互いに異なる極性を現し、行方向
には隣接したR画素とG画素とを除いた残りの画素は互
いに異なる極性を現す。
【0100】前述した第1実施例と同様に、第2実施例
の二つのモードのうち、一つのモードだけで短絡欠陥を
検出することができるが、第4モード及び第5モードを
すべて適用する場合に検出力が高くなるので、同一極性
を現す隣接画素間の短絡のような画素欠陥を発見するこ
とができる。
【0101】本発明の第2実施例による欠陥検出方法
は、ゲートパルス幅と同一の周期でR、G、Bに印加さ
れる検査信号の極性が反転するので、短い時間内にR、
G、B信号が替わって画素内に信号が十分に充電されな
くてフリッカーが現れることがある。また、偶数番目及
び奇数番目ゲート線に対する分離現象が著しく現れるた
め、主に目で確認する画面の均一性検査においては不適
切なことがあり得る。また、ハイやオフ状態の画素欠陥
を検出するのが難しい。
【0102】これを改善するための第3実施例による検
査波形を図31に示した。図31においては、奇数番目
及び偶数番目ゲート線に印加される信号Godd、Geven
及びR、G、B画素列に印加される信号DR、DG、DB
は前述した第2実施例とほぼ同一である。ただし、R、
G、B画素列に印加される信号は、ゲートパルス幅の2
倍に該当する周期で反転する。
【0103】従って、画素内にR、G、B信号が充電さ
れるのに困難がなく、ゲートパルスとデータ信号間の同
期が容易であり、フリッカーも縮少するなど、全般に安
定して駆動される。つまり、均一性検査に適当でありハ
イ及びオフ状態の欠陥も第2実施例においてよりは容易
に検出されるなど検出力が向上する。
【0104】図32は本発明の第4実施例による検査信
号波形図である。前述した実施例と同様に、奇数番目及
び偶数番目ゲート線に、それぞれ半周期の差を有してパ
ルスが同期するように信号を印加し、データ線にはゲー
トパルス幅の二倍に該当する時間を周期として極性が反
転する検査信号を印加する。
【0105】但し、ゲートのパルスをそれぞれのR、
G、B画素列に印加される信号DR、DG、DBが反転す
る時点t1、t2より後に印加し、ゲートが開く瞬間
R、G、B画素内に検査信号が大きな初期値を有して充
電されるようにする。従って、充電されるのにかかる時
間が縮少して同一のゲートパルスが印加される間に十分
に充電されることができる。従って、高精密化された基
板の場合においても容易に検査することができる。
【0106】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による液晶
表示装置においては、ゲート補助ショートバーまたはデ
ータ補助ショートバーがそれぞれ二つ以上形成されてい
る。工程が完了した以降、ゲートショートバー及びデー
タショートバーから液晶表示基板を分離するため、基板
の静電気に対して脆弱でない。また、このような二つの
ゲート補助ショートバー及びデータ補助ショートバーに
それぞれ別途の検査信号を印加することができるため、
基板内の不良検出力が向上する。これにより、不良が発
生した基板が次の段階に進行せずに検査段階で廃棄され
ることによって製造コストを低めることができる。ま
た、ゲート線に印加されるパルスがオンになる時点より
データ線信号が予め印加されるようにしてデータ線信号
が十分に印加されるようにすることにより、高精密化さ
れた基板を容易に検査することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の技術によるショートバー構造を有する液
晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を示した図である。
【図2】図1のA部分を拡大した平面図である。
【図3】図2のIII−III′線による断面図である。
【図4】アレイ検査信号がマトリックス形態の画素に印
加された状態を示した図である。
【図5】本発明によるショートバーを有する液晶表示装
置用薄膜トランジスタ基板を示した図である。
【図6】図5のB部分を拡大して示した平面図である。
【図7】図5のB部分を拡大して示した他の平面図であ
る。
【図8】図7のVIII−VIII′線による断面図である。
【図9】図5のC部分を拡大して示した平面図である。
【図10】図9のX−X′線による断面図である。
【図11】本発明による液晶表示装置の製造方法をゲー
トショートバーを中心としてその工程順序に従って示し
た断面図である。
【図12】本発明による液晶表示装置の製造方法をゲー
トショートバーを中心としてその工程順序に従って示し
た断面図である。
【図13】本発明による液晶表示装置の製造方法をゲー
トショートバーを中心としてその工程順序に従って示し
た断面図である。
【図14】本発明による液晶表示装置の製造方法をゲー
トショートバーを中心としてその工程順序に従って示し
た断面図である。
【図15】本発明による液晶表示装置の製造方法をゲー
トショートバーを中心としてその工程順序に従って示し
た断面図である。
【図16】本発明による液晶表示装置の製造方法をゲー
トショートバーを中心としてその工程順序に従って示し
た断面図である。
【図17】本発明による液晶表示装置の製造方法をデー
タショートバーを中心としてその工程順序に従って示し
た断面図である。
【図18】本発明による液晶表示装置の製造方法をデー
タショートバーを中心としてその工程順序に従って示し
た断面図である。
【図19】本発明による液晶表示装置の製造方法をデー
タショートバーを中心としてその工程順序に従って示し
た断面図である。
【図20】本発明による液晶表示装置の製造方法をデー
タショートバーを中心としてその工程順序に従って示し
た断面図である。
【図21】本発明による液晶表示装置の製造方法をデー
タショートバーを中心としてその工程順序に従って示し
た断面図である。
【図22】本発明による液晶表示装置の製造方法をデー
タショートバーを中心としてその工程順序に従って示し
た断面図である。
【図23】ゲート線及びデータ線及びそれぞれの補助シ
ョートバーの連結形態を示した概略図である。
【図24】ゲート及びデータ線に印加される第1実施例
によるアレイ検査信号の波形図である。
【図25】第1実施例によって印加された信号の極性を
R、G、B画素別に示した図面である。
【図26】第1実施例によって印加された信号の極性を
R、G、B画素別に示した図面である。
【図27】第1実施例によって印加された信号の極性を
R、G、B画素別に示した図面である。
【図28】ゲート及びデータ線に印加される第2実施例
によるアレイ検査信号の波形図である。
【図29】第2実施例によって印加された信号の極性を
R、G、B画素別に示した図である。
【図30】第2実施例によって印加された信号の極性を
R、G、B画素別に示した図である。
【図31】ゲート及びデータ線に印加される第3実施例
によるアレイ検査信号を示した波形図である。
【図32】ゲート及びデータ線に印加される第4実施例
によるアレイ検査信号を示した波形図である。
【符号の説明】
410、420、210、220、230 補助ショ
ートバー 4,5,6,7,8 検査パッド G1、G2、G3、G4、G5、G6 ゲート線 D1、D2、D3、D4、D5、D6 データ線 110、120、130 ゲートパッド 510、520、530 データパッド 501、502、503、504 データ延長部 101、102、103 ゲート延長部 301、302、303、310、320 連結パタ
ーン
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平1−233425(JP,A) 特開 平2−135490(JP,A) 特開 平3−134628(JP,A) 特開 平6−82836(JP,A) 特開 平8−15733(JP,A) 特開 平9−127552(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/1343 G02F 1/1368

Claims (21)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】透明な絶縁基板と、 前記基板上に横方向に形成されている複数のゲート線
    と、 前記基板上に互いに平行するように横方向に形成されて
    いる少なくとも二つの補助ショートバーと、 前記ゲート線及び前記補助ショートバーを覆っていて前
    記補助ショートバーを露出する第1開口部を有している
    ゲート絶縁膜と、 前記ゲート線と交差するように前記ゲート絶縁膜上に縦
    方向に形成されている複数のデータ線と、 前記データ線を覆っていて、前記第1開口部を通じて前
    記補助ショートバーを露出する第2開口部と、それぞれ
    の前記データ線を露出する第3開口部とを有する保護膜
    と、 前記保護膜上に形成され、前記第1及び第2開口部と前
    記第3開口部とを通じて前記データ線と前記補助ショー
    トバーとを前記補助ショートバーの数を単位としてそれ
    ぞれ連結する第1連結パターンと、 を含む液晶表示基板。
  2. 【請求項2】前記基板上に形成され、複数の前記データ
    線を共通に連結するデータショートバーをさらに含む、
    請求項1に記載の液晶表示基板。
  3. 【請求項3】前記ゲート絶縁膜上に形成され、複数の前
    記ゲート線を共通に連結するゲートショートバーをさら
    に含む請求項2に記載の液晶表示基板。
  4. 【請求項4】前記データショートバーは、前記ゲートシ
    ョートバーと電気的に連結されている請求項3に記載の
    液晶表示基板。
  5. 【請求項5】前記ゲート絶縁膜上部に互いに平行するよ
    うに縦方向に形成されている少なくとも二つの補助ゲー
    トショートバーをさらに含み、 前記ゲート絶縁膜及び前記保護膜は、共通に前記ゲート
    線をそれぞれ露出する第4開口部を有し、 前記保護膜は、前記補助ゲートショートバーを露出する
    第5開口部を有し、 前記保護膜上部に形成され、前記ゲート線と前記補助ゲ
    ートショートバーとを、前記補助ゲートショートバーの
    数を単位としてそれぞれ連結する第2連結パターンをさ
    らに含む、請求項1に記載の液晶表示基板。
  6. 【請求項6】ゲート線と、データ線をテストするための
    第1、第2、第3補助ショートバーとを、基板上に形成
    する段階と、 ゲート絶縁膜を形成する段階と、 前記ゲート絶縁膜上に金属層を積層する段階と、 前記金属層をパターニングしてデータ線を形成する段階
    と、 保護膜を積層する段階と、 前記保護膜及び前記ゲート絶縁膜をエッチングし、前記
    データ線を露出する第1開口部を保護膜に形成し、前記
    第1、第2及び第3補助ショートバーを露出する第2、
    第3及び第4開口部を、保護膜及びゲート絶縁膜に形成
    する段階と、 画素電極用導電層を蒸着する段階と、 前記画素電極用導電層をパターニングし、前記第1開口
    部を通じて前記データ線に連結され、かつ前記第2乃至
    第4開口部を通じて前記第1乃至第3ショートバーにそ
    れぞれ連結される連結パターン及び画素電極を形成する
    段階と、 を含む液晶表示基板の製造方法。
  7. 【請求項7】前記金属層をパターニングし、前記データ
    線と連結される静電気防止用データショートバーを形成
    する段階をさらに含む請求項6に記載の液晶表示基板の
    製造方法。
  8. 【請求項8】前記連結パターンを形成する段階後、前記
    静電気防止用データショートバーを前記データ線から分
    離する段階をさらに含む、請求項7に記載の液晶表示基
    板の製造方法。
  9. 【請求項9】前記画素電極用導電層を透明導電物質で形
    成する、請求項6に記載の液晶表示基板の製造方法。
  10. 【請求項10】基板上に複数のゲート線と、データ線
    と、前記ゲート線及びデータ線と連結されている静電気
    防止用主ショートバーと、前記ゲート線とそれぞれ交互
    に連結されているゲートテスト用第1及び第2補助ショ
    ートバーと、前記データ線とそれぞれ交互に連結されて
    いるデータテスト用第3及び第4補助ショートバーとを
    含む配線を形成する段階と、 前記主ショートバーを、前記ゲート及びデータ線から分
    離する段階と、 前記第1及び第2補助ショートバーと前記第3及び第4
    補助ショートバーとに電圧を印加し、前記データ線と前
    記ゲート線との不良を検出する段階と、 を含む液晶表示基板の検査方法。
  11. 【請求項11】前記第1補助ショートバーと前記第2補
    助ショートバーとにはそれぞれ異なる電圧を印加する、
    請求項10に記載の液晶表示基板の検査方法。
  12. 【請求項12】前記第3補助ショートバーと前記第4補
    助ショートバーとにそれぞれ異なる電圧を印加する、請
    求項10に記載の液晶表示基板の検査方法。
  13. 【請求項13】前記不良検出段階後、前記第1、第2、
    第3及び第4補助ショートバーを除去する段階をさらに
    含む、請求項10に記載の液晶表示基板の検査方法。
  14. 【請求項14】マトリックス形態に形成されている複数
    の画素と、それぞれ偶数番目及び奇数番目に分けられて
    前記画素行に連結されている少なくとも第1及び第2ゲ
    ート線群を含むゲート線と、互いに異なる前記画素列に
    それぞれ分けられて連結されている少なくとも第1乃至
    第3データ線群を含む複数のデータ線とを有する液晶表
    示基板において、 前記第1ゲート線群に第1パルスを印加する段階と、 前記第1パルスと異なる時点で、前記第2ゲート線群に
    第2パルスを印加する段階と、 前記第1パルスを印加する段階において、連続的に配列
    された三つの前記データ線のうちの互いに隣接した第1
    及び第2データ線に同一極性の第1及び第2信号を印加
    し、前記三つのデータ線のうちの前記第1及び第2デー
    タ線を除いた残りの第3データ線に前記第1及び第2信
    号とは極性が異なる第3信号を印加する第1段階と、 前記第2パルスを印加する段階において、前記第2及び
    第3データ線に前記第1及び第2信号を印加し、前記第
    1データ線には前記第3信号を印加する第2段階と、を
    含む液晶表示装置の検査方法。
  15. 【請求項15】前記第1パルスと前記第2パルスとは周
    期的に印加され、半周期の時間差を有して印加される、
    請求項14に記載の液晶表示装置の検査方法。
  16. 【請求項16】前記第1ゲート線群に第3パルスを印加
    する段階と、 前記第3パルスと異なる時点で、前記第2ゲート線群に
    第4パルスを印加する段階と、 前記第3パルスを印加する段階において、前記第2及び
    第3データ線に前記第1及び第2信号を印加し、前記第
    1データ線には前記第3信号を印加する第3段階と、 前記第4パルスを印加する段階において、前記第1及び
    第3データ線に前記第1及び第2信号を印加し、前記第
    2データ線には前記第3信号を印加する第4段階と、 をさらに含む請求項14に記載の液晶表示装置の検査方
    法。
  17. 【請求項17】前記第3パルスと前記第4パルスとは周
    期的に印加され、半周期の時間差を有して印加される請
    求項16に記載の液晶表示装置の検査方法。
  18. 【請求項18】マトリックス形態に形成されている複数
    の画素と、それぞれ偶数番目及び奇数番目に分けられて
    前記画素行に連結されている少なくとも第1及び第2ゲ
    ート線群を含むゲート線と、互いに異なる前記画素列に
    それぞれ分けられて連結されている少なくとも第1乃至
    第2データ線群を含む複数のデータ線を有する液晶表示
    基板において、 前記第1ゲート線群に第1パルスを印加する段階と、 前記第2ゲート線群に前記第1パルスとは異なる時点で
    第2パルスを印加する段階と、 前記第1パルスを印加する段階において、連続的に配列
    された三つの前記データ線のうち互いに隣接した第1及
    び第2データ線に第1極性を有し、第1反転周期で反転
    する第1信号を印加し、前記三つのデータ線のうち前記
    第1及び第2データ線を除いた残りの第3データ線に前
    記第1反転周期で反転して前記第1信号とは極性が反対
    である第2信号を印加する第1段階と、 前記第2パルスを印加する段階において、前記第1及び
    第2データ線に前記第2信号を印加し、前記第3データ
    線に前記第1信号を印加する第2段階と、 を含む液晶表示装置の検査方法。
  19. 【請求項19】前記第1ゲート線群に第3パルスを印加
    する段階と、 前記第3パルスとは異なる時点で、前記第2ゲート線群
    に第4パルスを印加する段階と、 前記第3パルスを印加する段階において、前記第1及び
    第3データ線に前記第1信号を印加し、前記第2データ
    線に前記第2信号を印加する段階と、 前記第4パルスを印加する段階において、前記第2デー
    タ線に前記第1信号を印加して前記第1及び第3データ
    線に前記第2信号を印加する段階と、 をさらに含む請求項18に記載の液晶表示装置の検査方
    法。
  20. 【請求項20】前記第1パルスと前記第2パルスまたは
    前記第3パルスと前記第4パルスとは互いに半周期の時
    間差を有して周期的に印加される請求項19に記載の液
    晶表示装置の検査方法。
  21. 【請求項21】前記第1乃至第4パルスが印加される時
    点は前記第1及び第2信号が反転する時点である請求項
    19に記載の液晶表示装置の検査方法。
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