JP3182024B2 - 液晶画像表示装置の検査方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶画像表示装置の検査
方法に関し、特に、画像表示機能を有する液晶パネル、
とりわけ単位絵素毎にスイッチング素子を内蔵したアク
ティブ型の液晶画像表示装置において有効な画像評価に
よる検査方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の微細加工技術、液晶材料及び実装
技術等の進歩により３〜１５インチ程度のサイズではあ
るが、液晶パネルによる実用上支障ないテレビジョン画
像や各種の画像表示が商用ベースで既に得られている。

【０００３】液晶パネルを構成する２枚のガラス板の一
方にＲＧＢの着色層を形成しておくことによりカラー表
示も容易に実現される。また、単位絵素毎にスイッチン
グ素子を内蔵させたいわゆるアクティブ型の液晶パネル
においてはクロストークも少なく且つ高いコントラスト
比を有する画像が保証されている。

【０００４】このような液晶パネルは、走査線としては
１２０〜９６０本、信号線としては２４０〜２０００本
程度のマトリクス編成が標準的である。図４に示すよう
な、液晶パネル１を構成する第１のガラス板２上に形成
された走査線の電極端子群６に駆動信号を供給する半導
体集積回路チップ３を直接に接続するＣＯＧ（Chip-On-
Glass ）方式や、ポリイミド系樹脂薄膜をベースとし、
金メッキされた銅箔の端子群（図示せず）を有する接続
フィルム４を信号線の電極端子群５に接着剤で圧接しな
がら固定する方式などの実装手段によって電気信号が画
像表示部に供給される。図４においては図示の便宜上２
つの実装方式を同時に図示しているが、実際にはいずれ
かの実装方式が選ばれることは言うまでもない。

【０００５】図４において、７，８は液晶パネル１の中
央の画像表示部と、信号線及び走査線の電極端子群５，
６とを接続する配線路であって、必ずしも電極端子群と
同じ導電材で構成される必要はない。

【０００６】図４において、９は全ての液晶セルに共通
の透明導電性の対向電極を有する第２のガラス板であ
り、第１及び第２のガラス板２，９は石英ファイバやプ
ラスチック・ビーズ等のスペーサによって数μｍ程度の
所定の距離をおいて設けられている。第１及び第２のガ
ラス板２，９同士の間隙（ギャップ）はシール材と封口
材で封止された閉空間になっており、閉空間には液晶が
充填されている。

【０００７】カラー表示の実現のために、第２のガラス
板９の閉空間側に着色層と称する染料及び顔料のうちの
いずれか一方又は両方を含む有機薄膜が被着されること
により色表示機能が与えられる。この場合には第２のガ
ラス板９は別名カラーフィルタと呼ばれる。そして液晶
材の性質によっては第２のガラス板９の上面及び第１の
ガラス板２の下面のうちのいずれか一方又は両方に偏光
板が貼付され、液晶パネル１は電気光学素子として機能
する。

【０００８】図５及び図６はスイッチング素子としての
絶縁ゲート型トランジスタ１０を絵素毎に配置したアク
ティブ型液晶パネルの等価回路図であって、同図におい
て実線で描かれた素子は第１のガラス板２上に形成さ
れ、破線で描かれた素子は第２のガラス板９上に形成さ
れている。また、図７はカラー液晶画像表示装置の要部
の断面図である。

【０００９】走査線１１（８）及び信号線１２（７）
は、例えば非晶質シリコンを半導体層としシリコン窒化
層（Ｓｉ₃ Ｎ₄ ）をゲート絶縁膜とするＴＦＴ（薄膜ト
ランジスタ）１０の形成と同時に第１のガラス板２上に
作製される。

【００１０】液晶セル１３は、第１のガラス板２上に形
成された透明導電性の絵素電極１４と、カラーフィルタ
である第２のガラス板９上に形成された同じく透明導電
性の対向電極１５と、第１及び第２のガラス板２，９に
より形成された閉空間を満たす液晶１６とにより構成さ
れ、電気的にはコンデンサと同じ扱いを受ける。

【００１１】蓄積容量２２の構成に関してはいくつかの
選択が可能であり、図５は蓄積容量２２が全ての絵素電
極に共通な電極線１７と絵素電極１４とから構成された
場合の等価回路図であり、図６は蓄積容量２２が絵素電
極１４と前段走査線１１とから構成された場合の等価回
路図である。

【００１２】図５及び図６において、蓄積容量２２はア
クティブ型の液晶パネルとしては必ずしも必須の構成要
素とは限らないが、駆動用信号源の利用効率の向上、浮
遊寄生容量の障害の抑制及び高温動作時の画像のちらつ
き（フリッカ）防止等には効果的存在であり実用上は通
常採用されている。

【００１３】図７に示すように、染色された感光性ゼラ
チン又は着色性感光樹脂等よりなる着色層１８は、上述
したように、第２のガラス板９の閉空間側で絵素電極１
４に対応してＲＧＢの三原色で所定の配列に従って配置
されている。全ての絵素電極１４に共通の対向電極１５
は着色層１８の存在による電圧配分損失を避けるため図
示したように着色層１８上に形成される。液晶１６に接
して第１及び第２のガラス板２，９上に被着された例え
ば０．１μｍ程度の膜厚のポリイミド系樹脂薄膜層１９
は液晶分子を決められた方向に揃えるための配向膜であ
る。また、液晶１６にツイスト・ネマチック（ＴＮ）型
のものを用いる場合には上下に２枚の偏光板２０を必要
とする。

【００１４】ＲＧＢの着色層１８と第２のガラス板９と
の境界に低反射性の不透明膜２１を配置すると、第１の
ガラス板２上の信号線１２等の配線層からの反射光を防
止できるためコントラスト比が向上し、またスイッチン
グ素子１０の外部光照射によるＯＦＦ時のリーク電流の
増大を防止できるため強い外光の下でも動作させること
が可能になるので、ブラックマトリクスとして実用化さ
れている。ブラックマトリクス材の構成も多数考えられ
るが、着色層１８と第２のガラス板９との境界における
段差の発生状況及び光の透過率を考慮すると、コスト高
にはなるが０．１μｍ程度の膜厚のＣｒ薄膜が簡便であ
る。

【００１５】尚、図７においては、理解を簡単にするた
め、薄膜トランジスタ１０、走査線１１及び蓄積容量２
２に加えて光源やスペーサ等の主要因子は省略されてい
る。また、図７において、２３は絵素電極１４と薄膜ト
ランジスタ１０のドレインとを接続するための導電性薄
膜であって、一般的には信号線１２と同一の材質により
信号線１２と同時に形成される。ここでは図示は省略し
たが、対向電極１５は、画像表示部の隅部で適当な導電
性ペーストを介して第１のガラス板２上の適当な導電性
パターンに接続され、電極端子群５，６の一部に組み込
まれて電気的接続が与えられる。

【００１６】スイッチング素子である絶縁ゲート型トラ
ンジスタは、材料・プロセス何れの面からみても工業的
にほぼ画一化されたとは言い難い状況であるが、図８及
び図１０において２つの典型的な平面パターン配置図を
示す。

【００１７】図８は蓄積容量２２が全ての絵素電極に共
通な電極線１７と絵素電極１４とから構成されている場
合を示し、図１０は蓄積容量２２が絵素電極１４と前段
走査線１１とから構成されている場合を示している。図
９（ａ）は図８におけるIXａ−IXａ線の断面図であり、
図９（ｂ）は図８におけるIXｂ−IXｂ線の断面図であ
り、図１１（ａ）は図１０におけるXIａ−XIａの断面図
であり、図１１（ｂ）は図１０におけるXIｂ−XIｂの断
面図である。以下、図８〜図１１に基づいて、絶縁ゲー
ト型トランジスタの製造プロセスを簡単に説明する。

【００１８】以下、図８及び図９に基づいて前者の絶縁
ゲート型トランジスタの製造プロセスについて簡単に説
明する。

【００１９】まず、第１のガラス板２の一主面上に全て
の絵素に共通な電極線１７を例えばスパッタ等の真空製
膜装置を用いて０．１μｍの膜厚の透明導電性のＩＴＯ
で被着して選択的パターン形成を行なう。

【００２０】次に、蓄積容量２２の絶縁体として透明性
の高い第１の酸化シリコン層２４をＮ（常圧）−ＣＶＤ
装置等の製膜装置を用いて０．４μｍの膜厚で第１のガ
ラス板２の一主面の全面に亘って被着した後、該酸化シ
リコン層２４の上に絵素電極１４を再びスパッタ等の真
空製膜装置を用いて０．１μｍの膜厚の透明導電性のＩ
ＴＯで被着して選択的パターン形成を行なう。

【００２１】次に、後述するＰ−ＣＶＤ（プラズマ製
膜）時にＩＴＯ上に均質で透明性の高い被膜が得られる
ようにするため、再びＮ−ＣＶＤ装置を用いて０．１μ
ｍの膜厚で全面に亘って第２の酸化シリコン層２５を被
着する。しかる後、絶縁ゲート型トランジスタのゲート
電極及び走査線１１を兼ねる金属層１１を例えばスパッ
タ等の真空製膜装置を用いて０．１μｍの膜厚のクロム
（Ｃｒ）により被着して選択的パターン形成を行なう。

【００２２】次に、Ｐ−ＣＶＤ法によりＳｉＮｘ−ａ・
Ｓｉ−ＳｉＮｘの３層を例えば０．４−０．０５−０．
１μｍの膜厚で連続的に堆積した後、最上層のＳｉＮｘ
層を選択的に残してエッチング・ストッパー層２６と
し、その後、全面に亘って不純物として燐を含む非晶質
シリコン層２７を同じくＰ−ＣＶＤ法により堆積する。
上層部から不純物を含む非晶質シリコン層（ｎ⁺ ａ・Ｓ
ｉ）２７、不純物を含まない非晶質シリコン層（ａ・Ｓ
ｉ）２８、ゲート絶縁層２９、第２の酸化シリコン膜２
５及び第１の酸化シリコン層２４等の薄膜を選択的に除
去して電極線１７への接続のための開口部（図示せ
ず）、走査線１１への接続のための開口部（図示せず）
及び絵素電極１４への接続のための開口部３０等を形成
した後、上記開口部３０を含んで例えば１μｍの膜厚の
アルミニウム（Ａｌ）よりなるゲート配線、ソース配線
１２及びドレイン配線２３を選択的に被着形成し、上記
配線をマスクとしてエッチング・ストッパー層２６上の
不純物を含む非晶質シリコン層を選択的に除去して絶縁
ゲート型トランジスタが完成する。この時点で非晶質シ
リコン層２７，２８はソース配線１２及びドレイン配線
２３の直下を除いて消滅してしまう。蓄積容量２２は共
通の電極線１７及び絵素電極１４を電極とし、第１の酸
化シリコン層２４を絶縁体とする構成になっている。

【００２３】以下、図１０及び図１１に基づいて後者の
絶縁ゲート型トランジスタの製造プロセスについて簡単
に説明する。

【００２４】まず、第１のガラス板２の一主面上にゲー
ト電極及び走査線１１を兼ねる金属層１１を例えばスパ
ッタ等の真空製膜装置を用いて０．１μｍの膜厚のクロ
ム（Ｃｒ）で被着して選択的パターン形成を行なう。

【００２５】次に、Ｐ−ＣＶＤによりＳｉＮｘ−ａ・Ｓ
ｉ−ＳｉＮｘの３層を例えば、０．４−０．０５−０．
１μｍの膜厚で連続的に堆積した後、最上層のＳｉＮｘ
層を選択的に残してエッチング・ストッパー層２６と
し、しかる後、全面に不純物として燐を含む非晶質シリ
コン層２７を同じくＰ−ＣＶＤで堆積する。引続き不純
物を含む非晶質シリコン層２７及び不純物を含まない非
晶質シリコン層２８を半導体層として島状に形成して、
ゲート絶縁層２９を選択的に露出させる。その後、絵素
電極１４をスパッタ等の真空製膜装置を用いて０．１μ
ｍの膜厚の透明導電性のＩＴＯで被着して選択的パター
ン形成を行ない、走査線１１への接続のための開口部
（図示せず）を形成した後、上記開口部を含んで例えば
１μｍの膜厚のアルミニウム（Ａｌ）よりなるゲート配
線、ソース配線１２及びドレイン配線２３を選択的に被
着形成し、上記配線をマスクとしてエッチング・ストッ
パー層２６上の不純物を含む非晶質シリコン層２７を選
択的に除去して絶縁ゲート型トランジスタが完成する。
この時点で島状に形成されていた非晶質シリコン層２
７，２８はソース配線１２及びドレイン配線２３の直下
を除いて消滅してしまう。ドレイン配線２３は一部絵素
電極１４と重なりあって形成されて電気的接続が与えら
れている。蓄積容量２２は前段の走査線１１及び絵素電
極１４を電極とし、ゲート絶縁層２９を絶縁体とする構
成になっている。

【００２６】アクティブ型液晶パネルの信頼性を高める
目的で、いずれの絶縁ゲート型トランジスタも更にパシ
ベーション機能を確保するＳｉＮｘ等の絶縁層を全面に
形成するのが一般的であるが、ここではその詳細は省略
する。

【００２７】また、絶縁ゲート型トランジスタの耐熱性
を向上させるために、Ａｌよりなるソース配線１２及び
ドレイン配線２３と不純物を含む非晶質シリコン層２７
との間に耐熱バリア・メタルとしてＴｉ（チタン）やＣ
ｒ等の金属薄膜層やシリサイド薄膜層を介在させる技術
についてもここでは詳細は省略する。

【００２８】第１のガラス板（ＴＦＴ基板）２と第２の
ガラス板（カラーフィルタ）９とを貼り合わせて液晶パ
ネル化した後に初めて画像表示装置としての機能が発揮
されることは明白であろう。

【００２９】周知のごとく、画像表示装置は人間の視覚
という高感度のセンサによって識別される対象であるか
ら、各種の画像欠陥に対しては非常に厳しい制約があ
り、線欠陥は言うに及ばず点欠陥についてもＣＲＴとの
比較において非常に苦しく、換言すれば歩留まりが低
く、作りにくいデバイスと言えよう。歩留まりが極めて
高くなり、無検査に近い状態でアクティブ型の液晶パネ
ルが提供されるためには、更なる技術開発を必要とし、
今しばらく時間がかかるであろうし、シリコン系の半導
体プロセスと類似の製造方法が継続される限りにおいて
は、幾ら歩留まりが向上しても１００％良品と言うこと
は有り得ないであろう。

【００３０】ＴＦＴ基板製造工程、パネル組立工程、実
装工程、モジュール工程と後ろになるほど付加価値が高
くなってくるので、自工程不良を後工程に回さないよう
な取り組みや各種の検査工程が配置されるべきである。

【００３１】カラー液晶画像表示装置の検査において
は、必ずしも全ての電極端子に正規の信号を印加し、カ
ラー画像を表示する必要が無いことは明らかであり、ほ
とんどの場合にベタ画像で充分な情報が得られる。応答
速度、階調性等の僅かな項目のために全ての電極端子に
正規の信号を印加し、カラー画像を表示する必要がある
に過ぎず、それとて応答速度を除けば表示画面内をせい
ぜい２０個程度のブロックで表示出来れば充分であり、
テレビジョン画像の様な動画を表示する必要があるの
は、総合的な画像検査としての感応検査であるのが実状
である。事実、最終的な総合判定はカラーバーやテレビ
画像を表示して行なわれている。

【００３２】

【発明が解決しようとする課題】ところで、本発明者は
すでに特開昭６２−２３３７７４号公報において、図４
の接続フィルム４と同様、可撓性を有するポリイミド樹
脂フィルム上に多数の金メッキされた検査端子を有する
検査フィルムを用いて多数の電極端子に一斉に接触する
検査方式を提案した。この方式は従来の半導体チップの
検査に用いられる針式のプローバに比較すると簡易であ
るだけでなく、損傷を受けたときの対応が極めて廉価で
済むという大きな利点を有していた。

【００３３】しかしながら、高品質の画像表示を行なう
ために走査線や信号線等の電極線数が増大する傾向は避
け難く、また実装コストを低下させる必要性から今後も
高密度の実装が益々重要となり、実装方式としてはＣＯ
Ｇ方式が主流となってくるであろう。そのような状況に
対しては、当然のことながらフィルム状の検査端子では
対応できなくなる。

【００３４】ＣＯＧ方式の実装の場合においては、半導
体チップの特性ばらつきと実装工程における良品歩留ま
りとを考慮すると、実装前における液晶画像表示パネル
の画像検査が重要となるが、液晶画像表示パネルを駆動
する半導体チップの電極端子は周知のごとく１００〜５
０μｍ程度の大きさであり、しかもほぼ同程度のピッチ
間隔で、およそ数１０〜２００個もの電極端子を有して
いる。この様な半導体チップに対応した針式のプローバ
を数個以上同時に接触可能な検査機は非常に機構が複雑
になるだけでなく、検査機の誤動作時に受けるであろう
プローバの損傷を考慮すると高価なスペアを多数必要と
して実質的には実現不可能である。

【００３５】上記に鑑み、本発明は、液晶画像表示装置
を簡易な方法により検査できる方法を提供することを目
的とする。

【００３６】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、ＴＦＴ動作が停止された状態で蓄積容量
と液晶セルとが交流電圧源に直列接続されるようにする
ことにより、全ての電極端子に信号を印加することなく
パネル組立工程に起因する不良を検査するものである。

【００３７】具体的に請求項１の発明が講じた解決手段
は、一の主面上に形成された複数本の走査線及び信号線
を有すると共に、単位絵素毎に、絶縁ゲート型トランジ
スタ、絵素電極、及び各絵素電極に共通の電極線と上記
絵素電極とから構成される蓄積容量をそれぞれ有する第
１の透光性絶縁性基板と、一の主面上に形成された透明
導電性の対向電極を有する第２の透光性絶縁性基板と、
上記第１の透光性絶縁性基板と第２の透光性絶縁性基板
との間に充填された液晶とを備えた液晶画像表示装置の
検査方法であって、上記共通の電極線と上記対向電極と
の間に交流信号を印加して画像表示を行ない、表示され
た画像の良否により液晶画像表示装置を検査する構成で
ある。

【００３８】また、請求項２の発明が講じた解決手段
は、一の主面上に形成された複数本の走査線及び信号線
を有すると共に、単位絵素毎に、絶縁ゲート型トランジ
スタ、絵素電極、及び前段の走査線と上記絵素電極とか
ら構成される蓄積容量をそれぞれ有する第１の透光性絶
縁性基板と、一の主面上に形成された透明導電性の対向
電極を有する第２の透光性絶縁性基板と、上記第１の透
光性絶縁性基板と第２の透光性絶縁性基板との間に充填
された液晶とを備えた液晶画像表示装置の検査方法であ
って、上記複数の走査線のうちの１本おきの走査線から
なる２つの走査線群のうちの一方の走査線群及び上記対
向電極を接地すると共に、上記２つの走査線群のうちの
他方の走査線群と上記対向電極との間に交流信号を印加
して画像表示を行ない、表示された画像の良否により液
晶画像表示装置を検査する構成である。

【００３９】

【作用】請求項１の構成により、絶縁ゲート型トランジ
スタがＯＦＦ状態のときにはソース・ドレイン間は絶縁
状態と見做せるため、電極線と対向電極との間に交流信
号を印加すると、単位絵素毎の蓄積容量と液晶セルとが
直列に接続され且つ液晶セルには容量比によって分割さ
れた電圧が印加されるので、すべての単位絵素が一斉に
表示すると共に蓄積容量が短絡した液晶セルは最初に点
灯する。

【００４０】請求項２の構成により、複数の走査線のう
ちの１本おきの走査線からなる２つの走査線群のうちの
一方の走査線群及び対向電極を接地すると、絶縁ゲート
型トランジスタがＯＦＦ状態になりソース・ドレイン間
は絶縁状態と見做せる。この状態で他方の走査線群と対
向電極との間に交流信号を印加すると、単位絵素毎の蓄
積容量と液晶セルとが直列に接続され且つ液晶セルには
容量比によって分割された電圧が印加されるので、すべ
ての単位絵素が一斉に表示すると共に蓄積容量が短絡し
た液晶セルは最初に点灯する。

【００４１】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づき説明す
る。尚、以下の実施例においては、従来技術の項で説明
した部材と同じものについては同一の符号を付すことに
より詳細な説明は省略する。

【００４２】図１は、本発明の第１実施例に係る液晶画
像表示装置を等価回路図で示したものであり、対象とな
るＴＦＴパネルとしては、全ての絵素電極に共通する電
極線１７と絵素電極１４とから構成される蓄積容量２２
Ａを有している。

【００４３】絶縁ゲート型トランジスタ１０（図５を参
照）のＯＦＦ時のソース・ドレイン間の抵抗はきわめて
高くほぼ絶縁状態と見做すことができる。従って、絶縁
ゲート型トランジスタ１０のＯＦＦ状態が確保できるな
らば、すなわち走査線の電位をしきい値電圧よりも低く
保てるならば、図示したように蓄積容量２２Ａと液晶セ
ル１３とが直列接続になるように対向電極１５と電極線
１７との間に適当な振幅の交流電圧を交流信号源３１か
ら印加すると、容量比によって分割された電圧が液晶セ
ル１３に印加されるので、全絵素を一斉に表示できるこ
とが理解されよう。

【００４４】このような全面点灯により、パネル組立工
程において液晶セル１３内に混入した異物やダストによ
って生じる点状欠陥やギャップ不良に加えて、配向膜に
起因した染み、むら、逆ドメイン及びラビング筋痕等の
不良項目を簡単に検出することができる。

【００４５】また、等価回路図からも明らかなように、
蓄積容量が短絡していると当該絵素の液晶セル１３には
信号電圧が１００％印加される。従って、信号電圧を徐
々に上げていけば、蓄積容量が短絡している単位絵素の
液晶セル１３は最初に点灯するので、蓄積容量の短絡も
簡単に検出できることが分かる。

【００４６】液晶パネルは非常に多くの走査線及び信号
線が絶縁層を介して交差しているため液晶パネルの内部
でも帯電しやすいので、この検査方法においては、予め
液晶パネル内部の静電気を放電させておくか又は走査線
を常に０電位すなわち接地しておくことにより、その恐
れを皆無とすることができる。

【００４７】図２及び図３は、本発明の第２実施例に係
る液晶画像表示装置を等価回路図で示したものであり、
対象となるＴＦＴパネルとしては絵素電極１４と前段の
走査線１１とで構成された蓄積容量２２Ｂを有するもの
である。

【００４８】この第２実施例においては走査線１１を経
由して蓄積容量２２Ｂと液晶セル１３との直列回路を駆
動するので、ＴＦＴ動作を停止させるために図示したよ
うに走査線を１本おきにまとめて２つの走査線群３３，
３４に分け、一方の走査線群３３又は３４を駆動すると
きには他方の走査線群３４又は３３は接地して０電位を
保ちながらＴＦＴをＯＮさせないようにする。そして、
対向電極１５と上記一方の走査線群３３又は３４との間
に適当な振幅の交流電圧を交流信号源３１から印加する
と、容量比によって分割された電圧が液晶セル１３に印
加されて横方向に一本おきに表示できることが理解され
よう。

【００４９】第２の実施例においてはこのように走査線
に交流信号が印加されるので、ゲート（走査線）電位が
接地電位よりも高い半サイクルではＴＦＴはＯＮしてし
まう。３２はＴＦＴがＯＮ状態の時のソース・ドレイン
間の抵抗であるが、ＴＦＴがＯＮ状態の単位絵素の蓄積
容量には電圧が加わらない回路構成になっている点に特
徴がある。この結果、画面全体を検査するためには走査
線のグループ毎に２回の検査が必要であるが、走査線の
電極端子に全てプローブ又は検査フィルムを接触させる
必要はなく、ＴＦＴ基板上で走査線を１本おきにまとめ
るパターンを内蔵させておけばよいことは言うまでもな
い。第２の実施例において検査できる内容は第１の実施
例と全く同一である。

【００５０】尚、上記第１及び第２の実施例において
は、ＣＯＧ実装への対応性から本発明の有用性を説明し
たが、従来のように接続フィルムによって信号が供給さ
れるような電極端子を有する液晶パネルにおいても本発
明の有用性は何等損なわれるものではないことは言うま
でもないし、また液晶画像表示装置としてカラー表示で
あっても白黒表示であっても一向に支障無いことも明ら
かである。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
係る液晶画像表示装置の検査方法によると、電極線と対
向電極との間に交流信号を印加するため、絶縁ゲート型
トランジスタがＯＦＦ状態のときにはソース・ドレイン
間は絶縁状態と見做すことができ、液晶セルには容量比
により分割された電圧が印加されるので、すべての単位
絵素が一斉に表示すると共に蓄積容量が短絡した液晶セ
ルは最初に点灯する。

【００５２】また、請求項２の発明に係る液晶画像表示
装置の検査方法によると、複数の走査線のうちの１本お
きの走査線からなる２つの走査線群のうちの一方の走査
線群及び対向電極を接地すると共に、他方の走査線群と
上記対向電極との間に交流信号を印加するため、絶縁ゲ
ート型トランジスタがＯＦＦ状態になりソース・ドレイ
ン間は絶縁状態と見做すことができ、液晶セルには容量
比により分割された電圧が印加されるので、すべての単
位絵素が一斉に表示すると共に蓄積容量が短絡した液晶
セルは最初に点灯する。

【００５３】このため、本発明によると、組立て工程に
起因する点状欠陥やギャップ不良及び配向膜に起因する
各種の不良項目を簡易に検査することができると共に、
液晶セルの蓄積容量の短絡も簡単に検査することができ
るため、検査機の機構及び検査用探針の構成が簡素化さ
れ、検査コストが著しく低下する等の優れた効果が得ら
れる。また、ＴＦＴ動作を停止させて液晶パネルを表示
させるので組立工程起因の各種不良を最終的な画像検査
結果から分離することも可能となり、不良解析の有力な
一手段にもなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例に係る液晶画像表示装置の
検査方法を示す等価回路図である。

【図２】本発明の第２実施例に係る液晶画像表示装置の
検査方法を示す等価回路図である。

【図３】本発明の第２実施例に係る液晶画像表示装置の
検査方法を示す等価回路図である。

【図４】薄膜トランジスタの液晶パネルへの実装方法を
説明する斜視図である。

【図５】すべての絵素電極に共通な電極線と絵素電極と
からなる蓄積容量を有するアクティブ型液晶パネルの等
価回路図である。

【図６】絵素電極と前段走査線とからなる蓄積容量を有
するアクティブ型液晶パネルの等価回路図である。

【図７】カラー用アクティブ型液晶パネルの要部断面図
である。

【図８】図５に示すアクティブ型液晶パネルのＴＦＴ基
板上の平面パターン配置図である。

【図９】（ａ）は図８におけるIXａ−IXａ線の断面図で
あり、（ｂ）は図８におけるIXｂ−IXｂ線の断面図であ
る。

【図１０】図６に示すアクティブ型液晶パネルのＴＦＴ
基板上の平面パターン配置図である。

【図１１】（ａ）は図１０におけるXIａ−XIａ線の断面
図であり、（ｂ）は図１０におけるXIｂ−XIｂ線の断面
図である。

【符号の説明】

１ 液晶パネル ２ 第１のガラス板（第１の透光性絶縁性基板） ３ 半導体チップ ４ 接続フィルム ５，６ 電極端子 ９ 第２のガラス板（第２の透光性絶縁性基板） １０ 絶縁ゲート型トランジスタ １１ 走査線 １２ 信号線（ソース配線） １３ 液晶セル １４ 絵素電極 １５ 対向電極 １６ 液晶 １７ 共通の電極線 １８ 着色層 １９ 配向膜 ２０ 偏光板 ２２，２２Ａ，２２Ｂ 蓄積容量 ２３ ドレイン配線 ２４ 第１の酸化シリコン膜 ２５ 第２の酸化シリコン層 ２６ エッチング・ストッパー層 ２７ 不純物を含む非晶質シリコン層 ２８ 不純物を含まない非晶質シリコン層 ３０ 開口部 ３１ 交流信号源 ３２ ＴＦＴのＯＮ抵抗 ３３，３４ １本おきにグループ化された走査線群

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1368 G02F 1/133 550 G09G 3/36

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一の主面上に形成された複数本の走査線
   及び信号線を有すると共に、単位絵素毎に、絶縁ゲート
   型トランジスタ、絵素電極、及び各絵素電極に共通の電
   極線と上記絵素電極とから構成される蓄積容量をそれぞ
   れ有する第１の透光性絶縁性基板と、一の主面上に形成
   された透明導電性の対向電極を有する第２の透光性絶縁
   性基板と、上記第１の透光性絶縁性基板と第２の透光性
   絶縁性基板との間に充填された液晶とを備えた液晶画像
   表示装置の検査方法であって、上記共通の電極線と上記
   対向電極との間に交流信号を印加して画像表示を行な
   い、表示された画像の良否により液晶画像表示装置を検
   査することを特徴とする液晶画像表示装置の検査方法。
2. 【請求項２】 一の主面上に形成された複数本の走査線
   及び信号線を有すると共に、単位絵素毎に、絶縁ゲート
   型トランジスタ、絵素電極、及び前段の走査線と上記絵
   素電極とから構成される蓄積容量をそれぞれ有する第１
   の透光性絶縁性基板と、一の主面上に形成された透明導
   電性の対向電極を有する第２の透光性絶縁性基板と、上
   記第１の透光性絶縁性基板と第２の透光性絶縁性基板と
   の間に充填された液晶とを備えた液晶画像表示装置の検
   査方法であって、上記複数の走査線のうちの１本おきの
   走査線からなる２つの走査線群のうちの一方の走査線群
   及び上記対向電極を接地すると共に、上記２つの走査線
   群のうちの他方の走査線群と上記対向電極との間に交流
   信号を印加して画像表示を行ない、表示された画像の良
   否により液晶画像表示装置を検査することを特徴とする
   液晶画像表示装置の検査方法。