JP3083702B2 - ポリエチレンナフタレートの製造方法 - Google Patents

ポリエチレンナフタレートの製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はポリエチレンナフタレー
トの製造方法に関し、さらに詳しくは表面平坦性に優れ
たフイルムを形成し、静電密着性も良化しうるポリエチ
レンナフタレートの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】ポリエチレンナフタレートフイルムは、
ポリエチレンテレフタレートフイルムに比べて、耐熱
性、強度等の基本物性に優れていることから、磁気記録
媒体、コンデンサー、電絶テープ等種々の用途に用いる
ことが検討され、また多数提案されている。
【0003】しかしながら、特に磁気記録媒体のベース
フイルムとして用いる場合平坦な表面性が求められる
が、従来のポリエチレンナフタレートフイルムは特に蒸
着ビデオテープのベースフイルムに求められる表面平坦
性を十分達成できるものではなかった。この原因は、触
媒として用いた成分が析出したり、ポリマー成分と化合
物等を形成し、フイルム表面に微細な凹凸を生成するた
めと考えられている。
【0004】従来より、このようなフイルムの表面平坦
性を確保するために、触媒添加量の最適化、添加方法の
最適化が種々検討されてきたが、ポリエチレンナフタレ
ートに関して、このことは十分に満足のいく結果が得ら
れていないのが実情である。
【0005】さらに、フイルム生産性を考えた場合、静
電密着性が良好であった方が有利であることは言うまで
もないが、前述のフイルム平坦性とこの静電密着性を両
立させることに関して、従来の方法では十分に達成でき
るとは言い難い。
【0006】静電密着性を良化させるためには、従来ア
ルカリ金属化合物等を添加し、ポリマー溶融時の電気抵
抗を低減させる方法が検討されているが、析出粒子の表
面平坦性悪化への寄与があるため難しい。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、上述の
実情に鑑み、表面平坦性に優れたフイルムを形成し、か
つ静電密着性にも優れたポリエチレンナフタレートを開
発するために鋭意検討した結果、カルシウム化合物、マ
グネシウム化合物、リン化合物、アンチモン化合物を特
定量、特定比率にて触媒として添加する方法で製造した
ポリエチレンナフタレートを用いれば、表面平坦性、静
電密着性に優れたポリエチレンナフタレートフイルムを
得ることができることを見出し、本発明に到達した。
【0008】従って、本発明の目的は表面平坦性、静電
密着性に優れたフイルムを形成し得るポリエチレンナフ
タレートの製造方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、本発明
によれば、ナフタレンジカルボン酸の低級アルキルエス
テル(ただし、低級アルキル基の炭素数は1〜3)とエ
チレングリコールとを反応させてポリエチレンナフタレ
ートを製造する際、マグネシウム化合物、カルシウム化
合物、リン化合物及びアンチモン化合物を、下記式
(1)〜(4)を満足する割合で添加することを特徴と
するポリエチレンナフタレートの製造方法によって達成
される。
【0010】
【数2】
【0011】(ただし、Mgはマグネシウム化合物の、
酸成分106 g当りのモル数、Caはカルシウム化合物
の、酸成分106 g当りのモル数、Pはリン化合物の、
酸成分106 g当りのモル数、Sbはアンチモン化合物
に含まれるアンチモン元素の、酸成分106 g当りのグ
ラム原子数である。)本発明において、ナフタレンジカ
ルボン酸としては、例えば2,6―ナフタレンジカルボ
ン酸、2,7―ナフタレンジカルボン酸、1,5―ナフ
タレンジカルボン酸等を挙げることができるが、特に
2,6―ナフタレンジカルボン酸が好ましい。
【0012】本発明におけるナフタレンジカルボン酸の
低級アルキルエステルとは、ジメチルエステル、ジエチ
ルエステル、ジプロピルエステル等、低級アルキル基の
炭素数が1〜3のアルキルエステルであり、特にジメチ
ルエステルが好ましい。
【0013】本発明においては、ナフタレンジカルボン
酸の低級アルキルエステルとエチレングリコールとを反
応させてポリエチレンナフタレートとするが、この反応
においてナフタレンジカルボン酸の低級アルキルエステ
ルの一部(例えば20モル%以下)を他の酸成分で置換
して良く、またエチレングリコールの一部(例えば20
モル%以下)を他のグリコール成分で置換しても良い。
【0014】この他の酸成分としては、芳香族ジカルボ
ン酸例えばテレフタル酸、イソフタル酸、ジフェニルエ
タンジカルボン酸、ジフェニルジカルボン酸、ジフェニ
ルエーテルジカルボン酸、ジフェニルスルホンジカルボ
ン酸、ジフェニルケトンジカルボン酸、アンスラセンジ
カルボン酸等;脂肪族ジカルボン酸例えばアジピン酸、
セバチン酸等;脂環族ジカルボン酸例えばシクロヘキサ
ン―1,4―ジカルボン酸等などを例示することができ
る。
【0015】他のグリコール成分としては、脂肪族グリ
コール例えばトリメチレングリコール、テトラメチレン
グリコール、ペンタメチレングリコール、ヘキサメチレ
ングリコール、デカメチレングリコール等の如き炭素数
3〜10のポリメチレングリコール、シクロヘキサンジ
メタノール等;芳香族ジオール例えばハイドロキノン、
レゾルシン、2,2―ビス(4―ヒドロキシフェニル)
プロパン等;芳香環を有する脂肪族ジオール例えば1,
4―ジヒドロキシメチルベンゼン等;ポリアルキレング
リコール(ポリオキシアルキレングリコール)例えばポ
リエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポ
リテトラメチレングリコール等などを例示することがで
きる。
【0016】また、本発明においては、例えばヒドロキ
シ安息香酸の如き芳香族オキシ酸;ω―ヒドロキシカプ
ロン酸の如き脂肪族オキシ酸等のオキシカルボン酸に由
来する成分を、ジカルボン酸成分及びオキシカルボン酸
成分の総量に対し20モル%以下で共重合あるいは結合
させることもできる。
【0017】さらに、本発明においては、得られるポリ
エチレンナフタレートが実質的に線状である範囲の量、
例えば全酸成分に対し2モル%以下の量で、三官能以上
のポリカルボン酸又はポリヒドロキシ化合物、例えばト
リメリット酸、ペンタエリスリトール等を共重合させる
こともできる。
【0018】本発明においては、ナフタレンジカルボン
酸の低級アルキルエステルとエチレングリコールとの反
応で、先ず酸成分106 gに対して合計2.6〜3.7
モルの反応系に可溶なカルシウム化合物及びマグネシウ
ム化合物を添加し、エステル交換反応を行なう(以下、
モルとは酸成分106 g当りのモル数を示す。)。
【0019】エステル交換触媒としての、酸成分に対す
るカルシウム化合物及びマグネシウム化合物の合計添加
量が3.7モルを超えると、触媒残渣による析出粒子の
影響でフイルムに成形したときに表面平坦性が悪化し、
一方2.6モル未満ではエステル交換反応が完結しな
い。
【0020】また、前記カルシウム化合物に対するマグ
ネシウム化合物の割合(モル比)は1.3〜6.0であ
る。好ましくは1.4〜4.0の範囲である。このモル
比が6.0を超えても、1.3未満でも、触媒残渣によ
る影響でフイルムに成形したときの表面平坦性が悪化し
てしまう。
【0021】次いで、エステル交換反応が実質的に完結
したときに、エステル交換反応触媒の一部を失活させる
ためリン化合物を添加するが、リン化合物の添加量に対
するエステル交換反応触媒、すなわちカルシウム化合物
及びマグネシウム化合物の合計添加量の割合(モル比)
は2.3〜7.0である。好ましくは3.5〜6.0の
範囲である。このモル比が7.0を超えるとフイルムに
成形したときの強度が低下してしまい、好ましくない。
一方、このモル比が2.3未満となると、静電密着性が
悪化し、フイルム生産性が低下してしまう。また、失活
していないカルシウム化合物及びマグネシウム化合物が
重縮合工程で一部重合触媒として作用するが、2.3未
満のモル比のときは、重合活性のあるカルシウム化合物
及びマグネシウム化合物のモル数が減少し、実質重合反
応が長くなり、生産性が低下してしまい、好ましくな
い。
【0022】その後、反応生成物を重縮合反応させてポ
リマーとするが、該反応生成物にこの重縮合反応の主た
る触媒としてアンチモン化合物を添加する。なお、アン
チモン化合物は、エステル交換反応開始前に添加しても
よい。アンチモン化合物の量は0.4〜2.0グラム原
子数である(ここで、グラム原子数とはアンチモン化合
物に含まれるアンチモン元素の酸成分106 g当りのグ
ラム原子数を示す。以下同じ。)。この量が、2.0グ
ラム原子数を超えると、長時間のフイルム成形を行なっ
た場合、アンチモン化合物に起因する析出物がフイルム
欠点となり、一方0.4グラム原子数未満となると、重
縮合反応性に劣り、生産性が悪く、実質的に好ましくな
い。
【0023】本発明において用いる前記マグネシウム化
合物及びカルシウム化合物は、特に限定はされないが、
酸化物、塩化物、炭酸塩、カルボン酸塩等が好ましく、
特に酢酸塩、すなわち、酢酸マグネシウム、酢酸カルシ
ウムが好ましい。
【0024】また、前記リン化合物は、特に限定されな
いが、トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェー
ト、トリ―n―ブチルホスフェート等が好ましく、特に
トリメチルホスフェートが好ましい。
【0025】さらにまた、前記アンチモン化合物は、特
に限定されないが、酢酸アンチモン、三酸化アンチモン
等が好ましく、三酸化アンチモンが特に好ましい。
【0026】本発明においては、ポリエチレンナフタレ
ートの製造に際し、例えば顔料、染料、紫外線吸収剤、
熱安定剤、光安定剤、酸化防止剤、遮光剤(例えばカー
ボンブラック、二酸化チタン等)等の如き添加剤を必要
に応じて添加することもできる。
【0027】本発明で得られるポリエチレンナフタレー
トは、触媒に起因するポリマー不溶物の量がないか極め
て少なく、特にフイルム成形の原料として有用である。
【0028】このポリエチレンナフタレートをフイルム
に成形する手段としては公知の方法を用いることができ
る。例えば乾燥したポリエチレンナフタレートを、融点
(℃)〜(融点+65)℃の温度でシート状に溶融押出
し、急冷固化して未延伸フイルム(シート)を得る。次
いで該未延伸フイルムを縦方向に延伸した後、横方向に
延伸する、いわゆる縦・横逐次二軸延伸法あるいは、こ
の順序を逆にして延伸する方法等により延伸する。この
延伸温度、延伸倍率等は公知の条件から選ぶことができ
る。
【0029】本発明の方法によれば、表面平坦性に優れ
たフイルムを形成し得るポリエチレンナフタレートを得
ることができ、さらにはその静電密着性が良好なことか
らフイルムに成形する際も容易で生産性の高い方法でポ
リエチレンナフタレートフイルムを得ることができる。
【0030】
【実施例】以下、実施例を掲げて本発明を更に具体的に
説明するが、本発明は、その主旨を越えない限り、実施
例によって限定されるものではない。
【0031】なお、実施例での「部」は重量部を意味す
る。また実施例での各特性値の測定は下記の方法に従っ
た。
【0032】(1)平坦性 フイルム小片の表面にアルミスパッターを施し、光学顕
微鏡にて微分干渉光を照射しつつ倍率200倍で3mm
×3mmの範囲を観察する。そして突起と認識できる粒
子をカウントし、フイルムの平坦性を評価する。 <4段階判定> ◎ 突起数が20ケ/mm2 以下 ○ 突起数が21〜40ケ/mm2 × 突起数が41〜99ケ/mm2 ×× 突起数が100ケ/mm2 以上
【0033】(2)極限粘度数[η] ポリマーをフェノール/テトラクロルエタン=50/5
0(重量比)の混合溶媒に溶解し、35℃で測定する。
【0034】(3)静電密着性 ポリマーを180℃で乾燥した後305℃で溶融押出
し、40℃に保持したキャスティングドラム上で急冷固
化させて未延伸フイルムを巻き取る際、静電ピンニング
法にてフイルム厚みむらが小さく、安定して巻き取れる
速度により、静電密着性を評価する。 ○ 巻取り速度40m/分以上 △ 巻取り速度30〜40m/分 × 巻取り速度30m/分未満
【0035】(4)ヤング率 フイルムを試料巾10mm、長さ150mmに切り、チ
ャック間100mmにして引張速度10mm/分、チャ
ート速度500mm/分にインストロンタイプの万能引
張試験装置にて引張る。得られる荷重―伸び曲線の立上
り部の接線よりヤング率を計算する。
【0036】(5)フイルム中異物評価 ポリマーを180℃で乾燥した後308℃で溶融押出し
を行なう。吐出開始後12時間放流した後シート化し、
続いて130〜135℃で縦延伸倍率3.5倍、横延伸
倍率4.0倍に2軸延伸し、その後熱固定して厚さ12
μmのフイルムとする。
【0037】次にこのフイルムを偏光下で顕微鏡観察
し、偏光のかかる箇所に異物(スケール)の粒子が存在
するものをフィッシュアイとして、次のような判定をす
る。 特級:フィッシュアイが2ケ/50cm2 未満 1級:フィッシュアイが3〜5ケ/50cm2 2級:フィッシュアイが5〜10ケ/50cm2 3級:フィッシュアイが11ケ/50cm2 以上 なお、1級以上が実用に供される。
【0038】
【実施例1】2,6―ナフタレンジカルボン酸エステル
100部とエチレングリコール60部を、酢酸カルシウ
ム1水塩0.014部(0.8モル)及び酢酸マグネシ
ウム4水塩0.045部(2.1モル)をエステル交換
触媒として用いて常法に従ってエステル交換反応させ、
その後トリメチルフォスフェート0.011部(0.8
モル)を添加し、実質的にエステル交換反応を終了させ
た。
【0039】次いで三酸化アンチモン0.023部
(1.6グラム原子数)を添加し、引き続き高温高真空
下で常法通り重縮合反応を行ない極限粘度数0.60d
l/gのポリエチレンナフタレートを得た。重合時間、
すなわち真空吸引開始から所定の攪拌電力に到達するま
での時間は120分であった。
【0040】得られたポリエチレン―2,6―ナフタレ
ートの特性は表1に示す。
【0041】
【実施例2】酢酸カルシウム1水塩を0.009部
(0.5モル)、酢酸マグネシウム4水塩を0.056
部(2.6モル)とする以外は、実施例1と同様に行な
ってポリエチレン―2,6―ナフタレートを得た。この
ポリマー特性を表1に示す。
【0042】
【実施例3】酢酸カルシウム1水塩を0.023部
(1.3モル)、酢酸マグネシウム4水塩を0.036
部(1.7モル)とする以外は、実施例1と同様に行な
ってポリエチレン―2,6―ナフタレートを得た。この
ポリマー特性を表1に示す。
【0043】
【実施例4】酢酸カルシウム1水塩を0.016部
(0.9モル)、酢酸マグネシウム4水塩を0.047
部(2.2モル)、トリメチルフォスフェートを0.0
07部(0.5モル)とする以外は、実施例1と同様に
行なってポリエチレン―2,6―ナフタレートを得た。
このポリマー特性を表1に示す。
【0044】
【実施例5】酢酸マグネシウム4水塩を0.047部
(2.2モル)、トリメチルフォスフェートを0.01
4部(1.0モル)とする以外は、実施例1と同様に行
なってポリエチレン―2,6―ナフタレートを得た。こ
のポリマー特性を表1に示す。
【0045】
【比較例1】酢酸カルシウム1水塩を0.025部
(1.4モル)、酢酸マグネシウム4水塩を0.077
部(3.6モル)、トリメチルフォスフェートを0.0
20部(1.4モル)とする以外は、実施例1と同様に
行なってポリエチレン―2,6―ナフタレートを得た。
このポリマー特性を表1に示す。
【0046】
【比較例2】酢酸カルシウム1水塩を0.011部
(0.6モル)、酢酸マグネシウム4水塩を0.030
部(1.4モル)、トリメチルフォスフェートを0.0
07部(0.5モル)とする以外は、実施例1と同様に
行なってポリエチレン―2,6―ナフタレートを得た。
このポリマー特性を表1に示す。
【0047】
【比較例3】酢酸カルシウム1水塩を0.005部
(0.3モル)、酢酸マグネシウム4水塩を0.056
部(2.6モル)とする以外は、実施例1と同様に行な
ってポリエチレン―2,6―ナフタレートを得た。この
ポリマー特性を表1に示す。
【0048】
【比較例4】酢酸カルシウム1水塩を0.035部
(2.0モル)、酢酸マグネシウム4水塩を0.019
部(0.9モル)とする以外は、実施例1と同様に行な
ってポリエチレン―2,6―ナフタレートを得た。この
ポリマー特性を表1に示す。
【0049】
【比較例5】トリメチルフォスフェートを0.004部
(0.3モル)とする以外は、実施例1と同様に行なっ
てポリエチレン―2,6―ナフタレートを得た。このポ
リマー特性を表1に示す。
【0050】
【比較例6】トリメチルフォスフェートを0.041部
(2.9モル)とする以外は、実施例1と同様に行なっ
てポリエチレン―2,6―ナフタレートを得た。このポ
リマー特性を表1に示す。
【0051】
【比較例7】三酸化アンチモンを0.050部(3.4
グラム原子数)とする以外は、実施例1と同様に行なっ
てポリエチレン―2,6―ナフタレートを得た。このポ
リマー特性を表1に示す。
【0052】
【表1】
【0053】表1に示すように本発明のポリエチレンナ
フタレートを用いて得られたフイルムの表面平坦性は極
めて良好で、かつ静電密着性も高く、生産性も良好であ
った。さらにフイルム中異物も少なく品質は満足できる
ものであった。
【0054】
【発明の効果】本発明の方法によれば、触媒起因による
残渣粒子の発生が極めて少ないポリエチレンナフタレー
トを製造することができ、該ポリエチレンナフタレート
はフイルムとしてもその表面平坦性が良好で工業的な価
値は極めて高いものである。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C08G 63/82 - 63/87

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ナフタレンジカルボン酸の低級アルキルエ
    ステル(ただし、低級アルキル基の炭素数は1〜3)
    エチレングリコールとを反応させてポリエチレンナフタ
    レートを製造する際、マグネシウム化合物、カルシウム
    化合物、リン化合物及びアンチモン化合物を、下記式
    (1)〜(4)を満足する割合で添加することを特徴と
    するポリエチレンナフタレートの製造方法。 【数1】 (ただし、Mgはマグネシウム化合物の、酸成分106
    g当りのモル数、Caはカルシウム化合物の、酸成分1
    6 g当りのモル数、Pはリン化合物の、酸成分106
    g当りのモル数、Sbはアンチモン化合物に含まれるア
    ンチモン元素の、酸成分106 g当りのグラム原子数で
    ある。)
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