JP3056131B2 - システムのリセット方式 - Google Patents

システムのリセット方式

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JP3056131B2 JP16822297A JP16822297A JP3056131B2 JP 3056131 B2 JP3056131 B2 JP 3056131B2 JP 16822297 A JP16822297 A JP 16822297A JP 16822297 A JP16822297 A JP 16822297A JP 3056131 B2 JP3056131 B2 JP 3056131B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、システムのリセッ
ト方式に関し、特にEEPROMの書き込み動作中のリ
セット方式に関する。
【0002】
【従来の技術】図6は、従来システムのリセット方式
(リセット制御回路なし)である。図6に示すリセット
方式は、EEPROM全体回路11と、発振回路8と、
CPU10と、RESETN端子9とにより構成されて
いる。
【0003】EEPROM全体回路11は、リングオシ
レータ7と、読み出し回路2と、EEPROMセル1
と、制御回路12とにより構成されている。また、制御
回路12は、チャージポンプ6と、書き込み時間カウン
タ5と、書き込みデータラッチ3と、書き込み中ステー
タスフラグ4とにより構成されている。
【0004】図7は、図6のリセット方式のタイミング
図である。図6および図7により動作を説明する。EE
PROM書き込み命令が実行されると、書き込みデータ
ラッチ3に内部バス13のデータがラッチされる。ま
た、書き込み時間カウンタ5がカウントを開始する。同
時にリングオシレータ7が発振を始める。
【0005】書き込みデータラッチ3に内部バス13の
値がラッチされた後、書き込みデータラッチ3の値をE
EPROMセル1に書き込む動作を開始する。書き込み
データラッチ3にデータがラッチされた後は、CPU1
0とは無関係に書き込みが行われる。チャージポンプ6
は、リングオシレータ7からのクロックによりEEPR
OMセル1の書き込みに必要な電圧を作る。書き込み中
ステータスフラグ4は、書き込み時間カウンタが動作し
ている間ハイレベルを出力し、EEPROMセル1の書
き込み中であることを示す。
【0006】EEPROMセル1書き込み中にRESE
TN端子9からリセット信号を取り込むと、EEPRO
M全体回路11にリセットがかかり、書き込み時間カウ
ンタ5がカウントを停止し、EEPROMセル1の書き
込みは中断され、EEPROMセル1の値は不定にな
る。そして、書き込み中ステータスフラグ4は、ロウレ
ベル出力になる。
【0007】また、発振回路8およびCPU10にもリ
セットがかかり、動作停止になる。リセット解除後に、
EEPROM読み出し命令を実行した場合、読み出し回
路2および内部バス13を介して、EEPROMセル1
の不定をCPU10が読みとってしまう。
【0008】図8は、従来システムのリセット方式(リ
セット制御回路あり)である。図8に示すリセット方式
は、EEPROM全体回路11と、発振回路8と、CP
U10と、RESETN端子9と、リセット制御回路1
4とにより構成されている。
【0009】EEPROM全体回路11は、リングオシ
レータ7と、読み出し回路2と、EEPROMセル1
と、制御回路12とにより構成されている。また、制御
回路12は、チャージポンプ6と、書き込み時間カウン
タ5と、書き込みデータラッチ3と、書き込み中ステー
タス4とにより構成されている。
【0010】図9は、図8のリセット方式のタイミング
図である。図8および図9により動作を説明する。EE
PROM書き込み命令が実行されると、書き込みデータ
ラッチ3に内部バス13のデータがラッチされる。ま
た、書き込み時間カウンタ5がカウントを開始する。同
時にリングオシレータ7が発振を始める。
【0011】書き込みデータラッチ3に内部バス13の
値がラッチされた後、書き込みデータラッチ3の値をE
EPROMセル1に書き込む動作を開始する。書き込み
データラッチ3にデータがラッチされた後は、CPU1
0とは無関係に書き込みが行われる。チャージポンプ6
は、リングオシレータ7からのクロックによりEEPR
OMセル1の書き込みに必要な電圧を作る。書き込み中
ステータスフラグ4は、書き込み時間カウンタが動作し
ている間ハイレベルを出力し、EEPROMセル1の書
き込み中であることを示す。
【0012】EEPROMセル1書き込み中に、RES
ETN端子9からリセット信号を取り込んでも、書き込
み中ステータスフラグ4がハイレベルなので、リセット
制御回路14の出力15はロウレベルのままで、EEP
ROM全体11、CPU10、発振回路8にはリセット
がかからない。書き込み時間カウンタ5のカウントが完
了したら、EEPROMセル1の書き込みが終了し、書
き込み時間中ステータスフラグ4がロウレベルになる。
書き込み時間ステータスフラグ4がロウレベルになる
と、リセット制御回路14の出力15はハイレベルにな
り、EEPROM全体回路11、CPU10、発振回路
8にリセットがかかる。EEPROM全体回路11にリ
セットがかかる時には、すでにEEPROMセル1の書
き込みが完了しているので、EEPROMセル1には内
部バス13の値が正常に書き込まれている。
【0013】リセット解除後にEEPROM読み出し命
令を実行した場合、読み出し回路2および内部バス13
を介して、EEPROMセル1の正常な値をCPU10
で読みとることができる。
【0014】図10は、特開平2−210515号公報
に示された通信処理装置の内部構成である。図10に示
す通信処理装置は、プロセッサ(演算処理部)31と、
プロセッサ(バスインタフェース)32と、プロセッサ
(回路制御部)34と、制御回路40と、記憶回路33
と、リセット制御回路38と、スイッチ37とにより構
成されている。
【0015】制御回路40は、プロセッサ(演算処理
部)31と、プロセッサ(バスインタフェース)32
と、プロセッサ(回路制御部)34とにより、記憶装置
33の読み書きを制御する。
【0016】リセット制御回路38は、メモリスタート
信号sとメモリアクセス完了信号fの状態により記憶装
置33が書き込み中かどうかを検出し、書き込み中の時
はリセット信号rがアクティブになってもセーブリセッ
ト信号srを保留し、記憶装置33の書き込みが終了し
てからセーブリセット信号srをアクティブにする。
【0017】このセーブリセット信号srによりシステ
ム内の保留リセットが実行される。スイッチ37およぴ
初期診断リセット信号irは、本発明の主旨と無関係な
ので説明を省略する。
【0018】図8と図10は、システムのリセット方式
に関しては同じ考え方である。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】図6の従来システムの
リセット方式(リセット制御回路なし)では、EEPR
OMの書き込み実行中でもRESETN端子9からのリ
セット信号によりEEPROM全体回路11、発振回路
8がリセットされてしまう。そのため、EEPROMセ
ル1に書き込んでいる途中にリセットが発生した場合、
EEPROMの書き込みが中断されてEEPROMセル
1のデータが不定になってしまい、リセット解除後にE
EPROM読み出し命令を実行した場合、EEPROM
セル1の不定をCPU10が読みとってしまうという問
題がある。
【0020】図8の従来システムのリセット方式(リセ
ット制御回路あり)および図10の特開平2−2105
15号公報で示された通信処理装置では、EEPROM
の書き込みが完了するまでリセットを保留する対策が示
されているが、電源異常などの理由でリセットが発生
し、EEPROMの書き込み実行中にRESETN端子
9からのリセット信号を取り込んだ場合、リセット制御
回路14によりEEPROMの書き込みが完了するまで
全てのリセットを保留してしまうので、CPU10や発
振回路8もリセットされず、CPU10や発振器8が異
常動作を行い、システム全体を暴走させる危険性がある
という問題がある。
【0021】本発明の目的は、EEPROM書き込み中
に電源異常などによりリセット信号を取り込んだ場合で
も、EEPROM書き込みは最後まで正常に行い、なお
かつ、システム全体の暴走を回避するシステムのリセッ
ト方式を提供することにある。
【0022】
【課題を解決するための手段】本発明のシステムのリセ
ット方式は、CPUとEEPROM全体回路と発振回路
とリセット制御回路を有したシステムにおいて、システ
ムリセット発生時は、EEPROMの書き込み動作を検
出し、EEPROMが書き込み動作を行っている場合
は、EEPROMの書き込み動作が終了するまでEEP
ROMのリセットを保留し、少なくともCPUのリセッ
トを行うことを特徴とする。
【0023】
【発明の実施の形態】次に、本発明の第1の実施の形態
について図面を参照して説明する。図1は、本発明のリ
セット方式の第1の実施の形態を示すブロック図であ
り、図2は、第1の実施の形態の動作を示すタイミング
図である。
【0024】図1に示すリセット方式は、EEPROM
全体回路11と、発振回路8と、CPU10と、RES
ETN端子9と、リセット制御回路14とにより構成さ
れている。EEPROM全体回路11は、リングオシレ
ータ7と、読み出し回路2と、EEPROMセル1と、
制御回路12とにより構成されている。また、制御回路
12は、チャージポンプ6と、書き込み時間カウンタ5
と、書き込みデータラッチ3と、書き込み中ステータス
フラグ4とにより構成されている。
【0025】EEPROM書き込み命令が実行される
と、書き込みデータラッチ3に内部バス13のデータが
ラッチされる。また、書き込み時間カウンタ5がカウン
トを開始する。同時にリングオシレータ7が発振を始め
る。書き込みデータラッチ3にデータがラッチされた
後、書き込みデータラッチ3の値をEEPROMセル1
に書き込む動作を開始する。書き込み時間カウンタ5の
クロックは、リングオシレータ7のクロックにする。チ
ャージポンプ6は、リングオシレータ7からのクロック
によりEEPROMセル1の書き込みに必要な電圧を作
る。書き込み中ステータスフラグ4は、書き込み時間カ
ウンタが動作している間ハイレベルを出力し、EEPR
OMの書き込み中であることを示す。
【0026】EEPROM書き込み中に、RESETN
端子9からリセット信号を取り込んでも、書き込み中ス
テータスフラグ4がハイレベルなので、リセット制御回
路14の出力15はロウレベルのままで、書き込み時間
カウンタ5のカウントが完了して、EEPROMセル1
の書き込みが終了し、書き込み時間中ステータスフラグ
4がロウレベルになるまでEEPROM全体回路11に
はリセットがかからない。CPU10、発振回路8は、
RESETN端子9からリセット信号を取り込んだ時点
でリセットがかかる。
【0027】本実施の形態では、EEPROMの書き込
みは、書き込みデータラッチ3に内部バス13の値がラ
ッチされた以降は、EEPROM全体回路11だけで書
き込みが行われるので、CPU10が停止しても問題な
い。また、EEPROMの書き込み時間をカウントする
書き込み時間カウンタ5が停止すると、EEPROMの
書き込み自体も停止してしまうので、書き込み時間カウ
ンタ5のクロックは停止しないような構成にしている。
【0028】図3は、第1の実施の形態のリセット制御
回路14の一例を示す図である。リセット制御回路14
は、EEPROM全体回路11を初期化するパワーオン
リセット148と、ディレー145と、書き込み中ステ
ータスフラグ4の反転させるINV回路147と、RE
SETN端子9からのリセット信号をラッチするNAN
D回路141,142と、AND回路143と、OR回
路144とにより構成されている。
【0029】パワーオンリセット148により、書き込
み中ステータスフラグ4の初期値をロウレベルにする。
書き込み中ステータスフラグ4がロウレベルの時、つま
り、EEPROMの書き込み実行中でないときに、RE
SETN端子からロウレベルアクティブのリセット信号
を取り込んだ場合は、NAND回路141の出力はハイ
レベルになり、AND回路143の出力はハイレベルに
なり、リセット制御回路14の出力15がハイレベルに
なり、リセット信号は保留されずにEEPROM全体回
路11をリセットする。
【0030】書き込み中ステータスフラグ4がハイレベ
ルの時、つまり、EEPROMの書き込み実行中のとき
に、RESETN端子からロウレベルアクティブのリセ
ット信号を取り込んだ場合は、NAND回路141の出
力はハイレベルになるが、AND回路143のもう一方
の入力がロウレベルなので、AND回路143の出力は
ロウレベルのままである。リセット制御回路の出力15
はロウレベルのままなので、リセット信号は保留され、
EEPROM全体回路11の動作は継続される。
【0031】書き込み中ステータスフラグ4がハイレベ
ルの時、つまり、EEPROMの書き込みが実行中に、
RESETN端子9がロウレベルアクティブからハイレ
ベルになっても、NAND回路141の出力はハイレベ
ルを保持している。書き込み中ステータスフラグ4がロ
ウレベルに変化したとき、つまり、EEPROMの書き
込みが完了した時、AND回路143の出力はハイレベ
ルとなり、リセット制御回路の出力15がハイレベルに
なり、EEPROM全体回路11をリセットする。ディ
レー145で設定した時間の後に、NAND回路142
の出力がハイレベルになり、NAND回路143の出力
がロウレベルになり、リセット制御回路の出力15はロ
ウレベルになる。つまり、ディレー145の期間だけ、
リセット制御回路の出力15はハイレベルになる。
【0032】次に、本発明の第2の実施の形態について
図面を参照して説明する。図4は、本発明のリセット方
式の第2の実施の形態を示すブロック図であり、図5
は、第2の実施の形態の動作を示すタイミング図であ
る。
【0033】図4に示すリセット方式は、EEPROM
全体回路11と、発振回路8と、CPU10と、RES
ETN端子9と、リセット制御回路14とにより構成さ
れている。EEPROM全体回路11は、リングオシレ
ータ7と、読み出し回路2と、EEPROMセル1と、
制御回路12とにより構成されている。また、制御回路
12は、チャージポンプ6と、書き込み時間カウンタ5
と、書き込みデータラッチ3と、書き込み中ステータス
フラグ4とにより構成されている。
【0034】EEPROM書き込み命令が実行される
と、書き込みデータラッチ3に内部バス13のデータが
ラッチされる。また、書き込み時間カウンタ5がカウン
トを開始する。同時にリングオシレータ7が発振を始め
る。書き込みデータラッチ3にデータがラッチされた
後、書き込みデータラッチ3の値をEEPROMセル1
に書き込む動作を開始する。書き込み時間カウンタ5の
クロックは発振回路8のクロックにする。チャージポン
プ6は、リングオシレータ7からのクロックによりEE
PROMセル1の書き込みに必要な電庄を作る。書き込
み中ステータスフラグ4は、書き込み時間カウンタが動
作している間ハイレベルを出力し、EEPROMの書き
込み中であることを示す。
【0035】EEPROM書き込み中に、RESETN
端子9からリセット信号を取り込んでも、書き込み中ス
テータスフラグ4がハイレベルなので、リセット制御回
路14の出力15はロウレベルのままで、書き込み時間
カウンタ5のカウントが完了して、EEPROMセル1
の書き込みが終了し、書き込み時間中ステータスフラグ
4がロウレベルになるまで、EEPROM全体11およ
び発振回路8にはリセットがかからない。CPU10
は、RESETN端子9からリセット信号を取り込んだ
時点でリセットがかかる。
【0036】上述したように本実施の形態は、EEPR
OM書き込み中に電源異常などによりリセット信号を取
り込んだ場合、EEPROM書き込みは最後まで正常に
行い、なおかつ、システム全体の暴走を回避することが
できる。
【0037】一実施例として、モニタ用のEEPROM
内蔵マイコンをあげて説明する。EEPROM書き込み
中にユーザーが画面の輝度を調整した場合、電源を切っ
てもその設定状態を保持するためにEEPROMに画面
輝度調整後のRAMの値をEEPROMに書き込む。こ
のEEPROM書き込み中に電源異常があり、システム
リセットが発生した場合、EEPROMの書き込み中の
期間CPUまでリセットを保留してしまうとCPUが暴
走する危険性がある。マイコンが出力するPWM出力で
DA変換を行い、水平の画面サイズを変える電圧の電源
回路を設計する際、マイコンのPWMデューティが例え
ば通常の50%±10%と仮定していた場合、CPUの
暴走でPWMのデューティが90%−10%になってし
まったら電源回路が壊れる危険性がある。本発明は、こ
のような問題を回避することができる。
【0038】
【発明の効果】以上説明したように本発明の第1の実施
の形態は、EEPROM書き込み中に電源異常などによ
りリセット信号を取り込んだ場合、EEPROMがデー
タ書き込み動作中か否かを検出し、EEPROMが書き
込み動作中の場合は、EEPROMの書き込み動作のリ
セットのみを書き込み動作が終了するまで保留し、記憶
装置の書き込み動作以外のリセットは保留するので、E
EPROM書き込みは最後まで正常に行い、なおかつ、
システム全体の暴走を回避することができるという効果
を有する。
【0039】また、第1の実施の形態では、書き込み時
間カウンタ5のクロックは、リングオシレータ7の出力
なので、電源電庄の変動に伴いリングオシレータの周期
が変化するとEEPROMの書き込み時間が変化してし
まう。そのため、電源電圧が変動するようなアプリケー
ションに対応できない。これに対し、第2の実施の形態
は、書き込み時間カウンタ5のクロックは、発振回路8
の出力なので、電源電圧が変動してもEEPROMの書
き込み時間は変化しない。そのため、第2の実施の形態
は、電源電圧が変動するようなアプリケーションで有効
である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のリセット方式の第1の実施の形態を示
すブロック図である。
【図2】第1の実施の形態の動作を示すタイミング図で
ある。
【図3】第1の実施の形態のリセット制御回路の一例を
示す図である。
【図4】本発明のリセット方式の第2の実施の形態を示
すブロック図である。
【図5】第2の実施の形態の動作を示すタイミング図で
ある。
【図6】従来システムのリセット方式を示すブロック図
である。
【図7】図6のリセット方式のタイミング図である。
【図8】従来システムのリセット方式を示すブロック図
である。
【図9】図8のリセット方式のタイミング図である。
【図10】特開平2−210515号公報の通信処理装
置のブロック図である。
【符号の説明】
1 EEPROMセル 2 読み出し回路、 3 書き込みデータラッチ 4 書き込み中ステータスフラグ 5 書き込み時間カウンタ 6 チャージポンプ 7 リングオシレータ 8 発振回路 9 RESETN端子 10 CPU 11 EEPROM全体回路 12 制御回路 13 内部バス 14 リセット制御回路 15 リセット制御回路の出力 31 プロセッサ(演算処理部) 32 プロセッサ(バスインターフェース) 33 記憶装置 34 プロセッサ(回路制御部) 35a,35b,35c 内部バス 37 スイッチ 38 リセット制御回路 40 制御回路 141,142 NAND回路 143 AND回路 144 OR回路 145 ディレー 146 パワーオンリセット 147,148 INV回路 f メモリアクセス完了信号 s メモリスタート信号 r リセット信号・ ir 初期診断リセット信号 sr セーブリセット信号
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G06F 1/24 G11C 16/02 G06F 12/16 340

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】CPUと記憶装置と発振回路とリセット制
    御回路を有するシステムにおいて、前記リセット制御回
    路は、システムリセット発生時に、前記記憶装置の書き
    込み動作を検出し、前記記憶装置が書き込み動作を行っ
    ている場合には、前記記憶装置の書き込み動作が終了す
    るまで前記記憶装置のリセットを保留し、少なくとも前
    記CPUのリセットを行うことを特徴とするシステムの
    リセット方式。
  2. 【請求項2】CPUと記憶装置と発振回路とリセット制
    御回路を有するシステムにおいて、前記リセット制御回
    路は、システムリセット発生時に、前記記憶装置の書き
    込み動作を検出し、前記記憶装置が書き込み動作を行っ
    ている場合には、前記記憶装置の書き込み動作が終了す
    るまで前記記憶装置および発振回路のリセットを保留
    し、前記CPUのリセットを行うことを特徴とするシス
    テムのリセット方式。
  3. 【請求項3】前記記憶装置が、EEPROMを含むこと
    を特徴とする請求項1または2に記載のシステムのリセ
    ット方式。
  4. 【請求項4】前記記憶装置の書き込み動作の検出を、前
    記記憶装置のステータス回路により行うことを特徴とす
    る請求項1〜3のいずれかに記載のシステムのリセット
    方式。
  5. 【請求項5】前記記憶装置の書き込み動作の継続を、リ
    ングオシレータもしくは発振回路により行うことを特徴
    とする請求項1〜4のいずれかに記載のシステムのリセ
    ット方式。
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