JP3028349B2 - Ｓｉ−Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーの製造方法 - Google Patents
Ｓｉ−Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｓｉ−Ｓｉ結合を主鎖
に有するポリマーの製造方法に関する。
に有するポリマーの製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術とその問題点】Ｓｉ−Ｓｉ結合を主鎖に有す
るポリマーは、セラミックス前駆体、光・電子材料など
の有用な材料として注目されている。従来、Ｓｉ−Ｓｉ
結合を主鎖に有するポリマーの製造方法としては、金属
ナトリウムなどのアルカリ金属を用いて、トルエン溶媒
中で対応するジクロロ化合物を１００℃以上の温度で長
時間攪拌し、還元的にカップリングさせる方法が知られ
ている｛Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，６ （１９
８７） １６７３｝。しかしながら、この方法は、過酷
な反応条件（例えば、長時間の加熱が必要である）を必
要とすること、分子量の制御が出来ないこと、工業的規
模での生産に際しては、アルカリ金属を大量に使用する
ので、安全性に大きな問題があること、などの欠点を有
している。
るポリマーは、セラミックス前駆体、光・電子材料など
の有用な材料として注目されている。従来、Ｓｉ−Ｓｉ
結合を主鎖に有するポリマーの製造方法としては、金属
ナトリウムなどのアルカリ金属を用いて、トルエン溶媒
中で対応するジクロロ化合物を１００℃以上の温度で長
時間攪拌し、還元的にカップリングさせる方法が知られ
ている｛Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，６ （１９
８７） １６７３｝。しかしながら、この方法は、過酷
な反応条件（例えば、長時間の加熱が必要である）を必
要とすること、分子量の制御が出来ないこと、工業的規
模での生産に際しては、アルカリ金属を大量に使用する
ので、安全性に大きな問題があること、などの欠点を有
している。
【０００３】
【問題点を解決するための手段】本発明者は、上記の如
き従来技術の現状に鑑みて鋭意研究を重ねた結果、特定
の化合物を特定の金属を陽極として使用する電極反応に
供する場合には、従来技術の問題点が実質的に解消され
るか乃至は大幅に軽減されることを見出した。また、こ
の様な電極反応において、両電極の極性を一定時間間隔
で切り替えることにより、反応効率が大幅に改善される
ことをも見出した。さらにまた、上記の如き電極反応に
際して、反応器又は反応溶液に超音波を照射する場合に
は、反応時間が短縮されるとともに、反応生成物の収量
が増大することをも見出した。
き従来技術の現状に鑑みて鋭意研究を重ねた結果、特定
の化合物を特定の金属を陽極として使用する電極反応に
供する場合には、従来技術の問題点が実質的に解消され
るか乃至は大幅に軽減されることを見出した。また、こ
の様な電極反応において、両電極の極性を一定時間間隔
で切り替えることにより、反応効率が大幅に改善される
ことをも見出した。さらにまた、上記の如き電極反応に
際して、反応器又は反応溶液に超音波を照射する場合に
は、反応時間が短縮されるとともに、反応生成物の収量
が増大することをも見出した。
【０００４】すなわち、本発明は、下記のＳｉ−Ｓｉ結
合を主鎖に有するポリマーの製造方法を提供するもので
ある： 一般式 （式中、Ｒは、芳香族基、不飽和脂肪族基、−（Ｃ
Ｈ２）ｍ−基または−（ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ）ｍ−基
（ｍは、１〜２０である）を表わし；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３
およびＲ４は、それぞれ同一或いは異なって、水素原
子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアミ
ノ基を表わし；Ｘは、ハロゲン原子を表わす）で示され
る化合物をＭｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、ＳｎまたはＡｌを陽極と
して使用する電極反応に供することにより、一般式 （式中、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、上記に同
じ；ｎは、１０〜１００００である）で示されるＳｉ−
Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーを形成させることを特徴
とするポリマーの製造方法。 一般式 （式中、Ｒは、芳香族基、不飽和脂肪族基、−（Ｃ
Ｈ２）ｍ−基または−（ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ）ｍ−基
（ｍは、１〜２０である）を表わし；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３
およびＲ４は、それぞれ同一或いは異なって、水素原
子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアミ
ノ基を表わし；Ｘは、ハロゲン原子を表わす）で示され
る化合物を超音波の照射下にＭｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎま
たはＡｌを陽極として使用する電極反応に供することに
より、一般式 （式中、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、上記に同
じ；ｎは、１０〜１００００である）で示されるＳｉ−
Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーを形成させることを特徴
とするポリマーの製造方法。 一般式 （式中、Ｒは、芳香族基、不飽和脂肪族基、−（Ｃ
Ｈ２）ｍ−基または−（ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ）ｍ−基
（ｍは、１〜２０である）を表わし；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３
およびＲ４は、それぞれ同一或いは異なって、水素原
子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアミ
ノ基を表わし；Ｘは、ハロゲン原子を表わす）で示され
る化合物をＭｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、ＳｎまたはＡｌを一方の
極とし、これらと同種又は異種の導電性材料を他方の極
として一定の時間間隔で電極の極性を切り替える電極反
応に供することにより、一般式 （式中、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、上記に同
じ；ｎは、１０〜１００００である）で示されるＳｉ−
Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーを形成させることを特徴
とするポリマーの製造方法。 一般式 （式中、Ｒは、芳香族基、不飽和脂肪族基、−（Ｃ
Ｈ２）ｍ−基または−（ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ）ｍ−基
（ｍは、１〜２０である）を表わし；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３
およびＲ４は、それぞれ同一或いは異なって、水素原
子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアミ
ノ基を表わし；Ｘは、ハロゲン原子を表わす）で示され
る化合物を超音波の照射下にＭｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎま
たはＡｌを一方の極とし、これらと同種又は異種の導電
性材料を他方の極として一定の時間間隔で電極の極性を
切り替える電極反応に供することにより、一般式 （式中、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、上記に同
じ；ｎは、１０〜１００００である）で示されるＳｉ−
Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーを形成させることを特徴
とするポリマーの製造方法。
合を主鎖に有するポリマーの製造方法を提供するもので
ある： 一般式 （式中、Ｒは、芳香族基、不飽和脂肪族基、−（Ｃ
Ｈ２）ｍ−基または−（ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ）ｍ−基
（ｍは、１〜２０である）を表わし；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３
およびＲ４は、それぞれ同一或いは異なって、水素原
子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアミ
ノ基を表わし；Ｘは、ハロゲン原子を表わす）で示され
る化合物をＭｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、ＳｎまたはＡｌを陽極と
して使用する電極反応に供することにより、一般式 （式中、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、上記に同
じ；ｎは、１０〜１００００である）で示されるＳｉ−
Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーを形成させることを特徴
とするポリマーの製造方法。 一般式 （式中、Ｒは、芳香族基、不飽和脂肪族基、−（Ｃ
Ｈ２）ｍ−基または−（ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ）ｍ−基
（ｍは、１〜２０である）を表わし；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３
およびＲ４は、それぞれ同一或いは異なって、水素原
子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアミ
ノ基を表わし；Ｘは、ハロゲン原子を表わす）で示され
る化合物を超音波の照射下にＭｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎま
たはＡｌを陽極として使用する電極反応に供することに
より、一般式 （式中、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、上記に同
じ；ｎは、１０〜１００００である）で示されるＳｉ−
Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーを形成させることを特徴
とするポリマーの製造方法。 一般式 （式中、Ｒは、芳香族基、不飽和脂肪族基、−（Ｃ
Ｈ２）ｍ−基または−（ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ）ｍ−基
（ｍは、１〜２０である）を表わし；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３
およびＲ４は、それぞれ同一或いは異なって、水素原
子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアミ
ノ基を表わし；Ｘは、ハロゲン原子を表わす）で示され
る化合物をＭｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、ＳｎまたはＡｌを一方の
極とし、これらと同種又は異種の導電性材料を他方の極
として一定の時間間隔で電極の極性を切り替える電極反
応に供することにより、一般式 （式中、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、上記に同
じ；ｎは、１０〜１００００である）で示されるＳｉ−
Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーを形成させることを特徴
とするポリマーの製造方法。 一般式 （式中、Ｒは、芳香族基、不飽和脂肪族基、−（Ｃ
Ｈ２）ｍ−基または−（ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ）ｍ−基
（ｍは、１〜２０である）を表わし；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３
およびＲ４は、それぞれ同一或いは異なって、水素原
子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアミ
ノ基を表わし；Ｘは、ハロゲン原子を表わす）で示され
る化合物を超音波の照射下にＭｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎま
たはＡｌを一方の極とし、これらと同種又は異種の導電
性材料を他方の極として一定の時間間隔で電極の極性を
切り替える電極反応に供することにより、一般式 （式中、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、上記に同
じ；ｎは、１０〜１００００である）で示されるＳｉ−
Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーを形成させることを特徴
とするポリマーの製造方法。
【０００５】以下において、上記乃至発明を本願第
１発明乃至本願第４発明と言い、これらを総括して単に
本発明と言う。
１発明乃至本願第４発明と言い、これらを総括して単に
本発明と言う。
【０００６】本発明において、出発原料として使用する
化合物は、一般式 （式中、Ｒは、芳香族基、不飽和脂肪族基、−（Ｃ
Ｈ２）ｍ−基または−（ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ）ｍ−基
（ｍは、１〜２０である）を表わし；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３
およびＲ４は、それぞれ同一或いは異なって、水素原
子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアミ
ノ基を表わし；Ｘは、ハロゲン原子を表わす）で示され
るものである。
化合物は、一般式 （式中、Ｒは、芳香族基、不飽和脂肪族基、−（Ｃ
Ｈ２）ｍ−基または−（ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ）ｍ−基
（ｍは、１〜２０である）を表わし；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３
およびＲ４は、それぞれ同一或いは異なって、水素原
子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアミ
ノ基を表わし；Ｘは、ハロゲン原子を表わす）で示され
るものである。
【０００７】また、本発明における反応生成物は、一般
式 （式中、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、上記に同
じ；ｎは、１０〜１００００である）で示されるＳｉ−
Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーである。該ポリマーの平
均分子量は、通常１５００〜１００万程度の範囲にあ
る。
式 （式中、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、上記に同
じ；ｎは、１０〜１００００である）で示されるＳｉ−
Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーである。該ポリマーの平
均分子量は、通常１５００〜１００万程度の範囲にあ
る。
【０００８】一般式（１）において、Ｒで示される構造
部としては、下記の如きものが挙げられる。 ＊フェニレン、ナフタニレン、ビフェニレン、
部としては、下記の如きものが挙げられる。 ＊フェニレン、ナフタニレン、ビフェニレン、
【化１】 （ただし、Ｙは、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、ＴｅまたはＮを示す）
などの二価の芳香族基。 ＊エテニレン、エチニレンなどの二価の不飽和脂肪族
基。 ＊−（ＣＨ２）ｍ−基（ｍは、１〜２０である）。 ＊−（ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ）ｍ−基（ｍは、１〜２０で
ある）。
などの二価の芳香族基。 ＊エテニレン、エチニレンなどの二価の不飽和脂肪族
基。 ＊−（ＣＨ２）ｍ−基（ｍは、１〜２０である）。 ＊−（ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ）ｍ−基（ｍは、１〜２０で
ある）。
【０００９】一般式（１）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３
およびＲ４で示される水素原子、アミノ基ならびに有機
置換基は、それぞれが相異なっていても良く、或いは２
個以上が同一であっても良い。有機置換基としてのアル
キル基としては、炭素数１〜１０程度のものが挙げら
れ、これらの中でも炭素数１〜６のものがより好まし
い。アリール基としては、フェニル基、炭素数１〜６の
アルキル基の少なくとも１種を置換基として有するフェ
ニル基、ｐ−アルコキシフェニル基などが挙げられる。
アルコキシ基としては、炭素数１〜１０程度のものが挙
げられ、これらの中でも炭素数１〜６のものがより好ま
しい。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４が、上記のアミノ基
および有機置換基である場合には、その水素原子の少な
くとも１個ががさらに他のアルキル基、アリール基。ア
ルコキシ基などの官能基により置換されていても良い。
およびＲ４で示される水素原子、アミノ基ならびに有機
置換基は、それぞれが相異なっていても良く、或いは２
個以上が同一であっても良い。有機置換基としてのアル
キル基としては、炭素数１〜１０程度のものが挙げら
れ、これらの中でも炭素数１〜６のものがより好まし
い。アリール基としては、フェニル基、炭素数１〜６の
アルキル基の少なくとも１種を置換基として有するフェ
ニル基、ｐ−アルコキシフェニル基などが挙げられる。
アルコキシ基としては、炭素数１〜１０程度のものが挙
げられ、これらの中でも炭素数１〜６のものがより好ま
しい。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４が、上記のアミノ基
および有機置換基である場合には、その水素原子の少な
くとも１個ががさらに他のアルキル基、アリール基。ア
ルコキシ基などの官能基により置換されていても良い。
【００１０】また、一般式（１）において、Ｘは、ハロ
ゲン原子（Ｃｌ，Ｆ，Ｂｒ，Ｉ）を表わす。ハロゲン原
子としては、Ｃｌがより好ましい。
ゲン原子（Ｃｌ，Ｆ，Ｂｒ，Ｉ）を表わす。ハロゲン原
子としては、Ｃｌがより好ましい。
【００１１】本発明方法においては、一般式（１）で表
わされる化合物の１種を単独で使用しても良く、或いは
２種以上を混合使用しても良い。該化合物は、出来るだ
け高純度であることが好ましく、例えば、使用前に蒸留
して使用することが好ましい。
わされる化合物の１種を単独で使用しても良く、或いは
２種以上を混合使用しても良い。該化合物は、出来るだ
け高純度であることが好ましく、例えば、使用前に蒸留
して使用することが好ましい。
【００１２】反応に際しては、一般式（１）で表わされ
る化合物を溶媒に溶解して使用する。溶媒としては、非
プロトン性の溶媒が広く使用でき、より具体的には、プ
ロピレンカーボネート、アセトニトリル、ジメチルホル
ムアミド、ジメチルスルホキシド、１，２−ジメトキシ
エタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジ
オキサン、テトラヒドロフラン、塩化メチレンなどが例
示される。これらの溶媒は、単独でも、或いは２種以上
の混合物としても使用できる。溶媒としては、１，２−
ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテ
ル、ｐ−ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテ
ル系溶媒を単独で若しくは他の溶媒と混合して使用する
ことがより好ましく、１，２−ジメトキシエタンまたは
テトラヒドロフランを単独で使用することが特に好まし
い。溶媒中の原料化合物の濃度は、低すぎる場合には、
電流効率が低下するのに対し、高すぎる場合には、支持
電解質が溶解しないことがある。したがって、溶媒中の
原料化合物の濃度は、通常０．０５〜２０ｍｏｌ／ｌ程
度であり、より好ましくは０．１〜１５ｍｏｌ／ｌ程度
であり、特に好ましくは０．２〜１３ｍｏｌ／ｌ程度で
ある。
る化合物を溶媒に溶解して使用する。溶媒としては、非
プロトン性の溶媒が広く使用でき、より具体的には、プ
ロピレンカーボネート、アセトニトリル、ジメチルホル
ムアミド、ジメチルスルホキシド、１，２−ジメトキシ
エタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジ
オキサン、テトラヒドロフラン、塩化メチレンなどが例
示される。これらの溶媒は、単独でも、或いは２種以上
の混合物としても使用できる。溶媒としては、１，２−
ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテ
ル、ｐ−ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテ
ル系溶媒を単独で若しくは他の溶媒と混合して使用する
ことがより好ましく、１，２−ジメトキシエタンまたは
テトラヒドロフランを単独で使用することが特に好まし
い。溶媒中の原料化合物の濃度は、低すぎる場合には、
電流効率が低下するのに対し、高すぎる場合には、支持
電解質が溶解しないことがある。したがって、溶媒中の
原料化合物の濃度は、通常０．０５〜２０ｍｏｌ／ｌ程
度であり、より好ましくは０．１〜１５ｍｏｌ／ｌ程度
であり、特に好ましくは０．２〜１３ｍｏｌ／ｌ程度で
ある。
【００１３】本発明で使用する支持電解質としては、過
塩素酸ナトリウム、過塩素酸リチウムなどの過塩素酸ア
ルカリ金属；テトラフルオロ硼酸リチウムなどのテトラ
フルオロ硼酸アルカリ金属；塩化テトラ−ｎ−ブチルア
ンモニウムなどのハロゲン化テトラアルキルアンモニウ
ム；過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムなどの過
塩素酸テトラアルキルアンモニウム；テトラフルオロ硼
酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムなどのテトラフルオ
ロ硼酸テトラアルキルアンモニウムなどが例示される。
これらの支持電解質は、単独で使用しても良く、或いは
２種以上を併用しても良い。これら支持電解質の中で
も、過塩素酸リチウム、テトラフルオロ硼酸リチウム、
過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムおよびテトラ
フルオロ硼酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムがより好
ましく、さらには過塩素酸リチウムおよび過塩素酸テト
ラ−ｎ−ブチルアンモニウムが最も好ましい。支持電解
質の濃度は、低すぎる場合には、反応溶液に与えられる
イオン導電性が低いために反応が十分に進行しなくなる
のに対し、高すぎる場合には、電流が流れ過ぎて反応に
必要な電位が得られなくなる。したがって、溶媒中の支
持電解質の濃度は、通常０．０５〜５ｍｏｌ／ｌ程度で
あり、より好ましくは０．１〜３ｍｏｌ／ｌ程度であ
り、特に好ましくは０．１５〜１．２ｍｏｌ／ｌ程度で
ある。
塩素酸ナトリウム、過塩素酸リチウムなどの過塩素酸ア
ルカリ金属；テトラフルオロ硼酸リチウムなどのテトラ
フルオロ硼酸アルカリ金属；塩化テトラ−ｎ−ブチルア
ンモニウムなどのハロゲン化テトラアルキルアンモニウ
ム；過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムなどの過
塩素酸テトラアルキルアンモニウム；テトラフルオロ硼
酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムなどのテトラフルオ
ロ硼酸テトラアルキルアンモニウムなどが例示される。
これらの支持電解質は、単独で使用しても良く、或いは
２種以上を併用しても良い。これら支持電解質の中で
も、過塩素酸リチウム、テトラフルオロ硼酸リチウム、
過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムおよびテトラ
フルオロ硼酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムがより好
ましく、さらには過塩素酸リチウムおよび過塩素酸テト
ラ−ｎ−ブチルアンモニウムが最も好ましい。支持電解
質の濃度は、低すぎる場合には、反応溶液に与えられる
イオン導電性が低いために反応が十分に進行しなくなる
のに対し、高すぎる場合には、電流が流れ過ぎて反応に
必要な電位が得られなくなる。したがって、溶媒中の支
持電解質の濃度は、通常０．０５〜５ｍｏｌ／ｌ程度で
あり、より好ましくは０．１〜３ｍｏｌ／ｌ程度であ
り、特に好ましくは０．１５〜１．２ｍｏｌ／ｌ程度で
ある。
【００１４】本願第１発明においては、陽極として、Ｍ
ｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、ＳｎおよびＡｌのいずれかまたはこれ
らの金属を主成分とする合金を使用する。陰極として
は、導電性の物質であれば特に制限されないが、好まし
くは、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、ＮｉおよびＣｏ
のいずれかまたはこれらの金属を主成分とする合金を使
用する。陽極としては、Ｍｇ、Ｃｕおよびこれらの金属
を主成分とする合金がより好ましく、Ｍｇが最も好まし
い。電極の形状は、通電を安定して行ない得る限り特に
限定されないが、棒状、板状、筒状、板状体をコイル状
に巻いたものなどが好ましい。電極の表面からは、あら
かじめ酸化被膜を出来るだけ除去しておくことが好まし
い。電極からの酸化被膜の除去は、任意の方法で行えば
良く、例えば、電極を酸により洗浄した後、エタノール
およびエーテルなどにより洗浄し、減圧下に乾燥する方
法、窒素雰囲気下に電極を研磨する方法、あるいはこれ
らの方法を組み合わせた方法などにより行なうことが出
来る。
ｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、ＳｎおよびＡｌのいずれかまたはこれ
らの金属を主成分とする合金を使用する。陰極として
は、導電性の物質であれば特に制限されないが、好まし
くは、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、ＮｉおよびＣｏ
のいずれかまたはこれらの金属を主成分とする合金を使
用する。陽極としては、Ｍｇ、Ｃｕおよびこれらの金属
を主成分とする合金がより好ましく、Ｍｇが最も好まし
い。電極の形状は、通電を安定して行ない得る限り特に
限定されないが、棒状、板状、筒状、板状体をコイル状
に巻いたものなどが好ましい。電極の表面からは、あら
かじめ酸化被膜を出来るだけ除去しておくことが好まし
い。電極からの酸化被膜の除去は、任意の方法で行えば
良く、例えば、電極を酸により洗浄した後、エタノール
およびエーテルなどにより洗浄し、減圧下に乾燥する方
法、窒素雰囲気下に電極を研磨する方法、あるいはこれ
らの方法を組み合わせた方法などにより行なうことが出
来る。
【００１５】本願第１発明を実施するに際しては、陽極
および陰極を設置した密閉可能な反応容器に一般式
（１）で表わされる化合物および支持電解質を溶媒とと
もに収容し、好ましくは機械的もしくは磁気的に攪拌し
つつ、所定量の電流を通電することにより、電極反応を
行わせる。反応容器内は、乾燥雰囲気であれば良いが、
乾燥した窒素または不活性ガス雰囲気であることがより
好ましく、さらに脱酸素し、乾燥した窒素または不活性
ガス雰囲気であることが最も好ましい。通電量は、原料
化合物中のハロゲン原子を基準として、通常１Ｆ／モル
以上であれば良く、通電量の調整により分子量の制御が
可能である。また、０．１Ｆ／ｍｏｌ程度以上の通電量
で生成したポリシランを系外に取り出し、残存する原料
ハロシランを回収して、再使用することも可能である。
反応時の温度は、使用する溶媒の沸点以下の温度範囲内
にあれば良い。本願第１発明においては、通常の電極還
元反応においては必須とされている隔膜を使用しなくて
も良いので、操作が簡便となり、有利である。
および陰極を設置した密閉可能な反応容器に一般式
（１）で表わされる化合物および支持電解質を溶媒とと
もに収容し、好ましくは機械的もしくは磁気的に攪拌し
つつ、所定量の電流を通電することにより、電極反応を
行わせる。反応容器内は、乾燥雰囲気であれば良いが、
乾燥した窒素または不活性ガス雰囲気であることがより
好ましく、さらに脱酸素し、乾燥した窒素または不活性
ガス雰囲気であることが最も好ましい。通電量は、原料
化合物中のハロゲン原子を基準として、通常１Ｆ／モル
以上であれば良く、通電量の調整により分子量の制御が
可能である。また、０．１Ｆ／ｍｏｌ程度以上の通電量
で生成したポリシランを系外に取り出し、残存する原料
ハロシランを回収して、再使用することも可能である。
反応時の温度は、使用する溶媒の沸点以下の温度範囲内
にあれば良い。本願第１発明においては、通常の電極還
元反応においては必須とされている隔膜を使用しなくて
も良いので、操作が簡便となり、有利である。
【００１６】本願第２発明は、電極反応中の反応容器ま
たは反応溶液に対し、超音波を照射する以外の点では、
本願第１発明と実質的に異なるところはない。電極反応
中の超音波の照射方法は、特に限定されるものではない
が、反応器を超音波浴槽に収容して照射する方法、反応
器内に超音波発振子を装入して照射する方法などが例示
される。超音波の振動数は、１０〜７０ｋＨｚ程度とす
ることが好ましい。超音波の出力は、原料の種類、反応
溶液の量、反応容器および電極の形状および大きさ、電
極の材質および表面積などの反応条件に応じて適宜定め
れば良いが、通常反応液１ 当り０．０１〜２４ｋＷ程
度の範囲内にある。この様な超音波照射により、反応時
間が大巾に短縮されて、超音波を照射しない場合の１／
３〜２／３程度となる。本願第２発明においては、超音
波照射により良好に攪拌が行われるが、必要ならば、更
に機械的手段による攪拌を併用しても良い。
たは反応溶液に対し、超音波を照射する以外の点では、
本願第１発明と実質的に異なるところはない。電極反応
中の超音波の照射方法は、特に限定されるものではない
が、反応器を超音波浴槽に収容して照射する方法、反応
器内に超音波発振子を装入して照射する方法などが例示
される。超音波の振動数は、１０〜７０ｋＨｚ程度とす
ることが好ましい。超音波の出力は、原料の種類、反応
溶液の量、反応容器および電極の形状および大きさ、電
極の材質および表面積などの反応条件に応じて適宜定め
れば良いが、通常反応液１ 当り０．０１〜２４ｋＷ程
度の範囲内にある。この様な超音波照射により、反応時
間が大巾に短縮されて、超音波を照射しない場合の１／
３〜２／３程度となる。本願第２発明においては、超音
波照射により良好に攪拌が行われるが、必要ならば、更
に機械的手段による攪拌を併用しても良い。
【００１７】本願第３発明においては、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、ＳｎまたはＡｌを一方の極とし、これらと同種また
は異種の導電性材料（Ｎｉ、Ｃｏなど）を他方の極とし
て一定の時間間隔で電極の極性を切り替える以外は、本
願第１発明と同様の操作により反応を行なう。この極性
の切り替えにより、電流値が安定して反応が円滑に進行
し、反応時間が短縮される。極性切り替えは、通常０．
０１秒〜６０分程度の間隔で行なうが、より好ましくは
１秒〜１０分間程度の間隔で行ない、特に好ましくは１
０秒〜３分間程度の間隔で行なう。極性切り替えを行な
う場合には、２つの電極を同種の金属により構成するこ
とが、両極間で金属イオン（例えば、Ｍｇ２＋）が溶け
出してその移動が行なわれるため、電極の消耗が少なく
なり、通電時間をより長くすることができるので、高分
子量のポリマー合成のために好ましい。両電極の極性の
切り替えを行なう本願第３発明においても、隔膜は必要
ではない。
ｎ、ＳｎまたはＡｌを一方の極とし、これらと同種また
は異種の導電性材料（Ｎｉ、Ｃｏなど）を他方の極とし
て一定の時間間隔で電極の極性を切り替える以外は、本
願第１発明と同様の操作により反応を行なう。この極性
の切り替えにより、電流値が安定して反応が円滑に進行
し、反応時間が短縮される。極性切り替えは、通常０．
０１秒〜６０分程度の間隔で行なうが、より好ましくは
１秒〜１０分間程度の間隔で行ない、特に好ましくは１
０秒〜３分間程度の間隔で行なう。極性切り替えを行な
う場合には、２つの電極を同種の金属により構成するこ
とが、両極間で金属イオン（例えば、Ｍｇ２＋）が溶け
出してその移動が行なわれるため、電極の消耗が少なく
なり、通電時間をより長くすることができるので、高分
子量のポリマー合成のために好ましい。両電極の極性の
切り替えを行なう本願第３発明においても、隔膜は必要
ではない。
【００１８】本願第４発明においては、電極反応中の反
応容器または反応溶液に対し、超音波を照射する。本願
第４発明は、超音波を照射する以外の点では、本願第３
発明と実質的に異なるところはない。また、超音波の照
射は、本願第２発明の場合と同様にして行なえば良い。
本願第４発明においては、極性の切り替えと超音波照射
との併用により、反応時間が短縮され、収率も向上す
る。本願第４発明においても、必要ならば、更に機械的
手段による攪拌を併用しても良い。
応容器または反応溶液に対し、超音波を照射する。本願
第４発明は、超音波を照射する以外の点では、本願第３
発明と実質的に異なるところはない。また、超音波の照
射は、本願第２発明の場合と同様にして行なえば良い。
本願第４発明においては、極性の切り替えと超音波照射
との併用により、反応時間が短縮され、収率も向上す
る。本願第４発明においても、必要ならば、更に機械的
手段による攪拌を併用しても良い。
【００１９】なお、本発明において、生成ポリマーの主
鎖中への酸素の導入によるＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合の形成を
抑制するために、溶媒および支持電解質中の水分を予め
除去しておくことが望ましい。例えば、溶媒としてテト
ラヒドロフラン或いは１，２−ジメトキシエタンを使用
する場合には、ナトリウム−ベンゾフェノンケチルなど
による乾燥を予め行なっておくことが好ましい。また、
支持電解質の場合には、減圧加熱による乾燥、或いは水
分と反応しやすく且つ容易に除去し得る物質（例えば、
トリメチルクロロシランなど）の添加による水分除去を
行なっておくことが好ましい。
鎖中への酸素の導入によるＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合の形成を
抑制するために、溶媒および支持電解質中の水分を予め
除去しておくことが望ましい。例えば、溶媒としてテト
ラヒドロフラン或いは１，２−ジメトキシエタンを使用
する場合には、ナトリウム−ベンゾフェノンケチルなど
による乾燥を予め行なっておくことが好ましい。また、
支持電解質の場合には、減圧加熱による乾燥、或いは水
分と反応しやすく且つ容易に除去し得る物質（例えば、
トリメチルクロロシランなど）の添加による水分除去を
行なっておくことが好ましい。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、下記の様な顕著な効果
が達成される。 （ａ）Ｓｉ−Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーを安全且つ
容易に製造することができる。 （ｂ）生成するポリマーの分子量を制御することができ
る。 （ｃ）隔膜の使用を必要としないので、隔膜が目詰まり
を起こすこともなく、操作が簡便である。 （ｄ）生成するポリマー中のＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合の含有
量が極めて少ない。 （ｅ）超音波の照射を行う場合には、反応時間が短縮さ
れるとともに、反応生成物の収量が増加する。
が達成される。 （ａ）Ｓｉ−Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーを安全且つ
容易に製造することができる。 （ｂ）生成するポリマーの分子量を制御することができ
る。 （ｃ）隔膜の使用を必要としないので、隔膜が目詰まり
を起こすこともなく、操作が簡便である。 （ｄ）生成するポリマー中のＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合の含有
量が極めて少ない。 （ｅ）超音波の照射を行う場合には、反応時間が短縮さ
れるとともに、反応生成物の収量が増加する。
【００２１】以下に実施例を示し、本発明の特徴とする
ところをより一層明確にする。
ところをより一層明確にする。
【００２２】実施例１ 三方コックおよびＭｇ電極（１ｃｍ×１ｃｍ×５ｃｍ；
その表面を希硫酸で洗浄した後、エタノールおよびエー
テルで洗浄し、減圧乾燥し、窒素雰囲気下に研磨して、
表面の酸化被膜を除去した）２個を装着した内容積３０
ｍｌの３つ口フラスコ（以下反応器と言う）に無水過塩
素酸リチウム０．７５ｇを収容し、５０℃、１ｍｍＨｇ
に加熱減圧して（６時間）、過塩素酸リチウムを乾燥し
た後、脱酸素した乾燥窒素を反応器内に導入し、さらに
予めナトリウム−ベンゾフェノンケチルで乾燥したテト
ラヒドロフラン１５ｍｌを加えた。これに予め蒸留した
１，４−ビス（メチルフェニルクロロシリル）ベンゼン
３ｍｍｏｌをシリンジで加え、ウォーターバスにより反
応器を室温に保持しつつ、定電圧電源により通電した。
この際、コミュテーターを使用して、２つの電極の極性
を１５秒毎に変換しつつ、モノマー中の塩素を基準とし
て４Ｆ／ｍｏｌの通電量となる様に約５０時間通電し
た。反応終了後、貧溶媒エタノールおよび良溶媒ベンゼ
ンで再沈した結果、Ｓｉ−Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマ
ーとして、重量平均分子量１６０００のポリ［ｐ−（ジ
シラニレン）フェニレン］が得られた。元素分析の結
果、このポリマーの主鎖中の酸素含有量は、０．１％以
下であり、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉの含有率が極めて低いことが
確認された。
その表面を希硫酸で洗浄した後、エタノールおよびエー
テルで洗浄し、減圧乾燥し、窒素雰囲気下に研磨して、
表面の酸化被膜を除去した）２個を装着した内容積３０
ｍｌの３つ口フラスコ（以下反応器と言う）に無水過塩
素酸リチウム０．７５ｇを収容し、５０℃、１ｍｍＨｇ
に加熱減圧して（６時間）、過塩素酸リチウムを乾燥し
た後、脱酸素した乾燥窒素を反応器内に導入し、さらに
予めナトリウム−ベンゾフェノンケチルで乾燥したテト
ラヒドロフラン１５ｍｌを加えた。これに予め蒸留した
１，４−ビス（メチルフェニルクロロシリル）ベンゼン
３ｍｍｏｌをシリンジで加え、ウォーターバスにより反
応器を室温に保持しつつ、定電圧電源により通電した。
この際、コミュテーターを使用して、２つの電極の極性
を１５秒毎に変換しつつ、モノマー中の塩素を基準とし
て４Ｆ／ｍｏｌの通電量となる様に約５０時間通電し
た。反応終了後、貧溶媒エタノールおよび良溶媒ベンゼ
ンで再沈した結果、Ｓｉ−Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマ
ーとして、重量平均分子量１６０００のポリ［ｐ−（ジ
シラニレン）フェニレン］が得られた。元素分析の結
果、このポリマーの主鎖中の酸素含有量は、０．１％以
下であり、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉの含有率が極めて低いことが
確認された。
【００２３】実施例２ １，４−ビス（メチルフェニルクロロシリル）ベンゼン
の使用量を３．３ｍｍｏｌとし且つモノマー中の塩素に
対する通電量を５Ｆ／ｍｏｌとする以外は実施例１と同
様にして電極反応を行なった。その結果、Ｓｉ−Ｓｉ結
合を主鎖に含むポリマーとして、重量平均分子量１７６
００のポリ［ｐ−（ジシラニレン）フェニレン］が得ら
れた。
の使用量を３．３ｍｍｏｌとし且つモノマー中の塩素に
対する通電量を５Ｆ／ｍｏｌとする以外は実施例１と同
様にして電極反応を行なった。その結果、Ｓｉ−Ｓｉ結
合を主鎖に含むポリマーとして、重量平均分子量１７６
００のポリ［ｐ−（ジシラニレン）フェニレン］が得ら
れた。
【００２４】実施例３ 一般式（１）で示される原料として、１，４−ビス（メ
チルエチルクロロシリル）ベンゼンを使用する以外は実
施例１と同様にして電極反応を行なった。通電時間は、
約４８時間であった。 反応終了後、貧溶媒エタノール
および良溶媒ベンゼンで再沈した結果、Ｓｉ−Ｓｉ結合
を主鎖に含むポリマーとして、重量平均分子量５７８０
のポリ［ｐ−（ジシラニレン）フェニレン］が収率２２
％で得られた。
チルエチルクロロシリル）ベンゼンを使用する以外は実
施例１と同様にして電極反応を行なった。通電時間は、
約４８時間であった。 反応終了後、貧溶媒エタノール
および良溶媒ベンゼンで再沈した結果、Ｓｉ−Ｓｉ結合
を主鎖に含むポリマーとして、重量平均分子量５７８０
のポリ［ｐ−（ジシラニレン）フェニレン］が収率２２
％で得られた。
【００２５】実施例４ 一般式（１）で示される原料として、１，５−ビス（メ
チルフェニルクロロシリル）ナフタレンを使用する以外
は実施例１と同様にして電極反応を行なったところ、同
様のＳｉ−Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーが得られた。
チルフェニルクロロシリル）ナフタレンを使用する以外
は実施例１と同様にして電極反応を行なったところ、同
様のＳｉ−Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーが得られた。
【００２６】実施例５ 一般式（１）で示される原料として、４，４′−ビス
（メチルフェニルクロロシリル）ビフェニルを使用する
以外は実施例１と同様にして電極反応を行なったとこ
ろ、同様のＳｉ−Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーが得ら
れた。
（メチルフェニルクロロシリル）ビフェニルを使用する
以外は実施例１と同様にして電極反応を行なったとこ
ろ、同様のＳｉ−Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーが得ら
れた。
【００２７】実施例６ 一般式（１）で示される原料として、トランス−１，２
−ビス（メチルフェニルクロロシリル）エテンを使用す
る以外は実施例１と同様にして電極反応を行なったとこ
ろ、同様のＳｉ−Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーが得ら
れた。
−ビス（メチルフェニルクロロシリル）エテンを使用す
る以外は実施例１と同様にして電極反応を行なったとこ
ろ、同様のＳｉ−Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーが得ら
れた。
【００２８】実施例７ 陽極としてＭｇ（１ｃｍ×１ｃｍ×５ｃｍ）を使用し、
陰極としてＮｉ（１ｃｍ×０．１ｃｍ×５ｃｍ）を使用
し、且つ電極の極性を変換しない以外は実施例１と同様
にして、１，４−ビス（メチルフェニルクロロシリル）
ベンゼンを電極反応に供したところ、同様のＳｉ−Ｓｉ
結合を主鎖に含むポリマーが得られた。
陰極としてＮｉ（１ｃｍ×０．１ｃｍ×５ｃｍ）を使用
し、且つ電極の極性を変換しない以外は実施例１と同様
にして、１，４−ビス（メチルフェニルクロロシリル）
ベンゼンを電極反応に供したところ、同様のＳｉ−Ｓｉ
結合を主鎖に含むポリマーが得られた。
【００２９】実施例８ ２つの極として銅（１ｃｍ×０．１ｃｍ×５ｃｍ）を使
用し且つ極性の切り替えを１分毎に行なう以外は実施例
１と同様にして１，４−ビス（メチルフェニルクロロシ
リル）ベンゼンを電極反応に供したところ、同様のＳｉ
−Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーが得られた。
用し且つ極性の切り替えを１分毎に行なう以外は実施例
１と同様にして１，４−ビス（メチルフェニルクロロシ
リル）ベンゼンを電極反応に供したところ、同様のＳｉ
−Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーが得られた。
【００３０】実施例９ 支持電解質として過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニ
ウムを使用する以外は実施例１と同様にして１，４−ビ
ス（メチルフェニルクロロシリル）ベンゼンの電極反応
を行なったところ、同様のＳｉ−Ｓｉ結合を主鎖に含む
ポリマーが得られた。
ウムを使用する以外は実施例１と同様にして１，４−ビ
ス（メチルフェニルクロロシリル）ベンゼンの電極反応
を行なったところ、同様のＳｉ−Ｓｉ結合を主鎖に含む
ポリマーが得られた。
【００３１】実施例１０ 溶媒として予めナトリウム−ベンゾフェノンケチルによ
り乾燥した１，２−ジメトキシエタン１５ｍｌを使用す
る以外は実施例１と同様にして１，４−ビス（メチルフ
ェニルクロロシリル）ベンゼンの電極反応を行なったと
ころ、同様のＳｉ−Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーが得
られた。
り乾燥した１，２−ジメトキシエタン１５ｍｌを使用す
る以外は実施例１と同様にして１，４−ビス（メチルフ
ェニルクロロシリル）ベンゼンの電極反応を行なったと
ころ、同様のＳｉ−Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーが得
られた。
【００３２】実施例１１ 反応器を出力６０Ｗ、周波数４５ｋＨｚの超音波洗浄器
に浸漬する以外は実施例３と同様にして電極反応を行な
った。通電時間は、約３２時間であった。反応終了後、
貧溶媒エタノールおよび良溶媒ベンゼンで再沈した結
果、Ｓｉ−Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーとして、重量
平均分子量７５４０のポリ［ｐ−（ジシラニレン）フェ
ニレン］が収率４１％で得られた。
に浸漬する以外は実施例３と同様にして電極反応を行な
った。通電時間は、約３２時間であった。反応終了後、
貧溶媒エタノールおよび良溶媒ベンゼンで再沈した結
果、Ｓｉ−Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーとして、重量
平均分子量７５４０のポリ［ｐ−（ジシラニレン）フェ
ニレン］が収率４１％で得られた。
【００３３】実施例１２ 反応器を出力６０Ｗ、周波数４５ｋＨｚの超音波洗浄器
に浸漬し且つ塩素成分を基準として通電量を２Ｆ／ｍｏ
ｌとする以外は実施例３と同様にして電極反応を行なっ
た。通電時間は、約１０時間であった。反応終了後、貧
溶媒エタノールおよび良溶媒ベンゼンで再沈した結果、
Ｓｉ−Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーとして、重量平均
分子量１０５００のポリ［ｐ−（ジシラニレン）フェニ
レン］が収率３９％で得られた。
に浸漬し且つ塩素成分を基準として通電量を２Ｆ／ｍｏ
ｌとする以外は実施例３と同様にして電極反応を行なっ
た。通電時間は、約１０時間であった。反応終了後、貧
溶媒エタノールおよび良溶媒ベンゼンで再沈した結果、
Ｓｉ−Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーとして、重量平均
分子量１０５００のポリ［ｐ−（ジシラニレン）フェニ
レン］が収率３９％で得られた。
【００３４】実施例１３ 両極としてＡｌ（１ｃｍ×０．１ｃｍ×５ｃｍ）を使用
する以外は実施例１２と同様にして電極反応を行なっ
た。その結果、実施例１２と同様なポリ［ｐ−（ジシラ
ニレン）フェニレン］が得られた。
する以外は実施例１２と同様にして電極反応を行なっ
た。その結果、実施例１２と同様なポリ［ｐ−（ジシラ
ニレン）フェニレン］が得られた。
【００３５】実施例１４ 一般式（１）で示される原料として、２，５−ビス（メ
チルエチルクロロシリル）チオフェンを使用する以外は
実施例１２と同様にして、電極反応を行なった。その結
果、Ｓｉ−Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーとして、ポリ
［ジシラニレン）チエニレン］が得られた。
チルエチルクロロシリル）チオフェンを使用する以外は
実施例１２と同様にして、電極反応を行なった。その結
果、Ｓｉ−Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーとして、ポリ
［ジシラニレン）チエニレン］が得られた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西田 亮一 大阪市中央区平野町四丁目１番２号 大 阪瓦斯株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−105825（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−41123（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C08G 77/60 C08G 77/48
Claims (4)
- 【請求項１】一般式 （式中、Ｒは、芳香族基、不飽和脂肪族基、−（Ｃ
Ｈ２）ｍ−基または−（ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ）ｍ−基
（ｍは、１〜２０である）を表わし；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３
およびＲ４は、それぞれ同一或いは異なって、水素原
子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアミ
ノ基を表わし；Ｘは、ハロゲン原子を表わす）で示され
る化合物をＭｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、ＳｎまたはＡｌを陽極と
して使用する電極反応に供することにより、一般式 （式中、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、上記に同
じ；ｎは、１０〜１００００である）で示されるＳｉ−
Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーを形成させることを特徴
とするポリマーの製造方法。 - 【請求項２】一般式 （式中、Ｒは、芳香族基、不飽和脂肪族基、−（Ｃ
Ｈ２）ｍ−基または−（ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ）ｍ−基
（ｍは、１〜２０である）を表わし；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３
およびＲ４は、それぞれ同一或いは異なって、水素原
子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアミ
ノ基を表わし；Ｘは、ハロゲン原子を表わす）で示され
る化合物を超音波の照射下にＭｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎま
たはＡｌを陽極として使用する電極反応に供することに
より、一般式 （式中、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、上記に同
じ；ｎは、１０〜１００００である）で示されるＳｉ−
Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーを形成させることを特徴
とするポリマーの製造方法。 - 【請求項３】一般式 （式中、Ｒは、芳香族基、不飽和脂肪族基、−（Ｃ
Ｈ２）ｍ−基または−（ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ）ｍ−基
（ｍは、１〜２０である）を表わし；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３
およびＲ４は、それぞれ同一或いは異なって、水素原
子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアミ
ノ基を表わし；Ｘは、ハロゲン原子を表わす）で示され
る化合物をＭｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、ＳｎまたはＡｌを一方の
極とし、これらと同種又は異種の導電性材料を他方の極
として一定の時間間隔で電極の極性を切り替える電極反
応に供することにより、一般式 （式中、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、上記に同
じ；ｎは、１０〜１００００である）で示されるＳｉ−
Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーを形成させることを特徴
とするポリマーの製造方法。 - 【請求項４】一般式 （式中、Ｒは、芳香族基、不飽和脂肪族基、−（Ｃ
Ｈ２）ｍ−基または−（ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ）ｍ−基
（ｍは、１〜２０である）を表わし；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３
およびＲ４は、それぞれ同一或いは異なって、水素原
子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアミ
ノ基を表わし；Ｘは、ハロゲン原子を表わす）で示され
る化合物を超音波の照射下にＭｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎま
たはＡｌを一方の極とし、これらと同種又は異種の導電
性材料を他方の極として一定の時間間隔で電極の極性を
切り替える電極反応に供することにより、一般式 （式中、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、上記に同
じ；ｎは、１０〜１００００である）で示されるＳｉ−
Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーを形成させることを特徴
とするポリマーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3075542A JP3028349B2 (ja) | 1990-01-18 | 1991-01-17 | Ｓｉ−Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーの製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP994890 | 1990-01-18 | ||
| JP2-9948 | 1990-06-15 | ||
| JP2-158226 | 1990-06-15 | ||
| JP15822690 | 1990-06-15 | ||
| JP3075542A JP3028349B2 (ja) | 1990-01-18 | 1991-01-17 | Ｓｉ−Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04348128A JPH04348128A (ja) | 1992-12-03 |
| JP3028349B2 true JP3028349B2 (ja) | 2000-04-04 |
Family
ID=27278713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3075542A Expired - Lifetime JP3028349B2 (ja) | 1990-01-18 | 1991-01-17 | Ｓｉ−Ｓｉ結合を主鎖に含むポリマーの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3028349B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2718620B2 (ja) * | 1993-09-01 | 1998-02-25 | 東芝シリコーン株式会社 | ポリオルガノシランの製造方法 |
-
1991
- 1991-01-17 JP JP3075542A patent/JP3028349B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04348128A (ja) | 1992-12-03 |
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