JPH04348128A - Si−Si結合を主鎖に含むポリマーの製造方法 - Google Patents

Si−Si結合を主鎖に含むポリマーの製造方法

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JPH04348128A
JPH04348128A JP7554291A JP7554291A JPH04348128A JP H04348128 A JPH04348128 A JP H04348128A JP 7554291 A JP7554291 A JP 7554291A JP 7554291 A JP7554291 A JP 7554291A JP H04348128 A JPH04348128 A JP H04348128A
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Tatsuya Shono
庄野 達哉
Shigefumi Kashiwamura
柏村 成史
Ryoichi Nishida
亮一 西田
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、Si−Si結合を主鎖
に有するポリマーの製造方法に関する。
【0002】
【従来技術とその問題点】Si−Si結合を主鎖に有す
るポリマーは、セラミックス前駆体、光・電子材料など
の有用な材料として注目されている。従来、Si−Si
結合を主鎖に有するポリマーの製造方法としては、金属
ナトリウムなどのアルカリ金属を用いて、トルエン溶媒
中で対応するジクロロ化合物を100℃以上の温度で長
時間攪拌し、還元的にカップリングさせる方法が知られ
ている{Organometallics,6  (1
987)  1673}。しかしながら、この方法は、
過酷な反応条件(例えば、長時間の加熱が必要である)
を必要とすること、分子量の制御が出来ないこと、工業
的規模での生産に際しては、アルカリ金属を大量に使用
するので、安全性に大きな問題があること、などの欠点
を有している。
【0003】
【問題点を解決するための手段】本発明者は、上記の如
き従来技術の現状に鑑みて鋭意研究を重ねた結果、特定
の化合物を特定の金属を陽極として使用する電極反応に
供する場合には、従来技術の問題点が実質的に解消され
るか乃至は大幅に軽減されることを見出した。また、こ
の様な電極反応において、両電極の極性を一定時間間隔
で切り替えることにより、反応効率が大幅に改善される
ことをも見出した。さらにまた、上記の如き電極反応に
際して、反応器又は反応溶液に超音波を照射する場合に
は、反応時間が短縮されるとともに、反応生成物の収量
が増大することをも見出した。
【0004】すなわち、本発明は、下記のSi−Si結
合を主鎖に有するポリマーの製造方法を提供するもので
ある: ■一般式 (式中、Rは、芳香族基、不飽和脂肪族基、−(CH2
)m−基または−(CH2−CH2−O)m−基(mは
、1〜20である)を表わし;R1、R2、R3および
R4は、それぞれ同一或いは異なって、水素原子、アル
キル基、アリール基、アルコキシ基またはアミノ基を表
わし;Xは、ハロゲン原子を表わす)で示される化合物
をMg、Cu、Zn、SnまたはAlを陽極として使用
する電極反応に供することにより、一般式(式中、R、
R1、R2、R3およびR4は、上記に同じ;nは、1
0〜10000である)で示されるSi−Si結合を主
鎖に含むポリマーを形成させることを特徴とするポリマ
ーの製造方法。 ■一般式 (式中、Rは、芳香族基、不飽和脂肪族基、−(CH2
)m−基または−(CH2−CH2−O)m−基(mは
、1〜20である)を表わし;R1、R2、R3および
R4は、それぞれ同一或いは異なって、水素原子、アル
キル基、アリール基、アルコキシ基またはアミノ基を表
わし;Xは、ハロゲン原子を表わす)で示される化合物
を超音波の照射下にMg、Cu、Zn、SnまたはAl
を陽極として使用する電極反応に供することにより、一
般式 (式中、R、R1、R2、R3およびR4は、上記に同
じ;nは、10〜10000である)で示されるSi−
Si結合を主鎖に含むポリマーを形成させることを特徴
とするポリマーの製造方法。 ■一般式 (式中、Rは、芳香族基、不飽和脂肪族基、−(CH2
)m−基または−(CH2−CH2−O)m−基(mは
、1〜20である)を表わし;R1、R2、R3および
R4は、それぞれ同一或いは異なって、水素原子、アル
キル基、アリール基、アルコキシ基またはアミノ基を表
わし;Xは、ハロゲン原子を表わす)で示される化合物
をMg、Cu、Zn、SnまたはAlを一方の極とし、
これらと同種又は異種の導電性材料を他方の極として一
定の時間間隔で電極の極性を切り替える電極反応に供す
ることにより、一般式 (式中、R、R1、R2、R3およびR4は、上記に同
じ;nは、10〜10000である)で示されるSi−
Si結合を主鎖に含むポリマーを形成させることを特徴
とするポリマーの製造方法。 ■一般式 (式中、Rは、芳香族基、不飽和脂肪族基、−(CH2
)m−基または−(CH2−CH2−O)m−基(mは
、1〜20である)を表わし;R1、R2、R3および
R4は、それぞれ同一或いは異なって、水素原子、アル
キル基、アリール基、アルコキシ基またはアミノ基を表
わし;Xは、ハロゲン原子を表わす)で示される化合物
を超音波の照射下にMg、Cu、Zn、SnまたはAl
を一方の極とし、これらと同種又は異種の導電性材料を
他方の極として一定の時間間隔で電極の極性を切り替え
る電極反応に供することにより、一般式(式中、R、R
1、R2、R3およびR4は、上記に同じ;nは、10
〜10000である)で示されるSi−Si結合を主鎖
に含むポリマーを形成させることを特徴とするポリマー
の製造方法。
【0005】以下において、上記■乃至■発明を本願第
1発明乃至本願第4発明と言い、これらを総括して単に
本発明と言う。
【0006】本発明において、出発原料として使用する
化合物は、一般式 (式中、Rは、芳香族基、不飽和脂肪族基、−(CH2
)m−基または−(CH2−CH2−O)m−基(mは
、1〜20である)を表わし;R1、R2、R3および
R4は、それぞれ同一或いは異なって、水素原子、アル
キル基、アリール基、アルコキシ基またはアミノ基を表
わし;Xは、ハロゲン原子を表わす)で示されるもので
ある。
【0007】また、本発明における反応生成物は、一般
式 (式中、R、R1、R2、R3およびR4は、上記に同
じ;nは、10〜10000である)で示されるSi−
Si結合を主鎖に含むポリマーである。該ポリマーの平
均分子量は、通常1500〜100万程度の範囲にある
【0008】一般式(1)において、Rで示される構造
部としては、下記の如きものが挙げられる。 *フェニレン、ナフタニレン、ビフェニレン、
【化1】 (ただし、Yは、O、S、Se、TeまたはNを示す)
などの二価の芳香族基。 *エテニレン、エチニレンなどの二価の不飽和脂肪族基
。 *−(CH2)m−基(mは、1〜20である)。 *−(CH2−CH2−O)m−基(mは、1〜20で
ある)。
【0009】一般式(1)において、R1、R2、R3
およびR4で示される水素原子、アミノ基ならびに有機
置換基は、それぞれが相異なっていても良く、或いは2
個以上が同一であっても良い。有機置換基としてのアル
キル基としては、炭素数1〜10程度のものが挙げられ
、これらの中でも炭素数1〜6のものがより好ましい。 アリール基としては、フェニル基、炭素数1〜6のアル
キル基の少なくとも1種を置換基として有するフェニル
基、p−アルコキシフェニル基などが挙げられる。 アルコキシ基としては、炭素数1〜10程度のものが挙
げられ、これらの中でも炭素数1〜6のものがより好ま
しい。R1、R2、R3およびR4が、上記のアミノ基
および有機置換基である場合には、その水素原子の少な
くとも1個ががさらに他のアルキル基、アリール基。ア
ルコキシ基などの官能基により置換されていても良い。
【0010】また、一般式(1)において、Xは、ハロ
ゲン原子(Cl,F,Br,I)を表わす。ハロゲン原
子としては、Clがより好ましい。
【0011】本発明方法においては、一般式(1)で表
わされる化合物の1種を単独で使用しても良く、或いは
2種以上を混合使用しても良い。該化合物は、出来るだ
け高純度であることが好ましく、例えば、使用前に蒸留
して使用することが好ましい。
【0012】反応に際しては、一般式(1)で表わされ
る化合物を溶媒に溶解して使用する。溶媒としては、非
プロトン性の溶媒が広く使用でき、より具体的には、プ
ロピレンカーボネート、アセトニトリル、ジメチルホル
ムアミド、ジメチルスルホキシド、1,2−ジメトキシ
エタン、ビス(2−メトキシエチル)エーテル、p−ジ
オキサン、テトラヒドロフラン、塩化メチレンなどが例
示される。これらの溶媒は、単独でも、或いは2種以上
の混合物としても使用できる。溶媒としては、1,2−
ジメトキシエタン、ビス(2−メトキシエチル)エーテ
ル、p−ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテ
ル系溶媒を単独で若しくは他の溶媒と混合して使用する
ことがより好ましく、1,2−ジメトキシエタンまたは
テトラヒドロフランを単独で使用することが特に好まし
い。溶媒中の原料化合物の濃度は、低すぎる場合には、
電流効率が低下するのに対し、高すぎる場合には、支持
電解質が溶解しないことがある。したがって、溶媒中の
原料化合物の濃度は、通常0.05〜20mol/l程
度であり、より好ましくは0.1〜15mol/l程度
であり、特に好ましくは0.2〜13mol/l程度で
ある。
【0013】本発明で使用する支持電解質としては、過
塩素酸ナトリウム、過塩素酸リチウムなどの過塩素酸ア
ルカリ金属;テトラフルオロ硼酸リチウムなどのテトラ
フルオロ硼酸アルカリ金属;塩化テトラ−n−ブチルア
ンモニウムなどのハロゲン化テトラアルキルアンモニウ
ム;過塩素酸テトラ−n−ブチルアンモニウムなどの過
塩素酸テトラアルキルアンモニウム;テトラフルオロ硼
酸テトラ−n−ブチルアンモニウムなどのテトラフルオ
ロ硼酸テトラアルキルアンモニウムなどが例示される。 これらの支持電解質は、単独で使用しても良く、或いは
2種以上を併用しても良い。これら支持電解質の中でも
、過塩素酸リチウム、テトラフルオロ硼酸リチウム、過
塩素酸テトラ−n−ブチルアンモニウムおよびテトラフ
ルオロ硼酸テトラ−n−ブチルアンモニウムがより好ま
しく、さらには過塩素酸リチウムおよび過塩素酸テトラ
−n−ブチルアンモニウムが最も好ましい。支持電解質
の濃度は、低すぎる場合には、反応溶液に与えられるイ
オン導電性が低いために反応が十分に進行しなくなるの
に対し、高すぎる場合には、電流が流れ過ぎて反応に必
要な電位が得られなくなる。したがって、溶媒中の支持
電解質の濃度は、通常0.05〜5mol/l程度であ
り、より好ましくは0.1〜3mol/l程度であり、
特に好ましくは0.15〜1.2mol/l程度である
【0014】本願第1発明においては、陽極として、M
g、Cu、Zn、SnおよびAlのいずれかまたはこれ
らの金属を主成分とする合金を使用する。陰極としては
、導電性の物質であれば特に制限されないが、好ましく
は、Mg、Cu、Zn、Sn、Al、NiおよびCoの
いずれかまたはこれらの金属を主成分とする合金を使用
する。陽極としては、Mg、Cuおよびこれらの金属を
主成分とする合金がより好ましく、Mgが最も好ましい
。電極の形状は、通電を安定して行ない得る限り特に限
定されないが、棒状、板状、筒状、板状体をコイル状に
巻いたものなどが好ましい。電極の表面からは、あらか
じめ酸化被膜を出来るだけ除去しておくことが好ましい
。電極からの酸化被膜の除去は、任意の方法で行えば良
く、例えば、電極を酸により洗浄した後、エタノールお
よびエーテルなどにより洗浄し、減圧下に乾燥する方法
、窒素雰囲気下に電極を研磨する方法、あるいはこれら
の方法を組み合わせた方法などにより行なうことが出来
る。
【0015】本願第1発明を実施するに際しては、陽極
および陰極を設置した密閉可能な反応容器に一般式(1
)で表わされる化合物および支持電解質を溶媒とともに
収容し、好ましくは機械的もしくは磁気的に攪拌しつつ
、所定量の電流を通電することにより、電極反応を行わ
せる。反応容器内は、乾燥雰囲気であれば良いが、乾燥
した窒素または不活性ガス雰囲気であることがより好ま
しく、さらに脱酸素し、乾燥した窒素または不活性ガス
雰囲気であることが最も好ましい。通電量は、原料化合
物中のハロゲン原子を基準として、通常1F/モル以上
であれば良く、通電量の調整により分子量の制御が可能
である。また、0.1F/mol程度以上の通電量で生
成したポリシランを系外に取り出し、残存する原料ハロ
シランを回収して、再使用することも可能である。 反応時の温度は、使用する溶媒の沸点以下の温度範囲内
にあれば良い。本願第1発明においては、通常の電極還
元反応においては必須とされている隔膜を使用しなくて
も良いので、操作が簡便となり、有利である。
【0016】本願第2発明は、電極反応中の反応容器ま
たは反応溶液に対し、超音波を照射する以外の点では、
本願第1発明と実質的に異なるところはない。電極反応
中の超音波の照射方法は、特に限定されるものではない
が、反応器を超音波浴槽に収容して照射する方法、反応
器内に超音波発振子を装入して照射する方法などが例示
される。超音波の振動数は、10〜70kHz程度とす
ることが好ましい。超音波の出力は、原料の種類、反応
溶液の量、反応容器および電極の形状および大きさ、電
極の材質および表面積などの反応条件に応じて適宜定め
れば良いが、通常反応液1  当り0.01〜24kW
程度の範囲内にある。この様な超音波照射により、反応
時間が大巾に短縮されて、超音波を照射しない場合の1
/3〜2/3程度となる。本願第2発明においては、超
音波照射により良好に攪拌が行われるが、必要ならば、
更に機械的手段による攪拌を併用しても良い。
【0017】本願第3発明においては、Mg、Cu、Z
n、SnまたはAlを一方の極とし、これらと同種また
は異種の導電性材料(Ni、Coなど)を他方の極とし
て一定の時間間隔で電極の極性を切り替える以外は、本
願第1発明と同様の操作により反応を行なう。この極性
の切り替えにより、電流値が安定して反応が円滑に進行
し、反応時間が短縮される。極性切り替えは、通常0.
01秒〜60分程度の間隔で行なうが、より好ましくは
1秒〜10分間程度の間隔で行ない、特に好ましくは1
0秒〜3分間程度の間隔で行なう。極性切り替えを行な
う場合には、2つの電極を同種の金属により構成するこ
とが、両極間で金属イオン(例えば、Mg2+)が溶け
出してその移動が行なわれるため、電極の消耗が少なく
なり、通電時間をより長くすることができるので、高分
子量のポリマー合成のために好ましい。両電極の極性の
切り替えを行なう本願第3発明においても、隔膜は必要
ではない。
【0018】本願第4発明においては、電極反応中の反
応容器または反応溶液に対し、超音波を照射する。本願
第4発明は、超音波を照射する以外の点では、本願第3
発明と実質的に異なるところはない。また、超音波の照
射は、本願第2発明の場合と同様にして行なえば良い。 本願第4発明においては、極性の切り替えと超音波照射
との併用により、反応時間が短縮され、収率も向上する
。本願第4発明においても、必要ならば、更に機械的手
段による攪拌を併用しても良い。
【0019】なお、本発明において、生成ポリマーの主
鎖中への酸素の導入によるSi−O−Si結合の形成を
抑制するために、溶媒および支持電解質中の水分を予め
除去しておくことが望ましい。例えば、溶媒としてテト
ラヒドロフラン或いは1,2−ジメトキシエタンを使用
する場合には、ナトリウム−ベンゾフェノンケチルなど
による乾燥を予め行なっておくことが好ましい。また、
支持電解質の場合には、減圧加熱による乾燥、或いは水
分と反応しやすく且つ容易に除去し得る物質(例えば、
トリメチルクロロシランなど)の添加による水分除去を
行なっておくことが好ましい。
【0020】
【発明の効果】本発明によれば、下記の様な顕著な効果
が達成される。 (a)Si−Si結合を主鎖に含むポリマーを安全且つ
容易に製造することができる。 (b)生成するポリマーの分子量を制御することができ
る。 (c)隔膜の使用を必要としないので、隔膜が目詰まり
を起こすこともなく、操作が簡便である。 (d)生成するポリマー中のSi−O−Si結合の含有
量が極めて少ない。 (e)超音波の照射を行う場合には、反応時間が短縮さ
れるとともに、反応生成物の収量が増加する。
【実施例】
【0021】以下に実施例を示し、本発明の特徴とする
ところをより一層明確にする。
【0022】実施例1 三方コックおよびMg電極(1cm×1cm×5cm;
その表面を希硫酸で洗浄した後、エタノールおよびエー
テルで洗浄し、減圧乾燥し、窒素雰囲気下に研磨して、
表面の酸化被膜を除去した)2個を装着した内容積30
mlの3つ口フラスコ(以下反応器と言う)に無水過塩
素酸リチウム0.75gを収容し、50℃、1mmHg
に加熱減圧して(6時間)、過塩素酸リチウムを乾燥し
た後、脱酸素した乾燥窒素を反応器内に導入し、さらに
予めナトリウム−ベンゾフェノンケチルで乾燥したテト
ラヒドロフラン15mlを加えた。これに予め蒸留した
1,4−ビス(メチルフェニルクロロシリル)ベンゼン
3mmolをシリンジで加え、ウォーターバスにより反
応器を室温に保持しつつ、定電圧電源により通電した。 この際、コミュテーターを使用して、2つの電極の極性
を15秒毎に変換しつつ、モノマー中の塩素を基準とし
て4F/molの通電量となる様に約50時間通電した
。反応終了後、貧溶媒エタノールおよび良溶媒ベンゼン
で再沈した結果、Si−Si結合を主鎖に含むポリマー
として、重量平均分子量16000のポリ[p−(ジシ
ラニレン)フェニレン]が得られた。元素分析の結果、
このポリマーの主鎖中の酸素含有量は、0.1%以下で
あり、Si−O−Siの含有率が極めて低いことが確認
された。
【0023】実施例2 1,4−ビス(メチルフェニルクロロシリル)ベンゼン
の使用量を3.3mmolとし且つモノマー中の塩素に
対する通電量を5F/molとする以外は実施例1と同
様にして電極反応を行なった。その結果、Si−Si結
合を主鎖に含むポリマーとして、重量平均分子量176
00のポリ[p−(ジシラニレン)フェニレン]が得ら
れた。
【0024】実施例3 一般式(1)で示される原料として、1,4−ビス(メ
チルエチルクロロシリル)ベンゼンを使用する以外は実
施例1と同様にして電極反応を行なった。通電時間は、
約48時間であった。  反応終了後、貧溶媒エタノー
ルおよび良溶媒ベンゼンで再沈した結果、Si−Si結
合を主鎖に含むポリマーとして、重量平均分子量578
0のポリ[p−(ジシラニレン)フェニレン]が収率2
2%で得られた。
【0025】実施例4 一般式(1)で示される原料として、1,5−ビス(メ
チルフェニルクロロシリル)ナフタレンを使用する以外
は実施例1と同様にして電極反応を行なったところ、同
様のSi−Si結合を主鎖に含むポリマーが得られた。
【0026】実施例5 一般式(1)で示される原料として、4,4′−ビス(
メチルフェニルクロロシリル)ビフェニルを使用する以
外は実施例1と同様にして電極反応を行なったところ、
同様のSi−Si結合を主鎖に含むポリマーが得られた
【0027】実施例6 一般式(1)で示される原料として、トランス−1,2
−ビス(メチルフェニルクロロシリル)エテンを使用す
る以外は実施例1と同様にして電極反応を行なったとこ
ろ、同様のSi−Si結合を主鎖に含むポリマーが得ら
れた。
【0028】実施例7 陽極としてMg(1cm×1cm×5cm)を使用し、
陰極としてNi(1cm×0.1cm×5cm)を使用
し、且つ電極の極性を変換しない以外は実施例1と同様
にして、1,4−ビス(メチルフェニルクロロシリル)
ベンゼンを電極反応に供したところ、同様のSi−Si
結合を主鎖に含むポリマーが得られた。
【0029】実施例8 2つの極として銅(1cm×0.1cm×5cm)を使
用し且つ極性の切り替えを1分毎に行なう以外は実施例
1と同様にして1,4−ビス(メチルフェニルクロロシ
リル)ベンゼンを電極反応に供したところ、同様のSi
−Si結合を主鎖に含むポリマーが得られた。
【0030】実施例9 支持電解質として過塩素酸テトラ−n−ブチルアンモニ
ウムを使用する以外は実施例1と同様にして1,4−ビ
ス(メチルフェニルクロロシリル)ベンゼンの電極反応
を行なったところ、同様のSi−Si結合を主鎖に含む
ポリマーが得られた。
【0031】実施例10 溶媒として予めナトリウム−ベンゾフェノンケチルによ
り乾燥した1,2−ジメトキシエタン15mlを使用す
る以外は実施例1と同様にして1,4−ビス(メチルフ
ェニルクロロシリル)ベンゼンの電極反応を行なったと
ころ、同様のSi−Si結合を主鎖に含むポリマーが得
られた。
【0032】実施例11 反応器を出力60W、周波数45kHzの超音波洗浄器
に浸漬する以外は実施例3と同様にして電極反応を行な
った。通電時間は、約32時間であった。反応終了後、
貧溶媒エタノールおよび良溶媒ベンゼンで再沈した結果
、Si−Si結合を主鎖に含むポリマーとして、重量平
均分子量7540のポリ[p−(ジシラニレン)フェニ
レン]が収率41%で得られた。
【0033】実施例12 反応器を出力60W、周波数45kHzの超音波洗浄器
に浸漬し且つ塩素成分を基準として通電量を2F/mo
lとする以外は実施例3と同様にして電極反応を行なっ
た。通電時間は、約10時間であった。反応終了後、貧
溶媒エタノールおよび良溶媒ベンゼンで再沈した結果、
Si−Si結合を主鎖に含むポリマーとして、重量平均
分子量10500のポリ[p−(ジシラニレン)フェニ
レン]が収率39%で得られた。
【0034】実施例13 両極としてAl(1cm×0.1cm×5cm)を使用
する以外は実施例12と同様にして電極反応を行なった
。その結果、実施例12と同様なポリ[p−(ジシラニ
レン)フェニレン]が得られた。
【0035】実施例14 一般式(1)で示される原料として、2,5−ビス(メ
チルエチルクロロシリル)チオフェンを使用する以外は
実施例12と同様にして、電極反応を行なった。その結
果、Si−Si結合を主鎖に含むポリマーとして、ポリ
[ジシラニレン)チエニレン]が得られた。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式 (式中、Rは、芳香族基、不飽和脂肪族基、−(CH2
    )m−基または−(CH2−CH2−O)m−基(mは
    、1〜20である)を表わし;R1、R2、R3および
    R4は、それぞれ同一或いは異なって、水素原子、アル
    キル基、アリール基、アルコキシ基またはアミノ基を表
    わし;Xは、ハロゲン原子を表わす)で示される化合物
    をMg、Cu、Zn、SnまたはAlを陽極として使用
    する電極反応に供することにより、一般式(式中、R、
    R1、R2、R3およびR4は、上記に同じ;nは、1
    0〜10000である)で示されるSi−Si結合を主
    鎖に含むポリマーを形成させることを特徴とするポリマ
    ーの製造方法。
  2. 【請求項2】一般式 (式中、Rは、芳香族基、不飽和脂肪族基、−(CH2
    )m−基または−(CH2−CH2−O)m−基(mは
    、1〜20である)を表わし;R1、R2、R3および
    R4は、それぞれ同一或いは異なって、水素原子、アル
    キル基、アリール基、アルコキシ基またはアミノ基を表
    わし;Xは、ハロゲン原子を表わす)で示される化合物
    を超音波の照射下にMg、Cu、Zn、SnまたはAl
    を陽極として使用する電極反応に供することにより、一
    般式 (式中、R、R1、R2、R3およびR4は、上記に同
    じ;nは、10〜10000である)で示されるSi−
    Si結合を主鎖に含むポリマーを形成させることを特徴
    とするポリマーの製造方法。
  3. 【請求項3】一般式 (式中、Rは、芳香族基、不飽和脂肪族基、−(CH2
    )m−基または−(CH2−CH2−O)m−基(mは
    、1〜20である)を表わし;R1、R2、R3および
    R4は、それぞれ同一或いは異なって、水素原子、アル
    キル基、アリール基、アルコキシ基またはアミノ基を表
    わし;Xは、ハロゲン原子を表わす)で示される化合物
    をMg、Cu、Zn、SnまたはAlを一方の極とし、
    これらと同種又は異種の導電性材料を他方の極として一
    定の時間間隔で電極の極性を切り替える電極反応に供す
    ることにより、一般式 (式中、R、R1、R2、R3およびR4は、上記に同
    じ;nは、10〜10000である)で示されるSi−
    Si結合を主鎖に含むポリマーを形成させることを特徴
    とするポリマーの製造方法。
  4. 【請求項4】一般式 (式中、Rは、芳香族基、不飽和脂肪族基、−(CH2
    )m−基または−(CH2−CH2−O)m−基(mは
    、1〜20である)を表わし;R1、R2、R3および
    R4は、それぞれ同一或いは異なって、水素原子、アル
    キル基、アリール基、アルコキシ基またはアミノ基を表
    わし;Xは、ハロゲン原子を表わす)で示される化合物
    を超音波の照射下にMg、Cu、Zn、SnまたはAl
    を一方の極とし、これらと同種又は異種の導電性材料を
    他方の極として一定の時間間隔で電極の極性を切り替え
    る電極反応に供することにより、一般式(式中、R、R
    1、R2、R3およびR4は、上記に同じ;nは、10
    〜10000である)で示されるSi−Si結合を主鎖
    に含むポリマーを形成させることを特徴とするポリマー
    の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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