JPH05247217A - シリコンネットワークポリマーの製造方法 - Google Patents

シリコンネットワークポリマーの製造方法

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JPH05247217A
JPH05247217A JP5181692A JP5181692A JPH05247217A JP H05247217 A JPH05247217 A JP H05247217A JP 5181692 A JP5181692 A JP 5181692A JP 5181692 A JP5181692 A JP 5181692A JP H05247217 A JPH05247217 A JP H05247217A
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JP
Japan
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reaction
solvent
halosilane
network polymer
electrode
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JP5181692A
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English (en)
Inventor
Tatsuya Shono
達哉 庄野
Shigefumi Kashiwamura
成史 柏村
Ryoichi Nishida
亮一 西田
Shinichi Kawasaki
真一 川崎
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Osaka Gas Co Ltd
Original Assignee
Osaka Gas Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】重合度の高いシリコンネットワークポリマーを
高収率で製造しうる新規な方法を提供することを主な目
的とする。 【構成】ハロシランを電極還元するに際し、原料の初期
濃度を1mol/l以上とし、且つ反応の進行とともに
電流密度が初期値の1/2未満となった時点で非プロト
ン性溶媒を添加して通電を行なうことにより、シリコン
ネットワークポリマーを形成させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はシリコンネットワークポ
リマーの製造方法に関する。
【0002】
【従来技術とその課題】シリコンネットワークポリマー
を含むポリシラン類は、セラミックス前駆体、光・電子
材料として注目されている化合物である。
【0003】従来、ポリシラン類の製造方法としては、
クロロシラン類をトルエン溶媒還流下でナトリウム、リ
チウムなどのアルカリ金属と反応させる方法が知られて
おり、シリコンネットワークポリマーも合成されている
(J.Am.Chem.Soc.,110(1988)324 など)。しかしなが
ら、この方法は、収率が低い、分子量の制御ができな
い、工業規模での生産に際してはアルカリ金属を大量に
使用するため安全性に大きな問題があるなどの欠点を有
している。
【0004】この様な欠点を克服する方法として、発明
者等は、電極としてマグネシウムを用い、過塩素酸塩を
含有する極性溶媒からなる電解液中で、電極還元反応を
行うことにより、シリコンネットワークポリマーを製造
する方法を開発した(特願平3ー239674)。しか
しながら、この方法では、重量平均分子量が40000
を超える高分子量体は、合成し難い場合がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、重
合度の高いシリコンネットワークポリマーを高収率で製
造しうる新規な方法を提供することを主な目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の如き
従来技術の現状を踏まえて鋭意研究を重ねた結果、ハロ
シラン類を電極還元反応に供するに際し、原料ハロシラ
ン類の初期濃度を高くするとともに、通電中に電流密度
が一定値以下に低下した時点で特定の溶媒を反応溶液に
添加して反応を継続する場合には、従来技術の問題点が
実質的に解消されるか或いは大幅に改善されることを見
い出した。
【0007】すなわち、本発明は、下記のシリコンンネ
ットワークポリマーの製造方法を提供するものである。
【0008】1.一般式
【0009】
【化3】
【0010】(式中、Rは、水素原子、アルキル基、ア
リール基、アルコキシ基、アミノ基またはシリル基を表
し、Xは、ハロゲン原子を表す。)で示されるハロシラ
ンを電極還元するに際し、原料の初期濃度を1mol/
l以上とし、且つ反応の進行とともに電流密度が初期値
の1/2未満となった時点で非プロトン性溶媒を添加し
て通電を行なうことにより、一般式
【0011】
【化4】
【0012】(式中、Rは、出発原料に対応して上記に
同じである。また、nは、100〜10000であ
る。)で示されるシリコンネットワークポリマーを形成
させることを特徴とする方法。本発明においては、出発
原料として上記一般式(1)で示されるハロシランを使
用する。一般式(1)において、Rは、水素原子、アル
キル基、アリール基、アルコキシ基、アミノ基またはシ
リル基を表す。アルキル基としては、炭素数1〜10程
度のものが挙げられ、アリール基としてはフェニル基、
炭素数1〜10のアルキル基を1つ以上置換基として有
するフェニル基、p−アルコキシフェニル基などが挙げ
られる。アルコキシ基としては、炭素数1〜10程度の
ものが挙げられる。Rがアミノ基、シリル基および有機
置換基の場合には、その水素原子の少なくとも1つが、
他のアルキル基、アリール基、アルコキシ基などの官能
基により置換されていても良い。
【0013】ハロシランは、できるだけ高純度であるこ
とが望ましく、例えば、使用前に水酸化カルシウムによ
り乾燥し、蒸留して使用することが望ましい。
【0014】反応に際しては、ハロシランを溶媒に溶解
して使用する。使用する溶媒としては、非プロトン性の
溶媒が広く使用でき、より具体的には、プロピレンカー
ボネート、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、シ
メチルスルホキシド、1,2ージメトキシエタン、ビス
(2−メトキシエチル)エーテル、p−ジオキサン、テ
トラヒドロフラン、塩化メチレンなどの溶媒が例示され
る。溶媒としては、これらの溶媒を単独で使用しても良
く、2種以上の溶媒を混合して使用しても良い。溶液中
のハロシランの初期濃度は、1〜20mol/l程度で
あり、より好ましくは2〜15mol/l程度であり、
特に好ましくは4〜13mol/l程度である。
【0015】本発明で使用する支持電解質としては、過
塩素酸ナトリウム、過塩素酸リチウムなどの過塩素酸ア
ルカリ金属、過塩素酸−n−ブチルアンモニウムなどの
過塩素酸テトラアルキルアンモニウム、テトラフルオロ
ホウ酸リチウムなどのテトラフルオロホウ酸アルカリ金
属、塩化−n−ブチルアンモニウムなどのハロゲン化テ
トラアルキルアンモニウム、テトラフルオロホウ酸テト
ラーnーブチルアンモニウムなどのテトラフルオロホウ
酸テトラアルキルアンモニウムなどが例示される。これ
らの支持電解質は、単独で使用しても良く、或いは2種
以上を混合して使用しても良い。これらの支持電解質の
中でも、過塩素酸リチウム、テトラフルオロホウ酸リチ
ウム、過塩素酸テトラ−n−ブチルアンモニウムがより
好ましく、さらには過塩素酸リチウムおよび過塩素酸テ
トラ−n−ブチルアンモニウムが最も好ましい。支持電
解質の初期濃度は、0.1〜3mol/l程度が好まし
く、より好ましくは0.3〜2.5mol/l程度であ
る。
【0016】本発明で使用する電極としては、陽極とし
てMg、Cu、Zn、Sn、またはAl或いはこれらの
金属を主成分とする合金を使用する。陰極としては、電
流を通じることができる材料であれば、特に制限はされ
ないが、Mg、Cu、Zn、Sn、AlまたはCo或い
はこれらの金属を主成分とする合金を使用することが好
ましい。電極の形状は、通電を安定して行なえる限り限
定されないが、棒状、板状、筒状、コイル状に巻いたも
のなどが好ましい。電極の表面は、あらかじめ酸化皮膜
をできるだけ除去しておくことが好ましい。
【0017】本発明を実施するに際しては、陽極および
陰極を設置した密閉可能な反応容器に原料であるハロシ
ランおよび支持電解質を溶媒とともに収容し、初期電流
密度0.001〜1A/cm2 で、好ましくは機械的も
しくは磁気的に攪拌しつつ、所定量の電気量を供給する
ことにより、電極反応を行なわせる。通電反応中に電流
密度が初期値の1/2未満となった場合には、溶媒を添
加して更に反応を継続する。反応容器内は、乾燥雰囲気
であれば良いが、乾燥した窒素または不活性ガス雰囲気
であることが好ましく、さらには脱酸素し、乾燥した窒
素または不活性ガス雰囲気であることが最も好ましい。
【0018】反応途中で新たに添加する溶媒は、反応初
期から使用する溶媒と同じでも異なっていても良い。新
たに添加する溶媒としても、非プロトン性の溶媒が広く
使用でき、より具体的には、プロピレンカーボネート、
アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスル
ホキシド、1,2−ジメトキシエタン、ビス(2−メト
キシエチル)エーテル、p−ジオキサン、テトラヒドロ
フラン、塩化メチレンなどの溶媒が例示され、これらの
溶媒は単独で添加しても良く、2種以上の溶媒を混合し
て添加しても良い。反応容器に対する新たな溶媒の添加
は、シリンジまたは滴下漏斗などの滴下装置を用いて、
やはり乾燥雰囲気下で行なえば良い。溶媒の添加時期お
よび添加量は、電流密度が初期値の1/2未満となった
時点で、電流密度が少なくとも初期値の1/2にまで回
復する様にすれば良い。また、溶媒の添加は、電流密度
の低下に応じて、繰り返し必要な回数行なえば良い。原
料濃度を1mol/l以上として、溶媒の添加を行なわ
ない場合には、溶媒不溶物の生成などにより反応溶液の
粘度が次第に高まって、物質移動が困難となるため、反
応時間が長くなるだけでなく、所定量の電気量が得られ
ないため、収率も大幅に低下する。
【0019】通電量は、原料ハロシラン中のハロゲン原
子を基準として、1F/mol程度以上であれば良い。
また、0.1F/mol程度以上の通電量で生成したポ
リシラン類を系外に取り出し、残存するハロシランを回
収して、再使用することも可能である。反応時の温度は
使用する溶媒の沸点以下の範囲内であれば良い。
【0020】また、本発明では、反応を促進するために
電極の極性を一定時間間隔で切り替えても良い。さら
に、電極反応中の反応容器または反応溶液への超音波の
照射も効果的である。電極の極性の切り替えは、通常
0.01秒〜60分間程度の間隔で行うが、好ましくは
1秒〜10分間程度の間隔で行い、特に好ましくは10
秒〜3分間程度の間隔で行うと良い。反応溶液への超音
波の照射方法は、特に限定されるものではないが、反応
器を超音波浴槽に収容して照射する方法、反応器内に超
音波振動子を装入して照射する方法などが例示される。
超音波の振動数は、10〜70kH程度とすることが好
ましい。超音波の出力は、原料の種類、反応溶液の量、
反応容器並びに電極の形状及び大きさ、電極の材質及び
表面積などの反応条件に応じて適宜定めれば良いが、通
常反応溶液1lあたり0.01〜24kWの範囲内が良
い。
【0021】なお、本発明において、得られるポリシラ
ン主鎖中への酸素の含有を抑制するために、溶媒及び支
持電解質中の水分を予め除去しておくことが望ましい。
例えば、溶媒としてテトラヒドロフラン或いは1,2−
ジメトキシエタンを使用する場合には、ナトリウム−ベ
ンゾフェノンケチルなどによる乾燥を予め行なっておく
ことが好ましい。また、支持電解質の場合には、減圧加
熱による乾燥、或いは水分と反応しやすく且つ容易に除
去できる物質、例えばトリメチルクロロシランなどの添
加による水分除去を行なっておくことが好ましい。
【0022】前記の一般式(2)で表わされる本発明の
シリコンネットワークポリマーは、通常、重量平均分子
量10000〜1000000程度、すなわち重合度が
100〜10000程度である。
【0023】
【発明の効果】本発明によれば、下記の様な顕著な効果
が達成される。
【0024】(1)通電反応中に溶媒を添加しながら反
応を行なうことにより、得られるシリコンネットワーク
ポリマーの収率が大幅に向上する。
【0025】(2)反応中の通電が良好に行なわれるの
で、反応時間が短縮される。
【0026】
【実施例】以下に実施例を示し、本発明の特徴とすると
ころを一層明確にする。
【0027】実施例1 三方コック及びMg電極(1cm×1cm×5cm;希
塩酸で洗浄した後、エタノール及びエーテルで洗浄し、
減圧乾燥し、窒素雰囲気下で研磨することにより、表面
の酸化皮膜を除去した)2個を装着した内容積30ml
の3つ口フラスコ(以下反応器という)に無水過塩素酸
リチウム1.0gを収容し、50℃、1mmHgで加熱減圧
(6時間)し、次いでトリメチルクロロシランを用いて
過塩素酸リチウムを乾燥した後、脱酸素した乾燥窒素を
反応器内に導入し、さらに予めナトリウムーベンゾフェ
ノンケチルで乾燥したテトラヒドロフラン4mlを加え
た。これに予め水素化カルシウムにより乾燥し、蒸留し
たフェニルトリクロロシラン4mlをシリンジで加え、
初期電流密度30mA/cm2 で通電した。この際、反
応器に出力60W、周波数45kHzの超音波洗浄器に
浸し、反応器を室温に保持しつつ、コミュテータを使用
して、2つの電極の極性を15秒毎に変換しながら通電
した。通電開始後、電流密度が7.5mA/cm2 未満
になる毎に、電流密度を少なくとも7.5mA/cm2
に保つよう乾燥したテトラヒドロフランを加えることを
繰り返しつつ、原料であるフェニルトリクロロシラン中
の塩素を基準として3.3F/molの割合で通電し
た。通電時間は66時間であり、添加したテトラヒドロ
フランの総量は13mlであった。
【0028】反応終了後、1N塩酸150mlを加え、
エーテルで抽出し、貧溶媒エタノール、良溶媒ベンゼン
で再沈し、生成物を取り出した。
【0029】その結果、重量平均分子量51000のフ
ェニルシリコンネットワークポリマーが収率52%で得
られた。
【0030】実施例2 支持電解質として過塩素酸リチウムに代えて過塩素酸テ
トラブチルアンモニウム3.3gを用いる以外は、実施
例1と同様にしてフェニルトリクロロシランの電極還元
を行った。
【0031】その結果、通電開始から80時間後に重量
平均分子量48000のフェニルシリコンネットワーク
ポリマーが39%の収率で得られた。
【0032】実施例3 溶媒としてテトラヒドロフランに代えて1,2−ジメト
キシエタンを用いる以外は、実施例1と同様にしてフェ
ニルトリクロロシランの電極還元を行った。
【0033】その結果、通電開始から75時間後に重量
平均分子量が49000のフェニルシリコンネットワー
クポリマーが43%の収率で得られた。
【0034】実施例4 原料としてフェニルトリクロロシラン4mlに代えてn
−ヘキシルトリクロロシラン5mlを用いる以外は、実
施例1と同様にして電極還元を行った。
【0035】その結果、通電開始から89時間後に、重
量平均分子量が66000のnーヘキシルシリコンネッ
トワークポリマーが37%の収率で得られた。
【0036】実施例5 原料としてフェニルトリクロロシラン4mlに代えてフ
ェニルトリクロロシラン2mlとn−ヘキシルトリクロ
ロシラン2.5mlとを用いる以外は、実施例1と同様
にして電極還元を行なった。
【0037】その結果、通電開始から85時間後に対応
するシリコンネットワークポリマーが28%の収率で得
られた。
【0038】比較例1 通電中にテトラヒドロフランを添加しないこと以外は、
実施例1と同様にしてフェニルトリクロロシランの電極
還元を行った。
【0039】その結果、得られたフェニルシリコンネッ
トワークポリマーの重量平均分子量は49000である
が、108時間通電を行っても、0.3F/mol以上
通電することができず、収率も8%と低い値であった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西田 亮一 大阪府大阪市中央区平野町四丁目1番2号 大阪瓦斯株式会社内 (72)発明者 川崎 真一 大阪府大阪市中央区平野町四丁目1番2号 大阪瓦斯株式会社内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式 【化1】 (式中、Rは、水素原子、アルキル基、アリール基、ア
    ルコキシ基、アミノ基またはシリル基を表し、Xは、ハ
    ロゲン原子を表す。)で示されるハロシランを電極還元
    するに際し、原料の初期濃度を1mol/l以上とし、
    且つ反応の進行とともに電流密度が初期値の1/2未満
    となった時点で非プロトン性溶媒を添加して通電を行な
    うことにより、一般式 【化2】 (式中、Rは、出発原料に対応して上記に同じである。
    また、nは、100〜10000である。)で示される
    シリコンネットワークポリマーを形成させることを特徴
    とする方法。
JP5181692A 1992-03-10 1992-03-10 シリコンネットワークポリマーの製造方法 Pending JPH05247217A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0680081A2 (en) * 1994-04-25 1995-11-02 Hitachi, Ltd. Method of forming thin film and electronic device using thin film
WO1996034034A1 (fr) * 1995-04-25 1996-10-31 Hitachi, Ltd. Polymere de fluorosilicium en reseau, revetement isolant compose de ce dernier, et dispositifs electroniques revetus de ce polymere

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0680081A2 (en) * 1994-04-25 1995-11-02 Hitachi, Ltd. Method of forming thin film and electronic device using thin film
EP0680081A3 (en) * 1994-04-25 1998-03-04 Hitachi, Ltd. Method of forming thin film and electronic device using thin film
WO1996034034A1 (fr) * 1995-04-25 1996-10-31 Hitachi, Ltd. Polymere de fluorosilicium en reseau, revetement isolant compose de ce dernier, et dispositifs electroniques revetus de ce polymere

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