JPH05247216A - ポリシランの製造方法 - Google Patents

ポリシランの製造方法

Info

Publication number
JPH05247216A
JPH05247216A JP5181592A JP5181592A JPH05247216A JP H05247216 A JPH05247216 A JP H05247216A JP 5181592 A JP5181592 A JP 5181592A JP 5181592 A JP5181592 A JP 5181592A JP H05247216 A JPH05247216 A JP H05247216A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solvent
reaction
electrode
halosilane
polysilane
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5181592A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuya Shono
達哉 庄野
Shigefumi Kashiwamura
成史 柏村
Ryoichi Nishida
亮一 西田
Shinichi Kawasaki
真一 川崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Osaka Gas Co Ltd
Original Assignee
Osaka Gas Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osaka Gas Co Ltd filed Critical Osaka Gas Co Ltd
Priority to JP5181592A priority Critical patent/JPH05247216A/ja
Publication of JPH05247216A publication Critical patent/JPH05247216A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Silicon Polymers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】重合度の高いポリシランを高収率で得ることが
できる新規な方法を提供することを主な目的とする。 【構成】ハロシランを電極還元してポリシランを形成さ
せるに当たり、原料の初期濃度を1mol /l以上とし、
反応の進行とともに電流密度が初期値の1/2未満とな
った時点で非プロトン性溶媒を添加して通電を行なう。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ポリシランの製造方法
に関する。
【0002】
【従来技術とその課題】ポリシラン類は、セラミックス
前駆体、光・電子材料として注目されている化合物であ
る。
【0003】従来、ポリシラン類の製造方法としては、
クロロシラン類をトルエン溶媒の還流下にナトリウム、
リチウムなどのアルカリ金属と反応させる方法が知られ
ている。しかしながら、この方法では、高分子量のポリ
シランは得られるものの、収率が低く、また、分子量の
制御ができないこと、工業規模での生産に際してはアル
カリ金属を大量に使用するため、安全性に大きな問題が
あることなどの欠点を有している。
【0004】この様な欠点を克服する方法として、支持
電解質として4級アンモニウム塩を含有する極性溶媒か
らなる電解液中で、クロロシランを電極還元することに
よるポリシランの合成方法が提案されている(特開平3
−104893)。また、本発明者らは、電極としてマ
グネシウムを用い、過塩素酸塩を含有する極性溶媒から
なる電解液中で、原料ハロシランの濃度を高くして電極
還元反応を行うことにより、重量平均分子量が5000
0程度の重合度の高いポリシランを製造している(特願
平3−075541号)。しかしながら、ハロシランの
濃度を高くして反応を行うと、通電が困難となるため、
十分な電気量が得られず、収率が低下するという問題を
生ずる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、重
合度の高いポリシランを高収率で得ることができる新た
な方法を提供することを主な目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の如き
従来技術の現状を踏まえて鋭意研究を重ねた結果、ハロ
シラン類を電極還元反応に供してポリシランを製造する
に際し、原料の初期濃度を高くするとともに、通電中に
電流密度が一定値以下に低下した時点で特定の溶媒を反
応溶液中に添加して反応を継続することにより、従来技
術の問題点が実質的に解消されるかあるいは大幅に改善
されることを見い出した。
【0007】すなわち、本発明は、下記のポリシランの
製造方法を提供するものである。
【0008】1.一般式
【0009】
【化3】
【0010】(式中、Rは、水素原子、アルキル基、ア
リ−ル基、アルコキシ基、アミノ基またはシリル基を表
す。mは、1〜3の整数である。m=1の場合には、2
つのRが同一或いは相異なっていても良い。また、m=
2の場合には、4つのRが、m=3の場合には、6つの
Rが、同一でもあるいは2つ以上が相異なっていても良
い。Xは、ハロゲン原子を表す。)で示されるハロシラ
ンを電極還元してポリシランを形成させるに当たり、原
料の初期濃度を1mol /l以上とし、電流密度が初期値
の1/2未満となった時点で非プロトン性溶媒を添加し
て通電を行なうことにより、一般式
【0011】
【化4】
【0012】(式中、Rは、出発原料に対応して上記に
同じである。また、nは、100〜10000であ
る。)で示されるポリシランを形成させることを特徴と
する方法。
【0013】本発明において、出発原料として使用する
ハロシランは、一般式
【0014】
【化5】
【0015】(式中、Rは、水素原子、アルキル基、ア
リ−ル基、アルコキシ基、アミノ基またはシリル基を表
す。mは、1〜3の整数である。m=1の場合には、2
つのRが同一或いは相異なっていても良い。また、m=
2の場合には、4つのRが、m=3の場合には、6つの
Rが、同一でもあるいは2つ以上が相異なっていても良
い。Xは、ハロゲン原子を表す。)で示される化合物で
ある。
【0016】一般式(1)で表される化合物としては、
mが1または2であることが、より好ましい。アルキル
基としては、炭素数1〜10程度のものが挙げられ、ア
リ−ル基としてはフェニル基、炭素数1〜10のアルキ
ル基を1つ以上置換基として有するフェニル基、p−ア
ルコキシフェニル基などが挙げられる。Rが、p−アル
コキシフェニル基である場合には、アルコキシ基として
は、炭素数1〜10程度のものが挙げられる。Rが、ア
ミノ基、シリル基および有機置換基の場合には、その水
素原子の少なくとも1つが、他のアルキル基、アリ−ル
基、アルコキシ基などの官能基により置換されていても
良い。
【0017】一般式(1)で表わされるハロシランは、
できるだけ高純度であることが望ましく、例えば、使用
前に水酸化カルシウムにより乾燥し、蒸留して使用する
ことが望ましい。
【0018】反応に際しては、ハロシランを溶媒に溶解
して使用する。使用する溶媒としては、非プロトン性の
溶媒が広く使用でき、より具体的には、プロピレンカ−
ボネ−ト、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、シ
メチルスルホキシド、1,2−ジメトキシエタン、ビス
(2−メトキシエチル)エ−テル、p−ジオキサン、テ
トラヒドロフラン、塩化メチレンなどが例示される。溶
媒としては、これらの溶媒を単独で使用しても良く、2
種以上の溶媒を混合して使用しても良い。溶液中のハロ
シランの初期濃度は、1〜20mol/l程度であり、
より好ましくは2〜15mol/l程度であり、特に好
ましくは4〜13mol/l程度である。
【0019】本発明で使用する支持電解質としては、過
塩素酸ナトリウム、過塩素酸リチウムなどの過塩素酸ア
ルカリ金属、過塩素酸−n−ブチルアンモニウムなどの
過塩素酸テトラアルキルアンモニウム、テトラフルオロ
ホウ酸リチウムなどのテトラフルオロホウ酸アルカリ金
属、塩化−n−ブチルアンモニウムなどのハロゲン化テ
トラアルキルアンモニウム、テトラフルオロホウ酸テト
ラ−n−ブチルアンモニウムなどのテトラフルオロホウ
酸テトラアルキルアンモニウムなどが例示される。これ
らの支持電解質は、単独で使用しても良く、或いは2種
以上を混合して使用しても良い。これらの支持電解質の
中でも、過塩素酸リチウム、テトラフルオロホウ酸リチ
ウム、過塩素酸テトラ−n−ブチルアンモニウムがより
好ましく、さらには過塩素酸リチウムおよび過塩素酸テ
トラ−n−ブチルアンモニウムが最も好ましい。支持電
解質の初期濃度は、0.1〜3mol/l程度が好まし
く、より好ましくは0.3〜2.5mol/l程度であ
る。
【0020】本発明で使用する電極としては、陽極とし
てMg、Cu、Zn、SnまたはAl或いはこれらの金
属を主成分とする合金を使用する。陰極としては、電流
を通じることができる材料であれば、特に制限はされな
いが、Mg、Cu、Zn、Sn、AlまたはCo或いは
これらの金属を主成分とする合金を使用することが好ま
しい。電極の形状は、通電を安定して行なえる限り限定
されないが、棒状、板状、筒状、コイル状に巻いたもの
などが好ましい。電極の表面は、あらかじめ酸化皮膜を
できるだけ除去しておくことが好ましい。
【0021】本発明を実施するに際しては、陽極および
陰極を設置した密閉可能な反応容器に原料であるハロシ
ランおよび支持電解質を溶媒とともに収容し、初期電流
密度0.001〜1A/cm2 で、好ましくは機械的も
しくは磁気的に攪拌しつつ、所定量の電気量を供するこ
とにより、電極反応を行なわせる。通電反応中に電流密
度が初期値の1/2未満となった場合には、溶媒を添加
して更に反応を継続する。反応容器内は、乾燥雰囲気で
あれば良いが、乾燥した窒素または不活性ガス雰囲気で
あることが好ましく、さらには脱酸素し、乾燥した窒素
または不活性ガス雰囲気であることが最も好ましい。
【0022】反応途中で新たに添加する溶媒は、反応初
期から使用する溶媒と同じでも異なっていても良い。新
たに添加する溶媒としても、やはり非プロトン性の溶媒
が広く使用でき、より具体的には、プロピレンカ−ボネ
−ト、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルスルホキシド、1,2−ジメトキシエタン、ビス(2
−メトキシエチル)エ−テル、p−ジオキサン、テトラ
ヒドロフラン、塩化メチレンなどの溶媒が例示され、こ
れらの溶媒は単独で添加しても良く、2種以上の溶媒を
混合して添加しても良い。反応容器に対する新たな溶媒
の添加は、シリンジまたは滴下漏斗などの滴下装置を用
いて、乾燥雰囲気下で行なえば良い。溶媒の添加時期お
よび添加量は、電流密度が初期値の1/2未満となった
時点で、電流密度が少なくとも初期値の1/2にまで回
復する様に、溶媒を添加すれば良い。また、溶媒の添加
は、電流密度の低下に応じて、繰返し必要な回数行なえ
ば良い。原料濃度を1mol/l以上として、溶媒の添
加を行わない場合には、溶媒不溶物の生成などにより反
応溶液の粘度が次第に高まって、物質移動が困難となる
ため、反応時間が長くなるだけでなく、所定量の電気量
が得られないため、収率も大幅に低下する。
【0023】通電量は、原料ハロシラン中のハロゲン原
子を基準として、1F/mol程度以上であれば良い。
また、0.1F/mol程度以上の通電量で生成したポ
リシラン類を系外に取り出し、残存するハロシランを回
収して、再使用することも可能である。反応時の温度は
使用する溶媒の沸点以下の範囲内であれば良い。
【0024】また、本発明では、反応を促進するために
電極の極性を一定時間間隔で切り替えても良い。さら
に、電極反応中の反応容器または反応溶液への超音波の
照射も効果的である。電極の極性の切り替えは、通常
0.01秒〜60分間程度の間隔で行うが、好ましくは
1秒〜10分間程度の間隔で行い、特に好ましくは10
秒〜3分間程度の間隔で行うと良い。反応溶液への超音
波の照射方法は、特に限定されるものではないが、反応
器を超音波浴槽に収容して照射する方法、反応器内に超
音波振動子を装入して照射する方法などが例示される。
超音波の振動数は、10〜70kH程度とすることが好
ましい。超音波の出力は、原料の種類、反応溶液の量、
反応容器並びに電極の形状及び大きさ、電極の材質及び
表面積などの反応条件に応じて適宜定めれば良いが、通
常反応溶液1lあたり0.01〜24kWの範囲内が良
い。
【0025】なお、本発明において、得られるポリシラ
ン主鎖中への酸素の含有を抑制するために、溶媒及び支
持電解質中の水分を予め除去しておくことが望ましい。
例えば、溶媒としてテトラヒドロフラン或いは1,2−
ジメトキシエタンを使用する場合には、ナトリウム−ベ
ンゾフェノンケチルなどによる乾燥を予め行なっておく
ことが好ましい。また、支持電解質の場合には、減圧加
熱による乾燥、或いは水分と反応しやすく且つ容易に除
去できる物質、例えばトリメチルクロロシランなどの添
加による水分除去を行なっておくことが好ましい。
【0026】本発明により得られるポリシランは、一般
【0027】
【化6】
【0028】(式中、Rは、出発原料に対応して上記に
同じである。。)で示される。また、その重量平均分子
量は10000〜1000000程度、すなわち重合度
n=100〜10000程度である。
【0029】
【発明の効果】本発明によれば、下記の様な顕著な効果
が達成される。
【0030】(1)通電反応中に溶媒を添加しながら反
応を行なうことにより、得られるポリシラン類の収率が
大幅に向上する。
【0031】(2)反応中の通電が良好に行なわれるの
で、反応時間が短縮される。
【0032】
【実施例】以下に実施例を示し、本発明の特徴とすると
ころを一層明確にする。
【0033】実施例1 三方コック及びMg電極(1cm×1cm×5cm;希
塩酸で洗浄した後、エタノ−ル及びエ−テルで洗浄し、
減圧乾燥し、窒素雰囲気下で研磨することにより、表面
の酸化皮膜を除去した)2個を装着した内容積30ml
の3つ口フラスコ(以下反応器という)に無水過塩素酸
リチウム1.0gを収容し、50℃、1mmHgで加熱減圧
(6時間)し、次いでトリメチルクロロシランを用いて
過塩素酸リチウムを乾燥した後、脱酸素した乾燥窒素を
反応器内に導入し、さらに予めナトリウム−ベンゾフェ
ノンケチルで乾燥したテトラヒドロフラン4mlを加え
た。これに予め水素化カルシウムにより乾燥し、蒸留し
たメチルフェニルジクロロシラン4mlをシリンジで加
え、初期電流密度30mA/cm2 で通電した。この
際、反応器に出力60W、周波数45kHzの超音波洗
浄器に浸し、反応器を室温に保持しつつ、コミュテ−タ
を使用して、2つの電極の極性を15秒毎に変換しなが
ら通電した。通電開始後、電流密度が7.5mA/cm
2 未満になる毎に電流密度を7.5mA/cm2 に保つ
よう、乾燥したテトラヒドロフランをシリンジで加える
ことを繰り返しつつ、原料であるメチルフェニルジクロ
ロシランを基準に2.2F/molの割合で通電した。
通電時間は46時間であり、添加したテトラヒドロフラ
ンの総量は、10mlであった。
【0034】反応終了後、1N塩酸150mlを加え、
エ−テルで抽出し、貧溶媒エタノ−ル、良溶媒ベンゼン
で再沈し、生成物を取り出した。
【0035】その結果、重量平均分子量58000のメ
チルフェニルポリシランが収率43%で得られた。
【0036】実施例2 支持電解質として過塩素酸リチウムに代えて過塩素酸テ
トラブチルアンモニウム3.3gを用いる以外は、実施
例1と同様にしてメチルフェニルジクロロシランの電極
還元を行なった。
【0037】その結果、通電開始から52時間後に重量
平均分子量48000のメチルフェニルポリシランが3
5%の収率で得られた。
【0038】実施例3 溶媒としてテトラヒドロフランに代えて1,2−ジメト
キシエタンを用いる以外は、実施例1と同様にしてメチ
ルフェニルジクロロシランの電極還元を行なった。
【0039】その結果、通電開始から58時間後に重量
平均分子量50000のメチルフェニルポリシランが3
9%の収率で得られた。
【0040】実施例4 原料としてメチルフェニルジクロロシラン4mlに代え
てn−ヘキシルメチルジクロロシラン5mlを用いる以
外は、実施例1と同様にして電極還元を行なった。
【0041】その結果、通電開始から65時間後に重量
平均分子量72000のn−ヘキシルメチルポリシラン
が35%の収率で得られた。
【0042】実施例5 原料としてメチルフェニルジクロロシラン4mlに代え
てn−プロピルメチルジクロロシラン4mlを用いる以
外は、実施例1と同様にして電極還元を行なった。
【0043】その結果、通電開始から60時間後に重量
平均分子量61000のn−プロピルメチルポリシラン
が32%の収率で得られた。
【0044】実施例6 原料としてメチルフェニルジクロロシラン4mlに代え
てジ−n−プロピルジクロロシラン4.6mlを用いる
以外は、実施例1と同様にして電極還元を行なった。
【0045】その結果、通電開始から72時間後に重量
平均分子量59000のジ−n−プロピルポリシランが
28%の収率で得られた。
【0046】実施例7 原料としてメチルフェニルジクロロシラン4mlに代え
てメチルフェニルジクロロシラン2mlおよびn−ヘキ
シルメチルジクロロシラン2.5mlを用いる以外は、
実施例1と同様にして電極還元を行なった。
【0047】その結果、通電開始から65時間後に重量
平均分子量61000の共重合体が38%の収率で得ら
れた。
【0048】実施例8 超音波を照射せず、スタ−ラ−で撹拌しながら通電する
以外は、実施例1と同様にして電極還元を行なった。
【0049】その結果、通電開始から71時間後に重量
平均分子量51000のメチルフェニルポリシランが3
6%の収率で得られた。
【0050】実施例9 電極の極性を変換しないで通電する以外は、実施例1と
同様にして電極還元を行なった。
【0051】その結果、通電開始から98時間後に重量
平均分子量38000のメチルフェニルポリシランが3
0%の収率で得られた。
【0052】実施例10 電極として陽極にMg(1cm×1cm×5cm)を、
陰極にPt(1cm×1cm×5cm)を用い、電極の
極性を変換しないで通電する以外は、実施例1と同様に
して電極還元を行なった。
【0053】その結果、通電開始から101時間後に重
量平均分子量36000のメチルフェニルポリシランが
25%の収率で得られた。
【0054】実施例11 溶媒としてのテトラヒドロフランの初期量を8mlとす
るする以外は、実施例1と同様にして電極還元を行なっ
た。
【0055】その結果、通電開始から40時間後に重量
平均分子量32000のメチルフェニルポリシランが4
5%の収率で得られた。
【0056】実施例12 支持電解質として過塩素酸リチウムを0.5gとするす
る以外は、実施例1と同様にして電極還元を行なった。
【0057】その結果、通電開始から98時間後に重量
平均分子量41000のメチルフェニルポリシランが3
4%の収率で得られた。
【0058】実施例13 原料であるメチルフェニルジクロロシランの初期量を2
mlとする以外は、実施例1と同様にして電極還元を行
なった。
【0059】その結果、通電開始から34時間後に重量
平均分子量31000のメチルフェニルポリシランが5
2%の収率で得られた。
【0060】実施例14 通電量を原料であるメチルフェニルジクロロシランを基
準に1.5F/molとする以外は、実施例1と同様に
して電極還元を行なった。
【0061】その結果、通電開始から38時間後に重量
平均分子量51000のメチルフェニルポリシランが2
8%の収率で得られた。
【0062】実施例15 通電量を原料であるメチルフェニルジクロロシランを基
準に4.0F/molとする以外は、実施例1と同様に
して電極還元を行なった。
【0063】その結果、通電開始から57時間後に重量
平均分子量56000のメチルフェニルポリシランが4
8%の収率で得られた。
【0064】実施例16 添加する溶媒をテトラヒドロフランに代えて1,2−ジ
メトキシエタンを用いる以外は、実施例1と同様にして
電極還元を行なった。
【0065】その結果、通電開始から51時間後に重量
平均分子量49000のメチルフェニルポリシランが3
9%の収率で得られた。
【0066】比較例1 通電反応中にテトラヒドロフランを添加しないこと以外
は、実施例1と同様にしてメチルフェニルジクロロシラ
ンの電極還元を行なった。
【0067】その結果、得られたメチルフェニルポリシ
ランの重量平均分子量は56000であるが、96時間
通電を行ってもメチルフェニルジクロロシランを基準と
して0.4F/mol以上の通電を行なうことができ
ず、生成物の収率も15%と低い値であった。
【0068】実施例17 初期電流密度20mA/cm2 で反応を開始し、電流密
度が5mA/cm2 未満になる毎に、電流密度を5mA
/cm2 に保つ様に、乾燥したテトラヒドロフランをシ
リンジで加えることを繰り返す以外は実施例1と同様に
して電極還元を行なった。
【0069】その結果、通電開始から73時間後に重量
平均分子量55000のメチルフェニルポリシランが収
率35%で得られた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西田 亮一 大阪府大阪市中央区平野町四丁目1番2号 大阪瓦斯株式会社内 (72)発明者 川崎 真一 大阪府大阪市中央区平野町四丁目1番2号 大阪瓦斯株式会社内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式 【化1】 (式中、Rは、水素原子、アルキル基、アリ−ル基、ア
    ルコキシ基、アミノ基またはシリル基を表す。mは、1
    〜3の整数である。m=1の場合には、2つのRが同一
    或いは相異なっていても良い。また、m=2の場合に
    は、4つのRが、m=3の場合には、6つのRが、同一
    でもあるいは2つ以上が相異なっていても良い。Xは、
    ハロゲン原子を表す。)で示されるハロシランを電極還
    元してポリシランを形成させるに当たり、原料の初期濃
    度を1mol /l以上とし、反応の進行とともに電流密度
    が初期値の1/2未満となった時点で非プロトン性溶媒
    を添加して通電を行なうことにより、一般式 【化2】 (式中、Rは、出発原料に対応して上記に同じである。
    また、nは、100〜10000である。)で示される
    ポリシランを形成させることを特徴とする方法。
JP5181592A 1992-03-10 1992-03-10 ポリシランの製造方法 Pending JPH05247216A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5181592A JPH05247216A (ja) 1992-03-10 1992-03-10 ポリシランの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5181592A JPH05247216A (ja) 1992-03-10 1992-03-10 ポリシランの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05247216A true JPH05247216A (ja) 1993-09-24

Family

ID=12897401

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5181592A Pending JPH05247216A (ja) 1992-03-10 1992-03-10 ポリシランの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05247216A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5120406A (en) Processes for preparation of polysilane
JPH05247217A (ja) シリコンネットワークポリマーの製造方法
JPH05247216A (ja) ポリシランの製造方法
JPH05247218A (ja) Si−Si結合を骨格とする網目状ポリマーの製造方法
JPH03264683A (ja) ジシランの製造方法
JP3120160B2 (ja) Si−Ge結合を有する化合物の製造方法
JPH07252272A (ja) 有機ケイ素化合物とその製造方法
JP3215889B2 (ja) シリコンネットワークポリマーの製造方法
JP3291564B2 (ja) Si−Si結合を骨格とする網目状ポリマーの製造方法
JP3089333B2 (ja) シランゲルマンコポリマーの製造方法
JP3184907B2 (ja) Si−Si結合を骨格とする網目状ポリマーを製造する方法
JP3343693B2 (ja) フェノール基を有するポリシランの製造方法
JP3028349B2 (ja) Si−Si結合を主鎖に含むポリマーの製造方法
JPH0673180A (ja) ポリシランの製造方法
JPH0673181A (ja) ポリシランの製造方法
JP3118597B2 (ja) ポリゲルマンの製造方法
JP2970257B2 (ja) ポリシランの製造方法
JPH05301965A (ja) ゲルマニウム系高分子材料を製造する方法
JPH05301966A (ja) ゲルマニウム系高分子材料の製造方法
JPH06256524A (ja) フェノール基を有するポリシランの製造方法
JP3312222B2 (ja) 有機ケイ素化合物とその製造方法
JPH05310948A (ja) Ge−Si系一次元超格子化合物の製造方法
JP2746097B2 (ja) ポリシランの製造方法
JP3120161B2 (ja) ジゲルマンの製造方法
JP3060853B2 (ja) ポリシランの製造方法