JP3026154B2 - 半導体装置の層間絶縁膜形成方法 - Google Patents
半導体装置の層間絶縁膜形成方法Info
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Description
法に関し、特に、多層金属配線を有する半導体装置の層
間絶縁膜形成方法に関する。
り、パターン化された金属配線または金属配線パターン
を有する多層構造の半導体装置の必要性が高くなってい
る。多層金属配線構造を有する半導体装置の製造時に
は、多層金属配線の層と層との間及び各層での金属配線
の間は層間絶縁膜で完全に埋め立てなければならない。
そのような層間絶縁膜は溶液や水に対する抵抗力と金属
配線への接着力が優れ、均質なステップカバレージを有
しなければならない。このような層間絶縁膜としては現
在BPSG(BoroPhosphoSilicate-Glass),SOG(Spin
-On-Glass) ,TEOS(TetraEtylOrthoSilicate)等が
主に使われている。
用する場合は、層間絶縁膜形成後に、高温でのリフロー
工程を伴い、ステップカバレージが不良でボイド(vo
id)が形成されるという問題点があり、SOGを使う
場合には、金属への粘着力が不良でありSOG自体が多
量の水分を含むことで、金属の腐食問題がある。
で埋め立てる場合、絶縁膜の基本材料であるTEOS
(Si(OC2H5 )4 )とオゾン(O3 )を反応させ
る方法が利用されている。この方法は、表面反応効果の
増加によって金属配線の間の埋立は容易であるが、水分
を多く含有しているため絶縁膜内部の水素(H)基がシ
リコン基板の下部まで浸透するか、あるいは絶縁膜自体
の特性上大気中で水分等を吸入してストレス変化が起こ
り、ひどい場合には絶縁膜が一定厚さ以上で壊される現
象が発生するという問題点がある。
優れた接着力と均一なステップカバレージを有するのみ
ならず、水分浸透によるボイドの生成を防止することの
できる半導体装置の層間絶縁膜形成方法を提供すること
にある。上記目的を達成するために、本発明の方法は、
先ず、半導体基板上部に金属配線を形成した後、金属配
線が形成された半導体基板を化学的気相蒸着のための炉
で所定流量のTEOSと所定濃度のオゾンとを供給して
金属配線の間を充分に埋め立てるほど第1絶縁膜を形成
する。
応炉でTEOSの供給流量のみ異ならせて第1絶縁膜の
上部に所定厚さの第2絶縁膜を形成する。第1絶縁膜の
形成時、オゾンの濃度3.0乃至5.0容量/容量%
(v/v%)、形成温度(蒸着温度)390±30℃及
びTEOS供給流量1.0乃至2.0slpmの範囲で
調節することが望ましい。又、第2絶縁膜はオゾンの濃
度3.0乃至5.0v/v%、形成温度(蒸着温度)4
10±30℃及びTEOS供給流量0.5slpm未満
で調節して形成することが望ましい。更に、第1絶縁膜
の厚さは6,000Å以上、第2絶縁膜の厚さは1,0
00Å未満であることが望ましい。
の望ましい実施例を具体的に説明するが、本発明は下記
の実施形態に限らない。本発明で金属配線を相互絶縁す
るための絶縁膜は2つの部分に分離される。即ち、金属
配線の間に埋め立てる第1絶縁膜と、金属配線及び第1
絶縁膜全面を被せる第2絶縁膜として、上記第1絶縁膜
と、第2絶縁膜を形成するための条件を異にすることで
2つの膜が互いに異なる特性を有するようにした。より
具体的に説明すれば次のようである。
板の上に金属配線工程を完了した後、絶縁膜の原料物質
の中の1つであるTEOSを供給してオゾンと反応させ
る。絶縁膜形成は通常のCVD形成法を利用し、第1絶
縁膜形成はチューブ内のオゾンの濃度3.0乃至5.0
v/v%、形成温度390±30℃、TEOS供給流量
1.0乃至2.0slpm(standard lit
ers per minute)の条件で行う。この際、
形成された第1絶縁膜は多層金属配線構造の半導体装置
製造時に装置特性を向上させるか、或いは維持できるよ
うに半導体基板上部の金属配線の間を完全に埋め立てる
ようにすることが望ましく、ここでは6,000Åにす
る。
膜とは膜の特性が異なる第2絶縁膜を形成する。ここ
で、第2絶縁膜形成工程は上記第1絶縁膜形成工程時の
反応炉とは必ず同一の反応炉(reactor)で行う
のが望ましい。これは大気中の水分との接触機会を最小
化するためである。
ゾンの濃度は第1絶縁膜形成時のオゾンの濃度と同一に
3.0乃至5.0v/v%の範囲に維持する。形成温度
もやはり、同様な410±30℃であり、TEOS供給
流量は第1絶縁膜の場合より低い0.5slpm未満で
調節する。本実施例では形成される第2絶縁膜の厚さが
1,000Å未満になるように調節する。
ための適性条件を探すために、与えられた条件下で形成
された絶縁膜の特性を測定した結果を示したものであ
る。6,000Å程度の第1絶縁膜を形成するために形
成温度(蒸着温度)360℃、390℃、420℃、T
EOS供給流量は1.3slpm、2.3slpm、
3.3slpm、O3濃度は70g/m3 (=3.27
v/v%)、100g/m3(=4.66v/v%)、
130g/m3 (=6.07v/v%)、蒸着時間を2
35秒、339秒、419秒、457秒、459秒、5
28秒、622秒、662秒、738秒、920秒で各
々変化させた。上記条件下で形成された第1絶縁膜の応
力とリフロー後の応力との変化率を見るために、蒸着後
と、蒸着後96時間が経過した状態での応力と厚さの縮
小率を測定した。又、蒸着厚さ、均一度(unifor
mity)、蒸着速度(単位:Å/min)、屈折率
(Reflective Index:R.I)、平面
度(Planarity)及び共形性(conform
ality)も測定した。
率が1.3乃至1.4%程度で低いが、360乃至39
0℃の温度範囲では17乃至24%に至る応力変化を示
し、厚さ縮小率は420℃の高温では0.5%程度の低
い値を示し、360℃又は390℃では2%以内の値を
示した。
着温度が360℃と420℃の場合、O3の濃度と厚さ
縮小率との関係を見れば次の通りである。即ち、蒸着温
度360℃、O3濃度70g/m3 、100g/m3 、
130g/m3とした場合に厚さ縮小率はそれぞれ1.
60%、1.23%、1.86%となり、蒸着温度42
0℃、O3濃度70g/m3 、100g/m3 、130
g/m3とした場合に厚さ縮小率はそれぞれ0.35
%、0.12%、0.52%となって、130g/m3
の場合に厚さ縮小率が比較的に高くなった。以上の結果
から、130g/m3の場合は、形成された絶縁膜自体
が水分を多く含有してポーラス(porous)になっ
ていると判断される。又、絶縁膜の構成原子が密に結合
しているので、優れた物理的特性を示すものと考えら
れ、従って、130g/m3の場合は適正O3濃度範囲か
ら除外した。
m3 の濃度でTEOSの供給流量が1.3slpm、
2.3slpm、3.3slpmであるそれぞれの場合
には厚さ縮小率は0.52%、1.20%、1.50%
となった。この結果から、TEOS供給流量が2.3s
lpm、3.3slpmの場合は1.3slpmの場合
に比べて、形成された絶縁膜自体が多くの水分を含有し
てポーラスになっていると判断される。又、1.3sl
pmの場合絶縁膜の構成原子が密に結合しているので、
優れた物理的特性を示すものと考えられ、従って、2.
3slpm、3.3slpmの場合は適正TEOS供給
流量範囲から除外した。
ある6,000Å程度の厚さに近接している。均一度は
0.80乃至2.59%を示した。蒸着速度(Å/mi
n)は形成温度390℃、TEOS供給流量3.3sl
pm、O3濃度4.66v/v%(=100g/m3 )
の場合、最も高い値を示した。屈折率は蒸着後直ちに測
定した値と420℃で30分間アニール処理した後の値
はほぼ同じであった。扁平度は50乃至59度範囲を示
し、共形性(comformality)は10乃至4
1%範囲を示したが、形成温度420℃、TEOS供給
流量1.3slpm、オゾン濃度4.66v/v%の場
合が最も低い値を示した。
℃、TEOS供給流量1.3slpm、O3濃度130
g/m3 (=6.07v/v%)の場合に蒸着時間によ
る膜の厚さの変化を示すグラフである。図2に示すよう
に、時間による蒸着厚さは線形的に増加することが分か
り、厚さが6,000Å以上である第1絶縁膜を得るた
めには少なくとも約560秒以上の蒸着時間が必要なも
のと判断された。
で固定した状態でO3の濃度を変化させた場合の蒸着速
度の変化を示すグラフである。図3に示すように、O3
の濃度が増加するほど、蒸着速度は低下する傾向を示
す。又、形成温度は高い温度よりは低い温度で蒸着速度
がより大きくなることが分かる。
蒸着速度の変化を示すグラフである。上記図4に示すよ
うに、TEOSの供給流量が増加するほど蒸着速度も線
形的に増加する。図5は本発明の方法により形成した層
間絶縁膜のSEMによる写真であり、従来の実施例とは
異なって、水分の浸透によるボイドの生成が現れていな
いことが分かる。
より最終的に生成される相異なる特性を有する二つの絶
縁膜は適正範囲の物理的特性を有するのみならず、その
絶縁膜内部から発生する水分の放出及び大気中の水分が
その絶縁膜の内部に浸透することを抑えられるようにな
るので、ボイドの生成を防止することができる。従っ
て、絶縁膜のストレス変化を押えることになり、従来の
半導体装置製造時にその装置の信頼性を減少するという
欠陥を最小化することができる。又、本発明は層間絶縁
膜形成時に同一反応炉を使って製造するため金属配線の
間の絶縁膜を一度に形成することができるので最終絶縁
膜内部のボイド形成を抑えるのみならず、これにより歩
留りを向上するという効果がある。ここでは、本発明の
特定の実施形態について説明し図示したが、当業者によ
り修正と変形をすることができる。従って、特許請求の
範囲は本発明の思想と範囲に属する限り全ての修正と変
形を含むものと理解することができる。
条件を探すために与えられた条件を変えて形成させた絶
縁膜の特性を測定した結果を示す表である。
供給流量1.3slpm、O3濃度130g/m3 (=
6.07v/v%)の場合の蒸着時間と生成膜の厚さと
の関係を示すグラフである。
pmで固定した状態でO3の濃度と蒸着速度との関係を
示すグラフである。
と絶縁膜の蒸着速度との関係を示すグラフである。
た状態を示すSEMの写真である。
Claims (2)
- 【請求項1】 半導体基板上部に金属配線を形成する工
程; 金属配線が形成されたウェーハを化学的気相蒸着のため
の炉内に入れ、所定濃度のオゾンとTEOSとを供給し
て前記金属配線の間を充分に埋め立てるほど第1絶縁膜
を形成する工程;及び前記第1絶縁膜を形成するための
反応炉と同一反応炉でTEOSの供給流量のみを異なら
せて上記第1絶縁膜の上部に所定厚さの第2絶縁膜を形
成する工程を含み、前記第1絶縁膜は、オゾンの濃度3.0乃至5.0容量
/容量%、形成温度390±30℃及びTEOS供給流
量1.0乃至2.0slpmの範囲内において形成し、 第2絶縁膜は、オゾン濃度3.0乃至5.0容量/容量
%、形成温度410±30℃及びTEOS供給流量0.
5slpm未満の範囲内の条件において形成する ことを
特徴とする半導体装置の層間絶縁膜形成方法。 - 【請求項2】 上記第1絶縁膜の厚さは6,000Å以
上とし、第2絶縁膜の厚さは1,000Å未満であるこ
とを特徴とする請求項1記載の半導体装置の層間絶縁膜
形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
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KR1995P4445 | 1995-03-04 | ||
KR1019950004445A KR0144228B1 (ko) | 1995-03-04 | 1995-03-04 | 다층 금속배선의 층간 절연막 형성 방법 |
Publications (2)
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