JPH0974090A - 半導体装置の層間絶縁膜形成方法 - Google Patents
半導体装置の層間絶縁膜形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の目的は優れた接着力と均一なステッ
プカバレージを有するのみならず、水分浸透によるボイ
ドの生成を防止することのできる半導体装置層間絶縁膜
形成方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板上部に金属配線を形成した
後、金属配線が形成された半導体基板を化学的に気相蒸
着のための炉で所定濃度のＴＥＯＳとオゾンを供給して
金属配線の間を充分に埋め立てるほど第１絶縁膜を形成
する。その後、第１絶縁膜の形成のための同一反応炉で
ＴＥＯＳの濃度のみ異ならして第１絶縁膜の上部に所定
厚さの第２絶縁膜を形成する。
プカバレージを有するのみならず、水分浸透によるボイ
ドの生成を防止することのできる半導体装置層間絶縁膜
形成方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板上部に金属配線を形成した
後、金属配線が形成された半導体基板を化学的に気相蒸
着のための炉で所定濃度のＴＥＯＳとオゾンを供給して
金属配線の間を充分に埋め立てるほど第１絶縁膜を形成
する。その後、第１絶縁膜の形成のための同一反応炉で
ＴＥＯＳの濃度のみ異ならして第１絶縁膜の上部に所定
厚さの第２絶縁膜を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に関し、特に、多層金属配線を有する半導体装置の層
間絶縁膜形成方法に関する。
法に関し、特に、多層金属配線を有する半導体装置の層
間絶縁膜形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の集積度が増加することによ
り、金属配線を有する多層構造の半導体装置の必要性が
高くなっている。多層金属配線構造を有する半導体装置
の製造時には、多層金属配線の層と層との間及び各層で
の金属配線の間は層間絶縁膜で完全に埋め立てなければ
ならない。そのような層間絶縁膜は溶液や水に対する抵
抗力と金属配線への接着力が優れ、均質なステップカバ
レージを有しなければならない。このような層間絶縁膜
としては現在ＢＰＳＧ(BoroPhosphoSilicate-Glass)，
ＳＯＧ(Spin-On-Glass)，ＴＥＯＳ(TetraEtylOrthoSili
cate)等が主に使われている。
り、金属配線を有する多層構造の半導体装置の必要性が
高くなっている。多層金属配線構造を有する半導体装置
の製造時には、多層金属配線の層と層との間及び各層で
の金属配線の間は層間絶縁膜で完全に埋め立てなければ
ならない。そのような層間絶縁膜は溶液や水に対する抵
抗力と金属配線への接着力が優れ、均質なステップカバ
レージを有しなければならない。このような層間絶縁膜
としては現在ＢＰＳＧ(BoroPhosphoSilicate-Glass)，
ＳＯＧ(Spin-On-Glass)，ＴＥＯＳ(TetraEtylOrthoSili
cate)等が主に使われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＢＰＳＧを使
用する場合は、層間絶縁膜形成後に、高温でのリフロー
工程を伴い、ステップカバレージが不良でボイド（ｖｏ
ｉｄ）が形成されるという問題点があり、ＳＯＧを使う
場合には、金属への粘着力が不良でありＳＯＧ自体が多
量の水分を含むことで、金属の腐食問題がある。
用する場合は、層間絶縁膜形成後に、高温でのリフロー
工程を伴い、ステップカバレージが不良でボイド（ｖｏ
ｉｄ）が形成されるという問題点があり、ＳＯＧを使う
場合には、金属への粘着力が不良でありＳＯＧ自体が多
量の水分を含むことで、金属の腐食問題がある。
【０００４】上記方法以外にも、金属配線の間を絶縁膜
で埋め立てる場合、絶縁膜の基本材料であるＴＥＯＳ
（Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ）とオゾン（Ｏ3 ）を反応させ
る方法が利用されている。この方法は、表面反応効果の
増加によって金属配線の間の埋立は容易であるが、水分
を多く含有しているため絶縁膜内部の水素（Ｈ）基がシ
リコン基板の下部まで浸透するか、あるいは絶縁膜自体
の特性上大気中で水分等を吸入してストレス変化が起こ
り、ひどい場合には絶縁膜が一定厚さ以上で壊される現
象が発生するという問題点がある。
で埋め立てる場合、絶縁膜の基本材料であるＴＥＯＳ
（Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ）とオゾン（Ｏ3 ）を反応させ
る方法が利用されている。この方法は、表面反応効果の
増加によって金属配線の間の埋立は容易であるが、水分
を多く含有しているため絶縁膜内部の水素（Ｈ）基がシ
リコン基板の下部まで浸透するか、あるいは絶縁膜自体
の特性上大気中で水分等を吸入してストレス変化が起こ
り、ひどい場合には絶縁膜が一定厚さ以上で壊される現
象が発生するという問題点がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】従って、本発明の目的は
優れた接着力と均一なステップカバレージを有するのみ
ならず、水分浸透によるボイドの生成を防止することの
できる半導体装置の層間絶縁膜形成方法を提供すること
にある。上記目的を達成するために、本発明の方法は、
先ず、半導体基板上部に金属配線を形成した後、金属配
線が形成された半導体基板を化学的気相蒸着のための炉
で所定流量のＴＥＯＳと所定濃度のオゾンとを供給して
金属配線の間を充分に埋め立てるほど第１絶縁膜を形成
する。
優れた接着力と均一なステップカバレージを有するのみ
ならず、水分浸透によるボイドの生成を防止することの
できる半導体装置の層間絶縁膜形成方法を提供すること
にある。上記目的を達成するために、本発明の方法は、
先ず、半導体基板上部に金属配線を形成した後、金属配
線が形成された半導体基板を化学的気相蒸着のための炉
で所定流量のＴＥＯＳと所定濃度のオゾンとを供給して
金属配線の間を充分に埋め立てるほど第１絶縁膜を形成
する。
【０００６】その後、第１絶縁膜の形成のための同一反
応炉でＴＥＯＳの供給流量のみ異ならせて第１絶縁膜の
上部に所定厚さの第２絶縁膜を形成する。第１絶縁膜の
形成時、オゾンの濃度３．０乃至５．０ｍｏｌ ｗｔ
％、形成温度（蒸着温度）３９０±３０℃及びＴＥＯＳ
濃度１．０乃至２．０ｓｌｐｍの範囲で調節することが
望ましい。又、第２絶縁膜はオゾンの濃度３．０乃至
５．０ｍｏｌ ｗｔ％、形成温度（蒸着温度）４１０±
３０℃及びＴＥＯＳ濃度０．５ｓｌｐｍ未満で調節して
形成することが望ましい。更に、第１絶縁膜の厚さは
６，０００Å以上、第２絶縁膜の厚さは１，０００Å未
満であることが望ましい。
応炉でＴＥＯＳの供給流量のみ異ならせて第１絶縁膜の
上部に所定厚さの第２絶縁膜を形成する。第１絶縁膜の
形成時、オゾンの濃度３．０乃至５．０ｍｏｌ ｗｔ
％、形成温度（蒸着温度）３９０±３０℃及びＴＥＯＳ
濃度１．０乃至２．０ｓｌｐｍの範囲で調節することが
望ましい。又、第２絶縁膜はオゾンの濃度３．０乃至
５．０ｍｏｌ ｗｔ％、形成温度（蒸着温度）４１０±
３０℃及びＴＥＯＳ濃度０．５ｓｌｐｍ未満で調節して
形成することが望ましい。更に、第１絶縁膜の厚さは
６，０００Å以上、第２絶縁膜の厚さは１，０００Å未
満であることが望ましい。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の望ましい実施例を具体的に説明するが、本発明は下記
の実施形態に限らない。本発明で金属配線を相互絶縁す
るための絶縁膜は２つの部分に分離される。即ち、金属
配線の間に埋め立てる第１絶縁膜と、金属配線及び第１
絶縁膜全面を被せる第２絶縁膜として、上記第１絶縁膜
と、第２絶縁膜を形成するための条件を異にすることで
２つの膜が互いに異なる特性を有するようにした。より
具体的に説明すれば次のようでなる。
の望ましい実施例を具体的に説明するが、本発明は下記
の実施形態に限らない。本発明で金属配線を相互絶縁す
るための絶縁膜は２つの部分に分離される。即ち、金属
配線の間に埋め立てる第１絶縁膜と、金属配線及び第１
絶縁膜全面を被せる第２絶縁膜として、上記第１絶縁膜
と、第２絶縁膜を形成するための条件を異にすることで
２つの膜が互いに異なる特性を有するようにした。より
具体的に説明すれば次のようでなる。
【０００８】半導体装置の金属配線間の絶縁のために基
板の上に金属配線工程を完了した後、絶縁膜の原料物質
の中の１つであるＴＥＯＳを供給してオゾンと反応させ
る。絶縁膜形成は通常のＣＶＤ形成法を利用し、第１絶
縁膜形成はチューブ内のオゾンの濃度３．０乃至５．０
ｍｏｌ ｗｔ％、形成温度３９０±３０℃、ＴＥＯＳ濃
度１．０乃至２．０ｓｌｐｍ（ｓｔａｎｄａｒｄ ｌｉ
ｔｅｒｓ ｐｅｒ ｍｉｎｕｔｅ）の条件で行う。この
際、形成された第１絶縁膜は多層金属配線構造の半導体
装置製造時に装置特性を向上させるか、或いは維持でき
るように半導体基板上部の金属配線の間を完全に埋め立
てるようにすることが望ましく、ここでは６，０００Å
にする。
板の上に金属配線工程を完了した後、絶縁膜の原料物質
の中の１つであるＴＥＯＳを供給してオゾンと反応させ
る。絶縁膜形成は通常のＣＶＤ形成法を利用し、第１絶
縁膜形成はチューブ内のオゾンの濃度３．０乃至５．０
ｍｏｌ ｗｔ％、形成温度３９０±３０℃、ＴＥＯＳ濃
度１．０乃至２．０ｓｌｐｍ（ｓｔａｎｄａｒｄ ｌｉ
ｔｅｒｓ ｐｅｒ ｍｉｎｕｔｅ）の条件で行う。この
際、形成された第１絶縁膜は多層金属配線構造の半導体
装置製造時に装置特性を向上させるか、或いは維持でき
るように半導体基板上部の金属配線の間を完全に埋め立
てるようにすることが望ましく、ここでは６，０００Å
にする。
【０００９】その後、上記第１絶縁膜の上部に第１絶縁
膜とは膜の特性が異なる第２絶縁膜を形成する。ここ
で、第２絶縁膜形成工程は上記第１絶縁膜形成工程時の
反応炉とは必ず同一の反応炉（ｒｅａｃｔｏｒ）で行う
のが望ましい。これは大気中の水分との接触機会を最小
化するためである。
膜とは膜の特性が異なる第２絶縁膜を形成する。ここ
で、第２絶縁膜形成工程は上記第１絶縁膜形成工程時の
反応炉とは必ず同一の反応炉（ｒｅａｃｔｏｒ）で行う
のが望ましい。これは大気中の水分との接触機会を最小
化するためである。
【００１０】第２絶縁膜の形成のためのチューブ内のオ
ゾンの濃度は第１絶縁膜形成時のオゾンの濃度と同一に
３．０乃至５．０ｍｏｌ ｗｔ％の範囲に維持する。形
成温度もやはり、同様な４１０±３０℃であり、ＴＥＯ
Ｓ濃度は第１絶縁膜の場合より低い０．５ｓｌｐｍ未満
で調節する。本実施例では形成される第２絶縁膜の厚さ
が１，０００Å未満になるように調節する。
ゾンの濃度は第１絶縁膜形成時のオゾンの濃度と同一に
３．０乃至５．０ｍｏｌ ｗｔ％の範囲に維持する。形
成温度もやはり、同様な４１０±３０℃であり、ＴＥＯ
Ｓ濃度は第１絶縁膜の場合より低い０．５ｓｌｐｍ未満
で調節する。本実施例では形成される第２絶縁膜の厚さ
が１，０００Å未満になるように調節する。
【００１１】図１は本発明による第１絶縁膜を形成する
ための適性条件を探すために、与えられた条件下で形成
されたＴＥＯＳ膜の特性を測定した結果を示したのであ
る。６，０００Å程度の第１絶縁膜を形成するために形
成温度（蒸着温度）３６０℃、３９０℃、４２０℃、Ｔ
ＥＯＳ濃度は１．３ｓｌｐｍ、２．３ｓｌｐｍ、Ｏ3 濃
度は７０ｇ／ｍ3 （＝３．２７ｍｏｌ ｗｔ％）、１０
０ｇ／ｍ3 （＝４．６６ｍｏｌ ｗｔ％）、１３０ｇ／
ｍ3 （＝６．０７ｍｏｌ ｗｔ％）、蒸着時間を２３５
秒、３３９秒、４１９秒、４５７秒、４５９秒、５２８
秒、６２２秒、７３８秒、９２０秒で各々変化させた。
上記条件下で形成された第１絶縁膜の応力とリフロー後
の応力との変化率を見るために、蒸着後と、蒸着後９６
時間が経過した状態で応力と厚さの縮小率を測定した。
又、蒸着厚さ、均一度（ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）、蒸着
速度（単位：Å／ｍｉｎ）、屈折率（Ｒｅｆｌｅｃｔｉ
ｖｅ Ｉｎｄｅｘ：Ｒ．Ｉ）、扁平度（Ｐｌａｎａｒｉ
ｔｙ）及びＣＯＮＦＯＲＭＡＬＩＴＹも測定した。
ための適性条件を探すために、与えられた条件下で形成
されたＴＥＯＳ膜の特性を測定した結果を示したのであ
る。６，０００Å程度の第１絶縁膜を形成するために形
成温度（蒸着温度）３６０℃、３９０℃、４２０℃、Ｔ
ＥＯＳ濃度は１．３ｓｌｐｍ、２．３ｓｌｐｍ、Ｏ3 濃
度は７０ｇ／ｍ3 （＝３．２７ｍｏｌ ｗｔ％）、１０
０ｇ／ｍ3 （＝４．６６ｍｏｌ ｗｔ％）、１３０ｇ／
ｍ3 （＝６．０７ｍｏｌ ｗｔ％）、蒸着時間を２３５
秒、３３９秒、４１９秒、４５７秒、４５９秒、５２８
秒、６２２秒、７３８秒、９２０秒で各々変化させた。
上記条件下で形成された第１絶縁膜の応力とリフロー後
の応力との変化率を見るために、蒸着後と、蒸着後９６
時間が経過した状態で応力と厚さの縮小率を測定した。
又、蒸着厚さ、均一度（ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）、蒸着
速度（単位：Å／ｍｉｎ）、屈折率（Ｒｅｆｌｅｃｔｉ
ｖｅ Ｉｎｄｅｘ：Ｒ．Ｉ）、扁平度（Ｐｌａｎａｒｉ
ｔｙ）及びＣＯＮＦＯＲＭＡＬＩＴＹも測定した。
【００１２】測定の結果、４２０℃の高温では応力変化
率が１．３乃至１．４％程度で低いが、３６０乃至３９
０℃の温度範囲では１７乃至２４％に至る応力変化を示
し、厚さ縮小率は４２０℃の高温では０．５％程度の低
い値を示し、３６０℃又は３９０℃では２％以内の値を
示した。
率が１．３乃至１．４％程度で低いが、３６０乃至３９
０℃の温度範囲では１７乃至２４％に至る応力変化を示
し、厚さ縮小率は４２０℃の高温では０．５％程度の低
い値を示し、３６０℃又は３９０℃では２％以内の値を
示した。
【００１３】ＴＥＯＳの供給流量が１．３ｓｌｐｍ、蒸
着温度が３６０℃と４２０℃の場合、Ｏ3 の濃度と厚さ
縮小率との関係を見れば次の通りである。即ち、蒸着温
度３６０℃、Ｏ3 濃度７０ｇ／ｍ3 、１００ｇ／ｍ3 、
１３０ｇ／ｍ3 とした場合に厚さ縮小率はそれぞれ１．
６０％、１．２３％、１．８６％となり、蒸着温度４２
０℃、Ｏ3 濃度７０ｇ／ｍ3 、１００ｇ／ｍ3 、１３０
ｇ／ｍ3 とした場合に厚さ縮小率はそれぞれ０．３５
％、０．１２％、０．５２％となって、１３０ｇ／ｍ3
の場合に厚さ縮小率が比較的に高くなった。以上の結果
から、１３０ｇ／ｍ3 の場合は、形成されたＴＥＯＳ膜
自体が水分を多く含有してポーラス（ｐｏｒｏｕｓ）に
なっていると判断される。又、絶縁膜の構成原子が密に
結合しているので、優れた物理的特性を示すものと考え
られ、従って、１３０ｇ／ｍ3 の場合は適正Ｏ3 濃度範
囲から除外した。
着温度が３６０℃と４２０℃の場合、Ｏ3 の濃度と厚さ
縮小率との関係を見れば次の通りである。即ち、蒸着温
度３６０℃、Ｏ3 濃度７０ｇ／ｍ3 、１００ｇ／ｍ3 、
１３０ｇ／ｍ3 とした場合に厚さ縮小率はそれぞれ１．
６０％、１．２３％、１．８６％となり、蒸着温度４２
０℃、Ｏ3 濃度７０ｇ／ｍ3 、１００ｇ／ｍ3 、１３０
ｇ／ｍ3 とした場合に厚さ縮小率はそれぞれ０．３５
％、０．１２％、０．５２％となって、１３０ｇ／ｍ3
の場合に厚さ縮小率が比較的に高くなった。以上の結果
から、１３０ｇ／ｍ3 の場合は、形成されたＴＥＯＳ膜
自体が水分を多く含有してポーラス（ｐｏｒｏｕｓ）に
なっていると判断される。又、絶縁膜の構成原子が密に
結合しているので、優れた物理的特性を示すものと考え
られ、従って、１３０ｇ／ｍ3 の場合は適正Ｏ3 濃度範
囲から除外した。
【００１４】又、３９０℃の蒸着温度、Ｏ3 １００ｇ／
ｍ3 の濃度でＴＥＯＳの供給流量が１．３ｓｌｐｍ、
２．３ｓｌｐｍ、３．３ｓｌｐｍであるそれぞれの場合
には厚さ縮小率は０．５２％、１．２０％、１．５０％
となった。この結果から、ＴＥＯＳ供給流量が２．３ｓ
ｌｐｍ、３．３ｓｌｐｍの場合は１．３ｓｌｐｍの場合
に比べて、形成されたＴＥＯＳ膜自体が多くの水分を含
有してポーラスになっていると判断される。又、絶縁膜
の構成原子が密に結合しているので、優れた物理的特性
を示すものと考えられ、従って、２．３ｓｌｐｍ、３．
３ｓｌｐｍの場合は適正ＴＥＯＳ濃度範囲から除外し
た。
ｍ3 の濃度でＴＥＯＳの供給流量が１．３ｓｌｐｍ、
２．３ｓｌｐｍ、３．３ｓｌｐｍであるそれぞれの場合
には厚さ縮小率は０．５２％、１．２０％、１．５０％
となった。この結果から、ＴＥＯＳ供給流量が２．３ｓ
ｌｐｍ、３．３ｓｌｐｍの場合は１．３ｓｌｐｍの場合
に比べて、形成されたＴＥＯＳ膜自体が多くの水分を含
有してポーラスになっていると判断される。又、絶縁膜
の構成原子が密に結合しているので、優れた物理的特性
を示すものと考えられ、従って、２．３ｓｌｐｍ、３．
３ｓｌｐｍの場合は適正ＴＥＯＳ濃度範囲から除外し
た。
【００１５】形成された大部分の試片の厚さは設定値で
ある６，０００Å程度の厚さに近接している。均一度は
０．８０乃至２．５９％を示した。蒸着速度（Å／ｍｉ
ｎ）は形成温度３９０℃、ＴＥＯＳ供給流量３．３ｓｌ
ｐｍ、Ｏ3 濃度４．６６ｍｏｌ ｗｔ％（＝１００ｇ／
ｍ3 ）の場合、最も高い値を示した。屈折率は蒸着後直
ちに測定した値と４２０℃で３０分間アニール処理した
後の値はほぼ同じであった。扁平度は５０乃至５９度範
囲を示し、ｃｏｍｆｏｒｍａｌｉｔｙは１０乃至４１％
範囲を示したが、形成温度４２０℃、ＴＥＯＳ供給流量
１．３ｓｌｐｍ、オゾン濃度４．６６ｍｏｌ ｗｔ％の
場合が最も低い値を示した。
ある６，０００Å程度の厚さに近接している。均一度は
０．８０乃至２．５９％を示した。蒸着速度（Å／ｍｉ
ｎ）は形成温度３９０℃、ＴＥＯＳ供給流量３．３ｓｌ
ｐｍ、Ｏ3 濃度４．６６ｍｏｌ ｗｔ％（＝１００ｇ／
ｍ3 ）の場合、最も高い値を示した。屈折率は蒸着後直
ちに測定した値と４２０℃で３０分間アニール処理した
後の値はほぼ同じであった。扁平度は５０乃至５９度範
囲を示し、ｃｏｍｆｏｒｍａｌｉｔｙは１０乃至４１％
範囲を示したが、形成温度４２０℃、ＴＥＯＳ供給流量
１．３ｓｌｐｍ、オゾン濃度４．６６ｍｏｌ ｗｔ％の
場合が最も低い値を示した。
【００１６】図２は図１の表で蒸着条件が温度３９０
℃、ＴＥＯＳ供給流量１．３ｓｌｐｍ、Ｏ3 濃度１３０
ｇ／ｍ3 （＝６．０７ｍｏｌ ｗｔ％）の場合に蒸着時
間による膜の厚さの変化を示すグラフである。図２に示
すように、時間による蒸着厚さは線形的に増加すること
が分かり、厚さが６，０００Å以上である第１絶縁膜を
得るためには少なくとも約５６０秒以上の蒸着時間が必
要なものと判断された。
℃、ＴＥＯＳ供給流量１．３ｓｌｐｍ、Ｏ3 濃度１３０
ｇ／ｍ3 （＝６．０７ｍｏｌ ｗｔ％）の場合に蒸着時
間による膜の厚さの変化を示すグラフである。図２に示
すように、時間による蒸着厚さは線形的に増加すること
が分かり、厚さが６，０００Å以上である第１絶縁膜を
得るためには少なくとも約５６０秒以上の蒸着時間が必
要なものと判断された。
【００１７】図３はＴＥＯＳの流量を１．３ｓｌｐｍで
固定した状態でＯ3 の濃度を変化させた場合の蒸着速度
の変化を示すグラフである。図３に示すように、Ｏ3 の
濃度が増加するほど、蒸着速度は低下する傾向を示す。
又、形成温度は高い温度よりは低い温度で蒸着速度がよ
り大きくなることが分かる。
固定した状態でＯ3 の濃度を変化させた場合の蒸着速度
の変化を示すグラフである。図３に示すように、Ｏ3 の
濃度が増加するほど、蒸着速度は低下する傾向を示す。
又、形成温度は高い温度よりは低い温度で蒸着速度がよ
り大きくなることが分かる。
【００１８】図４はＴＥＯＳの供給流量によるＴＥＯＳ
膜の蒸着速度の変化を示すグラフである。上記図面に示
すように、ＴＥＯＳの流量が増加するほど蒸着速度も線
形的に増加する。図５は本発明の方法により形成した層
間絶縁膜のＳＥＭによる写真であり、従来の実施例とは
異なって、水分の浸透によるボイドの生成が現れていな
いことが分かる。
膜の蒸着速度の変化を示すグラフである。上記図面に示
すように、ＴＥＯＳの流量が増加するほど蒸着速度も線
形的に増加する。図５は本発明の方法により形成した層
間絶縁膜のＳＥＭによる写真であり、従来の実施例とは
異なって、水分の浸透によるボイドの生成が現れていな
いことが分かる。
【００１９】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明の方法に
より最終的に生成される相異なる特性を有する二つの絶
縁膜は適正範囲の物理的特性を有するのみならず、その
絶縁膜内部から発生する水分の放出及び大気中の水分が
その絶縁膜の内部に浸透することを抑えられるようにな
るので、ボイドの生成を防止することができる。従っ
て、絶縁膜のストレス変化を押えることになり、従来の
半導体装置製造時にその装置の信頼性を減少するという
欠陥を最小化することができる。又、本発明は層間絶縁
膜形成時に同一反応炉を使って製造するため金属配線の
間の絶縁膜を一度に形成することができるので最終絶縁
膜内部のボイド形成を抑えるのみならず、これにより歩
留りを向上するという効果がある。ここでは、本発明の
特定の実施形態について説明し図示したが、当業者によ
り修正と変形をすることができる。従って、特許請求の
範囲は本発明の思想と範囲に属する限り全ての修正と変
形を含むものと理解することができる。
より最終的に生成される相異なる特性を有する二つの絶
縁膜は適正範囲の物理的特性を有するのみならず、その
絶縁膜内部から発生する水分の放出及び大気中の水分が
その絶縁膜の内部に浸透することを抑えられるようにな
るので、ボイドの生成を防止することができる。従っ
て、絶縁膜のストレス変化を押えることになり、従来の
半導体装置製造時にその装置の信頼性を減少するという
欠陥を最小化することができる。又、本発明は層間絶縁
膜形成時に同一反応炉を使って製造するため金属配線の
間の絶縁膜を一度に形成することができるので最終絶縁
膜内部のボイド形成を抑えるのみならず、これにより歩
留りを向上するという効果がある。ここでは、本発明の
特定の実施形態について説明し図示したが、当業者によ
り修正と変形をすることができる。従って、特許請求の
範囲は本発明の思想と範囲に属する限り全ての修正と変
形を含むものと理解することができる。
【図１】本発明による第１絶縁膜を形成するための適正
条件を探すために与えられた条件を変えて形成させたＴ
ＥＯＳ膜の特性を測定した結果を示す表である。
条件を探すために与えられた条件を変えて形成させたＴ
ＥＯＳ膜の特性を測定した結果を示す表である。
【図２】図１の表で蒸着条件が温度３９０℃、ＴＥＯＳ
供給流量１．３ｓｌｐｍ、Ｏ3濃度１３０ｇ／ｍ3 （＝
６．０７ｍｏｌ ｗｔ％）の場合の蒸着時間と生成膜の
厚さとの関係を示すグラフである。
供給流量１．３ｓｌｐｍ、Ｏ3濃度１３０ｇ／ｍ3 （＝
６．０７ｍｏｌ ｗｔ％）の場合の蒸着時間と生成膜の
厚さとの関係を示すグラフである。
【図３】本発明において、ＴＥＯＳの流量を１．３ｓｌ
ｐｍで固定した状態でＯ3 の濃度と蒸着速度との関係を
示すグラフである。
ｐｍで固定した状態でＯ3 の濃度と蒸着速度との関係を
示すグラフである。
【図４】本発明の一実施例として、ＴＥＯＳの供給流量
とＴＥＯＳ膜の蒸着速度との関係を示すグラフである。
とＴＥＯＳ膜の蒸着速度との関係を示すグラフである。
【図５】本発明の一実施例により層間絶縁膜が形成され
た状態を示すＳＥＭの写真である。
た状態を示すＳＥＭの写真である。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年７月５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による第１絶縁膜を形成するための適正
条件を探すために与えられた条件を変えて形成させたＴ
ＥＯＳ膜の特性を測定した結果を示す図表である。
条件を探すために与えられた条件を変えて形成させたＴ
ＥＯＳ膜の特性を測定した結果を示す図表である。
【図２】図１の表で蒸着条件が温度３９０℃、ＴＥＯＳ
供給流量１．３ｓｌｐｍ、０３濃度１３０ｇ／ｍ３（＝
６．０７ｍｏｌ ｗｔ％）の場合の蒸着時間と生成膜の
厚さとの関係を示すグラフである。
供給流量１．３ｓｌｐｍ、０３濃度１３０ｇ／ｍ３（＝
６．０７ｍｏｌ ｗｔ％）の場合の蒸着時間と生成膜の
厚さとの関係を示すグラフである。
【図３】本発明において、ＴＥＯＳの流量を１．３ｓｌ
ｐｍで固定した状態でＯ３の濃度と蒸着速度との関係を
示すグラフである。
ｐｍで固定した状態でＯ３の濃度と蒸着速度との関係を
示すグラフである。
【図４】本発明の一実施例として、ＴＥＯＳの供給流量
とＴＥＯＳ膜の蒸着速度との関係を示すグラフである。
とＴＥＯＳ膜の蒸着速度との関係を示すグラフである。
【図５】本発明の一実施例により層間絶縁膜が形成され
た状態を示すＳＥＭの写真である。
た状態を示すＳＥＭの写真である。
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板上部に金属配線を形成する工
程；金属配線が形成されたウェーハを化学的気相蒸着の
ための炉内に入れ、所定濃度のオゾンとＴＥＯＳとを供
給して上記金属配線の間を充分に埋め立てるほど第１絶
縁膜を形成する工程；上記第１絶縁膜を形成するための
同一反応炉でＴＥＯＳの供給流量だけを異ならせて上記
第１絶縁膜の上部に所定厚さの第２絶縁膜を形成する工
程を含むことを特徴とする半導体装置の層間絶縁膜形成
方法。 - 【請求項２】 上記第１絶縁膜の形成条件は、オゾンの
濃度３．０乃至５．０ｍｏｌ ｗｔ％、形成温度３９０
±３０℃及びＴＥＯＳ供給流量１．０乃至２．０ｓｌｐ
ｍの範囲であることを特徴とする請求項１記載の半導体
装置の層間絶縁膜形成方法。 - 【請求項３】 上記第２絶縁膜の形成条件は、オゾンの
濃度３．０乃至５．０ｍｏｌ ｗｔ％、形成温度４１０
±３０℃、及びＴＥＯＳ供給流量０．５ｓｌｐｍ未満で
あることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の層間
絶縁膜形成方法。 - 【請求項４】 上記第１絶縁膜の厚さは６，０００Å以
上、第２絶縁膜は１，０００Å未満であることを特徴と
する請求項１記載の半導体装置の層間絶縁膜形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950004445A KR0144228B1 (ko) | 1995-03-04 | 1995-03-04 | 다층 금속배선의 층간 절연막 형성 방법 |
| KR1995P4445 | 1995-03-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0974090A true JPH0974090A (ja) | 1997-03-18 |
| JP3026154B2 JP3026154B2 (ja) | 2000-03-27 |
Family
ID=19409229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8070957A Expired - Fee Related JP3026154B2 (ja) | 1995-03-04 | 1996-03-04 | 半導体装置の層間絶縁膜形成方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5804509A (ja) |
| JP (1) | JP3026154B2 (ja) |
| KR (1) | KR0144228B1 (ja) |
| DE (1) | DE19608209A1 (ja) |
| GB (1) | GB2298658B (ja) |
| TW (1) | TW309656B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6524972B1 (en) | 1999-03-17 | 2003-02-25 | Canon Sales Co., Inc. | Method for forming an interlayer insulating film, and semiconductor device |
| US6737697B2 (en) | 2000-04-11 | 2004-05-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and method and system for fabricating the same |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2937140B2 (ja) * | 1996-10-09 | 1999-08-23 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US6200874B1 (en) | 1997-08-22 | 2001-03-13 | Micron Technology, Inc. | Methods for use in forming a capacitor |
| US6218268B1 (en) * | 1998-05-05 | 2001-04-17 | Applied Materials, Inc. | Two-step borophosphosilicate glass deposition process and related devices and apparatus |
| US6022812A (en) * | 1998-07-07 | 2000-02-08 | Alliedsignal Inc. | Vapor deposition routes to nanoporous silica |
| TW394988B (en) * | 1998-09-14 | 2000-06-21 | United Microelectronics Corp | Method for formation of a dielectric film |
| EP1054444A1 (en) * | 1999-05-19 | 2000-11-22 | Applied Materials, Inc. | Process for depositing a porous, low dielectric constant silicon oxide film |
| US6753270B1 (en) * | 2000-08-04 | 2004-06-22 | Applied Materials Inc. | Process for depositing a porous, low dielectric constant silicon oxide film |
| KR20090069362A (ko) * | 2007-12-26 | 2009-07-01 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5000113A (en) * | 1986-12-19 | 1991-03-19 | Applied Materials, Inc. | Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process |
| JPH0680657B2 (ja) * | 1989-12-27 | 1994-10-12 | 株式会社半導体プロセス研究所 | 半導体装置の製造方法 |
| US5271972A (en) * | 1992-08-17 | 1993-12-21 | Applied Materials, Inc. | Method for depositing ozone/TEOS silicon oxide films of reduced surface sensitivity |
| JPH086181B2 (ja) * | 1992-11-30 | 1996-01-24 | 日本電気株式会社 | 化学気相成長法および化学気相成長装置 |
| DE19516669A1 (de) * | 1995-05-05 | 1996-11-07 | Siemens Ag | Verfahren zur Abscheidung einer Siliziumoxidschicht |
-
1995
- 1995-03-04 KR KR1019950004445A patent/KR0144228B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-03-04 JP JP8070957A patent/JP3026154B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-03-04 GB GB9604622A patent/GB2298658B/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-03-04 DE DE19608209A patent/DE19608209A1/de not_active Withdrawn
- 1996-03-04 US US08/610,715 patent/US5804509A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-03-04 TW TW085102621A patent/TW309656B/zh active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6524972B1 (en) | 1999-03-17 | 2003-02-25 | Canon Sales Co., Inc. | Method for forming an interlayer insulating film, and semiconductor device |
| US6737697B2 (en) | 2000-04-11 | 2004-05-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and method and system for fabricating the same |
| US6939725B2 (en) | 2000-04-11 | 2005-09-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor device with capacitor covered by a TEOS-03 film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB9604622D0 (en) | 1996-05-01 |
| KR0144228B1 (ko) | 1998-08-17 |
| US5804509A (en) | 1998-09-08 |
| GB2298658A (en) | 1996-09-11 |
| DE19608209A1 (de) | 1996-10-17 |
| JP3026154B2 (ja) | 2000-03-27 |
| TW309656B (ja) | 1997-07-01 |
| KR960035967A (ko) | 1996-10-28 |
| GB2298658B (en) | 1998-07-29 |
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|---|---|---|---|
| S633 | Written request for registration of reclamation of name |
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