JP2998680B2 - 高周波リレー - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H51/00—Electromagnetic relays
- H01H51/22—Polarised relays
- H01H51/2272—Polarised relays comprising rockable armature, rocking movement around central axis parallel to the main plane of the armature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H50/00—Details of electromagnetic relays
- H01H50/10—Electromagnetic or electrostatic shielding
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高周波リレーに関
し、特に高周波信号の開閉を行なう高周波リレーに関す
る。
し、特に高周波信号の開閉を行なう高周波リレーに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】高周波リレーでは、接点および端子間の
信号漏洩を抑制することが極めて重要であるが、このた
めにはリレーの信号端子長を短縮することが有効であ
る。このため、固定接点及び固定接点端子をリレー基板
上に平面的に形成するとともに、この端子をリレー基板
の下面に導き、実装基板の接続端子に半田接続してリー
ドレス実装する方法が考えられる。この種のリレーは例
えば、「特開平７−２１１２１２号公報」に開示されて
いる。その構成は図６の通りである。即ち、リレーハウ
ジングを下面が開口する箱状のケース４０と、このケー
ス４０の下面に被着されるリレー基板１０とで構成す
る。リレー基板１０をプリント基板で構成し、このリレ
ー基板１０に固定接点としての配線パターン１１ａ，１
１′ａ，接点端子としての配線パターン１１，１１′、
可動接点ばね２１との接続端子としての配線パターン１
２，１２′を形成し、これらをリレー基板１０の両側部
の半円状の端子の上下面接続凹部１８を通って下面に導
びいて半田接続端子とする。これらを用いてリレー基板
１０と回路基板にリードレス実装する。
信号漏洩を抑制することが極めて重要であるが、このた
めにはリレーの信号端子長を短縮することが有効であ
る。このため、固定接点及び固定接点端子をリレー基板
上に平面的に形成するとともに、この端子をリレー基板
の下面に導き、実装基板の接続端子に半田接続してリー
ドレス実装する方法が考えられる。この種のリレーは例
えば、「特開平７−２１１２１２号公報」に開示されて
いる。その構成は図６の通りである。即ち、リレーハウ
ジングを下面が開口する箱状のケース４０と、このケー
ス４０の下面に被着されるリレー基板１０とで構成す
る。リレー基板１０をプリント基板で構成し、このリレ
ー基板１０に固定接点としての配線パターン１１ａ，１
１′ａ，接点端子としての配線パターン１１，１１′、
可動接点ばね２１との接続端子としての配線パターン１
２，１２′を形成し、これらをリレー基板１０の両側部
の半円状の端子の上下面接続凹部１８を通って下面に導
びいて半田接続端子とする。これらを用いてリレー基板
１０と回路基板にリードレス実装する。
【０００３】リレーの信号漏洩を抑制するには、接点間
の距離を大きくすることも有効である。このためには、
信号路を２組の接点で遮断する。いわゆる２点切り接点
構造を採用することが考えられる。この種のリレーは例
えば、「特開平７−１４４８９号公報」に開示されてい
る。その構成は図７（ａ），（ｂ）及び（ｃ）に示す通
りである。即ち、リレーは、下面が開口した箱形のケー
ス４０とほぼコ字状の鉄心３１に巻装されたコイル３３
と鉄心３１の両側片間に介装された永久磁石３２で構成
される有極電磁石３８と、鉄心３１の磁極３１ａ，３１
ｂに吸引されシーソー動作を行なう接極子３６と、これ
に絶縁状態で一体に取り付けられた可動接点ばね２１，
２２とケース４０の下面を閉塞するよう取り付けられた
リレー基板１０から成る。リレー基板１０はプリント基
板で構成され、接点端子１１，１１′，１２及び固定接
点１１ａ，１１′ａ，１２ａ，１２′ａが形成される。
可動接点ばね２１，２２の先端を分岐してそれぞれの分
岐部の先端に固定接点１１ａ，１１′ａ，１２ａ，１
２′ａに対向して可動接点２１ａ，２１′ａ，２２ａ，
２２′ａが固着される。リレーの動作は次の通りであ
る。コイル３３への電流方向に応じて、接極子３６が回
動し、接極子３６と一体的に回動する接点ばね２１に固
着された可動接点２１ａ，２１′ａが固定接点１１ａ，
１２ａに、あるいは接点ばね２２に固着された可動接点
２２ａ，２２′ａが固定接点１１′ａ，１２′ａに選択
的に接触・開離する。こうして信号接点は２点切りされ
る。
の距離を大きくすることも有効である。このためには、
信号路を２組の接点で遮断する。いわゆる２点切り接点
構造を採用することが考えられる。この種のリレーは例
えば、「特開平７−１４４８９号公報」に開示されてい
る。その構成は図７（ａ），（ｂ）及び（ｃ）に示す通
りである。即ち、リレーは、下面が開口した箱形のケー
ス４０とほぼコ字状の鉄心３１に巻装されたコイル３３
と鉄心３１の両側片間に介装された永久磁石３２で構成
される有極電磁石３８と、鉄心３１の磁極３１ａ，３１
ｂに吸引されシーソー動作を行なう接極子３６と、これ
に絶縁状態で一体に取り付けられた可動接点ばね２１，
２２とケース４０の下面を閉塞するよう取り付けられた
リレー基板１０から成る。リレー基板１０はプリント基
板で構成され、接点端子１１，１１′，１２及び固定接
点１１ａ，１１′ａ，１２ａ，１２′ａが形成される。
可動接点ばね２１，２２の先端を分岐してそれぞれの分
岐部の先端に固定接点１１ａ，１１′ａ，１２ａ，１
２′ａに対向して可動接点２１ａ，２１′ａ，２２ａ，
２２′ａが固着される。リレーの動作は次の通りであ
る。コイル３３への電流方向に応じて、接極子３６が回
動し、接極子３６と一体的に回動する接点ばね２１に固
着された可動接点２１ａ，２１′ａが固定接点１１ａ，
１２ａに、あるいは接点ばね２２に固着された可動接点
２２ａ，２２′ａが固定接点１１′ａ，１２′ａに選択
的に接触・開離する。こうして信号接点は２点切りされ
る。
【０００４】リレーの信号漏洩を抑制するためには、さ
らに接点及び端子に近接して接地された導体を配置して
遮蔽を行なうことも有効である。この種のリレーは例え
ば、「特開平６−１２９５７号公報」に開示されてい
る。その構成は図８の通りである。リレー基板１０は、
固定接点端子１１，１１′，１２、固定接点１１ａ，１
１′ａ，１２ａ，地気端子１５，１６を絶縁樹脂でイン
サートモールドすることによって構成される。リレー基
板１０の上部に設けた電極ブロック３０の吸引力によっ
て回動する接極子３６に可動端子２１，２２が絶縁固着
される。可動端子２１，２２の先端にリレー基板１０上
の固定接点１１ａ，１２ａ，１１′ａに対向する可動接
点２１ａ，２１′ａ，２２′ａ，２２ａが取り付けられ
る。そして前記リレー基板１０の上面及び下面には固定
接点及び端子に近接して地気端子１５，１６が設けられ
るとともに基板１０の上面には前記可動接点，固定接点
及び端子を囲む接地シールドボックス５０が設けられ
る。その動作は次の通りである。電磁石３０を励磁する
と接極子３６が回動し、励磁電流の方向に応じて可動接
点端子２１，２２がこれと一体的に運動して、可動接点
２１ａ，２１′ａが固定接点１１ａ，１２ａに、あるい
は可動接点２２ａ，２２′ａが固定接点１１′ａ，１２
ａに選択的に接触開離する。
らに接点及び端子に近接して接地された導体を配置して
遮蔽を行なうことも有効である。この種のリレーは例え
ば、「特開平６−１２９５７号公報」に開示されてい
る。その構成は図８の通りである。リレー基板１０は、
固定接点端子１１，１１′，１２、固定接点１１ａ，１
１′ａ，１２ａ，地気端子１５，１６を絶縁樹脂でイン
サートモールドすることによって構成される。リレー基
板１０の上部に設けた電極ブロック３０の吸引力によっ
て回動する接極子３６に可動端子２１，２２が絶縁固着
される。可動端子２１，２２の先端にリレー基板１０上
の固定接点１１ａ，１２ａ，１１′ａに対向する可動接
点２１ａ，２１′ａ，２２′ａ，２２ａが取り付けられ
る。そして前記リレー基板１０の上面及び下面には固定
接点及び端子に近接して地気端子１５，１６が設けられ
るとともに基板１０の上面には前記可動接点，固定接点
及び端子を囲む接地シールドボックス５０が設けられ
る。その動作は次の通りである。電磁石３０を励磁する
と接極子３６が回動し、励磁電流の方向に応じて可動接
点端子２１，２２がこれと一体的に運動して、可動接点
２１ａ，２１′ａが固定接点１１ａ，１２ａに、あるい
は可動接点２２ａ，２２′ａが固定接点１１′ａ，１２
ａに選択的に接触開離する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】第１の問題点は、接点
間の信号漏洩の抑制が不十分なことである。即ち、十分
な分離損失が得られないことである。その理由は、可動
接点が各組の２個の固定接点に近接してこれらを橋渡し
接続する位置にあるため、２つの固定接点間の結合容量
が大きくなり、容量結合によって信号が漏洩するからで
ある。
間の信号漏洩の抑制が不十分なことである。即ち、十分
な分離損失が得られないことである。その理由は、可動
接点が各組の２個の固定接点に近接してこれらを橋渡し
接続する位置にあるため、２つの固定接点間の結合容量
が大きくなり、容量結合によって信号が漏洩するからで
ある。
【０００６】本発明の目的は高周波リレーの信号漏洩を
抑制し分離特性を向上させることにある。
抑制し分離特性を向上させることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、高周波リレー
における信号漏洩は主として信号接点及び接点端子間の
容量結合に基づくものである。高周波接点では２点切り
接点構造が信号漏洩を少なくする上で有利であるが、切
り替え接点では２点切り接点を構成する２つの固定接点
のうちの１つは２つの組に共通となる。そして可動接点
及び可動接点ばねは２つの固定接点に近接してこれらを
橋渡しするように配置される。
における信号漏洩は主として信号接点及び接点端子間の
容量結合に基づくものである。高周波接点では２点切り
接点構造が信号漏洩を少なくする上で有利であるが、切
り替え接点では２点切り接点を構成する２つの固定接点
のうちの１つは２つの組に共通となる。そして可動接点
及び可動接点ばねは２つの固定接点に近接してこれらを
橋渡しするように配置される。
【０００８】ところで、図４（ａ）のように２つの固定
接点１２ａ，１２′ａに近接して導体（可動接点２２
ａ，２２′ａ及びばね２２）が存在する場合、固定接点
１２ａ，１２′ａ間の結合容量は接点同士の間の容量Ｃ
12の他に、固定接点１２ａ，１２′ａと導体２２ａ，２
２′ａ，２２との間の容量Ｃ10及びＣ20の直列接続容量
が加わるため、Ｃ12より大幅に大きくなる。導体を接地
すると、図４（ｂ）のように、固定接点１２ａと地気の
間には対地容量によるインピーダンス１／ｊωＣ 20 と負
荷インピーダンスＺ2 が並列に接続される。通常対地容
量Ｃ20は十分小さく、対地容量インピーダンス１／ｊω
Ｃ20は負荷インピーダンスＺ2 よりずっと大きくなるの
で、固定接点１２ａと地気の間のインピーダンスはほぼ
負荷インピーダンスＺ2 となる。即ち、固定接点１２
ａ，１２′ａ間の結合容量は極めて小さな接点間相互容
量Ｃ12のみとなり、対地容量Ｃ10，Ｃ20はほとんど無関
係となる。結局、導体（可動接点及びばね）を接地する
ことにより、固定接点間の結合容量を十分小さくでき
る。従って信号固定接点間の結合容量を小さくして信号
漏洩を抑制するためには、可動接点及び可動接点ばねは
開離時には接地することが必要である。
接点１２ａ，１２′ａに近接して導体（可動接点２２
ａ，２２′ａ及びばね２２）が存在する場合、固定接点
１２ａ，１２′ａ間の結合容量は接点同士の間の容量Ｃ
12の他に、固定接点１２ａ，１２′ａと導体２２ａ，２
２′ａ，２２との間の容量Ｃ10及びＣ20の直列接続容量
が加わるため、Ｃ12より大幅に大きくなる。導体を接地
すると、図４（ｂ）のように、固定接点１２ａと地気の
間には対地容量によるインピーダンス１／ｊωＣ 20 と負
荷インピーダンスＺ2 が並列に接続される。通常対地容
量Ｃ20は十分小さく、対地容量インピーダンス１／ｊω
Ｃ20は負荷インピーダンスＺ2 よりずっと大きくなるの
で、固定接点１２ａと地気の間のインピーダンスはほぼ
負荷インピーダンスＺ2 となる。即ち、固定接点１２
ａ，１２′ａ間の結合容量は極めて小さな接点間相互容
量Ｃ12のみとなり、対地容量Ｃ10，Ｃ20はほとんど無関
係となる。結局、導体（可動接点及びばね）を接地する
ことにより、固定接点間の結合容量を十分小さくでき
る。従って信号固定接点間の結合容量を小さくして信号
漏洩を抑制するためには、可動接点及び可動接点ばねは
開離時には接地することが必要である。
【０００９】従来の技術では可動接点ばねが接点開離時
に接地されないため、信号漏洩を十分に抑制できない。
これに対し本発明ではリレー基板上に形成した固定接点
及び接点端子に近接して基板上・下面に地気層を設ける
とともに、可動接点が開離する時には接点ばねを地気層
に接続して固定接点を遮蔽し、固定接点間の結合容量を
低減して、信号漏洩を抑制する。
に接地されないため、信号漏洩を十分に抑制できない。
これに対し本発明ではリレー基板上に形成した固定接点
及び接点端子に近接して基板上・下面に地気層を設ける
とともに、可動接点が開離する時には接点ばねを地気層
に接続して固定接点を遮蔽し、固定接点間の結合容量を
低減して、信号漏洩を抑制する。
【００１０】本発明によれば、図５に示すように、固定
接点及び端子をリレー基板上面に平面的に形成するとと
もに、これらに近接してリレー基板１０上下面に地気層
１５，１６を設け、リレー基板１０上に固定した可動接
点ばね２１，２２が信号接点開離時にはリレー基板１０
上面の地気層１５に接続されて接地されるという構成と
している。これによって、接点開離時には信号回路の固
定接点がリレー基板１０上下面の近接地気層１５，１６
とともに接地された可動接点ばね２１，２２により囲ま
れ接点間の結合容量が小さくなるので、容量結合による
信号漏洩が十分に抑制されるという作用がある。
接点及び端子をリレー基板上面に平面的に形成するとと
もに、これらに近接してリレー基板１０上下面に地気層
１５，１６を設け、リレー基板１０上に固定した可動接
点ばね２１，２２が信号接点開離時にはリレー基板１０
上面の地気層１５に接続されて接地されるという構成と
している。これによって、接点開離時には信号回路の固
定接点がリレー基板１０上下面の近接地気層１５，１６
とともに接地された可動接点ばね２１，２２により囲ま
れ接点間の結合容量が小さくなるので、容量結合による
信号漏洩が十分に抑制されるという作用がある。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００１２】図１（ａ），（ｂ）及び（ｃ）は本発明の
第１の実施の形態の高周波リレーの断面図、接点ばねブ
ロックの平面図及びリレー基板の平面図である。本発明
の第１の実施の形態の高周波リレーの構成は、図１
（ａ），（ｂ）及び（ｃ）に示すように、リレー基板１
０，接点ばねブロック２０，電磁石ブロック３０，ケー
ス４０から成る。
第１の実施の形態の高周波リレーの断面図、接点ばねブ
ロックの平面図及びリレー基板の平面図である。本発明
の第１の実施の形態の高周波リレーの構成は、図１
（ａ），（ｂ）及び（ｃ）に示すように、リレー基板１
０，接点ばねブロック２０，電磁石ブロック３０，ケー
ス４０から成る。
【００１３】リレー基板１０は板状で、上面にはリード
フレームから成るメーク接点端子１１，１１′、ブレー
ク接点端子１２，１２′、地気接点端子１３，１３′、
コイル端子１４，１４′及び地気層１５が、下面には、
実装用はんだ接続パッド１１ｂ〜１４′ｂ及び地気層１
６が形成される。メーク接点端子１１′とブレーク接点
端子１２′は接続され共通である。また、地気接点端子
１３，１３′は地気層１５に接続されている。端子及び
地気層は１枚の上部リードフレームをプレス加工で打ち
抜いて形成される。端子１１〜１４′のリレー基板１０
上面の一端には貴金属メッキまたはバルク貴金属の溶接
によって固定接点１１ａ〜１４′ａが形成される。端子
の他端は２回曲げられ、リレー基板１０下面のリードレ
ス実装用の半田接続パッド１１ｂ〜１４′ｂとなる。ま
た下部リードフレームははんだ接続パッドと重なる部分
が打ち抜かれ下部地気層１６となる。リレー基板１０は
打ち抜き・曲げ加工された端子１１〜１４′及び地気層
１５，１６を絶縁樹脂でインサートモールドして形成さ
れる。あるいは上下面の端子をスルーホール接続された
通常の両面プリント回路基板，両面印刷セラミック基
板，メッキ触媒を配合したコンパウンドを二重モールド
後メッキして形成する立体配線回路基板等を用いて構成
してもよい。
フレームから成るメーク接点端子１１，１１′、ブレー
ク接点端子１２，１２′、地気接点端子１３，１３′、
コイル端子１４，１４′及び地気層１５が、下面には、
実装用はんだ接続パッド１１ｂ〜１４′ｂ及び地気層１
６が形成される。メーク接点端子１１′とブレーク接点
端子１２′は接続され共通である。また、地気接点端子
１３，１３′は地気層１５に接続されている。端子及び
地気層は１枚の上部リードフレームをプレス加工で打ち
抜いて形成される。端子１１〜１４′のリレー基板１０
上面の一端には貴金属メッキまたはバルク貴金属の溶接
によって固定接点１１ａ〜１４′ａが形成される。端子
の他端は２回曲げられ、リレー基板１０下面のリードレ
ス実装用の半田接続パッド１１ｂ〜１４′ｂとなる。ま
た下部リードフレームははんだ接続パッドと重なる部分
が打ち抜かれ下部地気層１６となる。リレー基板１０は
打ち抜き・曲げ加工された端子１１〜１４′及び地気層
１５，１６を絶縁樹脂でインサートモールドして形成さ
れる。あるいは上下面の端子をスルーホール接続された
通常の両面プリント回路基板，両面印刷セラミック基
板，メッキ触媒を配合したコンパウンドを二重モールド
後メッキして形成する立体配線回路基板等を用いて構成
してもよい。
【００１４】接点ばねブロック２０は、中央部をばね固
定モールド２４で固定された４本の平行なばね（メーク
接点ばね２１，ブレーク接点ばね２２，地気接点ばね２
３，２３′）から成り、可動接点ばね２１と地気接点ば
ね２３及び可動接点ばね２２と地気接点ばね２３′は固
定端で接続されている。メーク接点ばね２１の自由端は
Ｔ字形状をしており、その先端には２つの可動接点２１
ａ，２１′ａが形成されている。ブレーク接点ばね２２
についても同様である。また、地気接点ばね２３，２
３′の自由端には可動地気接点２３ａ，２３′ａが形成
されている。ばね固定モールド２４はばねがリレー基板
１０上面に平行となるようにリレー基板１０上面に固着
され、可動メーク接点２１ａ，２１′ａ．可動ブレーク
接点２２ａ，２２′ａ、可動地気接点２３ａ，２３′ａ
はそれぞれ対応する固定接点１１ａ，１１′ａ，１２
ａ，１２′ａ，１３ａ，１３′ａに対向する。メーク接
点ばね２１のＴ字形先端のメーク接点２１ａ，２１′ａ
及び地気接点ばね２３′の地気接点２３′ａがばね固定
モールド２４の一方の側に、ブレーク接点ばねのＴ字形
先端のブレーク接点２２ａ，２２′ａ及び地気接点ばね
２３の地気接点２３ａが他方の側に配置され、それぞれ
の側は交互に共通して駆動される。こうして、メーク固
定接点１１ａ，１１′ａ間を橋渡し接続する時には、同
時にブレーク接点ばね２２に接続されている地気接点ば
ね２３′の可動地気接点２３′ａがリレー基板１０上面
の固定地気接点１３′ａと接触して、開放しているブレ
ーク接点ばね２２を接地する。同様にブレーク固定接点
１２ａ，１２′ａが橋渡し接続される時には、メーク接
点ばね２１はそれに接続されている地気接点ばね２３の
地気接点２３ａが閉じて接地される。
定モールド２４で固定された４本の平行なばね（メーク
接点ばね２１，ブレーク接点ばね２２，地気接点ばね２
３，２３′）から成り、可動接点ばね２１と地気接点ば
ね２３及び可動接点ばね２２と地気接点ばね２３′は固
定端で接続されている。メーク接点ばね２１の自由端は
Ｔ字形状をしており、その先端には２つの可動接点２１
ａ，２１′ａが形成されている。ブレーク接点ばね２２
についても同様である。また、地気接点ばね２３，２
３′の自由端には可動地気接点２３ａ，２３′ａが形成
されている。ばね固定モールド２４はばねがリレー基板
１０上面に平行となるようにリレー基板１０上面に固着
され、可動メーク接点２１ａ，２１′ａ．可動ブレーク
接点２２ａ，２２′ａ、可動地気接点２３ａ，２３′ａ
はそれぞれ対応する固定接点１１ａ，１１′ａ，１２
ａ，１２′ａ，１３ａ，１３′ａに対向する。メーク接
点ばね２１のＴ字形先端のメーク接点２１ａ，２１′ａ
及び地気接点ばね２３′の地気接点２３′ａがばね固定
モールド２４の一方の側に、ブレーク接点ばねのＴ字形
先端のブレーク接点２２ａ，２２′ａ及び地気接点ばね
２３の地気接点２３ａが他方の側に配置され、それぞれ
の側は交互に共通して駆動される。こうして、メーク固
定接点１１ａ，１１′ａ間を橋渡し接続する時には、同
時にブレーク接点ばね２２に接続されている地気接点ば
ね２３′の可動地気接点２３′ａがリレー基板１０上面
の固定地気接点１３′ａと接触して、開放しているブレ
ーク接点ばね２２を接地する。同様にブレーク固定接点
１２ａ，１２′ａが橋渡し接続される時には、メーク接
点ばね２１はそれに接続されている地気接点ばね２３の
地気接点２３ａが閉じて接地される。
【００１５】電磁石ブロック３０はスプール３４にイン
サートモールドされたほぼコの字形状の鉄心３１の中央
部に永久磁石３２を配置し、コイル３３を巻回した電磁
石３８と中央部に捩りヒンジばねが溶接され、これを中
心として回転する接極子３６とから成る。接極子３６は
先端が鉄心両端の磁極３１ａ，３１ｂに当接する２つの
腕３６ａ，３６ｂを持ち、それらの先端近傍に固着した
スタット（またはカード）３７ａ，３７ｂが接点ばね２
１，２３′を駆動する。ケース４０の開口部にはリレー
基板１０が嵌合され、内部には接点ばねブロック２０と
電磁石ブロック３０が収容される。リレー基板１０とケ
ース４０の接合部は接着剤によって接着され内部は気密
封止される。
サートモールドされたほぼコの字形状の鉄心３１の中央
部に永久磁石３２を配置し、コイル３３を巻回した電磁
石３８と中央部に捩りヒンジばねが溶接され、これを中
心として回転する接極子３６とから成る。接極子３６は
先端が鉄心両端の磁極３１ａ，３１ｂに当接する２つの
腕３６ａ，３６ｂを持ち、それらの先端近傍に固着した
スタット（またはカード）３７ａ，３７ｂが接点ばね２
１，２３′を駆動する。ケース４０の開口部にはリレー
基板１０が嵌合され、内部には接点ばねブロック２０と
電磁石ブロック３０が収容される。リレー基板１０とケ
ース４０の接合部は接着剤によって接着され内部は気密
封止される。
【００１６】次に本発明の第一の実施の形態の動作につ
いて図面を参照して説明する。
いて図面を参照して説明する。
【００１７】図２（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施
の形態の動作を説明する高周波リレーの復旧時及び動作
時の断面図である。図２（ａ）に示すように、電磁石３
８が無励磁の場合、永久磁石３２の吸引力によって接極
子３６の一方の腕３６ａが磁極３１ａに吸引されてお
り、ブレーク接点ばね２２及び地気接点ばね２３はこれ
に掛合するスタッド３７ｂを介して押下され、ブレーク
接点ばね２２の可動ブレーク接点２２ａ，２２′ａおよ
び地気接点ばね２３の可動地気接点２３ａが閉じてい
る。メーク接点ばねの可動メーク接点２１ａと２１′ａ
は開いており、これと接続されている地気接点ばね２３
の可動地気接点２３ａは閉じているので、メーク接点ば
ね２１は接地されている。図５に示すように、開放され
ている固定メーク接点１１ａはその上部に近接して存在
する接地されたメーク接点ばね２１とリレー基板１０上
下面の地気層１５，１６によって遮蔽されているので、
閉じている固定ブレーク接点１２ａ，１２′ａ及びこれ
に接続されている固定メーク接点１１′ａから開いてい
る固定メーク接点１１ａへの信号漏洩は抑制される。
の形態の動作を説明する高周波リレーの復旧時及び動作
時の断面図である。図２（ａ）に示すように、電磁石３
８が無励磁の場合、永久磁石３２の吸引力によって接極
子３６の一方の腕３６ａが磁極３１ａに吸引されてお
り、ブレーク接点ばね２２及び地気接点ばね２３はこれ
に掛合するスタッド３７ｂを介して押下され、ブレーク
接点ばね２２の可動ブレーク接点２２ａ，２２′ａおよ
び地気接点ばね２３の可動地気接点２３ａが閉じてい
る。メーク接点ばねの可動メーク接点２１ａと２１′ａ
は開いており、これと接続されている地気接点ばね２３
の可動地気接点２３ａは閉じているので、メーク接点ば
ね２１は接地されている。図５に示すように、開放され
ている固定メーク接点１１ａはその上部に近接して存在
する接地されたメーク接点ばね２１とリレー基板１０上
下面の地気層１５，１６によって遮蔽されているので、
閉じている固定ブレーク接点１２ａ，１２′ａ及びこれ
に接続されている固定メーク接点１１′ａから開いてい
る固定メーク接点１１ａへの信号漏洩は抑制される。
【００１８】次に図２（ｂ）に示すように、吸引されて
いる接極子の腕３６ａを流れる永久磁石磁束を打ち消す
方向に電磁石３８を励磁すると、吸引されている接極子
の腕３６ａでは吸引力が消滅し、他の接極の腕３６ｂで
は電磁石３８と永久磁石３２の磁束が相加され磁気吸引
力が発生するので、接極子３６は反転動作しブレーク接
点ばね２２の可動ブレーク接点２２ａ，２２′ａと磁気
接点ばね２３の可動地気接点２３ａが開離し、メーク接
点ばね２１及び地気接点ばね２３′はこれに係合するス
タッド３７ａを介して押下され、可動ブレーク接点２２
ａ，２２′ａ及び可動地気接点２３′ａが閉じる。電磁
石３８の励磁を絶つと、吸引されていた接極子の腕３６
ｂには永久磁石３２の磁気吸引力トルクが働いている
が、接点ばね２１，２３′及びヒンジばねの復旧トルク
の和より小さいため、接極子３６は反転して、接極子の
腕３６ａが永久磁石３２の磁気吸引力により磁極３１ａ
に吸引保持され、ブレーク接点２２ａ，２２′ａが閉じ
メーク接点２１ａ，２１′ａが開いて、初めの復旧状態
に戻る。
いる接極子の腕３６ａを流れる永久磁石磁束を打ち消す
方向に電磁石３８を励磁すると、吸引されている接極子
の腕３６ａでは吸引力が消滅し、他の接極の腕３６ｂで
は電磁石３８と永久磁石３２の磁束が相加され磁気吸引
力が発生するので、接極子３６は反転動作しブレーク接
点ばね２２の可動ブレーク接点２２ａ，２２′ａと磁気
接点ばね２３の可動地気接点２３ａが開離し、メーク接
点ばね２１及び地気接点ばね２３′はこれに係合するス
タッド３７ａを介して押下され、可動ブレーク接点２２
ａ，２２′ａ及び可動地気接点２３′ａが閉じる。電磁
石３８の励磁を絶つと、吸引されていた接極子の腕３６
ｂには永久磁石３２の磁気吸引力トルクが働いている
が、接点ばね２１，２３′及びヒンジばねの復旧トルク
の和より小さいため、接極子３６は反転して、接極子の
腕３６ａが永久磁石３２の磁気吸引力により磁極３１ａ
に吸引保持され、ブレーク接点２２ａ，２２′ａが閉じ
メーク接点２１ａ，２１′ａが開いて、初めの復旧状態
に戻る。
【００１９】図３（ａ），（ｂ）及び（ｃ）は本発明の
第２の実施の形態の高周波リレーの断面図、接点ばねブ
ロックの平面図と側面図及びリレー基板の平面図であ
る。本発明の第２の実施の形態の高周波リレーの構成
は、図３（ａ），（ｂ）及び（ｃ）に示すように、接点
ばねブロック２０は、中央のばね固定モールド２４で固
定された２組のメーク接点ばね２１とブレーク接点ばね
２２から成る。メーク接点ばね２１は２枚のばね２
１′，２１″から成り、第１のばね２１′は自由端がＴ
字形状で２つの固定接点１１ａ，１１′ａ間を橋渡し接
続する可動メーク接点２１ａ，２１′ａを有する。第２
のばね２１″は厚い板ばねで地気層１５に接続されてお
り、その自由端に固定ブレーク接点２１″ｂをもつ。可
動メーク接点２１ａ，２１′ａが開いている時には第１
のばね２１′は第２ばね２１″の固定ブレーク接点２
１″ｂに接触し、可動メーク接点２１ａ，２１′ａが閉
じる時には、それに先だって解離する可動ブレーク接点
２１′ｂを有する。ブレーク接点ばね２２についても同
様である。２組のメーク接点ばね２１とブレーク接点ば
ね２２は中央のばね固定モールド２４の両側に配置さ
れ、各組の第１ばね２１′，２２′はシーソー動作をす
る電磁石接極子３６によってスタッド３７ａ，３７ｂを
介して駆動される。可動メーク接点２１ａ，２１′ａが
開放されている時にはメーク接点ばね２１は接地されて
おり、可動ブレーク接点２２ａ，２２′ａが開放されて
いる時にはブレーク接点ばね２２は接地される。このた
め、開放されているとき固定メーク接点１１ａはリレー
基板１０の上下面の地気層１５，１６とともに接地され
た可動接点ばね２１により遮蔽される。従って、閉じて
いる固定ブレーク接点１２ａ，１２′ａ（固定メーク端
子１１′ａと共通）から開いている固定メーク接点１１
ａへの信号漏洩は抑制される。固定ブレーク接点１２ａ
についても同様である。第２の実施の形態は、リレー基
板１０の底面積を小さくできる利点がある。
第２の実施の形態の高周波リレーの断面図、接点ばねブ
ロックの平面図と側面図及びリレー基板の平面図であ
る。本発明の第２の実施の形態の高周波リレーの構成
は、図３（ａ），（ｂ）及び（ｃ）に示すように、接点
ばねブロック２０は、中央のばね固定モールド２４で固
定された２組のメーク接点ばね２１とブレーク接点ばね
２２から成る。メーク接点ばね２１は２枚のばね２
１′，２１″から成り、第１のばね２１′は自由端がＴ
字形状で２つの固定接点１１ａ，１１′ａ間を橋渡し接
続する可動メーク接点２１ａ，２１′ａを有する。第２
のばね２１″は厚い板ばねで地気層１５に接続されてお
り、その自由端に固定ブレーク接点２１″ｂをもつ。可
動メーク接点２１ａ，２１′ａが開いている時には第１
のばね２１′は第２ばね２１″の固定ブレーク接点２
１″ｂに接触し、可動メーク接点２１ａ，２１′ａが閉
じる時には、それに先だって解離する可動ブレーク接点
２１′ｂを有する。ブレーク接点ばね２２についても同
様である。２組のメーク接点ばね２１とブレーク接点ば
ね２２は中央のばね固定モールド２４の両側に配置さ
れ、各組の第１ばね２１′，２２′はシーソー動作をす
る電磁石接極子３６によってスタッド３７ａ，３７ｂを
介して駆動される。可動メーク接点２１ａ，２１′ａが
開放されている時にはメーク接点ばね２１は接地されて
おり、可動ブレーク接点２２ａ，２２′ａが開放されて
いる時にはブレーク接点ばね２２は接地される。このた
め、開放されているとき固定メーク接点１１ａはリレー
基板１０の上下面の地気層１５，１６とともに接地され
た可動接点ばね２１により遮蔽される。従って、閉じて
いる固定ブレーク接点１２ａ，１２′ａ（固定メーク端
子１１′ａと共通）から開いている固定メーク接点１１
ａへの信号漏洩は抑制される。固定ブレーク接点１２ａ
についても同様である。第２の実施の形態は、リレー基
板１０の底面積を小さくできる利点がある。
【００２０】
【発明の効果】第１の効果は、リレーの性能特に分離性
能を向上できることである。その理由は、信号接点が接
地された接点ばねと地気層によって遮蔽され、リードレ
ス実装されるので、信号接点及び端子からの信号漏洩が
少ないからである。
能を向上できることである。その理由は、信号接点が接
地された接点ばねと地気層によって遮蔽され、リードレ
ス実装されるので、信号接点及び端子からの信号漏洩が
少ないからである。
【００２１】第２の効果は、リレーの小形化、製造容易
化ができることである。その理由は、接点部が平面的に
形成され、シールドボックスが不要で、且つ信号端子間
の漏洩防止用地気端子が不要になるためである。
化ができることである。その理由は、接点部が平面的に
形成され、シールドボックスが不要で、且つ信号端子間
の漏洩防止用地気端子が不要になるためである。
【図１】（ａ），（ｂ）及び（ｃ）は本発明の第１の実
施の形態の高周波リレーの断面図、接点ばねブロックの
平面図及びリレー基板の平面図である。
施の形態の高周波リレーの断面図、接点ばねブロックの
平面図及びリレー基板の平面図である。
【図２】（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施の形態の
動作を説明する高周波リレーの復旧時及び動作時の断面
図である。
動作を説明する高周波リレーの復旧時及び動作時の断面
図である。
【図３】（ａ），（ｂ）及び（ｃ）は本発明の第２の実
施の形態の高周波リレーの断面図、接点ばねブロックの
平面図と側面図及びリレー基板の平面図である。
施の形態の高周波リレーの断面図、接点ばねブロックの
平面図と側面図及びリレー基板の平面図である。
【図４】（ａ），（ｂ）は可動接点ばね非接地及び接地
の場合の固定接点間の結合容量を説明する可動接点ばね
非接地時及び接地時の接続図である。
の場合の固定接点間の結合容量を説明する可動接点ばね
非接地時及び接地時の接続図である。
【図５】開放された固定接点ばねが地気層により遮蔽さ
れている状態を説明する断面図である。
れている状態を説明する断面図である。
【図６】従来の高周波リレーの第１の例の分解斜視図で
ある。
ある。
【図７】（ａ），（ｂ）及び（ｃ）は従来の高周リレー
の第２の例の平面図、断面図及び接極子の平面図であ
る。
の第２の例の平面図、断面図及び接極子の平面図であ
る。
【図８】従来の高周波リレーの第３の側の分解斜視図で
ある。
ある。
１０ リレー基板 １１，１１′ メーク接点端子 １１ｂ，１１′ｂ〜１４ｂ，１４′ｂ はんだ接続パ
ッド １１ａ，１１′ａ 固定メーク接点 １２，１２′ ブレーク接点端子 １２ａ，１２′ａ 固定ブレーク接点 １３，１３′ 地気接点端子 １３ａ，１３′ａ 固定地気接点 １４，１４′ コイル端子 １５ 地気層（上面） １６ 地気層（下面） １８ 端子の上下面接続凹部 ２０ 接点ばねブロック ２１ メーク接点ばね ２１ａ，２１′ａ 可動メーク接点 ２２ ブレーク接点ばね ２２ａ，２２′ａ 可動ブレーク接点 ２３，２３′ 地気接点ばね ２３ａ，２３′ａ 可動地気接点 ２４ ばね固定モールド ３０ 電磁石ブロック ３１ 鉄心 ３１ａ，３１ｂ 鉄心磁極 ３２ 永久磁石 ３３ コイル ３４ スプール ３６ 接極子 ３６ａ，３６ｂ 接極子の腕 ３７ スタッドまたはカード ３８ 電磁石 ４０ ケース ５０ シールドボックス
ッド １１ａ，１１′ａ 固定メーク接点 １２，１２′ ブレーク接点端子 １２ａ，１２′ａ 固定ブレーク接点 １３，１３′ 地気接点端子 １３ａ，１３′ａ 固定地気接点 １４，１４′ コイル端子 １５ 地気層（上面） １６ 地気層（下面） １８ 端子の上下面接続凹部 ２０ 接点ばねブロック ２１ メーク接点ばね ２１ａ，２１′ａ 可動メーク接点 ２２ ブレーク接点ばね ２２ａ，２２′ａ 可動ブレーク接点 ２３，２３′ 地気接点ばね ２３ａ，２３′ａ 可動地気接点 ２４ ばね固定モールド ３０ 電磁石ブロック ３１ 鉄心 ３１ａ，３１ｂ 鉄心磁極 ３２ 永久磁石 ３３ コイル ３４ スプール ３６ 接極子 ３６ａ，３６ｂ 接極子の腕 ３７ スタッドまたはカード ３８ 電磁石 ４０ ケース ５０ シールドボックス
Claims (3)
- 【請求項１】 リレー基板の上面に少くとも１対の固定
接点を設け、電磁石の接極子によって駆動される可動接
点ばねに固着した可動接点で前記１対の固定接点間を開
閉する高周波リレーにおいて、前記リレー基板の上面の
前記１対の固定接点及びこの１対の固定接点に接続する
配線に近接して地気層を設け、前記１対の固定接点開離
時には前記可動接点ばねが前記リレー基板上面の前記地
気層に接続されて接地され、前記リレー基板上下面の前
記地気層とともに前記１対の固定接点を遮蔽することを
特徴とする高周波リレー。 - 【請求項２】 前記可動接点ばねが中央部を固定され、
一端には固定接点間を橋渡しする可動接点を他端にはリ
レー基板上面の地気層に接触する可動接点を有し、前記
一端の可動接点が前記固定接点間を開放する時前記他端
の可動接点が地気層に接触して前記可動接点ばねを接地
することを特徴とする請求項１記載の高周波リレー。 - 【請求項３】 前記可動接点ばねが２枚のばねから成る
ブレーク・ビフォア・メーク接点ばねで、第１のばねは
固定接点間を橋渡し接続する可動メーク接点を有し、第
２のばねは地気層に接続し、前記第１のばねの可動メー
ク接点が開放している時は前記第１のばねに接触し、前
記可動メーク接点が閉成する時は閉成に先だって前記第
１のばねから開離するブレーク接点を有することを特徴
とする請求項１記載の高周波リレー。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9044031A JP2998680B2 (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | 高周波リレー |
| US09/031,106 US5994986A (en) | 1997-02-27 | 1998-02-26 | High frequency relay |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9044031A JP2998680B2 (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | 高周波リレー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10241529A JPH10241529A (ja) | 1998-09-11 |
| JP2998680B2 true JP2998680B2 (ja) | 2000-01-11 |
Family
ID=12680281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9044031A Expired - Fee Related JP2998680B2 (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | 高周波リレー |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5994986A (ja) |
| JP (1) | JP2998680B2 (ja) |
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| US6124650A (en) * | 1999-10-15 | 2000-09-26 | Lucent Technologies Inc. | Non-volatile MEMS micro-relays using magnetic actuators |
| JP3843678B2 (ja) * | 1999-12-22 | 2006-11-08 | 松下電工株式会社 | 高周波リレー及び高周波リレーの製造方法 |
| KR100449449B1 (ko) * | 2000-04-28 | 2004-09-22 | 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 | 고주파 계전기 |
| US7482899B2 (en) * | 2005-10-02 | 2009-01-27 | Jun Shen | Electromechanical latching relay and method of operating same |
| JP4888094B2 (ja) * | 2006-12-07 | 2012-02-29 | オムロン株式会社 | 高周波リレー及びその接続構造 |
| US8093970B2 (en) * | 2007-10-12 | 2012-01-10 | Montara Technologies LLC | Braided electrical contact element based relay |
| JP5115236B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2013-01-09 | オムロン株式会社 | 電磁石装置 |
| US8068002B2 (en) * | 2008-04-22 | 2011-11-29 | Magvention (Suzhou), Ltd. | Coupled electromechanical relay and method of operating same |
| JP5222669B2 (ja) * | 2008-09-16 | 2013-06-26 | 富士通コンポーネント株式会社 | 電磁継電器 |
| US8188817B2 (en) * | 2009-03-11 | 2012-05-29 | Magvention (Suzhou) Ltd. | Electromechanical relay and method of making same |
| CN102543583A (zh) * | 2011-12-27 | 2012-07-04 | 中国振华集团群英无线电器材厂 | 方形密封射频电磁继电器 |
| JP6753339B2 (ja) * | 2017-03-13 | 2020-09-09 | オムロン株式会社 | 高周波リレー |
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|---|---|---|---|---|
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| JP3322442B2 (ja) * | 1993-06-25 | 2002-09-09 | 松下電工株式会社 | 高周波リレー |
| JP2560629B2 (ja) * | 1993-12-08 | 1996-12-04 | 日本電気株式会社 | シリコン超小形リレー |
| US5531018A (en) * | 1993-12-20 | 1996-07-02 | General Electric Company | Method of micromachining electromagnetically actuated current switches with polyimide reinforcement seals, and switches produced thereby |
| JPH07211212A (ja) * | 1994-01-26 | 1995-08-11 | Matsushita Electric Works Ltd | リレー |
| US5475353A (en) * | 1994-09-30 | 1995-12-12 | General Electric Company | Micromachined electromagnetic switch with fixed on and off positions using three magnets |
| JPH08255544A (ja) * | 1995-03-20 | 1996-10-01 | Nec Corp | リードレス表面実装用リレー |
| DE19520220C1 (de) * | 1995-06-01 | 1996-11-21 | Siemens Ag | Polarisiertes elektromagnetisches Relais |
| EP0780870A3 (de) * | 1995-12-21 | 1998-10-07 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektromagnetisches, monostabiles Kleinrelais |
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1997
- 1997-02-27 JP JP9044031A patent/JP2998680B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-02-26 US US09/031,106 patent/US5994986A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5994986A (en) | 1999-11-30 |
| JPH10241529A (ja) | 1998-09-11 |
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