JP3843678B2 - 高周波リレー及び高周波リレーの製造方法 - Google Patents
高周波リレー及び高周波リレーの製造方法 Download PDFInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波リレー及び高周波リレーの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から特開平１−２７４３３３号公報等により高周波リレーが知られている。従来のシールドケースは板金で形成してあって、固定接点や接点端子を組み込んだベースブロックにシールドケースを嵌合して取付けて接点部を電磁シールドするようになっている。
【０００３】
しかしながら、上記のような構成の従来例にあっては、接点端子−グランド間の距離が部品の加工精度、組み立て精度により変化し、特性インピーダンスのばらつきが大きいという問題がある。また、複数部品を組み立てて構成するため、部品点数が増え、組み立てが複雑化し、コストも高くなるという問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、部品点数を削減し、組み立てコストを低減し、組み立て精度のばらつきを無くして、特性の安定化を図ることができる高周波リレーを提供することを課題とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明に係る高周波リレーは、射出成形品よりなるベースブロック本体１の表面に金属皮膜２を形成すると共に金属皮膜２により固定接点部３、接点端子部４、アース部５及びシールド部６をベースブロック本体１と一体に構成した接点ベースブロック７を備えて成ることを特徴とするものである。このように、射出成形品よりなるベースブロック本体１の表面に形成した金属皮膜２により固定接点部３、接点端子部４、アース部５、シールド部６を形成することで、従来のように、複数の部品を組み込む必要がなく、また、固定接点部３、接点端子部４、アース部５の距離を高精度に保つことができる。
【０００６】
また、射出成形品よりなるベースブロック本体１の表面に金属皮膜２を形成すると共に金属皮膜２により固定接点部３、接点端子部４、アース部５及びシールド部６をベースブロック本体１と一体に構成した接点ベースブロック７と、射出成形品よりなるサブブロック本体８の表面に形成した金属皮膜１０によりアース部５及びシールド部６を構成した接点サブブロック９とを備え、接点ベースブロック７と接点サブブロック９とで囲まれた部分に接点部１１を電磁シールドするシールド空間１２を形成して成ることを特徴とするものである。このような構成とすることで、電磁シールド空間を形成するに当たって、板金製のシールドケースが必要でなく、射出成形品よりなるベースブロック本体１の表面に形成した金属皮膜２により固定接点部３、接点端子部４、アース部５、シールド部６を形成することで、従来のように、複数の部品を組み込む必要がなく、また、固定接点部３、接点端子部４、アース部５の距離を高精度に保つことができるものである。
【０００７】
また、接点ベースブロック７の上表面側に固定接点部３を設けるとともに接点ベースブロック７の下表面側に接点端子部４を設け、接点ベースブロック７の上表面の固定接点部３と下表面の接点端子部４とを最短で接続する接続部を形成することが好ましい。このような構成とすることで、信号伝達経路が短く、耐ノイズ性が向上することになる。
【０００８】
また、接点ベースブロック７の上表面側のアース部５と下表面側に設けたアース部５とを最短で接続する接続部を形成することが好ましい。このような構成とすることで、シールド性を向上することができるものである。
【０００９】
また、固定接点部３と接点端子部４とを金属製のピン１２で接続することが好ましい。このような構成とすることで、機械的な衝撃に対する耐久性が向上するものである。
【００１０】
また、固定接点部３と接点端子部４とをスルホール１３で接続することが好ましい。このような構成とすることで、スルホール１３の孔が接点ベースブロック７を射出成形する段階で形成できるものであり、また、ベースブロック本体１の表面に金属皮膜２を形成する際に同時にスルホール１３の孔の内面に金属皮膜２を形成して固定接点部３と接点端子部４とを接続できる。
【００１１】
また、固定接点部３と接点端子部４とを接続するスルホール１３が封止樹脂１４によりシールしてあることが好ましい。このような構成とすることで、封止が容易に行えることになる。
【００１２】
また、固定接点部３と接点端子部４とを接続するスルホール１３が導電性材料１５によりシールしてあることが好ましい。このような構成とすることで、封止を行うとともにシールド性の低下を防止することができる。
【００１３】
また、固定接点部３と接点端子部４とを接続するスルホール１３が合成樹脂ピン４３の溶着によりシールしてあることが好ましい。このような構成とすることで、溶着により簡単にシールでき、また、硬化のための加熱時間がいらず、生産性が向上するものである。
【００１４】
また、スルホール１３の端部の孔径を大きくすることが好ましい。このような構成とすることで、シール材でスルホール１３にシールする際にスルホール１３の端部の孔径の大きくなった部位でシール材の量の調整ができてシール材の量管理が容易に行えることになる。
【００１５】
また、固定接点部３、接点端子部４、アース部５、シールド部６を構成する金属皮膜２のうち、少なくともいずれか１つ又は複数の金属皮膜を他の金属皮膜と異ならせることが好ましい。このような構成とすることで、性能を向上させるとともに、必要な金属のみで金属被覆を構成することができる。
【００１６】
また、接点ベースブロック７の金属皮膜２が銅層、ニッケル層、金層の順にメッキして構成され、接点ベースブロック７の固定接点部３以外の金属皮膜を固定接点部３の金属皮膜に比べて金層を薄くしてあることが好ましい。このような構成とすることで、耐腐食性の低下を防止しながら必要以上に金を使用することがなくてコストダウンをはかることができる。
【００１７】
また、接点サブブロック９の金属皮膜１０が、接点開放時の可動接点部１９が接触する部位においては銅層、ニッケル層、金層の順にメッキして構成され、他の部分においては銅層、ニッケル層の順にメッキして構成されていることが好ましい。このような構成とすることで、耐腐食性の低下を防止しながら金の使用量を減らしてコストダウンをはかることができる。
【００１８】
また、接点ベースブロック７に異極の固定接点部３間を仕切るシールド壁１７を形成することが好ましい。このような構成とすることで、シールド壁１７により異極の固定接点部３間の信号リークを防止することができるものである。
【００１９】
また、接点ベースブロック７と接点サブブロック９の嵌合手段を接点ベースブロック７と接点サブブロック９にそれぞれ一体に形成することが好ましい。このような構成とすることで、接点ベースブロック７と接点サブブロック９とを組み立てるに当たって、接点ベースブロック７と接点サブブロック９とに一体に設けた嵌合手段により嵌合するものであり、これにより位置決めが正確にでき、また組み立てが容易に行えることになる。
【００２０】
また、接点サブブロック９にコイルブロック保持部１８を一体に形成することが好ましい。このような構成とすることで、接点サブブロック９とコイルブロック２５との組み立てが、接点サブブロック９に一体に形成したコイルブロック保持部１８を利用して容易に行えることになる。
【００２１】
また、接点サブブロック９にアマチュアの駆動をカードに伝えるための駆動ばね２０の保持部２１を一体に形成することが好ましい。このような構成とすることで、接点サブブロック９と駆動ばね２０との組み立てが、接点サブブロック９に一体に形成した保持部２１を利用して容易に行えることになる。
【００２２】
また、駆動ばね２０の保持部２１が突起２１ａにより構成され、駆動ばね２０に設けた嵌め込み孔２０ａを突起２１ａに嵌め込んで駆動ばね２０を取付け保持することが好ましい。このような構成とすることで、突起２１ａに嵌め込み孔２０ａをはめ込むことで正確な位置関係で駆動ばね２０を接点サブブロック９に位置決めでき、また、射出成形品よりなる突起２１ａを溶着することで駆動ばね２０を固定することができるものである。
【００２３】
また、接点サブブロック９に駆動ばね２０のストローク下限位置を位置決めするためのストッパ２２を一体に形成することが好ましい。このような構成とすることで、駆動ばね２０が下限位置にくると接点サブブロック９に設けたストッパ２２に当たるものであり、これによりストロークが安定して接点への接触圧を一定にすることができるものである。
【００２４】
また、接点ベースブロック７にコイル電極２３を金属皮膜２で形成することが好ましい。このような構成とすることで、コイルブロック２５を組み合わせるとともにコイルとコイル電極を接続することで組み立てることができるものである。
【００２５】
また、接点ベースブロック７の側部に端子用金属皮膜２４を延設することが好ましい。このような構成とすることで、高周波リレー実装時に接点ベースブロック７の側部の端子用金属皮膜２４を延設した部分を利用して半田付けができて実装が容易になる。
【００２６】
また、固定接点部３を構成する凸部３ａの周囲に同心状にアース部５を形成することが好ましい。このような構成とすることで、高周波信号の耐ノイズ性を向上させることができるものである。
【００２７】
また、固定接点部３を構成する凸部３ａの頂部を略半球状とすることが好ましい。このような構成とすることで、接点乖離時のアークを防止することができることになる。
【００２８】
また、本発明の高周波リレーの製造方法は、請求項１記載の高周波リレーの接点ベースブロックを製造するに当たって、射出成形品よりなるベースブロック本体１の表面に下層金属皮膜２ａを形成後、下層金属皮膜２ａにレーザを照射して回路パターンを形成することを特徴とするものである。このような方法を採用することで、ＣＡＤデータを変更するのみで回路パターンを変更することが可能となり、設計〜試作・評価が速く行えるものである。
【００２９】
また、ベースブロック本体１にスパッタリングにより下層金属皮膜２ａを形成することが好ましい。このような方法を採用することで、無電解メッキ工法を用いて下層金属皮膜を形成するのに比較して、工数が少なくなるものであり、薬品管理や廃液等の処理も必要でない。
【００３０】
また、ベースブロック本体１の表面にベースブロック本体１との密着力の高い金属よりなる中間膜２ｂを形成し、この中間膜２ｂの表面に下層金属皮膜２ａを形成するが好ましい。このように、射出成形品よりなるベースブロック本体１との密着力の高い金属よりなる中間膜２ｂを介在することで、ベースブロック本体１への回路密着力の高い金属皮膜２を得ることができるものである。
【００３１】
また、請求項１記載の高周波リレーの接点ベースブロックを製造するに当たって、ベースブロック本体１の表面に無電解メッキにより下層金属皮膜２ａを形成し、その後、レジスト２６を形成し、その後、レーザを照射して回路パターンを形成し、次に回路部に電気メッキにより上層金属皮膜２ｃを形成することが好ましい。このような方法を採用することで、レジスト２６を利用してレーザによる回路輪郭除去部２７の金属エッチングをおこなって、回路パターン間の距離精度を高くすることができる。
【００３２】
また、レーザによる回路輪郭除去部２７への銅エッチングを行い、その後、レジスト剥離を行い、その後、回路輪郭除去部２７への樹脂エッチングを行った後電気メッキを行うことが好ましい。このような方法を採用することで、レーザによる回路輪郭除去部２７における触媒残りを完全に除去することができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を添付図面に示す実施形態に基づいて説明する。高周波リレーは図１、図２に示すようなもので、コイル３０、鉄心３１、永久磁石３２、アマチュア５１からなるコイルブロック２５と、駆動ばね２０、可動接点部１９を有する可動片３８を備えたカード３９、カード復帰ばね３３、アース部５及びシールド部６を備えた接点サブブロック９と、固定接点部３、接点端子部４、アース部５及びシールド部６を備えた接点ベースブロック７と、ケース３４とで構成してある。シールド部６を備えた接点ベースブロック７とシールド部６を備えた接点サブブロック９とを組み合わせることで内部にシールド空間１２が形成してある。ここで、接点ベースブロック７の上表面乃至接点サブブロック９の下表面のいずれか一方又は両方に凹部５５を形成することで上記シールド空間１２が形成してあり、このシールド空間１２の内面に（つまり接点ベースブロック７の上表面と接点サブブロック９の下表面とに）シールド部６を形成してある。
【００３４】
接点サブブロック９にはカード挿通孔３７が設けてあり、このカード挿通孔３７にはカード３９が移動自在に挿通してあり、カード３９の先端部に設けた両端部に可動接点部１９を備えた可動片３８が上記シールド空間１２内に配置され、カード３９が移動することでシールド空間１２内において上下に移動自在となっている。カード３９の上部のシールド空間１２の外に突出した部分には略菱形をしたカード復帰ばね３３が装着してあり、可動片３８とカード復帰ばね３３によりサブブロック本体８をカード挿通孔３７の上下から挟持するようになっており、これによりカード３９が接点サブブロック９に取付けてある。
【００３５】
高周波リレーの動作は、コイル３０に電圧を印加して励磁するとアマチュア５１が回動し、アマチュア５１により一対のカード３９のうちの一方のカード３９が駆動ばね２０を介してカード復帰ばね３３のばね力に抗して押され、カード３９の先端部に設けた可動片３８の可動接点部１９が固定接点部３に接触し、同時に一対のカード３９のうちの他方のカード３９への駆動ばね２０を介しての押圧が解除され、カード復帰ばね３３のばね力により他方のカード３９が引き上げられて可動接点部１９が固定接点部３から乖離してサブブロック９のアース部５に接触するようになっている。
【００３６】
ここで、本発明においては、接点ベースブロック７が、射出成形品よりなるベースブロック本体１の表面に金属皮膜２を形成すると共に金属皮膜２により固定接点部３、接点端子部４、アース部５及びシールド部６をベースブロック本体１と一体に構成したいわゆるＭＩＤ（立体回路成形品）により構成してある。
【００３７】
ＭＩＤは、射出成形によりブロックを成形し、その後、該ブロックに例えば銅スパッタリング法により銅薄膜（下層金属皮膜）を蒸着させ、レーザを照射して回路として必要な部分と不必要な部分とを分離し、電気メッキにより回路として必要な部分のみにメッキ（上層金属皮膜）を施して回路を形成するレーザ法により製作することができるものである。このようにしてブロックの表面に金属皮膜が形成される（金属皮膜は銅薄膜よりなる下層金属皮膜とその上に形成されるメッキよりなる上層金属皮膜とで構成される）ものである。また、他の方法としては２ショット法によっても可能である。これは、回路として必要な部分にメッキが付く樹脂を用いて成形し（１ショット目）、その後で回路として不必要な部分にメッキが付かない樹脂を１ショット目の樹脂成形品の上から成形する（２ショット目）方法である。
【００３８】
ところで、本発明においては、合成樹脂の射出成形品よりなるベースブロック本体１の表面に金属皮膜２が形成された接点ベースブロック７において、射出成形品よりなるベースブロック本体１の形状を図３に示すようにベースブロック本体１の上表面に上方に向けて突出する３個で一組の突出部３５を複数組み突設した形状とし、このベースブロック本体１の表面に図４に示すように金属皮膜２を形成することで、ベースブロック本体１と一体となった金属皮膜２により固定接点部３、接点端子部４、アース部５、シールド部６を形成した構造となっている。
【００３９】
図４においてベースブロック本体１の表面の点模様を付与して表示した部分が金属皮膜２を形成した部分として表している。また、ベースブロック本体１の表面の点模様を付与していない白抜きで表している部分が金属皮膜２を形成していない絶縁部３６を表している（図５以下の図面も同様である）。ここで、ベースブロック本体１の上表面に突設した突出部３５の上面が固定接点部３となり、突出部３５と上下に対応するベースブロック本体１の下表面の部位が接点端子部４となっている。また、固定接点部３、接点端子部４以外の金属皮膜２部分がアース部５やシールド部６を構成している。
【００４０】
しかして、高周波リレーにおいては高周波特性を安定化させるために、各部品の組み込み位置精度、特に、固定接点部３と接点端子部４とアース部５との距離を高精度に保つ必要があるが、従来のように、別々の部品により構成すると、各部品に非常に高い加工精度、組み込み精度が要求され、加工、組み込みコストが多大となるが、上記のように、射出成形品よりなるベースブロック本体１の表面に形成した金属皮膜２により固定接点部３、接点端子部４、アース部５、シールド部６を形成することで高周波リレーの接点ベースブロック７を構成することで、各部が射出成形品により一体に構成してあることになり、各部の距離が高精度に保てるとともに、部品の組み立てが不要となり、組み立てコストの削減が図れることになる。
【００４１】
ここで、高周波特性とは、挿入損失（インサーションロス）、アイソレーションロス、Ｖ．Ｓ．Ｗ．Ｒ（反射）をいう。
【００４２】
図５に示す実施形態においては、接点ベースブロック７を上記のように、射出成形品よりなるベースブロック本体１の表面に金属皮膜２を形成すると共に金属皮膜２により固定接点部３、接点端子部４、アース部５及びシールド部６をベースブロック本体１と一体に構成したいわゆるＭＩＤ（立体回路成形品）により形成すると共に、接点サブブロック９も同様にして射出成形品よりなるサブブロック本体８の表面に形成した金属皮膜１０を形成してこの金属皮膜によりアース部５及びシールド部６をサブブロック本体８と一体に構成したＭＩＤ（立体回路成形品）に形成してある。サブブロック本体８にはカード挿通孔３７が設けてある。
【００４３】
そして、接点ベースブロック７と接点サブブロック９とを組み合わせることで、接点ベースブロック７と接点サブブロック９とで囲まれた部分に接点部１１を電磁シールドするシールド空間１２を形成するようになっている。
【００４４】
このように接点ベースブロック７と接点サブブロック９とで囲まれた部分に接点部１１を電磁シールドするシールド空間１２を構成することで、接点部１１の耐ノイズ性向上が図れるとともに、リレーの接点部１１を流れる高周波信号の外部へのリークを高度に防止することができることになる。
【００４５】
ここで、接点ベースブロック７の上表面側に固定接点部３を設けるとともに接点ベースブロック７の下表面側に接点端子部４を設け、接点ベースブロック７の上表面の固定接点部３と下表面の接点端子部４とを最短で接続する接続部を形成するようにすると、信号伝達経路が短く、耐ノイズ性を向上させることができるものである。すなわち、図６に示す実施形態のように、接点ベースブロック７の上表面側に固定接点部３を設けるとともに上記固定接点部３と対向する接点ベースブロック７の下表面側の部位に接点端子部４を設け、この上下に対向する固定接点部３と接点端子部４とを最短距離の直線で結ぶ金属製のピン１２やスルホール１３等の接続部により接続するものである。
【００４６】
また、接点ベースブロック７の上表面側のアース部５と下表面側に設けたアース部５とを最短で接続する接続部を形成することが好ましいものである。すなわち、図７に示すように固定接点部３に隣接した位置で上表面側のアース部５と下表面側のアース部５とを最短距離の直線で結ぶ金属製のピン１２やスルホール１３等の接続部により接続するものである。これによりアース部５のあらゆる場所で同電位となり、高周波特性のさらなる向上が図れるものである。
【００４７】
図８、図９には接点ベースブロック７の上表面側のアース部５と下表面側に設けたアース部５とを最短で接続する接続部の一実施形態が示してある。本実施形態においては、接点ベースブロック７の上表面側に固定接点部３を設けるとともに上記固定接点部３と対向する接点ベースブロック７の下表面側の部位に接点端子部４を設け、この上下に対向する固定接点部３と接点端子部４とを金属製のピン１２で接続したものである。ここで、図９に示すように金属製のピン１２の端部を固定接点部３表面から少し突出させて可動接点部１９との接触部とするように構成してもよく、この場合には機械的な衝撃に対する耐久性が図れることになる。
【００４８】
ピン１２は射出成形品よりなるベースブロック本体１への圧入により固定する方法が簡便であるが、接着剤４０により固定してもよいものである。また、射出成形品よりなるベースブロック本体１へのピン挿入孔４１は機械加工によりベースブロック本体１に孔あけ加工するか、あるいは射出成形金型にピン挿入孔形成用突起を設けて射出成形時にピン挿入孔４１を同時に形成してもよいものである。本実施形態においても、表面側のアース部５と裏面側のアース部５とをスルホール１３や金属製のピン１２により最短で接続してある。
【００４９】
また、図１０、図１１には接点ベースブロック７の上表面のアース部５と下表面に設けたアース部５とを最短で接続する接続部の他の実施形態が示してある。本実施形態においては、固定接点部３と接点端子部４とを内面に金属皮膜２が形成されたスルホール１３で接続してある。本実施形態によれば、スルホール１３の孔が接点ベースブロック７を射出成形する段階で形成でき、また、ベースブロック本体１の表面に金属皮膜２を形成する際に同時にスルホール１３の孔の内面に金属皮膜２を形成して固定接点部３と接点端子部４とを接続できて、生産性が非常に向上するものである。
【００５０】
また、上記のように固定接点部３と接点端子部４とを接続する内面に金属皮膜２を形成したスルホール１３を封止樹脂１４によりシールすることで、リレー内部の密封が容易に行えるものである。ここで、例えば、エポキシ製の封止樹脂１４を使用することで図１１に示すように加熱硬化後に封止樹脂１４の表面張力により封止部分の端面部が凹形状となり、接点ベースブロック７下表面（接点端子部４側）へ流出やはみ出しが無く、また、封止樹脂１４が固定接点部３側にはみ出すことがなく、製造が容易である。なお、図中４２は封止材料（本実施形態では封止樹脂１４）をスルホール１３に充填するためのディスペンサを示している。
【００５１】
次に、本発明の更に他の実施形態を図１２、図１３により説明する。すなわち、上記実施形態においては、リレー内部の密封を行う目的で、固定接点部３と接点端子部４とを接続する内面に金属皮膜２を形成したスルホール１３を封止するに当たって、封止樹脂１４を使用した例を示したが、本実施形態においては、封止材料として導電性材料１５（例えば銀ペースト、ニッケルペースト、半田ペーストなどの導電性ペースト）を用いてある。このように、導電性材料１５でスルホール１３を封止することで、接点部においては、電流導通部の断面積が増え、電気抵抗を下げることができ、また、アース部５においてはシールド性の低下を防止することができるものである。
【００５２】
図１４、図１５には接点ベースブロック７の上表面側のアース部５と下表面側に設けたアース部５とを最短で接続する内面に金属皮膜２を形成したスルホール１３内をシールするに当たって、スルホール１３内に合成樹脂ピン４３を挿入して該合成樹脂ピン４３を溶着する例が示してある。このものにおいては、スルホール１３のシールが瞬時にしかも確実に行え、生産性が向上するものである。
【００５３】
ここで、封止樹脂１４や導電性材料１５をスルホール１３に充填して封止するものにおいて、図１６、図１７に示すようにスルホール１３の端部の孔径を大きく（いわゆる座ぐり加工を施す）して大径孔部１３ａを形成すると、封止のための液量のばらつきをスルホール１３の端部の大径孔部１３ａ部分において吸収することができて、液量の管理が非常に容易となり、製造が容易となるものである。
【００５４】
ところで、接点ベースブロック７の金属皮膜２や接点サブブロック９の金属皮膜１０において、その皮膜構成を部分的に変更すると効果的である。
【００５５】
すなわち、固定接点部３、接点端子部４、アース部５、シールド部６を構成する金属皮膜２のうち、少なくともいずれか１つ又は複数の金属皮膜を他の金属皮膜と異ならせる例につき説明すると、固定接点部３及び接点端子部４のみに銅、ニッケル、金の順にメッキをした３層とし、その他のアース部５、シールド部６は銅、ニッケルのメッキをした２層として金メッキを無くすことで、シールド性能を低下させることなく、接点の耐腐食性を上げ、接触抵抗を低く維持でき、また、リレー実装時の接点端子部４の半田ぬれ性を良くすることができるものである。更に、金の使用量を抑えることができ、材料費の削減が図れるものである。図１８において、２ａは金メッキを施した金属皮膜２を示し、２ｂは金メッキが施されていない金属皮膜２を示している。
【００５６】
この場合、電気メッキ処理時に図１９に示すような装置でベースブロック本体１を支持してメッキすることで容易に実現できる。すなわち、ベースブロック本体１を金メッキが必要な部分と金メッキが必要でない部分とが電気的に絶縁されるように回路をパターンニングし、このベースブロック本体１の金メッキが必要な部分を第１のＤＣ電源に接続した接続部４４ａに当て、金メッキが必要でない部分に第２のＤＣ電源に接続した接続部４４ｂをばね４５により弾性的に押し当てることでベースブロック本体１を支持し（この場合）、接続部４４ａと接続部４４ｂとは絶縁材料４５で絶縁してある）、金以外のメッキをする場合には第１のＤＣ電源、第２のＤＣ電源のいずれもオンとして電気メッキをし、金メッキ時には第２のＤＣ電源をオフとするようにするとよい。
【００５７】
また、固定接点部３、接点端子部４、アース部５、シールド部６を構成する金属皮膜２のうち、少なくともいずれか１つ又は複数の金属皮膜を他の金属皮膜と異ならせる他例につき説明する。すなわち、接点ベースブロック７の金属皮膜２を銅層、ニッケル層、金層の順にメッキして構成するのであるが、接点ベースブロック７の固定接点部３以外の金属皮膜を固定接点部３の金属皮膜に比べて金層を薄く形成する。図２０において２ｃは金メッキが厚い金属皮膜を示し、２ｄは金メッキが薄い金属皮膜を示している。このように構成すると、アース部５の耐腐食性が向上するとともに、接点サブブロック９に接合する際に接合部の濡れ性を向上することができるものであり、また、必要以上に金を使用することがなくてコストダウンをはかることができる。この場合、図２１に示すように、電気金メッキが厚い部分に接触する接続部４４ｃと電気金メッキが薄い部分に接触する接続部４４ｄとを同一ＤＣ電源に接続し、電気金メッキが薄い部分に接触する接続部４４ｄ側の配線上に抵抗Ｒを設けることで、電気抵抗が小さい部分により電流が流れてメッキが厚く形成されるものである。
【００５８】
また、接点サブブロック９の金属皮膜１０が、接点開放時の可動接点部１９が接触する部位においては銅層、ニッケル層、金層の順にメッキして構成され、他の部分においては銅層、ニッケル層の順にメッキしてあってこの部分には金メッキが無いように構成してもよいものである。つまり、図２２において、４６ａは接点サブブロック９の金属皮膜１０のうち金メッキされた接点開放時の可動接点部１９が接触する部位を示し、４６ｂは金メッキがなされていない部位を示している。これにより接点開放時に可動接点部１９を金層がメッキされた部分に接触させて確実にアースすることができ、高周波信号のアイソレーション性能を維持できるものであり、また、耐腐食性の低下を防止しながら必要以上に金の使用量を減らしてコストダウンをはかることができるものである。
【００５９】
図２３には他の実施形態が示してある。本実施形態においては、接点ベースブロック７に異極の固定接点部３間を仕切るシールド壁１７を形成してある。このような構成とすることで、シールド壁１７により異極間のアイソレーション性能を向上することができて、固定接点部３間の信号リークを防止することができるものである。
【００６０】
図２４には接点ベースブロック７と接点サブブロック９とを接合するための実施形態が示してある。すなわち、本実施形態においては、接点ベースブロック７と接点サブブロック９の嵌合手段を接点ベースブロック７と接点サブブロック９にそれぞれ一体に形成してある。図２４に示す実施形態においては、接点ベースブロック７のベースブロック本体１に嵌合手段を構成する嵌合突部４７ａを形成してあり、接点サブブロック９に嵌合凹部４７ｂが形成してある。そして、嵌合突部４７ａを嵌合凹部４７ｂに嵌合することで接点ベースブロック７と接点サブブロック９とを正確に位置決めして組み立てるものである。本実施形態のように、接点ベースブロック７と接点サブブロック９の嵌合手段を接点ベースブロック７と接点サブブロック９にそれぞれ一体に形成することで、接続のための他の特別の部材を必要とせず、部品点数を削減してコストダウンが図れるものである。
【００６１】
また、図２５、図２６には接点サブブロック９にコイルブロック保持部１８を一体に形成した例が示してある。本実施形態においては、コイルブロック保持部１８は接点サブブロック９のサブブロック本体８の上面にサブブロック本体８を射出成形により成形する際に保持溝部１８ａを先端部に有する保持用突部１８ｂを一体に形成してコイルブロック保持部１８を構成してある。そして保持溝部１８ａにコイルブロック２５に設けたアマチュア５１に設けた支点軸５１ａを回動自在にはめ込むことで接点サブブロック９にコイルブロック２５を組み立て保持できるものである。このように本実施形態では接点サブブロック９に一体に形成したコイルブロック保持部１８を利用してコイルブロック２５の保持を容易に行えるものである。
【００６２】
また、図２７、図２８には接点サブブロック９に駆動ばね２０の保持部２１を一体に形成してある実施形態を示している。本実施形態においては、接点サブブロック９のサブブロック本体８を射出成形により形成する際に突起２１ａを一体に形成して保持部２１を構成してある。そして、この突起２１ａに駆動ばね２０に設けた嵌め込み孔２０ａを嵌め込んで突起２１ａを溶着することで駆動ばね２０を取付け保持してある。図２８（ｃ）中、後述の図３０中における２１ｂは突起２１ａを溶着した溶着部を示している。このようにすることで、突起２１ａに嵌め込み孔２０ａをはめ込むことで正確な位置関係で駆動ばね２０を接点サブブロック９に位置決めでき、また、射出成形品よりなる突起２１ａを溶着することで駆動ばね２０を固定することができるものである。
【００６３】
図２９、図３０には接点サブブロック９のサブブロック本体８に駆動ばね２０のストローク下限位置を位置決めするためのストッパ２２を一体に形成した例が示してある。このように、ストッパ２２を設けることで、図３０（ｂ）に示すように駆動ばね２０がアマチュア５１により押されて駆動され、下限位置にくると接点サブブロック９に設けたストッパ２２に当たるものであり、これにより駆動ばね２０のストロークが安定して接点への接触圧を一定にすることができるものである。なお、図３０の左側は接点オフ時、右側は接点オン時における駆動ばね２０を示している。
【００６４】
図３１には本発明の他の実施形態が示してある。本実施形態においては接点ベースブロック７にコイル電極２３を金属皮膜２で形成した例である。このように、接点ベースブロック７にコイル電極２３を金属皮膜２で形成することで、コイルブロック２５を組み合わせるとともにコイルとコイル電極２３とをワイヤ等で接続することで組み立てが容易に行えるものである。
【００６５】
図３２には本発明の更に他の実施形態が示してある。本実施形態においては、ベースブロック本体１の上表面に形成した固定接点部３と下表面に形成した接点端子部４とを内面に金属皮膜２を形成したスルホール１３により接続するものにおいて、接点ベースブロック７の側部に接点端子部４に接続する端子用金属皮膜２４を延設したものである。このものにおいては、高周波リレー実装時に接点ベースブロック７の側部に延設された接点端子部４を利用してプリント配線板の配線部６０の半田付けができて、実装が容易になるものである。
【００６６】
図３３には本発明の更に他の実施形態が示してあり、固定接点部３を構成する凸部３ａの周囲に同心状にアース用突部５４を突設し、このアース用突部５４の外周面に金属皮膜２よりなるアース部５を形成した例である。高周波信号の耐ノイズ性をより向上させることができるものである。
【００６７】
また、図３４に示すように、固定接点部３を構成する凸部３ａの頂部を略半球状とすることが好ましい。このような構成とすることで、接点乖離時のアークを防止することができることになる。
【００６８】
次に、本発明の高周波リレーの接点ベースブロックの製造につき説明する。本発明においては、図３５（ａ）に示すように、射出成形品よりなるベースブロック本体１の表面に銅により下層金属皮膜２ａを形成し、図３５（ｂ）に示すように、下層金属皮膜２ａにレーザ４８を照射して回路輪郭部を除去して回路パターンを形成し、その後、回路パターン部分に電気メッキを施して回路部に上層金属皮膜２ｃ（電気メッキにより銅層、その上にニッケル層、その上に金層を形成する）を形成するものである。このような方法を採用することで、ＣＡＤデータを変更するのみで回路パターンを変更することが可能となる。このため、設計〜試作・評価が速く行えることになる。
【００６９】
ここで、図３６に示す実施形態のように、ベースブロック本体１にスパッタリングにより下層金属皮膜２ａを形成するようにしてもよい。図３６に示す実施形態においては、射出成形により形成した図３６（ａ）に示すようなベースブロック本体１を図３６（ｂ）に示すようにアルゴンガス雰囲気中において銅をターゲット４９としてスパッタリング工程でスパッタリングを行い、その後、図３６（ｃ）のように、下層金属皮膜２ａにレーザ４８を照射して回路輪郭部を除去して回路パターンを形成し、その後、図３６（ｄ）のように、回路パターン部分に電気メッキを施して回路部に上層金属皮膜２ｃ（電気メッキにより銅層、その上にニッケル層、その上に金層を形成する）を形成するものである。このようにベースブロック本体１にスパッタリングにより下層金属皮膜２ａを形成すると、無電解メッキ工法を用いて下層金属皮膜を形成することに比較して、工数が少なくなるものであり、薬品管理や廃液等の処理も必要でないものである。
【００７０】
図３７には本発明の高周波リレーの接点ベースブロックの製造方法の他の実施形態が示してある。本実施形態においては、ベースブロック本体１の表面にベースブロック本体１との密着力の高い金属よりなる中間膜２ｂを形成し、この中間膜２ｂの表面に下層金属皮膜２ａを形成する。すなわち、射出成形により形成したベースブロック本体１を図３７（ａ）に示すようにベースブロック本体１に第１のスパッタリング工程によりクロムをターゲット４９ａとしてスパッタリングを行って射出成形品よりなるベースブロック本体１との密着力の高い金属よりなる中間膜２ｂを形成し、その後、図３７（ｂ）のように更に第２のスパッタリング工程により銅をターゲット４９としてスパッタリングを行って中間膜２ｂの表面に下層金属皮膜２ａを形成し、その後、図３７（ｃ）のように下層金属皮膜２ａにレーザ４８を照射して回路輪郭部を除去して回路パターンを形成し、その後、図３７（ｄ）のように、回路パターン部分に電気メッキを施して回路部に上層金属皮膜２ｃ（電気メッキにより銅層、その上にニッケル層、その上に金層を形成する）を形成することで、金属皮膜２をベースブロック本体１の表面に形成するものである。ここで中間膜２ｂとして射出成形品よりなる合成樹脂製のベースブロック本体１との密着性の高い金属であるクロムを用いることでベースブロック本体１と金属皮膜２との密着性が高く、金属皮膜２により形成される回路の密着性が高いものである。
【００７１】
図３８には本発明の高周波リレーの接点ベースブロックの製造方法の更に他の実施形態が示してある。本実施形態においては、射出成形により形成した図３８（ａ）に示すようなベースブロック本体１の表面を水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）により粗面化して図３８（ｂ）のようにし、次に、粗面化した表面に図３８（ｃ）のように触媒５０を塗布し、その後、図３８（ｄ）のようにベースブロック本体１の表面に無電解メッキにより下層金属皮膜２ａ（銅層）を形成し、次に、図３８（ｅ）のように下層金属皮膜２ａの上にレジスト２６（Ｓｕ）を形成し、次に、図３８（ｆ）に示すようにレーザ４８を照射してレジスト２６部分において回路輪郭部を除去し、次に、図３８（ｇ）に示すように下層金属皮膜２ａ（銅層）をエッチングして除去し、その後、図３８（ｈ）のようにレジスト２６を剥離し、その後、図３８（ｉ）のように、回路パターン部分に電気メッキを施して回路部に上層金属皮膜２ｃ（電気メッキにより銅層、その上にニッケル層、その上に金層を形成する）を形成するものである。このような方法を採用すると、レジスト２６を利用してレーザによる回路輪郭除去部２７の金属エッチングをおこなって、回路パターン間の距離精度を高くすることができるものである。
【００７２】
図３９には本発明の高周波リレーの接点ベースブロックの製造方法の更に他の実施形態が示してある。本実施形態においては、本実施形態においては、射出成形により形成した図３９（ａ）に示すようなベースブロック本体１の表面を図３９（ｂ）に示すように水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）により粗面化し、次に、粗面化した表面に図３９（ｃ）のように触媒５０を塗布し、その後、図３９（ｄ）のようにベースブロック本体１の表面に無電解メッキにより下層金属皮膜２ａ（銅層）を形成し、次に、図３９（ｅ）のように下層金属皮膜２ａの上にレジスト２６（Ｓｕ）を形成し、次に、図３９（ｆ）に示すようにレーザ４８を照射してレジスト２６部分において回路輪郭部を除去し、次に、図３９（ｇ）に示すように下層金属皮膜２ａ（銅層）をエッチングして除去し、その後、図３９（ｈ）のようにレジスト２６を剥離し、その後、図３９（ｉ）のように回路輪郭除去部２７を水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）により樹脂エッチングをして触媒の残りを完全に除去し、その後、図３９（ｊ）のように、回路パターン部分に電気メッキを施して回路部に上層金属皮膜２ｃ（電気メッキにより銅層、その上にニッケル層、その上に金層を形成する）を形成するものである。このような方法を採用すると、レーザによる回路輪郭除去部２７における触媒残りを完全に除去することができて回路パターン間の距離精度をより高くすることができるものである。
【００７３】
【発明の効果】
上記のように本発明の請求項１記載の発明にあっては、射出成形品よりなるベースブロック本体の表面に金属皮膜を形成すると共に金属皮膜により固定接点部、接点端子部、アース部及びシールド部をベースブロック本体と一体に構成した接点ベースブロックを備えているので、射出成形品よりなるベースブロック本体の表面に形成した金属皮膜により固定接点部、接点端子部、アース部、シールド部を形成することができて、従来のように、複数の部品を組み込む必要がなくて構造が簡略化できるとともにコストダウンが図れるものであり、また、固定接点部、接点端子部、アース部の距離を高精度に保つことができて、高性能の高周波リレーとすることができるものである。
【００７４】
また、請求項２記載の発明にあっては、射出成形品よりなるベースブロック本体の表面に金属皮膜を形成すると共に金属皮膜により固定接点部、接点端子部、アース部及びシールド部をベースブロック本体と一体に構成した接点ベースブロックと、射出成形品よりなるサブブロック本体の表面に形成した金属皮膜によりアース部及びシールド部を構成した接点サブブロックとを備え、接点ベースブロックと接点サブブロックとで囲まれた部分に接点部を電磁シールドするシールド空間を形成するので、電磁シールド空間を形成するに当たって、従来のように板金製のシールドケースが必要でなくて高精度のシールドができ、また、射出成形品よりなるベースブロック本体の表面に形成した金属皮膜により固定接点部、接点端子部、アース部、シールド部を形成することで、従来のように、複数の部品を組み込む必要がなくて、構造が簡略化できるとともにコストダウンが図れるものであり、また、固定接点部、接点端子部、アース部の距離を高精度に保つことができて、高性能の高周波リレーとすることができるものである。
【００７５】
また、請求項３記載の発明にあっては、上記請求項１又は請求項２記載の発明の効果に加えて、接点ベースブロックの上表面側に固定接点部を設けるとともに接点ベースブロックの下表面側に接点端子部を設け、接点ベースブロックの上表面の固定接点部と下表面の接点端子部とを最短で接続する接続部を形成するので、信号伝達経路が短く、耐ノイズ性を向上することができるものである。
【００７６】
また、請求項４記載の発明にあっては、上記請求項１又は請求項２記載の発明の効果に加えて、接点ベースブロックの上表面側のアース部と下表面側に設けたアース部とを最短で接続する接続部を形成するので、シールド性を向上することができるものである。
【００７７】
また、請求項５記載の発明にあっては、上記請求項３又は請求項４記載の発明の効果に加えて、固定接点部と接点端子部とを金属製のピンで接続するので、金属製のピンの端部を可動接点部が接触する部分にできて、機械的な衝撃に対する耐久性が向上するものである。
【００７８】
また、請求項６記載の発明にあっては、上記請求項３又は請求項４記載の発明の効果に加えて、固定接点部と接点端子部とをスルホールで接続するので、スルホールの孔が接点ベースブロックを射出成形する段階で形成できるものであり、また、ベースブロック本体の表面に金属皮膜を形成する際に同時にスルホールの孔の内面に金属皮膜を形成して固定接点部と接点端子部とを接続できるものであって、容易に製造することができるものである。
【００７９】
また、請求項７記載の発明にあっては、上記請求項６記載の発明の効果に加えて、固定接点部と接点端子部とを接続するスルホールが封止樹脂によりシールしてあるので、封止樹脂により容易に封止が行えるものである。
【００８０】
また、請求項８記載の発明にあっては、上記請求項６記載の発明の効果に加えて、固定接点部と接点端子部とを接続するスルホールが導電性材料によりシールしてあるので、封止を行うとともに接点部分においては断面積が増えて電気的抵抗を下げることができるものである。
【００８１】
また、請求項９記載の発明にあっては、上記請求項６記載の発明の効果に加えて、固定接点部と接点端子部とを接続するスルホールが合成樹脂ピンの溶着によりシールしてあるので、溶着により簡単にシールでき、また、硬化のための加熱時間がいらず、生産性が向上するものである。
【００８２】
また、請求項１０記載の発明にあっては、上記請求項７又は請求項８記載の発明の効果に加えて、スルホールの端部の孔径を大きくしてあるので、シール材でスルホールにシールする際にスルホールの端部の孔径の大きくなった部位でシール材の量の調整ができてシール材の量管理が容易に行え、外へのシール材のはみ出しを簡単な構成で防止することができるものである。
【００８３】
また、請求項１１記載の発明にあっては、上記請求項１又は請求項２記載の発明の効果に加えて、固定接点部、接点端子部、アース部、シールド部を構成する金属皮膜のうち、少なくともいずれか１つ又は複数の金属皮膜を他の金属皮膜と異ならせてあるので、性能を向上させるとともに、必要な金属のみで金属被覆を構成することができてコストダウンを図ることができるものである。
【００８４】
また、請求項１２記載の発明にあっては、上記請求項１１記載の発明の効果に加えて、接点ベースブロックの金属皮膜が銅層、ニッケル層、金層の順にメッキして構成され、接点ベースブロックの固定接点部以外の金属皮膜を固定接点部の金属皮膜に比べて金層を薄くしてあるので、耐腐食性の低下を防止しながら必要以上に金を使用することがなくてコストダウンをはかることができるものである。
【００８５】
また、請求項１３記載の発明にあっては、上記請求項１１記載の発明の効果に加えて、接点サブブロックの金属皮膜が、接点開放時の可動接点部が接触する部位においては銅層、ニッケル層、金層の順にメッキして構成され、他の部分においては銅層、ニッケル層の順にメッキして構成されているので、耐腐食性の低下を防止しながら金の使用量を減らしてコストダウンをはかることができるものである。
【００８６】
また、請求項１４記載の発明にあっては、上記請求項１又は請求項２記載の発明の効果に加えて、接点ベースブロックに異極の固定接点部間を仕切るシールド壁を形成してあるので、シールド壁を設けるという簡単な構成で異極の固定接点部間の信号リークを防止することができるものである。
【００８７】
また、請求項１５記載の発明にあっては、上記請求項１又は請求項２記載の発明の効果に加えて、接点ベースブロックと接点サブブロックの嵌合手段を接点ベースブロックと接点サブブロックにそれぞれ一体に形成してあるので、接点ベースブロックと接点サブブロックとを組み立てるに当たって、接点ベースブロックと接点サブブロックとに一体に設けた嵌合手段により嵌合することで正確に位置決めした状態で組み立てることができ、別途接続部材を必要とせず、部品点数を減少できるとともに組み立てが容易である。
【００８８】
また、請求項１６記載の発明にあっては、上記請求項１又は請求項２記載の発明の効果に加えて、接点サブブロックにコイルブロック保持部を一体に形成してあるので、接点サブブロックとコイルブロックとの組み立てが、接点サブブロックに一体に形成したコイルブロック保持部を利用して容易に行えるものであり、別途接続部材を必要とせず、部品点数を減少できるとともに組み立てが容易である。
【００８９】
また、請求項１７記載の発明にあっては、上記請求項１又は請求項２記載の発明の効果に加えて、接点サブブロックにアマチュアの駆動をカードに伝えるための駆動ばねの保持部を一体に形成してあるので、接点サブブロックと駆動ばねとの組み立てが、接点サブブロックに一体に形成した保持部を利用して容易に行えるものである。
【００９０】
また、請求項１８記載の発明にあっては、上記請求項１７記載の発明の効果に加えて、駆動ばねの保持部が突起により構成され、駆動ばねに設けた嵌め込み孔を突起に嵌め込んで駆動ばねを取付け保持してあるので、突起に嵌め込み孔をはめ込むことで正確な位置関係で駆動ばねを接点サブブロックに位置決めでき、また、射出成形品よりなる突起を溶着することで簡単に駆動ばねを固定することができるものである。
【００９１】
また、請求項１９記載の発明にあっては、上記請求項１又は請求項２記載の発明の効果に加えて、接点サブブロックに駆動ばねのストローク下限位置を位置決めするためのストッパを一体に形成してあるので、駆動ばねが下限位置にくると接点サブブロックに一体に設けたストッパに当たるものであり、これにより簡単な構成でストロークが安定して接点への接触圧を一定にすることができるものである。
【００９２】
また、請求項２０記載の発明にあっては、上記請求項１又は請求項２記載の発明の効果に加えて、接点ベースブロックにコイル電極を金属皮膜で形成してあるので、コイルブロックを組み合わせるとともにコイルとコイル電極を接続することで、組み立てが容易に行えるものである。
【００９３】
また、請求項２１記載の発明にあっては、上記請求項１又は請求項２記載の発明の効果に加えて、接点ベースブロックの側部に端子用金属皮膜を延設してあるので、高周波リレー実装時に側部に延出して形成した端子用金属皮膜部分で半田により回路板の回路に接続して実装できて、実装が容易になる。
【００９４】
また、請求項２２記載の発明にあっては、上記請求項６記載の発明の効果に加えて、固定接点部を構成する凸部の周囲に同心状にアース部を形成してあるので、高周波信号の耐ノイズ性を向上させることができるものである。
【００９５】
また、請求項２３記載の発明にあっては、上記請求項１又は請求項２記載の発明の効果に加えて、固定接点部を構成する凸部の頂部を略半球状としてあるので、簡単な構成で接点乖離時のアークを防止することができるものである。
【００９６】
また、請求項２４記載の発明にあっては、請求項１記載の高周波リレーの接点ベースブロックを製造するに当たって、射出成形品よりなるベースブロック本体の表面に下層金属皮膜を形成後、下層金属皮膜にレーザを照射して回路パターンを形成するので、ＣＡＤデータを変更するのみで回路パターンを変更することが可能となり、設計〜試作・評価が速く行えるものである。
【００９７】
また、請求項２５記載の発明にあっては、上記請求項２４記載の発明の効果に加えて、ベースブロック本体にスパッタリングにより下層金属皮膜を形成するので、無電解メッキ工法を用いて下層金属皮膜を形成することに比較して、工数が少なくなるものであり、薬品管理や廃液等の処理も必要でないものである。
【００９８】
また、請求項２６記載の発明にあっては、上記請求項２４記載の発明の効果に加えて、ベースブロック本体の表面にベースブロック本体との密着力の高い金属よりなる中間膜を形成し、この中間膜の表面に下層金属皮膜を形成するので、射出成形品よりなるベースブロック本体との密着力の高い金属よりなる中間膜を介在することで、ベースブロック本体への回路密着力の高い金属皮膜を得ることができるものである。
【００９９】
また、請求項２７記載の発明にあっては、請求項１記載の高周波リレーの接点ベースブロックを製造するに当たって、ベースブロック本体の表面に無電解メッキにより下層金属皮膜を形成し、その後、レジストを形成し、その後、レーザを照射して回路パターンを形成し、次に回路部に電気メッキにより上層金属皮膜を形成するので、レジストを利用してレーザによる回路輪郭除去部の金属エッチングをおこなって、回路パターン間の距離精度を高くすることができるものである。
【０１００】
また、請求項２８記載の発明にあっては、上記請求項２７記載の発明の効果に加えて、レーザによる回路輪郭除去部への銅エッチングを行い、その後、レジスト剥離を行い、その後、回路輪郭除去部への樹脂エッチングを行った後電気メッキを行うので、レーザによる回路輪郭除去部における触媒残りを完全に除去することができるものであって、回路パターン間の距離精度を更に高くすることができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の高周波リレーの正面断面図である。
【図２】同上の分解断面図である。
【図３】同上の射出成形品よりなるベースブロック本体を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図４】同上の接点ベースブロックを示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図５】（ａ）乃至（ｄ）は同上の接点ベースブロックを示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図であり、（ｅ）乃至（ｈ）は接点サブブロックを示し、（ｅ）は平面図であり、（ｆ）は正面図であり、（ｇ）は下面図であり、（ｈ）は側面図である。
【図６】同上の接点ベースブロックの他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図７】同上の接点ベースブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図８】同上の接点ベースブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図９】同上の固定接点部と接点端子部とを金属製のピンで接続する実施形態を示し、（ａ）は金属製のピンを挿入する前の説明図であり、（ｂ）は金属製のピンを挿入して接続した状態を示す説明図である。
【図１０】同上の接点ベースブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図１１】同上のスルホールを封止樹脂で封止する状態を示し、（ａ）は封止している途中を示す説明図であり、（ｂ）は封止状態を示す断面図であり、（ｃ）は封止した状態の斜視図である。
【図１２】同上の接点ベースブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図１３】同上のスルホールを導電性材料で封止する状態を示し、（ａ）は封止している途中を示す説明図であり、（ｂ）は封止状態を示す断面図である。
【図１４】同上の接点ベースブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図１５】同上のスルホールに樹脂ピンで封止する例を示し、（ａ）は樹脂ピンを挿入する前の説明図であり、（ｂ）は樹脂ピンのピンを挿入して接続した状態を示す説明図である。
【図１６】同上の接点ベースブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図１７】同上のスルホールを封止する他例を示し、（ａ）（ｂ）（ｃ）は封止順序を示す説明図である。
【図１８】同上の接点ベースブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図１９】同上の電気メッキの際に使用する装置の概略図を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は側面図である。
【図２０】同上の接点ベースブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図２１】同上の電気メッキの際に使用する装置の他例の概略図を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は側面図である。
【図２２】同上の接点ベースブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図２３】同上の接点ベースブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図２４】（ａ）乃至（ｄ）は同上の接点ベースブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図であり、（ｅ）乃至（ｈ）は接点サブブロックの更に他の実施形態を示し、（ｅ）は平面図であり、（ｆ）は正面図であり、（ｇ）は下面図であり、（ｈ）は側面図である。
【図２５】同上の接点サブブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図２６】同上の接点サブブロックにコイルブロックを取付ける例を示し、（ａ）は分解側面図であり、（ｂ）は分解正面図である。
【図２７】同上の接点サブブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図２８】（ａ）（ｂ）（ｃ）は駆動ばねの取付け順序を示す説明図である。
【図２９】同上の接点サブブロックの更に例を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図３０】同上の駆動ばねの動作説明図である。
【図３１】同上の接点ベースブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図３２】同上の接点ベースブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図であり、（ｅ）は接点ベースブロックの側部に端子用金属皮膜に半田付けをした例を示す斜視図である。
【図３３】同上の接点ベースブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面図であり、（ｃ）は正面図であり、（ｄ）は下面図であり、（ｅ）は側面図であり、（ｆ）は要部斜視図である。
【図３４】同上の接点ベースブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面図であり、（ｃ）は正面図であり、（ｄ）は下面図であり、（ｅ）は側面図であり、（ｆ）は要部拡大断面図である。
【図３５】（ａ）乃至（ｃ）は本発明の製造順序を示す説明図である。
【図３６】（ａ）乃至（ｄ）は同上の製造順序を示す説明図である。
【図３７】（ａ）乃至（ｄ）は同上の他の製造順序を示す説明図である。
【図３８】（ａ）乃至（ｉ）は同上の更に他の製造順序を示す説明図である。
【図３９】（ａ）乃至（ｊ）は同上の更に他の製造順序を示す説明図である。
【符号の説明】
１ ベースブロック本体
２ 金属皮膜
３ 固定接点部
４ 接点端子部
５ アース部
６ シールド部
７ 接点ベースブロック
８ サブブロック本体
９ 接点サブブロック
１０ 金属皮膜
１１ 接点部
１２ シールド空間
１３ スルホール
１４ 封止樹脂
１５ 導電性材料
１７ シールド壁
１８ コイルブロック保持部
１９ 可動接点部
２０ 駆動ばね
２０ａ 嵌め込み孔
２１ 保持部
２１ａ 突起
２２ ストッパ
２３ コイル電極
２４ 端子用金属皮膜
２５ コイルブロック
２６ レジスト
２７ 回路輪郭除去部
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波リレー及び高周波リレーの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から特開平１−２７４３３３号公報等により高周波リレーが知られている。従来のシールドケースは板金で形成してあって、固定接点や接点端子を組み込んだベースブロックにシールドケースを嵌合して取付けて接点部を電磁シールドするようになっている。
【０００３】
しかしながら、上記のような構成の従来例にあっては、接点端子−グランド間の距離が部品の加工精度、組み立て精度により変化し、特性インピーダンスのばらつきが大きいという問題がある。また、複数部品を組み立てて構成するため、部品点数が増え、組み立てが複雑化し、コストも高くなるという問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、部品点数を削減し、組み立てコストを低減し、組み立て精度のばらつきを無くして、特性の安定化を図ることができる高周波リレーを提供することを課題とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明に係る高周波リレーは、射出成形品よりなるベースブロック本体１の表面に金属皮膜２を形成すると共に金属皮膜２により固定接点部３、接点端子部４、アース部５及びシールド部６をベースブロック本体１と一体に構成した接点ベースブロック７を備えて成ることを特徴とするものである。このように、射出成形品よりなるベースブロック本体１の表面に形成した金属皮膜２により固定接点部３、接点端子部４、アース部５、シールド部６を形成することで、従来のように、複数の部品を組み込む必要がなく、また、固定接点部３、接点端子部４、アース部５の距離を高精度に保つことができる。
【０００６】
また、射出成形品よりなるベースブロック本体１の表面に金属皮膜２を形成すると共に金属皮膜２により固定接点部３、接点端子部４、アース部５及びシールド部６をベースブロック本体１と一体に構成した接点ベースブロック７と、射出成形品よりなるサブブロック本体８の表面に形成した金属皮膜１０によりアース部５及びシールド部６を構成した接点サブブロック９とを備え、接点ベースブロック７と接点サブブロック９とで囲まれた部分に接点部１１を電磁シールドするシールド空間１２を形成して成ることを特徴とするものである。このような構成とすることで、電磁シールド空間を形成するに当たって、板金製のシールドケースが必要でなく、射出成形品よりなるベースブロック本体１の表面に形成した金属皮膜２により固定接点部３、接点端子部４、アース部５、シールド部６を形成することで、従来のように、複数の部品を組み込む必要がなく、また、固定接点部３、接点端子部４、アース部５の距離を高精度に保つことができるものである。
【０００７】
また、接点ベースブロック７の上表面側に固定接点部３を設けるとともに接点ベースブロック７の下表面側に接点端子部４を設け、接点ベースブロック７の上表面の固定接点部３と下表面の接点端子部４とを最短で接続する接続部を形成することが好ましい。このような構成とすることで、信号伝達経路が短く、耐ノイズ性が向上することになる。
【０００８】
また、接点ベースブロック７の上表面側のアース部５と下表面側に設けたアース部５とを最短で接続する接続部を形成することが好ましい。このような構成とすることで、シールド性を向上することができるものである。
【０００９】
また、固定接点部３と接点端子部４とを金属製のピン１２で接続することが好ましい。このような構成とすることで、機械的な衝撃に対する耐久性が向上するものである。
【００１０】
また、固定接点部３と接点端子部４とをスルホール１３で接続することが好ましい。このような構成とすることで、スルホール１３の孔が接点ベースブロック７を射出成形する段階で形成できるものであり、また、ベースブロック本体１の表面に金属皮膜２を形成する際に同時にスルホール１３の孔の内面に金属皮膜２を形成して固定接点部３と接点端子部４とを接続できる。
【００１１】
また、固定接点部３と接点端子部４とを接続するスルホール１３が封止樹脂１４によりシールしてあることが好ましい。このような構成とすることで、封止が容易に行えることになる。
【００１２】
また、固定接点部３と接点端子部４とを接続するスルホール１３が導電性材料１５によりシールしてあることが好ましい。このような構成とすることで、封止を行うとともにシールド性の低下を防止することができる。
【００１３】
また、固定接点部３と接点端子部４とを接続するスルホール１３が合成樹脂ピン４３の溶着によりシールしてあることが好ましい。このような構成とすることで、溶着により簡単にシールでき、また、硬化のための加熱時間がいらず、生産性が向上するものである。
【００１４】
また、スルホール１３の端部の孔径を大きくすることが好ましい。このような構成とすることで、シール材でスルホール１３にシールする際にスルホール１３の端部の孔径の大きくなった部位でシール材の量の調整ができてシール材の量管理が容易に行えることになる。
【００１５】
また、固定接点部３、接点端子部４、アース部５、シールド部６を構成する金属皮膜２のうち、少なくともいずれか１つ又は複数の金属皮膜を他の金属皮膜と異ならせることが好ましい。このような構成とすることで、性能を向上させるとともに、必要な金属のみで金属被覆を構成することができる。
【００１６】
また、接点ベースブロック７の金属皮膜２が銅層、ニッケル層、金層の順にメッキして構成され、接点ベースブロック７の固定接点部３以外の金属皮膜を固定接点部３の金属皮膜に比べて金層を薄くしてあることが好ましい。このような構成とすることで、耐腐食性の低下を防止しながら必要以上に金を使用することがなくてコストダウンをはかることができる。
【００１７】
また、接点サブブロック９の金属皮膜１０が、接点開放時の可動接点部１９が接触する部位においては銅層、ニッケル層、金層の順にメッキして構成され、他の部分においては銅層、ニッケル層の順にメッキして構成されていることが好ましい。このような構成とすることで、耐腐食性の低下を防止しながら金の使用量を減らしてコストダウンをはかることができる。
【００１８】
また、接点ベースブロック７に異極の固定接点部３間を仕切るシールド壁１７を形成することが好ましい。このような構成とすることで、シールド壁１７により異極の固定接点部３間の信号リークを防止することができるものである。
【００１９】
また、接点ベースブロック７と接点サブブロック９の嵌合手段を接点ベースブロック７と接点サブブロック９にそれぞれ一体に形成することが好ましい。このような構成とすることで、接点ベースブロック７と接点サブブロック９とを組み立てるに当たって、接点ベースブロック７と接点サブブロック９とに一体に設けた嵌合手段により嵌合するものであり、これにより位置決めが正確にでき、また組み立てが容易に行えることになる。
【００２０】
また、接点サブブロック９にコイルブロック保持部１８を一体に形成することが好ましい。このような構成とすることで、接点サブブロック９とコイルブロック２５との組み立てが、接点サブブロック９に一体に形成したコイルブロック保持部１８を利用して容易に行えることになる。
【００２１】
また、接点サブブロック９にアマチュアの駆動をカードに伝えるための駆動ばね２０の保持部２１を一体に形成することが好ましい。このような構成とすることで、接点サブブロック９と駆動ばね２０との組み立てが、接点サブブロック９に一体に形成した保持部２１を利用して容易に行えることになる。
【００２２】
また、駆動ばね２０の保持部２１が突起２１ａにより構成され、駆動ばね２０に設けた嵌め込み孔２０ａを突起２１ａに嵌め込んで駆動ばね２０を取付け保持することが好ましい。このような構成とすることで、突起２１ａに嵌め込み孔２０ａをはめ込むことで正確な位置関係で駆動ばね２０を接点サブブロック９に位置決めでき、また、射出成形品よりなる突起２１ａを溶着することで駆動ばね２０を固定することができるものである。
【００２３】
また、接点サブブロック９に駆動ばね２０のストローク下限位置を位置決めするためのストッパ２２を一体に形成することが好ましい。このような構成とすることで、駆動ばね２０が下限位置にくると接点サブブロック９に設けたストッパ２２に当たるものであり、これによりストロークが安定して接点への接触圧を一定にすることができるものである。
【００２４】
また、接点ベースブロック７にコイル電極２３を金属皮膜２で形成することが好ましい。このような構成とすることで、コイルブロック２５を組み合わせるとともにコイルとコイル電極を接続することで組み立てることができるものである。
【００２５】
また、接点ベースブロック７の側部に端子用金属皮膜２４を延設することが好ましい。このような構成とすることで、高周波リレー実装時に接点ベースブロック７の側部の端子用金属皮膜２４を延設した部分を利用して半田付けができて実装が容易になる。
【００２６】
また、固定接点部３を構成する凸部３ａの周囲に同心状にアース部５を形成することが好ましい。このような構成とすることで、高周波信号の耐ノイズ性を向上させることができるものである。
【００２７】
また、固定接点部３を構成する凸部３ａの頂部を略半球状とすることが好ましい。このような構成とすることで、接点乖離時のアークを防止することができることになる。
【００２８】
また、本発明の高周波リレーの製造方法は、請求項１記載の高周波リレーの接点ベースブロックを製造するに当たって、射出成形品よりなるベースブロック本体１の表面に下層金属皮膜２ａを形成後、下層金属皮膜２ａにレーザを照射して回路パターンを形成することを特徴とするものである。このような方法を採用することで、ＣＡＤデータを変更するのみで回路パターンを変更することが可能となり、設計〜試作・評価が速く行えるものである。
【００２９】
また、ベースブロック本体１にスパッタリングにより下層金属皮膜２ａを形成することが好ましい。このような方法を採用することで、無電解メッキ工法を用いて下層金属皮膜を形成するのに比較して、工数が少なくなるものであり、薬品管理や廃液等の処理も必要でない。
【００３０】
また、ベースブロック本体１の表面にベースブロック本体１との密着力の高い金属よりなる中間膜２ｂを形成し、この中間膜２ｂの表面に下層金属皮膜２ａを形成するが好ましい。このように、射出成形品よりなるベースブロック本体１との密着力の高い金属よりなる中間膜２ｂを介在することで、ベースブロック本体１への回路密着力の高い金属皮膜２を得ることができるものである。
【００３１】
また、請求項１記載の高周波リレーの接点ベースブロックを製造するに当たって、ベースブロック本体１の表面に無電解メッキにより下層金属皮膜２ａを形成し、その後、レジスト２６を形成し、その後、レーザを照射して回路パターンを形成し、次に回路部に電気メッキにより上層金属皮膜２ｃを形成することが好ましい。このような方法を採用することで、レジスト２６を利用してレーザによる回路輪郭除去部２７の金属エッチングをおこなって、回路パターン間の距離精度を高くすることができる。
【００３２】
また、レーザによる回路輪郭除去部２７への銅エッチングを行い、その後、レジスト剥離を行い、その後、回路輪郭除去部２７への樹脂エッチングを行った後電気メッキを行うことが好ましい。このような方法を採用することで、レーザによる回路輪郭除去部２７における触媒残りを完全に除去することができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を添付図面に示す実施形態に基づいて説明する。高周波リレーは図１、図２に示すようなもので、コイル３０、鉄心３１、永久磁石３２、アマチュア５１からなるコイルブロック２５と、駆動ばね２０、可動接点部１９を有する可動片３８を備えたカード３９、カード復帰ばね３３、アース部５及びシールド部６を備えた接点サブブロック９と、固定接点部３、接点端子部４、アース部５及びシールド部６を備えた接点ベースブロック７と、ケース３４とで構成してある。シールド部６を備えた接点ベースブロック７とシールド部６を備えた接点サブブロック９とを組み合わせることで内部にシールド空間１２が形成してある。ここで、接点ベースブロック７の上表面乃至接点サブブロック９の下表面のいずれか一方又は両方に凹部５５を形成することで上記シールド空間１２が形成してあり、このシールド空間１２の内面に（つまり接点ベースブロック７の上表面と接点サブブロック９の下表面とに）シールド部６を形成してある。
【００３４】
接点サブブロック９にはカード挿通孔３７が設けてあり、このカード挿通孔３７にはカード３９が移動自在に挿通してあり、カード３９の先端部に設けた両端部に可動接点部１９を備えた可動片３８が上記シールド空間１２内に配置され、カード３９が移動することでシールド空間１２内において上下に移動自在となっている。カード３９の上部のシールド空間１２の外に突出した部分には略菱形をしたカード復帰ばね３３が装着してあり、可動片３８とカード復帰ばね３３によりサブブロック本体８をカード挿通孔３７の上下から挟持するようになっており、これによりカード３９が接点サブブロック９に取付けてある。
【００３５】
高周波リレーの動作は、コイル３０に電圧を印加して励磁するとアマチュア５１が回動し、アマチュア５１により一対のカード３９のうちの一方のカード３９が駆動ばね２０を介してカード復帰ばね３３のばね力に抗して押され、カード３９の先端部に設けた可動片３８の可動接点部１９が固定接点部３に接触し、同時に一対のカード３９のうちの他方のカード３９への駆動ばね２０を介しての押圧が解除され、カード復帰ばね３３のばね力により他方のカード３９が引き上げられて可動接点部１９が固定接点部３から乖離してサブブロック９のアース部５に接触するようになっている。
【００３６】
ここで、本発明においては、接点ベースブロック７が、射出成形品よりなるベースブロック本体１の表面に金属皮膜２を形成すると共に金属皮膜２により固定接点部３、接点端子部４、アース部５及びシールド部６をベースブロック本体１と一体に構成したいわゆるＭＩＤ（立体回路成形品）により構成してある。
【００３７】
ＭＩＤは、射出成形によりブロックを成形し、その後、該ブロックに例えば銅スパッタリング法により銅薄膜（下層金属皮膜）を蒸着させ、レーザを照射して回路として必要な部分と不必要な部分とを分離し、電気メッキにより回路として必要な部分のみにメッキ（上層金属皮膜）を施して回路を形成するレーザ法により製作することができるものである。このようにしてブロックの表面に金属皮膜が形成される（金属皮膜は銅薄膜よりなる下層金属皮膜とその上に形成されるメッキよりなる上層金属皮膜とで構成される）ものである。また、他の方法としては２ショット法によっても可能である。これは、回路として必要な部分にメッキが付く樹脂を用いて成形し（１ショット目）、その後で回路として不必要な部分にメッキが付かない樹脂を１ショット目の樹脂成形品の上から成形する（２ショット目）方法である。
【００３８】
ところで、本発明においては、合成樹脂の射出成形品よりなるベースブロック本体１の表面に金属皮膜２が形成された接点ベースブロック７において、射出成形品よりなるベースブロック本体１の形状を図３に示すようにベースブロック本体１の上表面に上方に向けて突出する３個で一組の突出部３５を複数組み突設した形状とし、このベースブロック本体１の表面に図４に示すように金属皮膜２を形成することで、ベースブロック本体１と一体となった金属皮膜２により固定接点部３、接点端子部４、アース部５、シールド部６を形成した構造となっている。
【００３９】
図４においてベースブロック本体１の表面の点模様を付与して表示した部分が金属皮膜２を形成した部分として表している。また、ベースブロック本体１の表面の点模様を付与していない白抜きで表している部分が金属皮膜２を形成していない絶縁部３６を表している（図５以下の図面も同様である）。ここで、ベースブロック本体１の上表面に突設した突出部３５の上面が固定接点部３となり、突出部３５と上下に対応するベースブロック本体１の下表面の部位が接点端子部４となっている。また、固定接点部３、接点端子部４以外の金属皮膜２部分がアース部５やシールド部６を構成している。
【００４０】
しかして、高周波リレーにおいては高周波特性を安定化させるために、各部品の組み込み位置精度、特に、固定接点部３と接点端子部４とアース部５との距離を高精度に保つ必要があるが、従来のように、別々の部品により構成すると、各部品に非常に高い加工精度、組み込み精度が要求され、加工、組み込みコストが多大となるが、上記のように、射出成形品よりなるベースブロック本体１の表面に形成した金属皮膜２により固定接点部３、接点端子部４、アース部５、シールド部６を形成することで高周波リレーの接点ベースブロック７を構成することで、各部が射出成形品により一体に構成してあることになり、各部の距離が高精度に保てるとともに、部品の組み立てが不要となり、組み立てコストの削減が図れることになる。
【００４１】
ここで、高周波特性とは、挿入損失（インサーションロス）、アイソレーションロス、Ｖ．Ｓ．Ｗ．Ｒ（反射）をいう。
【００４２】
図５に示す実施形態においては、接点ベースブロック７を上記のように、射出成形品よりなるベースブロック本体１の表面に金属皮膜２を形成すると共に金属皮膜２により固定接点部３、接点端子部４、アース部５及びシールド部６をベースブロック本体１と一体に構成したいわゆるＭＩＤ（立体回路成形品）により形成すると共に、接点サブブロック９も同様にして射出成形品よりなるサブブロック本体８の表面に形成した金属皮膜１０を形成してこの金属皮膜によりアース部５及びシールド部６をサブブロック本体８と一体に構成したＭＩＤ（立体回路成形品）に形成してある。サブブロック本体８にはカード挿通孔３７が設けてある。
【００４３】
そして、接点ベースブロック７と接点サブブロック９とを組み合わせることで、接点ベースブロック７と接点サブブロック９とで囲まれた部分に接点部１１を電磁シールドするシールド空間１２を形成するようになっている。
【００４４】
このように接点ベースブロック７と接点サブブロック９とで囲まれた部分に接点部１１を電磁シールドするシールド空間１２を構成することで、接点部１１の耐ノイズ性向上が図れるとともに、リレーの接点部１１を流れる高周波信号の外部へのリークを高度に防止することができることになる。
【００４５】
ここで、接点ベースブロック７の上表面側に固定接点部３を設けるとともに接点ベースブロック７の下表面側に接点端子部４を設け、接点ベースブロック７の上表面の固定接点部３と下表面の接点端子部４とを最短で接続する接続部を形成するようにすると、信号伝達経路が短く、耐ノイズ性を向上させることができるものである。すなわち、図６に示す実施形態のように、接点ベースブロック７の上表面側に固定接点部３を設けるとともに上記固定接点部３と対向する接点ベースブロック７の下表面側の部位に接点端子部４を設け、この上下に対向する固定接点部３と接点端子部４とを最短距離の直線で結ぶ金属製のピン１２やスルホール１３等の接続部により接続するものである。
【００４６】
また、接点ベースブロック７の上表面側のアース部５と下表面側に設けたアース部５とを最短で接続する接続部を形成することが好ましいものである。すなわち、図７に示すように固定接点部３に隣接した位置で上表面側のアース部５と下表面側のアース部５とを最短距離の直線で結ぶ金属製のピン１２やスルホール１３等の接続部により接続するものである。これによりアース部５のあらゆる場所で同電位となり、高周波特性のさらなる向上が図れるものである。
【００４７】
図８、図９には接点ベースブロック７の上表面側のアース部５と下表面側に設けたアース部５とを最短で接続する接続部の一実施形態が示してある。本実施形態においては、接点ベースブロック７の上表面側に固定接点部３を設けるとともに上記固定接点部３と対向する接点ベースブロック７の下表面側の部位に接点端子部４を設け、この上下に対向する固定接点部３と接点端子部４とを金属製のピン１２で接続したものである。ここで、図９に示すように金属製のピン１２の端部を固定接点部３表面から少し突出させて可動接点部１９との接触部とするように構成してもよく、この場合には機械的な衝撃に対する耐久性が図れることになる。
【００４８】
ピン１２は射出成形品よりなるベースブロック本体１への圧入により固定する方法が簡便であるが、接着剤４０により固定してもよいものである。また、射出成形品よりなるベースブロック本体１へのピン挿入孔４１は機械加工によりベースブロック本体１に孔あけ加工するか、あるいは射出成形金型にピン挿入孔形成用突起を設けて射出成形時にピン挿入孔４１を同時に形成してもよいものである。本実施形態においても、表面側のアース部５と裏面側のアース部５とをスルホール１３や金属製のピン１２により最短で接続してある。
【００４９】
また、図１０、図１１には接点ベースブロック７の上表面のアース部５と下表面に設けたアース部５とを最短で接続する接続部の他の実施形態が示してある。本実施形態においては、固定接点部３と接点端子部４とを内面に金属皮膜２が形成されたスルホール１３で接続してある。本実施形態によれば、スルホール１３の孔が接点ベースブロック７を射出成形する段階で形成でき、また、ベースブロック本体１の表面に金属皮膜２を形成する際に同時にスルホール１３の孔の内面に金属皮膜２を形成して固定接点部３と接点端子部４とを接続できて、生産性が非常に向上するものである。
【００５０】
また、上記のように固定接点部３と接点端子部４とを接続する内面に金属皮膜２を形成したスルホール１３を封止樹脂１４によりシールすることで、リレー内部の密封が容易に行えるものである。ここで、例えば、エポキシ製の封止樹脂１４を使用することで図１１に示すように加熱硬化後に封止樹脂１４の表面張力により封止部分の端面部が凹形状となり、接点ベースブロック７下表面（接点端子部４側）へ流出やはみ出しが無く、また、封止樹脂１４が固定接点部３側にはみ出すことがなく、製造が容易である。なお、図中４２は封止材料（本実施形態では封止樹脂１４）をスルホール１３に充填するためのディスペンサを示している。
【００５１】
次に、本発明の更に他の実施形態を図１２、図１３により説明する。すなわち、上記実施形態においては、リレー内部の密封を行う目的で、固定接点部３と接点端子部４とを接続する内面に金属皮膜２を形成したスルホール１３を封止するに当たって、封止樹脂１４を使用した例を示したが、本実施形態においては、封止材料として導電性材料１５（例えば銀ペースト、ニッケルペースト、半田ペーストなどの導電性ペースト）を用いてある。このように、導電性材料１５でスルホール１３を封止することで、接点部においては、電流導通部の断面積が増え、電気抵抗を下げることができ、また、アース部５においてはシールド性の低下を防止することができるものである。
【００５２】
図１４、図１５には接点ベースブロック７の上表面側のアース部５と下表面側に設けたアース部５とを最短で接続する内面に金属皮膜２を形成したスルホール１３内をシールするに当たって、スルホール１３内に合成樹脂ピン４３を挿入して該合成樹脂ピン４３を溶着する例が示してある。このものにおいては、スルホール１３のシールが瞬時にしかも確実に行え、生産性が向上するものである。
【００５３】
ここで、封止樹脂１４や導電性材料１５をスルホール１３に充填して封止するものにおいて、図１６、図１７に示すようにスルホール１３の端部の孔径を大きく（いわゆる座ぐり加工を施す）して大径孔部１３ａを形成すると、封止のための液量のばらつきをスルホール１３の端部の大径孔部１３ａ部分において吸収することができて、液量の管理が非常に容易となり、製造が容易となるものである。
【００５４】
ところで、接点ベースブロック７の金属皮膜２や接点サブブロック９の金属皮膜１０において、その皮膜構成を部分的に変更すると効果的である。
【００５５】
すなわち、固定接点部３、接点端子部４、アース部５、シールド部６を構成する金属皮膜２のうち、少なくともいずれか１つ又は複数の金属皮膜を他の金属皮膜と異ならせる例につき説明すると、固定接点部３及び接点端子部４のみに銅、ニッケル、金の順にメッキをした３層とし、その他のアース部５、シールド部６は銅、ニッケルのメッキをした２層として金メッキを無くすことで、シールド性能を低下させることなく、接点の耐腐食性を上げ、接触抵抗を低く維持でき、また、リレー実装時の接点端子部４の半田ぬれ性を良くすることができるものである。更に、金の使用量を抑えることができ、材料費の削減が図れるものである。図１８において、２ａは金メッキを施した金属皮膜２を示し、２ｂは金メッキが施されていない金属皮膜２を示している。
【００５６】
この場合、電気メッキ処理時に図１９に示すような装置でベースブロック本体１を支持してメッキすることで容易に実現できる。すなわち、ベースブロック本体１を金メッキが必要な部分と金メッキが必要でない部分とが電気的に絶縁されるように回路をパターンニングし、このベースブロック本体１の金メッキが必要な部分を第１のＤＣ電源に接続した接続部４４ａに当て、金メッキが必要でない部分に第２のＤＣ電源に接続した接続部４４ｂをばね４５により弾性的に押し当てることでベースブロック本体１を支持し（この場合）、接続部４４ａと接続部４４ｂとは絶縁材料４５で絶縁してある）、金以外のメッキをする場合には第１のＤＣ電源、第２のＤＣ電源のいずれもオンとして電気メッキをし、金メッキ時には第２のＤＣ電源をオフとするようにするとよい。
【００５７】
また、固定接点部３、接点端子部４、アース部５、シールド部６を構成する金属皮膜２のうち、少なくともいずれか１つ又は複数の金属皮膜を他の金属皮膜と異ならせる他例につき説明する。すなわち、接点ベースブロック７の金属皮膜２を銅層、ニッケル層、金層の順にメッキして構成するのであるが、接点ベースブロック７の固定接点部３以外の金属皮膜を固定接点部３の金属皮膜に比べて金層を薄く形成する。図２０において２ｃは金メッキが厚い金属皮膜を示し、２ｄは金メッキが薄い金属皮膜を示している。このように構成すると、アース部５の耐腐食性が向上するとともに、接点サブブロック９に接合する際に接合部の濡れ性を向上することができるものであり、また、必要以上に金を使用することがなくてコストダウンをはかることができる。この場合、図２１に示すように、電気金メッキが厚い部分に接触する接続部４４ｃと電気金メッキが薄い部分に接触する接続部４４ｄとを同一ＤＣ電源に接続し、電気金メッキが薄い部分に接触する接続部４４ｄ側の配線上に抵抗Ｒを設けることで、電気抵抗が小さい部分により電流が流れてメッキが厚く形成されるものである。
【００５８】
また、接点サブブロック９の金属皮膜１０が、接点開放時の可動接点部１９が接触する部位においては銅層、ニッケル層、金層の順にメッキして構成され、他の部分においては銅層、ニッケル層の順にメッキしてあってこの部分には金メッキが無いように構成してもよいものである。つまり、図２２において、４６ａは接点サブブロック９の金属皮膜１０のうち金メッキされた接点開放時の可動接点部１９が接触する部位を示し、４６ｂは金メッキがなされていない部位を示している。これにより接点開放時に可動接点部１９を金層がメッキされた部分に接触させて確実にアースすることができ、高周波信号のアイソレーション性能を維持できるものであり、また、耐腐食性の低下を防止しながら必要以上に金の使用量を減らしてコストダウンをはかることができるものである。
【００５９】
図２３には他の実施形態が示してある。本実施形態においては、接点ベースブロック７に異極の固定接点部３間を仕切るシールド壁１７を形成してある。このような構成とすることで、シールド壁１７により異極間のアイソレーション性能を向上することができて、固定接点部３間の信号リークを防止することができるものである。
【００６０】
図２４には接点ベースブロック７と接点サブブロック９とを接合するための実施形態が示してある。すなわち、本実施形態においては、接点ベースブロック７と接点サブブロック９の嵌合手段を接点ベースブロック７と接点サブブロック９にそれぞれ一体に形成してある。図２４に示す実施形態においては、接点ベースブロック７のベースブロック本体１に嵌合手段を構成する嵌合突部４７ａを形成してあり、接点サブブロック９に嵌合凹部４７ｂが形成してある。そして、嵌合突部４７ａを嵌合凹部４７ｂに嵌合することで接点ベースブロック７と接点サブブロック９とを正確に位置決めして組み立てるものである。本実施形態のように、接点ベースブロック７と接点サブブロック９の嵌合手段を接点ベースブロック７と接点サブブロック９にそれぞれ一体に形成することで、接続のための他の特別の部材を必要とせず、部品点数を削減してコストダウンが図れるものである。
【００６１】
また、図２５、図２６には接点サブブロック９にコイルブロック保持部１８を一体に形成した例が示してある。本実施形態においては、コイルブロック保持部１８は接点サブブロック９のサブブロック本体８の上面にサブブロック本体８を射出成形により成形する際に保持溝部１８ａを先端部に有する保持用突部１８ｂを一体に形成してコイルブロック保持部１８を構成してある。そして保持溝部１８ａにコイルブロック２５に設けたアマチュア５１に設けた支点軸５１ａを回動自在にはめ込むことで接点サブブロック９にコイルブロック２５を組み立て保持できるものである。このように本実施形態では接点サブブロック９に一体に形成したコイルブロック保持部１８を利用してコイルブロック２５の保持を容易に行えるものである。
【００６２】
また、図２７、図２８には接点サブブロック９に駆動ばね２０の保持部２１を一体に形成してある実施形態を示している。本実施形態においては、接点サブブロック９のサブブロック本体８を射出成形により形成する際に突起２１ａを一体に形成して保持部２１を構成してある。そして、この突起２１ａに駆動ばね２０に設けた嵌め込み孔２０ａを嵌め込んで突起２１ａを溶着することで駆動ばね２０を取付け保持してある。図２８（ｃ）中、後述の図３０中における２１ｂは突起２１ａを溶着した溶着部を示している。このようにすることで、突起２１ａに嵌め込み孔２０ａをはめ込むことで正確な位置関係で駆動ばね２０を接点サブブロック９に位置決めでき、また、射出成形品よりなる突起２１ａを溶着することで駆動ばね２０を固定することができるものである。
【００６３】
図２９、図３０には接点サブブロック９のサブブロック本体８に駆動ばね２０のストローク下限位置を位置決めするためのストッパ２２を一体に形成した例が示してある。このように、ストッパ２２を設けることで、図３０（ｂ）に示すように駆動ばね２０がアマチュア５１により押されて駆動され、下限位置にくると接点サブブロック９に設けたストッパ２２に当たるものであり、これにより駆動ばね２０のストロークが安定して接点への接触圧を一定にすることができるものである。なお、図３０の左側は接点オフ時、右側は接点オン時における駆動ばね２０を示している。
【００６４】
図３１には本発明の他の実施形態が示してある。本実施形態においては接点ベースブロック７にコイル電極２３を金属皮膜２で形成した例である。このように、接点ベースブロック７にコイル電極２３を金属皮膜２で形成することで、コイルブロック２５を組み合わせるとともにコイルとコイル電極２３とをワイヤ等で接続することで組み立てが容易に行えるものである。
【００６５】
図３２には本発明の更に他の実施形態が示してある。本実施形態においては、ベースブロック本体１の上表面に形成した固定接点部３と下表面に形成した接点端子部４とを内面に金属皮膜２を形成したスルホール１３により接続するものにおいて、接点ベースブロック７の側部に接点端子部４に接続する端子用金属皮膜２４を延設したものである。このものにおいては、高周波リレー実装時に接点ベースブロック７の側部に延設された接点端子部４を利用してプリント配線板の配線部６０の半田付けができて、実装が容易になるものである。
【００６６】
図３３には本発明の更に他の実施形態が示してあり、固定接点部３を構成する凸部３ａの周囲に同心状にアース用突部５４を突設し、このアース用突部５４の外周面に金属皮膜２よりなるアース部５を形成した例である。高周波信号の耐ノイズ性をより向上させることができるものである。
【００６７】
また、図３４に示すように、固定接点部３を構成する凸部３ａの頂部を略半球状とすることが好ましい。このような構成とすることで、接点乖離時のアークを防止することができることになる。
【００６８】
次に、本発明の高周波リレーの接点ベースブロックの製造につき説明する。本発明においては、図３５（ａ）に示すように、射出成形品よりなるベースブロック本体１の表面に銅により下層金属皮膜２ａを形成し、図３５（ｂ）に示すように、下層金属皮膜２ａにレーザ４８を照射して回路輪郭部を除去して回路パターンを形成し、その後、回路パターン部分に電気メッキを施して回路部に上層金属皮膜２ｃ（電気メッキにより銅層、その上にニッケル層、その上に金層を形成する）を形成するものである。このような方法を採用することで、ＣＡＤデータを変更するのみで回路パターンを変更することが可能となる。このため、設計〜試作・評価が速く行えることになる。
【００６９】
ここで、図３６に示す実施形態のように、ベースブロック本体１にスパッタリングにより下層金属皮膜２ａを形成するようにしてもよい。図３６に示す実施形態においては、射出成形により形成した図３６（ａ）に示すようなベースブロック本体１を図３６（ｂ）に示すようにアルゴンガス雰囲気中において銅をターゲット４９としてスパッタリング工程でスパッタリングを行い、その後、図３６（ｃ）のように、下層金属皮膜２ａにレーザ４８を照射して回路輪郭部を除去して回路パターンを形成し、その後、図３６（ｄ）のように、回路パターン部分に電気メッキを施して回路部に上層金属皮膜２ｃ（電気メッキにより銅層、その上にニッケル層、その上に金層を形成する）を形成するものである。このようにベースブロック本体１にスパッタリングにより下層金属皮膜２ａを形成すると、無電解メッキ工法を用いて下層金属皮膜を形成することに比較して、工数が少なくなるものであり、薬品管理や廃液等の処理も必要でないものである。
【００７０】
図３７には本発明の高周波リレーの接点ベースブロックの製造方法の他の実施形態が示してある。本実施形態においては、ベースブロック本体１の表面にベースブロック本体１との密着力の高い金属よりなる中間膜２ｂを形成し、この中間膜２ｂの表面に下層金属皮膜２ａを形成する。すなわち、射出成形により形成したベースブロック本体１を図３７（ａ）に示すようにベースブロック本体１に第１のスパッタリング工程によりクロムをターゲット４９ａとしてスパッタリングを行って射出成形品よりなるベースブロック本体１との密着力の高い金属よりなる中間膜２ｂを形成し、その後、図３７（ｂ）のように更に第２のスパッタリング工程により銅をターゲット４９としてスパッタリングを行って中間膜２ｂの表面に下層金属皮膜２ａを形成し、その後、図３７（ｃ）のように下層金属皮膜２ａにレーザ４８を照射して回路輪郭部を除去して回路パターンを形成し、その後、図３７（ｄ）のように、回路パターン部分に電気メッキを施して回路部に上層金属皮膜２ｃ（電気メッキにより銅層、その上にニッケル層、その上に金層を形成する）を形成することで、金属皮膜２をベースブロック本体１の表面に形成するものである。ここで中間膜２ｂとして射出成形品よりなる合成樹脂製のベースブロック本体１との密着性の高い金属であるクロムを用いることでベースブロック本体１と金属皮膜２との密着性が高く、金属皮膜２により形成される回路の密着性が高いものである。
【００７１】
図３８には本発明の高周波リレーの接点ベースブロックの製造方法の更に他の実施形態が示してある。本実施形態においては、射出成形により形成した図３８（ａ）に示すようなベースブロック本体１の表面を水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）により粗面化して図３８（ｂ）のようにし、次に、粗面化した表面に図３８（ｃ）のように触媒５０を塗布し、その後、図３８（ｄ）のようにベースブロック本体１の表面に無電解メッキにより下層金属皮膜２ａ（銅層）を形成し、次に、図３８（ｅ）のように下層金属皮膜２ａの上にレジスト２６（Ｓｕ）を形成し、次に、図３８（ｆ）に示すようにレーザ４８を照射してレジスト２６部分において回路輪郭部を除去し、次に、図３８（ｇ）に示すように下層金属皮膜２ａ（銅層）をエッチングして除去し、その後、図３８（ｈ）のようにレジスト２６を剥離し、その後、図３８（ｉ）のように、回路パターン部分に電気メッキを施して回路部に上層金属皮膜２ｃ（電気メッキにより銅層、その上にニッケル層、その上に金層を形成する）を形成するものである。このような方法を採用すると、レジスト２６を利用してレーザによる回路輪郭除去部２７の金属エッチングをおこなって、回路パターン間の距離精度を高くすることができるものである。
【００７２】
図３９には本発明の高周波リレーの接点ベースブロックの製造方法の更に他の実施形態が示してある。本実施形態においては、本実施形態においては、射出成形により形成した図３９（ａ）に示すようなベースブロック本体１の表面を図３９（ｂ）に示すように水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）により粗面化し、次に、粗面化した表面に図３９（ｃ）のように触媒５０を塗布し、その後、図３９（ｄ）のようにベースブロック本体１の表面に無電解メッキにより下層金属皮膜２ａ（銅層）を形成し、次に、図３９（ｅ）のように下層金属皮膜２ａの上にレジスト２６（Ｓｕ）を形成し、次に、図３９（ｆ）に示すようにレーザ４８を照射してレジスト２６部分において回路輪郭部を除去し、次に、図３９（ｇ）に示すように下層金属皮膜２ａ（銅層）をエッチングして除去し、その後、図３９（ｈ）のようにレジスト２６を剥離し、その後、図３９（ｉ）のように回路輪郭除去部２７を水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）により樹脂エッチングをして触媒の残りを完全に除去し、その後、図３９（ｊ）のように、回路パターン部分に電気メッキを施して回路部に上層金属皮膜２ｃ（電気メッキにより銅層、その上にニッケル層、その上に金層を形成する）を形成するものである。このような方法を採用すると、レーザによる回路輪郭除去部２７における触媒残りを完全に除去することができて回路パターン間の距離精度をより高くすることができるものである。
【００７３】
【発明の効果】
上記のように本発明の請求項１記載の発明にあっては、射出成形品よりなるベースブロック本体の表面に金属皮膜を形成すると共に金属皮膜により固定接点部、接点端子部、アース部及びシールド部をベースブロック本体と一体に構成した接点ベースブロックを備えているので、射出成形品よりなるベースブロック本体の表面に形成した金属皮膜により固定接点部、接点端子部、アース部、シールド部を形成することができて、従来のように、複数の部品を組み込む必要がなくて構造が簡略化できるとともにコストダウンが図れるものであり、また、固定接点部、接点端子部、アース部の距離を高精度に保つことができて、高性能の高周波リレーとすることができるものである。
【００７４】
また、請求項２記載の発明にあっては、射出成形品よりなるベースブロック本体の表面に金属皮膜を形成すると共に金属皮膜により固定接点部、接点端子部、アース部及びシールド部をベースブロック本体と一体に構成した接点ベースブロックと、射出成形品よりなるサブブロック本体の表面に形成した金属皮膜によりアース部及びシールド部を構成した接点サブブロックとを備え、接点ベースブロックと接点サブブロックとで囲まれた部分に接点部を電磁シールドするシールド空間を形成するので、電磁シールド空間を形成するに当たって、従来のように板金製のシールドケースが必要でなくて高精度のシールドができ、また、射出成形品よりなるベースブロック本体の表面に形成した金属皮膜により固定接点部、接点端子部、アース部、シールド部を形成することで、従来のように、複数の部品を組み込む必要がなくて、構造が簡略化できるとともにコストダウンが図れるものであり、また、固定接点部、接点端子部、アース部の距離を高精度に保つことができて、高性能の高周波リレーとすることができるものである。
【００７５】
また、請求項３記載の発明にあっては、上記請求項１又は請求項２記載の発明の効果に加えて、接点ベースブロックの上表面側に固定接点部を設けるとともに接点ベースブロックの下表面側に接点端子部を設け、接点ベースブロックの上表面の固定接点部と下表面の接点端子部とを最短で接続する接続部を形成するので、信号伝達経路が短く、耐ノイズ性を向上することができるものである。
【００７６】
また、請求項４記載の発明にあっては、上記請求項１又は請求項２記載の発明の効果に加えて、接点ベースブロックの上表面側のアース部と下表面側に設けたアース部とを最短で接続する接続部を形成するので、シールド性を向上することができるものである。
【００７７】
また、請求項５記載の発明にあっては、上記請求項３又は請求項４記載の発明の効果に加えて、固定接点部と接点端子部とを金属製のピンで接続するので、金属製のピンの端部を可動接点部が接触する部分にできて、機械的な衝撃に対する耐久性が向上するものである。
【００７８】
また、請求項６記載の発明にあっては、上記請求項３又は請求項４記載の発明の効果に加えて、固定接点部と接点端子部とをスルホールで接続するので、スルホールの孔が接点ベースブロックを射出成形する段階で形成できるものであり、また、ベースブロック本体の表面に金属皮膜を形成する際に同時にスルホールの孔の内面に金属皮膜を形成して固定接点部と接点端子部とを接続できるものであって、容易に製造することができるものである。
【００７９】
また、請求項７記載の発明にあっては、上記請求項６記載の発明の効果に加えて、固定接点部と接点端子部とを接続するスルホールが封止樹脂によりシールしてあるので、封止樹脂により容易に封止が行えるものである。
【００８０】
また、請求項８記載の発明にあっては、上記請求項６記載の発明の効果に加えて、固定接点部と接点端子部とを接続するスルホールが導電性材料によりシールしてあるので、封止を行うとともに接点部分においては断面積が増えて電気的抵抗を下げることができるものである。
【００８１】
また、請求項９記載の発明にあっては、上記請求項６記載の発明の効果に加えて、固定接点部と接点端子部とを接続するスルホールが合成樹脂ピンの溶着によりシールしてあるので、溶着により簡単にシールでき、また、硬化のための加熱時間がいらず、生産性が向上するものである。
【００８２】
また、請求項１０記載の発明にあっては、上記請求項７又は請求項８記載の発明の効果に加えて、スルホールの端部の孔径を大きくしてあるので、シール材でスルホールにシールする際にスルホールの端部の孔径の大きくなった部位でシール材の量の調整ができてシール材の量管理が容易に行え、外へのシール材のはみ出しを簡単な構成で防止することができるものである。
【００８３】
また、請求項１１記載の発明にあっては、上記請求項１又は請求項２記載の発明の効果に加えて、固定接点部、接点端子部、アース部、シールド部を構成する金属皮膜のうち、少なくともいずれか１つ又は複数の金属皮膜を他の金属皮膜と異ならせてあるので、性能を向上させるとともに、必要な金属のみで金属被覆を構成することができてコストダウンを図ることができるものである。
【００８４】
また、請求項１２記載の発明にあっては、上記請求項１１記載の発明の効果に加えて、接点ベースブロックの金属皮膜が銅層、ニッケル層、金層の順にメッキして構成され、接点ベースブロックの固定接点部以外の金属皮膜を固定接点部の金属皮膜に比べて金層を薄くしてあるので、耐腐食性の低下を防止しながら必要以上に金を使用することがなくてコストダウンをはかることができるものである。
【００８５】
また、請求項１３記載の発明にあっては、上記請求項１１記載の発明の効果に加えて、接点サブブロックの金属皮膜が、接点開放時の可動接点部が接触する部位においては銅層、ニッケル層、金層の順にメッキして構成され、他の部分においては銅層、ニッケル層の順にメッキして構成されているので、耐腐食性の低下を防止しながら金の使用量を減らしてコストダウンをはかることができるものである。
【００８６】
また、請求項１４記載の発明にあっては、上記請求項１又は請求項２記載の発明の効果に加えて、接点ベースブロックに異極の固定接点部間を仕切るシールド壁を形成してあるので、シールド壁を設けるという簡単な構成で異極の固定接点部間の信号リークを防止することができるものである。
【００８７】
また、請求項１５記載の発明にあっては、上記請求項１又は請求項２記載の発明の効果に加えて、接点ベースブロックと接点サブブロックの嵌合手段を接点ベースブロックと接点サブブロックにそれぞれ一体に形成してあるので、接点ベースブロックと接点サブブロックとを組み立てるに当たって、接点ベースブロックと接点サブブロックとに一体に設けた嵌合手段により嵌合することで正確に位置決めした状態で組み立てることができ、別途接続部材を必要とせず、部品点数を減少できるとともに組み立てが容易である。
【００８８】
また、請求項１６記載の発明にあっては、上記請求項１又は請求項２記載の発明の効果に加えて、接点サブブロックにコイルブロック保持部を一体に形成してあるので、接点サブブロックとコイルブロックとの組み立てが、接点サブブロックに一体に形成したコイルブロック保持部を利用して容易に行えるものであり、別途接続部材を必要とせず、部品点数を減少できるとともに組み立てが容易である。
【００８９】
また、請求項１７記載の発明にあっては、上記請求項１又は請求項２記載の発明の効果に加えて、接点サブブロックにアマチュアの駆動をカードに伝えるための駆動ばねの保持部を一体に形成してあるので、接点サブブロックと駆動ばねとの組み立てが、接点サブブロックに一体に形成した保持部を利用して容易に行えるものである。
【００９０】
また、請求項１８記載の発明にあっては、上記請求項１７記載の発明の効果に加えて、駆動ばねの保持部が突起により構成され、駆動ばねに設けた嵌め込み孔を突起に嵌め込んで駆動ばねを取付け保持してあるので、突起に嵌め込み孔をはめ込むことで正確な位置関係で駆動ばねを接点サブブロックに位置決めでき、また、射出成形品よりなる突起を溶着することで簡単に駆動ばねを固定することができるものである。
【００９１】
また、請求項１９記載の発明にあっては、上記請求項１又は請求項２記載の発明の効果に加えて、接点サブブロックに駆動ばねのストローク下限位置を位置決めするためのストッパを一体に形成してあるので、駆動ばねが下限位置にくると接点サブブロックに一体に設けたストッパに当たるものであり、これにより簡単な構成でストロークが安定して接点への接触圧を一定にすることができるものである。
【００９２】
また、請求項２０記載の発明にあっては、上記請求項１又は請求項２記載の発明の効果に加えて、接点ベースブロックにコイル電極を金属皮膜で形成してあるので、コイルブロックを組み合わせるとともにコイルとコイル電極を接続することで、組み立てが容易に行えるものである。
【００９３】
また、請求項２１記載の発明にあっては、上記請求項１又は請求項２記載の発明の効果に加えて、接点ベースブロックの側部に端子用金属皮膜を延設してあるので、高周波リレー実装時に側部に延出して形成した端子用金属皮膜部分で半田により回路板の回路に接続して実装できて、実装が容易になる。
【００９４】
また、請求項２２記載の発明にあっては、上記請求項６記載の発明の効果に加えて、固定接点部を構成する凸部の周囲に同心状にアース部を形成してあるので、高周波信号の耐ノイズ性を向上させることができるものである。
【００９５】
また、請求項２３記載の発明にあっては、上記請求項１又は請求項２記載の発明の効果に加えて、固定接点部を構成する凸部の頂部を略半球状としてあるので、簡単な構成で接点乖離時のアークを防止することができるものである。
【００９６】
また、請求項２４記載の発明にあっては、請求項１記載の高周波リレーの接点ベースブロックを製造するに当たって、射出成形品よりなるベースブロック本体の表面に下層金属皮膜を形成後、下層金属皮膜にレーザを照射して回路パターンを形成するので、ＣＡＤデータを変更するのみで回路パターンを変更することが可能となり、設計〜試作・評価が速く行えるものである。
【００９７】
また、請求項２５記載の発明にあっては、上記請求項２４記載の発明の効果に加えて、ベースブロック本体にスパッタリングにより下層金属皮膜を形成するので、無電解メッキ工法を用いて下層金属皮膜を形成することに比較して、工数が少なくなるものであり、薬品管理や廃液等の処理も必要でないものである。
【００９８】
また、請求項２６記載の発明にあっては、上記請求項２４記載の発明の効果に加えて、ベースブロック本体の表面にベースブロック本体との密着力の高い金属よりなる中間膜を形成し、この中間膜の表面に下層金属皮膜を形成するので、射出成形品よりなるベースブロック本体との密着力の高い金属よりなる中間膜を介在することで、ベースブロック本体への回路密着力の高い金属皮膜を得ることができるものである。
【００９９】
また、請求項２７記載の発明にあっては、請求項１記載の高周波リレーの接点ベースブロックを製造するに当たって、ベースブロック本体の表面に無電解メッキにより下層金属皮膜を形成し、その後、レジストを形成し、その後、レーザを照射して回路パターンを形成し、次に回路部に電気メッキにより上層金属皮膜を形成するので、レジストを利用してレーザによる回路輪郭除去部の金属エッチングをおこなって、回路パターン間の距離精度を高くすることができるものである。
【０１００】
また、請求項２８記載の発明にあっては、上記請求項２７記載の発明の効果に加えて、レーザによる回路輪郭除去部への銅エッチングを行い、その後、レジスト剥離を行い、その後、回路輪郭除去部への樹脂エッチングを行った後電気メッキを行うので、レーザによる回路輪郭除去部における触媒残りを完全に除去することができるものであって、回路パターン間の距離精度を更に高くすることができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の高周波リレーの正面断面図である。
【図２】同上の分解断面図である。
【図３】同上の射出成形品よりなるベースブロック本体を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図４】同上の接点ベースブロックを示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図５】（ａ）乃至（ｄ）は同上の接点ベースブロックを示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図であり、（ｅ）乃至（ｈ）は接点サブブロックを示し、（ｅ）は平面図であり、（ｆ）は正面図であり、（ｇ）は下面図であり、（ｈ）は側面図である。
【図６】同上の接点ベースブロックの他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図７】同上の接点ベースブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図８】同上の接点ベースブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図９】同上の固定接点部と接点端子部とを金属製のピンで接続する実施形態を示し、（ａ）は金属製のピンを挿入する前の説明図であり、（ｂ）は金属製のピンを挿入して接続した状態を示す説明図である。
【図１０】同上の接点ベースブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図１１】同上のスルホールを封止樹脂で封止する状態を示し、（ａ）は封止している途中を示す説明図であり、（ｂ）は封止状態を示す断面図であり、（ｃ）は封止した状態の斜視図である。
【図１２】同上の接点ベースブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図１３】同上のスルホールを導電性材料で封止する状態を示し、（ａ）は封止している途中を示す説明図であり、（ｂ）は封止状態を示す断面図である。
【図１４】同上の接点ベースブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図１５】同上のスルホールに樹脂ピンで封止する例を示し、（ａ）は樹脂ピンを挿入する前の説明図であり、（ｂ）は樹脂ピンのピンを挿入して接続した状態を示す説明図である。
【図１６】同上の接点ベースブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図１７】同上のスルホールを封止する他例を示し、（ａ）（ｂ）（ｃ）は封止順序を示す説明図である。
【図１８】同上の接点ベースブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図１９】同上の電気メッキの際に使用する装置の概略図を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は側面図である。
【図２０】同上の接点ベースブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図２１】同上の電気メッキの際に使用する装置の他例の概略図を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は側面図である。
【図２２】同上の接点ベースブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図２３】同上の接点ベースブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図２４】（ａ）乃至（ｄ）は同上の接点ベースブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図であり、（ｅ）乃至（ｈ）は接点サブブロックの更に他の実施形態を示し、（ｅ）は平面図であり、（ｆ）は正面図であり、（ｇ）は下面図であり、（ｈ）は側面図である。
【図２５】同上の接点サブブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図２６】同上の接点サブブロックにコイルブロックを取付ける例を示し、（ａ）は分解側面図であり、（ｂ）は分解正面図である。
【図２７】同上の接点サブブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図２８】（ａ）（ｂ）（ｃ）は駆動ばねの取付け順序を示す説明図である。
【図２９】同上の接点サブブロックの更に例を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図３０】同上の駆動ばねの動作説明図である。
【図３１】同上の接点ベースブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図である。
【図３２】同上の接点ベースブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は下面図であり、（ｄ）は側面図であり、（ｅ）は接点ベースブロックの側部に端子用金属皮膜に半田付けをした例を示す斜視図である。
【図３３】同上の接点ベースブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面図であり、（ｃ）は正面図であり、（ｄ）は下面図であり、（ｅ）は側面図であり、（ｆ）は要部斜視図である。
【図３４】同上の接点ベースブロックの更に他の実施形態を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面図であり、（ｃ）は正面図であり、（ｄ）は下面図であり、（ｅ）は側面図であり、（ｆ）は要部拡大断面図である。
【図３５】（ａ）乃至（ｃ）は本発明の製造順序を示す説明図である。
【図３６】（ａ）乃至（ｄ）は同上の製造順序を示す説明図である。
【図３７】（ａ）乃至（ｄ）は同上の他の製造順序を示す説明図である。
【図３８】（ａ）乃至（ｉ）は同上の更に他の製造順序を示す説明図である。
【図３９】（ａ）乃至（ｊ）は同上の更に他の製造順序を示す説明図である。
【符号の説明】
１ ベースブロック本体
２ 金属皮膜
３ 固定接点部
４ 接点端子部
５ アース部
６ シールド部
７ 接点ベースブロック
８ サブブロック本体
９ 接点サブブロック
１０ 金属皮膜
１１ 接点部
１２ シールド空間
１３ スルホール
１４ 封止樹脂
１５ 導電性材料
１７ シールド壁
１８ コイルブロック保持部
１９ 可動接点部
２０ 駆動ばね
２０ａ 嵌め込み孔
２１ 保持部
２１ａ 突起
２２ ストッパ
２３ コイル電極
２４ 端子用金属皮膜
２５ コイルブロック
２６ レジスト
２７ 回路輪郭除去部
Claims (28)
- 射出成形品よりなるベースブロック本体の表面に金属皮膜を形成すると共に金属皮膜により固定接点部、接点端子部、アース部及びシールド部をベースブロック本体と一体に構成した接点ベースブロックを備えて成ることを特徴とする高周波リレー。
- 射出成形品よりなるベースブロック本体の表面に金属皮膜を形成すると共に金属皮膜により固定接点部、接点端子部、アース部及びシールド部をベースブロック本体と一体に構成した接点ベースブロックと、射出成形品よりなるサブブロック本体の表面に形成した金属皮膜によりアース部及びシールド部を構成した接点サブブロックとを備え、接点ベースブロックと接点サブブロックとで囲まれた部分に接点部を電磁シールドするシールド空間を形成して成ることを特徴とする高周波リレー。
- 接点ベースブロックの上表面側に固定接点部を設けるとともに接点ベースブロックの下表面側に接点端子部を設け、接点ベースブロックの上表面の固定接点部と下表面の接点端子部とを最短で接続する接続部を形成して成ることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の高周波リレー。
- 接点ベースブロックの上表面側のアース部と下表面側に設けたアース部とを最短で接続する接続部を形成して成ることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の高周波リレー。
- 固定接点部と接点端子部とを金属製のピンで接続することを特徴とする請求項３又は請求項４記載の高周波リレー。
- 固定接点部と接点端子部とをスルホールで接続することを特徴とする請求項３又は請求項４記載の高周波リレー。
- 固定接点部と接点端子部とを接続するスルホールが封止樹脂によりシールしてあることを特徴とする請求項６記載の高周波リレー。
- 固定接点部と接点端子部とを接続するスルホールが導電性材料によりシールしてあることを特徴とする請求項６記載の高周波リレー。
- 固定接点部と接点端子部とを接続するスルホールが合成樹脂ピンの溶着によりシールしてあることを特徴とする請求項６記載の高周波リレー。
- スルホールの端部の孔径を大きくして成ることを特徴とする請求項７又は請求項８記載の高周波リレー。
- 固定接点部、接点端子部、アース部、シールド部を構成する金属皮膜のうち、少なくともいずれか１つ又は複数の金属皮膜を他の金属皮膜と異ならせて成ることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の高周波リレー。
- 接点ベースブロックの金属皮膜が銅層、ニッケル層、金層の順にメッキして構成され、接点ベースブロックの固定接点部以外の金属皮膜を固定接点部の金属皮膜に比べて金層を薄くしてあることを特徴とする請求項１１記載の高周波リレー。
- 接点サブブロックの金属皮膜が、接点開放時の可動接点部が接触する部位においては銅層、ニッケル層、金層の順にメッキして構成され、他の部分においては銅層、ニッケル層の順にメッキして構成されていることを特徴とする請求項１１記載の高周波リレー。
- 接点ベースブロックに異極の固定接点部間を仕切るシールド壁を形成して成ることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の高周波リレー。
- 接点ベースブロックと接点サブブロックの嵌合手段を接点ベースブロックと接点サブブロックにそれぞれ一体に形成して成ることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の高周波リレー。
- 接点サブブロックにコイルブロック保持部を一体に形成して成ることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の高周波リレー。
- 接点サブブロックにアマチュアの駆動をカードに伝えるための駆動ばねの保持部を一体に形成して成ることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の高周波リレー。
- 駆動ばねの保持部が突起により構成され、駆動ばねに設けた嵌め込み孔を突起に嵌め込んで駆動ばねを取付け保持して成ることを特徴とする請求項１７記載の高周波リレー。
- 接点サブブロックに駆動ばねのストローク下限位置を位置決めするためのストッパを一体に形成して成ることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の高周波リレー。
- 接点ベースブロックにコイル電極を金属皮膜で形成して成ることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の高周波リレー。
- 接点ベースブロックの側部に端子用金属皮膜を延設して成ることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の高周波リレー。
- 固定接点部を構成する凸部の周囲に同心状にアース部を形成して成ることを特徴とする請求項６記載の高周波リレー。
- 固定接点部を構成する凸部の頂部を略半球状として成ることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の高周波リレー。
- 請求項１記載の高周波リレーの接点ベースブロックを製造するに当たって、射出成形品よりなるベースブロック本体の表面に下層金属皮膜を形成後、下層金属皮膜にレーザを照射して回路パターンを形成することを特徴とする高周波リレーの製造方法。
- ベースブロック本体にスパッタリングにより下層金属皮膜を形成することを特徴とする請求項２４記載の高周波リレーの製造方法。
- ベースブロック本体の表面にベースブロック本体との密着力の高い金属よりなる中間膜を形成し、この中間膜の表面に下層金属皮膜を形成することを特徴とする請求項２４記載の高周波リレーの製造方法。
- 請求項１記載の高周波リレーの接点ベースブロックを製造するに当たって、射出成形品よりなるベースブロック本体の表面に無電解メッキにより下層金属皮膜を形成し、その後、レジストを形成し、その後、レーザを照射して回路パターンを形成し、次に回路部に電気メッキにより上層金属皮膜を形成することを特徴とする高周波リレーの製造方法。
- レーザによる回路輪郭除去部への銅エッチングを行い、その後、レジスト剥離を行い、その後、回路輪郭除去部への樹脂エッチングを行った後電気メッキを行うことを特徴とする請求項２７記載の高周波リレーの製造方法。
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