JP2939819B2 - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタの製造方法Info
- Publication number
- JP2939819B2 JP2939819B2 JP15984890A JP15984890A JP2939819B2 JP 2939819 B2 JP2939819 B2 JP 2939819B2 JP 15984890 A JP15984890 A JP 15984890A JP 15984890 A JP15984890 A JP 15984890A JP 2939819 B2 JP2939819 B2 JP 2939819B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate insulating
- insulating film
- semiconductor layer
- layer
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は薄膜トランジスタの製造方法に関するもので
ある。
ある。
薄膜トランジスタは、ガラス等からなる絶縁性基板の
上に形成されており、例えばコプラナー型の薄膜トラン
ジスタは、前記基板上にシリコンからなる半導体層を形
成し、この半導体層の両側部の上にソース，ドレイン電
極を形成するとともに、前記半導体層の上にゲート絶縁
膜を介してゲート電極形成した構成となっている。
上に形成されており、例えばコプラナー型の薄膜トラン
ジスタは、前記基板上にシリコンからなる半導体層を形
成し、この半導体層の両側部の上にソース，ドレイン電
極を形成するとともに、前記半導体層の上にゲート絶縁
膜を介してゲート電極形成した構成となっている。
ところで、前記薄膜トランジスタにおいては、半導体
層とゲート絶縁膜との界面の良否が電子の移動度つまり
トランジスタの特性に影響する。このため、前記薄膜ト
ランジスタでは、前記半導体層の表面（ゲート絶縁膜と
の界面）を酸化させてシリコン酸化膜を形成している。
このようにすれば、半導体層の表面のシリコン酸化膜が
半導体層と一体の膜であり、またこのシリコン酸化膜は
ゲート絶縁膜の一部となるから、半導体層とゲート絶縁
膜との界面を改善してトランジスタ特性を安定化させる
ことができる。
層とゲート絶縁膜との界面の良否が電子の移動度つまり
トランジスタの特性に影響する。このため、前記薄膜ト
ランジスタでは、前記半導体層の表面（ゲート絶縁膜と
の界面）を酸化させてシリコン酸化膜を形成している。
このようにすれば、半導体層の表面のシリコン酸化膜が
半導体層と一体の膜であり、またこのシリコン酸化膜は
ゲート絶縁膜の一部となるから、半導体層とゲート絶縁
膜との界面を改善してトランジスタ特性を安定化させる
ことができる。
このように半導体層の表面にシリコン酸化膜を形成し
た薄膜トランジスタは、従来、基板上にシリコンからな
る半導体層を形成した後、この半導体層の表面を空気中
で熱酸化させて半導体層の表面にシリコン酸化膜を生成
させ、この後、前記半導体層の上にゲート絶縁膜を形成
して、このゲート絶縁膜の上にゲート電極を形成する製
造方法で製造されている。なお、前記半導体層の表面を
熱酸化させる方法としては、半導体層を形成した基板全
体を加熱する方法と、半導体層にレーザを照射して半導
体層の表面を加熱するレーザアニール方法とがあるが、
半導体層の表面にシリコン酸化膜を生成させるには1000
℃以上の高温の加熱を必要とするため、基板全体を加熱
する方法では基板として石英ガラス等の高価な高耐熱性
基板を使用しなければならないから、最近では主にレー
ザアニールによる熱酸化法が採用されている。このレー
ザアニールによれば、加熱温度が1000℃以上でも、加熱
時間は30msec〜100msecと極めて短くてすむため、基板
に熱的な影響を及ぼすことはなく、したがって基板とし
て、高い耐熱性を要求されない安価な基板を使用するこ
とができる。
た薄膜トランジスタは、従来、基板上にシリコンからな
る半導体層を形成した後、この半導体層の表面を空気中
で熱酸化させて半導体層の表面にシリコン酸化膜を生成
させ、この後、前記半導体層の上にゲート絶縁膜を形成
して、このゲート絶縁膜の上にゲート電極を形成する製
造方法で製造されている。なお、前記半導体層の表面を
熱酸化させる方法としては、半導体層を形成した基板全
体を加熱する方法と、半導体層にレーザを照射して半導
体層の表面を加熱するレーザアニール方法とがあるが、
半導体層の表面にシリコン酸化膜を生成させるには1000
℃以上の高温の加熱を必要とするため、基板全体を加熱
する方法では基板として石英ガラス等の高価な高耐熱性
基板を使用しなければならないから、最近では主にレー
ザアニールによる熱酸化法が採用されている。このレー
ザアニールによれば、加熱温度が1000℃以上でも、加熱
時間は30msec〜100msecと極めて短くてすむため、基板
に熱的な影響を及ぼすことはなく、したがって基板とし
て、高い耐熱性を要求されない安価な基板を使用するこ
とができる。
しかしながら、前記従来の製造方法では、基板上に形
成した半導体層の表面を空気中で熱酸化させてシリコン
酸化膜を生成させ、この後に半導体層の上にゲート絶縁
膜を形成しているため、半導体層の表面に形成したシリ
コン酸化膜は半導体層と一体の膜であるが、このシリコ
ン酸化膜とゲート絶縁膜とは必ずしも良好な界面で結合
せず、したがって、半導体層とゲート絶縁膜との界面を
十分に改善することはできなかった。
成した半導体層の表面を空気中で熱酸化させてシリコン
酸化膜を生成させ、この後に半導体層の上にゲート絶縁
膜を形成しているため、半導体層の表面に形成したシリ
コン酸化膜は半導体層と一体の膜であるが、このシリコ
ン酸化膜とゲート絶縁膜とは必ずしも良好な界面で結合
せず、したがって、半導体層とゲート絶縁膜との界面を
十分に改善することはできなかった。
本発明はこのような実情にかんがみてなされたもので
あって、その目的とするところは、半導体層とゲート絶
縁膜との界面を良好にして安定した特性の薄膜トランジ
スタを得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を
提供することにある。
あって、その目的とするところは、半導体層とゲート絶
縁膜との界面を良好にして安定した特性の薄膜トランジ
スタを得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を
提供することにある。
本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、絶縁性基板
の上にシリコンからなる半導体層を形成し、この半導体
層の上に酸化絶縁物からなる第一層のゲート絶縁膜を形
成した後、このゲート絶縁膜の上方からレーザを照射し
て、前記半導体層と前記ゲート絶縁膜との界面に、前記
半導体層のシリコンと前記ゲート絶縁膜中の酸素との反
応により生成するシリコン酸化膜を形成し、この後、前
記第一層のゲート絶縁膜の上に第二層のゲート絶縁膜を
形成し、この第二層のゲート絶縁膜の上にゲート電極を
形成することを特徴とするものである。
の上にシリコンからなる半導体層を形成し、この半導体
層の上に酸化絶縁物からなる第一層のゲート絶縁膜を形
成した後、このゲート絶縁膜の上方からレーザを照射し
て、前記半導体層と前記ゲート絶縁膜との界面に、前記
半導体層のシリコンと前記ゲート絶縁膜中の酸素との反
応により生成するシリコン酸化膜を形成し、この後、前
記第一層のゲート絶縁膜の上に第二層のゲート絶縁膜を
形成し、この第二層のゲート絶縁膜の上にゲート電極を
形成することを特徴とするものである。
すなわち、本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、
半導体層の上にゲート絶縁膜を形成した後に、レーザ照
射により半導体層とゲート絶縁膜との界面にシリコン酸
化膜を生成させるものであり、このシリコン酸化膜は、
半導体層のシリコンとゲート絶縁膜中の酸素との反応に
より生成するものであるため、このシリコン酸化膜は半
導体層ともゲート絶縁膜とも一体に結合しているから、
この製造方法によれば、半導体層とゲート絶縁膜との界
面を良好にして、安定した特性の薄膜トランジスタを得
ることができる。
半導体層の上にゲート絶縁膜を形成した後に、レーザ照
射により半導体層とゲート絶縁膜との界面にシリコン酸
化膜を生成させるものであり、このシリコン酸化膜は、
半導体層のシリコンとゲート絶縁膜中の酸素との反応に
より生成するものであるため、このシリコン酸化膜は半
導体層ともゲート絶縁膜とも一体に結合しているから、
この製造方法によれば、半導体層とゲート絶縁膜との界
面を良好にして、安定した特性の薄膜トランジスタを得
ることができる。
以下、本発明の一実施例を、コプラナー型薄膜トラン
ジスタの製造を例にとって第１図〜第７図の製造工程図
を参照し説明する。
ジスタの製造を例にとって第１図〜第７図の製造工程図
を参照し説明する。
まず、第１図に示すように、ガラス等からなる絶縁性
基板１の上に、ｉ型合アモルファス・シリコン（ｉ−ａ
−Si）からなる半導体層２を1000Åの厚さに堆積させ、
その上に燐（Ｐ）等のｎ型不純物をドープしたｎ型アモ
ルファス・シリコン（n+−ａ−Si）からなるオーミック
コンタクト層３を500Åの厚さに堆積させる。なお、こ
の半導体層２とオーミックコンタクト層３は、プラズマ
CVD法により連続して堆積させる。
基板１の上に、ｉ型合アモルファス・シリコン（ｉ−ａ
−Si）からなる半導体層２を1000Åの厚さに堆積させ、
その上に燐（Ｐ）等のｎ型不純物をドープしたｎ型アモ
ルファス・シリコン（n+−ａ−Si）からなるオーミック
コンタクト層３を500Åの厚さに堆積させる。なお、こ
の半導体層２とオーミックコンタクト層３は、プラズマ
CVD法により連続して堆積させる。
次に、第２図に示すように、前記オーミックコンタク
ト層３をフォトリソグラフィ法によりソース領域および
ドレイン領域の形状にパターニングし、この後洗浄処理
を行なって半導体層２およびオーミックコンタクト層３
の上の不純物等を除去する。なお、ここまでの工程は従
来の製造工程と同じである。
ト層３をフォトリソグラフィ法によりソース領域および
ドレイン領域の形状にパターニングし、この後洗浄処理
を行なって半導体層２およびオーミックコンタクト層３
の上の不純物等を除去する。なお、ここまでの工程は従
来の製造工程と同じである。
次に、第３図に示すように、前記半導体層２およびオ
ーミックコンタクト層３の上に、酸化絶縁膜例えば酸化
タンタル（TaOx）からなるゲート絶縁膜４をスパッタリ
ング法により1500Åの厚さに堆積させる。
ーミックコンタクト層３の上に、酸化絶縁膜例えば酸化
タンタル（TaOx）からなるゲート絶縁膜４をスパッタリ
ング法により1500Åの厚さに堆積させる。
次に、第４図に示すように、前記ゲート絶縁膜４の上
方からXeClエキシマレーザＡを照射する。このようにゲ
ート絶縁膜４の上方からレーザＡを照射すると、半導体
層２がレーザ光を吸収して1400℃以上の温度に加熱さ
れ、この半導体層２とゲート絶縁膜４との界面に、半導
体層２のシリコン（Si）とゲート絶縁膜４中の酸素
（Ｏ）との反応によってシリコン酸化膜（SiO2膜）５を
生成する。なおこの場合、オーミックコンタクト層３も
レーザ光を吸収して加熱されるため、前記シリコン酸化
膜５はオーミックコンタクト層３とゲート絶縁膜４との
界面にも生成する。また、このとき、レーザ照射後に徐
冷すると、アモルファス・シリコンで形成されている半
導体層２とオーミックコンタクト層３とがいずれもポリ
・シリコン（poly−Si）になり、したがって最終的に製
造される薄膜トランジスタは、アモルファス・シリコン
で半導体層を形成している薄膜トランジスタに比べては
るかに動作速度の高いトランジスタとなる。
方からXeClエキシマレーザＡを照射する。このようにゲ
ート絶縁膜４の上方からレーザＡを照射すると、半導体
層２がレーザ光を吸収して1400℃以上の温度に加熱さ
れ、この半導体層２とゲート絶縁膜４との界面に、半導
体層２のシリコン（Si）とゲート絶縁膜４中の酸素
（Ｏ）との反応によってシリコン酸化膜（SiO2膜）５を
生成する。なおこの場合、オーミックコンタクト層３も
レーザ光を吸収して加熱されるため、前記シリコン酸化
膜５はオーミックコンタクト層３とゲート絶縁膜４との
界面にも生成する。また、このとき、レーザ照射後に徐
冷すると、アモルファス・シリコンで形成されている半
導体層２とオーミックコンタクト層３とがいずれもポリ
・シリコン（poly−Si）になり、したがって最終的に製
造される薄膜トランジスタは、アモルファス・シリコン
で半導体層を形成している薄膜トランジスタに比べては
るかに動作速度の高いトランジスタとなる。
次に、第５図に示すように、前記ゲート絶縁膜４の上
に窒化シリコン（Si3N4）からなる耐圧保持用絶縁膜６
をプラズマCVD法により1500Åの厚さに堆積させる。
に窒化シリコン（Si3N4）からなる耐圧保持用絶縁膜６
をプラズマCVD法により1500Åの厚さに堆積させる。
次に、第６図に示すように、前記耐圧保持用絶縁膜６
およびその下のゲート絶縁膜４に、フォトリソグラフィ
法によって、ソース領域およびドレイン領域の形状にパ
ターニングされているオーミックコンタクト層３に達す
るコンタクト孔７を形成する。なお、このコンタクト孔
７は、前記オーミックコンタクト層３の表面のシリコン
酸化膜５にも形成して、このオーミックコンタクト層３
の非酸化層を露出させる。
およびその下のゲート絶縁膜４に、フォトリソグラフィ
法によって、ソース領域およびドレイン領域の形状にパ
ターニングされているオーミックコンタクト層３に達す
るコンタクト孔７を形成する。なお、このコンタクト孔
７は、前記オーミックコンタクト層３の表面のシリコン
酸化膜５にも形成して、このオーミックコンタクト層３
の非酸化層を露出させる。
次に、第７図に示すように、前記耐圧保持用絶縁膜６
の上および前記コンタクト孔７内にアルミニウム（Al）
等の金属膜をスパッタリング法により3000Åの厚さに堆
積させ、コンタクト孔７内に堆積した金属膜によりソー
ス電極８およびドレイン電極９を形成するとともに、耐
圧保持用絶縁膜６の上の金属膜をフォトリソグラフィ法
によりパターニングして、ソース，ドレイン電極8,9の
ライン部8a,9aと、ゲート電極10およびそのライン部
（図示せず）を形成して、薄膜トランジスタを完成す
る。
の上および前記コンタクト孔７内にアルミニウム（Al）
等の金属膜をスパッタリング法により3000Åの厚さに堆
積させ、コンタクト孔７内に堆積した金属膜によりソー
ス電極８およびドレイン電極９を形成するとともに、耐
圧保持用絶縁膜６の上の金属膜をフォトリソグラフィ法
によりパターニングして、ソース，ドレイン電極8,9の
ライン部8a,9aと、ゲート電極10およびそのライン部
（図示せず）を形成して、薄膜トランジスタを完成す
る。
すなわち、この実施例の薄膜トランジスタの製造方法
は、基板１上に形成した半導体層２の上に酸化タンタル
からなるゲート絶縁膜４を形成し、この後レーザ照射に
より半導体層２とゲート絶縁膜４との界面にシリコン酸
化膜５を生成させるものであり、このシリコン酸化膜５
は、半導体層２のシリコンとゲート絶縁膜４中の酸素と
の反応により生成するものであるため、このシリコン酸
化膜５は半導体層２ともゲート絶縁膜４とも一体に結合
している。したがって、この製造方法によれば、半導体
層２とゲート絶縁膜４との界面を良好にして、安定した
特性の薄膜トランジスタを得ることができる。
は、基板１上に形成した半導体層２の上に酸化タンタル
からなるゲート絶縁膜４を形成し、この後レーザ照射に
より半導体層２とゲート絶縁膜４との界面にシリコン酸
化膜５を生成させるものであり、このシリコン酸化膜５
は、半導体層２のシリコンとゲート絶縁膜４中の酸素と
の反応により生成するものであるため、このシリコン酸
化膜５は半導体層２ともゲート絶縁膜４とも一体に結合
している。したがって、この製造方法によれば、半導体
層２とゲート絶縁膜４との界面を良好にして、安定した
特性の薄膜トランジスタを得ることができる。
なお、前記実施例では、ゲート絶縁膜４およびその上
の耐圧保持用絶縁膜６とオーミックコンタクト層３の表
面のシリコン酸化膜５にコンタクト孔７を設けてこの内
にコンタクト孔７内にソース、ドレイン電極8,9を形成
しているが、このソース、ドレイン電極8,9は、ゲート
絶縁膜４の堆積前にオーミックコンタクト層３の上に形
成しておいてもよい。
の耐圧保持用絶縁膜６とオーミックコンタクト層３の表
面のシリコン酸化膜５にコンタクト孔７を設けてこの内
にコンタクト孔７内にソース、ドレイン電極8,9を形成
しているが、このソース、ドレイン電極8,9は、ゲート
絶縁膜４の堆積前にオーミックコンタクト層３の上に形
成しておいてもよい。
また、前記実施例では、ゲート絶縁膜４を酸化タンタ
ルで形成しているが、このゲート絶縁膜４は、酸素を含
む酸化絶縁物であれば、酸化タンタル以外の酸化金属ま
たは酸化シリコン（SiO2）等で形成してもよい。
ルで形成しているが、このゲート絶縁膜４は、酸素を含
む酸化絶縁物であれば、酸化タンタル以外の酸化金属ま
たは酸化シリコン（SiO2）等で形成してもよい。
なお、本発明は、コプラナー型薄膜トランジスタに限
らず、半導体層の下にオーミックコンタクト層を介して
ソース，ドレイン電極を形成し、前記半導体層の上にゲ
ート絶縁膜を介してゲート電極を形成したスタガー型薄
膜トランジスタの製造にも適用できるものである。
らず、半導体層の下にオーミックコンタクト層を介して
ソース，ドレイン電極を形成し、前記半導体層の上にゲ
ート絶縁膜を介してゲート電極を形成したスタガー型薄
膜トランジスタの製造にも適用できるものである。
本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、絶縁性基板
の上にシリコンからなる半導体層を形成し、この半導体
層の上に酸化絶縁物からなる第一層のゲート絶縁膜を形
成した後、このゲート絶縁膜の上方からレーザを照射し
て、前記半導体層と前記ゲート絶縁膜との界面に、前記
半導体層のシリコンと前記ゲート絶縁膜中の酸素との反
応により生成するシリコン酸化膜を形成し、この後、前
記第一層のゲート絶縁層の上に第二層のゲート絶縁膜を
形成し、この第二層のゲート絶縁膜の上にゲート電極を
形成するものであるから、半導体層とゲート絶縁膜との
界面を良好にして、安定した特性の薄膜トランジスタを
得ることができる。
の上にシリコンからなる半導体層を形成し、この半導体
層の上に酸化絶縁物からなる第一層のゲート絶縁膜を形
成した後、このゲート絶縁膜の上方からレーザを照射し
て、前記半導体層と前記ゲート絶縁膜との界面に、前記
半導体層のシリコンと前記ゲート絶縁膜中の酸素との反
応により生成するシリコン酸化膜を形成し、この後、前
記第一層のゲート絶縁層の上に第二層のゲート絶縁膜を
形成し、この第二層のゲート絶縁膜の上にゲート電極を
形成するものであるから、半導体層とゲート絶縁膜との
界面を良好にして、安定した特性の薄膜トランジスタを
得ることができる。
第１図〜第７図は本発明の一実施例を示す薄膜トランジ
スタの製造工程図である。 １……基板、２……半導体層、３……オーミックコンタ
クト層、４……ゲート絶縁膜、５……シリコン酸化膜、
６……耐圧保持用絶縁膜、７……コンタクト孔、８……
ソース電極、９……ドレイン電極、10……ゲート電極。
スタの製造工程図である。 １……基板、２……半導体層、３……オーミックコンタ
クト層、４……ゲート絶縁膜、５……シリコン酸化膜、
６……耐圧保持用絶縁膜、７……コンタクト孔、８……
ソース電極、９……ドレイン電極、10……ゲート電極。
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁性基板の上にシリコンからなる半導体
層を形成し、この半導体層の上に酸化絶縁物からなる第
一層のゲート絶縁膜を形成した後、このゲート絶縁膜の
上方からレーザを照射して、前記半導体層と前記ゲート
絶縁膜との界面に、前記半導体層のシリコンと前記ゲー
ト絶縁膜中の酸素との反応により生成するシリコン酸化
膜を形成し、この後、前記第一層のゲート絶縁膜の上に
第二層のゲート絶縁膜を形成し、該第二層のゲート絶縁
膜の上にゲート電極を形成することを特徴とする薄膜ト
ランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15984890A JP2939819B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15984890A JP2939819B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3515699A Division JPH11317529A (ja) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0451571A JPH0451571A (ja) | 1992-02-20 |
| JP2939819B2 true JP2939819B2 (ja) | 1999-08-25 |
Family
ID=15702559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15984890A Expired - Fee Related JP2939819B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2939819B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4764722B2 (ja) * | 2006-01-06 | 2011-09-07 | 美和ロック株式会社 | シリンダ錠のキー孔蓋構造 |
| JP4712053B2 (ja) * | 2008-02-01 | 2011-06-29 | 朝日電装株式会社 | シリンダ錠の保護装置 |
-
1990
- 1990-06-20 JP JP15984890A patent/JP2939819B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0451571A (ja) | 1992-02-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0451071B2 (ja) | ||
| JP3315191B2 (ja) | 薄膜トランジスタの作製方法 | |
| US7026200B2 (en) | Method for manufacturing a semiconductor device | |
| JP4856252B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| TWI227362B (en) | Liquid crystal display manufacturing process and polysilicon layer forming process | |
| JPH024131B2 (ja) | ||
| JP2939819B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP2001093853A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPH09283443A (ja) | 半導体薄膜の製造方法 | |
| JP2002016017A (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3146702B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP2939818B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH0529622A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| JP4214561B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH10321862A (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
| JP4211085B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP2863851B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JPH11317529A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH0677250A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH0697196A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS62286282A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP3295378B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JPS62119974A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP3567937B2 (ja) | 薄膜トランジスタの作製方法 | |
| JP3493160B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |