JP2934455B2 - Ｘ線透過画像によるはんだ付部の検査方法及びその装置 - Google Patents

Ｘ線透過画像によるはんだ付部の検査方法及びその装置

Info

Publication number
JP2934455B2
JP2934455B2 JP1180305A JP18030589A JP2934455B2 JP 2934455 B2 JP2934455 B2 JP 2934455B2 JP 1180305 A JP1180305 A JP 1180305A JP 18030589 A JP18030589 A JP 18030589A JP 2934455 B2 JP2934455 B2 JP 2934455B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transmission image
ray transmission
ray
soldered
lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP1180305A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH02138855A (ja
Inventor
利満 浜田
光蔵 仲畑
喜史 森岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to KR1019890012109A priority Critical patent/KR920005862B1/ko
Priority to DE69020443T priority patent/DE69020443T2/de
Priority to EP90103236A priority patent/EP0407685B1/en
Publication of JPH02138855A publication Critical patent/JPH02138855A/ja
Priority to US08/207,796 priority patent/US5493594A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2934455B2 publication Critical patent/JP2934455B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
    • G01N23/04—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and forming images of the material
    • G01N23/044—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and forming images of the material using laminography or tomosynthesis
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
    • G01N23/04—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and forming images of the material

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、基板へ実装された部品の実装の状態を検査
する方法に関わり、特にはんだ付けにより基板に実用さ
れた部品のはんだ付けの状態を検査するのに好適な、Ｘ
線透過画像によるはんだ付部検査方法及びその装置に関
する。
〔従来の技術〕
近年、プリント板は小型化，高密度化し、面実装デバ
イスが普及してきた。それに伴ないはんだ付部は微細化
し、特開昭62−219632号、日経エレクトロニクス1985年
11月18日号6pp.305−316に記載されるようなＸ線透過画
像を用いたはんだ付検査が行なわれるようになった。
〔発明が解決しようとする課題〕
前記したように面実装デバイスの普及に伴ないはんだ
付部の微細化しているため、検査すべきはんだ付部への
位置決めは、より高精度なものが必要となってきてい
る。しかし、上記従来技術ははんだ付部への位置決め
は、ティーチングにより求めた位置より、機械的精度を
頼りに行っているため、ティーチングの精度，検査対象
のプリント板のパターン精度，機械的精度に位置決め精
度が左右される。そのため、微細はんだ付部を精度よ
く、検出することが困難であった。
また、上記従来技術は、プリント板の高密度化に伴な
い普及してきた両面実装基板に対する配慮がなく、片面
実装基板のみを対象としていた。
また、はんだ付部の透過Ｘ線画像の明るさは、はんだ
付部の厚みに対応しているが、上記従来技術では、はん
だ付部の位置を精度よく決定できないのではんだ付部内
の特定領域でのみ明るさを基準値と比較しており、はん
だ付部の一部分の厚さしか判定していない。また、はん
だ量，フィレットの立体形状についての配慮もされてい
ない。
また、Ｘ線は部品に対し、長時間照射するとダメージ
を与えるが、上記従来技術はダメージ低減に配慮がなか
った。
本発明の目的ははんだ付部の微細化に対応し、はんだ
付部を検出画像信号から自動検出し、その結果にもとづ
き、はんだ付部ごとにはんだ量，フィレット形状などを
検出し、欠陥判定することができるようにしたＸ線透過
画像によるはんだ付部の検査方法及びその装置を提供す
ることにある。
また、本発明の目的は、両面実装基板に対しても片面
実装基板と同様の欠陥判定を行うことができるようにし
たＸ線透過画像によるはんだ付部の検査方法及びその装
置を提供することにある。
また、本発明の目的は検査性能を劣化させることな
く、部品に対するＸ線ダメージを低減してはんだ付部の
欠陥判定をできるようにしたＸ線透過画像によるはんだ
付部の検査方法及びその装置を提供することにある。
また、本発明の目的は、Ｊリード部品等が実装された
基板や、Ｊリード部品等が両面に実装された基板に対し
て、リードフレーム像の影響を除き、リード間に発生す
る微細なはんだブリッジや、はんだボールに対して精度
の良い欠陥判定ができるようにしたＸ線透過画像による
はんだ付部の検査方法及びその装置を提供することにあ
る。
また、本発明の目的は、回路基板に対するICリードの
搭載位置ずれやリード曲り等を検査判定できるようにし
たＸ線透過画像によるはんだ付部の検査方法及びその装
置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
即ち、本発明は、上記目的を達成するために、Ｘ線透
過画像によるはんだ付け部の検査方法を、試料ステージ
により位置決めされ、且つ基板に電子部品のリードをは
んだ付けした検査対象にＸ線を照射してそのＸ線透過画
像を得、このＸ線透過画像より検査対象となるはんだ付
部の位置を抽出し、その位置情報に基づいて各はんだ付
部毎に検査領域を設定し、この設定された検査領域毎に
上記Ｘ線透過画像の情報を、予め所定の数の良品を撮像
することにより得られた画像をクラスタリングして設定
した複数の良品画像の情報と比較して欠陥判定を行うよ
うにした。
また、本発明では、上記目的を達成するために、Ｘ線
透過画像によるはんだ付部の検査方法を、試料ステージ
により位置決めされた基板に電子部品のリードをはんだ
付けした検査対象にＸ線を照射してそのＸ線透過画像信
号を検出し、このＸ線透過画像より検査対象となるはん
だ付部の位置を抽出し、その位置情報に基づいて各はん
だ付部毎にＸ線透過画像信号からはんだのフィレット形
状を算出し、この算出されたフィレット形状と良品のフ
ィレット形状とを比較評価して欠陥判定を行うようにし
た。
また、本発明では、上記目的を達成するために、Ｘ線
透過画像によるはんだ付部の検査方法を、試料ステージ
により位置決めされ、且つ基板に電子部品のリードをは
んだ付けした検査対象にＸ線を照射してそのＸ線透過画
像を検出し、このＸ線透過画像より検査対象となるはん
だ付部の位置を抽出し、この抽出されたはんだ付部の内
に基いて検出されるＸ線透過画像に対してリード間に複
数の領域を設定し、この設定した複数の領域の各領域毎
のＸ線透過画像のデータを領域に応じた閾値で２値化
し、この２値化したデータに基づいてリード間に存在す
るはんだブリッジやはんだボールなどの欠陥判定を行う
ようにした。
また、本発明では、上記目的を達成するために、Ｘ線
透過画像によるはんだ付部の検査方法を、試料ステージ
により位置決めされ、且つ基板のパッド上に電子部品の
リードをはんだ付けした検査対象にＸ線を照射してその
Ｘ線透過画像信号を検出し、このＸ線透過画像上で基板
上のパッド位置を求め、この求めたパッド位置の情報に
基づいてＸ線透過画像上でのパッド間の検査領域を設定
し、Ｘ線透過画像上で設定した検査領域内でパッド間に
はみ出したリードのずれを判定するようにした。
また、本発明では、上記目的を達成するために、Ｘ線
透過画像によるはんだ付部の検査装置を、Ｘ線源と、基
板に電子部品のリードをはんだ付けした検査対象を位置
決めする試料ステージと、Ｘ線源により照射されて試料
ステージにより位置決めされた検査対象のはんだ付部を
透過したＸ線透過画像を検出するＸ線検出器と、このＸ
線検出器による検出されるＸ線透過画像信号に基づいて
検査対象となるはんだ付部の位置を抽出するはんだ付部
位置抽出手段と、このはんだ付部位値抽出手段によって
抽出されたはんだ付け部位置情報に基いて各はんだ付け
部毎に検査領域を設定する検査領域設定手段と、Ｘ線検
査器で予め所定の良品のＸ線透過画像を検出することに
より得られたＸ線透過画像信号をクラスタリングして設
定した複数の良品のＸ線透過画像信号情報を記憶する記
憶手段と、検査領域設定手段により設定された検査領域
毎にＸ線検出器により検出されるＸ線透過画像の情報を
記憶手段に記憶した複数の良品のＸ線透過画像信号情報
と比較して欠陥判定を行う欠陥判定手段とを備えて構成
した。
また、本発明では、上記目的を達成するために、Ｘ線
透過画像によるはんだ付部の検査装置を、Ｘ線源と、基
板に電子部品のリードをはんだ付けした検査対象を位置
決めする試料ステージと、Ｘ線源により照射されて試料
ステージにより位置決めされた検査対象のはんだ付部を
透過したＸ線透過画像を検出するＸ線検出器と、このＸ
線検出器により検出されるＸ線透過画像に基いて検査対
象となるはんだ付部の位置を抽出するはんだ付部位置抽
出手段と、このはんだ付け部位置抽出手段によって抽出
されたはんだ付部位置情報に基いてＸ線検出器により検
出されるＸ線透過画像信号に対してリード間に複数の領
域を設定する領域設定手段と、この領域設定手段によっ
て設定された複数の領域の各領域毎の上記Ｘ線透過画像
のデータを前記領域に応じた閾値で２値化する２値化手
段と、該２値化手段で２値化したデータに基づいてリー
ド間に存在するはんだブリッジやはんだボールなどの欠
陥判定する欠陥判定手段とを備えて構成した。
また、本発明では、上記目的を達成するために、Ｘ線
透過画像によるはんだ付部の検査装置を、Ｘ線源と、基
板のパッド上に電子部品のリードをはんだ付けした検査
対象を位置決めする試料ステージと、Ｘ線源により照射
されて試料ステージにより位置決めされた検査対象のは
んだ付部を透過したＸ線透過画像を検出するＸ線検出器
と、Ｘ線検出器により検出されるＸ線透過画像信号に基
いて基板上のパッド位置を検出するパッド位置検出手段
と、このパッド位置検出手段により検出されたパッド位
置の情報に基づいてＸ線透過画像上でのパッド間の検査
領域を設定る検査領域設定手段と、該検査領域手段によ
り上記Ｘ線透過画像上で設定した上記検査領域内で上記
パッド間にはみ出した上記リードのずれを判定するリー
ドずれ判定手段とを備えて構成した。
〔作用〕
前記構成により、IC等の電子部品を基板に実装したは
んだ付部のＸ線透過画像信号より微細なはんだ付部を高
精度に位置検出でき、高密度、小型化した基板（プリン
ト板）に対応することができる。また、検出したはんだ
付部毎に、欠陥判定することにより信頼性の高い欠陥判
定を行うことができる。
またフィレット形状を正確に検出することができるよ
うにしたので、はんだ不足、はがれ、リードずれ等を高
信頼度で検査することができる。
また、リードフレームや基板内の配線パターン等の清
浄な部品によってＸ線透過画像の陰影が生じても、確実
に、はんだ不足、はがれ、リードずれ、ブリッジ等の欠
陥を検査することができる。
また両面にICを実装した表裏のはんだ付部に対して
も、はんだ不足、はがれ、リードずれ、ブリッジ等の欠
陥を検査することができる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。第
１図において、部品１が実装はんだ付けされたプリント
板２はΧＹθステージ３に載せられており、微小焦点Ｘ
線源およびＸ線画像検出器であるイメージインテンシフ
ァイア５およびTVカメラ６はγを中心にψ方向に回転す
るφステージ７に取付けられており、第２図に示すよう
にプリント板２に対し、Ｘ線を斜方向から照射し、その
透過Ｘ線画像を検出できるようになっている。Ｘ線制御
部71は計算器８の指令により、Ｘ線源４の管電圧，管電
流，焦点合せ,X線発生などの制御を行う。なおＸ線源４
はＺ方向に制御できるようになっている。ステージ制御
部９は計算機８の指令により、ΧＹθステージ３および
ψステージ７を動作させる。画像処理部10はTVカメラ６
からの映像信号を入力し、計算機８の指令により画像処
理を行い、その結果にもとづき、計算機８は各はんだ付
部の欠陥判定を行う。
第３図に本発明において主に対象としている面実装部
品の代表例を示している。また、第４図はそれらのはん
だ付部の断面を示したものである。本発明において、こ
れらのはんだ付部のＸ線画像を如何に処理し、欠陥判定
していくかを説明するため、PLCC（Plastic Leaded C
hip Carrier）,SOJ（Small Outline Ｊ−bend）と呼
ばれるＪリードを例にとり、以下説明する。Ｊリードは
第４図に示すように、はんだ付部が部品の下にかくれ、
外観として欠陥判定することが困難であり、Ｘ線による
はんだ検査が望まれている部品の一つである。第５図に
検出すべき欠陥の例を示す。
第５図に示すようなフィレット小に代表されるはんだ
不足，はんだ過剰などのはんだ量に関連する欠陥，リー
ド浮き欠陥，リードずれ欠陥，ブリッジ欠陥を如何に検
出するかについて、以下に説明する。
第６図はＪリードにおけるＸ線透過画像形成を説明す
る図であるが、Ｘ線透過画像Ｉは入射Ｘ線強度I0はんだ
付部の厚さt1,はんだ以外の厚さt2,はんだのＸ線吸収係
数μ1,はんだ以外（主としてリードと配線パターン）の
Ｘ線吸収係数μ２とすると、 Ｉ＝I0exp（−μ1t1−μ2t2） …（１） となる。Ｘ線吸収係数は物質とＸ線の波長で定まる定数
であり、原子番号が多きほど大きく（Ｘ線を多く吸収す
る）、はんだ付部（PcとSn）は他の部分（Fe,Cuなど）
より大きいため、暗くなる。（１）式を対数変換し、変
形すると、 nI＝nI0−μ1t1−μ2t2 …（２） となり、対数変換後の画像も同様である。
（２）式をさらに変形すると となる。I0,μ１は定数であり、μ2,t2はプリント板の
配線パターンの差異で値は変化するが、配線パターンの
厚さは数10μｍと小さいため、ほとんど部品とはんだ付
部の位置で決まる値であるので、nIをはんだ付部で積
算すれば、t1を積算した値、すなわちはんだ量に相当す
る値を算出することができる。即ちパット等の配線パタ
ーンについては無視することができる。
しかし、多層配線基板の場合、配線パターンが多重に
なるため、無視できなくなる。
リードがずれていると、はんだ付部の幅は広くなる。
よって、はんだ付部の幅を判定することにより、リード
ずれ欠陥が抽出できる。
はんだは他の部分よりも暗いので、適当な閾値で２値
化することにより、２値画像として抽出できる。よっ
て、はんだ付部間で２値画像をリード長手方向に投影す
ることにより、ブリッジ，はんだボールなどの欠陥が抽
出できる。
（２）式を用い、はんだがないときのＸ線透過画像
Ｉ′を求めると、 nI′＝nI0−μ2t2 …（３） となり、（２）−（３）より となる。すなわち、第７図に示すようにはんだ無しのと
きの画像との然を求めることにより、フィレット形状が
はんだの厚さt1の分布として抽出でき、前述のはんだ量
判定では検出できない、はんだ量は正常であるが、リー
ドが浮いているリード浮き欠陥が抽出できる。
なお、フィレット形状により欠陥を検査する場合、後
述するように必ずしもはんだがないときのＸ線透過画像
Ｉ′を求める必要はない。
以上のような処理を行うための画像処理部10の具体的
構成例を第８図に示す。第８図において、TVカメラ６か
らの映像信号はA/D変換回路11によりディジタル値に変
換されたのち、シェージング補正回路12,対数変換回路1
3を介し、メモリ14へ入力される。シェージング補正は
画面中央部と周辺部において、明るさが同じでも映像レ
ベルが変化するのを補正するものであり、検査物体がな
いときの検出画像（白画像と呼ぶ）Ｗ（i,j）,X線を発
生しないときの検出画像（黒画像と呼ぶ）Ｂ（i,j）を
用い、検出画像ｇ（i,j）より と、白画像，黒画像に対し、検出画像を正規化する。具
体的構成例を第９図に示すが、第９図では対数変換をも
含めて実施しており、対数変換後の画像をｆ（i,j）と
して出力している。第９図において、検出画像信号15と
黒画像メモリ16の出力、白画像メモリ17の出力と黒画像
メモリ16の出力の差を引算回路18,19で求め、各出力を
合成回路20でビット例として（ｇ−Ｂ）（Ｗ−Ｂ）合成
し、20の出力をアドレスとして変換テーブルメモリ21の
内容を読み出し、変換後の画像ｆ（i,j）22を出力す
る。変換テーブルメモリ21の内容は式（５）の左辺の値
を右辺の分母と分子で決まるアドレスにおいて、対数変
換して記憶されている。
水平投影分布作成回路23,垂直投影分布作成回路24は
画像ｆ（i,f）22に対し、水平投影分布Ｈ（ｊ），垂直
投影分布Ｖ（ｉ）を計算機８で指定される投影する領域
が第10図の斜線部で示すような領域とすると と求めるものである。２値化回路25は計算機８により、
はんだ付間に存在するはんだ（ブリッジなど）やリード
を顕在化する閾値（はんだやリード部分は他の部分に比
べ、Ｘ線画像としては暗く検出される）を指定され、メ
モリ14に記憶された画像ｆ（i,j）22を２値化する。投
影分布作成回路26な２値化画像信号に対し、計算機８が
指定する領域で、リードの長手方向に投影分布を作成す
る。
ここでの実施例における検査のシーケンスを説明す
る。計算機８はティーチングまたは設計情報より求めた
はんだ付部の位置情報にもとづき、ステージ3,7を制御
し、プリント板２を位置決めし、Ｘ線透過画像をメモリ
14へ入力する。次に計算機８は水平および垂直投影分布
回路23,24に対し、投影領域を指定し、投影分布を作成
させ、投影分布を解析し、はんだ付部位置を検出する。
計算機８は算出したはんだ付部位置にもとづき23,24で
求まった投影分布，メモリ14へ入力された画像を解析
し、各はんだ付部の欠陥抽出を行う。また、２値画像の
投影分布を26で求め、それを解析することにより、はん
だ付部間の欠陥抽出を行う。
以上の動作を第11図に示すようなPLCC（Plastic Lea
ded Oip Carrier）と呼ばれるＪリードのはんだ付部
の検査を例にとり、説明する。第12図（ａ）に示すよう
にＸ線を照射すると、同図（ｂ）に示すようなＸ線透過
画像が得られる。以下の説明では、第12図（ｂ）で破線
で囲まれるような水平方向にはんだ付部が並んだ場合を
例にして説明する。第13図（ａ）はＪリードのはんだ付
部の断面を示しており、Ｊリードのリード長手方向のＸ
線画像の明るさ変化を同図（ｂ）に示す。Ｘ線画像の明
るさははんだ厚さが大きい程、暗くなる。第13図（ｂ）
で最も暗くなるのは、Ｊリードの立上り部であるがリー
ドははんだよりＸ線吸収が小さいが、立上りの長さが大
きいため、はんだ厚が最大のところより暗くなる。この
ような特徴を有するＪリードのＸ線透過画像に対し、水
平投影分布作成回路23により水平投影分布を第14図
（ａ）で示すような領域で求めると、同図（ｂ）で示す
ような水平投影分布Ｈ（ｊ）が得られる。計算機８はＨ
（ｊ）を入力し、第15図に示すような閾値Th1とＨ
（ｊ）との交点js,jeを求め、垂直方向のはんだ付部の
位置とする。ここで閾値Th1は前もって設定する、ある
いは入力したＨ（ｊ）の最大値と最小値を前もって設定
した比で内分した値などを用いる。
次に垂直方向の投影範囲をjs〜jeとし、第16図（ａ）
に示すような領域で、垂直投影分布作成回路24を用い、
垂直投影分布Ｖ（ｉ）を求めると同図（ｂ）のように求
まる。計算機８はＶ（ｉ）を入力し、第17図に示すよう
に閾値Th2とＶ（ｉ）の交点is1,ie1〜is4,ie4を求め、
水平方向のはんだ付部の位置とする。ここで閾値Th2の
設定は、Th1の設定と同様とする。
第18図（ａ）はリードずれ欠陥の断面形状例を示して
おり、同図（ｂ）はこのときのＸ線透過画像で得られる
はんだ付部を示している。第10図からも明らかなよう
に、第17図で求まる|iSn−ien|（ｎ＝１〜４）を良品の
ものと比較することにより、リードずれ欠陥が検出でき
る。
既に述べたようにＸ線透過画像は物質の厚さに対応す
る明るさを有している。よって、はんだ付部において画
像値を加算したものは、はんだ量に対応する。よって区
間〔isn,ien〕（ｎ＝１〜４）において、Ｖ（ｉ）を積
分すれば、各はんだ付部に相当するはんだ量に対応する
値を求めることができる。そして、その値を良品のもの
と比較することにより、はんだの過不足欠陥を抽出する
ことができる。
第19図にはんだ量は正常であるがリードが浮いている
リード浮き欠陥の例を示す。本発明では、このような欠
陥を検出するため、フィレット形状判定を行う。フィレ
ット形状を抽出するために、はんだがないときのＸ線画
像に対し、23,24を用いてはんだ付部検出を行う。リー
ド部ははんだはないが、リード厚は他の部分に比べ厚
く、かつFeまたはCuであるため、他の部分より暗い画像
値を有するので、リード並びに方向に関しては、良品と
ほぼ同じ位置が検出され、リード長手方向についても、
第20図に示すように、良品で求まる位置js,jeの中点jc
と、はんだなしのとき基まる位置js′,je′の中点jc′
はリードに対し、ほぼ同じ位置になる。すなわち、リー
ド長手方向について、jcとjc′を合せるように位置合せ
すれば、はんだなしのときのリードと検査対象の画像の
位置合わせができる。はんだなしの画像より、各はんだ
付部で、リード並び方向位置における中心（（esk＋i
ek）/2）の位置）でjc′を基準に画像データを計算機８
へメモリ14より前もって入力しておく。そして、検査対
象の画像より各はんだ付部において、同様の画像データ
をメモリ14より計算機８へ入力し、はんだなしのときの
画像データとの差を求めることにより、フィレット形状
が、第21図のように抽出される。フィレット形状による
判定は、良品フィレット形状tsと検査対象のフィレット
形状t1の差の総和Ｓが設定値εＦを越えたとき、欠陥と
する。即ちリードのＸ線透過画像信号をＩ′とし、検査
対象のはんだ付部のＸ線透過画像信号をＩとし、良品の
はんだ付部のＸ線透過画像信号をIsとする。すると検査
対象のはんだ付部のはんだ厚さはt1はt1＝（nI′−
nI）／μ１となり、良品のはんだ付部のはんだ厚さtSは
tS＝（nI′−nIs）／μ１となる。従って検査対象
はんだ付部と良品はんだ付部とを比較してその差をとれ
ば次のようになる。
|t1−tS|＝｜（nIs−nI）|/μ１ となる。
このようなはんだがない状態のＸ線透過画像信号Ｉ′
を求める必要はない。そしてこの差の総和（面積）Ｓ＝
Σ|t1−tS|を求め、この総和（面積）Ｓが設定値εＦを
越えた（Ｓ≧εＦ）のとき、欠陥とする。
即ちフィレット形状判定を行うため、前記のようにし
て求めたはんだ付部の位置にもとずき、すなわち位置j
s,jeの中点jcと，各はんだ付部でリード並び方向位置に
おける中心（（isk＋iek）/2の位置、ｋ＝1,2,……）を
基準に画像データをメモリ14より計算機８へ入力し、良
品フィレット形状と検査対象のフィレット形状の差の総
和が設定値を越えたとき、欠陥とする。
また、フィレット形状判定において、良品フィレット
波形との差（面積）Ｓを求めているが、 Ｓ＝Σ|F−F0|＝Σ｜−ｆ−（−f0）｜ ＝Σ|f−f0| ……（６） ここで、F:検査フィレット波形、ｆ＝nI:検査波
形、F0:良品フィレット波形、f0＝nIs:良品検出波
形、＝nI′：はんだなし波形 であるので、はんだ無し画像を用いず、判定すること
ができる。
また、はんだ付の状態は同じ良品でも、はんだ供給量
のばらつき、リードのわずかなずれなどにより、多岐に
わたっており、Ｘ線画像における波形信号の形状も多岐
にわたる。このため、はんだ付けのバリエーションに対
応して、良品波形f0をf1〜fn複数個用意し、（６）式の
値S1〜SNが最小となる良品波形を求め、その値S1〜SNに
より良否を判定するのが有効である。即ち|S|min≧εＦ
（判定基準）によりフィレット形状の良否を判定するの
が有効である。よって、いかにして、このバリエーショ
ンに対応して良品波形を用意するかが問題となる。本発
明では多数の良品波形を収集し、第22図及び第59図に示
すように、それらの良品波形に対しクラスタリングを行
い、形状が類似しているものをまとめ、良品波形全体を
数個のクラスに分け、クラスごとに代表的な良品波形f1
〜fNを自動抽出する。クラスタリングのアルゴリズムと
して、Ｋ平均アルゴリズムと呼ばれるものがあるが、こ
れを用いて良品波形を自動抽出する方式を以下に示す。
Ｋ平均アルゴリズム:n個の良品波形をＫ個のクラスに分
けるとして、次の処理を行う。
ステップ1:K個の初期クラスタ中心Zj（１）（ｊ＝1,2,
…Ｋ）として、良品波形Χ１（ｉ＝1,2,…ｎ）よりＫ個
を適当に選ぶ。フローは第23図のようになる。第23図に
示すように、検査と同様にＸ線画像よりはんだ付部の位
置を抽出し、その結果にもとずき、はんだ付部の波形信
号を計算機８へ入力し、それらの波形を順次メモリに記
憶していく。そして、所定の数だけ収集した後、クラス
タリングにより良品波形f1〜fNを選定する。
また、以上の説明では多数のはんだ付けバリエーショ
ンに対し、収集するデータを多くすることにより対処し
ているが、はんだ供給量を変化させる、部品をずらして
搭載するなど人為的にバリエーションを作り、それらの
はんだ付部の検出波形信号を基準とすることも可能であ
る。
また、以上の説明では片面実装基板を用いているが、
第25図のように基板を傾斜させ、表裏のはんだ付部が重
ならないようにはんだ付部の画像を検出することによ
り、両面実装基板でも同様な処理ができる。
また、以上の説明ではフィレット判定をリード長手方
向について行なっているが、はんだ付部の位置検出結果
にもとずき、リード並び方向などにステップ2:Χ１をZj
（ｋ）（ｋ＝1,2,……）と比較して、最も類似するZj
（ｋ）を探索し、ｎ個の良品波形Χ１をＫ個のクラスに
分ける。
ステップ3:Zj（ｋ）に属したすべてのΧ１とクラスタ中
心の差の総和が最小になるよう、次式の演算を行い、ク
ラスタ中心をZj（ｋ＋１）に変更する。
Zj（ｋ＋１）＝（ Σ Χ１）/Nj Χ１∈Zj（ｋ） ここで、Nj:Zj（ｋ）に属したΧ１の数 ステップ4:すべてのｊについて、Zj（ｋ＋１）＝Zj
（ｋ）が成立するまで、ステップ２へ戻る。成立したな
らば、Zj（ｋ）を良品波形とする。以上がＫ平均アルゴ
リズムを用いた良品波形の選定法であり、この選定を部
品ごと、あるいは特定のはんだ付部ごとに行なうことに
より、判定の基準となる良品波形を得る。
また、はんだ付けのバリエーションに対処するには、
１枚のプリント板だけでなく、多数のプリント板につい
て良品波形を収集することが重要であり、良品波形の収
集と基準良品波形の選定について行なうこともできるの
は言うまでもない。また、良品フィレット波形との比較
ではなく、フィレット波形そのものの解析により判定す
ることも可能である。
更にはんだ付部欠陥には、はんだ付部間に生じるブリ
ッジ，はんだボールなどの欠陥がある。本発明では２値
化回路13により、Ｘ線透過画像の２値画像を得、第15
図，第17図で求まるはんだ付部間で垂直方向へ２値画像
を投影する。第24図（ａ）にはんだボール，はんだブリ
ッジが存在するときの２値画像、同図（ｂ）に投影分布
を示し、同図（ｃ）に投影分布を閾値Th3で２値化した
波形を示す。計算機８は投影分布作成回路26で求まる投
影分布を入力し、２値化した後、はんだ付部間におい
て、端から続く“0"の長さを求め、欠陥判定する。
以上述べたように、本発明ははんだ付部のＸ線透過画
像に対し、水平，垂直の投影分布を求めることにより、
個々のはんだ付部の位置を抽出し、その位置にもとづ
き、はんだ過不足，リードずれ，リード浮き，ブリッ
ジ，はんだボールなどの欠陥を抽出するものである。ま
た今後、第25図に示すような画面実装が多様される可能
性もある。この場合、リードずれ、ブリッジ，はんだボ
ールの判定は上述の方式でも行えるが表裏のはんだが重
なり、検出のダイナミックレンジが不足し、はんだ下部
即の検出感度が低下する可能性がある。このような場合
には、第25図に示すように、基板（プリント板）をリー
ド並びに方向に傾斜させ、表裏のはんだ付部の重なりを
なくし検出すればよい。第26図にこのようにして検出し
たＸ線透過画像の例を示す。この場合、リード長手方向
の投影分布（垂直方向）は第27図に示すようになり、第
17図に示す方向では、表裏一組のはんだ付部しか分離で
きない。このような場合には、第27図に示すようにisn
とienの中点icnを求めることにより表裏を分離してはん
だ量を評価すればよい。また、フィレット形状抽出はis
n〜icnおよびicn〜ienの各中心部分で行えば、片面実装
基板と全く同様に行うことができる。
以上をまとめて、第28図に基板傾斜がないとき（傾斜
基板ψをさせないとき）の画像処理のフロー、第29図に
基板傾斜があるとき（基板傾斜ψをさせたとき）の画像
処理のフロー、第30図は両面実装基板の検査のフローを
示す。第30図において、フェーズとは、第31図に示すよ
うに検査するIC（部品）１のはんだ付部（リード）の象
限（フェーズ）のことであり、ここでは時計周りにF1〜
F4の番号を付けている。第28図，第29図のフローを第８
図のハード構成に対応づけて説明する。101,101′は第
８図におけるTVカメラ６およびA/D変換器11の動作であ
り、102,102′は同じくシェージング補正回路12の動作
であり、103,103′は同じく対数変換回路13の動作であ
る。103,103′により、画像はメモリ14に入力される。1
04,104′および105,105′は計算機８が、メモリ14の画
像を23,24で成形される水平投影分布および垂直投影分
布を用いて行うはんだ付部抽出処理である。106,106′1
07は24で作成される垂直投影分布を計算機８が解析して
行う欠陥判定処理である。108は２値化回路25を介し、
投影分布作成回路26で作成される投影分布を計算機８が
解析して行う欠陥判定処理である。109,109′は104,105
又は104′,105′で求まるはんだ付部の位置を基準に、
計算機８がメモリ14より画像データを入力し、欠陥判定
する処理である。
第30図の検査フローを第１図の全体構成に対応づけて
説明する。110は計算機８が９を介し、ψステージ７を
動作させることにより行い、111は計算機８が９を介
し、ΧＹθステージ３を動作させることにより行う。11
2は第28図の処理であり、８および10により行われる。1
13は計算機８が行う処理である。114は計算機８が９を
介し、ψステージ７を動作させることにより行い、115
は111と同じように行う。116は第29図に示す処理であ
り、８および10により行われる。117は計算機８で行う
処理であり、118は計算機８が９を介し３を動作させる
ことにより行う。119,120は115,116と同じ処理である。
121は計算機８が行う処理である。112,123は検査が終了
し、元にもどす処理であり、それぞれ、計算機８が９を
介し、3,7を動作させることにより行う。
本実施例では、はんだ付部の位置をはんだの像を用い
ているが、部品のリードフレーム、あるいはリードフレ
ーム上に設けたターゲットマークを用いることも可能で
ある。
また、本実施例では基板傾斜させるため、相対的にψ
ステージ７を用いているが、基板（プリント板）２をの
せたステージに傾斜機能を付加することも可能であり、
第32図，第33図に示すように、イメージインテンシファ
イア5,TVカメラ６のみを動かすことも可能である。
また、両面実装基板において、表裏のはんだ付を重な
らないようにするため、前記実施例では基板傾斜してい
るが、第58図に示すように、IC1を基板２の表裏で搭載
する位置をリード間隔Ｐの半ビッチP/2分ずらし実装す
るようにすることにより、基板傾斜することなく、表裏
はんだ付部を分離して検出することもできる。
また、Ｘ線は照射量が多いと素子にダメージを与える
ことが知られている。本発明では、第34図に示すよう
に、検査中のIC部品１にしかＸ線が照射されないように
シャッタ30を設けており、さらにはんだ付部へのＸ線を
フィルタリングするフィルタ31を設けている。シャッタ
30は厚さ1mm程度のPbで構成され、フィルタ31は厚さ0.1
〜0.2mm程度のCuで構成する。31は４で発生するＸ線の
波長の長い部分の割合を減ずるため、はんだ画像に対
し、影響を与えず、素子へのダメージを低減できる。ま
た、素子へのダメージを低減するには、素子の部分にＸ
線遮蔽用のマスクパターンを重ねた状態で、あるいは部
品そのものへＸ線遮蔽板を設けることもできる。
また、本実施例では、イメージインテンシンファイ
ア,TVカメラをＸ線検出器として用いているが、螢光板
と高感度カメラ,X線TVカメラなどを用いた構成をとれる
ことは言うまでもない。
以上説明したように本実施例によれば、Ｘ線透過画像
信号よりはんだ付部の位置を自動抽出でき、はんだ付部
の欠陥を自動検査できるようになる。
次に第３図（ｄ），第４図（ｂ），第35図〜第44図に
基いて本発明に係わる実施例を説明する。
第３図（ｄ）に本発明において対象としている、面実
装部品の例を示している、また第４図（ｂ）は、はんだ
付状態におけるICの断面形状を示している。第35図は、
このような部品のはんだ付部を検出したＸ線画像の例を
示すもので、部品のリード35や基板パッド上のはんだ31
a〜31bと共に、部品パッケージ内のICリードフレーム像
32も同時に重なって検出される。また33,34は、はんだ
ブリッジの例を、35は、はんだボール欠陥の例を示すも
ので、特にリードフレーム像と重なって検出される領域
に、33に示すような微細はんだブリッジ等の欠陥が発生
した場合には、リードフレーム像と混在するためブリッ
ジを精度良くく識別し判定することは困難である。本発
明は、これを解決する判定方法を提供するもので、以
下、はんだブリッジの例を用い詳細に説明する。Ｊリー
ドにおけるＸ線透過画像形成については第４図（ｂ），
第８図，第９図，第10図，第12図〜第17図に示すように
前記説明したとおりである。
次に、第35図のように検出されたリードはんだ付部画
像を例に用い、計算機上で実行される本発明によるはん
だブリッジの判定方法を説明する。上記に示すようにし
て求めた各リードの位置座標に基づき、第36図で示すよ
うに各リード間を（Ａ）リードフレーム像が無い領域、
（Ｂ）リードフレームのパターン像が検出される領域、
（Ｃ）平板状のリードフレーム像が検出される領域に分
割し、各領域において基板やリードフレーム像等の背景
から分離し、はんだブリッジ像のみを顕在化できる範囲
で最も高いレベルに閾値を設定して２値画像を得る、第
36図は、微細なはんだブリッジ（Ｘ線に対する吸収がリ
ードフレーム部より小さいもの）51〜53が存在する例を
示すもので、同図の矢印で示す位置における画像信号は
第37図で示すものとなる、この図から明らかなように、
領域（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）において、VA,VB,VCを用い
て２値画像を得れば、各領域において、背景から分類し
てブリッジのみを顕在化した画像信号（第38図に示
す。）が得られる。即ち本方法によれば、領域（Ａ），
及び（Ｃ）においては、はんだブリッジ53,51を完全に
顕在化した２値画像が得られ、これを用いてブリッジ判
定を行う。
以下に領域（Ａ）の例について、第39図を用いて判定
方法を説明する。まず（1a）に示す画像において、Ｙ方
向に係数したはんだの無い部分の画素数のΧ方向に分布
（（2a）に示す。）を求め、ウインドのＹ方向の長さＹ
Aに対して、（ＹA−ΔＹ）以下なる範囲に相当するブリ
ッジ検出値（（3a）に示す。）を算出する。次に、この
Χ方向に幅Χｌをブリッジ長として求め、これとウイン
ドのΧ方向幅ΧAとの差が所定値εＢより小となる条件
（ΧA−Χｌ≦εＢ）が成立する時ブリッジ有りと判定
する。（3a）の例では、ΧA−Χｌ＝０となり、ブリッ
ジ有りと判定でき、領域（Ｃ）のブリッジ51についても
同様な結果が得られる。しかし、判定領域（Ｂ）におい
ては、第36図の例で示すように、リードフレーム32の像
よりコントラストの低いはんだブリッジ52がある場合に
は、第40図に示すように、リードフレーム32の像と重な
った部分のはんだブリッジ像は顕在化可能であるが、リ
ードフレーム32と重ならない位置に発生したはんだブリ
ッジ像の検出はできない。従って、第40図（3b）で求め
られるブリッジを反映したものとならず、充分な検出精
度が得られない。
本実施例においては、このリードフレーム32のパター
ン像が検出される領域（Ｂ）に対しては、次に説明する
方法によるブリッジ判定を行う。即ち、第41図の画像信
号レベルで示すように、領域（Ｂ）に対して２つの閾値
Vh,Vlを用いて２種の２値画像を作成する。即ち、VhはI
Cリードフレーム部分をプリント基板２と分離して健在
化可能とする閾値レベルとし、Vlは第37図で説明したＶ
Bと同一のレベルVl＝ＶBとし、リードフレーム32を検出
しない範囲の最大値とする。第42図は、第36図の例にお
ける領域（Ｂ）に対する上記２種の２値画像を求めた例
を示す。本実施例においては、更に、第42図（1a），第
43図（1b）の各々の画像について、Ｙ方向に探索した時
のパターン数を各Χ画素座標毎に計数したパターン数分
布第42図２（ｃ），第43図２（ｂ）を求め、予め良品サ
ンプルを用いて同様にして求めておいた基準パターン数
分布第42図（3a），第43図（3b）と比較しその差第42図
（2a）−第43図（3a）と第42図（2b）−第42図（3b）を
算出する。このいずれかの結果に差が認められる場合
に、ブリッジ欠陥が存在するものと判定する。第42図
（4a），第43図（4b）の例では、両方の画像判定結果に
おいて差が認められ、ブリッジ判定が可能であることが
解る。ここで（2a）−（3a）や（2b）−（3b）の結果に
対して微小な幅の差は無視する方法を採用すれば、ノイ
ズ等の影響による誤判定を除くことが可能である。以上
では、はんだブリッジの例を用いて説明したが、本発明
によれば、はんだボール等の欠陥も同様に検出できる。
本実施例は、Ｊリード部品１等が両面に実装された第
44図に示すような基板２上のはんだブリッジ検査にも適
用可能である。このような実装基板では、表・裏のＪリ
ード部品１が、ほゞ同一の位置に実装されているため、
第１図で示した方法により検出され、処理された画像は
第45図の例で示すようなのとなる。
従って、第36図で示した方法と同じように、リードフ
レーム32の像の位置に対応して、リード間判定領域
（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）に分割すれば、リードフレーム32の
像が無い領域（Ａ）や平板状のリードフレーム32の像が
検出される領域（Ｃ）は、既に述べたように第39図（1
a）〜（3a）で示すものと同様な方法用いることでブリ
ッジ判定が可能である。しかし、領域（Ｂ）において
は、第45図で示したように、表と裏のＪリード部品１の
微少な位置のずれにより、表・裏のIC内のリードフレー
ム32のパターン像が重なる部分と、重ならない部分が出
来るため、同図の矢印で示した部分の画像信号波形を示
すと第46図で示すようなものとなる。本実施例ではこれ
に対して３つの閾値Vh,Vm,Vlを設ける。ここでVhは領域
（Ｂ）において、プリント基板２の基材より暗レベルで
検出される全てのリードフレーム32の像を基材と分離し
顕在化させ得るレベルとしたものである。
またVmは、表と裏のリードフレーム重なり部分を顕在
化可能とするレベルに、またVlはリードフレームの重な
り部分より暗いレベルの画像を顕在化可能とするレベル
とする。
領域（Ｂ）に対してVh,Vm,Vlにより２値化した画像を
作成すると、第47図（1a），第48図（1b），第49図（1
c）の例で示すようなものとなる。以下各画像について
第42図，第43図で示す方法と同様に、Ｙ方向探索時のパ
ターン数分布第47図（2a），第48図（2b），第49図（2
c）を求め、予め、良品基準について同様にして求めた
パターン数分布第47図（3a），第48図（3b），第49図
（3c）と比較し、その差（2a）−（3a），（2b）−（3
b），（2c）−（3c）を求め、いずれかに差が認められ
れば、ブリッジとして判定することで、精度の高い検査
が可能となる。本例の場合、全ての結果に差が表われて
おり、ブリッジの検出が可能である。尚、他の方法とし
て良品基準のパターンを予め２値画像として記憶してお
けば、この基準パターン画像と直接（1a）（1b）との差
画像を求めれば、ブリッジの顕在化が可能であり、この
差画像を用い第39図，第40図に示す方法で、ブリッジ判
定が可能である。前記実施例ではリードフレーム像が検
出される場合について説明したが、多層基板の場合基板
内に多重になっている配線パターンも同様にΧ透過画像
として検出される場合が有り、この場合についても適用
可能である。
以上説明したように本実施例によれば、Ｘ線を検出手
段に用いて基板実装部品のはんだ付検査を行なう際に、
ICのリードフレーム像等の影響を除くことができるた
め、部品リード間に発生する微細なはんだブリッジに対
しても高い検出性能が得られる。
次に本発明に係る他の実施例を説明する。
即ち、第３図に本実施例において対象としている面実
装部品の例を示している。また第４図は、はんだ付状態
におけるICの断面形状を示している。
第50図は、このような部品のはんだ付部を検出したＸ
線画像の例を示すもので、特にＪリードの例を用いて説
明している。同図（ａ）は、正常なはんだ付部に対する
画像例を例示しているが、部品リード35と、回路基板上
のパッド31が重なって検出されている。同図（ｂ）は、
ICの搭載位置ずれ欠陥が発生した場合のＸ線画像の例
を、また（ｃ）はリード曲り欠陥60が発生した場合のＸ
線画像の例を示している。
ＪリードにおけるＸ線透過画像形成については前記し
た通りである。
前記のようにして得られたＪリードのＸ線透過画像に
対して、画像処理部10を用いて第51図（ａ）で示すよう
な領域で水平投影分布Ｈ（ｊ）を求める。
画像ｆ（i,j）に対する水平投影分布Ｈ（ｊ）の算出
式を下記に示す。
この結果、同図（ｂ）で示すような水平投影分布Ｈ
（ｊ）が得られる。計算機８はＨ（ｊ）を入力し、第52
図で示すように閾値Th1とＨ（ｊ）との交点js,jeを求
め、垂直方向のはんだ付部の位置とする。ここで閾値Th
1は前もって設定する。あるいは入力したＨ（ｊ）の最
大値と最小値を前もって設定した比で内部した値などを
用いる。
次に、第53図（ａ）で示すように、js,jeに対して所
定量移動させた領域jp1,jp2を算出し、このjp1〜jp2の
領域の垂直投影分布Ｖ（ｉ）を画像処理部10を用いて求
める。jp1〜jp2は、リード先端部外側に検出されるはん
だ付部パッドの一部分が存在する領域に相当し、例えば
下式により求めることが可能である。
また、この垂直投影分布Ｖ（ｉ）の算出方法を下式に示
す。
このＶ（ｉ）を求めた例を第53図（ｂ）で示す。計算機
８はＶ（ｉ）を入力し、第54図で示すように、閾値Th2
とＶ（ｉ）の交点is1,ie1〜is4,ie4を求め、水平方向の
パッド位置とする。ことで閾値Th2の設定と同様とす
る。
更に計算機８において以上のようにして求めたパッド
位置js,je,及びis1,ie1〜is4,ie4を基準として、第55
（ａ）図で示すように、各パッド間にずれ量判定領域35
を設ける。この領域設定は例えば下記のように行えば良
い。
ここでDWは判定領域幅を表わす。
次に第55図（ｂ）で示すように、画像処理部10におい
て各判定領域35内の画像２値化を行い、この２値画像の
垂直方向の投影分布Ｐ（ｊ）を求める。この結果得られ
る第55図（ｃ）のような波形に対して、予め計算機８に
設定した基準レベルVWと交わる波形幅ΔW1〜ΔW4を計算
機８で算出し、これが許容値Δｅより大なる時リードず
れ欠陥と判定するものである。
検査対象とする回路基板１が、第44図に示すような、
部品両面実装基板である場合にも、第12図で示すような
検出方法によって得られるＸ線画像は、表と裏の基板パ
ッドは重なった一つの像として検出される。また、正常
なリードも第50（ａ）で示すように表・裏のリードも重
なって検出される一方、少くとも一方にリードずれがあ
る場合には第50図（ｂ），（ｃ）で示すようにパッド間
にはみ出した像が検出できるため、上記した片面実装基
板と同様にリード位置ずれの判定が実行できる。
一方、第56図は、基板パッド間に設定するリードずれ
判定領域の設定位置を求めるための、他の実施例を示す
ものである。他の第１の方法は、同図で示すように回路
基板１上の空きスペースに、予め位置認識用基準パター
ン41,42を設け、回路基板組立時のはんだペースト塗布
工程において、この位置認識基準パターン41,42上にも
はんだ塗布を行い、Ｘ線画像検出時に高いコントラスト
像が得られるようにする。
リードずれ判定時に、第57図で示すように各位置認識
基準パターン49について水平方向，垂直方向投影分布Hm
（ｊ）,Vm（ｉ）を求め、計算機８で各所定閾値VTH3,V
TH4との交点jm1,jm2,im1,im2を算出する。この算出を各
位置認識基準パターン41,42に行った後、予め計算機に
入力した各位置認識基準パターン41,42と各基板パッド4
8との相対位置座標値およびパッド寸法値を用いて第55
図で示すように、各パッド間にリードずれ判定領域を設
定するものである。
他の第２の方法は、第56図の43,44で示すように、基
板パッド48に接近した位置に位置認識基準パターンを設
け、上記と同様な方法でリードずれ判定領域の設定を行
うものである。第３の方法は、第56図の45で示すよう
な、基板１上で特に高いコントラスト像が得られるクリ
アランスパターン多層配線基板のようにスルホールとそ
の周辺の基板内に内装された配線パターンとのクリアラ
ンスパターンを用い、これを基準としてリードずれ判定
領域を設定するもので、これを用いても上記の位置認識
基準パターン適用時と同様な方法でリードずれ判定領域
の設定を行うことができる。
このように本発明によれば、Ｘ線を検出手段に用いた
基板実装部品のはんだ付検査を行う際に、基板パッドに
対するリード位置ずれ量を高精度で検出できる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、Ｘ線透過画像
信号よりはんだ付部の位置を自動的に抽出し、各はんだ
付部毎に、はんだ不足，はがれ，リードずれ，ブリッジ
等の欠陥をリードフレームや基板内の配線パターン等の
良品のもののＸ線透過画像の陰影に関係なく、高信頼度
で自動的に検査することができる効果を奏する。
また本発明によれば、はんだ付部の良否に最も影響を
するフィレット形状について判定することによりはんだ
付部の検査を高信頼度で行うこともできる。特にフィレ
ット判定の基準となる良品データの収集を効率よく行な
え、且つはんだ付けのバリエーションに対応した良品の
データが得られ、はんだ付け検査の信頼性を高めること
ができる。
また本発明によれば、両面実装のはんだ付部に対して
Ｘ線透過画像信号により欠陥判定を行うことができる。
また本発明によれば、ICのリードフレームや基板内の
配線パターン等のＸ線透過画像の影響を軽減してリード
間に発生する微細なブリッジに対して高い検出性能でも
って検査することができる。
また本発明によれば、基板パッドに対するリード位置
ずれ量を高精度に検出してリード位置ずれ量等の欠陥を
Ｘ線透過画像信号により検査することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係るＸ線透過画像によるはんだ付部を
検出する装置の一実施例を示す概略構成図、第２図はIC
等を実装した基板に対して傾けてΧ透過画像を検出する
一実施例を示した側面図、第３図は基板に実装されるIC
の形態を示した図、第４図は各種ICのはんだ接合状態を
示した部分側面図、第５図ははんだ接合における各種欠
陥を示した図、第６図はＪリードの場合の透過Ｘ線線の
関係を示す図、第７図はＪリードの場合のフィレット形
状を検出する説明図、第８図は第１図に示す画像処理触
を具体的に示した構成図、第９図は検出画像を正規化す
る装置構成を示した図、第10図は正規化された画像ｆ
（i,j）に対して投影する領域を示す図、第11図はPLCC
と呼ばれるＪリードはんだ付け部を示した図、第12図は
第11図に示すＪリードはんだ付け部に対してＸ線を照射
する状態と、TVカメラで得られるＸ線透過画像とを示し
た図、第13図はＪリードのはんだ付け部のリード長手方
向の断面とそのＸ線透過画像の明るさとを示した図、第
14図は水平方向に投影する領域と水平投影分布Ｈ（ｊ）
とを示した図、第15図は水平投影分布Ｈ（ｊ）に対して
閾値Th1でスレッショルドして垂直方向のはんだ付部の
位置（js〜je）を検出する説明図、第16図は垂直方向に
投影する領域と垂直投影分布Ｖ（ｉ）とを示した図、第
17図は垂直投影分布Ｖ（ｉ）に対して閾値Th2でスレッ
ショルドして水平方向のはんだ付部の位置（isn〜ien）
を検出する説明図、第18図はリードずれ欠陥の断面形状
例とそのＸ線透過画像とを示した図、第19図はリード浮
き欠陥例を示した図、第20図は良品で求まるはんだ付け
部の中心位置とはんだなしのときに求まるリードの中心
位置との関係を示した図、第21図はＪリードにおいては
んだが不足していた場合のフィレット形状とＪリードに
おいて正常のはんだを有する場合のフィレット形状を示
した図、第22図は多数の良品フィレット波形をクラスタ
リングして得られる典型的な良品フィレット波形を示し
た図、第23図は基準良品画像を設定するためのフローを
示した図、第24図ははんだボール，はんだブリッジが存
在するときのＸ線透過２値画像と、その投影分布と、該
投影分布を閾値Th3で２値化した波形とを示す図、第25
図はプリント板をリード並び方向に傾斜させてΧ線透過
画像を検出する形態を示した図、第26図は第25図で示す
形態においてはんだ付部の重なりをなくして検出される
Ｘ線透過画像を示す図、第27図は第26図に示すＸ線透過
画像を拡大して示したものと、リード長手方向（垂直方
向）の投影分布を示した図、第28図は基板傾斜がないと
きの画像処理フローを示した図、第29図は基板傾斜があ
るときの画像処理フローを示した図、第30図は両面実装
基板の検査フローを示した図、第31図は検査するICのフ
ェーズF1〜F4を時計回りに示した平面図、及び正面図、
第32図及び第33図は各々イメージインテンシファイア及
びTVカメラを移動させて両面実装基板に対してＸ線透過
画像を検出する場合を示した図、第34図ははんだ付部に
ついてＸ線透過画像を検出しようとするICにのみＸ線が
照射されないようにシャッタを設けた場合を示した図、
第35図ははんだブリッジやはんだボールの欠陥とリード
フレームとを有するはんだ付部に対するＸ線透過画像例
を示した図、第36図ははんだブリッジの欠陥とリードフ
レームとを有するはんだ付部に各々（Ａ）〜（Ｃ）の領
域を設定した場合を示した図、第37図は第36図に示す走
査線上のＸ線透過画像信号を示した図、第38図は（Ａ）
〜（Ｃ）の領域においてブリッジのみを顕在化した画像
信号を示した図、第39図は領域（Ａ）についてのブリッ
ジの判定方法を説明するための図、第40図は領域（Ｂ）
についてのブリッジの判定方法を説明するための図、第
41図はリードフレームのパターン像が検出される領域
（Ｂ）に対して２つの閾値を用いて２種の２値画像を作
成する場合を示した図、第42図は閾値Vhによる２値画像
信号からのブリッジ判定方法を説明するための図、第43
図は閾値Vlによる２値画像信号からのブリッジ判定方法
を説明するための図、第44図はブリッジ判定が適用でき
る両面実装基板を示した図、第45図は第44図に示すブリ
ッジ欠陥を有する両面実装基板から得られるＸ線透過画
像を示した図、第46図は第45図に示す画像に対して領域
（Ｂ）に対して３つの閾値Vh,Vm,Vlを設けて３種類の２
値画像信号を得る場合を示した図、第47図，第48図及び
第49図は、各々３種類の各２値画像信号からブリッジを
判定する方法を説明するための図、第50図はＪリードに
おいて正常なものとリードずれが生じたものとについて
のΧ線透過画像を示した図、第51図は第50図に示すＪリ
ードのＸ線透過画像に対して水平投影分布Ｈ（ｊ）を求
めることについて説明するための図、第52図は水平投影
分布Ｈ（ｊ）から垂直方向のはんだ付部の位置（js,j
e）を検出することを示す図、第53図は第52図に示すjs,
jeに対して所定量移動させたjp1〜jp2の領域とその領域
における垂直投影分布Ｖ（ｉ）とを示した図、第54図は
垂直投影分布Ｖ（ｉ）を閾値Th2でスレッショルドして
各判定領域（isn〜ien）を求めることを示した図、第55
図は各判定領域（isn〜ien）に対するリードずれ欠陥の
判定方法を説明するための図、第56図は基板パッド間に
設定するリードずれ判定領域を求めるための他の実施例
を示した図、第57図は第56図に示す各位置認識基準パタ
ーンについて水平方向、及び垂直方向について投影分布
Hm（ｊ）,Vm（ｉ）を求めることを示す図、第58図は両
面のリード等のΧ透過画像が重ならないようにリードピ
ッチＰに対してP/2ずらしてICを両面に配置した両面実
装基板を示した正面図、第59図はフィレット形状判定方
式を示した説明図である。 １……部品（IC）、 ２……プリント板（基板）、 ３……ΧＹθステージ、４……Ｘ線源、 ５……イメージインテンシファイア、 ６……TVカメラ、 ７……ψステージ、 ８……計算機、 ９……ステージ制御部、 10……画像処理部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭54−143290（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−219632（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−196980（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−290311（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−41755（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01N 23/04 - 23/18 H05K 3/34 B23K 1/00 G01N 21/88

Claims (19)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】試料ステージにより位置決めされ、且つ基
    板に電子部品のリードをはんだ付けした検査対象にＸ線
    を照射してそのＸ線透過画像を得、このＸ線透過画像よ
    り検査対象となるはんだ付部の位置を抽出し、その位置
    情報に基づいて各はんだ付部毎に検査領域を設定し、こ
    の設定された検査領域毎に上記Ｘ線透過画像の情報を、
    予め所定の数の良品を撮像することにより得られた画像
    をクラスタリングして設定した複数の良品画像の情報と
    比較して欠陥判定することを特徴とするＸ線透過画像に
    よるはんだ付部の検査方法。
  2. 【請求項２】前記リードの並び方向に上記Ｘ線透過画像
    を投影した投影分布により前記リードの長手方向の位置
    を抽出し、該リードの長手方向に上記Ｘ線透過画像を投
    影した投影分布による前記リードの並び方向の位置を抽
    出して上記はんだ付部の位置を抽出することを特徴とす
    る請求項１記載のＸ線透過画像によるはんだ付部の検査
    方法。
  3. 【請求項３】はんだ付部の幅又は間隔を基準値と比較す
    ることにより上記Ｘ線透過画像を評価して欠陥判定する
    ことを特徴とする請求項１記載のＸ線透過画像によるは
    んだ付部の検査方法。
  4. 【請求項４】上記Ｘ線透過画像を積分することによりは
    んだ量を判定して欠陥判定することを特徴とする請求項
    １記載のＸ線透過画像によるはんだ付部の検査方法。
  5. 【請求項５】はんだ付部間の上記Ｘ線透過画像を２値画
    像に変換し、この２値画像によりはんだ付部間の欠陥を
    判定することを特徴とする請求項１記載のＸ線透過画像
    によるはんだ付部の検査方法。
  6. 【請求項６】前記Ｘ線と検査対象とを相対的に傾斜させ
    ることにより両面に電子部品を実装した前記基板の表裏
    のはんだ付部が重ならないようにして上記Ｘ線透過画像
    を得ることを特徴とする請求項１記載のＸ線透過画像に
    よるはんだ付部の検査方法。
  7. 【請求項７】試料ステージにより位置決めされた基板に
    電子部品のリードをはんだ付けした検査対象にＸ線を照
    射してそのＸ線透過画像信号を検出し、該Ｘ線透過画像
    より検査対象となるはんだ付部の位置を抽出し、その位
    置情報に基づいて各はんだ付部毎に上記Ｘ線透過画像信
    号から上記はんだのフィレット形状を算出し、該算出さ
    れたフィレット形状と良品のフィレット形状とを比較評
    価して欠陥判定することを特徴とするＸ線透過画像によ
    るはんだ付部の検査方法。
  8. 【請求項８】試料ステージにより位置決めされ、且つ基
    板に電子部品のリードをはんだ付けした検査対象にＸ線
    を照射してそのＸ線透過画像を検出し、該Ｘ線透過画像
    より検査対象となるはんだ付部の位置を抽出し、該抽出
    されたはんだ付部の位置に基いて上記検出されるＸ線透
    過画像に対して上記リード間に複数の領域を設定し、該
    設定した複数の領域の各領域毎の上記Ｘ線透過画像のデ
    ータを前記領域に応じた閾値で２値化し、該２値化した
    データに基づいてリード間に存在するはんだブリッジや
    はんだボールなどの欠陥を判定することを特徴とするＸ
    線透過画像によるはんだ付部の検査方法。
  9. 【請求項９】試料ステージにより位置決めされ、且つ基
    板のパッド上に電子部品のリードをはんだ付けした検査
    対象にＸ線を照射してそのＸ線透過画像を検出し、該Ｘ
    線透過画像上で上記基板上のパッド位置を求め、該求め
    たパッド位置の情報に基づいて上記Ｘ線透過画像上での
    前記パッド間の検査領域を設定し、上記Ｘ線透過画像上
    で設定した上記検査領域内で上記パッド間にはみ出した
    上記リードのずれを判定することを特徴とするＸ線透過
    画像によるはんだ付部の検査方法。
  10. 【請求項１０】上記パッド位置検出を、上記電子部品の
    リード先端部の外側に検出されるパッドの一部のＸ線透
    過画像信号又は予め前記基板上に設けた基準位置認識用
    パターンのＸ線透過画像信号又は予め前記基板上に設け
    た基準位置座標がわかった特徴的なパターンのＸ線透過
    画像信号のうち何れかを用いて行うことを特徴とする請
    求項９記載のＸ線透過画像によるはんだ付部検査方法。
  11. 【請求項１１】Ｘ線源と、基板に電子部品のリードをは
    んだ付けした検査対象を位置決めする試料ステージと、
    前記Ｘ線源により照射されて前記試料ステージにより位
    置決めされた上記検査対象のはんだ付部を透過したＸ線
    透過画像を検出するＸ線検出器と、該Ｘ線検出器により
    検出されるＸ線透過画像信号に基いて検査対象となるは
    んだ付部の位置を抽出するはんだ付部位置抽出手段と、
    該はんだ付部位値抽出手段によって抽出されたはんだ付
    け部位置情報に基いて各はんだ付け部毎に検査領域を設
    定する検査領域設定手段と、上記Ｘ線検出器で予め所定
    の数の良品のＸ線透過画像を検出することにより得られ
    たＸ線透過画像信号をクラスタリングして設定した複数
    の良品のＸ線透過画像信号情報を記憶する記憶手段と、
    上記検査領域設定手段により設定された検査領域毎に上
    記Ｘ線検出器により検出されるＸ線透過画像の情報を上
    記記憶手段に記憶した複数の良品のＸ線透過画像信号情
    報と比較して欠陥判定を行う欠陥判定手段とを備えたこ
    とを特徴とするＸ線透過画像によるはんだ付部の検査装
    置。
  12. 【請求項１２】上記はんだ付部位値抽出手段は、リード
    の並び方向に上記Ｘ線透過画像を投影した投影分布によ
    りリードの長手方向の位置を抽出し、リードの長手方向
    に上記Ｘ線透過画像を投影した投影分布によりリードの
    並び方向の位置を抽出すべく形成したことを特徴とする
    請求項11記載のＸ線透過画像によるはんだ付け部の検出
    装置。
  13. 【請求項１３】上記欠陥判定手段は、はんだ付部の幅ま
    たは間隔を基準値と比較すべく形成したことを特徴とす
    る請求項11記載のＸ線透過画像によるはんだ付部の検出
    装置。
  14. 【請求項１４】上記欠陥判定手段は、上記Ｘ線透過画像
    を積分することによりはんだ量を判定すべく形成したこ
    とを特徴とする請求項11記載のＸ線透過画像によるはん
    だ付部の検査装置。
  15. 【請求項１５】上記欠陥判定手段は、はんだ付部間の上
    記Ｘ線透過画像を２値画像に変換し、この２値画像によ
    り前記はんだ付け部間の欠陥を判定すべく形成したこと
    を特徴とする請求項11記載のＸ線透過画像によるはんだ
    付部の検査装置。
  16. 【請求項１６】上記Ｘ線検出器は、両面に電子部品を実
    装した前記基板の表裏のはんだ付け部で重ならないよう
    にしてＸ線透過画像を得るように形成したことを特徴と
    する請求項11記載のＸ線透過画像によるはんだ付部の検
    査装置。
  17. 【請求項１７】Ｘ線源と、基板に電子部品のリードをは
    んだ付けした検査対象を位置決めする試料ステージと、
    上記Ｘ線源により照射されて上記試料ステージにより位
    置決めされた上記検査対象のはんだ付部を透過したＸ線
    透過画像を検出するＸ線検出器と、該Ｘ線検出器により
    検出されるＸ線透過画像に基いて検査対象となるはんだ
    付部の位置を抽出するはんだ付部位置抽出手段と、該は
    んだ付け部位置抽出手段によって抽出されたはんだ付部
    位置情報に基いて上記Ｘ線検出器により検出されるＸ線
    透過画像信号に対して上記リード間に複数の領域を設定
    する領域設定手段と、該領域設定手段によって設定され
    た複数の領域の各領域毎の上記Ｘ線透過画像のデータを
    前記領域に応じた閾値で２値化する２値化手段と、該２
    値化手段で２値化したデータに基づいてリード間に存在
    するはんだブリッジやはんだボールなどの欠陥を判定す
    る欠陥判定手段とを備えたことを特徴とするＸ線透過画
    像によるはんだ付部の検査装置。
  18. 【請求項１８】Ｘ線源と、基板のパッド上に電子部品の
    リードをはんだ付けした検査対象を位置決めする試料ス
    テージと、上記Ｘ線源により照射されて上記試料ステー
    ジにより位置決めされた上記検査対象のはんだ付部を透
    過したＸ線透過画像を検出するＸ線検出器と、該Ｘ線検
    出器により検出されるＸ線透過画像信号に基いて基板上
    のパッド位置を検出するパッド位置検出手段と、該パッ
    ド位置検出手段により検出されたパッド位置の情報に基
    いて上記Ｘ線透過画像上での前記パッド間の検査領域を
    設定する検査領域設定手段と、該検査領域設定手段によ
    り上記Ｘ線透過画像上で設定した上記検査領域内で上記
    パッド間にはみ出した上記リードのずれを判定するリー
    ドずれ判定手段とを備えたことを特徴とするＸ線透過画
    像によるはんだ付部の検査装置。
  19. 【請求項１９】上記パッド位置検出手段は、電子部品の
    リード先端部の外側に検出されるパッドの一部のＸ線透
    過画像信号又は予め基板上に設けた基準位置認識用パタ
    ーンのＸ線透過画像信号又は予め基板上に設けた基準位
    置座標がわかった特徴的なパターンのＸ線透過画像信号
    のうち何れかを用いて上記パッド位置の検出を行うこと
    を特徴とする請求項18記載のＸ線透過画像によるはんだ
    付検査装置。
JP1180305A 1988-08-26 1989-07-14 Ｘ線透過画像によるはんだ付部の検査方法及びその装置 Expired - Fee Related JP2934455B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019890012109A KR920005862B1 (ko) 1988-08-26 1989-08-25 X선 투과화성에 의한 납땜부의 검사방법과 그 장치 및 기판에의 전자부품의 내장구조
DE69020443T DE69020443T2 (de) 1989-07-14 1990-02-20 Verfahren und Vorrichtung zur Untersuchung von Lötstellen mittels eines röntgenfluoroskopischen Bildes.
EP90103236A EP0407685B1 (en) 1989-07-14 1990-02-20 Method for inspection of solder joints by x-ray fluoroscopic image and apparatus therefor
US08/207,796 US5493594A (en) 1988-08-26 1994-03-07 Method and apparatus for inspection of solder joints by x-ray fluoroscopic imaging

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21071188 1988-08-26
JP63-210711 1988-08-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02138855A JPH02138855A (ja) 1990-05-28
JP2934455B2 true JP2934455B2 (ja) 1999-08-16

Family

ID=16593836

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1180305A Expired - Fee Related JP2934455B2 (ja) 1988-08-26 1989-07-14 Ｘ線透過画像によるはんだ付部の検査方法及びその装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5493594A (ja)
JP (1) JP2934455B2 (ja)
KR (1) KR920005862B1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004317226A (ja) * 2003-04-15 2004-11-11 Shimadzu Corp バンプ検査装置
KR20150088233A (ko) * 2015-07-22 2015-07-31 (주)자비스 간섭 회피 양극 로드를 가진 엑스레이 튜브 및 이를 가진 검사 장치
KR102269741B1 (ko) * 2020-01-16 2021-06-29 테크밸리 주식회사 머신러닝을 이용한 오버랩 패턴의 엑스선 검사 방법

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3092828B2 (ja) * 1992-04-30 2000-09-25 株式会社日立製作所 Ｘ線透過像検出によるはんだ付け検査方法とその装置
JPH09172299A (ja) * 1995-12-20 1997-06-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板認識装置
WO1998050784A1 (de) * 1997-05-05 1998-11-12 Macrotron Process Technologies Gmbh Verfahren und schaltungsanordnung zur prüfung von lötstellen
KR100292343B1 (ko) * 1997-08-14 2001-07-12 윤종용 기판상의크림솔더도포상태검사방법
JP4574755B2 (ja) 1998-02-06 2010-11-04 浜松ホトニクス株式会社 Ｘ線発生装置及び検査システム
US6237219B1 (en) * 1998-03-05 2001-05-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of mounting conductive ball
JP2000261137A (ja) * 1999-03-12 2000-09-22 Nec Corp 電子部品接続状態検査装置及び電子部品接続状態検査方法
JP3517388B2 (ja) * 2000-06-14 2004-04-12 新光電気工業株式会社 バンプの検査方法及びバンプの検査装置
CN1191747C (zh) * 2001-09-06 2005-03-02 株式会社理光 电子元件组装检查方法
US7151850B2 (en) * 2001-10-30 2006-12-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus and method for setting teaching data, teaching data providing system over network
JP3891285B2 (ja) * 2002-11-01 2007-03-14 株式会社島津製作所 Ｘ線透視装置
US7532749B2 (en) * 2003-11-18 2009-05-12 Panasonic Corporation Light processing apparatus
JP4494026B2 (ja) * 2004-01-21 2010-06-30 名古屋電機工業株式会社 Ｘ線検査装置、ｘ線検査方法およびｘ線検査装置の制御プログラム
JP3972941B2 (ja) * 2004-06-30 2007-09-05 オムロン株式会社 部品実装基板用のはんだ印刷検査方法およびはんだ印刷検査用の検査機
US7529338B2 (en) * 2006-02-22 2009-05-05 Focalspot, Inc. Method and apparatus for inspecting circuit boards
DE102006016785A1 (de) * 2006-04-10 2007-10-31 Yxlon International X-Ray Gmbh Prüfteilmanipulator sowie Verfahren zur automatischen Positionierung von Prüfteilen bei der Serienprüfung
JP4707605B2 (ja) * 2006-05-16 2011-06-22 三菱電機株式会社 画像検査方法およびその方法を用いた画像検査装置
US7903864B1 (en) * 2007-01-17 2011-03-08 Matrox Electronic Systems, Ltd. System and methods for the detection of irregularities in objects based on an image of the object
JP5350604B2 (ja) * 2007-05-16 2013-11-27 スパンション エルエルシー 半導体装置及びその製造方法
JP2011169711A (ja) * 2010-02-18 2011-09-01 Nagoya Electric Works Co Ltd 放射線検査処理装置、放射線検査処理方法および放射線検査処理プログラム
WO2012030973A2 (en) * 2010-09-01 2012-03-08 Spectral Instruments Imaging, LLC Methods and systems for producing visible light and x-ray image data
JP2014016239A (ja) * 2012-07-09 2014-01-30 Tokyo Electron Ltd Ｘ線検査方法及びｘ線検査装置
US20150015269A1 (en) * 2013-07-11 2015-01-15 Nvidia Corporation Detection of mis-soldered circuits by signal echo characteristics
US10145806B2 (en) 2013-12-12 2018-12-04 Nikon Corporation X-ray apparatus
US9869643B2 (en) * 2014-01-24 2018-01-16 Cisco Technology, Inc. Masks that selectively attentuate radiation for inspection of printed circuit boards
EP3153814B1 (en) * 2014-06-06 2021-05-26 FUJI Corporation Lead image recognition method, lead image recognition device, method for creating component data for image processing, and device for creating component data for image processing
CN105108317A (zh) * 2015-09-15 2015-12-02 昆山斯格威电子科技有限公司 一种用于双轴肩搅拌摩擦焊焊接质量检测装置
KR102137186B1 (ko) * 2017-01-20 2020-07-23 (주)자비스 전자 기판의 엑스레이 검사 방법
CN110930347B (zh) * 2018-09-04 2022-12-27 京东方科技集团股份有限公司 卷积神经网络的训练方法、焊点缺陷的检测方法及装置
CN114878603B (zh) * 2021-12-23 2023-03-14 浙江威固信息技术有限责任公司 一种bga芯片虚焊检测方法及检测系统
CN115135033B (zh) * 2022-07-29 2024-02-09 苏州浪潮智能科技有限公司 一种空焊检测装置及电子设备

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54143290A (en) * 1978-04-28 1979-11-08 Toshiba Corp Soldered part inspecting device
JPS61290311A (ja) * 1985-06-19 1986-12-20 Hitachi Ltd はんだ付部の検査装置及びその方法
US4809308A (en) * 1986-02-20 1989-02-28 Irt Corporation Method and apparatus for performing automated circuit board solder quality inspections
US4910757A (en) * 1987-11-06 1990-03-20 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for X-ray imaging

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004317226A (ja) * 2003-04-15 2004-11-11 Shimadzu Corp バンプ検査装置
KR20150088233A (ko) * 2015-07-22 2015-07-31 (주)자비스 간섭 회피 양극 로드를 가진 엑스레이 튜브 및 이를 가진 검사 장치
KR101707219B1 (ko) 2015-07-22 2017-03-02 (주)자비스 간섭 회피 양극 로드를 가진 엑스레이 튜브 및 이를 가진 검사 장치
KR102269741B1 (ko) * 2020-01-16 2021-06-29 테크밸리 주식회사 머신러닝을 이용한 오버랩 패턴의 엑스선 검사 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR900003995A (ko) 1990-03-27
JPH02138855A (ja) 1990-05-28
US5493594A (en) 1996-02-20
KR920005862B1 (ko) 1992-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2934455B2 (ja) Ｘ線透過画像によるはんだ付部の検査方法及びその装置
JP2953736B2 (ja) 半田の形状検査方法
US6872949B2 (en) Connection inspecting apparatus, connection inspecting method, and recording medium for recording programs executing the method
JP2539496B2 (ja) プリント基板検査装置
JP2011075470A (ja) 画像処理プログラム、画像処理方法および画像処理装置
JP3361768B2 (ja) 蛍光ｘ線分析装置およびｘ線照射位置確認方法
JP2007017283A (ja) 外観検査方法及び外観検査装置
JP4228773B2 (ja) 基板検査装置
EP0407685B1 (en) Method for inspection of solder joints by x-ray fluoroscopic image and apparatus therefor
Neubauer et al. Improving X-ray inspection of printed circuit boards by integration of neural network classifiers
JP3836988B2 (ja) パターン検査方法およびパターン検査装置
KR100300586B1 (ko) X－ray를이용한인쇄회로기판의단층검사장치및검사방법
JPH0743329B2 (ja) 内部欠陥検査方法及びその装置
Adams X-ray laminography analysis of ultra-fine-pitch solder connections on ultrathin boards
JP2661577B2 (ja) 半田付け外観検査方法および装置
JPH05251535A (ja) バンプ検査装置
KR100339008B1 (ko) Ｘ-선을 이용한 ｐｃｂ의 단층 검사방법
KR100287715B1 (ko) X－ray를 이용한 인쇄회로기판의 단층 검사장치 및 검사방법
JPH0618450A (ja) 平面サンプル用断層撮影装置
JPH0381606A (ja) Ｘ線透過画像によるはんだ付部の検査方法及びその装置
Nicholson et al. Development of a comprehensive in‐line quality control system for printed circuit board assemblies
JPH04315006A (ja) フリップチップのボンディング検査方法
KR20210135794A (ko) Pcb 기판의 단층 검사방법
JPH0599643A (ja) はんだ付部のｘ線検査方法
JPH03218408A (ja) はんだ付検査方法及びその装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees